JPH0896953A

JPH0896953A - 破壊電流検出回路

Info

Publication number: JPH0896953A
Application number: JP6226777A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Osada; 雅彦長田; Atsuo Torii; 厚夫鳥居; Takeshi Nishioka; 健西岡
Original assignee: NipponDenso Co Ltd
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1994-09-21
Filing date: 1994-09-21
Publication date: 1996-04-12

Abstract

(57)【要約】【目的】簡単な構成により、微少破壊を正確に検出す
ることができ、さらに、微少破壊による連鎖破壊を防止
することができるＥＬエージング装置を提供すること。【構成】ＥＬ素子１に流れる電流を電流検出用抵抗１
０により検出する。パソコン５は、この検出電流波形
と、予め記憶した正常電流波形とを比較して、微少破壊
が生じたか否かを判定し、微少破壊が生じたと判定した
ときには、ＧＰＩＢコントローラ６，７を介して直流電
源３，４により、ＥＬ素子１への電圧印加を瞬時に遮断
し、その後徐々に遮断前の印加電圧まで復帰させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセント）素子の破壊電流を検出する破壊電流検出回
路等に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＥＬ素子の損傷を抑制する方法として、
ＥＬ素子の微少破壊を検出すると駆動を一時停止させる
ことが特開平１−１４９０９５号公報、特開平１−１４
９０９６号公報等に記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＥＬ素子は容
量性負荷であるといえるため、ＥＬ素子が正常であると
きには、図１１(A) に示すような高電圧（例えば２５０
Ｖ）のパルス電圧（パルス幅は例えば４０μｓｅｃ程度
である。）がＥＬ素子に印加されると、ＥＬ素子には、
図１１(B) に実線で示すような充放電電流、すなわち、
印加直後に大きなピーク値をもち、その後、ある時定数
で減少する正常電流が流れる。一方、微少破壊が発生し
たときには、図１１(B) に破線で示すような微少破壊電
流、すなわち、正常時の充放電電流のピーク値よりも小
さなピーク値をもつ異常電流が流れる。しかし、異常電
流は上記のように正常電流より小さいため、正常電流と
異常電流とを正確に判別することは一般にパルス幅が小
さくなる程難しい。

【０００４】その他、ＥＬ素子の微少破壊を検出する方
法として、特開平１−２００３９５号公報には、光を用
いたものが、また、特開平３−１４８４号公報には、積
分器を用いたものが記載されている。

【０００５】しかし、光を用いてＥＬ素子の微少破壊を
検出する方法においては、低輝度のときの破壊を検出す
ることが難しく、また、構造が複雑でコスト高になると
いう問題がある。

【０００６】一方、積分器を用いてＥＬ素子の微少破壊
を検出する方法においては、電流を平均化しているた
め、判定の正確性に欠けるという問題がある。

【０００７】本発明は、簡単な構成により、微少破壊を
正確に検出することができる破壊電流検出回路を提供す
ることを目的とする。

【０００８】また、本発明は、簡単な構成により、微少
破壊を正確に検出することができるＥＬ駆動回路を提供
することを目的とする。

【０００９】また、本発明は、簡単な構成により、微少
破壊を正確に検出することができ、さらに、微少破壊に
よる連鎖破壊を防止することができるＥＬエージング装
置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１では、ＥＬ素子
に流れる電流と、前記ＥＬ素子と等価な回路に流れる電
流との差を検出することを特徴とする破壊電流検出回路
を採用する。

【００１１】請求項２では、前記ＥＬ素子と等価な回路
は、少なくともコンデンサ、抵抗、ツェナーダイオード
を前記ＥＬ素子と等価な構成で接続してなることを特徴
とする請求項１に記載の破壊電流検出回路を採用する。

【００１２】請求項３では、ＥＬ素子に流れる電流と、
電圧を印加しない状態でのＥＬ素子と等価な回路の電流
との差を検出し、この検出値と基準値とを比較すること
を特徴とする破壊電流検出回路を採用する。

【００１３】請求項４では、ＥＬ素子とコンデンサを直
列に接続し、その接続点の電圧と基準電圧とを比較する
ことを特徴とする破壊電流検出回路を採用する。

【００１４】請求項５では、ＥＬ素子とコンデンサを直
列に接続し、その接続点の電圧と基準電圧とを比較し、
前記接続点の電圧が前記基準電圧以上になったとき、前
記ＥＬ素子への電圧印加を遮断することを特徴とするＥ
Ｌ駆動回路を採用する。

【００１５】請求項６では、ＥＬ素子に電圧を印加して
発光させるＥＬ駆動装置において、前記ＥＬ素子に流れ
る電流を検出する電流検出手段と、この検出電流が異常
電流か否かを判定する異常判定手段とを備え、異常電流
と判定したとき、前記ＥＬ素子への電圧印加を遮断し、
その後徐々に遮断前の印加電圧まで復帰させることを特
徴とするＥＬエージング装置を採用する。

【００１６】請求項７では、前記異常判定手段は、前記
検出電流の波形と、前記ＥＬ素子に印加される電源電圧
に応じて予め定めた正常電流の波形とを比較して判定す
ることを特徴とする請求項６に記載のＥＬエージング装
置を採用する。

【００１７】請求項８では、前記異常判定手段は、現在
の検出電流の波形と過去の検出電流の波形とを比較して
判定することを特徴とする請求項６に記載のＥＬエージ
ング装置を採用する。

【００１８】請求項９では、前記異常判定手段は、前記
検出電流と、前記ＥＬ素子と等価な回路に流れる電流と
を比較して判定することを特徴とする請求項６に記載の
ＥＬエージング装置を採用する。

【００１９】請求項１０では、前記ＥＬ素子と等価な回
路は、少なくともコンデンサ、抵抗、ツェナーダイオー
ドを前記ＥＬ素子と等価な構成で接続してなることを特
徴とする請求項９に記載のＥＬエージング装置を採用す
る。

【００２０】請求項１１では、前記異常判定手段は、前
記検出電流と、電圧を印加しない状態での前記ＥＬ素子
と等価な回路の電流との差を検出し、この検出値と基準
値とを比較して判定することを特徴とする請求項６に記
載のＥＬエージング装置を採用する。

【００２１】

【発明の作用効果】請求項１に係る破壊電流検出回路に
おいて、ＥＬ素子に微少破壊が発生すると、ＥＬ素子に
は、微少破壊が発生していないときに流れる正常電流と
比べ大きな破壊電流が流れる。従って、ＥＬ素子に流れ
る電流と、ＥＬ素子と等価な回路に流れる電流との差を
検出することにより、簡単な構成で微少破壊を正確に判
定することができる。

【００２２】請求項２に係る破壊電流検出回路は、ＥＬ
素子の構造、例えば二重絶縁構造ＥＬ素子の構造に応じ
て、等価な回路として、少なくともコンデンサ、抵抗、
ツェナーダイオードを用い、具体化したものである。

【００２３】請求項３に係る破壊電流検出回路におい
て、ＥＬ素子に微少破壊が発生していないときの発光時
と非発光時とでは、ＥＬ素子に流れる電流は、発光時の
方が非発光時よりも伝導電流分だけ多い。しかし、この
伝導電流は、微少破壊時にＥＬ素子に流れる電流と比べ
ると微少である。このため、基準値を伝導電流に対応す
る値よりも大きな適宜値に設定しておくことにより、微
少破壊を正確に判定することができる。なお、「電圧を
印加しない状態でのＥＬ素子」は、換言すると、非発光
時のＥＬ素子となる。また、請求項１に係る破壊電流検
出回路と比べ、構成が簡単になる。

【００２４】請求項４に係る破壊電流検出回路におい
て、ＥＬ素子に微少破壊が生じていないときのコンデン
サの端子電圧は、微少破壊が生じたときと比べ小さい。
このため、基準電圧を、微少破壊の生じていないときの
端子電圧よりも大きな適宜値に設定しておくことによ
り、微少破壊を正確に判定することができる。また、構
成が極めて簡単となる。

【００２５】請求項５に係る破壊電流検出回路は、請求
項４に係る破壊電流検出回路を用い、ＥＬ駆動回路であ
り、構成が極めて簡単になる。

【００２６】請求項６に係るＥＬエージング装置による
と、異常電流と判定したとき、ＥＬ素子への電圧印加を
遮断し、その後徐々に遮断前の印加電圧まで復帰させる
ようにしたため、微少破壊による連鎖破壊を防止するこ
とができる。

【００２７】請求項７に係るＥＬエージング装置による
と、検出電流の波形と、ＥＬ素子に印加される電源電圧
に応じて予め定めた正常電流の波形とを比較して微少破
壊を判定するようにしたため、簡単な構成で微少破壊を
正確に判定することができる。

【００２８】請求項８に係るＥＬエージング装置におい
て、微少破壊発生前には、現在の検出電流の波形と過去
の検出電流の波形とは略同一であるが、微少破壊が発生
すると、現在の検出電流の波形は過去の検出電流の波形
と著しく相違したものとなる。このため、現在の検出電
流の波形と過去の検出電流の波形とを比較することによ
り、簡単な構成で微少破壊を正確に判定することができ
る。

【００２９】請求項９に係るＥＬエージング装置では、
異常判定手段として、請求項１に係る破壊電流検出回路
と同様な構成、すなわち、検出電流と、ＥＬ素子と等価
な回路に流れる電流とを比較して微少電流を判定するよ
うにした構成を採用する。このため、簡単な構成で微少
破壊を正確に判定することができる。

【００３０】請求項１０に係るＥＬエージング装置で
は、請求項９に係るＥＬエージング装置において、ＥＬ
素子と等価な回路を、少なくともコンデンサ、抵抗、ツ
ェナーダイオードで具体化している。

【００３１】請求項１１に係るＥＬエージング装置で
は、異常判定手段として、請求項３に係る破壊電流検出
回路と同様な構成、すなわち、検出電流と、電圧を印加
しない状態でのＥＬ素子と等価な回路の電流との差を検
出し、この検出値と基準値とを比較して微少破壊を判定
するようにした構成を採用する。このため、簡単な構成
で微少破壊を正確に判定することができる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。

【００３３】第１実施例図１は、第１実施例に係るＥＬエージング装置の全体構
成を示している。

【００３４】図１において、１は、コモン電極１ａ側が
アースされたＥＬ素子を表す。ＥＬ素子１のセグメント
電極１ｂには、駆動回路２が接続されている。

【００３５】駆動回路２は、正極性の直流電源３及び負
極性の直流電源４から正極性の直流電圧ＶＨ1 及び負極
性の直流電圧ＶＬ1 の供給を受ける。ここで、直流電圧
ＶＨ1 及びＶＬ1 は、それぞれパソコン５からの指示に
従って動作するＧＰＩＢ（General Purpose Interface
Bus ）コントローラ６及び他のＧＰＩＢコントローラ７
によって制御され、ＥＬ素子１に微少破壊が発生しない
場合には、直流電圧ＶＨ1 及びＶＬ1 は、パソコン５で
予めプログラムされた図６に破線で示すようなエージン
グ曲線に沿って変化する。

【００３６】また、駆動回路２は、Ｉ／Ｏボード８を介
して入力されてくる入力1 ，入力2及び入力3 （図３）
に従って、ＥＬ素子１のセグメント電極１ｂに出力1
（図３）を印加する。駆動回路２の一例は、具体的には
図２に示すように構成され、入力端子Ｎ1 ，Ｎ2 及びＮ
3 に１対１で入力されてくる入力1 ，入力2 及び入力3
（図３）に従ってＦＥＴ２１〜２４が各々所定のスイッ
チング動作を行い、出力1 （図３）をセグメント電極１
ｂに印加する。

【００３７】ＥＬ素子１のコモン電極１ａとアース９と
の間には、ＥＬ素子１に流れる電流を検出するための電
流検出用抵抗１０が接続されている。ＥＬ素子１のコモ
ン電極１ａと電流検出用抵抗１０との接続点は、電流検
出用抵抗１０の端子電圧（アナログ電圧）を所定のサン
プリング周期例えば１μｓｅｃでデジタル信号に変換す
るＡ／Ｄボード１１に接続されている。Ａ／Ｄボード１
１から出力されるデジタル信号（検出電流波形）は、パ
ソコン５に入力される。

【００３８】パソコン５は、Ａ／Ｄボード１１から入力
されてくる検出電流波形を、予め記憶しているＥＬ素子
１の正常電流の波形（微少破壊が生じていないＥＬ素子
１の電流波形、図９(B) 図示実線波形参照）と比較し、
ＥＬ素子１に微少破壊が生じたかどうかを判定する。そ
して、ＥＬ素子１に微少破壊が生じたと判定したときに
は、図６に実線で示すように、直流電圧ＶＨ1 及びＶＬ
1 を瞬時に０Ｖに遮断し、その後、徐々に（例えば２〜
３分かけて）遮断前の電圧まで復帰させるよう、ＧＰＩ
Ｂコントローラ６，７に対する指示を行い、ＧＰＩＢコ
ントローラ６，７は、この指示に従って直流電源３，４
の直流電圧ＶＨ1 ，ＶＬ1 を制御する。

【００３９】以上説明したように、本実施例のＥＬエー
ジング装置は、ＥＬ素子１に流れる電流を電流検出用抵
抗１０により検出し、パソコン５により、この検出電流
波形と、予め記憶した正常電流波形とを比較して、微少
破壊が生じたか否かを判定し、微少破壊が生じたと判定
したときには、ＧＰＩＢコントローラ６，７を介して直
流電源３，４により、ＥＬ素子１への電圧印加を瞬時に
遮断し、その後徐々に遮断前の印加電圧まで復帰させる
ようにした。このため、簡単な構成で微少破壊を正確に
判定することが可能になるとともに、微少破壊から派生
する連鎖破壊を防止することができる。

【００４０】なお、上記実施例のようにＥＬ素子１のコ
モン電極１ａ側をアースするのではなく、セグメント電
極１ｂに高電圧を印加するのと同様、コモン電極１ａに
も高電圧を印加する交流駆動方式を採用する場合には、
図４に示すように、電流検出用抵抗１０の両端子１０
ａ，１０ｂをＡ／Ｄボード１１に接続するとともに、コ
モン電極１ａ側に、図５に示すような電圧波形の出力
１’を出力するコモン駆動回路２ａを接続し、また、セ
グメント電極１ｂ側に、図５に示すような電圧波形の出
力１を出力するセグメント駆動回路２ｂを接続し、ＥＬ
素子１に、上述した実施例の出力1 （図３）と同様な電
圧波形となる図５に示すような電圧を印加するよう構成
してもよい。この場合、直流電源４は、負極性ではなく
正極性の直流電圧ＶＬ1 を出力する構成とされる。ま
た、コモン駆動回路２ａは、セグメント駆動回路２ｂと
同様な回路構成とされている。なお、コモン電極１ａ
は、必ずしも複数のセグメント電極１ｂに対して共通の
電極である必要はなく、各セグメント電極１ｂ毎に１対
１に対応して形成される電極であってもよい。

【００４１】第２実施例第２実施例は、微少破壊発生時には、ＥＬ素子１に流れ
る電流が、正常電流波形から異常電流波形に変化するこ
とから、上述したように検出電流波形と正常電流波形と
を比較する代わりに、パソコン５で、現在の検出電流と
過去の検出電流（例えば１周期前の検出電流）の波形を
比較して判定する構成としたものである。このようにし
ても、簡単な構成で微少破壊を正確に判定することがで
きる。

【００４２】第３実施例さらに、第３実施例を図７に示す。

【００４３】図７に示す第３実施例においては、ＥＬ素
子１と電流検出用抵抗１０の直列回路と並列に、ＥＬ素
子１の等価回路１２とこの等価回路１２に流れる電流を
検出するための電流検出用抵抗１３の直列回路を接続し
ている。この等価回路１２において、コンデンサ１２ａ
は、セグメント電極１ｂ側の絶縁層の静電容量を表す。
また、コンデンサ１２ｂ、ツェナーダイオード１２ｃ，
１２ｄ及び抵抗１２ｅは、発光層を表し、ツェナーダイ
オード１２ｃ，１２ｄと抵抗１２ｅの直列回路は、発光
層の発光時に動作し、コンデンサ１２ｂとの並列回路を
生成する回路である。また、コンデンサ１２ｆは、コモ
ン電極１ａ側の絶縁層の静電容量を表す。また、抵抗１
２ｇは、ＥＬ素子１の内部配線抵抗を表す。そして、Ｅ
Ｌ素子１と電流検出用抵抗１０との接続点を差動アンプ
１４の一方の入力端子に接続するとともに、等価回路１
２と電流検出用抵抗１３との接続点を差動アンプ１４の
他方の入力端子に接続している。さらに、差動アンプ１
４の出力端子はコンパレータ１５の一方の入力端子に接
続され、コンパレータ１５の他方の入力端子には、基準
電圧１６が入力されている。コンパレータ１５の出力端
子は、Ｉ／Ｏボード１１を介してパソコン５に接続され
ている。その他の構成は、上述した第１実施例と同様で
ある。

【００４４】上記のように構成されたＥＬエージング装
置において、ＥＬ素子１に微少破壊が生じていないとき
には、ＥＬ素子１に流れる電流と等価回路１２に流れる
電流が略等しいため、差動アンプ１４の出力は基準電圧
１６よりも小さく、コンパレータ１５は、微少破壊が生
じていない旨の信号をＩ／Ｏボード１１を介してパソコ
ン５に入力し、パソコン５は、予めプログラムされたエ
ージング曲線（図６）に従った直流電圧ＶＨ1 ，ＶＬ1
を直流電源３，４が駆動回路２に印加するよう、ＧＰＩ
Ｂコントローラ６，７に対し指示をする。

【００４５】その後、ＥＬ素子１に微少破壊が生じる
と、ＥＬ素子１に流れる電流が正常電流よりも大きくな
り、差動アンプ１４の出力が基準電圧１６を超え、コン
パレータ１５は、微少破壊が生じた旨の信号を出力す
る。この信号をＩ／Ｏボード１１を介して受け取ったパ
ソコン５は、上述した実施例と同様、瞬時に直流電圧Ｖ
Ｈ1 ，ＶＬ1 の印加を遮断し、その後徐々に遮断前の印
加電圧まで復帰させる。

【００４６】従って、第３実施例によっても、上述した
実施例と同様、簡単な構成で微少破壊を正確に判定する
ことができるとともに、連鎖破壊を防止できる。

【００４７】また、点線で囲まれた部分は、図１２のよ
うなものでもよい。図１２は、抵抗１２１ｅ≠抵抗１２
２ｅの場合を示す。もちろん、１２ｃと１２ｄのツェナ
ー電圧は等しいとは限らない。

【００４８】第４実施例図８は、第４実施例の主要部の回路構成を示す。

【００４９】第４実施例においては、ＥＬ素子１と電流
検出用抵抗１０の直列回路と並列に、電圧を印加しない
状態（非発光時）でのＥＬ素子１の等価回路１２’とこ
の等価回路１２’に流れる電流を検出するための電流検
出用抵抗１３の直列回路を接続している。この等価回路
１２’において、コンデンサ１２ａは、セグメント電極
１ｂ側の絶縁層の静電容量を表す。また、コンデンサ１
２ｂは、発光層の静電容量を表す。また、コンデンサ１
２ｆは、コモン電極１ａ側の絶縁層の静電容量を表す。
また、抵抗１２ｇは、ＥＬ素子１の内部配線抵抗を表
す。そして、ＥＬ素子１と電流検出用抵抗１０との接続
点を差動アンプ１４の一方の入力端子に接続するととも
に、等価回路１２’と電流検出用抵抗１３との接続点を
差動アンプ１４の他方の入力端子に接続している。その
他の構成は、上述した第３実施例と同様である。

【００５０】上記のように構成されたＥＬエージング装
置において、ＥＬ素子１に微少破壊が発生していないと
きの非発光時には、ＥＬ素子１に流れる電流と等価回路
１２’に流れる電流が略等しい。また、ＥＬ素子１に微
少破壊が発生していないときの発光時には、ＥＬ素子１
の発光層に伝導電流が流れるため、この伝導電流分だ
け、ＥＬ素子１に流れる電流が等価回路１２’に流れる
電流よりも大きくなる。図９は、このときのＥＬ素子１
の印加電圧( a)，ＥＬ素子１に流れる電流(b) ，等価回
路１２’に流れる電流(c) ，差動アンプ１４の出力(d)
の各波形をそれぞれ表している。そして、ＥＬ素子１に
微少破壊が発生すると、ＥＬ素子１に微少破壊による電
流が流れるようになるが、この電流は、発光時の伝導電
流と比べ著しく大きく、差動アンプ１４の出力が基準電
圧１６を超えるようになり、コンパレータ１５は、微少
破壊が生じた旨の信号をＩ／Ｏボード１１を介してパソ
コン５に入力させることができる。この旨の信号を受け
たパソコン５は、上述した各実施例と同様、瞬時に直流
電圧ＶＨ1 ，ＶＬ1 の印加を遮断し、その後徐々に遮断
前の印加電圧まで復帰させる。

【００５１】従って、本実施例によっても、上述した実
施例と同様、簡単な構成で微少破壊を正確に判定できる
と共に連鎖破壊を防止できる。

【００５２】もちろん、１２ａ、１２ｂ、１２ｆは、１
つの合成容量としてもよい。

【００５３】第５実施例図１０は、第５実施例の主要部の回路構成を示す。

【００５４】第５実施例においては、ＥＬ素子１と直列
に、ＥＬ素子１の静電容量に比べ十分大きな静電容量の
コンデンサ１７を接続し、その接続点をコンパレータ１
５の一方の入力端子と接続している。その他の構成は、
第３実施例と同様である。

【００５５】上記のように構成されたＥＬエージング装
置において、ＥＬ素子１に微少破壊が生じていないとき
には、コンデンサ１７の端子電圧がコンパレータ１５の
基準電圧１６よりも小さく、コンパレータ１５は、微少
破壊が発生していない旨の信号をＩ／Ｏボード１１を介
してパソコン５に出力する。そして、微少破壊が発生す
ると、破壊電流によりコンデンサ１７の端子電圧が上昇
し、基準電圧１６を超えるようになり、コンパレータ１
５は、微少破壊が発生した旨の信号をパソコン５に出力
する。この信号を受けたパソコン５は、上記各実施例と
同様、瞬時に直流電圧ＶＨ1 ，ＶＬ1 の印加を遮断し、
その後徐々に遮断前の印加電圧まで復帰させる。

【００５６】従って、本実施例によっても、上述した実
施例と同様、簡単な構成で微少破壊を正確に判定できる
と共に連鎖破壊を防止できる。

【００５７】なお、上述した各実施例は、ＥＬエージン
グ装置として説明したが、本発明は、ＥＬエージング装
置のみに限定されるものではなく、ＥＬエージング装置
の主要部である破壊電流検出回路として適用でき、ま
た、ＥＬ駆動回路としても適用できる。また、パソコン
は、同じ機能を有するＣＰＵや論理回路としてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係るＥＬエージング装置の全体構
成図

【図２】駆動回路の一例の構成図

【図３】上記駆動回路の動作波形図

【図４】駆動回路の他の例の構成図

【図５】上記駆動回路の動作波形図

【図６】エージング曲線図

【図７】第３実施例に係るＥＬエージング装置の全体構
成図

【図８】第４実施例に係るＥＬエージング装置の要部構
成図

【図９】上記ＥＬエージング装置の動作波形図

【図１０】第５実施例に係るＥＬエージング装置の要部
構成図

【図１１】ＥＬ素子への印加電圧及び正常電流、異常電
流の波形図

【図１２】第３実施例に係るＥＬエージング装置の変形
例に係る要部構成図

【符号の説明】

１ＥＬ素子２駆動回路３，４直流電源５パソコン１０電流検出用抵抗１２等価回路１３電流検出用抵抗１４差動アンプ１６基準電圧

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＥＬ素子に流れる電流と、前記ＥＬ素子
と等価な回路に流れる電流との差を検出することを特徴
とする破壊電流検出回路。
【請求項２】前記ＥＬ素子と等価な回路は、少なくと
もコンデンサ、抵抗、ツェナーダイオードを前記ＥＬ素
子と等価な構成で接続してなることを特徴とする請求項
１に記載の破壊電流検出回路。
【請求項３】ＥＬ素子に流れる電流と、電圧を印加し
ない状態でのＥＬ素子と等価な回路の電流との差を検出
し、この検出値と基準値とを比較することを特徴とする
破壊電流検出回路。
【請求項４】ＥＬ素子とコンデンサを直列に接続し、
その接続点の電圧と基準電圧とを比較することを特徴と
する破壊電流検出回路。
【請求項５】ＥＬ素子とコンデンサを直列に接続し、
その接続点の電圧と基準電圧とを比較し、前記接続点の
電圧が前記基準電圧以上になったとき、前記ＥＬ素子へ
の電圧印加を遮断することを特徴とするＥＬ駆動回路。
【請求項６】ＥＬ素子に電圧を印加して発光させるＥ
Ｌ駆動装置において、前記ＥＬ素子に流れる電流を検出
する電流検出手段と、この検出電流が異常電流か否かを
判定する異常判定手段とを備え、異常電流と判定したと
き、前記ＥＬ素子への電圧印加を遮断し、その後徐々に
遮断前の印加電圧まで復帰させることを特徴とするＥＬ
エージング装置。
【請求項７】前記異常判定手段は、前記検出電流の波
形と、前記ＥＬ素子に印加される電源電圧に応じて予め
定めた正常電流の波形とを比較して判定することを特徴
とする請求項６に記載のＥＬエージング装置。
【請求項８】前記異常判定手段は、現在の検出電流の
波形と過去の検出電流の波形とを比較して判定すること
を特徴とする請求項６に記載のＥＬエージング装置。
【請求項９】前記異常判定手段は、前記検出電流と、
前記ＥＬ素子と等価な回路に流れる電流とを比較して判
定することを特徴とする請求項６に記載のＥＬエージン
グ装置。
【請求項１０】前記ＥＬ素子と等価な回路は、少なく
ともコンデンサ、抵抗、ツェナーダイオードを前記ＥＬ
素子と等価な構成で接続してなることを特徴とする請求
項９に記載のＥＬエージング装置。
【請求項１１】前記異常判定手段は、前記検出電流
と、電圧を印加しない状態での前記ＥＬ素子と等価な回
路の電流との差を検出し、この検出値と基準値とを比較
して判定することを特徴とする請求項６に記載のＥＬエ
ージング装置。