JPH1110296A - 連続鋳造方法 - Google Patents
連続鋳造方法Info
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- JPH1110296A JPH1110296A JP17248497A JP17248497A JPH1110296A JP H1110296 A JPH1110296 A JP H1110296A JP 17248497 A JP17248497 A JP 17248497A JP 17248497 A JP17248497 A JP 17248497A JP H1110296 A JPH1110296 A JP H1110296A
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Abstract
させたときでも鋳片の内部欠陥および表面欠陥を減少さ
せる。 【解決手段】鋳型1の長辺1A外側において下記に示す上
段U、中段Mおよび下段Lに静磁場を印加し、溶融金属を
注入しながら凝固させる連続鋳造方法であって、鋳込み
初期または終期において、中段および下段には上段と磁
場印加方向が反対で、磁場強度が上段の1.0倍から2.0倍
までの範囲の磁場を印加する連続鋳造方法。 上段:メニスカスを含み、浸漬ノズルからの吐出流路を
含まない上方部分、中段:浸漬ノズルからの吐出流路を
含む中間部分、下段:浸漬ノズルからの吐出流路を含ま
ない下方部分。ここで、吐出流路とは、静磁場を印加し
ないときの浸漬ノズルから吐出された溶融金属が鋳型短
辺の側壁に衝突するまでの流路である。
Description
は終期などの鋳造速度が遅く、溶融金属の温度が低下し
たとき、鋳型内の溶融金属の温度低下を抑制し、品質の
良好な鋳片を得る連続鋳造方法に関する。
いて溶融金属(以下、これを「溶鋼」ということもあ
る)を鋳型内に注入し、連続的に凝固させて鋳片を得る
方法である。浸漬ノズルは鋳型の中心位置に設けられ、
金属板を得る水平断面が長方形の鋳片(スラブ)では、
鋳型長手方向に均一に溶融金属を注入するため、浸漬ノ
ズルの吐出孔は鋳型断面の長辺に平行な方向に向けて左
右に設けられている。
に鋳造速度を低下させなければならない場合には、単位
時間当たりの溶融金属の注入量(これは、「スループッ
ト」と呼ばれ、(鋳型の水平断面積)×(鋳片の引き抜
き速度)×(比重)によって計算される)が減少するの
で、鋳型内への熱供給量が減少し、温度が低下する。そ
のため、非金属介在物、またはノズル詰まり防止用に吹
き込まれる不活性ガスの気泡が浮上しにくくなり、溶融
金属内部に閉じこめられ、鋳片の内部欠陥の原因とな
る。また、鋳型内の温度が低下すると、メニスカスでの
凝固シェルの倒れ込みが多くなったり、パウダーの介在
物捕捉能力が低下するとともに、パウダーが凝固シェル
に捕捉され易くなり、鋳片の表皮下欠陥の発生原因とな
る。
築用のH形鋼の場合では二枚割れを発生させ、また、表
皮下欠陥が存在すると、冷延鋼板となったときスリバー
疵、ヘゲ疵、ピンホールなどの表皮欠陥の発生原因とな
る。これらの欠点は、いずれも製品から除外しなければ
ならないので製品歩留りが低下する。
演論文集「材料とプロセス」第132回秋季講演大会、高
温プロセス、社会鉄鋼工学、「極低炭ボトム品質改善」
1996年、第9巻、第4号、841ページ』には、パウダー
中に発熱材を添加する方法、または鋳造スタート時に鋳
型内電磁撹拌装置を使用し、鋳型内の溶鋼を活性化させ
る方法が提案されている。
の連続鋳造に際し、鋳造の初期や終期に、スループット
を減少させても、内部欠陥や表面欠陥を発生させない良
好な鋳片を得ることができる連続鋳造方法を提供するこ
とにある。
鋳型内の溶鋼流動制御について研究を行い、鋳型長辺の
両側壁外面の上段、中段および下段に、各段で異極が対
向する磁石(電磁石または永久磁石)を設けた鋳造装置
を用い、各段の静磁場を適正に設定することにより、ス
ループットが少なくとも鋳型内の溶融金属の温度低下を
きたさないことを見いだし、本発明を完成した。本発明
の要旨は、下記の連続鋳造方法にある。
段U、中段Mおよび下段Lに静磁場を印加し、溶融金属を
注入しながら凝固させる連続鋳造方法であって、鋳込み
初期または終期において、中段および下段には上段と磁
場印加方向が反対で、磁場強度が上段の1.0倍から2.0倍
までの範囲の磁場を印加する連続鋳造方法(図1参
照)。
らの吐出流路15Bを含まない上方部分、 中段:浸漬ノズルからの吐出流路を含む中間部分、 下段:浸漬ノズルからの吐出流路を含まない下方部分。
しないときの浸漬ノズルから吐出された溶融金属が鋳型
短辺の側壁に衝突するまでの流路である(図5参照)。
造速度を低く(スループットが3.0トン/分以下)しな
ければならない状態を意味する。
用いた装置の斜視図である。また、図2は、図1のX-X
で示す断面を鋳型の短辺側から見た縦断面図である。
面の上段U、中段Mおよび下段Lの3段に鋳込み方向から
見てコの字形の鉄心3Bを配置し、鉄心の平行部3Cにコイ
ル3Aを巻回し、図2に示すように可変抵抗器4を介して
直流電源5を接続する。鋳片1の短辺を挟んで相対する磁
極3Dの極性を反対にして、鋳型の短辺1B方向に磁場を形
成させる。それぞれのコイル3Aに供給する電流の大き
さ、または方向を変えることによって、磁場強度または
磁場分布を変えることができる。
通常の鋳造状態に基づいて定められる。
の流動を模式的に示した鋳型短辺中心での縦断面図であ
る。同図に破線で示すように、吐出流15が斜め下方に進
行し、鋳型短辺側の側壁に衝突するまでの流路を「吐出
流路15B」と定義し、中段Mは、この吐出流路の少なくと
も一部を含む位置に設定する。上段Uは、吐出流路を含
まず、それよりも上方にあり、かつ鋳型内溶融金属6の
メニスカス7を含む領域、すなわちメニスカス流17を含
む領域である。下段Lは、吐出流路を含まず、上記中段M
より下方の領域である。
度を低下させたときの鋳型内の溶融金属の流れの一例を
示す鋳型短辺中心縦断面図である。図において、左側
は、鋳造速度を低下させたとき通常の方法で鋳造を行っ
ている状況、右側は、本発明の方法で鋳造を行っている
状況を示している。
は終期において、鋳造速度を低下させたとき図3に示す
ように、二次下降抑制流を二次上昇抑制流と同等または
大きくすることによって鋳型内の溶融金属の温度低下を
防ぎ、鋳片の内部欠陥と表面欠陥を低減するものであ
る。
および下段への磁場印加を上段と反対方向とすることに
よって、上段と中段との間で磁束密度がゼロとなる領域
が存在するので抑制効果が低下し、二次上昇流が増加す
る。これによって、全ての段の磁場強度が等しい場合で
あっても、二次下降流よりも二次上昇流の方が強くな
り、高温の溶融金属が鋳片下部に進入しにくくなるの
で、鋳型内溶融金属の温度低下が防止できる。また、中
段と下段の磁場印加方向を同方向とすることによって、
二次下降流の抑制効果を高め、スループットが低下した
ときでも鋳型内溶融金属の温度低下を低減することがで
きる。しかし、中段と下段の磁場印加方向が反対である
と、中段と下段との間で磁束密度がゼロとなる領域が存
在し、二次下降流を抑制することができない。
と同等、またはそれ以上(ただし、2倍まで)とするの
は、二次下降流の抑制を二次上昇流のそれよりも大きく
し、鋳型内で溶融金属を撹拌して、鋳型内の溶融金属の
温度低下を防止するためである。なお、中段と下段の磁
場強度は、同じでもよいし、異なっていてもよい。中段
および下段に印加する磁場強度が、上段の1倍未満では
上段に対する中段、下段の磁場強度が小さいため、二次
下降流が抑制されず、二次上昇流が小さくなり、メニス
カスへの溶融金属の供給が停滞し、メニスカス部の温度
が低下して鋳片内介在物量が増加する。また、中段およ
び下段に印加する磁場強度が、上段の2倍を超えると、
二次下降流が抑制され、二次上昇流が大きくなり、湯面
変動による鋳片表皮下介在物が増加する。なお、中段と
下段との磁場強度は、等しくなくともよい。
加強度を中段および下段への磁場強度と同等またはそれ
よりも小さくするのは、二次上昇流の抑制力よりも二次
下降流の抑制力を大きくし、高温の溶融金属を鋳片下部
に進入させないようにし、鋳型内の溶融金属の温度低下
を防止するためである。二次下降流の抑制力が大きくな
るため二次上昇流が大きくなり、メニスカス湯面を変動
させる。このため、磁場強度の大きさは、鋳片の大きさ
を考慮して設定する必要がある。たとえば、内壁寸法が
長辺1600mm、短辺270mm、高さ900mmである鋳型を用い、
1.3m/分の鋳造速度で低炭素鋼を鋳造した場合、磁場
強度が1000ガウス未満ではメニスカス湯面の変動を低減
することができず、2000ガウスを超えると二次上昇流が
過剰に抑制されるため、メニスカスへの熱の供給が不足
し、温度低下によるパウダーの介在物捕捉能力が低下し
た。
型内の溶融金属の温度およびメニスカス部の温度低下が
抑制され、介在物や気泡の浮上を促進させ、溶融パウダ
ーの安定した非金属介在物吸収能の確保ができる。
さ 900 mm の水冷銅鋳型を備えた図1に示すスラブ連続
鋳造機を用い、鋳込み初期と終期のスループットを3.4
トン/分、安定時を6.7トン/分として低炭素アルミキ
ルド鋼を対象に鋳造試験を行った。そして、鋳込み初期
と終期には表1に示すとおり静磁場を上段、中段および
下段に印加し、安定時には全て上段と下段に2200ガウ
ス、中段に3000ガウスの磁場を印加した。
印加したときの磁力線分布と磁場強度分布を示す図であ
り、(a)は本発明の方法で定める範囲の磁場を印加した
場合、(b)は鋳造速度安定時に印加する磁場の場合を示
す図である。
び下段には上段と磁場印加方向を反対とし、上段への磁
場強度を1000〜2000ガウスの範囲内に変えて印加した。
中段および下段への磁場印加強度は、上段の1.0倍から
2.0倍までの範囲の磁場を印加した。
下段への印加磁場強度を上段の0.67倍、チャージNo.10
では2.3倍とした。比較例2のチャージNo.11およびNo.1
2は、上段に500ガウスまたは2500ガウス(本発明で定め
る範囲外の磁場強度)を印加した。比較例3のチャージ
No.13は、全ての段の磁場印加方向を等しくした。チャ
ージNo.14は、鋳造の初期および終期に各段の磁場印加
を調整せずに鋳造を行った。
込んだ熱電対で溶融金属の温度を測定し、チャージNo.1
4を基準値1とし、その相対値で示した。
って測定し、チャージNo.14を基準値1とし、その相対
値で示した。
20μm以上の介在物個数を計量し、チャージNo.14を基
準値1とし、その相対値で示した。
までの介在物数を計量し、チャージNo.14を基準値1と
し、その相対値で示した。
ー疵、ヘゲ疵、ピンホールなどの欠陥を目視観察し、不
良品の重量を全重量で除し、チャージNo.14を基準値1
とし、その相対値で示した。この値が大きいほど、不良
品の発生率が高いことになる。
ス温度上昇指数が1.05〜1.11と1.00よりも高く、温度の
低下が小さく、鋳片内介在物指数が0.77〜0.90と介在物
が減少した。また、湯面安定指数が0.63〜0.94と1.00よ
りも低く、湯面変動が抑制されて表皮下介在物指数が0.
63〜0.92に低下しており、表皮下介在物が減少してい
る。その結果、製品の不良率が減少した。
上段の磁場印加強度が中段および下段よりも大きいた
め、二次上昇流を過剰に抑制する結果、メニスカス温度
上昇指数が0.90と1.00よりも小さくなり、鋳片内介在物
指数が1.43と悪化した。その結果、製品の不良率が1.20
と増加した。チャージNo.10は、上段の磁場印加強度が
中段および下段よりも小さいため、二次上昇流が過大と
なり、メニスカス温度上昇指数が1.13と1.00よりも大き
くなり、鋳片内介在物指数が0.86となるが、湯面安定指
数が1.60と1.00よりも大きくなり、表皮下介在物指数が
1.40と悪化した。その結果、製品の不良率が1.17と増加
した。
00ガウスと本発明で定める範囲を小さく外れるため、二
次上昇流が大きくなり、湯面安定指数が1.40と1.00より
も大きくなり、表皮下介在物指数が1.30と悪化した。そ
の結果、製品の不良量率1.06と増加した。
500ガウスと本発明で定める範囲を大きく外れるため、
二次上昇流を過剰に抑制する結果、メニスカス温度上昇
指数が0.98と1.00よりも小さくなり、鋳片内介在物指数
が1.08と悪化した。その結果、製品の不良率が1.05と増
加した。
向を等しくしたので、メニスカス温度上昇指数が0.90と
1.00よりも小さくなり、鋳片内介在物指数が1.36と悪化
した。その結果、製品の不良量が1.20と増加した。これ
は、上段と中段との間で磁束密度がゼロとなる領域が存
在しなくなるため、二次上昇流が抑制され、メニスカス
部の温度が低下するためである。
み初期または終期などの鋳造速度を低くしたとき、上
段、中段および下段に配置した磁場印加装置によって、
それぞれの磁場印加強度を調整することにより、鋳型内
溶融金属の温度低下を防止し、かつメニスカス湯面を沈
静化させ、鋳片の表面欠陥や内部欠陥の発生を低減する
ことができる。本発明は、普通鋼の鋳造のみならず、ス
テンレス鋼や銅のような非鉄金属の連続鋳造にも適用す
ることができる。
ある。
縦断面図である。
たときの鋳型内の溶融金属の流れの一例を示す鋳型短辺
中心縦断面図である。
の磁力線分布と磁場強度分布を示す図であり、(a)は本
発明の方法で定める範囲の磁場を印加した場合、(b)は
鋳造速度安定時に印加する磁場の場合を示す図である。
的に示した鋳型短辺中心での縦断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】鋳型長辺外側において下記に示す上段、中
段および下段に静磁場を印加し、溶融金属を注入しなが
ら凝固させる連続鋳造方法であって、鋳込み初期または
終期において、中段および下段には上段と磁場印加方向
が反対で、磁場強度が上段の1.0倍から2.0倍までの範囲
の磁場を印加することを特徴とする連続鋳造方法。 上段:メニスカスを含み、浸漬ノズルからの吐出流路を
含まない上方部分、 中段:浸漬ノズルからの吐出流路を含む中間部分、 下段:浸漬ノズルからの吐出流路を含まない下方部分、 ここで、吐出流路とは、静磁場を印加しないときの浸漬
ノズルから吐出された溶融金属が鋳型短辺の側壁に衝突
するまでの流路である。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP17248497A JP3149821B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 連続鋳造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP17248497A JP3149821B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 連続鋳造方法 |
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JPH1110296A true JPH1110296A (ja) | 1999-01-19 |
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ID=15942852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP17248497A Expired - Fee Related JP3149821B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 連続鋳造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3149821B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2000340794A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP17248497A patent/JP3149821B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP3149821B2 (ja) | 2001-03-26 |
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