JPH1110531A - ポリッシング装置 - Google Patents

ポリッシング装置

Info

Publication number
JPH1110531A
JPH1110531A JP16125497A JP16125497A JPH1110531A JP H1110531 A JPH1110531 A JP H1110531A JP 16125497 A JP16125497 A JP 16125497A JP 16125497 A JP16125497 A JP 16125497A JP H1110531 A JPH1110531 A JP H1110531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polished
holding
polishing
semiconductor wafer
holding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16125497A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Furuya
正明 古矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP16125497A priority Critical patent/JPH1110531A/ja
Publication of JPH1110531A publication Critical patent/JPH1110531A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハの研磨面に回転モーメントが生
じず、摩擦力が生じても高精度に平行度を維持して研磨
加工できるポリッシング装置を提供すること。 【解決手段】 被研磨材25を保持する保持手段を有
し、保持手段に保持された被研磨材25を定盤へ押圧し
て研磨加工を行うポリッシング装置10において、上記
保持手段は、第1の保持部材12と、第1の保持部材1
2と対向して設けられた被研磨材25を保持する第2の
保持部材24と、第1及び第2の保持部材12,24間
に設けられた中間部材16と、第1の保持部材12と中
間部材16間を連結する1組以上のリンク機構14a,
14bと、第2の保持部材24と中間部材16間を連結
する1組以上のリンク機構20a,20bとを有し、各
リンク機構は互いに異なる向きに配置されると共に、各
リンク機構の回動中心は上記被研磨材25の研磨加工面
上の1点であることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハおよ
び半導体ウエハに形成された成膜等を研磨加工するポリ
ッシング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】超LSIなどに使用される半導体ウエハ
の表面を平坦にするポリッシング加工においては、極め
て高い品質が要求されている。この半導体ウエハをポリ
ッシング装置でポリッシング加工するためには、定盤な
どの固定部位に設けられた研磨布に対し、加工対象であ
る上記半導体ウエハを、例えばプレート上にワックスな
どを用いて貼付或いは真空吸着して保持し、この保持さ
れた半導体ウエハの加工面を上記研磨布に加圧した状態
とする。そして、この半導体ウエハの加工面と研磨布を
相対的に移動させ、上記半導体ウエハの加工面のポリッ
シング加工を行う。
【0003】このポリッシング加工において、ウエハ面
の高平坦度を実現するためには、加工面と研磨布面の平
行度を高精度に維持すること、及び加工面への加圧を均
一にする必要がある。
【0004】加工面と研磨布面との平行度を高精度に維
持する方法としては、図3に示すポリッシング装置1に
半導体ウエハ15を支持する加圧ヘッド2を球面軸受を
用いて支持する方法(特公平3−17662)や、被研
磨材が固定されたキャリアプレートの上面を押圧する押
圧板と支持軸の間に弾性部材を設ける方法(特開平1−
64774)があり、また加工面への加圧を均一にする
方法としては、加圧ヘッドとワークの間に水や空気のよ
うな加圧流体を介在させ、上記半導体ウエハに作用する
加圧力を半導体ウエハの背面に均等に作用させる方法
(特開昭63−144955)などが知られている。
【0005】また、近年CMP(Chemical Mechanical
Polishing )なる半導体ウエハに形成された成膜の平
坦化を行う加工方法が存在する。このCMPにおいて
は、上記半導体ウエハに形成された薄い成膜を平坦化す
るため、より高精度に平坦化することが必要とされる。
しかしながら、このCMPにおいても、基本的には研磨
加工であるため、従来の半導体ウエハのポリッシングと
機構的には同様のものとなっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の半導
体ウエハに形成された成膜の平坦化を精度良く行うため
には、この成膜に加えられる圧力の分布を調整する必要
がある。すなわち、この半導体ウエハに対し、例えばこ
の半導体ウエハの中心部や外周側へ他の部分に比して高
い圧力が加わると、この圧力が高い部分のみ研磨が進行
し、そのためこの研磨対象である半導体ウエハの研磨に
偏りが生じ、精度良く行うことができない場合が生じて
いる。
【0007】特に、上記加圧ヘッド2が図4に示すよう
に、例えばベアリング3によって支持軸4に支持されて
いるポリッシング装置1においては、支点であるこのベ
アリング3を中心として、所定距離離間した半導体ウエ
ハ5の加工面に摩擦力Fが生じ、この摩擦力Fの働く加
工面が回転中心Oであるベアリング3より寸法dだけ離
間しているため、この半導体ウエハ5の加工面にモーメ
ントが生じ、そのため半導体ウエハ5の回転によってこ
の半導体ウエハ5の一部のみに力が強く加わって、上記
半導体ウエハ5の研磨が均一に行えない、という不具合
が生じている。
【0008】そこで、図3に示すような上述の球面軸受
を用いて半導体ウエハ5の加工中の平行度を高精度に維
持する方法では、半導体ウエハ5の加工面に回転中心O
が配置されることによって、加工面と研磨布の間に生じ
る摩擦力による回転モーメントが作用しなく、上記半導
体ウエハ5の厳密な平行度の維持が可能となっている。
【0009】ここで、半導体ウエハ5の加工時には、大
きな加工圧力が球面軸受に作用するため、この力を支
え、かつ滑らかに平行度維持のための回転が行えるため
の機構を設けるのが好ましい。このような球面軸受に作
用する加工圧力を滑らかに支持するものとしては、ベア
リングなどのころがり接触による軸受機構や、低摩擦材
料や液体軸受を用いた機構がある。
【0010】しかしながら、これらの機構を設ける場合
には、ポリッシング装置の高精度な加工、組み立てが必
要となり、そのためこのポリッシング装置が高価なもの
となってしまう。
【0011】また、上述の特開昭63−144955に
示した加圧ヘッドとワークの間に加圧流体を介在させ、
加圧力をワーク背面に均等に作用させる方法でも、加圧
時に半導体ウエハの加工面と研磨布の間に生じる摩擦力
によって半導体ウエハに回転モーメントが上記と同様に
生じてしまい、そのため半導体ウエハを研磨布に平行に
保持することができないものとなっている。
【0012】さらに、上述の押圧板と支持軸の間に弾性
部材を設ける方法でも、回転中心が半導体ウエハの上方
側に位置するため、上記半導体ウエハに回転モーメント
が生じてしまうとともに、定盤や加圧ヘッドの回転数の
変化によって上記弾性部材の変形量も変化し、そのため
ウエハの加工面を高精度に加工することが難しいものと
なっている。
【0013】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、半導体ウエハの研磨面
に回転モーメントが生じず、摩擦力が生じても高精度に
平行度を維持して研磨加工が可能なポリッシング装置を
提供しようとするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
被研磨材を保持する保持手段を有し、この保持手段に保
持された被研磨材を定盤へ押圧して研磨加工を行うポリ
ッシング装置において、上記保持手段は、第1の保持部
材と、この第1の保持部材と対向して設けられた被研磨
材を保持する第2の保持部材と、上記第1及び第2の保
持部材間に設けられた中間部材と、上記第1の保持部材
と上記中間部材間を連結する1組以上のリンク機構と、
上記第2の保持部材と上記中間部材間を連結する1組以
上のリンク機構とを有し、各リンク機構は互いに異なる
向きに配置されると共に、各リンク機構の回動中心は上
記被研磨材の研磨加工面上の1点であることを特徴とし
ている。
【0015】請求項2記載の発明は、上記研磨面上の一
点は、被研磨材の中心位置であることを特徴とする請求
項1記載のポリッシング装置である。請求項3記載の発
明は、被研磨材を保持する保持手段を有し、この保持手
段に保持された被研磨材を定盤へ押圧して研磨加工を行
うポリッシング装置において、上記保持手段は、第1の
保持部材と、この第1の保持部材にそれぞれの一端が回
動自在に取り付けられた第1のリンク機構と、この第1
のリンク機構のそれぞれの回動中心が上記被研磨材の研
磨加工面上となる位置に他端を回動自在に取り付けられ
た上記被研磨材を保持する第2の保持部材とを有し、上
記第1及び第2のリンク機構の回動中心は同一の1点で
あることを特徴としている。
【0016】請求項4記載の発明は、上記第1のリンク
機構及び第2のリンク機構は互いに直交するように設け
られていることを特徴とする請求項3記載のポリッシン
グ装置である。
【0017】請求項1の発明によると、上記保持手段は
第1の保持部材と、この第1の保持部材と対向して設け
られた被研磨材を保持する第2の保持部材と、上記第1
及び第2の保持部材間に設けられた中間部材と、上記第
1の保持部材と上記中間部材間を連結する1組以上のリ
ンク機構と、上記第2の保持部材と上記中間部材間を連
結する1組以上のリンク機構とを有しており、各リンク
機構は互いに異なる向きに配置されているため、上記第
2の保持部材が三次元的に自由に回転可能となると共
に、各リンク機構の回動中心が上記被研磨材の研磨加工
面上の1点であるため、上記被研磨材に回転モーメント
が作用することがなく、ポリッシング加工時に摩擦力が
生じても、上記被研磨材の平行度を高精度に維持するこ
とが可能となっている。
【0018】請求項2の発明によると、上記研磨面上の
一点は、被研磨材の中心位置であるため、上記被研磨材
を一層良好にポリッシング加工することが可能となって
いる。
【0019】請求項3の発明によると、上記保持手段
は、第1の保持部材と、この第1の保持部材にそれぞれ
の一端が回動自在に取り付けられた第1のリンク機構
と、この第1のリンク機構のそれぞれの回動中心が上記
被研磨材の研磨加工面上となる位置に他端を回動自在に
取り付けられた第1のリンク機構と、この第1のリンク
機構のそれぞれの回動中心が上記被研磨材の研磨加工面
上となる位置に他端を回動自在に取り付けられた上記被
研磨材を保持する第2の保持部材とを有しているため、
単純な機構で構成されていて高精度な加工を要しない。
【0020】また、上記被研磨材に生じる摩擦力で上記
第1のリンク機構及び第2のリンク機構を用いても、十
分に補正することが可能となっている。さらに上記第2
の保持部材を少ない部品で滑らかに三次元的に自由に回
動させることが可能となると共に、それぞれのリンク機
構の回転中心が上記被研磨材の研磨面上の一点に設けら
れているため、上記被研磨材に回転モーメントが作用せ
ず、上記被研磨材の平行度を高精度に維持してポリッシ
ング加工することが可能となっている。
【0021】請求項4の発明によると、上記第1のリン
ク機構及び第2のリンク機構は互いに直交するように設
けられているため、上記第2の保持部材の回動を良好に
行えるものとなっている。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図1または図2に基づいて説明する。ポリッシン
グ装置10は、上端が図示されない駆動源に連結されて
おり、この駆動源で生じる駆動力が上記ポリッシング装
置10の回転軸に伝達されるようになっている。このポ
リッシング装置10は、図示しない回転軸の下端が半導
体ウエハ25を保持してポリッシング加工を行う加圧ヘ
ッド11に連結されている。
【0023】図示しない回転軸の下端は、加圧ヘッド1
1の上方に設けられた所定厚さの円板状の第1のプレー
ト12の上面に連結されている。この第1のプレート1
2は、後述するリンク機構をこの下面側で支持するもの
であり、そのためこの第1のプレート12の下面には、
リンク機構の一部分をなす、ブロック状に形成されて所
定の内径を有する二組の軸受部13が、下方へ突出する
ように設けられている。
【0024】この二組の軸受部13は、上記第1のプレ
ート12の中心位置を挟んで対向するように設けられて
おり、また各々の軸受部13は、それぞれ一対のブロッ
ク体13aより構成されている。このブロック体13a
は、所定間隔を有して対向するように設けられており、
また所定の径を有する貫挿孔13bがそれぞれ形成さ
れ、それぞれ対になるブロック体13aの貫挿孔13b
の軸線が一致するように設けられている。さらに、二組
の軸受部13のそれぞれの軸線は、互いに平行でかつポ
リッシング加工する半導体ウエハ25の加工面と平行に
なるように設けられている。
【0025】上記軸受部13には、図2(b)に示すよ
うに、所定の長さを有する一組の第1のリンク部材14
a,14bが回動自在に設けられるようになっている。
この第1のリンク部材14a,14bは、上記軸受部1
3の一対のブロック体13aの間隔より若干狭い幅を有
して設けられており、またこの両端部には突出して形成
された係止ピン15a,15bが設けられている。そし
て、一端側の係止ピン15aが上記軸受部13の貫挿孔
13bに挿通されることによって、この第1のリンク部
材14a,14bが回動自在となるように設けられてい
る。
【0026】他端側の係止ピン15bは、中間体16の
軸受部17により軸支されるように設けられている。こ
の軸受部17に形成された貫挿孔17bには、上記第1
のリンク部材14a,14bの他方側の係止ピン15b
が挿通され、この第1のリンク部材14a,14bの回
動によって上記中間体16が所定方向に揺動可能に設け
られている。
【0027】貫通孔13a,17aの軸線は互いに平行
であり、図2(b)はこの平行軸に垂直な面である。図
2(b)はこの平行軸に垂直な面である。図2(b)の
リンク部材14a,14bの軸線を含んだ面の交点Oは
半導体ウエハ25の加工面上にある。交点Oからリンク
部材14aの貫挿孔13b,17bまでの距離と、リン
ク部材14bの貫挿孔13b,17bまでの距離は同一
にしている。
【0028】上記中間体16の長手方向の両端部にも、
上記軸受部17と同様な構成を有する軸受部19が軸受
部17と直角方向に形成されている。この場合、軸受部
19は、上記中間体16の上方に位置するように設けら
れており、またこの軸受部19に形成された貫挿孔19
bには、図2(c)に示すように、第2のリンク部材2
0a,20bの一端側の係止ピン21aが軸支されるよ
うになっている。
【0029】上記第2のリンク部材20a,20bの他
方側は、第2のプレート22に設けられた軸受部23に
軸支されるようになっている。この軸受部19の貫挿孔
19bにも、上記第2のリンク部材19a,19bの他
方側の係止ピン21が軸支されるようになっている。貫
挿孔19b,23bの軸線は互いに平行であり、図2
(c)はこの平行軸に垂直な面である。図2(c)のリ
ンク部材20a,20bの軸線を含んだ面の交点も、図
2(b)の交点Oと同一であり、半導体ウエハ25の加
工面上に位置する。交点Oからリンク部材20aの貫挿
孔19b,23bまでの距離とリンク部材20bの貫挿
孔19b,23bまでの距離は同一にしている。このた
め、上記第2のプレート22は、上記中間体16に対し
て所定方向に揺動可能に設けられている。
【0030】この第2のプレート22の下方には、この
第2のプレート22と一体的に形成された保持プレート
24が設けられている。この保持プレート24は、下面
で半導体ウエハ25を吸着または接着などの方法によっ
て良好に保持するために、この下面が高精度な平行度を
有するように形成されている。そしてこの下面に半導体
ウエハ25が、例えばワックスなどによって貼付される
ようになっている。
【0031】上記第1のリンク部材14a,14bの互
いの軸線は、非作動時には上記半導体ウエハ25の加工
面の一点Oで交差するように設けられており、また上記
第2のリンク部材20a,20bも同様となっている。
従って、上記保持プレート24に半導体ウエハ25が貼
付された場合、この半導体ウエハ25の加工面に半導体
ウエハ25の回転中心が位置するように設けられてい
る。
【0032】以上のような構成を有するポリッシング装
置10の加圧ヘッド11の作用について、以下に説明す
る。図示しない回転軸に駆動力が伝達されると、上記加
圧ヘッド11は、回転すると共に定盤との間で相対的に
移動するようになるが、この場合、加圧ヘッド11に
は、移動方向Dに駆動力が加わると、半導体ウエハ25
と研磨布26の接触によって、この間に移動方向Dとは
逆向きの摩擦力Fが生じる。
【0033】しかしながら、上記保持プレート24は、
第1のリンク部材14a,14bおよび第2のリンク部
材20a,20bが揺動自在であり、かつ、この第1の
リンク部材14a,14bと第2のリンク部材20a,
20bとの軸線の交点が、上記半導体ウエハ25の加工
面の一点Oに位置するように設けられているため、上述
の従来の図3で示した加圧ヘッドと同様に、回転中心が
半導体ウエハ25の加工面に位置していて、かつ半導体
ウエハ25の一部のみに所定の力が加わっても、第1の
リンク部材14a,14bおよび第2のリンク部材20
a,20bの回動によって、一部のみへの押圧力の集中
を回避でき、上記半導体ウエハ25に均一な力を加える
ことが可能となっている。
【0034】なお、本発明で半導体ウエハ25を研磨加
工する場合、押圧力を均一に加えるための上記保持プレ
ート24の回動動作による移動距離は微小であるため
に、リンク機構が回動したときに発生する回転中心Oの
位置ずれもごく微少量であり、球面軸受構造による回転
中心固定方式と変わらない。
【0035】このような構成のポリッシング装置10の
加圧ヘッド11によると、上記第1のリンク部材14
a,14b、第2のリンク部材20a,20bは、中間
体16を介して互いに連結されており、また互いに直交
するように設けられているため、第1のプレート12と
上記半導体ウエハ25を保持する保持プレート24とが
三次元的に自由に回動可能となるとともに、それぞれ第
1のリンク部材14a,14b、第2のリンク部材20
a,20bの回転中心が上記半導体ウエハ25の加工面
の一点Oに位置するように設けられているので、上記半
導体ウエハ25に回転モーメントが作用することがな
く、ポリッシング加工時に摩擦が生じても、上記半導体
ウエハ25の平行度を高精度に維持することが可能とな
っている。
【0036】また、上記半導体ウエハ25の加工面上の
一点Oは、半導体ウエハ25の中心位置であるため、均
一な力を加えるための回動動作時の慣性モーメントを小
さくでき、上記半導体ウエハ25の研磨面を一層良好に
ポリッシング加工することが可能となっている。
【0037】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。上記実施の形態において
は、リンク機構として第1のリンク部材14a,14b
および第2のリンク部材20a,20bが設けられた構
成となっているが、三次元的に自由に回動可能であれ
ば、他のリンク部材が設けられる構成であっても構わな
い。その他、本発明の要旨を変更しない範囲において、
種々変形可能となっている。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によると、上記保持手段は第1の保持部材と、この第
1の保持部材と対向して設けられた被研磨材を保持する
第2の保持部材と、上記第1及び第2の保持部材間に設
けられた中間部材と、上記第1の保持部材と上記中間部
材間を連結する1組以上のリンク機構と、上記第2の保
持部材と上記中間部材間を連結する1組以上のリンク機
構とを有しており、各リンク機構は互いに異なる向きに
配置されているため、上記第2の保持部材が三次元的に
自由に回転可能となると共に、各リンク機構の回動中心
が上記被研磨材の研磨加工面上の1点であるため、上記
被研磨材に回転モーメントが作用することがなく、ポリ
ッシング加工時に摩擦力が生じても、上記被研磨材の平
行度を高精度に維持することができる。
【0039】請求項2記載の発明によると、上記研磨面
上の一点は、被研磨材の中心位置であるため、上記被研
磨材を一層良好にポリッシング加工することができる。
請求項3記載の発明によると、上記保持手段は、第1の
保持部材と、この第1の保持部材にそれぞれの一端が回
動自在に取り付けられた第1のリンク機構と、この第1
のリンク機構のそれぞれの回動中心が上記被研磨材の研
磨加工面上となる位置に他端を回動自在に取り付けられ
た第1のリンク機構と、この第1のリンク機構のそれぞ
れの回動中心が上記被研磨材の研磨加工面上となる位置
に他端を回動自在に取り付けられた上記被研磨材を保持
する第2の保持部材とを有しているため、単純な機構で
構成されていて高精度な加工を要しない。
【0040】また、上記被研磨材に生じる摩擦力で上記
第1のリンク機構及び第2のリンク機構を用いても、十
分に補正することができる。さらに上記第2の保持部材
を少ない部品で滑らかに三次元的に自由に回動させるこ
とが可能となると共に、それぞれのリンク機構の回転中
心が上記被研磨材の研磨面上の一点に設けられているた
め、上記被研磨材に回転モーメントが作用せず、上記被
研磨材の平行度を高精度に維持してポリッシング加工す
ることが可能となっている。
【0041】請求項4記載の発明によると、上記第1の
リンク機構及び第2のリンク機構は互いに直交するよう
に設けられているため、上記第2の保持部材の回動を良
好に行えるものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係わるポリッシング装
置の加圧ヘッドの構成を示す部分断面の斜視図。
【図2】同実施の形態に係わる加圧ヘッドの状態を示す
図で、(a)は平面図、(b)は矢印Aの方向から見た
側面図、(c)は矢印Bの方向から見た側面図。
【図3】従来の実施の形態に係わる球面軸受で支持され
る構成のポリッシング装置の加圧ヘッドを示す図。
【図4】従来の実施の形態に係わるベアリングで支持さ
れる構成のポリッシング装置の加圧ヘッドを示す図。
【符号の説明】
10…ポリッシング装置 11…加圧ヘッド 14a,14b…第1のリンク部材 16…中間体 18…突出部 20a,20b…第2のリンク部材 22…第2のプレート 24…保持プレート 25…半導体ウエハ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被研磨材を保持する保持手段を有し、こ
    の保持手段に保持された被研磨材を定盤へ押圧して研磨
    加工を行うポリッシング装置において、 上記保持手段は、第1の保持部材と、 この第1の保持部材と対向して設けられた被研磨材を保
    持する第2の保持部材と、 上記第1及び第2の保持部材間に設けられた中間部材
    と、 上記第1の保持部材と上記中間部材間を連結する1組以
    上のリンク機構と、 上記第2の保持部材と上記中間部材間を連結する1組以
    上のリンク機構とを有し、 各リンク機構は互いに異なる向きに配置されると共に、
    各リンク機構の回動中心は上記被研磨材の研磨加工面上
    の1点であることを特徴とするポリッシング装置。
  2. 【請求項2】 上記研磨面上の一点は、被研磨材の中心
    位置であることを特徴とする請求項1記載のポリッシン
    グ装置。
  3. 【請求項3】 被研磨材を保持する保持手段を有し、こ
    の保持手段に保持された被研磨材を定盤へ押圧して研磨
    加工を行うポリッシング装置において、 上記保持手段は、第1の保持部材と、 この第1の保持部材にそれぞれの一端が回動自在に取り
    付けられた第1のリンク機構と、 この第1のリンク機構のそれぞれの回動中心が上記被研
    磨材の研磨加工面上となる位置に他端を回動自在に取り
    付けられた上記被研磨材を保持する第2の保持部材とを
    有し、 上記第1及び第2のリンク機構の回動中心は同一の1点
    であることを特徴とするポリッシング装置。
  4. 【請求項4】 上記第1のリンク機構及び第2のリンク
    機構は互いに直交するように設けられていることを特徴
    とする請求項3記載のポリッシング装置。
JP16125497A 1997-06-18 1997-06-18 ポリッシング装置 Pending JPH1110531A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16125497A JPH1110531A (ja) 1997-06-18 1997-06-18 ポリッシング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16125497A JPH1110531A (ja) 1997-06-18 1997-06-18 ポリッシング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1110531A true JPH1110531A (ja) 1999-01-19

Family

ID=15731602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16125497A Pending JPH1110531A (ja) 1997-06-18 1997-06-18 ポリッシング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1110531A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3544977B2 (ja) 端面研磨機
US5297361A (en) Polishing machine with an improved sample holding table
JPH079896B2 (ja) 研磨装置
JPH10112493A (ja) 表面矯正薄板保持装置、面調整手段及び向き調整手段
JPH11291165A (ja) 研磨装置及び研磨方法
JP4521359B2 (ja) 研磨方法と研磨装置
JP2001259987A (ja) 端面研磨装置
JPH0317622B2 (ja)
JPS6234762A (ja) 光コネクタ中子端面凸球面状研磨用研磨盤
JPH0283160A (ja) ベルト材の研削装置
JPH1110531A (ja) ポリッシング装置
JP2002103218A (ja) センタ装置とこれを用いた加工機
US20050079807A1 (en) End face polishing apparatus
JPS61192460A (ja) 光コネクタ中子の端面凸球面状研磨方法
JP2004098198A (ja) ワーク保持装置及び両頭研削装置
JP2000094309A (ja) ポリッシング装置
JP2004283962A (ja) 板状ワークの平面研磨方法および平面研磨盤
JP2000198057A (ja) 半導体ウェハの面取り加工面の鏡面研磨装置
JP3230551U (ja) ウェハ研磨装置
JPH0623659A (ja) 薄板材の研磨方法とその装置
JP2599918B2 (ja) 研磨保持装置
JP3157129B2 (ja) 薄型ワークの回転駆動方法
JPS63212454A (ja) 球面ホ−ニング加工方法
JP2000198068A (ja) 枚葉式研磨機
JP2001170862A (ja) ワーク保持装置