JPH109497A - 半導体製造用ガスの供給路 - Google Patents
半導体製造用ガスの供給路Info
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- JPH109497A JPH109497A JP16935496A JP16935496A JPH109497A JP H109497 A JPH109497 A JP H109497A JP 16935496 A JP16935496 A JP 16935496A JP 16935496 A JP16935496 A JP 16935496A JP H109497 A JPH109497 A JP H109497A
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- Japan
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- gas
- semiconductor manufacturing
- pipe
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- manufacturing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 施工コストを下げるとともに、高純度のガス
を半導体製造装置に供給することのできる半導体製造用
ガスの供給路を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置(２)の近傍部に第１ガス
精製装置(９)を配置するとともに、半導体製造装置(２)
の直近部分に第２ガス精製装置を配置する。ガス供給源
(１)と第１ガス精製装置(９)との間を光輝焼鈍管で接続
するとともに、第１ガス精製装置(９)と半導体製造装置
(２)との間を電解研磨管で接続する。第１ガス精製装置
(９)と第２ガス精製装置(10)との間から導出したサンプ
ル管(11)を分析装置(12)に接続する。
を半導体製造装置に供給することのできる半導体製造用
ガスの供給路を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置(２)の近傍部に第１ガス
精製装置(９)を配置するとともに、半導体製造装置(２)
の直近部分に第２ガス精製装置を配置する。ガス供給源
(１)と第１ガス精製装置(９)との間を光輝焼鈍管で接続
するとともに、第１ガス精製装置(９)と半導体製造装置
(２)との間を電解研磨管で接続する。第１ガス精製装置
(９)と第２ガス精製装置(10)との間から導出したサンプ
ル管(11)を分析装置(12)に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体製造装置に供給
する半導体製造装置に供給するガスの供給路に関し、特
に、希釈用ガスの供給路に関する。
する半導体製造装置に供給するガスの供給路に関し、特
に、希釈用ガスの供給路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体の高集積化により、よりクリ
ーンなガス（例えば、不純物の混合割合がｐｐｂオーダ
ーの高純度ガス）を半導体製造装置に供給することが求
められている。ところで、原料ガスの純度が高くても、
配管内面から放出されるガス（アウトガス）で供給ガス
が汚染されることがある。そこで、従来、配管を電解研
磨管（ＥＰ管）で形成するとともにガス供給源に第１精
製装置と分析装置とを配置し、この第１精製装置で精製
された精製ガスを作業室（クリーンルーム）内に配置し
た第２精製装置を介して半導体製造装置に供給するよう
にしたものや、ガス供給源に分析装置を配置するととも
に、配管内面に酸化不動態膜やクロムリッチ不動態膜を
形成したもの（ＯＰ管やＣＲＰ管）でガス供給源と半導
体製造装置とを接続したものが提供されている。
ーンなガス（例えば、不純物の混合割合がｐｐｂオーダ
ーの高純度ガス）を半導体製造装置に供給することが求
められている。ところで、原料ガスの純度が高くても、
配管内面から放出されるガス（アウトガス）で供給ガス
が汚染されることがある。そこで、従来、配管を電解研
磨管（ＥＰ管）で形成するとともにガス供給源に第１精
製装置と分析装置とを配置し、この第１精製装置で精製
された精製ガスを作業室（クリーンルーム）内に配置し
た第２精製装置を介して半導体製造装置に供給するよう
にしたものや、ガス供給源に分析装置を配置するととも
に、配管内面に酸化不動態膜やクロムリッチ不動態膜を
形成したもの（ＯＰ管やＣＲＰ管）でガス供給源と半導
体製造装置とを接続したものが提供されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、配管をＥＰ
管で構成したものでは、配管内面からのアウトガスによ
る汚染を完全に防止することは困難であることから、ガ
ス供給源に配設した精製装置のほかに半導体製造装置の
近傍部に精製装置を配置しなければならない。このた
め、この配管をＥＰ管で構成したものでは、ガス供給路
を構成する機器点数が多く、全体としての施工コストが
高くなるという問題がある。また、このものでは、実際
に半導体製造装置に流入するガスの純度を確認できない
という問題もある。
管で構成したものでは、配管内面からのアウトガスによ
る汚染を完全に防止することは困難であることから、ガ
ス供給源に配設した精製装置のほかに半導体製造装置の
近傍部に精製装置を配置しなければならない。このた
め、この配管をＥＰ管で構成したものでは、ガス供給路
を構成する機器点数が多く、全体としての施工コストが
高くなるという問題がある。また、このものでは、実際
に半導体製造装置に流入するガスの純度を確認できない
という問題もある。
【０００４】一方、ガス供給路の配管全体をＯＰ管やＣ
ＲＰ管で構成したものでは、配管内面からのアウトガス
による汚染はないとされているが、配管材料が高価なう
え、高度な配管施工技術が要求されることから、施工コ
ストが高いという問題があった。また、立ち上げ時に入
念なパージ処理が必要になるとともに、配管の変更時に
全体を汚染してしまう虞れがあり、配管変更を容易に行
えないという問題もあった。
ＲＰ管で構成したものでは、配管内面からのアウトガス
による汚染はないとされているが、配管材料が高価なう
え、高度な配管施工技術が要求されることから、施工コ
ストが高いという問題があった。また、立ち上げ時に入
念なパージ処理が必要になるとともに、配管の変更時に
全体を汚染してしまう虞れがあり、配管変更を容易に行
えないという問題もあった。
【０００５】本発明は、このような点に鑑み提案された
もので、施工コストを下げるとともに、高純度のガスを
半導体製造装置に供給することのできる半導体製造用ガ
スの供給路を提供することを目的とする。
もので、施工コストを下げるとともに、高純度のガスを
半導体製造装置に供給することのできる半導体製造用ガ
スの供給路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、半導体製造装置の近傍部に第１ガス精製
装置を配置するとともに、半導体製造装置の直近部分に
第２ガス精製装置を配置し、ガス供給源と第１ガス精製
装置との間を光輝焼鈍管で接続するとともに、第１ガス
精製装置と半導体製造装置との間を電解研磨管で接続
し、第１ガス精製装置と第２ガス精製装置との間から導
出したサンプル管を分析装置に接続したことを特徴とし
ている。
めに本発明は、半導体製造装置の近傍部に第１ガス精製
装置を配置するとともに、半導体製造装置の直近部分に
第２ガス精製装置を配置し、ガス供給源と第１ガス精製
装置との間を光輝焼鈍管で接続するとともに、第１ガス
精製装置と半導体製造装置との間を電解研磨管で接続
し、第１ガス精製装置と第２ガス精製装置との間から導
出したサンプル管を分析装置に接続したことを特徴とし
ている。
【０００７】
【作用】本発明では、半導体製造装置の近傍部に第１ガ
ス精製装置を配置するとともに、半導体製造装置の直近
部分に第２ガス精製装置を配置し、ガス供給源とガス第
１精製装置との間を光輝焼鈍管で接続するとともに、第
１ガス精製装置と半導体製造装置との間を電解研磨管で
接続し、第１ガス精製装置と第２ガス精製装置との間か
ら導出したサンプル管を分析装置に接続しているので、
半導体製造装置への導入直前に精製して半導体製造装置
に高純度のガスを供給することができるうえ、半導体製
造装置に導入されるガスの純度をモニタリングでき、か
つ、配管系のイニシアルコストを低減することができ
る。
ス精製装置を配置するとともに、半導体製造装置の直近
部分に第２ガス精製装置を配置し、ガス供給源とガス第
１精製装置との間を光輝焼鈍管で接続するとともに、第
１ガス精製装置と半導体製造装置との間を電解研磨管で
接続し、第１ガス精製装置と第２ガス精製装置との間か
ら導出したサンプル管を分析装置に接続しているので、
半導体製造装置への導入直前に精製して半導体製造装置
に高純度のガスを供給することができるうえ、半導体製
造装置に導入されるガスの純度をモニタリングでき、か
つ、配管系のイニシアルコストを低減することができ
る。
【０００８】また、供給ガスは半導体製造装置に導入さ
れる直前に精製されることになるから、仮に第１ガス精
製装置よりも上流側で配管内壁からのアウトガスによる
汚染が発生しても第１ガス精製装置よりも下流側にその
汚染影響がでにくくなる。これにより、配管ルートの変
更にも対応しやすく、施工後の立ち上がりも早くなる。
れる直前に精製されることになるから、仮に第１ガス精
製装置よりも上流側で配管内壁からのアウトガスによる
汚染が発生しても第１ガス精製装置よりも下流側にその
汚染影響がでにくくなる。これにより、配管ルートの変
更にも対応しやすく、施工後の立ち上がりも早くなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図面は半導体製造用ガスの供給系
を示す概要図であり、図中符号(１)はガス供給源、(２)
は半導体製造装置、(３)はガス供給源(１)と半導体製造
装置(２)とを接続するガス供給路であり、ガス供給源
(１)は液体アルゴンや液体窒素等の希釈用ガスとなる液
化ガスを貯蔵する液化ガス貯蔵槽(４)と気化器(５)及び
減圧装置(６)とで構成してある。そして、このガス供給
系では、１つのガス供給源(１)から複数の半導体製造装
置(２)に希釈用ガスを供給できるようにしてある。
を示す概要図であり、図中符号(１)はガス供給源、(２)
は半導体製造装置、(３)はガス供給源(１)と半導体製造
装置(２)とを接続するガス供給路であり、ガス供給源
(１)は液体アルゴンや液体窒素等の希釈用ガスとなる液
化ガスを貯蔵する液化ガス貯蔵槽(４)と気化器(５)及び
減圧装置(６)とで構成してある。そして、このガス供給
系では、１つのガス供給源(１)から複数の半導体製造装
置(２)に希釈用ガスを供給できるようにしてある。
【００１０】ガス供給路(３)は、ガス供給源(１)から導
出した本管部分(７)と各半導体製造装置(２)に接続する
枝管部分(８)とで構成してあり、本管部分(７)にガス供
給源(１)から導出した希釈用ガスから不純ガス成分を除
去する第１ガス精製装置(９）が配置してあり、各枝管
部分（８)には第２ガス精製装置(10)がそれぞれ装着し
てある。この第２ガス精製装置(10)は、各半導体製造装
置(２)に供給されている他種ガスの吹き戻し等による第
１ガス精製装置(９)よりも下流側での汚染に対応するも
ので、各半導体製造装置(２)の直近位置に配設してあ
る。
出した本管部分(７)と各半導体製造装置(２)に接続する
枝管部分(８)とで構成してあり、本管部分(７)にガス供
給源(１)から導出した希釈用ガスから不純ガス成分を除
去する第１ガス精製装置(９）が配置してあり、各枝管
部分（８)には第２ガス精製装置(10)がそれぞれ装着し
てある。この第２ガス精製装置(10)は、各半導体製造装
置(２)に供給されている他種ガスの吹き戻し等による第
１ガス精製装置(９)よりも下流側での汚染に対応するも
ので、各半導体製造装置(２)の直近位置に配設してあ
る。
【００１１】そして、第１ガス精製装置(９)と第２ガス
精製装置(10)との間の各枝管部分(８)からサンプル管(1
1)が導出してあり、このサンプル配管(11)はガス分析装
置(12)に連通接続してある。
精製装置(10)との間の各枝管部分(８)からサンプル管(1
1)が導出してあり、このサンプル配管(11)はガス分析装
置(12)に連通接続してある。
【００１２】そして、このガス供給系では、ガス供給路
(３)の本管部分(７)の第１ガス精製装置(10)の入口まで
は光輝焼鈍管(ＢＡ管)で、また、第１ガス精製装置(10)
よりも下流側のの本管部分及び枝管部分(８)は電解研磨
管(ＥＰ管)で配管してある。
(３)の本管部分(７)の第１ガス精製装置(10)の入口まで
は光輝焼鈍管(ＢＡ管)で、また、第１ガス精製装置(10)
よりも下流側のの本管部分及び枝管部分(８)は電解研磨
管(ＥＰ管)で配管してある。
【００１３】ガス供給源(１)と第１触媒式精製装置(９)
とを３０ｍのＢＡ管で接続し、第１ガス精製装置(９)と
第２ガス精製装置(10)とを３ｍのＥＰ管で接続し、第２
ガス精製装置(10)と半導体製造装置(２)とを２ｍのＥＰ
管で接続し、供給ガスとして液体アルゴンを気化させた
ものを使用して、ガス供給源(１)の出口部分と、第２ガ
ス精製装置(10)の入口部分からサンプリングしたガスを
大気圧イオン分析計で分析し、検出した不純ガス成分を
表１に示す。
とを３０ｍのＢＡ管で接続し、第１ガス精製装置(９)と
第２ガス精製装置(10)とを３ｍのＥＰ管で接続し、第２
ガス精製装置(10)と半導体製造装置(２)とを２ｍのＥＰ
管で接続し、供給ガスとして液体アルゴンを気化させた
ものを使用して、ガス供給源(１)の出口部分と、第２ガ
ス精製装置(10)の入口部分からサンプリングしたガスを
大気圧イオン分析計で分析し、検出した不純ガス成分を
表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】本発明では、半導体製造装置に導入する
直前にガスを精製するようにしていることから、半導体
製造装置の要求するガス純度に容易に対応することがで
きるうえ、半導体製造装置の直近でガス分析を行ってい
ることから、半導体製造装置に導入するガスの品質を正
確に把握することができる。
直前にガスを精製するようにしていることから、半導体
製造装置の要求するガス純度に容易に対応することがで
きるうえ、半導体製造装置の直近でガス分析を行ってい
ることから、半導体製造装置に導入するガスの品質を正
確に把握することができる。
【００１６】さらに、半導体製造装置に導入する直前に
ガスを精製するようにしていることから、第１ガス精製
装置までの間での配管内面からのアウトガスによる汚染
対策を採らなくてもよく、第１ガス精製装置よりも上流
側を安価な光輝焼鈍管で配管することができるうえ、配
管施工も容易に行うことができるから、施工コストを低
下させることができる。
ガスを精製するようにしていることから、第１ガス精製
装置までの間での配管内面からのアウトガスによる汚染
対策を採らなくてもよく、第１ガス精製装置よりも上流
側を安価な光輝焼鈍管で配管することができるうえ、配
管施工も容易に行うことができるから、施工コストを低
下させることができる。
【００１７】また、半導体製造装置の近傍に第１ガス精
製装置を配置し、導入直前にガス精製するようにしてあ
ることから、配管フローの変更や改造に際して、配管系
に汚染が発生しても、その汚染影響が第１ガス精製装置
の下流側に現れることを防止することができる。
製装置を配置し、導入直前にガス精製するようにしてあ
ることから、配管フローの変更や改造に際して、配管系
に汚染が発生しても、その汚染影響が第１ガス精製装置
の下流側に現れることを防止することができる。
【００１８】さらに、第１ガス精製装置から半導体ガス
製造装置の間に第２ガス精製装置を配置してあるので、
製造装置の間に第２ガス精製装置を配置してあるので、
【図１】半導体製造用ガスの供給系を示す概要図であ
る。
る。
１…ガス供給源、２…半導体製造装置、３…ガス供給
路、９…第１ガス精製装置、10…第２ガス精製装置、11
…サンプル管、12…分析装置。
路、９…第１ガス精製装置、10…第２ガス精製装置、11
…サンプル管、12…分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年６月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】さらに、第１ガス精製装置から半導体製造
装置の間に第２ガス精製装置を配置してあるので、第１
ガス精製装置と第２ガス精製装置との間から導出したサ
ンプル管から、仮に 不純物が混入することがあっても第
２ガス精製装置の存在によって半導体製造装置が汚染 さ
れることを防止することができる。
装置の間に第２ガス精製装置を配置してあるので、第１
ガス精製装置と第２ガス精製装置との間から導出したサ
ンプル管から、仮に 不純物が混入することがあっても第
２ガス精製装置の存在によって半導体製造装置が汚染 さ
れることを防止することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ガス供給源(１)と半導体製造装置(２)と
を接続する半導体製造用ガスの供給路(３)であって、半
導体製造装置(２)の近傍部に第１ガス精製装置(９)を配
置するとともに、半導体製造装置(２)の直近に第２ガス
精製装置(10)を配置し、ガス供給源(１)と第１ガス精製
装置(９)との間を光輝焼鈍管で接続するとともに、第１
ガス精製装置(９)と半導体製造装置(２)との間を電解研
磨管で接続し、第１ガス精製装置(９)と第２ガス精製装
置(10)との間から導出したサンプル管(11)を分析装置(1
2)に接続したことを特徴とする半導体製造用ガスの供給
路。 - 【請求項２】 第１ガス精製装置(９)と半導体製造装置
(２)とを接続する供給路を複数に分岐させ、各分岐路に
第２ガス精製装置(10)を配置し、サンプル管(11)を各分
岐管から導出した請求項１には記載の半導体製造用ガス
の供給路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16935496A JPH109497A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 半導体製造用ガスの供給路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16935496A JPH109497A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 半導体製造用ガスの供給路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH109497A true JPH109497A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=15885025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16935496A Pending JPH109497A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 半導体製造用ガスの供給路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH109497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225210A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Mitsui Chemicals Inc | オンサイト型ガス製造方法、製造装置およびガス製造販売システム |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP16935496A patent/JPH109497A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225210A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Mitsui Chemicals Inc | オンサイト型ガス製造方法、製造装置およびガス製造販売システム |
| JP4575806B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-11-04 | 三井化学株式会社 | オンサイト型ガス製造装置およびガス製造販売システム |
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