JP2006225210A - オンサイト型ガス製造方法、製造装置およびガス製造販売システム - Google Patents
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Abstract
【課題】 十分に品質保証されたガスの製造が可能なオンサイト型ガス製造方法および装置を提供するとともに、これを用いたガス製造販売システムを提供する。
【解決手段】 ガス製造装置は、原料供給装置1、製造装置2、精製装置3、品質保証装置4とがこの順序で直列に配置され、製造したガスが消費装置5に供給可能となっている。まず、原料を原料供給装置1を介して、または原料供給装置1に貯蔵しておき、これを製造装置2に供給する。製造装置2にて発生させたガスは、精製装置3に送られ、不純物を取り除くことにより高純度化を実施する。高純度化されたガスは、品質保証装置4に送られ、ガス中の不純物濃度を分析することにより、必要に応じて分析結果を製造装置2などにフィードバックし、ガスの品質保証を行なう。品質保証されたガスは、ガスの消費装置5に供給される。
【選択図】 図1
Description
前記消費装置に供給する前に、ガスの分析を行い、異常が検出されなかった場合にガスを前記消費装置に供給することを特徴とするオンサイト型のガス製造方法である。
原料を供給するための原料供給装置と、
前記原料供給装置から供給された原料を反応させてガスを発生させる製造装置と、
前記製造装置で発生したガスを精製する精製装置と、
前記精製装置で精製されたガスの分析を行う品質保証装置とを有し、
前記品質保証装置の分析結果に基づいて、異常が検出されなかった場合に、前記消費装置にガスを供給することを特徴とするオンサイト型ガス製造装置である。
オンサイト型ガス製造装置を構成する前記原料供給装置、前記製造装置、前記精製装置、前記品質保証装置は、それぞれ装置自身の動作状況を示す動作状況情報を作成して消費事業者側サーバに送信し、
消費事業者側サーバは、受信した前記動作状況情報に基づいて、課金算出情報を作成して製造装置設置業者側サーバに送信し、
製造装置設置業者側サーバは、受信した前記課金算出情報に基づいて消費事業者に請求すべき金額を算出し、算出した金額を含む課金情報を作成して消費事業者側サーバに送信することを特徴とするガス製造販売システムである。
前記原料供給装置、前記製造装置、前記精製装置、前記品質保証装置は、前記管理制御コマンドを受信すると、コマンド内容に従って動作の変更を行うことを特徴とする。
これにより、ガスを貯蔵する機能と瞬時に供給する機能とを実現することができる。
図1は、本発明の実施の一形態であるオンサイト型ガス製造装置を示す構成図である。ガス製造装置は、原料供給装置1、製造装置2、精製装置3、品質保証装置4とがこの順序で直列に配置され、製造したガスが消費装置5に供給可能となっている。まず、原料を原料供給装置1を介して、または原料供給装置1に貯蔵しておき、これを製造装置2に供給する。製造装置2にて発生させたガスは、精製装置3に送られ、不純物を取り除くことにより高純度化を実施する。高純度化されたガスは、品質保証装置4に送られ、ガス中の不純物濃度を分析することにより、必要に応じて分析結果を製造装置2などにフィードバックし、ガスの品質保証を行なう。品質保証されたガスは、ガスの消費装置5に供給される。
Micro Electro Mechanical Systems)とも呼ばれ、半導体製造技術を主とした加工手段により、マイクロチャネルと孔とを形成したマイクロリアクタチップにより構成されていることを基本とする。
ガス製造販売システムは、少なくともオンサイト型ガス製造装置28、消費事業者側サーバ装置29、製造装置設置事業者側サーバ装置30を含み、さらに配送事業者側サーバ装置31、消費装置5、廃棄装置23を含んでもよい。
[実施例1]
本発明のオンサイト型ガス製造装置の実施例として、水とエタノールを原料とし、反応生成物として水素ガスを製造する装置を作製した。
図16は、製造装置2を構成するマイクロリアクタチップの製造方法を示す工程図である。製造装置2に用いるマイクロリアクタチップは、ガスを発生させるためにマイクロチャネルに触媒を担持している。
(2)精製装置の作製
図18は、精製装置3を構成するマイクロリアクタチップの製造方法を示す工程図である。
(3)品質保証装置の作製
図20は、品質保証装置4を構成するマイクロリアクタチップの製造方法を示す工程図である。
本実施例においては、図1に示したように、原料供給装置1、製造装置2、精製装置3、品質保証装置4、消費装置5を連結あいた構成とした。なお、消費装置5としては、既存のガスクロマトグラフィー装置を用いた。
実施例1では、消費装置としてガスクロマトグラフィーを設置したが、実施例2ではプラズマCVD装置を設置した。さらに、原料供給装置1、製造装置2、精製装置3、品質保証装置4、消費装置5とサーバ装置とを通信回線にて接続し、動作状況のモニタリングなど一括管理運転を実施することができた。
2 製造装置
3 精製装置
4 品質保証装置
5 消費装置
6 マイクロリアクタチップ
7 孔
8 チャネル
9 ホルダー(上側)
10 ホルダー(下側)
11 接続パイプ
11a テフロン製チューブ
12 マイクロリアクタ
13 昇圧器
14a 入口側の3方バルブ
14b 出口側の3方バルブ
15 バルブ
16 戻りライン
17a 入口側の3方バルブ
17b 出口側の3方バルブ
19 バイパスライン
20 ライン
21 消費装置に接続されたパイプ
22 廃棄装置に接続されたパイプ
23 廃棄装置
24 返しライン
25 廃棄装置に接続されたライン
26 通信のためのケーブル
27 ネットワーク回線
29 消費事業者側サーバ装置
30 製造装置設置事業者側サーバ装置
31 配送事業者側サーバ装置
41 入出力端子
42 通信ケーブル
43 ケース
44 ボックス
45 ケースに取り付けられたコネクタ
46 ボックスに取り付けられたコネクタ
47 外部通信用コネクタ
Claims (8)
- 消費者の有する消費装置の近傍でガスを製造して供給するオンサイト型のガス製造方法であって、
前記消費装置に供給する前に、ガスの分析を行い、異常が検出されなかった場合にガスを前記消費装置に供給することを特徴とするオンサイト型のガス製造方法。 - 消費者の有する消費装置の近傍でガスを製造して供給するオンサイト型ガス製造装置であって、
原料を供給するための原料供給装置と、
前記原料供給装置から供給された原料を反応させてガスを発生させる製造装置と、
前記製造装置で発生したガスを精製する精製装置と、
前記精製装置で精製されたガスの分析を行う品質保証装置とを有し、
前記品質保証装置の分析結果に基づいて、異常が検出されなかった場合に、前記消費装置にガスを供給することを特徴とするオンサイト型ガス製造装置。 - 前記製造装置、前記精製装置、前記品質保証装置は、それぞれマイクロリアクタを備えることを特徴とする請求項2記載のオンサイト型ガス製造装置。
- 前記製造装置が備えるマイクロリアクタは、当該マイクロリアクタの環境パラメータを検出する検出手段と、前記環境パラメータを変更する変更手段とを備えることを特徴とする請求項3記載のオンサイト型ガス製造装置。
- 前記精製装置は、精製したガスを貯蔵し、かつ昇圧することが可能なバッファタンクを備えることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載のオンサイト型ガス製造装置。
- 前記品質保証装置が備えるマイクロリアクタは、ガス中に含まれる成分を分析する分析用マイクロリアクタチップを1または複数備えることを特徴とする請求項5記載のオンサイト型ガス製造装置。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載のオンサイト型ガス製造装置と、オンサイト型ガス製造装置を管理する製造装置設置業者によって利用される製造装置設置業者側サーバと、オンサイト型ガス製造装置を運転し、製造されたガスを消費する消費事業者によって利用される消費事業者側サーバとを含み、これらが互いにデータ通信可能に構成されるガス製造販売システムであって、
オンサイト型ガス製造装置を構成する前記原料供給装置、前記製造装置、前記精製装置、前記品質保証装置は、それぞれ装置自身の動作状況を示す動作状況情報を作成して消費事業者側サーバに送信し、
消費事業者側サーバは、受信した前記動作状況情報に基づいて、課金算出情報を作成して製造装置設置業者側サーバに送信し、
製造装置設置業者側サーバは、受信した前記課金算出情報に基づいて消費事業者に請求すべき金額を算出し、算出した金額を含む課金情報を作成して消費事業者側サーバに送信することを特徴とするガス製造販売システム。 - 製造装置設置業者側サーバは、前記動作状況情報に基づいて、オンサイト型ガス製造装置の動作状況を判断し、その判断結果に応じてオンサイト型ガス製造装置を制御するための管理制御コマンドを送信し、
前記原料供給装置、前記製造装置、前記精製装置、前記品質保証装置は、前記管理制御コマンドを受信すると、コマンド内容に従って動作の変更を行うことを特徴とする請求項7記載のガス製造販売システム。
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JP (1) | JP4575806B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2308632A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-13 | Linde Aktiengesellschaft | Method of and device for wire bonding with on-site gas generator |
WO2012008093A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | 株式会社 東芝 | 電力設備監視制御システム |
WO2012050216A1 (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 水精製システムの使用に対する課金方法 |
JP2015189629A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 水素供給システム及び水素ステーション |
JP2017088489A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 東京瓦斯株式会社 | 水素製造装置 |
JP2020079166A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | 東京瓦斯株式会社 | 水素製造装置、水素製造方法、水素純度監視制御プログラム |
JP2021027837A (ja) * | 2015-02-17 | 2021-02-25 | 味の素株式会社 | 有機化合物又は微生物の製造システム及び製造方法 |
JP2022067793A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | 株式会社タツノ | ガス充填システム |
JP2022067778A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | 株式会社タツノ | ガス充填システム |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54126689A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-02 | Daiyo Sanso | High purity hydrogen gas generating method |
JPH03208801A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 水素原料改質ガス中の一酸化炭素除去方法 |
JPH109497A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-13 | Iwatani Internatl Corp | 半導体製造用ガスの供給路 |
JP2002161997A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Corp | 水素カートリッジ、水素ガス供給システム及び水素カートリッジの管理方法 |
JP2002306950A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-22 | Iwatani Internatl Corp | 高純度不活性ガス供給装置 |
JP2002356310A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Osaka Gas Co Ltd | 一酸化炭素除去方法及びこれを用いた燃料電池システムの運転方法 |
JP2002372199A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Tokyo Gas Co Ltd | 水素供給システム |
JP2003084001A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-19 | Kawamura Inst Of Chem Res | 微小バルブ機構を有するマイクロ流体デバイス、マイクロ流体デバイスの微小バルブ機構駆動装置、及び流量調節方法 |
JP2003146601A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Toyota Motor Corp | 水素ガス供給装置 |
JP2003299946A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-21 | Casio Comput Co Ltd | 化学反応装置及び電源システム |
JP2003315271A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ生成装置及びそれを用いたガス分析装置 |
JP2004116544A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | 水素供給ステーション及びその制御方法 |
JP2004157898A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 環境監視システム |
JP2004203722A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Tongrae Cho | 天然ガス改質方法及び天然ガス改質装置 |
-
2005
- 2005-02-18 JP JP2005042725A patent/JP4575806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54126689A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-02 | Daiyo Sanso | High purity hydrogen gas generating method |
JPH03208801A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 水素原料改質ガス中の一酸化炭素除去方法 |
JPH109497A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-13 | Iwatani Internatl Corp | 半導体製造用ガスの供給路 |
JP2002161997A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Sony Corp | 水素カートリッジ、水素ガス供給システム及び水素カートリッジの管理方法 |
JP2002356310A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Osaka Gas Co Ltd | 一酸化炭素除去方法及びこれを用いた燃料電池システムの運転方法 |
JP2002306950A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-22 | Iwatani Internatl Corp | 高純度不活性ガス供給装置 |
JP2002372199A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Tokyo Gas Co Ltd | 水素供給システム |
JP2003084001A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-19 | Kawamura Inst Of Chem Res | 微小バルブ機構を有するマイクロ流体デバイス、マイクロ流体デバイスの微小バルブ機構駆動装置、及び流量調節方法 |
JP2003146601A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Toyota Motor Corp | 水素ガス供給装置 |
JP2003299946A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-21 | Casio Comput Co Ltd | 化学反応装置及び電源システム |
JP2003315271A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ生成装置及びそれを用いたガス分析装置 |
JP2004116544A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Mitsubishi Kakoki Kaisha Ltd | 水素供給ステーション及びその制御方法 |
JP2004157898A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 環境監視システム |
JP2004203722A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Tongrae Cho | 天然ガス改質方法及び天然ガス改質装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2308632A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-13 | Linde Aktiengesellschaft | Method of and device for wire bonding with on-site gas generator |
WO2012008093A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | 株式会社 東芝 | 電力設備監視制御システム |
JP2012022634A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 電力設備監視制御システム |
WO2012050216A1 (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 水精製システムの使用に対する課金方法 |
JP2012084057A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Tokyo Electron Ltd | 水精製システムの使用に対する課金方法及び記憶媒体 |
JP2015189629A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 水素供給システム及び水素ステーション |
JP2021027837A (ja) * | 2015-02-17 | 2021-02-25 | 味の素株式会社 | 有機化合物又は微生物の製造システム及び製造方法 |
JP7496993B2 (ja) | 2015-02-17 | 2024-06-10 | 味の素株式会社 | 有機化合物又は微生物の製造システム及び製造方法 |
JP2017088489A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 東京瓦斯株式会社 | 水素製造装置 |
JP2020079166A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | 東京瓦斯株式会社 | 水素製造装置、水素製造方法、水素純度監視制御プログラム |
JP2022067793A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | 株式会社タツノ | ガス充填システム |
JP2022067778A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | 株式会社タツノ | ガス充填システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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