JPH11103247A - 電波検知装置 - Google Patents
電波検知装置Info
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- JPH11103247A JPH11103247A JP16569398A JP16569398A JPH11103247A JP H11103247 A JPH11103247 A JP H11103247A JP 16569398 A JP16569398 A JP 16569398A JP 16569398 A JP16569398 A JP 16569398A JP H11103247 A JPH11103247 A JP H11103247A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接スイッチの電波による誤操作を防止する
などの用途に適用できる電波検知装置を提供する。 【解決手段】 物体検知回路部5はダイオード接続され
たトランジスタTR1を含み、電波検知回路部7は2個
のトランジスタTR6,TR7を含む。トランジスタT
R1のベースに抵抗R2を介してトランジスタTR6が
接続される。電波はトランジスタTR1の内部容量を通
じてトランジスタTR1のベースに到達する。このた
め、内部容量の両端の電位が下がり、トランジスタTR
1はベース−エミッタ間に十分な電圧がかからなくな
り、遮断状態へ移行する。これより以前に、トランジス
タTR6が遮断状態となって、トランジスタTR7がオ
フし、電波検知回路部7の出力はゼロレベルまで落ち
る。
などの用途に適用できる電波検知装置を提供する。 【解決手段】 物体検知回路部5はダイオード接続され
たトランジスタTR1を含み、電波検知回路部7は2個
のトランジスタTR6,TR7を含む。トランジスタT
R1のベースに抵抗R2を介してトランジスタTR6が
接続される。電波はトランジスタTR1の内部容量を通
じてトランジスタTR1のベースに到達する。このた
め、内部容量の両端の電位が下がり、トランジスタTR
1はベース−エミッタ間に十分な電圧がかからなくな
り、遮断状態へ移行する。これより以前に、トランジス
タTR6が遮断状態となって、トランジスタTR7がオ
フし、電波検知回路部7の出力はゼロレベルまで落ち
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電波の到来を検知す
るのに用いられる電波検知装置に関連し、特に、この発
明は、近接スイッチの誤動作を防止するなどの用途に好
適な電波検知装置に関する。
るのに用いられる電波検知装置に関連し、特に、この発
明は、近接スイッチの誤動作を防止するなどの用途に好
適な電波検知装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、パチンコ機械において、入賞口
にパチンコ玉が入ったことを検出するのに近接スイッチ
より成る電磁誘導式のパチンコ玉センサが用いられてい
る。この方式のパチンコ玉センサは、金属体であるパチ
ンコ玉が入賞口を通過したことを電磁誘導作用を利用し
て無接触で検出するものであるが、このパチンコ玉セン
サとしては、この電磁誘導式の他に、接点式や光学式な
どが実用化されている。
にパチンコ玉が入ったことを検出するのに近接スイッチ
より成る電磁誘導式のパチンコ玉センサが用いられてい
る。この方式のパチンコ玉センサは、金属体であるパチ
ンコ玉が入賞口を通過したことを電磁誘導作用を利用し
て無接触で検出するものであるが、このパチンコ玉セン
サとしては、この電磁誘導式の他に、接点式や光学式な
どが実用化されている。
【0003】このうち、接点式のパチンコ玉センサは、
パチンコ玉の通過により可動片を変位させて接点機構を
オン・オフ動作させる方式のものであるが、接点部の摩
耗により寿命が短く、チャタリング現象が発生し易いな
どの欠点がある。また光学式のパチンコ玉センサは、パ
チンコ玉の通過により投光素子と受光素子との間の光路
を遮断させて受光素子の受光量を変化させる方式のもの
であるが、この方式は、外乱光による影響を受けて、誤
動作し易いという不利がある。従って、従来は、電磁誘
導式のパチンコ玉センサが寿命的にも優れ、また、外部
要因の影響を最も受けにくいものとされ、最も信頼性が
高いものとして多くの機械に用いられてきている。
パチンコ玉の通過により可動片を変位させて接点機構を
オン・オフ動作させる方式のものであるが、接点部の摩
耗により寿命が短く、チャタリング現象が発生し易いな
どの欠点がある。また光学式のパチンコ玉センサは、パ
チンコ玉の通過により投光素子と受光素子との間の光路
を遮断させて受光素子の受光量を変化させる方式のもの
であるが、この方式は、外乱光による影響を受けて、誤
動作し易いという不利がある。従って、従来は、電磁誘
導式のパチンコ玉センサが寿命的にも優れ、また、外部
要因の影響を最も受けにくいものとされ、最も信頼性が
高いものとして多くの機械に用いられてきている。
【0004】図9は、この種のパチンコ玉センサ11の
外観を示すものである。同図のものは、薄板状をなす合
成樹脂製のケース体12にパチンコ玉14の通過が可能
な孔径をもつ検出孔13が肉厚方向に貫通形成されてい
る。このケース体12は、検出孔13の一側部に近接ス
イッチの検出回路部19が組み込まれると共に、検出孔
13の周囲に、検出回路部19の一部をなす発振回路の
発振コイルLが配備されている。
外観を示すものである。同図のものは、薄板状をなす合
成樹脂製のケース体12にパチンコ玉14の通過が可能
な孔径をもつ検出孔13が肉厚方向に貫通形成されてい
る。このケース体12は、検出孔13の一側部に近接ス
イッチの検出回路部19が組み込まれると共に、検出孔
13の周囲に、検出回路部19の一部をなす発振回路の
発振コイルLが配備されている。
【0005】図10および図11は、このパチンコ玉セ
ンサ11に組み込まれる近接スイッチの原理を示してい
る。図10(1)において、いま発振コイルLに対して
金属体15が十分に離れた距離l1に位置するとき、発
振回路16が発振動作し、その出力VOUTとして図1
0(2)に示すような出力波形が得られる。
ンサ11に組み込まれる近接スイッチの原理を示してい
る。図10(1)において、いま発振コイルLに対して
金属体15が十分に離れた距離l1に位置するとき、発
振回路16が発振動作し、その出力VOUTとして図1
0(2)に示すような出力波形が得られる。
【0006】つぎに図11(1)に示す如く、金属体1
5が発振コイルLに対して距離l2の位置まで接近する
と、金属体15は発振コイルLの磁力線を受けてその内
部に電磁誘導による渦電流が生ずるため、発振コイルL
の抵抗分が大きくなって発振が停止し、その出力V
OUTは図11(2)に示すような波形となる。
5が発振コイルLに対して距離l2の位置まで接近する
と、金属体15は発振コイルLの磁力線を受けてその内
部に電磁誘導による渦電流が生ずるため、発振コイルL
の抵抗分が大きくなって発振が停止し、その出力V
OUTは図11(2)に示すような波形となる。
【0007】この発振回路16として、図12に示すよ
うな分離型ハートレー発振回路が用いられる。この発振
回路16は、増幅用のトランジスタTR12にLC共振
回路17や抵抗R12を電気接続したもので、同図の定
電流源21やバイアス電圧ESによりトランジスタTR
12の動作点が能動領域となるよう補償されている。ま
たトランジスタTR13,TR14はミラー回路を構成
し、トランジスタTR12のコレクタ電流と同じ電流を
LC共振回路17へ帰還させている。なおVCCは電源
電圧であり、VOUTは出力、Gはアースをそれぞれ示
す。
うな分離型ハートレー発振回路が用いられる。この発振
回路16は、増幅用のトランジスタTR12にLC共振
回路17や抵抗R12を電気接続したもので、同図の定
電流源21やバイアス電圧ESによりトランジスタTR
12の動作点が能動領域となるよう補償されている。ま
たトランジスタTR13,TR14はミラー回路を構成
し、トランジスタTR12のコレクタ電流と同じ電流を
LC共振回路17へ帰還させている。なおVCCは電源
電圧であり、VOUTは出力、Gはアースをそれぞれ示
す。
【0008】上記発振回路16を含む近接スイッチに対
し、図13に示す如く、金属体15が接近したり、離反
したりするとき、出力VOUTは図14(1)に示すよ
うな信号波形となり、この信号を積分して所定のしきい
値で2値化すれば、図14(2)に示すような、金属体
15の接近に対応して立ち上がる検出信号Sが得られ
る。
し、図13に示す如く、金属体15が接近したり、離反
したりするとき、出力VOUTは図14(1)に示すよ
うな信号波形となり、この信号を積分して所定のしきい
値で2値化すれば、図14(2)に示すような、金属体
15の接近に対応して立ち上がる検出信号Sが得られ
る。
【0009】かくして、このような近接スイッチを用い
てパチンコ玉検出センサ11を構成した場合、パチンコ
玉14が検出孔13を通過する毎に検出信号Sが出力さ
れ、これにより入賞口へパチンコ玉が入ったことが検出
できる。
てパチンコ玉検出センサ11を構成した場合、パチンコ
玉14が検出孔13を通過する毎に検出信号Sが出力さ
れ、これにより入賞口へパチンコ玉が入ったことが検出
できる。
【0010】なお、前記の発振回路16としてハートレ
ー型に代えて図15に示すようなコルピッツ型を用いる
こともできる。このコルピッツ型の発振回路16は発振
コイルLに対し2個のコンデンサC1,C2を用いてL
C共振回路20を構成したもので、2個のトランジスタ
TR15,TR16に対しLC共振回路20と複数の抵
抗R13〜R15とが電気接続してある。
ー型に代えて図15に示すようなコルピッツ型を用いる
こともできる。このコルピッツ型の発振回路16は発振
コイルLに対し2個のコンデンサC1,C2を用いてL
C共振回路20を構成したもので、2個のトランジスタ
TR15,TR16に対しLC共振回路20と複数の抵
抗R13〜R15とが電気接続してある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記パチンコ玉センサ
11が用いられたパチンコ機械において、遊戯者の中に
は不正行為を働く者があり、パチンコ玉センサ11を誤
動作させてパチンコ玉を不当に詐取している。すなわ
ち、入賞口に位置するパチンコ玉センサ11に向けて電
波を発射して、パチンコ玉が入賞口に入っていないにも
かかわらず、パチンコ玉センサ11があたかもパチンコ
玉を検出したかのように誤動作させるのである。
11が用いられたパチンコ機械において、遊戯者の中に
は不正行為を働く者があり、パチンコ玉センサ11を誤
動作させてパチンコ玉を不当に詐取している。すなわ
ち、入賞口に位置するパチンコ玉センサ11に向けて電
波を発射して、パチンコ玉が入賞口に入っていないにも
かかわらず、パチンコ玉センサ11があたかもパチンコ
玉を検出したかのように誤動作させるのである。
【0012】この誤動作は、発振回路16におけるトラ
ンジスタTR12の内部容量18に起因するものと考え
られ、発振コイルLから発振回路16に至った電波が前
記内部容量18を通じてトランジスタTR12のベース
に達することにより、内部容量18の両端の電位が下が
り、トランジスタTR12のベース−エミッタ間に十分
な電圧VBEがかからなくなって、トランジスタTR
12が遮断状態となるのである。
ンジスタTR12の内部容量18に起因するものと考え
られ、発振コイルLから発振回路16に至った電波が前
記内部容量18を通じてトランジスタTR12のベース
に達することにより、内部容量18の両端の電位が下が
り、トランジスタTR12のベース−エミッタ間に十分
な電圧VBEがかからなくなって、トランジスタTR
12が遮断状態となるのである。
【0013】この発明は、上記の実情に鑑みてなされた
もので、ダイオード接続されたトランジスタを用いて電
波の到来を検知することにより、近接スイッチの電波に
よる誤操作を防止するなどの用途に適用できる電波検知
装置を提供することを目的とする。
もので、ダイオード接続されたトランジスタを用いて電
波の到来を検知することにより、近接スイッチの電波に
よる誤操作を防止するなどの用途に適用できる電波検知
装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明の電波検知装置
は、ダイオード接続されかつダイオード接続された一方
の端子が接地電位の側に、他方の端子が電源電位の側
に、それぞれ接続されたトランジスタと、このトランジ
スタの端子間電圧の低下を検知する電圧検知部とを具備
したもので、前記端子間電圧が低下することにより電波
の到来を検知するようにしている。
は、ダイオード接続されかつダイオード接続された一方
の端子が接地電位の側に、他方の端子が電源電位の側
に、それぞれ接続されたトランジスタと、このトランジ
スタの端子間電圧の低下を検知する電圧検知部とを具備
したもので、前記端子間電圧が低下することにより電波
の到来を検知するようにしている。
【0015】
【作用】電波が到来すると、この電波は、トランジスタ
の内部容量を通じてトランジスタへ到達する。このため
内部容量の両端の端子間電圧が低下するので、電圧検知
部はこの電圧低下を検知し、これにより電波の到来が検
知される。
の内部容量を通じてトランジスタへ到達する。このため
内部容量の両端の端子間電圧が低下するので、電圧検知
部はこの電圧低下を検知し、これにより電波の到来が検
知される。
【0016】
【実施例】図1は、この発明が適用実施されたパチンコ
玉センサの検出回路部1を示すが、この発明の電波検知
装置は、パチンコ玉センサに限らず、他の用途にも適用
できることは勿論である。なお、このパチンコ玉センサ
の外観は、図9に示すものと同様であって、ここでは図
示およびその説明を省略する。
玉センサの検出回路部1を示すが、この発明の電波検知
装置は、パチンコ玉センサに限らず、他の用途にも適用
できることは勿論である。なお、このパチンコ玉センサ
の外観は、図9に示すものと同様であって、ここでは図
示およびその説明を省略する。
【0017】図1に示す検出回路部1は、LC共振回路
6を含む発振回路2に対し、積分・比較回路3と出力回
路4とを電気接続して成るもので、前記発振回路2には
公知の物体検知回路部5に加えて電波検知回路部7が設
けられている。
6を含む発振回路2に対し、積分・比較回路3と出力回
路4とを電気接続して成るもので、前記発振回路2には
公知の物体検知回路部5に加えて電波検知回路部7が設
けられている。
【0018】前記発振回路2は、金属体であるパチンコ
玉が離れていると発振動作し、接近すると発振動作を停
止するもので、物体検知回路部5はこの発振および発振
停止に対応してパチンコ玉の検出孔13の通過を検知す
る。図2(1)は、この物体検知回路部5の出力V
OUT−1を示しており、パチンコ玉の接近と離反とに
対応して発振波形が現れている。
玉が離れていると発振動作し、接近すると発振動作を停
止するもので、物体検知回路部5はこの発振および発振
停止に対応してパチンコ玉の検出孔13の通過を検知す
る。図2(1)は、この物体検知回路部5の出力V
OUT−1を示しており、パチンコ玉の接近と離反とに
対応して発振波形が現れている。
【0019】電波検知回路部7は、電波の到来を検知し
て禁止信号を生成し、これを出力回路4へ与えるための
ものである。図2(2)がこの電波検知回路部7の出力
VO UT−2であって、電波の到来に対応して禁止信号
Kがオンする。なお、物体検知回路部5は、電波の到来
に対しても感応し、図2(1)中破線で示す如く、電波
到来時には発振波形が消失する。
て禁止信号を生成し、これを出力回路4へ与えるための
ものである。図2(2)がこの電波検知回路部7の出力
VO UT−2であって、電波の到来に対応して禁止信号
Kがオンする。なお、物体検知回路部5は、電波の到来
に対しても感応し、図2(1)中破線で示す如く、電波
到来時には発振波形が消失する。
【0020】積分・比較回路3は、物体検知回路部5の
出力VOUT−1を積分した後、所定のしきい値と比較
して、図2(3)に示すような2値化された出力V
OUT− 3を得る。
出力VOUT−1を積分した後、所定のしきい値と比較
して、図2(3)に示すような2値化された出力V
OUT− 3を得る。
【0021】出力回路4は、この出力VOUT−3の通
過を前記禁止信号Kにより規制するためのゲートであっ
て、禁止信号Kがオフ状態のときのみ、前記積分・比較
回路3の出力VOUT−3を通過させる。図2(4)
は、この出力回路4による最終出力VOUTであり、電
波の到来時期aには検出信号Sはオフとなる。なお、同
図中、bはパチンコ玉が接近していないにもかかわら
ず、電波の到来で物体検知回路部5が検出動作した誤動
作領域を表しており、前記禁止信号Kにより誤動作の発
生が完全に阻止される。
過を前記禁止信号Kにより規制するためのゲートであっ
て、禁止信号Kがオフ状態のときのみ、前記積分・比較
回路3の出力VOUT−3を通過させる。図2(4)
は、この出力回路4による最終出力VOUTであり、電
波の到来時期aには検出信号Sはオフとなる。なお、同
図中、bはパチンコ玉が接近していないにもかかわら
ず、電波の到来で物体検知回路部5が検出動作した誤動
作領域を表しており、前記禁止信号Kにより誤動作の発
生が完全に阻止される。
【0022】図3は、分離型ハートレー発振回路が用い
られた前記発振回路2の具体例を示しており、パチンコ
玉の接近を検出するための物体検知回路部5と、電波の
到来を検知するための電波検知回路部7とを含んでい
る。
られた前記発振回路2の具体例を示しており、パチンコ
玉の接近を検出するための物体検知回路部5と、電波の
到来を検知するための電波検知回路部7とを含んでい
る。
【0023】物体検知回路部5は、増幅用のトランジス
タTR1,TR2に対しLC共振回路6,抵抗R1,ボ
リューム抵抗VRなどを電気接続して成るもので、トラ
ンジスタTR1はベースとコレクタとを短絡したダイオ
ード接続となっている。同図の定電流源8はトランジス
タTR1,TR2にバイアスを与え、またトランジスタ
TR3〜TR5は帰還回路を構成する。トランジスタT
R3とTR4とはミラー回路を構成し、LC共振回路6
へトランジスタTR2のコレクタ電流と同じ電流を帰還
させる。
タTR1,TR2に対しLC共振回路6,抵抗R1,ボ
リューム抵抗VRなどを電気接続して成るもので、トラ
ンジスタTR1はベースとコレクタとを短絡したダイオ
ード接続となっている。同図の定電流源8はトランジス
タTR1,TR2にバイアスを与え、またトランジスタ
TR3〜TR5は帰還回路を構成する。トランジスタT
R3とTR4とはミラー回路を構成し、LC共振回路6
へトランジスタTR2のコレクタ電流と同じ電流を帰還
させる。
【0024】つぎに、電波検知回路部7は、2個のトラ
ンジスタTR6,TR7と複数の抵抗R2〜R5とを含
んでおり、前記物体検知回路部5のトランジスタTR1
のベースに抵抗R2を介してトランジスタTR6が接続
してある。このトランジスタTR6はトランジスタTR
1のベース−エミッタ間の電圧VBE1をバイアスとす
る能動回路であって、トランジスタTR6のベース−エ
ミッタ間の電圧をVB E6、抵抗R2の電圧ドロップ分
をVR2とすると、つぎの関係が成り立つ。 VBE1 =VBE6 +VR2
ンジスタTR6,TR7と複数の抵抗R2〜R5とを含
んでおり、前記物体検知回路部5のトランジスタTR1
のベースに抵抗R2を介してトランジスタTR6が接続
してある。このトランジスタTR6はトランジスタTR
1のベース−エミッタ間の電圧VBE1をバイアスとす
る能動回路であって、トランジスタTR6のベース−エ
ミッタ間の電圧をVB E6、抵抗R2の電圧ドロップ分
をVR2とすると、つぎの関係が成り立つ。 VBE1 =VBE6 +VR2
【0025】従って、トランジスタTR1のコレクタ電
流I0とトランジスタTR6のコレクタ電流IC6と
は、定常動作中はI0>>IC6の関係となり、トラン
ジスタTR6の動作点はトランジスタTR1よりも遮断
領域の側に位置する。このため、トランジスタTR1の
ベース−エミッタ間の電圧VBE1がなんらかの要因で
下がれば、トランジスタTR1がオフ状態へ移行する前
に、トランジスタTR6がオフ状態となる。
流I0とトランジスタTR6のコレクタ電流IC6と
は、定常動作中はI0>>IC6の関係となり、トラン
ジスタTR6の動作点はトランジスタTR1よりも遮断
領域の側に位置する。このため、トランジスタTR1の
ベース−エミッタ間の電圧VBE1がなんらかの要因で
下がれば、トランジスタTR1がオフ状態へ移行する前
に、トランジスタTR6がオフ状態となる。
【0026】図6はトランジスタTR1のベースおよび
エミッタの各電位V1,V5と物体検知回路部5の出力
VOUT−1とを示しており、図6(1)は金属体が接
近して発振動作が停止したときの電圧波形を、また、図
6(2)は金属体が離れて発振動作しているときの電圧
波形を、それぞれ示している。図6(2)によれば、ト
ランジスタTR1のベースの電位V1は(R1・I0+
VBE1)の電圧レベルを中心に、またエミッタの電位
V5はR1・I0の電圧レベルを中心に、さらに、出力
VOUT−1は0ボルトを中心に、それぞれ発振振幅が
乗っている。
エミッタの各電位V1,V5と物体検知回路部5の出力
VOUT−1とを示しており、図6(1)は金属体が接
近して発振動作が停止したときの電圧波形を、また、図
6(2)は金属体が離れて発振動作しているときの電圧
波形を、それぞれ示している。図6(2)によれば、ト
ランジスタTR1のベースの電位V1は(R1・I0+
VBE1)の電圧レベルを中心に、またエミッタの電位
V5はR1・I0の電圧レベルを中心に、さらに、出力
VOUT−1は0ボルトを中心に、それぞれ発振振幅が
乗っている。
【0027】かくして、電波検知回路部7のトランジス
タTR6には前記電位V1,V5がかかるため、そのベ
ース−エミッタ間の電圧VBE6は一定であり、コレク
タ電流IC6は理論上一定(実際は発振脈流がのる)と
なる。
タTR6には前記電位V1,V5がかかるため、そのベ
ース−エミッタ間の電圧VBE6は一定であり、コレク
タ電流IC6は理論上一定(実際は発振脈流がのる)と
なる。
【0028】そこで、抵抗R4の両端の電圧(R4・I
C6)を、R4・IC6>0.6ボルト(1ボルト程度)
に設定すると、トランジスタTR7は物体検知回路部5
が発振動作しているときも、発振動作が停止したとき
も、オン状態となる。
C6)を、R4・IC6>0.6ボルト(1ボルト程度)
に設定すると、トランジスタTR7は物体検知回路部5
が発振動作しているときも、発振動作が停止したとき
も、オン状態となる。
【0029】図7は、トランジスタTR7のベースの電
位V4とトランジスタTR6のコレクタの電位V3とを
示すもので、図7(1)は発振停止時の電圧波形を、ま
た図7(2)は発振時の電圧波形を、それぞれ示してい
る。なお、図7(2)によれば、トランジスタTR6の
コレクタの電位V3にはわずかに発振脈流が乗ってい
る。
位V4とトランジスタTR6のコレクタの電位V3とを
示すもので、図7(1)は発振停止時の電圧波形を、ま
た図7(2)は発振時の電圧波形を、それぞれ示してい
る。なお、図7(2)によれば、トランジスタTR6の
コレクタの電位V3にはわずかに発振脈流が乗ってい
る。
【0030】つぎに、上記発振回路2の動作を、図4に
示すタイムチャートに基づいて説明する。いま、パチン
コ玉のような金属体が発振コイルLより離反した状態に
あるとき、発振回路2は発振動作し、回路各部の電圧に
は図4(1)〜(3)に示すような発振波形が現れる。
示すタイムチャートに基づいて説明する。いま、パチン
コ玉のような金属体が発振コイルLより離反した状態に
あるとき、発振回路2は発振動作し、回路各部の電圧に
は図4(1)〜(3)に示すような発振波形が現れる。
【0031】図4(1)は物体検知回路部5のトランジ
スタTR1のベース電位V1を、図4(2)は電波検知
回路部7のトランジスタTR6のベース電位V2を、図
4(3)はトランジスタTR6のコレクタ電位V3を、
それぞれ示している。
スタTR1のベース電位V1を、図4(2)は電波検知
回路部7のトランジスタTR6のベース電位V2を、図
4(3)はトランジスタTR6のコレクタ電位V3を、
それぞれ示している。
【0032】この発振動作時の物体検知回路部5の出力
VOUT−1は図2(1)に、また積分・比較回路3お
よび出力回路4の各出力VOUT−3,VOUT−4は
図2(3)(4)に、それぞれ示すとおりである。ま
た、電波検知回路部7の出力VOUT−2′は、トラン
ジスタTR7がオン状態にあるから、図4(4)に示す
ような波形となる。この電波検知回路部7の出力V
OUT−2′は、図示しないコンパレータに入力されて
所定の基準値THと大小比較され、これにより図2
(2)に示す電圧波形の出力VOUT−2が生成され
る。
VOUT−1は図2(1)に、また積分・比較回路3お
よび出力回路4の各出力VOUT−3,VOUT−4は
図2(3)(4)に、それぞれ示すとおりである。ま
た、電波検知回路部7の出力VOUT−2′は、トラン
ジスタTR7がオン状態にあるから、図4(4)に示す
ような波形となる。この電波検知回路部7の出力V
OUT−2′は、図示しないコンパレータに入力されて
所定の基準値THと大小比較され、これにより図2
(2)に示す電圧波形の出力VOUT−2が生成され
る。
【0033】つぎに、金属体が発振コイルLに接近して
きたとき、発振回路2は発振動作を停止し、回路各部の
電圧には、図4(1)〜(3)に示す如く、発振波形が
消失する。その結果、積分・比較回路3の出力V
OUT−3は、図2(3)に示す如く立ち下がるが、電
波検知回路部7の出力VOUT−2′は、トランジスタ
TR 7がオン状態を維持するから、図4(4)に示す如
く、変化しない。
きたとき、発振回路2は発振動作を停止し、回路各部の
電圧には、図4(1)〜(3)に示す如く、発振波形が
消失する。その結果、積分・比較回路3の出力V
OUT−3は、図2(3)に示す如く立ち下がるが、電
波検知回路部7の出力VOUT−2′は、トランジスタ
TR 7がオン状態を維持するから、図4(4)に示す如
く、変化しない。
【0034】いま、電波が到来して発振コイルLより発
振回路2中へ進入すると、この電波は図5中、破線で示
す如く、トランジスタTR1の内部容量18を通じてト
ランジスタTR1のベースへ到達する。このため内部容
量18の両端の電位が下がり、トランジスタTR1のベ
ース−エミッタ間には十分な電圧VBE1がかからなく
なって、トランジスタTR1を遮断状態へ移行させる。
その結果、トランジスタTR1,TR6の各ベース電位
V1,V2は、図4(1)(2)に示す如く、電波の強
さに応じて低下し、物体検知回路部5の出力V
OUT−1は図2(1)に示す如くになり、積分・比較
回路3の出力VOUT−3は立ち上がる。
振回路2中へ進入すると、この電波は図5中、破線で示
す如く、トランジスタTR1の内部容量18を通じてト
ランジスタTR1のベースへ到達する。このため内部容
量18の両端の電位が下がり、トランジスタTR1のベ
ース−エミッタ間には十分な電圧VBE1がかからなく
なって、トランジスタTR1を遮断状態へ移行させる。
その結果、トランジスタTR1,TR6の各ベース電位
V1,V2は、図4(1)(2)に示す如く、電波の強
さに応じて低下し、物体検知回路部5の出力V
OUT−1は図2(1)に示す如くになり、積分・比較
回路3の出力VOUT−3は立ち上がる。
【0035】ところが、電波検知回路部7のトランジス
タTR6はその動作点が物体検知回路部5のトランジス
タTR1より遮断領域の側に設定されているから、トラ
ンジスタTR1が遮断状態となる以前に、まず、トラン
ジスタTR6の方が遮断状態へ移行することになる。こ
のため、トランジスタTR6のコレクタ電流IC6が小
さくなって、コレクタの電位V3は図4(3)に示す如
く押し上げられる。その結果、トランジスタTR7のベ
ース−エミッタ電圧VBE7が小さくなってトランジス
タTR7はオフ状態となり、電波検知回路部7の出力V
OUT−2′は、図4(4)に示す如く、ほぼゼロレベ
ルまで落ちることになる。これにより出力
VOUT−2′はコンパレータの基準値THを下回り、
図2(2)に示すように、出力VOUT−2が立ち上が
って、禁止信号Kが生成される。
タTR6はその動作点が物体検知回路部5のトランジス
タTR1より遮断領域の側に設定されているから、トラ
ンジスタTR1が遮断状態となる以前に、まず、トラン
ジスタTR6の方が遮断状態へ移行することになる。こ
のため、トランジスタTR6のコレクタ電流IC6が小
さくなって、コレクタの電位V3は図4(3)に示す如
く押し上げられる。その結果、トランジスタTR7のベ
ース−エミッタ電圧VBE7が小さくなってトランジス
タTR7はオフ状態となり、電波検知回路部7の出力V
OUT−2′は、図4(4)に示す如く、ほぼゼロレベ
ルまで落ちることになる。これにより出力
VOUT−2′はコンパレータの基準値THを下回り、
図2(2)に示すように、出力VOUT−2が立ち上が
って、禁止信号Kが生成される。
【0036】かくして、出力回路4はこの禁止信号Kに
より電波の到来に起因して立ち上がった前記積分・比較
回路3の出力VOUT−3が通過するのを規制する。な
お、上記実施例は、発振回路2としてハートレー型を用
いたものであるが、これに限らず、図8に示すようなコ
ルピッツ型を用いることも可能である。
より電波の到来に起因して立ち上がった前記積分・比較
回路3の出力VOUT−3が通過するのを規制する。な
お、上記実施例は、発振回路2としてハートレー型を用
いたものであるが、これに限らず、図8に示すようなコ
ルピッツ型を用いることも可能である。
【0037】同図の発振回路2は、発振コイルLと2個
のコンデンサC1,C2とから成るLC共振回路6を含
むもので、トランジスタTR8,TR9に対して、この
LC共振回路6と抵抗R6〜R8とを接続して、物体検
知回路部5を構成すると共に、前記トランジスタTR9
のベースに抵抗R9を介してトランジスタTR10を接
続し、さらに、このトランジスタTR10に抵抗
R10,R11とトランジスタTR11とを接続して、
電波検知回路部7が形成してある。なお、図8の発振回
路2も、前記と同様の物体検知および電波検知を行うも
のであり、ここではその説明を省略する。
のコンデンサC1,C2とから成るLC共振回路6を含
むもので、トランジスタTR8,TR9に対して、この
LC共振回路6と抵抗R6〜R8とを接続して、物体検
知回路部5を構成すると共に、前記トランジスタTR9
のベースに抵抗R9を介してトランジスタTR10を接
続し、さらに、このトランジスタTR10に抵抗
R10,R11とトランジスタTR11とを接続して、
電波検知回路部7が形成してある。なお、図8の発振回
路2も、前記と同様の物体検知および電波検知を行うも
のであり、ここではその説明を省略する。
【0038】
【発明の効果】この発明は上記の如く、ダイオード接続
されかつダイオード接続された一方の端子が接地電位の
側に、他方の端子が電源電位の側に、それぞれ接続され
たトランジスタと、このトランジスタの端子間電圧の低
下を検知する電圧検知部とを具備し、前記端子間電圧が
低下することにより電波の到来を検知するようにしたか
ら、電波の到来を検知することができ、電波による回路
の誤動作を防止するなどの効果が得られる。
されかつダイオード接続された一方の端子が接地電位の
側に、他方の端子が電源電位の側に、それぞれ接続され
たトランジスタと、このトランジスタの端子間電圧の低
下を検知する電圧検知部とを具備し、前記端子間電圧が
低下することにより電波の到来を検知するようにしたか
ら、電波の到来を検知することができ、電波による回路
の誤動作を防止するなどの効果が得られる。
【図1】この発明が適用実施されたパチンコ玉センサの
検出回路部を示すブロック図である。
検出回路部を示すブロック図である。
【図2】図1の検出回路部の回路動作を示すタイムチャ
ートである。
ートである。
【図3】発振回路の具体例を示す電気回路図である。
【図4】図3の発振回路の回路動作を示すタイムチャー
トである。
トである。
【図5】発振回路への電波の進入経路を示す電気回路図
である。
である。
【図6】発振回路における回路各部の電圧波形を示す説
明図である。
明図である。
【図7】発振回路における回路各部の電圧波形を示す説
明図である。
明図である。
【図8】発振回路の他の実施例を示す電気回路図であ
る。
る。
【図9】パチンコ玉センサの外観を示す斜面図である。
【図10】近接スイッチの原理を示す説明図である。
【図11】近接スイッチの原理を示す説明図である。
【図12】従来の近接スイッチに用いられた発振回路を
示す電気回路図である。
示す電気回路図である。
【図13】近接スイッチに対する金属体の接近・離反の
状態と電波の到来状態を示す説明図である。
状態と電波の到来状態を示す説明図である。
【図14】近接スイッチの出力波形を示す説明図であ
る。
る。
【図15】従来の近接スイッチに用いられた他の発振回
路を示す電気回路図である。
路を示す電気回路図である。
1 検出回路部 5 物体検知回路部 7 電波検知回路部 TR1,TR8 ダイオード接続されたトランジスタ
Claims (1)
- 【請求項1】 ダイオード接続されかつダイオード接続
された一方の端子が接地電位の側に、他方の端子が電源
電位の側に、それぞれ接続されたトランジスタと、この
トランジスタの端子間電圧の低下を検知する電圧検知部
とを具備し、前記端子間電圧が低下することにより電波
の到来を検知するようにした電波検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16569398A JP3285326B2 (ja) | 1989-06-21 | 1998-06-12 | 電波検知機能付き電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16569398A JP3285326B2 (ja) | 1989-06-21 | 1998-06-12 | 電波検知機能付き電子回路 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1158818A Division JP2925120B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 近接スイッチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11103247A true JPH11103247A (ja) | 1999-04-13 |
JP3285326B2 JP3285326B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=15817260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16569398A Expired - Fee Related JP3285326B2 (ja) | 1989-06-21 | 1998-06-12 | 電波検知機能付き電子回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3285326B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006304008A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Omron Corp | 電子スイッチ、および電子スイッチの動作方法 |
JP2008110161A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Fujishoji Co Ltd | 遊技機 |
JP2011049886A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Omron Corp | 近接スイッチ |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16569398A patent/JP3285326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006304008A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Omron Corp | 電子スイッチ、および電子スイッチの動作方法 |
JP2008110161A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Fujishoji Co Ltd | 遊技機 |
JP2011049886A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Omron Corp | 近接スイッチ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3285326B2 (ja) | 2002-05-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |