JPH1092623A - 電磁干渉抑制体 - Google Patents
電磁干渉抑制体Info
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- JPH1092623A JPH1092623A JP8241819A JP24181996A JPH1092623A JP H1092623 A JPH1092623 A JP H1092623A JP 8241819 A JP8241819 A JP 8241819A JP 24181996 A JP24181996 A JP 24181996A JP H1092623 A JPH1092623 A JP H1092623A
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- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性粉末の分散性を改善すると共に，磁性粉
末と有機結合剤の結合を強固にすることで，磁気特性お
よび機械物性に優れた電磁干渉抑制体を提供すること。 【解決手段】 軟磁性合金粉末と有機結合剤とからなる
複合磁性体を含む電磁干渉抑制体において，前記軟磁性
合金粉末は，溶解性パラメータＳｐ値が特定されたチタ
ネートカップリング剤またはシランカップリング剤処理
が施されている。
末と有機結合剤の結合を強固にすることで，磁気特性お
よび機械物性に優れた電磁干渉抑制体を提供すること。 【解決手段】 軟磁性合金粉末と有機結合剤とからなる
複合磁性体を含む電磁干渉抑制体において，前記軟磁性
合金粉末は，溶解性パラメータＳｐ値が特定されたチタ
ネートカップリング剤またはシランカップリング剤処理
が施されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，有機結合剤中に軟
磁性体粉末を混練・分散させた複合磁性体を含む電磁干
渉抑制体に関し，詳しくは，高周波電子回路／装置にお
いて問題となる電磁干渉の抑制に有効である複素透磁率
特性の優れた複合磁性体を用いた電磁干渉抑制体に関す
る。
磁性体粉末を混練・分散させた複合磁性体を含む電磁干
渉抑制体に関し，詳しくは，高周波電子回路／装置にお
いて問題となる電磁干渉の抑制に有効である複素透磁率
特性の優れた複合磁性体を用いた電磁干渉抑制体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年普及の著しいデジタル電子機器とし
て，ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ），リードオンリ
メモリ（ＲＯＭ），マイクロプロセッサ（ＭＰＵ），中
央演算処理装置（ＣＰＵ）又は画像プロセッサ算術論理
演算装置（ＩＰＡＬＵ）等の論理回路及び論理素子等が
ある。これらの論理回路及び論理素子は，能動素子であ
る多数の半導体素子で構成されたＬＳＩ及びＩＣから構
成され，プリント配線基板上に実装されている。これら
の論理回路及び論理素子においては，演算速度の高速
化，信号処理速度の高速化が図られており，その周波数
は準マイクロ波に及びつつある。このような論理回路等
において高速に変化する信号は電圧，電流の急激な変化
を伴うために，能動素子は誘導性ノイズを発生し高周波
ノイズ発生の原因ともなっている。この高周波ノイズ
は，クロストークノイズやインピーダンスの不整合によ
るノイズと相乗的に作用する。また，高周波ノイズは，
能動素子の発生した誘導性ノイズによることが多い。こ
の誘導性ノイズによって配線基板の素子実装面と同一面
及び反対面には高周波磁界が誘導される。
て，ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ），リードオンリ
メモリ（ＲＯＭ），マイクロプロセッサ（ＭＰＵ），中
央演算処理装置（ＣＰＵ）又は画像プロセッサ算術論理
演算装置（ＩＰＡＬＵ）等の論理回路及び論理素子等が
ある。これらの論理回路及び論理素子は，能動素子であ
る多数の半導体素子で構成されたＬＳＩ及びＩＣから構
成され，プリント配線基板上に実装されている。これら
の論理回路及び論理素子においては，演算速度の高速
化，信号処理速度の高速化が図られており，その周波数
は準マイクロ波に及びつつある。このような論理回路等
において高速に変化する信号は電圧，電流の急激な変化
を伴うために，能動素子は誘導性ノイズを発生し高周波
ノイズ発生の原因ともなっている。この高周波ノイズ
は，クロストークノイズやインピーダンスの不整合によ
るノイズと相乗的に作用する。また，高周波ノイズは，
能動素子の発生した誘導性ノイズによることが多い。こ
の誘導性ノイズによって配線基板の素子実装面と同一面
及び反対面には高周波磁界が誘導される。
【０００３】また，電子機器や電子装置の軽量化，薄型
化，及び小型化も急速に進んでいる。それに伴い，プリ
ント配線基板への電子部品実装密度も飛躍的に高くなっ
てきており，過密に実装された電子部品類や信号線等の
プリント配線，あるいは，モジュール間配線等が互いに
極めて接近することになり，更には，前述のように，信
号処理速度の高速化も図られているため，前述の誘導さ
れた高周波磁界によって，配線基板において電磁結合に
よる線間結合が増大するばかりでなく放射ノイズによる
干渉などが生じる。
化，及び小型化も急速に進んでいる。それに伴い，プリ
ント配線基板への電子部品実装密度も飛躍的に高くなっ
てきており，過密に実装された電子部品類や信号線等の
プリント配線，あるいは，モジュール間配線等が互いに
極めて接近することになり，更には，前述のように，信
号処理速度の高速化も図られているため，前述の誘導さ
れた高周波磁界によって，配線基板において電磁結合に
よる線間結合が増大するばかりでなく放射ノイズによる
干渉などが生じる。
【０００４】さらに，放射ノイズが発生すると，外部接
続端子を経て外部に放射され，他の機器に悪影響を及ぼ
すことがある。このような，電磁波による電子機器の誤
動作及び他の機器への悪影響は一般に電磁障害と呼ばれ
る。
続端子を経て外部に放射され，他の機器に悪影響を及ぼ
すことがある。このような，電磁波による電子機器の誤
動作及び他の機器への悪影響は一般に電磁障害と呼ばれ
る。
【０００５】このような電磁障害に対して従来，電子機
器において誘導性ノイズを発生する回路にフィルタを接
続することや，問題となる回路（誘導性ノイズを発生す
る回路）を影響を受ける回路から遠ざけることや，シー
ルディングを行うことや，グラウンディングを行うこと
等の対策が一般に採られている。
器において誘導性ノイズを発生する回路にフィルタを接
続することや，問題となる回路（誘導性ノイズを発生す
る回路）を影響を受ける回路から遠ざけることや，シー
ルディングを行うことや，グラウンディングを行うこと
等の対策が一般に採られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで，能動素子を含
む電子部品が高密度実装されたプリント配線基板等にお
いて，上述の電磁障害を効率的に処置しようとする場
合，従来の対策（ノイズ抑制方法）では，ノイズ対策の
専門的知識と経験を必要とすることや，対策に時間を要
するという欠点を有した。
む電子部品が高密度実装されたプリント配線基板等にお
いて，上述の電磁障害を効率的に処置しようとする場
合，従来の対策（ノイズ抑制方法）では，ノイズ対策の
専門的知識と経験を必要とすることや，対策に時間を要
するという欠点を有した。
【０００７】特に，上記フィルタ実装においては，使用
するフィルタが高価であること，フィルタを実装するス
ペースに制約のあることが多いこと，フィルタの実装作
業に困難性を伴うこと，フィルタ等を用いるので電子装
置を組み立てるための所要工程数が多くなりコストアッ
プとなってしまうという欠点を有した。
するフィルタが高価であること，フィルタを実装するス
ペースに制約のあることが多いこと，フィルタの実装作
業に困難性を伴うこと，フィルタ等を用いるので電子装
置を組み立てるための所要工程数が多くなりコストアッ
プとなってしまうという欠点を有した。
【０００８】また，従来の方法では，同一回路内の電子
部品間で発生する信号線間の電磁誘導及び不要電磁波に
よる相互干渉の抑制効果は充分でない。
部品間で発生する信号線間の電磁誘導及び不要電磁波に
よる相互干渉の抑制効果は充分でない。
【０００９】さらに，電子装置の小型軽量化を図る際に
は，上記問題となる回路を分離する方法は不都合である
とともに，フィルタ及びその実装スペースの排除を行う
必要がある。
は，上記問題となる回路を分離する方法は不都合である
とともに，フィルタ及びその実装スペースの排除を行う
必要がある。
【００１０】また，電子装置に使用される一般的なプリ
ント配線基板は，取り扱う信号が低周波の場合には基板
内部から発生する電磁誘導等の信号線間の電磁結合が比
較的小さく問題とならないが，動作周波数が高周波にな
るにつれて信号線間の電磁結合が密となるため前記した
ような問題点を生じる。
ント配線基板は，取り扱う信号が低周波の場合には基板
内部から発生する電磁誘導等の信号線間の電磁結合が比
較的小さく問題とならないが，動作周波数が高周波にな
るにつれて信号線間の電磁結合が密となるため前記した
ような問題点を生じる。
【００１１】また，上記シールディングのうちで，導体
シールドは空間とのインピーダンス不整合に起因する電
磁波の反射を利用する電磁障害対策であるために，遮蔽
効果は得られても不要輻射源からの反射による電磁結合
が助長され，その結果二次的な電磁障害を引き起こす場
合が少なからず生じている。
シールドは空間とのインピーダンス不整合に起因する電
磁波の反射を利用する電磁障害対策であるために，遮蔽
効果は得られても不要輻射源からの反射による電磁結合
が助長され，その結果二次的な電磁障害を引き起こす場
合が少なからず生じている。
【００１２】この二次的な電磁障害対策として，磁性体
の磁気損失を利用した不要輻射の抑制が有効である。即
ち，前記シールド体と不要輻射源の間に磁気損失の大き
い磁性体を配設する事で不要輻射を抑制することが出来
る。ここで，磁性体の厚さｄは，μ″＞μ′なる関係を
満足する周波数帯域にてμ″に反比例するので，前記し
た電子機器の小型化及び軽量化要求に迎合する薄い電磁
干渉抑制体，即ち，シールド体と磁性体からなる複合体
を得るためには，虚数部透磁率μ″の大きな磁性体が必
要となる。また，前記した不要輻射は，多くの場合その
成分が広い周波数範囲にわたっており，電磁障害に係る
周波数成分の特定も困難な場合が少なくない。
の磁気損失を利用した不要輻射の抑制が有効である。即
ち，前記シールド体と不要輻射源の間に磁気損失の大き
い磁性体を配設する事で不要輻射を抑制することが出来
る。ここで，磁性体の厚さｄは，μ″＞μ′なる関係を
満足する周波数帯域にてμ″に反比例するので，前記し
た電子機器の小型化及び軽量化要求に迎合する薄い電磁
干渉抑制体，即ち，シールド体と磁性体からなる複合体
を得るためには，虚数部透磁率μ″の大きな磁性体が必
要となる。また，前記した不要輻射は，多くの場合その
成分が広い周波数範囲にわたっており，電磁障害に係る
周波数成分の特定も困難な場合が少なくない。
【００１３】従って，前記電磁干渉抑制体についてもよ
り広い周波数の不要輻射に対応できるものが望まれてい
る。
り広い周波数の不要輻射に対応できるものが望まれてい
る。
【００１４】特に，携帯電話等においては，小型化，薄
型化に伴って，磁気特性及び機械物性の向上が望まれて
いる。
型化に伴って，磁気特性及び機械物性の向上が望まれて
いる。
【００１５】そこで，本発明の技術的課題は，磁性粉末
の分散性を改善すると共に，磁性粉末と有機結合剤の結
合を強固にすることで，磁気特性および機械物性に優れ
た電磁干渉抑制体を提供することにある。
の分散性を改善すると共に，磁性粉末と有機結合剤の結
合を強固にすることで，磁気特性および機械物性に優れ
た電磁干渉抑制体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，軟磁性
合金粉末と有機結合剤からなる複合磁性体を含む電磁干
渉抑制体において，前記軟磁性合金粉末は，チタネート
カップリング剤またはシランカップリング剤処理が施さ
れていることを特徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
合金粉末と有機結合剤からなる複合磁性体を含む電磁干
渉抑制体において，前記軟磁性合金粉末は，チタネート
カップリング剤またはシランカップリング剤処理が施さ
れていることを特徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
【００１７】また，本発明によれば，前記電磁干渉抑制
体において，前記チタネートカップリング剤またはシラ
ンカップリング剤の溶解性パラメ一夕Ｓｐ値（ＳｐＣ）
と，前記有機結合剤の溶解性パラメータＳｐ値との差Δ
Ｓｐ＝｜ＳｐＣ−ＳｐＰ｜が１．０以下であることを特
徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
体において，前記チタネートカップリング剤またはシラ
ンカップリング剤の溶解性パラメ一夕Ｓｐ値（ＳｐＣ）
と，前記有機結合剤の溶解性パラメータＳｐ値との差Δ
Ｓｐ＝｜ＳｐＣ−ＳｐＰ｜が１．０以下であることを特
徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
【００１８】ここで，本発明で使用できるものの例とし
ては，有機結合剤として，例えば，ＳｐＰ値が８．４の
塩素化ポリエチレンに，カップリング剤としてＳｐＣ値
が８．７のチタネートカップリング剤を用いることがで
きる。
ては，有機結合剤として，例えば，ＳｐＰ値が８．４の
塩素化ポリエチレンに，カップリング剤としてＳｐＣ値
が８．７のチタネートカップリング剤を用いることがで
きる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て，説明する。
て，説明する。
【００２０】本発明では，チタネートカップリング剤ま
たはシランカップリング剤処理を施した軟磁性合金粉末
と有機結合剤からなる複合磁性体を電磁干渉抑制体に適
用した。ここで，本発明の電磁干渉抑制体とは，複合磁
性体を直接シート状や所望する形状に成形して用いる
か，又はこの複合磁性体を導電性又は絶縁性を備えた，
板，網目状の板，又は繊維の織物からなる支持体に塗布
したり，重ね合わせて成形したものである。
たはシランカップリング剤処理を施した軟磁性合金粉末
と有機結合剤からなる複合磁性体を電磁干渉抑制体に適
用した。ここで，本発明の電磁干渉抑制体とは，複合磁
性体を直接シート状や所望する形状に成形して用いる
か，又はこの複合磁性体を導電性又は絶縁性を備えた，
板，網目状の板，又は繊維の織物からなる支持体に塗布
したり，重ね合わせて成形したものである。
【００２１】本発明において，チタネート系カップリン
グ剤としては，下記表１に示すものが例示できる。
グ剤としては，下記表１に示すものが例示できる。
【００２２】
【表１】
【００２３】さらに，本発明においては，有機結合剤と
しては，ポリエチレンと塩化ビニルとの中間に位置する
ＳｐＰ値を有するＳｐＰ値＝８．４の塩素化ポリエチレ
ンの他に下記表２に示すものが例示できる。
しては，ポリエチレンと塩化ビニルとの中間に位置する
ＳｐＰ値を有するＳｐＰ値＝８．４の塩素化ポリエチレ
ンの他に下記表２に示すものが例示できる。
【００２４】
【表２】
【００２５】本発明においては，上記表１に示すチタネ
ート系カップリング剤の溶解性パラメータＳｐ値（Ｓｐ
Ｃ）及び上記表２に示す有機結合剤の溶解性パラメータ
Ｓｐ値（ＳｐＰ））との差ΔＳｐ＝｜ＳｐＣ−ＳｐＰ｜
が１．０以下であれば，軟磁性粉末の結合剤中での分散
性を改善し，特性を高めることができる。
ート系カップリング剤の溶解性パラメータＳｐ値（Ｓｐ
Ｃ）及び上記表２に示す有機結合剤の溶解性パラメータ
Ｓｐ値（ＳｐＰ））との差ΔＳｐ＝｜ＳｐＣ−ＳｐＰ｜
が１．０以下であれば，軟磁性粉末の結合剤中での分散
性を改善し，特性を高めることができる。
【００２６】図１は本発明の実施の形態によるカップリ
ング剤で処理した軟磁性粉末を用いた複合磁性体の実数
部透磁率μ´と虚数部透磁率μ''の周波数特性を示す図
である。図１を参照して，上記表１におけるカップリン
グ剤Ａ及びＢを用い，バインダーとして，塩素化ポリエ
チレンを使用した複合磁性体の実数部透磁率μ´は，夫
々曲線１１，１２に示すように，４０ＭＨｚ付近で極大
を示し周波数が増加するにつれて減少するのに対して，
虚数部透磁率μ''は，夫々曲線２１，２２で示すように
４０ＭＨｚ付近から一度増大し，１００ＭＨｚで極大を
示することがわかる。
ング剤で処理した軟磁性粉末を用いた複合磁性体の実数
部透磁率μ´と虚数部透磁率μ''の周波数特性を示す図
である。図１を参照して，上記表１におけるカップリン
グ剤Ａ及びＢを用い，バインダーとして，塩素化ポリエ
チレンを使用した複合磁性体の実数部透磁率μ´は，夫
々曲線１１，１２に示すように，４０ＭＨｚ付近で極大
を示し周波数が増加するにつれて減少するのに対して，
虚数部透磁率μ''は，夫々曲線２１，２２で示すように
４０ＭＨｚ付近から一度増大し，１００ＭＨｚで極大を
示することがわかる。
【００２７】次に，本発明の実施の形態による電磁干渉
抑制体の製造について具体的に説明する。
抑制体の製造について具体的に説明する。
【００２８】まず，下記表３に示す有機結合剤及びチタ
ネートカップリング剤を用いて，次の方法で，複合磁性
体を作製した。
ネートカップリング剤を用いて，次の方法で，複合磁性
体を作製した。
【００２９】初めに，センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ）
組成からなる扁平状の軟磁性粉末の８０重量部をヘンシ
ェルミキサに投入し，これを撹拌しながらチタネートカ
ップリング剤０．８重量部を添加し，さらに，２０分撹
拌しながら，カップリング剤で軟磁性粉末をコーティン
グした。次に，カップリング剤処理した軟磁性粉末８０
重量部に対して，下記表３に示す有機結合剤とともに２
軸混練機に投入し，磁性ペレットを得た。得られた磁性
ペレットをプレス成型機によって，１００ｍｍ平方で，
厚さ１ｍｍの板状に加工して，複合磁性体を得，電磁干
渉抑制体としての特性評価試料とした。
組成からなる扁平状の軟磁性粉末の８０重量部をヘンシ
ェルミキサに投入し，これを撹拌しながらチタネートカ
ップリング剤０．８重量部を添加し，さらに，２０分撹
拌しながら，カップリング剤で軟磁性粉末をコーティン
グした。次に，カップリング剤処理した軟磁性粉末８０
重量部に対して，下記表３に示す有機結合剤とともに２
軸混練機に投入し，磁性ペレットを得た。得られた磁性
ペレットをプレス成型機によって，１００ｍｍ平方で，
厚さ１ｍｍの板状に加工して，複合磁性体を得，電磁干
渉抑制体としての特性評価試料とした。
【００３０】
【表３】
【００３１】得られた特性評価試料の評価は，以下のよ
うに行った。
うに行った。
【００３２】まず，磁気特性については，１００ＭＨｚ
における透磁率を１ターンコイル法により求めた。次
に，粉末の分散性については，マトリックス中の磁性粉
末の分散性を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察す
ることで評価した。その結果を表４に示す。
における透磁率を１ターンコイル法により求めた。次
に，粉末の分散性については，マトリックス中の磁性粉
末の分散性を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察す
ることで評価した。その結果を表４に示す。
【００３３】
【表４】
【００３４】上記表４に示すように，ΔＳｐが１以下で
ある本発明の試料１，４，６においては，１００ＭＨｚ
における透磁率が１６以上であり，良好な分散性が得ら
れていると判断できるが，ΔＳｐが１より大きな比較試
料２，３，５においては，透磁率，分散性ともに本発明
の試料に比べて劣ることが分かる。
ある本発明の試料１，４，６においては，１００ＭＨｚ
における透磁率が１６以上であり，良好な分散性が得ら
れていると判断できるが，ΔＳｐが１より大きな比較試
料２，３，５においては，透磁率，分散性ともに本発明
の試料に比べて劣ることが分かる。
【００３５】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明によれ
ば，磁性粉末の表面改質に用いるカップリング剤と結合
剤の溶解性パラメータを近い値とすることで，磁性粉末
の分散性が改善されると共に，磁性粉末と有機結合剤剤
の結合が強固になるので，複合磁性体の磁気特性および
機械物性の向上をはかることができ，不要輻射抑制効果
に優れ，機械的に強固な電磁干渉抑制体が得られる。
ば，磁性粉末の表面改質に用いるカップリング剤と結合
剤の溶解性パラメータを近い値とすることで，磁性粉末
の分散性が改善されると共に，磁性粉末と有機結合剤剤
の結合が強固になるので，複合磁性体の磁気特性および
機械物性の向上をはかることができ，不要輻射抑制効果
に優れ，機械的に強固な電磁干渉抑制体が得られる。
【図１】本発明の実施の形態による電磁干渉抑制体に用
いる複合磁性体のμ´とμ''の周波数特性を示す図であ
る。
いる複合磁性体のμ´とμ''の周波数特性を示す図であ
る。
１１ カップリング剤Ａを用いた電磁干渉抑制体の実数
部透磁率μ´を示す曲線 １２ カップリング剤Ｂを用いた電磁干渉抑制体の実数
部透磁率μ´を示す曲線 ２１ カップリング剤Ａを用いた電磁干渉抑制体の虚数
部透磁率μ''を示す曲線 ２２ カップリング剤Ｂを用いた電磁干渉抑制体の虚数
部透磁率μ''を示す曲線
部透磁率μ´を示す曲線 １２ カップリング剤Ｂを用いた電磁干渉抑制体の実数
部透磁率μ´を示す曲線 ２１ カップリング剤Ａを用いた電磁干渉抑制体の虚数
部透磁率μ''を示す曲線 ２２ カップリング剤Ｂを用いた電磁干渉抑制体の虚数
部透磁率μ''を示す曲線
Claims (2)
- 【請求項１】 軟磁性合金粉末と有機結合剤とからなる
複合磁性体を含む電磁干渉抑制体において，前記軟磁性
合金粉末は，チタネートカップリング剤またはシランカ
ップリング剤処理が施されていることを特徴とする電磁
干渉抑制体。 - 【請求項２】 請求項１記載の電磁干渉抑制体におい
て，前記チタネートカップリング剤またはシランカップ
リング剤の溶解性パラメ一夕Ｓｐ値（ＳｐＣ）と，前記
有機結合剤の溶解性パラメータＳｐ値（ＳｐＰ）との差
の絶対値ΔＳｐ＝｜ＳｐＣ−ＳｐＰ｜が１．０以下であ
ることを特徴とする電磁干渉抑制体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241819A JPH1092623A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 電磁干渉抑制体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241819A JPH1092623A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 電磁干渉抑制体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092623A true JPH1092623A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17079977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8241819A Pending JPH1092623A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 電磁干渉抑制体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH1092623A (ja) |
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1996
- 1996-09-12 JP JP8241819A patent/JPH1092623A/ja active Pending
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