JPH1097963A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH1097963A
JPH1097963A JP25340596A JP25340596A JPH1097963A JP H1097963 A JPH1097963 A JP H1097963A JP 25340596 A JP25340596 A JP 25340596A JP 25340596 A JP25340596 A JP 25340596A JP H1097963 A JPH1097963 A JP H1097963A
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JP
Japan
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manufacturing
parameter
operating
devices
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP25340596A
Other languages
English (en)
Inventor
Hayaaki Fukumoto
隼明 福本
Toshio Ono
利雄 大野
Tetsuya Sakamoto
哲也 坂本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH1097963A publication Critical patent/JPH1097963A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度加工を連続して安定に行い、歩留まり
の向上を図るための半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 稼働中の装置1a、1bおよび予備の装
置1cは、動力系配管3および信号系配線5で連結され
ている。装置1a、1bは稼働状態を示すパラメータを
制御ユニット6にてモニターされ、例えば稼働装置1b
のパラメータが予め設定された管理値を越えた場合、そ
の情報は信号系配線5を通って制御ユニット6に伝達さ
れ、その時点で行っている処理を完了させた後、稼働装
置1bに停止命令、予備の装置1cに稼働命令を出すと
共に、動力源の供給を装置1bから装置1cに切り替え
る。停止された装置1bはオーバーホールを行い、管理
値の範囲内に戻された後、今度は予備の装置として待機
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、高精度加工を連
続して安定に行うことが可能な半導体装置の製造方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体製造ラインにおいては、ウ
エハサイズの拡大に伴いバッチ処理から枚葉処理へと移
行しており、高集積化によりウエハ一枚当たりの製品価
格は高価になっている。このため、以前にも増して歩留
まりの向上は必須の課題となっている。一方、高精度加
工が要求される半導体製造装置は、その立ち上げおよび
メンテナンス等に多大な時間が費やされている。従来よ
り、各装置毎に稼働中の状態を示すパラメータをモニタ
ーし、予め設定されたパラメータの管理限界を越えた場
合、手動にて装置を停止し、補修またはオーバーホール
を行っていた。また、定期的なメンテナンスとして、ガ
スボンベ等の材料交換や、異物または膜厚(レート、均
一性)による管理、真空ポンプのメンテナンス等も必要
であり、それらは装置管理者の判断により行われてい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
方法では、装置を停止してから補修を行い、さらに立ち
上げるまでの間工程は進捗せず、製品の納期遅延の原因
となっていた。また、パラメータが管理限界を越えてか
ら発見するまでの間に処理した製品は不良となる確率が
高く、歩留まり低下の原因となっていた。
【0004】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高精度加工を連続して安定に行
い、歩留まりの向上を図るための半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
装置の製造方法は、半導体製造ラインにおいて、稼働中
の1台または複数台の装置Aに対し、装置Aと同等の予
備の装置Bを即座に稼働できるよう待機させておき、制
御ユニットにて稼働中の装置Aの状態を示すパラメータ
をモニターし、パラメータが予め設定されている管理値
を越えた場合、その時点で行っている処理を完了させた
後、制御ユニットより稼働中の装置Aに停止命令、予備
の装置Bに稼働命令を出すと共に、動力源の供給を装置
Aから装置Bに切り替えるようにしたものである。ま
た、パラメータの管理値は、稼働中の装置Aが管理値を
越えた時点で処理中の製品も良品として次工程に進める
ように、適正な余裕をもって設定されているものであ
る。
【0006】また、パラメータが管理値に達し停止した
装置Aは、補修後、予備の装置Bとして待機させるもの
である。また、装置Aおよび装置Bは、製造に携わる主
要な装置として半導体装置を製造するものである。さら
に、装置Aおよび装置Bは、動力系の補助装置を共有す
るものである。また、装置Aおよび装置Bは、製造に携
わる主要な装置に付随する補助装置として半導体装置を
製造するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1である半
導体装置の製造方法を示す概念図、図2は、パラメータ
の管理値を説明するための図である。図において、1a
および1bは稼働中の装置、1cは装置1aおよび1b
と同等の装置であり、待機状態にある予備の装置、2は
動力源、3は動力系配管、4a、4b、4cは動力系配
管3に取り付けられた動力系切り替え装置、5は信号系
配線、6は制御ユニットをそれぞれ示す。
【0008】次に、動作について説明する。稼働中の装
置1a、1bおよび予備の装置1cは、動力系配管3お
よび信号系配線5で連結されており、装置1a、1bは
稼働状態を示すパラメータを制御ユニット6にてモニタ
ーされている。ここで、例えば稼働装置1bのパラメー
タが予め設定された管理値を越え、異常の発生が認めら
れた場合、その情報は信号系配線5を通って制御ユニッ
ト6に伝達される。その情報をもとに、稼働中であった
稼働装置1bには停止命令が出され、動力系切り替え装
置4bが働き、稼働装置1bへの動力供給は絶たれる。
さらに、予備装置1cには稼働命令が出され、動力系切
り替え装置4cが働き、動力の供給が開始される。ただ
し、稼働中の装置1bはパラメータの異常が発見された
際に即時停止されるのではなく、処理中の工程が完了し
た時点で停止(インタロック)される。製品処理が予備
の装置1cに引き継がれた後、停止された装置1bはオ
ーバーホールを行い、管理値の範囲内に戻された後、今
度は予備の装置として待機させる。なお、装置の待機状
態としては、条件出し(パラメータ設定)に時間を要す
るものは、稼働命令に即座に対応できるようヒートアッ
プを行った状態(Hot stand still状態)で待機させ、
立ち上がりに時間を要さないものは、稼働命令が出され
た時点でヒートアップを行うため、Cold stand still
状態での待機で良い。
【0009】次に、本実施の形態におけるパラメータの
管理値の決定方法について説明する。図2は、ある装置
の稼働時間とパラメータの推移を示し、図中A、B、C
は3段階に設けられた管理値である。管理値Aは、装置
の正常な稼働状態におけるパラメータの中心値からのば
らつきの範囲を示し、管理値Cは、製品処理の限界値で
あり、管理値Cを越えた状態で処理された製品は不良品
となる確率が高くなる。管理値Bは、管理値AとCの間
で任意に設定され、管理値Bを越えても即座に不良品と
はならないが、管理値Cに推移する危険性を含んでいる
状態である。本実施の形態において、稼働中の装置1a
または1bに停止命令を出す基準となるパラメータの管
理値は、この管理値Bに相当するもので、稼働中の装置
1aまたは1bが管理値Bを越えた時点(図中イの時
点)で処理中の製品が良品として次工程に進めるよう
に、すなわち図中イの時点で処理中の製品が、管理値C
を越える前すなわち図中イ−ロ間で完了するように、適
正な余裕をもって管理値Bを設定している。このよう
に、管理値の決定には各装置毎に十分なデータの蓄積を
必要とする。
【0010】なお、パラメータの項目としては、製造装
置の種類によって異なるが、例えばスパッタ装置および
CVD装置等の成膜装置の場合には、膜厚や膜中の不純
物濃度、温度、ガス圧力、流量、Power(DC、R
F)等がある。さらに、定期的に必要なメンテナンスと
して、異物レベルや、膜厚のレートおよび均一性の確
認、ターゲットやガスボンベ等の材料の交換や真空ポン
プのメンテナンス等があり、それらの実施予定を制御ユ
ニット6に入力した上で、上記パラメータのモニター結
果と併せて制御ユニット6にて装置の稼働計画を立てる
ことができる。
【0011】以上のように、本実施の形態によれば、稼
働中の装置1a、1bに対して即座に交換できる予備の
装置1cを待機させておき、例えば稼働中の装置1bの
パラメータが予め設定されている管理値を越えた場合、
自動的に稼働装置1bに停止命令、予備の装置1cに稼
働命令を出すと共に、動力源の供給を装置1bから装置
1cに切り替え、ほぼ連続して稼働させるようにしたの
で、製品の品質を低下させることがなく、工程が速やか
に進捗し、歩留まりが向上する効果がある。また、装置
停止に伴う製品供給不足が無くなり、安定した生産が見
込める効果がある。
【0012】実施の形態2.図3は、本発明の実施の形
態2である半導体装置の製造方法を示す概念図である。
図において、7a、7bは主要な製造装置に付随する例
えば真空ポンプ等の補助装置である。本実施の形態は、
稼働中の装置1a、1bおよび待機状態にある予備の装
置1cを設置する際に、装置1bと装置1cが補助装置
7bを共有するように構成したものである。なお、図
中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略す
る。
【0013】次に、動作について説明する。稼働中の装
置1bのパラメータに異常が生じ、管理値を越えた場
合、制御ユニット6は装置1bに停止命令、予備の装置
1cに稼働命令を出すとともに、動力系切り替え装置4
b、4cが働き、装置1bへの動力の供給が絶たれ、予
備の装置1cへの動力の供給が開始される。この時、稼
働中の装置1bと予備の装置1cは補助装置7bを共有
しているため、すでに稼働状態にあった補助装置7bを
連続して用いることができ、立ち上げ時間が大幅に短縮
される効果がある。特に、補助装置が真空ポンプの場
合、立ち上げに非常に時間を要するため、本発明は有効
である。
【0014】なお、本実施の形態では、稼働中の装置1
bと予備の装置1cが補助装置7bを共有する構成にし
たが、装置1a、1bおよび予備の装置1cのすべての
装置が補助装置7a、7bを共有する構成にすることに
より、補助装置7aまたは7bに起因するトラブルに対
応することが可能となる。なお、その際、稼働装置に対
する補助装置の台数は、補助装置の能力により決定され
る。
【0015】実施の形態3.図4は、本発明の実施の形
態3である半導体装置の製造方法を示す概念図である。
図において、1は稼働中の主要な装置、7a、7bおよ
び7cは稼働中の主要な装置1に付随する例えば真空ポ
ンプや除害装置等の補助装置、7dは予備の補助装置を
それぞれ示す。また、4a、4b、4cおよび4A、4
B、4Cはそれぞれ動力系切り替え装置である。本実施
の形態は、稼働中の装置1に付随する補助装置7a、7
b、7cに対して、予備の補助装置7dを待機させるよ
うに構成したものである。なお、図中、同一、相当部分
には同一符号を付し、説明を省略する。
【0016】次に、動作について説明する。装置1およ
び稼働中の補助装置7a、7b、7cおよび予備の補助
装置7dは、動力系配管3および信号系配線5で連結さ
れており、稼働中の装置1は補助装置7a、7bおよび
7cに起因するパラメータを制御ユニット6にてモニタ
ーされている。ここで、例えば装置1の補助装置7aに
起因するパラメータが予め設定された管理値を越え、異
常の発生が認められた場合、その情報は信号系配線5を
通って制御ユニット6に伝達される。その情報をもと
に、動力系切り替え装置4aおよび4Aが働き、装置1
への動力供給は補助装置7aから予備の補助装置7dへ
と切り替えられる。ただし、予備の補助装置7dへの切
り替えは、補助装置7aに起因するパラメータの異常が
発見された際に即時行われるのではなく、処理中の工程
が完了した時点で切り替えられる。その後、停止された
補助装置7aはオーバーホールを行い、管理値の範囲内
に戻された後、今度は予備の補助装置として待機させ
る。なお、本実施の形態では、安全のため動力系切り替
え装置を1つの配管に対して2箇所に設けたが、1箇所
でも良い。
【0017】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、稼働
中の装置に対して予備の装置を待機させておき、稼働中
の装置のパラメータが予め設定されている管理値を越え
た場合、自動的に停止命令を出すと共に予備の装置に稼
働命令を出し、ほぼ連続して稼働させるようにしたの
で、高精度加工を連続して安定に行うことができ、歩留
まりが向上する効果がある。また、装置停止に伴う製品
供給不足が無くなり、安定した生産が見込める効果があ
る。
【0018】また、パラメータの管理値は、稼働中の装
置が管理値を越えた時点で処理中の製品も良品として次
工程に進めるように、適正な余裕をもって設定されてい
るので、製品の品質を低下させることがなく、歩留まり
が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1である半導体装置の
製造方法を示す概念図である。
【図2】 パラメータの管理値を説明するための図であ
る。
【図3】 この発明の実施の形態2である半導体装置の
製造方法を示す概念図である。
【図4】 この発明の実施の形態3である半導体装置の
製造方法を示す概念図である。
【符号の説明】
1、1a、1b 稼働中の装置、1c 予備の装置、2
動力源、3 動力系配管、4a、4b、4c、4A、
4B、4C 動力系切り替え装置、5 信号系配線、6
制御ユニット、7a、7b、7c 補助装置、7d
予備の補助装置。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体製造ラインにおいて、稼働中の1
    台または複数台の装置Aに対し、上記装置Aと同等の予
    備の装置Bを即座に稼働できるよう待機させておき、制
    御ユニットにて上記稼働中の装置Aの状態を示すパラメ
    ータをモニターし、上記パラメータが予め設定されてい
    る管理値を越えた場合、その時点で行っている処理を完
    了させた後、上記制御ユニットより上記稼働中の装置A
    に停止命令、上記予備の装置Bに稼働命令を出すと共
    に、動力源の供給を上記装置Aから上記装置Bに切り替
    えるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 パラメータの予め設定されている管理値
    は、稼働中の装置Aが上記管理値を越えた時点で処理中
    の製品も良品として次工程に進めるように、適正な余裕
    をもって設定されていることを特徴とする請求項1記載
    の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 パラメータが管理値に達し停止した装置
    Aは、補修後、予備の装置Bとして待機させることを特
    徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製
    造方法。
  4. 【請求項4】 装置Aおよび装置Bは、製造に携わる主
    要な装置として半導体装置を製造するものであることを
    特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項記載の半
    導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 装置Aおよび装置Bは、動力系の補助装
    置を共有することを特徴とする請求項4記載の半導体装
    置の製造方法。
  6. 【請求項6】 装置Aおよび装置Bは、製造に携わる主
    要な装置に付随する補助装置として半導体装置を製造す
    るものであることを特徴とする請求項1〜請求項3のい
    ずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
JP25340596A 1996-09-25 1996-09-25 半導体装置の製造方法 Pending JPH1097963A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000188247A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp ロットストップ情報連絡システム及びその情報連絡方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000188247A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp ロットストップ情報連絡システム及びその情報連絡方法

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