JPH11100122A - 半導体ウェーハ移送装置 - Google Patents

半導体ウェーハ移送装置

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JPH11100122A
JPH11100122A JP27970197A JP27970197A JPH11100122A JP H11100122 A JPH11100122 A JP H11100122A JP 27970197 A JP27970197 A JP 27970197A JP 27970197 A JP27970197 A JP 27970197A JP H11100122 A JPH11100122 A JP H11100122A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハ2を一つのウェーハ保持手段
から他のウェーハ保持手段へ常に確実に移送する 【解決手段】 ウェーハ2の外周部に嵌合されて移送中
ウェーハ2を支持するウェーハ支持体8のウェーハ嵌合
溝14に、ウェーハ2の第一および第二の面取り部5,
6の径に対応した径で円弧状に延びるとともに面取り部
5,6の傾斜に対応した角度で傾斜した第一および第二
の面取り部当接面15,16を設ける。ウェーハ嵌合溝
14がウェーハ2に嵌合されたとき、第一および第二の
面取り部当接面15,16が第一および第二の面取り部
5,6に円弧状に当接するため、ウェーハ嵌合溝14と
ウェーハ2との間にがたつきを生じ、ウェーハ嵌合溝1
4に対しウェーハ2が傾いてしまう虞がなく、ウェーハ
2を常に確実に移送できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて、半導体インゴットを裁断してなる半導体ウェー
ハを一つのウェーハ保持手段から他のウェーハ保持手段
へ移送する半導体ウェーハ移送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、作
業能率を上げるために、複数枚の半導体ウェーハを同時
に処理する。図1は、このように同時に処理する複数の
ウェーハを保持するウェーハキャリアの一例を示す。こ
のキャリア1は、該キャリア1の両側壁の内面側に複数
のウェーハ嵌合溝(図示せず)を有しており、これらの
ウェーハ嵌合溝に円板状の半導体ウェーハ2の外周部を
嵌合されることにより、複数のウェーハ2を互いに間隔
を置いて互いに平行、かつ上下方向に移動可能に保持す
るようになっている。そして、前記複数のウェーハ2は
このようなキャリア1に保持された状態で種々の処理を
施されて行く。
【0003】しかるに、半導体製造工程においては、ウ
ェーハ2を一つのウェーハキャリア1から他のウェーハ
キャリア1へ移し替える必要があることがある。図2〜
4は、このようなウェーハ2の移送を行う従来の半導体
ウェーハ移送装置におけるウェーハ支持体3を示してお
り、このウェーハ支持体3には図3および4のように横
断面Y字状をなすウェーハ嵌合溝4が設けられていた。
このような半導体ウェーハ移送装置は、ウェーハ支持体
3を移動してウェーハ嵌合溝4をウェーハ2の外周部に
嵌合させることによりウェーハ支持体3にウェーハ2を
支持させて、一つのウェーハキャリア1から他のウェー
ハキャリア1にウェーハ2を移送する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェーハ支持体3のウェーハ嵌合溝4は、前記のように
その横断面形がY字状をなしており、実際にウェーハ2
の外周部を嵌合される部分(Y字の下部の垂直部分)4
aはすべての場所において幅が同一とされていた。この
ため、ウェーハ2の板厚よりこの部分4aの幅を十分大
きくしておかないと、ウェーハ2の外周部を円滑に嵌合
できないので、ウェーハ嵌合溝4とウェーハ2との間に
がたつきが生じ、図4の一点鎖線で示すようにウェーハ
嵌合溝4に対しウェーハ2が傾いてしまいがちであっ
た。このため、ウェーハ2を一つのウェーハキャリア1
から他のウェーハキャリア1にうまく移送できないこと
があるという問題があった。
【0005】また、ウェーハ嵌合溝4の実際にウェーハ
2の外周部を嵌合される部分4aをある程度深くする必
要があるので、ウェーハ支持体3とウェーハ2との接触
部が大きくなるという欠点もあった。
【0006】本発明は、このような従来の事情に鑑みて
なされたもので、本発明の1つの目的は、ウェーハ支持
体のウェーハ嵌合溝とウェーハとの間にがたつきが生じ
ず、ウェーハ嵌合溝に対しウェーハが傾いてしまう虞が
なく、ウェーハを一つのウェーハキャリア等のウェーハ
保持手段から他のウェーハキャリア等のウェーハ保持手
段に常に確実に移送できる半導体ウェーハ移送装置を提
供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、ウェーハ支持体とウ
ェーハとの接触部を小さくすることができる半導体ウェ
ーハ移送装置を提供することにある。
【0008】本発明のさらに他の目的は、以下の説明か
ら明らかになろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】ウェーハ支持体のウェー
ハ嵌合溝が、ウェーハの第一および第二の面取り部の径
に対応した径で円弧状に延びるとともに第一および第二
の面取り部の傾斜に対応した角度で傾斜した第一および
第二の面取り部当接面を有するようにする。
【0010】これにより、ウェーハ支持体のウェーハ嵌
合溝がウェーハの外周部に嵌合されたとき、ウェーハ嵌
合溝の第一および第二の面取り部当接面がウェーハの第
一および第二の面取り部に当接される。そして、第一お
よび第二の面取り部当接面はウェーハの面取り部径に対
応した径で円弧状に延びているので、前記第一および第
二の面取り部当接面と第一および第二の面取り部との当
接は円弧状になされるため、従来のようにウェーハ嵌合
溝とウェーハとの間にがたつきを生じ、ウェーハ嵌合溝
に対しウェーハが傾いてしまう虞がなくなり、ウェーハ
を第一のウェーハ保持手段から第二のウェーハ保持手段
に常に確実に移送できる。
【0011】また、ウェーハが第一および第二の面取り
部においてのみウェーハ支持体に接触するので、ウェー
ハ支持体とウェーハとの接触部を小さくすることができ
る。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
説明する。
【0013】
【実施例】図5〜17は、本発明の一実施例を示してい
る。なお、ここで移送の対象となる半導体ウェーハ2は
通常の形状のもので、図2および5に示されるように円
板状をなしており、外周の両面側のエッジ部を共に面取
りされることにより、図17に示されるように第一の面
取り部5および第二の面取り部6を形成されている。
【0014】図5は本実施例の半導体ウェーハ移送装置
全体を簡略化して示しており、第一のウェーハキャリア
1および第二のウェーハキャリア1を水平方向に並べて
載置されるウェーハキャリア載置台7を備えている。水
平方向に移動可能な水平方向移動体(図示せず)には第
一のウェーハ支持体8が昇降可能に支持されており、こ
の第一のウェーハ支持体8は昇降装置(図示せず)によ
り昇降されるようになっている。前記水平方向移動体に
は、第一のウェーハ支持体8の上方においてアーム支持
枠9が上下方向に位置を調整可能に固定されており、こ
のアーム支持枠9には左右1対のアーム10,11の上
端部が回動可能に支持されている。これらのアーム1
0,11は第二および第三のウェーハ駆動装置(図示せ
ず)により同時に内向きまたは外向きに回動されるよう
になっており、アーム10の下端部には第二のウェーハ
支持体12、アーム11の下端部には第三のウェーハ支
持体13がそれぞれ取り付けられている。前記第一のウ
ェーハ支持体8およびアーム支持枠9を支持している前
記水平方向移動体は、水平移動装置(図示せず)により
水平方向に移動されるようになっている。したがって、
前記水平移動装置によって前記水平方向移動体を水平方
向に移動することにより、前記第一のウェーハ支持体8
およびアーム支持枠9を一体的に水平方向に移動するこ
とができる。
【0015】図13〜17は、前記第一のウェーハ支持
体8を示しており、この第一のウェーハ支持体8の上面
には多数のウェーハ嵌合溝14が、第一および第二のウ
ェーハキャリア1のウェーハ嵌合溝(図示せず)の間隔
に対応する間隔で互いに平行に多数設けられている。各
ウェーハ嵌合溝14は、図13に示されるようにウェー
ハ2の外周部に対応した径で円弧状に延びている。そし
て、図16によく示されるように、各ウェーハ嵌合溝1
4の横断面は次のような形状をなしている。すなわち、
各ウェーハ嵌合溝14の底部は、ウェーハ2の第一およ
び第二の面取り部5,6の傾斜に対応した角度αで傾斜
した第一および第二の面取り部当接面15,16を備え
ることにより横断面V字状をなしている(なお、前記面
取り部当接面15,16はウェーハ2の面取り部5,6
の径に対応した径で円弧状に延びている)。また、各ウ
ェーハ嵌合溝14の開口部付近は、第一および第二の面
取り部当接面15,16の傾斜角度αより大きい角度β
でそれぞれ傾斜した第一および第二の開口部傾斜面1
7,18により構成されている。さらに、各ウェーハ嵌
合溝14の中間部、すなわち面取り部当接面15,16
と開口部傾斜面17,18との中間部は、面取り部当接
面15,16の傾斜角度αより小さい角度γで傾斜する
第一および第二の中間傾斜面19,20により構成され
ている。
【0016】図5〜12に示されるように、前記第二お
よび第三のウェーハ支持体12,13にも、第一のウェ
ーハ支持体8のウェーハ嵌合溝14と同様のウェーハ嵌
合溝14が設けられている。
【0017】次に、図5〜12を参照して本実施例の作
動を説明する。まず、図5および6のように、第一のウ
ェーハキャリア1の下方に位置させている第一のウェー
ハ支持体8を前記昇降装置により上昇させて行く。する
と、第一のウェーハキャリア1の下部に設けられている
開口(図示せず)から第一のウェーハ支持体8が第一の
ウェーハキャリア1内に侵入して該ウェーハ支持体8の
ウェーハ嵌合溝14がウェーハ2の下部外周部に嵌合
し、ウェーハ2を支持して該ウェーハ2を持ち上げ、第
一のウェーハキャリア1の上方まで上昇させる。
【0018】続いて、前記第二および第三のウェーハ駆
動装置により各アーム10,11を内側に回動させて行
くと、図7のように、第二および第三のウェーハ支持体
12,13のウェーハ嵌合溝14がウェーハ2の左右の
斜め下方外周部に嵌合され、第一のウェーハ支持体8の
ウェーハ嵌合溝14とともにウェーハ2を支持するよう
になる。
【0019】次に、前記昇降装置により図8のように第
一のウェーハ支持体8を下降させ、第一のウェーハキャ
リア1aの下方に位置させた後、前記水平移動装置によ
り前記水平移動体を水平方向に移動させることにより、
図9のように第一のウェーハ支持体8およびアーム支持
枠9を一体的に第二のウェーハキャリア1bの位置に移
動させる。これにより、ウェーハ2が第二のウェーハキ
ャリア1bの上方に位置される(なお、本実施例とは逆
に、第一のウェーハ支持体8およびアーム支持枠9の方
は水平方向に関し固定しておき、第一のウェーハキャリ
ア1aおよび第二のウェーハキャリア1bの方を水平方
向に移動するようにしてもよい)。
【0020】次に、前記昇降装置により、図10のよう
に、第一のウェーハ支持体8を上昇させて行くと、第二
のウェーハキャリア1bの下部に設けられている開口
(図示せず)から第一のウェーハ支持体8が第二のウェ
ーハキャリア1b内に侵入して該ウェーハ支持体8のウ
ェーハ嵌合溝14がウェーハ2の下部外周部に再び嵌合
し、ウェーハ2を支持するようになる。
【0021】次に、前記第二および第三のウェーハ駆動
装置により図11のようにアーム10,11を外側に回
動させ、第二および第三のウェーハ支持体12,13を
ウェーハ2から離間させた後、前記昇降装置により図1
2のように第一のウェーハ支持体8を第二のウェーハキ
ャリア1bの下方に下降させる。これにより、ウェーハ
2が第二のウェーハキャリア1bに収容されるととも
に、第一のウェーハ支持体8がウェーハ2から離間し、
第一のウェーハキャリア1aから第二のウェーハキャリ
ア1bへの移送が完了する。
【0022】この半導体ウェーハ移送装置においては、
各ウェーハ支持体8,12,13に設けられているウェ
ーハ嵌合溝14に、ウェーハ2の第一および第二の面取
り部5,6の傾斜に対応した角度で傾斜されている第一
および第二の面取り部当接面15,16が設けられてい
るので、各ウェーハ支持体8,12,13のウェーハ嵌
合溝14がウェーハ2の外周部に嵌合されたとき、図1
7のようにこれらの第一および第二の面取り部当接面1
5,16が第一および第二の面取り部5,6に当接され
る。そして、面取り部当接面15,16はウェーハ2の
面取り部5,6の径に対応した径で円弧状に延びている
ので、前記面取り部当接面15,16と面取り部5,6
との当接は円弧状になされるため、従来のようにウェー
ハ嵌合溝14とウェーハ2との間にがたつきを生じ、ウ
ェーハ嵌合溝14に対しウェーハ2が傾いてしまう虞が
なく、ウェーハ2を第一のウェーハキャリア1aから第
二のウェーハキャリア1bに常に確実に移送できる。
【0023】また、ウェーハ2が第一および第二の面取
り部5,6においてのみウェーハ支持体8,12,13
に接触するので、ウェーハ支持体8,12,13とウェ
ーハ2との接触部を小さくすることができる。
【0024】なお、本実施例においては、各ウェーハ支
持体8,12,13のウェーハ嵌合溝14は、面取り部
当接面15,16より該溝14の開口側の部分に、第一
および第二の開口部傾斜面17,18並びに第一および
第二の中間傾斜面19,20を有しているので、ウェー
ハ2の外周部がこれらの傾斜面17,18,19,20
に案内されて面取り部当接面15,16間の部分へ円滑
に侵入するので、より確実にウェーハ2を第一のウェー
ハキャリア1aから第二のウェーハキャリア1bにウェ
ーハ2を移送できる。
【0025】図18は本発明におけるウェーハ支持体の
他の実施例を示す。本実施例においては、ウェーハ支持
体8の上面に、各ウェーハ嵌合溝14に対し垂直方向に
延びる凹部21が適当本数設けられており、これらの凹
部21により各ウェーハ嵌合溝14はそれぞれ複数の円
弧状部分に分断されている。本実施例においては、各ウ
ェーハ嵌合溝14が1つの連続した円弧状部分からなる
のではなく、互いの間に間隔を置かれた、中心および径
が同一の複数の円弧状部分からなるので、ウェーハ嵌合
溝14とウェーハ2との接触部をより少なくすることが
できる。また、凹部21においてウェーハ支持体8を他
の部材へねじ止め等することができるという利点もあ
る。
【0026】なお、前記実施例では第一のウェーハキャ
リア1aから第二のウェーハキャリア1bにウェーハ2
を移送しているが、本発明による半導体ウェーハ移送装
置はウェーハキャリア以外のウェーハ保持手段同士の間
のウェーハの移送、あるいはウェーハキャリアとウェー
ハキャリア以外のウェーハ保持手段との間のウェーハの
移送にも使用可能なものである。
【0027】また、前記実施例では、第一のウェーハキ
ャリア1aと第二のウェーハキャリア1bとが同一水平
面上に位置されているが、本発明による半導体ウェーハ
移送装置は、同一水平面上にないウェーハ保持手段間の
ウェーハの移送にも使用できるものである。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明は、(イ)ウェーハ
支持体のウェーハ嵌合溝とウェーハとの間にがたつきが
生じず、ウェーハ嵌合溝に対しウェーハが傾いてしまう
虞がなく、ウェーハを一つのウェーハ保持手段から他の
ウェーハ保持手段に常に確実に移送できる、(ロ)ウェ
ーハ支持体とウェーハとの接触部を小さくすることがで
きる、等の優れた効果を得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体ウェーハを保持するウェーハキャリア
(ウェーハ保持手段)の一例を示す斜視図である。
【図2】従来の半導体ウェーハ移送装置におけるウェー
ハ支持体のウェーハ嵌合溝にウェーハの外周部が嵌合さ
れた状態を示す正面図である。
【図3】図1のIII−III線における拡大断面図で
ある。
【図4】図3のウェーハ嵌合溝とウェーハの外周部との
嵌合部をさらに拡大して示す断面図である。
【図5】本発明による半導体ウェーハ移送装置の一実施
例の全体構成を簡略化して示す正面図である。
【図6】前記実施例によるウェーハの移送工程を示す正
面図である。
【図7】前記実施例による次のウェーハの移送工程を示
す正面図である。
【図8】前記実施例による次のウェーハの移送工程を示
す正面図である。
【図9】前記実施例による次のウェーハの移送工程を示
す正面図である。
【図10】前記実施例による次のウェーハの移送工程を
示す正面図である。
【図11】前記実施例による次のウェーハの移送工程を
示す正面図である。
【図12】前記実施例によるウェーハの移送工程完了の
状態を示す正面図である。
【図13】前記実施例における第一のウェーハ支持体を
示す正面図である。
【図14】前記第一のウェーハ支持体を示す側面図であ
る。
【図15】前記第一のウェーハ支持体を示す平面図であ
る。
【図16】前記第一のウェーハ支持体のウェーハ嵌合溝
を示す拡大断面図である。
【図17】前記ウェーハ嵌合溝にウェーハの外周部が嵌
合されている状態を示す拡大断面図である。
【図18】本発明におけるウェーハ支持体の他の実施例
を示す正面図である。
【符号の説明】
1a 第一のウェーハキャリア(ウェーハ保持手段) 1b 第二のウェーハキャリア(ウェーハ保持手段) 2 半導体ウェーハ 5 第一の面取り部 6 第二の面取り部 8 第一のウェーハ支持体 10 アーム 11 アーム 12 第二のウェーハ支持体 13 第三のウェーハ支持体 14 ウェーハ嵌合溝 15 第一の面取り部当接面 16 第二の面取り部当接面 17 第一の開口部傾斜面 18 第二の開口部傾斜面 19 第一の中間傾斜面 20 第二の中間傾斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千葉 信孝 東京都八王子市川口町1489番地の1 イー ティーシステムエンジニアリング株式会社 内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外周部の両面側のエッジ部を面取りされ
    ることにより第一および第二の面取り部を形成された円
    板状の半導体ウェーハを第一のウェーハ保持手段から第
    二のウェーハ保持手段へ移送する半導体ウェーハ移送装
    置であって、ウェーハ嵌合溝を設けられたウェーハ支持
    体を有しており、前記第一のウェーハ保持手段に保持さ
    れている前記ウェーハの外周部に前記ウェーハ嵌合溝を
    嵌合させて前記ウェーハ支持体に前記ウェーハを支持さ
    せることにより前記ウェーハを前記第一のウェーハ保持
    手段から前記第二のウェーハ保持手段へ移送する半導体
    ウェーハ移送装置において、 前記ウェーハ嵌合溝は、前記ウェーハの前記第一および
    第二の面取り部の径に対応した径で円弧状に延びるとと
    もに前記第一および第二の面取り部の傾斜に対応した角
    度で傾斜した第一および第二の面取り部当接面を有して
    おり、これらの第一および第二の面取り部当接面が前記
    第一および第二の面取り部にそれぞれに当接されるよう
    にして前記ウェーハの外周部に嵌合されることを特徴と
    する半導体ウェーハ移送装置。
  2. 【請求項2】 前記ウェーハ嵌合溝は、前記第一および
    第二の面取り部当接面より該ウェーハ嵌合溝の開口側の
    部分に、前記ウェーハの外周部を前記第一および第二の
    面取り部当接面間へ案内する傾斜面を有している請求項
    1記載の半導体ウェーハ移送装置。
  3. 【請求項3】 昇降可能な前記ウェーハ支持体と、前記
    ウェーハ支持体を昇降する昇降装置とを有する請求項1
    または2記載の半導体ウェーハ移送装置。
  4. 【請求項4】 昇降可能な第一の前記ウェーハ支持体
    と、横方向に移動可能な第二および第三の前記ウェーハ
    支持体と、前記第一のウェーハ支持体を昇降する昇降装
    置と、前記第二および第三のウェーハ支持体を同時に横
    方向内向きまたは外向きに移動させる第二および第三の
    ウェーハ支持体駆動装置と、前記第一および第二のウェ
    ーハ保持手段に対して相対的に、前記第一、第二および
    第三のウェーハ支持体を一体的に水平方向に移動させる
    水平方向駆動装置とを有する請求項1または2記載の半
    導体ウェーハ移送装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003080144A (ja) * 2001-09-14 2003-03-18 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
WO2023109972A1 (zh) * 2021-12-15 2023-06-22 杭州众硅电子科技有限公司 站立式晶圆卡座
TWI857368B (zh) 2021-12-15 2024-10-01 大陸商杭州眾硅電子科技有限公司 站立式晶圓卡座

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JP2003080144A (ja) * 2001-09-14 2003-03-18 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
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TWI857368B (zh) 2021-12-15 2024-10-01 大陸商杭州眾硅電子科技有限公司 站立式晶圓卡座

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