JPH1098019A - 表面清浄化方法 - Google Patents

表面清浄化方法

Info

Publication number
JPH1098019A
JPH1098019A JP25143496A JP25143496A JPH1098019A JP H1098019 A JPH1098019 A JP H1098019A JP 25143496 A JP25143496 A JP 25143496A JP 25143496 A JP25143496 A JP 25143496A JP H1098019 A JPH1098019 A JP H1098019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
manufacturing apparatus
carbon
containing substance
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25143496A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH1098019A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Yasutsugu Suzuki
木 康 嗣 鈴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP25143496A priority Critical patent/JPH1098019A/ja
Publication of JPH1098019A publication Critical patent/JPH1098019A/ja
Publication of JPH1098019A5 publication Critical patent/JPH1098019A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
JP25143496A 1996-09-24 1996-09-24 表面清浄化方法 Pending JPH1098019A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25143496A JPH1098019A (ja) 1996-09-24 1996-09-24 表面清浄化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25143496A JPH1098019A (ja) 1996-09-24 1996-09-24 表面清浄化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1098019A true JPH1098019A (ja) 1998-04-14
JPH1098019A5 JPH1098019A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2004-10-21

Family

ID=17222791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25143496A Pending JPH1098019A (ja) 1996-09-24 1996-09-24 表面清浄化方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1098019A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6533952B2 (en) * 1999-06-08 2003-03-18 Euv Llc Mitigation of radiation induced surface contamination
JP2003526908A (ja) * 2000-02-25 2003-09-09 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 室からの吸着された分子の除去方法
JP2006261518A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Electron Ltd 真空容器の水分除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体
JP2009065170A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 希ガスクリーニングステップの追加によって改善したプラズマチャンバ壁のクリーニング
JP2016092347A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 株式会社ディスコ エッチング方法
JP2016100343A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 株式会社ディスコ エッチング方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6533952B2 (en) * 1999-06-08 2003-03-18 Euv Llc Mitigation of radiation induced surface contamination
JP2003526908A (ja) * 2000-02-25 2003-09-09 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 室からの吸着された分子の除去方法
JP2006261518A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Electron Ltd 真空容器の水分除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体
JP2009065170A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 希ガスクリーニングステップの追加によって改善したプラズマチャンバ壁のクリーニング
JP2016092347A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 株式会社ディスコ エッチング方法
JP2016100343A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 株式会社ディスコ エッチング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3670277B2 (ja) 低い固有応力および／または低い水素含有率をもつＳｉＯ▲Ｘ▼フィルムの堆積法
US5399237A (en) Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas
JP6527677B2 (ja) パルス化された低周波数ｒｆ電力による高選択性かつ低応力のカーボンハードマスク
KR100644176B1 (ko) 고 유전상수 재료에 대해 증착실을 세정하는 방법
KR100656770B1 (ko) 고유전율 물질의 에칭 방법 및 고유전율 물질용 증착챔버의 세정 방법
US6923189B2 (en) Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry
JP2674488B2 (ja) ドライエッチング室のクリーニング方法
US20070207275A1 (en) Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films
KR20080050402A (ko) Ｎｆ₃를 사용한 표면 적층물 제거 방법
JP2002033289A (ja) 半導体プロセスチャンバの洗浄方法
US20060207724A1 (en) Method of removing oxide film on a substrate with hydrogen and fluorine radicals
US20070028943A1 (en) Method of using sulfur fluoride for removing surface deposits
US6095158A (en) Anhydrous HF in-situ cleaning process of semiconductor processing chambers
US12154791B2 (en) Dry etching method and method for producing semiconductor device
JP2004363558A (ja) 半導体装置の製造方法およびプラズマエッチング装置のクリーニング方法
US20050258137A1 (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
JP3649650B2 (ja) 基板エッチング方法、半導体装置製造方法
JPH1098019A (ja) 表面清浄化方法
JPH07201738A (ja) 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法
JPH05326477A (ja) 半導体基板表面のハロゲン除去方法
JP4059792B2 (ja) 半導体製造方法
JP2009060145A (ja) 酸化膜除去方法
JPH0529285A (ja) クリーニング方法及び半導体製造装置
JP3963295B2 (ja) ケミカルドライエッチング方法
JPH0786240A (ja) 表面処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20050926

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060110

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060905