JPH1098736A - 検出回路 - Google Patents
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- JPH1098736A JPH1098736A JP9230497A JP23049797A JPH1098736A JP H1098736 A JPH1098736 A JP H1098736A JP 9230497 A JP9230497 A JP 9230497A JP 23049797 A JP23049797 A JP 23049797A JP H1098736 A JPH1098736 A JP H1098736A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/96—One or more circuit elements structurally associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/42—Measurement or testing during manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォーカスマスク色選択構体を使用するＣＲ
Ｔ中のブレークダウン現象を速やかに判別する。 【解決手段】 フォーカスマスク構体１００にブレーク
ダウン現象が生じると、マスクのキャパシタンスとバイ
アス源２１０によってクロス−ストランド電流が供給さ
れる。クロス−ストランド電流が１次巻線を通って流れ
ると、２次巻線に２次電流ＩSEC が誘導される。２次電
流ＩSEC の大きさはクロス−ストランド電流の大きさと
変成器の１次巻線−２次巻線の巻線比との積に等しくな
る。２次電流ＩSEC は全波整流器２２７により整流さ
れ、可調整抵抗Ｒ２およびインダクタＬ１を経て駆動ト
ランジスタＱ１に流れる。抵抗Ｒ２は、ブレークダウン
検出回路２２０が通常生じるリプル電圧および電流と真
正のブレークダウン現象とを区別できるように調整され
る。
Ｔ中のブレークダウン現象を速やかに判別する。 【解決手段】 フォーカスマスク構体１００にブレーク
ダウン現象が生じると、マスクのキャパシタンスとバイ
アス源２１０によってクロス−ストランド電流が供給さ
れる。クロス−ストランド電流が１次巻線を通って流れ
ると、２次巻線に２次電流ＩSEC が誘導される。２次電
流ＩSEC の大きさはクロス−ストランド電流の大きさと
変成器の１次巻線−２次巻線の巻線比との積に等しくな
る。２次電流ＩSEC は全波整流器２２７により整流さ
れ、可調整抵抗Ｒ２およびインダクタＬ１を経て駆動ト
ランジスタＱ１に流れる。抵抗Ｒ２は、ブレークダウン
検出回路２２０が通常生じるリプル電圧および電流と真
正のブレークダウン現象とを区別できるように調整され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にはＣＲＴ
の分野に関するものであり、特に、フォーカスマスク色
選択構体を有するＣＲＴにおけるブレークダウン現象を
検出することに関する。
の分野に関するものであり、特に、フォーカスマスク色
選択構体を有するＣＲＴにおけるブレークダウン現象を
検出することに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＶ受像機、コンピュータ、あるいはビ
デオ表示端末のようなビデオ表示装置において使用され
るＣＲＴは、通常、高強化ガラスで作られた排気された
外囲器を含んでいる。この外囲器は、通常平垣な、ある
いは僅かに湾曲したフェースプレートと、ファンネル形
のベル（ｂｅｌｌ）部分と、それから延びるネックとを
具えている、フェースプレートの内面には螢光体スクリ
ーンが形成されている。
デオ表示端末のようなビデオ表示装置において使用され
るＣＲＴは、通常、高強化ガラスで作られた排気された
外囲器を含んでいる。この外囲器は、通常平垣な、ある
いは僅かに湾曲したフェースプレートと、ファンネル形
のベル（ｂｅｌｌ）部分と、それから延びるネックとを
具えている、フェースプレートの内面には螢光体スクリ
ーンが形成されている。
【０００３】カラーＣＲＴでは、異なる色の光を発する
特性を有する複数の螢光体領域を支える螢光体スクリー
ンと一緒に、複数の電子銃が使用される。電子ビームが
螢光体スクリーンに当たると、この螢光体スクリーンか
ら可視光が発せられる。色選択構体（ｃｏｌｏｒ−ｓｅ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）が、電子銃と螢
光体スクリーンの間に配置され、これにより各電子銃は
関連する形式の色の光を発生する螢光体だけを励起す
る。
特性を有する複数の螢光体領域を支える螢光体スクリー
ンと一緒に、複数の電子銃が使用される。電子ビームが
螢光体スクリーンに当たると、この螢光体スクリーンか
ら可視光が発せられる。色選択構体（ｃｏｌｏｒ−ｓｅ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）が、電子銃と螢
光体スクリーンの間に配置され、これにより各電子銃は
関連する形式の色の光を発生する螢光体だけを励起す
る。
【０００４】このような色選択構体の１つにシャドウマ
スクがある。シャドウマスクは、電子が螢光体スクリー
ンに当たる通路上の途中で通過しなければならない複数
のアパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する薄いスチー
ル製のシートである。シャドウマスクは、シャドウマス
クに適当な角度で入射する電子だけがシャドウマスクの
アパーチャを通過し、適当な位置にある螢光体スクリー
ンに衝突するという点でフィルタとして機能するもので
ある。
スクがある。シャドウマスクは、電子が螢光体スクリー
ンに当たる通路上の途中で通過しなければならない複数
のアパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する薄いスチー
ル製のシートである。シャドウマスクは、シャドウマス
クに適当な角度で入射する電子だけがシャドウマスクの
アパーチャを通過し、適当な位置にある螢光体スクリー
ンに衝突するという点でフィルタとして機能するもので
ある。
【０００５】このようなシャドウマスクの１つの欠点
は、透過率が約２０％にすぎず、これはＣＲＴの電子銃
から発せられた電子の約２０％だけが最終的にシャドウ
マスクのアパーチャを通過し、螢光体スクリーンに衝突
することを意味する。残りの電子はシャドウマスクで吸
収され、そのエネルギーは熱として消散される。シャド
ウマスクの理論上の最大透過率は約３３％であり、通
常、透過率は約１８％である。
は、透過率が約２０％にすぎず、これはＣＲＴの電子銃
から発せられた電子の約２０％だけが最終的にシャドウ
マスクのアパーチャを通過し、螢光体スクリーンに衝突
することを意味する。残りの電子はシャドウマスクで吸
収され、そのエネルギーは熱として消散される。シャド
ウマスクの理論上の最大透過率は約３３％であり、通
常、透過率は約１８％である。
【０００６】色選択構体を通過する電子がスクリーン上
の関連する形式の光を発生する螢光体だけを励起するこ
とを確実にすると共に色選択構体の透過率を高めるため
の幾つかの技術が知られている。このうな技術の１つで
は、色選択構体の各開孔中に４重極静電レンズを形成す
る２層フォーカスマスク色選択構体を採用している。各
４重極レンズは、この４重極レンズを通過する電子ビー
ムをその４重極レンズから成る静電界の相対的な大きさ
と極性とに従って、ターゲット上で一方の横断方向に集
束（フォーカス）し、これに直交する横断方向にデフォ
ーカスする。フォーカスマスク構体を使用すると、約６
０％を超える電子透過率が得られ、またフォーカスマス
ク構体は理論上１に近い最大透過率を有する。
の関連する形式の光を発生する螢光体だけを励起するこ
とを確実にすると共に色選択構体の透過率を高めるため
の幾つかの技術が知られている。このうな技術の１つで
は、色選択構体の各開孔中に４重極静電レンズを形成す
る２層フォーカスマスク色選択構体を採用している。各
４重極レンズは、この４重極レンズを通過する電子ビー
ムをその４重極レンズから成る静電界の相対的な大きさ
と極性とに従って、ターゲット上で一方の横断方向に集
束（フォーカス）し、これに直交する横断方向にデフォ
ーカスする。フォーカスマスク構体を使用すると、約６
０％を超える電子透過率が得られ、またフォーカスマス
ク構体は理論上１に近い最大透過率を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】フォーカスマスク形式
のＣＲＴを構成することには成功したが、動作上の重大
な欠点のあることが分かった。特に、実験的なフォーカ
スマスク形式のＣＲＴは、スクリーンを水平方向に横切
って延びる“変色バンド（ｄｉｓｃｏｌｏｒａｔｉｏｎ
ｂａｎｄ）という表現が最も分り易い異常状態を発生
することが分った。この変色バンドは頻繁に生じ、フォ
ーカスマスク形式の色選択手段を使用したＣＲＴの有用
性を著しく損なうものである。
のＣＲＴを構成することには成功したが、動作上の重大
な欠点のあることが分かった。特に、実験的なフォーカ
スマスク形式のＣＲＴは、スクリーンを水平方向に横切
って延びる“変色バンド（ｄｉｓｃｏｌｏｒａｔｉｏｎ
ｂａｎｄ）という表現が最も分り易い異常状態を発生
することが分った。この変色バンドは頻繁に生じ、フォ
ーカスマスク形式の色選択手段を使用したＣＲＴの有用
性を著しく損なうものである。
【０００８】ここで説明する本発明を構成する第１の観
点として、このような変色バンドは、フォーカスマスク
構体の残留磁界により引き起こされるビームのランディ
ング誤差、すなわち誤整合（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔ
ｉｏｎ：ミスレジストレーション）であると判断され
た。
点として、このような変色バンドは、フォーカスマスク
構体の残留磁界により引き起こされるビームのランディ
ング誤差、すなわち誤整合（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔ
ｉｏｎ：ミスレジストレーション）であると判断され
た。
【０００９】ここで説明する本発明を構成する第２の観
点として、フォーカスマスク構体の残留磁界は、フォー
カスマスク構体の第１の層と第２の層との間の過渡的な
短絡回路、あるいはブレークダウン現象により生じる局
部的な電流に起因するものであることが判明した。この
ブレークダウン現象は、ＣＲＴ内でトラップ（ｔｒａ
ｐ）される導電性粒子により突然生じる可能性がある。
点として、フォーカスマスク構体の残留磁界は、フォー
カスマスク構体の第１の層と第２の層との間の過渡的な
短絡回路、あるいはブレークダウン現象により生じる局
部的な電流に起因するものであることが判明した。この
ブレークダウン現象は、ＣＲＴ内でトラップ（ｔｒａ
ｐ）される導電性粒子により突然生じる可能性がある。
【００１０】ここで説明する本発明を構成する第３の観
点として、過渡的であり、局部的な短絡回路の発生が検
出される。回路は、フォーカスマスク色選択構体を使用
するＣＲＴ中のブレークダウン現象を速やかに判別す
る。このような回路は、例えば、変色バンド修正装置の
一部として関連する消磁回路を作動させるために使われ
る。
点として、過渡的であり、局部的な短絡回路の発生が検
出される。回路は、フォーカスマスク色選択構体を使用
するＣＲＴ中のブレークダウン現象を速やかに判別す
る。このような回路は、例えば、変色バンド修正装置の
一部として関連する消磁回路を作動させるために使われ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による回路は、フ
ォーカスマスク色選択構体に供給される電流の増加を感
知する感知手段と、この電流の増加に応答して、パルス
波形を発生するパルス波形発生手段とを具えている。
ォーカスマスク色選択構体に供給される電流の増加を感
知する感知手段と、この電流の増加に応答して、パルス
波形を発生するパルス波形発生手段とを具えている。
【００１２】感知手段は、フォーカスマスク色選択構体
に結合される１次巻線と、パルス波形発生手段に結合さ
れる２次巻線とを有する変成器を具えている。この変成
器は、電流変成器でもよいし、電圧変成器でもよい。代
りのものとして、また等価的なものとして、この感知手
段は、フォーカスマスク色選択構体に結合される入力
と、パルス波形発生手段に結合される出力とを有するオ
プト・アイソレータで構成してもよい。
に結合される１次巻線と、パルス波形発生手段に結合さ
れる２次巻線とを有する変成器を具えている。この変成
器は、電流変成器でもよいし、電圧変成器でもよい。代
りのものとして、また等価的なものとして、この感知手
段は、フォーカスマスク色選択構体に結合される入力
と、パルス波形発生手段に結合される出力とを有するオ
プト・アイソレータで構成してもよい。
【００１３】パルス波形発生手段は、再トリガ可能な動
作モードとして構成される、単安定マルチバイブレータ
回路であってもよい。
作モードとして構成される、単安定マルチバイブレータ
回路であってもよい。
【００１４】ここに説明する本発明の１つの特徴に従っ
て構成される回路は、フォーカスマスク色選択構体に供
給される電流の増加を感知する感知手段と、パルス波形
を発生する単安定マルチバイブレータ回路と、感知手段
に応答して単安定マルチバイブレータ回路をトリガする
トリガ手段とを具えている。このトリガ手段は、半導体
デバイスから成り、例えば、マルチバイブレータ回路に
結合される出力を有するトランジスタでもよい。半導体
デバイスの導通状態は感知手段に応答する。
て構成される回路は、フォーカスマスク色選択構体に供
給される電流の増加を感知する感知手段と、パルス波形
を発生する単安定マルチバイブレータ回路と、感知手段
に応答して単安定マルチバイブレータ回路をトリガする
トリガ手段とを具えている。このトリガ手段は、半導体
デバイスから成り、例えば、マルチバイブレータ回路に
結合される出力を有するトランジスタでもよい。半導体
デバイスの導通状態は感知手段に応答する。
【００１５】ここに説明する本発明の別の特徴に従って
構成される回路は、フォーカスマスク色選択構体に供給
される電流の増加を感知する感知手段と、この電流の増
加に応答してパルス波形を発生するパルス波形発生手段
と、フォーカスマスク色選択構体内において決まって生
じる電圧変動および電流変動とブレークダウン現象とを
判別するために、感知手段を較正する較正手段とを具え
ている。この較正手段は、調節可能な抵抗、例えばポテ
ンシオメータでもよい。
構成される回路は、フォーカスマスク色選択構体に供給
される電流の増加を感知する感知手段と、この電流の増
加に応答してパルス波形を発生するパルス波形発生手段
と、フォーカスマスク色選択構体内において決まって生
じる電圧変動および電流変動とブレークダウン現象とを
判別するために、感知手段を較正する較正手段とを具え
ている。この較正手段は、調節可能な抵抗、例えばポテ
ンシオメータでもよい。
【００１６】本願発明の上記の特徴、および他の特徴、
利点等については以下に図面を参照しながら行う説明に
より明らかにする。なお、各図面において、同じ構成要
素については同じ参照番号が付されている。
利点等については以下に図面を参照しながら行う説明に
より明らかにする。なお、各図面において、同じ構成要
素については同じ参照番号が付されている。
【００１７】
【発明の実施の形態】フォーカスマスク構体１００の一
例が図１に示されている。フォーカスマスク構体１００
は垂直方向の金属製ストランド２０を構成する第１の層
１０を有し、各ストランドは図示の例では幅が約２５４
μｍ（約１０ミル）、厚さが約５０．８μｍ（約２ミ
ル）である。これらのストランドはＡＫスチールやパー
マロイのような強磁性体材料からなる。図示のフォーカ
スマスク構体はさらに水平方向の金属製ワイヤー４０か
らなる第２の層３０を有し、図示の例では各ワイヤー４
０の直径は約２５．４μｍ（約１ミル）である。これら
の２つの層の各々の導体はバス・バー（ｂｕｓ ｂａ
ｒ）すなわち母線（図示せず）によって各端部において
互に接続されている。キャパシタＣはフォーカスマスク
構体の２つの層間の固有キャパシタンスを表わしてい
る。垂直ストランド３０と水平ワイヤー４０は矩形のマ
スク開孔５０を形成するように配列されており、一例と
して開孔５０の水平方向の寸法は約５０８μｍ（約２０
ミル）、垂直方向の寸法は約３８１μｍ（約１５ミル）
である。
例が図１に示されている。フォーカスマスク構体１００
は垂直方向の金属製ストランド２０を構成する第１の層
１０を有し、各ストランドは図示の例では幅が約２５４
μｍ（約１０ミル）、厚さが約５０．８μｍ（約２ミ
ル）である。これらのストランドはＡＫスチールやパー
マロイのような強磁性体材料からなる。図示のフォーカ
スマスク構体はさらに水平方向の金属製ワイヤー４０か
らなる第２の層３０を有し、図示の例では各ワイヤー４
０の直径は約２５．４μｍ（約１ミル）である。これら
の２つの層の各々の導体はバス・バー（ｂｕｓ ｂａ
ｒ）すなわち母線（図示せず）によって各端部において
互に接続されている。キャパシタＣはフォーカスマスク
構体の２つの層間の固有キャパシタンスを表わしてい
る。垂直ストランド３０と水平ワイヤー４０は矩形のマ
スク開孔５０を形成するように配列されており、一例と
して開孔５０の水平方向の寸法は約５０８μｍ（約２０
ミル）、垂直方向の寸法は約３８１μｍ（約１５ミル）
である。
【００１８】４重極集束作用は、垂直ストランド２０の
導体と水平ワイヤー４０の導体を互いに、典型的には数
百ボルトから１０００ボルトを超える範囲の直流（Ｄ
Ｃ）でバイアスすることによって得られる。例えば、伝
送された電子を垂直の螢光体縞（ストライプ）上に導く
ために電子ビームを水平方向に集束するためには、図１
に示すように、水平ワイヤー４０は垂直ストランド２０
に対して正の極性をもつ必要がある。特定の寸法のＣＲ
Ｔに対するバイアス電圧は、通常２０キロボルト乃至３
０キロボルトのアルタ電圧に依存する。適当なフォーカ
スマスク構体は垂直ストランド２０をアルタ電極に接続
し、水平ワイヤー４０に更に正のバイアスを与えてい
る。
導体と水平ワイヤー４０の導体を互いに、典型的には数
百ボルトから１０００ボルトを超える範囲の直流（Ｄ
Ｃ）でバイアスすることによって得られる。例えば、伝
送された電子を垂直の螢光体縞（ストライプ）上に導く
ために電子ビームを水平方向に集束するためには、図１
に示すように、水平ワイヤー４０は垂直ストランド２０
に対して正の極性をもつ必要がある。特定の寸法のＣＲ
Ｔに対するバイアス電圧は、通常２０キロボルト乃至３
０キロボルトのアルタ電圧に依存する。適当なフォーカ
スマスク構体は垂直ストランド２０をアルタ電極に接続
し、水平ワイヤー４０に更に正のバイアスを与えてい
る。
【００１９】垂直ストランド２０と水平ワイヤー４０
は、約７６．２μｍ（約３ミル）の厚みをもった例えば
ガラスフリットの真空適応性の電気絶縁物６０によって
分離されていてもよい。入射電子ビームに対して見えな
いように絶縁物６０を配列するのが有効であり、それに
よって４重極レンズの適正な動作と干渉する可能性のあ
る絶縁物の充電作用を避けることができる。
は、約７６．２μｍ（約３ミル）の厚みをもった例えば
ガラスフリットの真空適応性の電気絶縁物６０によって
分離されていてもよい。入射電子ビームに対して見えな
いように絶縁物６０を配列するのが有効であり、それに
よって４重極レンズの適正な動作と干渉する可能性のあ
る絶縁物の充電作用を避けることができる。
【００２０】変色バンドの性質について研究した結果、
このような変色バンドはフォーカスマスク構体の残留磁
界によって引き起こされる位置づれに因り生じるという
重要な結論が得られた。さらに、局部的な過渡的短絡現
象、あるいはブレークダウン現象は大きな残留磁界源と
なることが判った。
このような変色バンドはフォーカスマスク構体の残留磁
界によって引き起こされる位置づれに因り生じるという
重要な結論が得られた。さらに、局部的な過渡的短絡現
象、あるいはブレークダウン現象は大きな残留磁界源と
なることが判った。
【００２１】このようなブレークダウン現象は、例えば
ＣＲＴ内に含まれている汚染物質によって生じる。市販
の大量生産されたＣＲＴは、通常、例えばアルミニウム
の破片（ｆｌａｋｅ）、あるいはグラファイトや鉄の粒
子等の一般に導電性の微粒子の形であるレベルの汚染を
示す。変色バンドの異常状態（ａｎｏｍａｌｙ）を調査
することにより、ＣＲＴ内の上記のような導電性粒子
が、変色バンドに至らしめるブレークダウン現象の発生
に重要な役割を果たしていることが明らかになった。
ＣＲＴ内に含まれている汚染物質によって生じる。市販
の大量生産されたＣＲＴは、通常、例えばアルミニウム
の破片（ｆｌａｋｅ）、あるいはグラファイトや鉄の粒
子等の一般に導電性の微粒子の形であるレベルの汚染を
示す。変色バンドの異常状態（ａｎｏｍａｌｙ）を調査
することにより、ＣＲＴ内の上記のような導電性粒子
が、変色バンドに至らしめるブレークダウン現象の発生
に重要な役割を果たしていることが明らかになった。
【００２２】実験に基づく研究により、適正に構成され
たフォーカスマスク形式のＣＲＴは、一般に概算で数分
に１回から数百時間に１回の範囲でその中に何処かで上
記の形式のブレークダウン現象の生じることが判った。
例えば輸送中の機械的な振動により、緩く固定されてい
た自由粒子が外れ易くなり、フォーカスマスク構体にお
いてブレークダウン現象の発生する可能性が大きくな
る。さらに、ＣＲＴの通常動作期間の間に発生する静電
力により、ゆるく固定されていた粒子が外れることもあ
る。このように、ＣＲＴの期待される寿命の間に、変色
バンドの発生に至るブレークダウン現象が予想されるこ
とは十分に合理性のあることである。
たフォーカスマスク形式のＣＲＴは、一般に概算で数分
に１回から数百時間に１回の範囲でその中に何処かで上
記の形式のブレークダウン現象の生じることが判った。
例えば輸送中の機械的な振動により、緩く固定されてい
た自由粒子が外れ易くなり、フォーカスマスク構体にお
いてブレークダウン現象の発生する可能性が大きくな
る。さらに、ＣＲＴの通常動作期間の間に発生する静電
力により、ゆるく固定されていた粒子が外れることもあ
る。このように、ＣＲＴの期待される寿命の間に、変色
バンドの発生に至るブレークダウン現象が予想されるこ
とは十分に合理性のあることである。
【００２３】ブレークダウン現象と変色バンドとの間の
関連性については図２乃至図５を参照することにより十
分に理解することができる。図２を参照すると、ブレー
クダウン現象は、導電性粒子が水平ワイヤー４０′と垂
直ストランド２０′とを短絡する点Ａで発生すると仮定
する。ブレークダウン現象を示す短絡回路を抵抗Ｒによ
って表わしている。抵抗Ｒを使用することにより、ブレ
ークダウン現象を生じさせる導電性微粒子が、小さな値
であるがそれに関連するある有限の抵抗値を持っている
ことを表わしている。
関連性については図２乃至図５を参照することにより十
分に理解することができる。図２を参照すると、ブレー
クダウン現象は、導電性粒子が水平ワイヤー４０′と垂
直ストランド２０′とを短絡する点Ａで発生すると仮定
する。ブレークダウン現象を示す短絡回路を抵抗Ｒによ
って表わしている。抵抗Ｒを使用することにより、ブレ
ークダウン現象を生じさせる導電性微粒子が、小さな値
であるがそれに関連するある有限の抵抗値を持っている
ことを表わしている。
【００２４】約４Ａに等しいクロス−ストランド（ｃｒ
ｏｓｓ−ｓｔｒａｎｄ）電流が、影響を受けた水平ワイ
ヤー４０′および抵抗Ｒを通って影響を受けた垂直スト
ランド２０′に流れる。大抵の場合、導電性微粒子はオ
ーム熱により破壊されるから、このクロス−ストランド
電流は約数マイクロ秒後には流れなくなる。また、第１
の層１０および第２の層３０に対するバイアス回路のイ
ンピーダンスは十分に高く、それを流れる電流を数アン
ペアに制限するので、クロス−ストランド電流の主たる
電流源はマスクのキャパシタに蓄積されたエネルギであ
る。一旦このエネルギが消費されると、クロス−ストラ
ンド電流は低下しなければならない。フォーカスマスク
構体１００の温度はブレークダウン現象の期間の間それ
ほど上昇しない。
ｏｓｓ−ｓｔｒａｎｄ）電流が、影響を受けた水平ワイ
ヤー４０′および抵抗Ｒを通って影響を受けた垂直スト
ランド２０′に流れる。大抵の場合、導電性微粒子はオ
ーム熱により破壊されるから、このクロス−ストランド
電流は約数マイクロ秒後には流れなくなる。また、第１
の層１０および第２の層３０に対するバイアス回路のイ
ンピーダンスは十分に高く、それを流れる電流を数アン
ペアに制限するので、クロス−ストランド電流の主たる
電流源はマスクのキャパシタに蓄積されたエネルギであ
る。一旦このエネルギが消費されると、クロス−ストラ
ンド電流は低下しなければならない。フォーカスマスク
構体１００の温度はブレークダウン現象の期間の間それ
ほど上昇しない。
【００２５】クロス−ストランド電流が流れることによ
り、水平ワイヤー４０′の周囲に磁界Ｈが発生する。磁
界Ｈの強さは、水平ワイヤー４０′に最も近い垂直スト
ランド２０′の点で約３０００Ａ／ｍ（アンペア毎メー
トル）である。導電性水平ワイヤー４０′に近い特定の
点における磁界Ｈの強さは、その特定の点から水平ワイ
ヤー４０′に最も近い点までの半径方向の距離に反比例
する。
り、水平ワイヤー４０′の周囲に磁界Ｈが発生する。磁
界Ｈの強さは、水平ワイヤー４０′に最も近い垂直スト
ランド２０′の点で約３０００Ａ／ｍ（アンペア毎メー
トル）である。導電性水平ワイヤー４０′に近い特定の
点における磁界Ｈの強さは、その特定の点から水平ワイ
ヤー４０′に最も近い点までの半径方向の距離に反比例
する。
【００２６】図３を見ると明らかなように、磁界Ｈは垂
直ストランド２０中に磁束密度Ｂ1を誘導する。図３の
（ａ）は、現時点では好ましいとされる強磁性体材料、
この場合、垂直ストランド２０を形成するのに使用する
ことができるアニール（ａｎｎｅａｌ：焼きなまし）さ
れたＡＫスチールのＢ−Ｈ曲線を示している。図３の
（ｂ）はパーマロイ材料に対する同様なＢ−Ｈ曲線を示
している。図２に示すように、ストランド２０′の一方
の側と反対側すなわち両側で磁界は互いに反対方向に向
いている。
直ストランド２０中に磁束密度Ｂ1を誘導する。図３の
（ａ）は、現時点では好ましいとされる強磁性体材料、
この場合、垂直ストランド２０を形成するのに使用する
ことができるアニール（ａｎｎｅａｌ：焼きなまし）さ
れたＡＫスチールのＢ−Ｈ曲線を示している。図３の
（ｂ）はパーマロイ材料に対する同様なＢ−Ｈ曲線を示
している。図２に示すように、ストランド２０′の一方
の側と反対側すなわち両側で磁界は互いに反対方向に向
いている。
【００２７】図３の（ａ）のアニールされたＡＫスチー
ルの説明に戻ると、クロス−ストランド電流によってス
トランド２０中に誘導される磁束密度Ｂ1 は点Ａの上方
および下方約３８．１ｍｍ（約１５０ミル）の距離内で
約１０，０００ガウス乃至２０，０００ガウスの範囲内
にある。
ルの説明に戻ると、クロス−ストランド電流によってス
トランド２０中に誘導される磁束密度Ｂ1 は点Ａの上方
および下方約３８．１ｍｍ（約１５０ミル）の距離内で
約１０，０００ガウス乃至２０，０００ガウスの範囲内
にある。
【００２８】一旦クロス−ストランド電流が終了する
と、アニールされたＡＫスチールについては図４の
（ａ）、パーマロイについては図４の（ｂ）に示すよう
に、磁束密度Ｂ1 の約半分が垂直ストランド２０の飽和
領域に残留する。このようにして磁化された垂直ストラ
ンド２０はこのとき実効的に棒磁石になり、図５に示す
ように、磁束密度Ｂ2 は垂直ストランド２０から発生し
て周囲の真空内に入り込む。磁束密度Ｂ2 の大きさは水
平ワイヤー４０′から約２５４μｍ（約１０ミル）の距
離内では約５０ガウスであり、この大きさは約３８．１
ｍｍ（約１５０ミル）の距離では約３ガウスに低下す
る。約１７１ミリ（約６７５ミル）に等しいＱスペース
（Ｑ−ｓｐａｃｅ）を有する図示のフォーカスマスク形
式のＣＲＴでは、この形式の磁束密度分布は、一例とし
て約６０μｍの最大不整合（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔ
ｉｏｎ：位置ずれ）、すなわちビームのランディング誤
差を生じさせる。
と、アニールされたＡＫスチールについては図４の
（ａ）、パーマロイについては図４の（ｂ）に示すよう
に、磁束密度Ｂ1 の約半分が垂直ストランド２０の飽和
領域に残留する。このようにして磁化された垂直ストラ
ンド２０はこのとき実効的に棒磁石になり、図５に示す
ように、磁束密度Ｂ2 は垂直ストランド２０から発生し
て周囲の真空内に入り込む。磁束密度Ｂ2 の大きさは水
平ワイヤー４０′から約２５４μｍ（約１０ミル）の距
離内では約５０ガウスであり、この大きさは約３８．１
ｍｍ（約１５０ミル）の距離では約３ガウスに低下す
る。約１７１ミリ（約６７５ミル）に等しいＱスペース
（Ｑ−ｓｐａｃｅ）を有する図示のフォーカスマスク形
式のＣＲＴでは、この形式の磁束密度分布は、一例とし
て約６０μｍの最大不整合（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔ
ｉｏｎ：位置ずれ）、すなわちビームのランディング誤
差を生じさせる。
【００２９】変色バンドを除去するための確実な解決方
法は、汚染物質を取り除くことである。しかしながら、
優れた製造技術により汚染物質の数を著しく減少させる
ことはできるが、市販の大量生産されたＣＲＴでは、通
常ある程度の汚染物質のレベルを示すことはよく知られ
ていることである。従って、もし製造工程で汚染物質の
ない状態が要求されると、フォーカスマスク形式のＣＲ
Ｔを製造するためのコストは著しく高く、恐らく法外に
高くなる。
法は、汚染物質を取り除くことである。しかしながら、
優れた製造技術により汚染物質の数を著しく減少させる
ことはできるが、市販の大量生産されたＣＲＴでは、通
常ある程度の汚染物質のレベルを示すことはよく知られ
ていることである。従って、もし製造工程で汚染物質の
ない状態が要求されると、フォーカスマスク形式のＣＲ
Ｔを製造するためのコストは著しく高く、恐らく法外に
高くなる。
【００３０】変色バンド修正装置２００のより優れた形
式の解決法が図６にブロック図の形で示されている。フ
ォーカスマスク構体１００の第１層１０は約２０ｋＶ乃
至約３０ｋＶの間の値を示すアルタ電圧源に接続されて
いる。第２の層３０はバイアス源２１０に結合されてお
り、該バイアス源２１０は、通常の設計によるものでよ
いが、もしブレークダウン現象が生じたときに、第１層
１０と第２層３０との間の適当なバイアス電圧を急速に
回復するのに十分強力であることが好ましい。
式の解決法が図６にブロック図の形で示されている。フ
ォーカスマスク構体１００の第１層１０は約２０ｋＶ乃
至約３０ｋＶの間の値を示すアルタ電圧源に接続されて
いる。第２の層３０はバイアス源２１０に結合されてお
り、該バイアス源２１０は、通常の設計によるものでよ
いが、もしブレークダウン現象が生じたときに、第１層
１０と第２層３０との間の適当なバイアス電圧を急速に
回復するのに十分強力であることが好ましい。
【００３１】ブレークダウン検出回路２２０はバイアス
源２１０の動作点における急速な変化を検知することに
よりフォーカスマスク１００におけるブレークダウン現
象を直ぐに検出する。例えば、ブレークダウン検出回路
２２０はバイアス源２１０によって供給される電圧の急
激な減少を検知するように構成することもできるし、バ
イアス源２１０から引き出される電流の急激な増大を検
知するように構成することもできる。一旦ブレークダウ
ン現象が検知されると、消磁制御回路２３０は消磁回路
２７０によってフォーカスマスク構体１００の消磁を開
始する。
源２１０の動作点における急速な変化を検知することに
よりフォーカスマスク１００におけるブレークダウン現
象を直ぐに検出する。例えば、ブレークダウン検出回路
２２０はバイアス源２１０によって供給される電圧の急
激な減少を検知するように構成することもできるし、バ
イアス源２１０から引き出される電流の急激な増大を検
知するように構成することもできる。一旦ブレークダウ
ン現象が検知されると、消磁制御回路２３０は消磁回路
２７０によってフォーカスマスク構体１００の消磁を開
始する。
【００３２】現時点で好ましいブレークダウン検出回路
２２０の実施例が図７に概略的に示されている。検知手
段２６２がバイアス源２１０と直列に結合されており、
また全波整流器２２７に結合されている。検知手段２６
２は検知を行なう機能に加えて、高電圧のアルタ電圧源
と低電圧検出回路２２０との間を電気的に絶縁するとい
う有利な機能を有している。
２２０の実施例が図７に概略的に示されている。検知手
段２６２がバイアス源２１０と直列に結合されており、
また全波整流器２２７に結合されている。検知手段２６
２は検知を行なう機能に加えて、高電圧のアルタ電圧源
と低電圧検出回路２２０との間を電気的に絶縁するとい
う有利な機能を有している。
【００３３】検知手段２６２は幾つかの方法で構成する
ことができ、その幾つかが図８の（ａ）〜（ｃ）に示さ
れている。ブレークダウン検出回路２２０の好ましい実
施例では、検知手段２６２は図８の（ａ）に示すように
電流変成器（変流器）Ｔ1 である。約４ターンの１次巻
線２２１はフォーカスマスク構体１００の第１層３０を
バイアスするのに使用される高電圧ワイヤー２２２によ
り形成されている。この形式のワイヤーは典型的には最
高で約３５ｋＶの電圧で使用することができる。２次巻
線２２３は、図示の実施例では２４ＡＷＧ（Ａｍｅｒｉ
ｃａｎ Ｗｉｒｅ Ｇａｕｇｅ）を２００ターンしたも
のを有している。変成器Ｔ1 の１次、２次の各ターン
数、従って、そのターンの比は、ブレークダウン検出回
路２２０の特定の実施例によって変成器Ｔ1 に課せられ
る要求に従って変更し得ることは当業者には明らかであ
る。
ことができ、その幾つかが図８の（ａ）〜（ｃ）に示さ
れている。ブレークダウン検出回路２２０の好ましい実
施例では、検知手段２６２は図８の（ａ）に示すように
電流変成器（変流器）Ｔ1 である。約４ターンの１次巻
線２２１はフォーカスマスク構体１００の第１層３０を
バイアスするのに使用される高電圧ワイヤー２２２によ
り形成されている。この形式のワイヤーは典型的には最
高で約３５ｋＶの電圧で使用することができる。２次巻
線２２３は、図示の実施例では２４ＡＷＧ（Ａｍｅｒｉ
ｃａｎ Ｗｉｒｅ Ｇａｕｇｅ）を２００ターンしたも
のを有している。変成器Ｔ1 の１次、２次の各ターン
数、従って、そのターンの比は、ブレークダウン検出回
路２２０の特定の実施例によって変成器Ｔ1 に課せられ
る要求に従って変更し得ることは当業者には明らかであ
る。
【００３４】検知手段２６２の代替品として、図８の
（ｂ）に示すように、電圧変成器Ｔ2によって等価的に
構成することができる。この変成器Ｔ2 はフォーカスマ
スク構体１００の２つの層１０と３０との間の公称電圧
からのランダムなずれを検知することによってバイアス
源２１０からの電流の流入を判別する。例えば、ブレー
クダウン現象が生じると、バイアス源２１０の出力は短
絡され、流入電流がバイアス源２１０から供給される。
しかしながら、バイアス源２１０の出力が短絡されてい
るので、バイアス源２１０の出力電圧は急激に低下し、
これによってブレークダウン現象の発生が示される。
（ｂ）に示すように、電圧変成器Ｔ2によって等価的に
構成することができる。この変成器Ｔ2 はフォーカスマ
スク構体１００の２つの層１０と３０との間の公称電圧
からのランダムなずれを検知することによってバイアス
源２１０からの電流の流入を判別する。例えば、ブレー
クダウン現象が生じると、バイアス源２１０の出力は短
絡され、流入電流がバイアス源２１０から供給される。
しかしながら、バイアス源２１０の出力が短絡されてい
るので、バイアス源２１０の出力電圧は急激に低下し、
これによってブレークダウン現象の発生が示される。
【００３５】変成器Ｔ2 の１次巻線２６３はフォーカス
マスク構体１００の第２層３０をバイアスするのに使用
される高電圧ワイヤー２２２によって形成されている。
変成器Ｔ2 の１次巻線２６３、２次巻線２６４の各ター
ン数、従って、そのターン数の比は、ブレークダウン検
出回路２２２の特定の実施例により、この変成器Ｔ2に
課せられる要求に従って変更されることは当業者には明
らかである。
マスク構体１００の第２層３０をバイアスするのに使用
される高電圧ワイヤー２２２によって形成されている。
変成器Ｔ2 の１次巻線２６３、２次巻線２６４の各ター
ン数、従って、そのターン数の比は、ブレークダウン検
出回路２２２の特定の実施例により、この変成器Ｔ2に
課せられる要求に従って変更されることは当業者には明
らかである。
【００３６】変成器Ｔ2 ，Ｔ2 の１次巻線および２次巻
線はトロイダルコアに巻回される。トロイダルコアは、
例えば工業部品番号Ａ−４３８２８１−２を有し、アー
ノルド エンジニアリング コーポレイション（Ａｒｎ
ｏｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏ．）によって製
造されている。図８の（ａ）および（ｂ）に示す実施例
でトロイダルコアを使用することは単なる一例で、その
他の幾何学的形状のコアは使用できないことを示すもの
ではない。
線はトロイダルコアに巻回される。トロイダルコアは、
例えば工業部品番号Ａ−４３８２８１−２を有し、アー
ノルド エンジニアリング コーポレイション（Ａｒｎ
ｏｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏ．）によって製
造されている。図８の（ａ）および（ｂ）に示す実施例
でトロイダルコアを使用することは単なる一例で、その
他の幾何学的形状のコアは使用できないことを示すもの
ではない。
【００３７】次に図８の（ｃ）を参照する。検知手段２
６２は光学的絶縁装置２６５を使用して構成することも
できる。図８の（ａ）乃至（ｃ）に示す検知手段２６２
の構成は単なる例であって、ここで説明した本発明の構
成内容の範囲内で他の実施例を使用することができない
ことを意味するものでないことは当業者には明らかであ
る。
６２は光学的絶縁装置２６５を使用して構成することも
できる。図８の（ａ）乃至（ｃ）に示す検知手段２６２
の構成は単なる例であって、ここで説明した本発明の構
成内容の範囲内で他の実施例を使用することができない
ことを意味するものでないことは当業者には明らかであ
る。
【００３８】通常の動作では、フォーカスマスク構体１
００はブレークダウン現象の影響を受けない。図７を参
照すると、このような通常の動作期間の間、トランジス
タＱ１は非導通状態、つまりオフ状態にある。抵抗Ｒ１
は電圧Ｖccを第１の単安定マルチバイブレータ２２５の
後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ−ｅｄｇｅ）トリガ入力２２４
に結合させる。第１の単安定マルチバイブレータ２２５
は、例えば工業部品番号ＣＤ４０９８Ｂをもっている。
マルチバイブレータ２２５の反転出力２２６はこのよう
な通常の動作期間の間高論理“Ｈ”にある。
００はブレークダウン現象の影響を受けない。図７を参
照すると、このような通常の動作期間の間、トランジス
タＱ１は非導通状態、つまりオフ状態にある。抵抗Ｒ１
は電圧Ｖccを第１の単安定マルチバイブレータ２２５の
後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ−ｅｄｇｅ）トリガ入力２２４
に結合させる。第１の単安定マルチバイブレータ２２５
は、例えば工業部品番号ＣＤ４０９８Ｂをもっている。
マルチバイブレータ２２５の反転出力２２６はこのよう
な通常の動作期間の間高論理“Ｈ”にある。
【００３９】フォーカスマスク構体１００にブレークダ
ウン現象が生じると、マスクのキャパシタンスとバイア
ス源２１０によってクロス−ストランド電流が供給され
る。クロス−ストランド電流が１次巻線２２１を通って
流れると、２次巻線２２３に２次電流ＩSEC が誘導され
る。２次電流ＩSEC の大きさはクロス−ストランド電流
の大きさと変成器Ｔ1 の１次巻線−２次巻線の巻線比と
の積に等しくなる。
ウン現象が生じると、マスクのキャパシタンスとバイア
ス源２１０によってクロス−ストランド電流が供給され
る。クロス−ストランド電流が１次巻線２２１を通って
流れると、２次巻線２２３に２次電流ＩSEC が誘導され
る。２次電流ＩSEC の大きさはクロス−ストランド電流
の大きさと変成器Ｔ1 の１次巻線−２次巻線の巻線比と
の積に等しくなる。
【００４０】２次電流ＩSEC は全波整流器２２７により
整流され、可調整抵抗Ｒ２およびインダクタＬ１を経て
駆動トランジスタＱ１に流れる。抵抗Ｒ２は、ブレーク
ダウン検出回路２２０が通常生じるリプル電圧および電
流と真正のブレークダウン現象とを区別できるように調
整される。
整流され、可調整抵抗Ｒ２およびインダクタＬ１を経て
駆動トランジスタＱ１に流れる。抵抗Ｒ２は、ブレーク
ダウン検出回路２２０が通常生じるリプル電圧および電
流と真正のブレークダウン現象とを区別できるように調
整される。
【００４１】これによってトランジスタＱ１は導通を開
始し、すなわちターンオンし、それによって例えば接地
電位である基準電位がマルチバイブレータ２２５の後縁
トリガ入力２２４に結合される。このような基準電位を
上記マルチバイブレータ２２５の後縁トリガ入力２２４
に結合するために他の適当な電子装置、例えば適当に構
成された演算増幅回路あるいは比較回路を上記トランジ
スタＱ１の代わりに使用することができることは当業者
に明らかである。
始し、すなわちターンオンし、それによって例えば接地
電位である基準電位がマルチバイブレータ２２５の後縁
トリガ入力２２４に結合される。このような基準電位を
上記マルチバイブレータ２２５の後縁トリガ入力２２４
に結合するために他の適当な電子装置、例えば適当に構
成された演算増幅回路あるいは比較回路を上記トランジ
スタＱ１の代わりに使用することができることは当業者
に明らかである。
【００４２】入力２２４がＶccから接地電位に変化する
ことにより、マルチバイブレータ２２５をトリガして反
転入力２２６に負方向パルス２２８を発生させるパルス
２２８はＶccの電圧にほぼ等しいピーク−ピーク値をも
っている。パルス２２８の幅は抵抗Ｒ４とキャパシタＣ
５を適当に選択することによって設定される。現時点で
のブレークダウン検出回路の好ましい実施例では、パル
ス２２８のパルス幅は約５０マイクロ秒に等しい。
ことにより、マルチバイブレータ２２５をトリガして反
転入力２２６に負方向パルス２２８を発生させるパルス
２２８はＶccの電圧にほぼ等しいピーク−ピーク値をも
っている。パルス２２８の幅は抵抗Ｒ４とキャパシタＣ
５を適当に選択することによって設定される。現時点で
のブレークダウン検出回路の好ましい実施例では、パル
ス２２８のパルス幅は約５０マイクロ秒に等しい。
【００４３】ブレークダウン検出回路２２０の抵抗Ｒ６
はパルス２２８を図９に示す消磁制御回路２３０に結合
する。図９のスイッチＳ１およびＳ２は消磁制御回路に
対する手動による消磁を可能にするものである。図９に
示すこれらのスイッチの位置によれば自動消磁が可能で
ある。
はパルス２２８を図９に示す消磁制御回路２３０に結合
する。図９のスイッチＳ１およびＳ２は消磁制御回路に
対する手動による消磁を可能にするものである。図９に
示すこれらのスイッチの位置によれば自動消磁が可能で
ある。
【００４４】図９を参照すると、負方向パルス２２８は
ダイオードＤ５と抵抗Ｒ１３とによってナンドゲート２
３３の入力２３１と２３２に結合される。消磁制御回路
２３０全体を通じて使用されるナンドゲートは工業部品
番号ＣＤ４０９３Ｂのものである。
ダイオードＤ５と抵抗Ｒ１３とによってナンドゲート２
３３の入力２３１と２３２に結合される。消磁制御回路
２３０全体を通じて使用されるナンドゲートは工業部品
番号ＣＤ４０９３Ｂのものである。
【００４５】これによって、ナンドゲート２３３の出力
は高論理“Ｈ”になり、これはＤ形フリップフロップ２
３５のセット入力２３４に供給される。Ｄ形フリップフ
ロップ２３５は工業部品番号ＣＤ４０１３Ｂのものが使
用されている。入力２３４が高論理“Ｈ”になることに
より、フリップフロップ２３５の非反転出力２３６もま
た高論理“Ｈ”になる。
は高論理“Ｈ”になり、これはＤ形フリップフロップ２
３５のセット入力２３４に供給される。Ｄ形フリップフ
ロップ２３５は工業部品番号ＣＤ４０１３Ｂのものが使
用されている。入力２３４が高論理“Ｈ”になることに
より、フリップフロップ２３５の非反転出力２３６もま
た高論理“Ｈ”になる。
【００４６】フリップフロップ２３５の出力２３６はナ
ンドゲート２４０の入力２３７に結合される。ナンドゲ
ート２４０の他の入力２３８はフォーカスマスク１００
構体が正常に動作している間は一般に高論理“Ｈ”の状
態にある。この点については以下で詳細に説明する。従
って、ナンドゲート２４０の出力２３９は低論理“Ｌ”
であり、この状態が存在することはブレークダウン現象
が生じたことを表わしている。この低論理“Ｌ”はＤ形
フリップフロップ２４４のデータ入力２４１に結合され
る。
ンドゲート２４０の入力２３７に結合される。ナンドゲ
ート２４０の他の入力２３８はフォーカスマスク１００
構体が正常に動作している間は一般に高論理“Ｈ”の状
態にある。この点については以下で詳細に説明する。従
って、ナンドゲート２４０の出力２３９は低論理“Ｌ”
であり、この状態が存在することはブレークダウン現象
が生じたことを表わしている。この低論理“Ｌ”はＤ形
フリップフロップ２４４のデータ入力２４１に結合され
る。
【００４７】データ入力２４１における低論理“Ｌ”の
補信号は、クロック入力２４３におけるトリガパルスの
正方向への変化時にフリップフロップ２２４の反転出力
２４２に転送される。現在での消磁制御回路２３０の好
ましい実施例では、トリガパルス２４５はビデオ表示装
置の垂直ブランキングパルス２４６から取り出されると
いう利点があり、それによって消磁動作はブレークダウ
ン現象の検出後の次のブランキング期間まで遅延され
る。これによってビデオ表示装置の視聴者に迷惑をかけ
ることなく変色バンドの異常を修正することができる。
勿論ブレークダウン現象の検出時に直ちに消磁を行うこ
とができるように消磁制御回路２３０を適当に修正ある
いは省略することも可能なことは当業者には明らかであ
る。
補信号は、クロック入力２４３におけるトリガパルスの
正方向への変化時にフリップフロップ２２４の反転出力
２４２に転送される。現在での消磁制御回路２３０の好
ましい実施例では、トリガパルス２４５はビデオ表示装
置の垂直ブランキングパルス２４６から取り出されると
いう利点があり、それによって消磁動作はブレークダウ
ン現象の検出後の次のブランキング期間まで遅延され
る。これによってビデオ表示装置の視聴者に迷惑をかけ
ることなく変色バンドの異常を修正することができる。
勿論ブレークダウン現象の検出時に直ちに消磁を行うこ
とができるように消磁制御回路２３０を適当に修正ある
いは省略することも可能なことは当業者には明らかであ
る。
【００４８】垂直リトレース期間の間、垂直ブランキン
グパルス２４６は、一例として基準電位、例えば接地電
位よりも約４．５Ｖ低い電圧レベルに低下する。垂直ブ
ランキングパルス２４６は、光学的絶縁装置２４８、あ
るいは垂直偏向回路を消磁制御回路２３０から適当に絶
縁する他の任意の手段によって反転バッファ２４７に結
合される。反転バッファ２４７は正方向にトリガパルス
２４５を発生する。このパルス２４５は約１２Ｖのピー
ク−ピーク値を有し、また垂直ブランキング期間にほぼ
等しい、すなわち約１ミリ秒のパルス幅をもっている。
グパルス２４６は、一例として基準電位、例えば接地電
位よりも約４．５Ｖ低い電圧レベルに低下する。垂直ブ
ランキングパルス２４６は、光学的絶縁装置２４８、あ
るいは垂直偏向回路を消磁制御回路２３０から適当に絶
縁する他の任意の手段によって反転バッファ２４７に結
合される。反転バッファ２４７は正方向にトリガパルス
２４５を発生する。このパルス２４５は約１２Ｖのピー
ク−ピーク値を有し、また垂直ブランキング期間にほぼ
等しい、すなわち約１ミリ秒のパルス幅をもっている。
【００４９】トリガパルス２４５が一旦フリップフロッ
プ２４４のクロック入力２４３に供約されると、その反
転出力２４２に高論理“Ｈ”が現れ、この出力はナンド
ゲート２５２の出力２４９に結合される。トリガパルス
２４５はナンドゲート２５２の他の入力２５０に供給さ
れる。これによってナンドゲート２５２の出力２５１に
低論理“Ｌ”が発生し、この低論理“Ｌ”は反転バッフ
ァ２５３によって反転され、該バッファ２５３の出力２
５４に発生する高論理“Ｈ”への変化は単安定マルチバ
イブレータ２５５をトリガする。単安定マルチバイブレ
ータ２５５は再トリガ不能形式に接続されたものが使用
されている。
プ２４４のクロック入力２４３に供約されると、その反
転出力２４２に高論理“Ｈ”が現れ、この出力はナンド
ゲート２５２の出力２４９に結合される。トリガパルス
２４５はナンドゲート２５２の他の入力２５０に供給さ
れる。これによってナンドゲート２５２の出力２５１に
低論理“Ｌ”が発生し、この低論理“Ｌ”は反転バッフ
ァ２５３によって反転され、該バッファ２５３の出力２
５４に発生する高論理“Ｈ”への変化は単安定マルチバ
イブレータ２５５をトリガする。単安定マルチバイブレ
ータ２５５は再トリガ不能形式に接続されたものが使用
されている。
【００５０】マルチバイブレータ２５５がバッファ２５
３によってトリガされると、その反転出力２５７は低論
理“Ｌ”になり、これは反転バッファ２５８および２５
９により反転されて高論理“Ｈ”を発生する。この高論
理“Ｈ”の持続期間は抵抗Ｒ１２とキャパシタＣ１３を
適当に選択することによって設定される。好ましい実施
例では、この高論理“Ｈ”の持続時間は垂直ブランキン
グ期間にほぼ等しく、すなわち約１ミリ秒である。バッ
ファ２５８および２５９の出力は、図１０に示す消磁回
路２７０の抵抗Ｒ７とＲ８とにより構成される分圧器に
供給される。
３によってトリガされると、その反転出力２５７は低論
理“Ｌ”になり、これは反転バッファ２５８および２５
９により反転されて高論理“Ｈ”を発生する。この高論
理“Ｈ”の持続期間は抵抗Ｒ１２とキャパシタＣ１３を
適当に選択することによって設定される。好ましい実施
例では、この高論理“Ｈ”の持続時間は垂直ブランキン
グ期間にほぼ等しく、すなわち約１ミリ秒である。バッ
ファ２５８および２５９の出力は、図１０に示す消磁回
路２７０の抵抗Ｒ７とＲ８とにより構成される分圧器に
供給される。
【００５１】図１０を参照すると、バッファ２５８およ
び２５９の出力における高論理“Ｈ”を抵抗Ｒ７とＲ８
とからなる分圧器に供給することにより、トランジスタ
Ｑ２を導通、つまりターンオンさせる。これによって２
４Ｖの電圧はサイリスタＱ３のゲート電極をトリガし、
その結果、消磁電流ＩDGが図１１に示すように減衰振動
する態様で共振インダクタＬ２と共振キャパシタＣ６と
の間に流れ、フォーカスマスク構体１００を消磁する。
び２５９の出力における高論理“Ｈ”を抵抗Ｒ７とＲ８
とからなる分圧器に供給することにより、トランジスタ
Ｑ２を導通、つまりターンオンさせる。これによって２
４Ｖの電圧はサイリスタＱ３のゲート電極をトリガし、
その結果、消磁電流ＩDGが図１１に示すように減衰振動
する態様で共振インダクタＬ２と共振キャパシタＣ６と
の間に流れ、フォーカスマスク構体１００を消磁する。
【００５２】図９および図１０を参照する。フォーカス
マスク構体１００の通常の動作期間の間、共振キャパシ
タＣ６は図示の実施例では公称８９０Ｖの直流電圧に十
分に充電されており、ナンドゲード２４０の入力２３８
は高論理“Ｈ”をとる。しかしながら、フォーカスマス
ク構体１００の消磁期間の間、消磁電流ＩDGが消磁回路
２７０を通って流れ、共振キャパシタＣ６の両端間の電
圧Ｖc は公称の電圧以下に低下する。一旦消磁動作が完
了すると、キャパシタＣ６は次の消磁動作を予測してそ
の公称の電圧に再充電される。
マスク構体１００の通常の動作期間の間、共振キャパシ
タＣ６は図示の実施例では公称８９０Ｖの直流電圧に十
分に充電されており、ナンドゲード２４０の入力２３８
は高論理“Ｈ”をとる。しかしながら、フォーカスマス
ク構体１００の消磁期間の間、消磁電流ＩDGが消磁回路
２７０を通って流れ、共振キャパシタＣ６の両端間の電
圧Ｖc は公称の電圧以下に低下する。一旦消磁動作が完
了すると、キャパシタＣ６は次の消磁動作を予測してそ
の公称の電圧に再充電される。
【００５３】ブレークダウン現象が検出され、それによ
って消磁動作が試みられて電圧Ｖcがその公称の電圧値
以下に低下している間は、フォーカスマスク構体１００
は適正に消磁されない。このような状況は、例えば既に
消磁動作が進行している間にブレークダウン現象が検出
された場合に生じる。
って消磁動作が試みられて電圧Ｖcがその公称の電圧値
以下に低下している間は、フォーカスマスク構体１００
は適正に消磁されない。このような状況は、例えば既に
消磁動作が進行している間にブレークダウン現象が検出
された場合に生じる。
【００５４】消磁制御回路２３０は、共振キャパシタＣ
６が十分に充電されるまで消磁動作を有効に遅らせる機
能を与えることができる。従って、ブレークダウン現象
を検出して一旦消磁動作が開始されると、共振キャパシ
タＣ６が十分に充電された後の最初の垂直ブランキング
期間まで、ブレークダウン現象が検出されても後続する
消磁動作を開始させることはできない。単安定マルチバ
イブレータ２５６の前縁（ｌｅａｄｉｎｇ−ｅｄｇｅ）
トリガ入力２６０は対応する単安定マルチバイブレータ
２５５の対応する入力に結合される。マルチバイブレー
タ２５６は再トリガ不能構成に接続される。
６が十分に充電されるまで消磁動作を有効に遅らせる機
能を与えることができる。従って、ブレークダウン現象
を検出して一旦消磁動作が開始されると、共振キャパシ
タＣ６が十分に充電された後の最初の垂直ブランキング
期間まで、ブレークダウン現象が検出されても後続する
消磁動作を開始させることはできない。単安定マルチバ
イブレータ２５６の前縁（ｌｅａｄｉｎｇ−ｅｄｇｅ）
トリガ入力２６０は対応する単安定マルチバイブレータ
２５５の対応する入力に結合される。マルチバイブレー
タ２５６は再トリガ不能構成に接続される。
【００５５】マルチバイブレータ２５５がバッファ２５
３の出力２５４における正方向変化によりトリガされ、
それにより消磁が開始されると、マルチバイブレータ２
５６は同様にトリガされ、その反転出力２６１にナンド
ゲート２４０の入力２３８に供給される低論理“Ｌ”が
発生する。マルチバイブレータ２５６の出力２６１がナ
ンドゲート２４０の入力２３８に高論理“Ｈ”を供給す
るまで消磁動作を開始することはできない。これはマル
チバイブレータ２５６が最初にトリガされたのち、予め
定められた時点で生じる。この予め定められた時点は抵
抗Ｒ１４とキャパシタＣ２を適当に選択することにより
設定される。
３の出力２５４における正方向変化によりトリガされ、
それにより消磁が開始されると、マルチバイブレータ２
５６は同様にトリガされ、その反転出力２６１にナンド
ゲート２４０の入力２３８に供給される低論理“Ｌ”が
発生する。マルチバイブレータ２５６の出力２６１がナ
ンドゲート２４０の入力２３８に高論理“Ｈ”を供給す
るまで消磁動作を開始することはできない。これはマル
チバイブレータ２５６が最初にトリガされたのち、予め
定められた時点で生じる。この予め定められた時点は抵
抗Ｒ１４とキャパシタＣ２を適当に選択することにより
設定される。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、フォー
カスマスク形式の陰極線管において、内部で生ずる垂直
ストランドと水平ワイヤーとの間のブレークダウン現象
に起因する短絡によりクロス−ストランド電流が流れ
て、上記ストランドに残留磁界が生じても、この残留磁
界は消磁回路の作用により急速に除去されるから、変色
あるいは褐色のバンドがスクリーンに現れるのを確実に
防止することができる。変成器が、フォーカスマスクの
第２の層に供給される電圧または電流のランダムな変化
を速やかに検出する。パルス波形発生器が変化器に結合
され、電圧または電流の急激な変化に応答してパルス波
形を発生する。
カスマスク形式の陰極線管において、内部で生ずる垂直
ストランドと水平ワイヤーとの間のブレークダウン現象
に起因する短絡によりクロス−ストランド電流が流れ
て、上記ストランドに残留磁界が生じても、この残留磁
界は消磁回路の作用により急速に除去されるから、変色
あるいは褐色のバンドがスクリーンに現れるのを確実に
防止することができる。変成器が、フォーカスマスクの
第２の層に供給される電圧または電流のランダムな変化
を速やかに検出する。パルス波形発生器が変化器に結合
され、電圧または電流の急激な変化に応答してパルス波
形を発生する。
【００５７】以上、本発明を特定の実施例について説明
したが、本発明の本質から逸脱しない範囲内で図示の実
施例を変更し、あるいは変形できることは言うまでもな
い。例えば、ブレークダウン検出回路２２０と消磁制御
回路２３０とによって実行される論理機能はマイクロプ
ロセッサおよびそれに関連する回路によっても実行でき
ることは当業者には明らかである。従って、特許請求の
範囲は前述の説明および実施例から当然に考えられるす
べての変形を包含することを意図していることはいうま
でもない。
したが、本発明の本質から逸脱しない範囲内で図示の実
施例を変更し、あるいは変形できることは言うまでもな
い。例えば、ブレークダウン検出回路２２０と消磁制御
回路２３０とによって実行される論理機能はマイクロプ
ロセッサおよびそれに関連する回路によっても実行でき
ることは当業者には明らかである。従って、特許請求の
範囲は前述の説明および実施例から当然に考えられるす
べての変形を包含することを意図していることはいうま
でもない。
【図１】従来のフォーカスマスク形式の色選択構体を示
す図である。
す図である。
【図２】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図３】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図４】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図５】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図６】本発明の装置による変色バンド修正装置をブロ
ックの形式で示した図である。
ックの形式で示した図である。
【図７】図６中のブロック図で示した回路成分を回路図
の形で示した図である。
の形で示した図である。
【図８】図６中のブロック図で示した回路成分の部分を
回路図の形で示した図である。
回路図の形で示した図である。
【図９】図６中のブロック図で示した回路成分の部分を
回路図の形で示した図である。
回路図の形で示した図である。
【図１０】従来の共振消磁回路を示す図である。
【図１１】図１０の消磁回路の動作を説明するのに有効
な図である。
な図である。
１００ フォーカスマスク構体 ２００ 変色バンド修正装置 ２２０ ブレークダウン検出回路 ２３０ 消磁制御回路 ２７０ 消磁回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチヤード ウイリアム ノスカー アメリカ合衆国 ニユージヤージ州 プリ ンストン ホーソーン・アベニユー 269
Claims (15)
- 【請求項１】 フォーカスマスク色選択構体を用いたＣ
ＲＴにおけるブレークダウン現象を検出する検出回路で
あって、 前記フォーカスマスク色選択構体に供給される電流の増
加を感知する感知手段と、 前記電流の増加に応答するパルス波形を発生するパルス
波形発生手段とから成る、前記検出回路。 - 【請求項２】 前記感知手段が、前記フォーカスマスク
色選択構体に結合される第１の巻線と、前記パルス波形
発生手段に結合される第２の巻線とを有する変成器を具
えている、請求項１記載の検出回路。 - 【請求項３】 前記変成器が電流変成器から成る、請求
項２記載の検出回路。 - 【請求項４】 前記変成器が電圧変成器から成る、請求
項２記載の検出回路。 - 【請求項５】 前記感知手段が、前記フォーカスマスク
色選択構体に結合される入力と、前記パルス波形発生手
段に結合される出力とを有するオプト・アイソレータを
具えている、請求項１記載の検出回路。 - 【請求項６】 前記パルス波形発生手段が単安定マルチ
バイブレータ回路から成る、請求項１記載の検出回路。 - 【請求項７】 前記単安定マルチバイブレータ回路が再
トリガ可能な動作モード用に構成されている、請求項６
記載の検出回路。 - 【請求項８】 フォーカスマスク色選択構体を用いたＣ
ＲＴにおけるブレークダウン現象を検出する検出回路で
あって、 前記フォーカスマスク色選択構体に供給される電流の増
加を感知する感知手段と、 パルス波形を発生する単安定マルチバイブレータ回路
と、前記感知手段に応答して前記マルチバイブレータ回
路をトリガするトリガ手段とから成る、前記検出回路。 - 【請求項９】 前記トリガ手段が半導体デバイスから成
る、請求項８記載の検出回路。 - 【請求項１０】 前記半導体デバイスの伝導状態が前記
感知手段に応答する、請求項９記載の検出回路。 - 【請求項１１】 前記半導体デバイスがトランジスタか
ら成る、請求項９記載の検出回路。 - 【請求項１２】 前記半導体デバイスが前記マルチバイ
ブレータ回路に結合される出力を有する、請求項９記載
の検出回路。 - 【請求項１３】 フォーカスマスク色選択構体を用いた
ＣＲＴにおけるブレークダウン現象を検出する検出回路
であって、 前記フォーカスマスク色選択構体に供給される電流の増
加を感知する感知手段と、 前記電流の増加に応答してパルス波形を発生するパルス
波形発生手段と、 前記フォーカスマスク色選択構体内において生じる電圧
変動および電流変動と前記ブレークダウン現象とを判別
するために、前記感知手段を調べる検査手段とから成
る、前記検出回路。 - 【請求項１４】 前記検査手段が調節可能な抵抗から成
る、請求項１３記載の検出回路。 - 【請求項１５】 前記調節可能な抵抗がポテンシオメー
タから成る、請求項１４記載の検出回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US701610 | 1996-08-22 | ||
| US08/701,610 US5929641A (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Breakdown event detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098736A true JPH1098736A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3805864B2 JP3805864B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=24818018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23049797A Expired - Fee Related JP3805864B2 (ja) | 1996-08-22 | 1997-08-13 | ビデオ表示装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
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| US (1) | US5929641A (ja) |
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| JP (1) | JP3805864B2 (ja) |
| KR (1) | KR100442065B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69730791T2 (ja) |
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| CN1325920C (zh) * | 2005-06-24 | 2007-07-11 | 东南大学 | 一种数字荧光波形图像处理器的实现方法 |
| CN101872967B (zh) * | 2009-04-24 | 2013-10-16 | 深圳市科陆变频器有限公司 | Igbt击穿保护电路 |
| CN102654554B (zh) * | 2012-02-14 | 2016-12-14 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 一种电容器发生自愈性击穿的检测方法 |
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- 1996-08-22 US US08/701,610 patent/US5929641A/en not_active Expired - Fee Related
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