JP3039346B2

JP3039346B2 - 溶融金属の連続鋳造装置

Info

Publication number: JP3039346B2
Application number: JP7339803A
Authority: JP
Inventors: 幸司高谷
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1995-12-27
Publication date: 2000-05-08
Anticipated expiration: 2015-12-27
Also published as: JPH09174216A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、導電性溶融金属
の連続鋳造に際し、鋳造の高速化および鋳片表面の性状
と鋳片内質の改善を可能にする鋳型内溶融金属の流れを
適正に制御できる装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】溶融金属の連続鋳造においては、浸漬ノ
ズルから溶融金属を鋳型内に吐出させる注入方法が一般
に採用されている。

【０００３】図８は、連続鋳造鋳型内の溶融金属の流れ
を模式的に示した鋳型短辺中心での縦断面図である。同
図に示すようにスラブ鋳片の連続鋳造では、鋳型長手方
向に均一に溶融金属8 を注入するため、浸漬ノズル２か
ら鋳型短辺側壁1Bに向けて溶融金属8 を吐出させる。こ
の吐出流17が鋳型短辺側壁1Bに突き当たると、二次上昇
流18と二次下降流20を生ずる。

【０００４】鋳造速度を大きくすると、単位時間当たり
の溶融金属の注入量が増えるので、吐出流17の鋳型短辺
側壁1Bへの衝突流速が大きくなり、凝固シェル10の厚さ
が薄くなって、鋳片11の表面割れやブレークアウトの危
険性が増大する。また、二次下降流20の流速も大きくな
り、その流れに随伴して非金属介在物やノズル詰まり防
止用に吹き込む不活性ガスが下降し、鋳片内部に気泡と
して捕捉される。さらに、二次上昇流18も強まり、メニ
スカス流19の変動、それに伴う湯面変動が増加するた
め、溶融パウダー13がメニスカス9 の直下で巻き込ま
れ、鋳片表皮近傍に捕捉され、鋳片欠陥の原因となる。

【０００５】鋳片11に捕捉された非金属介在物や気泡
は、例えば冷延コイルとなったときスリバー疵、ヘゲ
疵、ピンホール等の表面欠陥の発生原因となる。

【０００６】上記のような問題への対策として、静磁場
を利用して溶融金属の浸漬ノズルからの吐出流れに制動
力を与える技術の開発が進められてきた。

【０００７】例えば、特公平2-20349 号公報には、静磁
場を浸漬ノズルからの溶融金属の吐出流を含む局部位置
に印加する方法と装置が開示されている。この方法で
は、浸漬ノズルからの吐出流の流速を遅くすることがで
きるので、高速鋳造下でも鋳片のブレークアウトの発生
を防止できる。しかし、吐出流のみに静磁場を印加する
と、印加領域を迂回する強い上昇流と下降流が生じ、非
金属介在物や気泡を溶鋼から分離するのに十分な効果が
得られない。

【０００８】特公平5-55220 号公報には、静磁場を浸漬
ノズルからの溶鋼吐出流路を含まない上・下２段の鋳型
長辺全幅領域に印加する方法と装置が開示されている。
この方法では、浸漬ノズルからの溶鋼吐出流が鋳型短辺
に衝突して生ずる二次上昇流および二次下降流を抑制で
きるので、非金属介在物や気泡が効果的に溶鋼から分離
できる。しかし、浸漬ノズルからの溶鋼吐出流が鋳型短
辺に衝突する流速が大きく、鋳片短辺側の凝固シェルを
再溶解する可能性が大きくなるので、凝固シェルの厚さ
の不均一を招きがちである。吐出流の衝突流速が大きく
なり過ぎると鋳片がブレークアウトするので、鋳造速度
の高速化には限界がある。

【０００９】特開平2-284750号公報には、静磁場を浸漬
ノズル吐出孔を含む鋳型長辺全幅領域、または吐出孔の
上下の鋳型長辺全幅に印加する方法が開示されている。
吐出孔を含む領域に印加する方法では精密な流動制御は
行えず、前記特公平2-20349号公報に記載の方法と同様
の問題が生じる。また、吐出孔の上下領域に印加する方
法では、前記特公平5-55220 号公報に記載の方法と同様
の問題が生じる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、溶融
金属の連続鋳造に際し、鋳型内溶融金属に効果的に静磁
場を印加して溶融金属の浸漬ノズルからの吐出流れを制
御し、高速鋳造条件下でも鋳片のブレークアウトを発生
させることなく、かつ表面性状および内質が良好な鋳片
を製造できる溶融金属の連続鋳造装置を提供することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、下記の
連続鋳造装置にある。

【００１２】鋳型内の溶融金属に静磁場を印加して鋳型
内の溶融金属の浸漬ノズルからの吐出流れを制御する連
続鋳造装置であって、静磁場を印加する鋳型内領域を垂
直方向に下記の上段、中段および下段に区分し、各段の
鋳型長辺の両側壁外面位置に、鋳込み方向から見てコの
字形に両磁極を有する磁石が鋳型を挟んで対向配置され
た磁石が３段に設置されている連続鋳造装置。

【００１３】上段：メニスカスを含み、浸漬ノズルから
の吐出流路を含まない上方部分中段：浸漬ノズルからの吐出流路を含む中間部分下段：浸漬ノズルからの吐出流路を含まない下方部分ただし、吐出流路とは、静磁場を印加しないときの浸漬
ノズルから吐出された溶融金属が鋳型短辺の側壁に衝突
するまでの流路である。

【００１４】上記の装置で使用する電磁石は、磁石の鉄
芯が連結されたものでもよく、また、永久磁石を用いる
こともできる。

【００１５】

【発明の実施の態様】本発明の電磁石を用いた連続鋳造
装置について説明する。

【００１６】図１は、本発明の電磁石を配置した連続鋳
造装置の一例を示す斜視図である。

【００１７】また、図２は、図１のX-X で示す断面を鋳
型の短辺側から見た縦断面図である。

【００１８】両図において、鋳型1 の長辺1Aの両側壁外
面の上段U 、中段M および下段L の３段に鋳込み方向か
ら見てコの字形の鉄芯3Bを配置し、鉄芯の平行部3Cにコ
イル3Aを巻回し、鋳型を挟む磁極3Dを形成し、浸漬ノズ
ルの両側に磁場を形成する一対の磁石3 （図では電磁
石）が設けられている。

【００１９】電磁石は、コの字形の鉄芯3Bの２つの平行
部3Cに、それぞれコイル3Aを巻回し、図２に示すように
可変抵抗器5 を介して直流電源を接続する。鋳片の短辺
を挟んで相対する磁極の極性を異にして、鋳型の短辺方
向に磁場を形成させる。それぞれのコイルに供給する電
流の大きさ、または方向を変えることによって、磁場強
度または磁場分布を変えることができる。

【００２０】上記の３段の領域は、静磁場を印加しない
通常の鋳造状態に基づいて定められる。即ち、前述の図
８に破線で示すように、吐出流17が斜め下方に進行し、
鋳型短辺側壁に衝突するまでの流路を「吐出流路」と定
義し、中段M は、この吐出流路の少なくとも一部を含む
位置に設定する。上段U は、吐出流を含まず、それより
も上方にあり、かつ鋳型内溶融金属8 のメニスカス9 を
含む領域、即ちメニスカス流19を含む領域である。下段
L は、吐出流を含まず、上記中段より下方の領域であ
る。

【００２１】図3(a)〜(d) は、コの字形磁石の磁極を変
えた組合せを示す図である。

【００２２】また、図4(a)〜(d) は、前記図３に示す磁
極の組合せに対応する磁力線分布と磁場強度を示す図で
ある。両図において、(a) は、上段と下段が同極、中段
が異極の場合であり、各段の磁場をそれぞれ強くするこ
とができる。(b) は、上段、中段および下段を同極とし
た場合であり、全段にわたって磁場を強くすることがで
きる。(c) は、上段と中段が同極、下段が異極の場合で
あり、メニスカス部の磁場を下部に比べて大きくするこ
とができる。(d) は、中段と下段が同極、上段が異極の
場合であり、メニスカス部に比べて下部の磁場を大きく
することができる。

【００２３】このように電磁石を配置することにより磁
場の分布を任意に設定することができ、種々の鋳造条件
に対して浸漬ノズルからの吐出流の流動制御を柔軟に選
択できる。例えば、それぞれの磁極の設定の仕方として
は、図３に示すような選択が各コイルに流す電流の方向
を選択することで可能となる。

【００２４】上段、中段および下段の３段の電磁石は、
高さ方向に鉄芯を連結することもできる。

【００２５】図５は、３段のコの字形電磁石が高さ方向
に鉄芯を連結して配置された連続鋳造装置の鋳型短辺側
から見た側面図（斜視図）である。この場合の磁極の配
置は、中段の電磁石に電源開閉器6 を設けることによっ
て、直流電源を OFFにした場合は、対向する中段磁極で
発生する静磁場強度を上段、下段の磁極で発生する静磁
場強度よりも低く（零に近く）調整できる。また、直流
電源を ON にして、中段磁極のコイル電流を強めると、
中段磁極で発生する静磁場強度が増加し、上段、下段の
磁極で発生する静磁場と等しく、あるいはそれよりも高
く調整するこができる。

【００２６】図６は、本発明の溶融金属の連続鋳造装置
による吐出流の制御を説明する鋳型短辺中心の縦断面図
である。同図に破線で示した範囲が、前述のように設定
した上段U 、中段M および下段L の領域である。浸漬ノ
ズル2 の両側に紙面に垂直方向に逆向きの磁場を各段に
形成する。ここでは、浸漬ノズル2 からの吐出流17は、
中段の静磁場の作用により減速され、水平方向に向きを
転じている。

【００２７】各段の領域に鋳型外部に設置された３段の
磁石によって、各段に発生する静磁場強度を、図４の
(a) 〜(d) に示すように各段ごとに調整することがで
き、それによって、各段ごとに溶融金属の浸漬ノズルか
ら吐出する流れを適正に制御することができる。例え
ば、３段の磁場強度を等しくしてもよいし（図4(b)）、
中段の静磁場を上、下段のそれよりも弱く、あるいは強
くしてもよい（図4(a)）。これらの条件を変えることに
よって、後に実施例で詳しく説明するように、それぞれ
異なった優れた効果が得られる。

【００２８】鋳型内の浸漬ノズルからの溶融金属の流れ
は、図６に模式的に示すとおり、上段、中段および下段
に静磁場を印加すると垂直方向の流速成分が抑制され、
静磁場強度の低い領域に沿う吐出抑制流17A となってほ
ぼ水平方向に流れる。このとき、鋳造速度に応じて中段
静磁場の強度を調整すると、水平方向の吐出抑制流17A
の流速と流路範囲または流路面積を適度に調整すること
ができ、二次上昇流18と二次下降流20が生じる。

【００２９】鋳造速度が高速化すると鋳型短辺への衝突
流速が大きくなり、これを緩和するには、例えば中段の
静磁場を上段、下段の磁場と反対方向にして静磁場の強
度を高める（図4(a)参照）か、上段、中段および下段の
磁極を同一方向にして静磁場の強度を高める（図4(b)参
照）制御が行われる。これにより、吐出抑制流17A の流
速が抑制されるとともに、前述したように二次上昇流と
二次下降流が生じる。

【００３０】吐出抑制流17A の流速が抑制されると、鋳
型短辺側壁1Bに衝突する流速も抑制され、中段位置の凝
固シェル10の再溶解を防止し、シェル厚さの不均一化に
起因する鋳片11の割れやブレークアウトを防止すること
ができる。

【００３１】二次上昇流18は、磁場強度の低い領域をほ
ぼ垂直上方に上昇し、メニスカス近傍の凝固シェル10や
溶融パウダー13に熱を供給し、急激な凝固シェルの生成
を抑制するとともに、溶融パウダーの温度を高め不純物
の補足を促進する。また、二次上昇流は、静磁場強度が
強く調整された上段磁極中心線14A の位置で、流速が抑
制され二次上昇抑制流18A となり、メニスカス9 近傍で
水平方向に転じて流速変動のないメニスカス流19を生ず
る。これにより湯面変動が抑制され、溶融パウダー13の
溶鋼への巻き込みを防止することができる。

【００３２】吐出抑制流17A が鋳型短辺側壁1Bに衝突し
生ずる二次下降流20は、磁場強度の低い領域をほぼ垂直
方向に下降し、下段磁極中心線16A の位置で弱い（流速
の低い）二次下降抑制流20A となる。これにより、二次
下降流20に随伴して下降する非金属介在物や気泡が鋳片
11の内部に侵入し、浮上しないまま捕捉されるのを防止
することができる。

【００３３】静磁場強度を図4(c)に示すパターンとなる
ように磁極を配置すると、メニスカス流速19の低減が可
能となり、メニスカス温度偏差が小さくなり、鋳片の表
面清浄性が向上する。また、図4(d)に示すパターンとな
るように磁極を配置すると、二次下降流および吐出抑制
流の流速が低減され、ブレークアウト、非金属介在物お
よび気泡の数を少なくすることができる。

【００３４】さらに、図５に示すように上段、中段およ
び下段のコの字形磁石を縦方向に連結した電磁石の磁極
を、中段の磁場強度を強め、吐出流れに強く制動力を印
加することによって、鋳造速度を高めることも可能であ
る。

【００３５】上述したように、本発明装置によれば、鋳
造速度の高速化に柔軟に対応して、鋳型内溶融金属に所
定の流れを形成することができる。そして、鋳造速度を
高速化しても鋳片のブレークアウトを発生させることな
く、表面性状、内質が良好な鋳片を製造することができ
る。

【００３６】次に、本発明の装置について実施例により
具体的に説明する。

【００３７】

【実施例】

（実施例１）内壁寸法が長辺幅1600mm、短辺幅 270mm、
高さ 900mmの水冷銅鋳型を備えたスラブ連続鋳造機を用
いて、低炭素アルミキルド鋼のスラブ鋳片を鋳造した。
鋳片引き抜き速度は 2 ｍ／分（鋳造速度 5.4ｔ／分に
相当する）である。浸漬ノズルの吐出孔は、鋳型短辺に
対向する側に２孔を設けた。鋳型内溶鋼の流れ制御装置
としては、前記図１に示すコの字形鉄芯を３段に配置し
た電磁石を用いた。

【００３８】３段の電磁石の平行部3Cは、前述の上段、
中段および下段の各領域内に設置した。最大磁場強度
は、上段および下段を2200ガウスと一定に制御し、中段
を−1000、1000および3000( ケースNo. １、２および
３）に制御した。中段の磁場強度のマイナス記号は、上
下段の磁場印加方向と反対方向を意味する。

【００３９】比較例１は、吐出流路を含まない上段と下
段に静磁場を印加する方法で溶鋼流れを制御した例、比
較例２は中段だけに静磁場を印加した例である。

【００４０】吐出流が鋳型短辺側壁に衝突する衝突流速
は、中段の静磁場強度を変化させたときの流動解析シミ
ュレーションで得られる。短辺衝突流速比は、実施例の
ケース２の条件で得られる衝突流速を１とする相対値で
表した。

【００４１】ブレークアウト指数は、ケース２の条件の
場合に発生するブレークアウト発生回数を１とする相対
値で表した。

【００４２】メニスカス温度偏差は、鋳型の1/2 厚さ位
置におけるメニスカス直下10mmの温度を幅方向に測定
し、その最高温度 Tmax 、最低温度 Tmin 、平均温度 T
m を用い、〔（Tmax−Tmin）／Tm〕×100 により算出した値である。

【００４３】鋳片内介在物指数は、スラブ表面から45 m
m 深さの位置を、顕微鏡により 20μｍ以上の介在物個
数を計量し、実施例のケース１の介在物個数を１とする
相対値で表した。

【００４４】鋳片内気泡指数は、スラブ表面から45 mm
深さの位置を、顕微鏡により鋳片内の 50 μｍ以上の気
泡個数を計量し、実施例のケース１の気泡個数を１とす
る相対値で表した。

【００４５】表面清浄性指数は、鋳片の表面から 10 mm
以内の領域について、顕微鏡により20μｍ以上の介在物
個数を計量し、実施例のケース１の介在物個数を１とす
る相対値で表した。

【００４６】これらの測定結果を表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】実施例のケース１、ケース２およびケース
３は、上段、中段および下段に静磁場を印加し、中段の
磁場強度を変化させた。中段の磁場強度を−1000ガウス
（ケース１）、1000ガウス（ケース２）および3000ガウ
ス（ケース３）と変化させると鋳型短辺衝突流速比は、
ケース２（1000ガウス）において最大となり、これを１
とした。そして、短辺衝突流速比の値に比例して、鋳片
のブレークアウト指数が0.75、1.0 および0.65と減少し
た。中段に静磁場を印加すると短辺衝突流速を抑制する
ことができ、中段の磁場を上段、下段の磁場方向と反対
方向に強くした場合、および同方向に強くした場合に、
短辺衝突流を更に低下（0.80および0.70）させることが
できる。また、メニスカス温度偏差は0.30〜0.50であ
り、二次上昇流も抑制されており、メニスカス流も安定
している。更に、いずれも二次下降流も抑制されてお
り、非金属介在物、気泡および表面清浄も良好である。

【００４９】これに対し、比較例１（ケース４およびケ
ース５）では中段に静磁場印加を行っていないので、吐
出流の流速が抑制されないまま鋳型短辺側壁に衝突し、
鋳型短辺側壁への衝突流、二次上昇流および二次下降流
の流速が大きくなる。この衝突流速が増大（ケース４お
よび５では鋳型短辺側壁への衝突流速比が1.4 および1.
3 と大きく、）するためブレークアウト指数が3.0 およ
び2.5 と増大した。また、二次上昇流の増大は、メニス
カス近傍への熱供給、それによるパウダーの溶解を促進
させる面では有利となるが、発明例と同等の静磁場強度
（2200ガウス）を上段に印加したケース４では、メニス
カス流速の抑制効果と温度偏差は発明例とほぼ同等であ
る。

【００５０】上段の静磁場強度を1200ガウスと低くした
ケース５では、メニスカス流速はさらに大きくなり、メ
ニスカス温度偏差が0.80と増大する。二次下降流の増大
は、鋳片内部の溶融金属の下部に非金属介在物や気泡を
侵入させ、鋳片内の介在物個数指数が2.5 および3.5 、
並びに気泡個数指数が2.3 および2.8 となり、その分離
効果が悪くなった。ケース５は、下段の静磁場強度を12
00ガウスと低くしたので、二次下降流の流速抑制の効果
が劣り、鋳片内介在物個数指数、気泡個数指数が増加
し、表面清浄性指数も2.6 となり、表面性状も悪くなっ
た。

【００５１】比較例２（ケース６、７および８）は、中
段だけに静磁場を印加し、磁場強度を1000、2200および
3000ガウスの３段階に変化させた。鋳型短辺衝突流速比
が1.2 、1.1 および0.9 と磁場強度に比例して漸減し
た。しかし、上段に静磁場を印加しないので、二次上昇
流の流速抑制がなく、メニスカス温度偏差が1.1 、1.5
および1.8 と大きくなり、メニスカス流速変動が増大し
ていることがわかる。また、下段にも静磁場を印加しな
いので、同様に二次下降流の流速も増大し、介在物個数
指数、気泡個数指数および表面清浄指数も大きくなり、
非金属介在物や気泡の分離効果が悪化した。

【００５２】以上の結果から、鋼種によって総合的に性
状の優れたものが要求される場合にはケース１の磁場分
布が、内質が要求される場合にはケース２の磁場分布
が、鋳造速度を速くしたい場合にはケース３の磁場分布
が適切である。このように本発明装置を用いれば、目的
とする鋳片の性状に合わせて浸漬ノズルからの吐出流の
流動制御を行うことができる。

【００５３】これらの結果から、上段、中段および下段
の静磁場強度を各段ごとに調整、制御することにより、
鋳造速度を高速化してもブレークアウトすることなく、
表面性状と内質が良好な鋳片を製造することができる。

【００５４】（実施例２）図５に示す３つのコの字形鉄
芯の垂直部を連結した電磁石が、鋳型を挟んで配置され
た連続鋳造装置を用い、鋳造試験を行った。

【００５５】図７は、３つのコの字形鉄芯の垂直部を連
結した磁石と磁力線分布を示す図である。同図に示すよ
うに、上段および下段にはそれぞれ3000ガウス、中段に
4000ガウスの磁場を与え、鋳片引き抜き速度３ｍ／分で
実施例１と同様な鋳造を行った。その結果、ブレークア
ウトの発生がなく、表面清浄の優れた鋳片を得ることが
できた。

【００５６】

【発明の効果】本発明装置を用いれば、連続鋳造用の鋳
型内溶融金属の浸漬ノズルからの流れを鋳造速度に応じ
て適正に制御できるので、鋳片のブレークアウト防止と
非金属介在物や気泡の効果的な分離を両立させることが
できる。従って、鋳造速度の高速化への対応が可能とな
り、しかも表面性状および内質が良好な鋳片を製造する
ことができる。本発明は普通鋼の鋳造のみならず、ステ
ンレス鋼や銅のような非鉄金属の連続鋳造にも適用する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電磁石を配置した連続鋳造装置の一例
を示す斜視図である。

【図２】図１のX-X で示す断面を鋳型の短辺側から見た
縦断面図である。

【図３】コの字形磁石の磁極を変えた組合せを示す図で
あり、(a) は上段と下段が同極、中段が異極の場合、
(b) は上段、中段および下段を同極とした場合、(c) は
上段と中段が同極、下段が異極の場合、(d) は中段と下
段が同極、上段が異極の場合の磁極配置を示す図であ
る。

【図４】本発明の電磁石における３段の極性を変えたと
きの磁力線分布と磁場強度を示す図であり、 (a)〜(d)
は図３に示す磁極の組合せに対応する磁力線分布と磁場
強度を示す図である。

【図５】３つのコの字形磁石の垂直部を連結した本発明
の電磁石を配置した連続鋳造装置の一例を示す鋳型短辺
側の側面図である。

【図６】本発明装置を用いたときの溶融金属の浸漬ノズ
ルからの吐出流れを模式的に示す鋳型短辺中心縦断面図
である。

【図７】実施例に使用した磁石配置と磁力線分布を示す
図である。

【図８】従来の磁場を印加しない連続鋳造鋳型内の溶融
金属の流れを模式的に示した鋳型短辺中心断面図であ
る。

【符号の説明】

１．鋳型 1A．鋳型長辺側壁 1B．鋳型短辺側壁２．浸漬ノズル 2A．吐出孔３．電磁石 3A．コイル 3B．鉄芯４．Ｅ型電磁石 4-1.上部電磁石 4-2.中部電磁石 4-3.下部電磁石 4A．コイル 4B．Ｅ型鉄芯５．可変抵抗器６．電源開閉器７．直流電源８．溶融金属９．メニスカス 10．凝固シェル 11．鋳片 12．固体パウダー13．溶融パウダー 14．上段磁極面 14A.上段磁極中心線 15．中段磁極面 15A.中段磁極中心線 16．下段磁極面 16A.下段磁極中心線 17．吐出流 17A.吐出抑制流 18．二次上昇流 18A.二次上昇抑制流 19．メニスカス流 20．二次下降流 20A.二次下降抑制流

フロントページの続き (56)参考文献特開平２−117756（ＪＰ，Ａ) 特開平５−96351（ＪＰ，Ａ) 特開平４−344858（ＪＰ，Ａ) 特開平８−10917（ＪＰ，Ａ) 特開平５−77007（ＪＰ，Ａ) 特開平３−142049（ＪＰ，Ａ) 特開平２−284750（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−17356（ＪＰ，Ａ) 特表平11−502466（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B22D 11/04 311 B22D 11/115

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】鋳型内の溶融金属に静磁場を印加して鋳型
内の溶融金属の浸漬ノズルからの吐出流れを制御する連
続鋳造装置であって、静磁場を印加する鋳型内領域を垂
直方向に下記の上段、中段および下段に区分し、各段の
鋳型長辺の両側壁外面位置に、鋳込み方向から見てコの
字形に両磁極を有する磁石が鋳型を挟んで対向配置され
た磁石が３段に設置されていることを特徴とする連続鋳
造装置。上段：メニスカスを含み、浸漬ノズルからの吐出流路を
含まない上方部分中段：浸漬ノズルからの吐出流路を含む中間部分下段：浸漬ノズルからの吐出流路を含まない下方部分ただし、吐出流路とは、静磁場を印加しないときの浸漬
ノズルから吐出された溶融金属が鋳型短辺の側壁に衝突
するまでの流路である。
【請求項２】鋳型長辺の両側壁外面に配置された上段、
中段および下段の磁石は、その鉄芯が連結された電磁石
である請求項１に記載の連続鋳造装置。