JPH1091759A - 画像入力一体型表示装置 - Google Patents
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Abstract
ようなことをせずに、液晶表示パネル自体で2次元のイ
メージセンサの機能を実現する。 【解決手段】 照射する光の波長の違いによって分子構
造が変化する光応答性分子と、この光応答性分子の分子
構造の変化に応じて配向状態が変化する液晶分子とを透
明基板の間に封入し液晶セルとする。画像の表示は、第
1の波長の光を照射しながらセグメント電極群とコモン
電極群により対象箇所の液晶分子の配向状態を変化させ
ることによって行う。画像の入力は、第2の波長の光を
照射しながら光学的な書込みを行った後、セグメント電
極群にパルス電圧を発生して対象箇所の静電容量を読出
回路108で読み出すことによって行う。
Description
ピュータ、ワードプロセッサ、電子手帳、携帯情報端末
機などの情報機器に応用される画像入力一体型表示装置
に関する。
ジセンサを組み合わせた表示と画像入力を兼ね備えた装
置があり、例えば、特開平4−282609号公報又
は、特開平6−186585号公報に示されている。特
開平4−282609号公報に示される装置は、カラー
液晶表示パネルと、カラー液晶表示パネルの裏面に配置
されている2次元のイメージセンサと、光源から構成さ
れている。カラー液晶表示パネルの上面に置いた原稿
に、光源からの光をカラー液晶表示パネルを通して照射
すると、原稿で反射した光は再びカラー液晶表示パネル
を透過して、イメージセンサで受光され、原稿の画像が
イメージセンサで読み取られる。
装置も同様に、液晶表示パネルと、液晶表示パネルの非
表示部の格子点に形成されたホトダイオードから成るイ
メージセンサと、光源から構成されている。読み取り動
作も同様に、液晶表示パネルの上面に置いた原稿に、光
源からの光を液晶表示パネルを通して照射して、原稿で
反射した光をホトダイオードで受光する。
動用の電極又はTFT(薄膜トランジスタ)が形成され
ている面とは、全く別の面に形成されている。即ち、異
なる機能を有する要素を単に重ね合わせただけである。
もう少し有機的に結合した装置が、特開平4−2518
24号公報に開示されている。この装置の断面構成図を
図29に示す。
に形成された上側基板510と、下側基板511と、上
側基板510と下側基板511の間に封入された液晶5
20と、上側基板510の上面に貼られた偏光板512
と、下側基板511の下面に貼られた偏光板513と、
バックライト用の光源528と、光源528からの光を
液晶520に導く導光板527とから構成されている。
ないが、画素電極と信号電極に挟まれていて、信号電極
を介して液晶と接している。また、下側基板511は走
査電極を介して液晶と接している。
属)ダイオードで代表される2端子素子マトリクス型液
晶表示パネルと全く同じである。上記の液晶表示パネル
が、通常の2端子素子マトリクス型液晶表示パネルと異
なるところは、素子に光感受性をもつ非線形抵抗素子を
用いた点である。
旦液晶を透明状態にして、上記画素電極と走査電極の間
に任意の電圧を印加しておき、原稿526に光を照射す
る。原稿526の白色部526bで反射した光があたっ
た非線形抵抗素子521bの抵抗は減少して、液晶に印
加される実効電圧が低下し、液晶分子は基板に平行な配
向を採る。原稿526の黒色部526aでは光が吸収さ
れ、光があたらない非線形抵抗素子521aは変化せ
ず、そのところの液晶分子の配向はそのままで、基板に
垂直な配向を採る。このようにして、光で直接、液晶に
画像を書き込むことができる。
ある。非線形抵抗素子には抵抗成分と容量成分があり、
並列につがっている。また、液晶にも抵抗成分と容量成
分があり、並列につがっている。そして、非線形抵抗素
子と液晶は直列に接続されている。ここで、光が照射さ
れて画像が書き込まれている画素の非線形抵抗素子の抵
抗成分と、液晶の容量成分が減少する。画素電極と走査
電極の間に電圧を印加して、電流が流れる状態にしてお
くと、光の照射された画素と照射されてない画素で流れ
る電流が変化する。これを検出して書き込まれた画像を
読み取る。
の特開平4−282609号公報又は、特開平6−18
6585号公報に示される画像入力機能付き表示装置
は、液晶表示パネルとイメージセンサを単に積層しただ
けの装置である。表示のための液晶層と画像入力のため
のイメージセンサ層は別の面に形成されるので、表示用
電極と画像入力用電極は別に形成され、構造が複雑であ
る。
パネルに表示するのに1度電気信号に変換する必要があ
り、原稿の画像をイメージセンサで読み取るプロセス、
読み取られた電気信号を表示用電気信号に変換するプロ
セス、表示用電気信号により液晶表示パネルに表示する
プロセスの各プロセスで誤差が生じ、表示画像の品質劣
化を招く。
は、イメージセンサの解像度または液晶表示パネルの解
像度の低いほうに束縛される。
される従来の画像入力機能付き表示装置は、2端子素子
マトリクス型液晶表示パネルをベースとして、画像入力
機能付き表示装置が構成されているので、TFT型液晶
表示パネル、あるいは単純マトリクス型液晶表示パネル
には適応できない問題がある。
非線形抵抗素子は光を透過させないので、この面積が大
きいと表示が暗くなるなどの障害を与える。一方、小面
積であると、画像入力のための受光面積が小さくなるこ
とになり、S/N比の高い十分な大きさの信号が得られ
ない問題がある。
原稿の画像を直接、液晶表示パネルに入力して表示され
ることができる。しかし、そのときの解像度は非線形抵
抗素子の密度によって決まり、液晶表示パネルの解像度
と同じである。
抵抗素子が離散的に存在しているので、画像入力のサン
プリング密度が低く、電気的に読み出される画像の誤差
が大きくなるという問題がある。
示パネルや単純マトリクス型液晶表示パネルや2端子素
子マトリクス型液晶表示パネルに適応でき、高い解像度
で原稿の画像を直接、光で液晶表示パネルに書き込むこ
とができ、受光部が多数分散していて、S/N比の高い
十分な大きさの信号が得られ、画像入力のサンプリング
密度が十分に高く、より正確な画像入力が可能で、簡素
な構造で、低コストな画像入力一体型表示装置を提供す
ることにある。
力一体型表示装置は、第1の波長の光の照射によって第
1の分子構造に変化し、第2の波長の光の照射によって
第2の分子構造に変化する光応答性分子と該光応答性分
子の分子構造の変化に対応して配向状態が変化する液晶
分子とが2枚の透明基板の間に封入された液晶セルと第
1の電極群と第2の電極群とからなる画像入出力デバイ
スと、第1の電極群を駆動する第1の電極駆動手段と、
第2の電極群を駆動する第2の電極駆動手段と、第1の
波長の光及び第2の波長の光を上記画像入出力デバイス
に照射する照明手段と、第1の電極群に印加されたパル
ス電圧に応じて第1の電極群と第2の電極群の交点に対
応する箇所の静電容量を読み出す読出手段と、第1の電
極駆動手段と第2の電極駆動手段と上記照明手段と上記
読出手段とを制御して、画像表示時には、第1の波長の
光を照射して第1の電極群と第2の電極群の交点に対応
する箇所の上記液晶分子の配向状態を変化させて上記画
像入出力デバイスに第1の画像を表示し、画像入力時に
は、第2の波長の光を照射して上記画像入出力デバイス
に第2の画像を入力してから第1の電極群にパルス電圧
を発生して第1の電極群と第2の電極群の交点に対応す
る箇所の静電容量を読み出して第2の画像を読み出す制
御手段と、を備えたことを特徴とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記光応答性分子は、少なくとも一方の透明基板に
固着されていることを特徴とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記液晶分子は、高分子液晶と低分子液晶の混合体
からなり、該混合体と上記光応答性分子とが上記液晶セ
ルに分散されていることを特徴とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、第1の電極群が一方の透明基板上に形成され、第2
の電極群が他方の透明基板上に形成されていることを特
徴とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、第1の電極群と第2の電極群とが一方の透明基板上
に形成され、第1の電極群と第2の電極群との交点にス
イッチング素子が形成され、共通電極が他方の透明基板
上に形成されていることを特徴とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記読出手段は、上記静電容量から所定時間後の電
圧を検出する電圧検出手段と、検出された電圧と所定電
圧との大小比較をする電圧比較手段と、からなることを
特徴とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記読出手段は、上記静電容量から電圧を検出する
電圧検出手段と、検出された電圧が所定電圧に到達する
までの時間を計時する計時手段と、からなることを特徴
とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記照明手段は、上記画像入出力デバイスに入力さ
れた第2の画像を表示するために上記光応答性分子の状
態を変化させない第3の波長の光を照射することを特徴
とする。
は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記照明手段は、第1の波長の光と第2の波長の光
を照射する光源が共用され、第1の波長の光と第2の波
長の光とを分離する光波長分離手段を備えていることを
特徴とする。
置は、請求項1に記載の画像入力一体型表示装置におい
て、上記照明手段は、第1の波長の光と第2の波長の光
を照射する光源が共用され、第1の波長の光を一方の透
明基板から照射すると共に、第2の波長の光を他方の透
明基板から照射する導光手段を備えていることを特徴と
する。
る画像入力一体型表示装置の実施の形態について説明を
行なう。
ステム構成について説明する。
基本的なユニット構成として、画像入出力パネル101
と、照明光発生部110、照明光制御部111、及び照
明光拡散部112で構成される照明部とに大きく2つに
分けられる。
画像入出力デバイス102、セグメント電極駆動回路1
03、及びコモン電極駆動回路104で構成されるデバ
イス部と、読出回路108で構成される読み出し部と、
制御回路105、駆動制御回路106、表示制御回路1
07、及び照明光制御回路109で構成されるシステム
制御部とに分けることができる。
形態における説明上での分類であり、実際の構成におい
ては、その実装状態等により上記のように厳密に分類で
きるような構成になるとは限らない。
システム制御部は、図1に示す画像入力一体型表示装置
の全体動作を制御する。
制御回路106、表示制御回路107、照明光制御回路
109、及び読出回路108からの信号に応じて、全体
の動作を連携させて目的とする動作を実行するための制
御信号を前記の各ブロックに対して供給する。
ス102での表示を制御する部分であり、制御回路10
5から指定される動作モードに従って、外部から供給さ
れる表示データ、読出回路108によって読み出された
画像データ、もしくは画像入力パネル101に取り込ま
れた画像データをそのまま保持しておくなどの動作に応
じた表示データに関する制御を行なう。
ス102に表示を行う時、画像入出力デバイス102に
原稿の画像情報を取り込む時、更に画像入出力デバイス
102に取り込まれた画像情報を取り出す時に、制御回
路105からの制御信号に従って、セグメント電極駆動
回路103及びコモン電極駆動回路104に対しての制
御信号及び表示データを供給して、前記の動作が行なわ
れるように制御する。
06と同様に画像入出力デバイス102で表示を行う
時、画像入出力デバイス102に原稿の画像情報を取り
込む時、及び取り込まれた画像情報を取り出す時に、制
御回路105からの制御信号に従って、照明光発生部1
10及び照明光制御部111に対しての制御信号を供給
する。
イス部は、実際に画像の入出力を行う部分である。
中に液晶分子と、照射される光の波長に応じて構造を変
化させる光応答性分子を含んで構成される。
れる光と、セグメント電極駆動回路103及びコモン電
極駆動回路104からの駆動信号に応じて、表示制御回
路107から駆動制御回路106を介して供給される表
示データに基づく画像が従来の液晶パネルと同様にして
表示される。
取り込もうとする原稿を通して供給される光とセグメン
ト電極駆動回路103及びコモン電極駆動回路104か
らの駆動信号に応じて、その原稿の画像情報を前記の光
応答性分子の状態変化として取り込む動作も行なわれ
る。
電極駆動回路104については、基本的には従来から使
用されているデューティタイプの液晶パネル駆動用回路
を基本として、これに若干の変更を加えることによって
構成されるものである。また、画像入出力デバイス10
2がTFT液晶パネルの構造をベースとして構成される
場合にも、そのソース電極駆動回路およびゲート電極駆
動回路を基本として構成することも同様に可能である。
は、画像入出力デバイス102において、表示の際には
バックライトとして、更に画像入出力デバイス102に
原稿の画像が取り込まれる際には、その光源としての光
を画像入出力デバイス102に供給する。
ス102に表示を行う時、及び原稿の画像情報を取り込
む時に、必要となる波長の光を供給する部分であり、照
明光制御部111は、照明光発生部110から発せられ
る光をその動作モードに従って、不要な光をカットした
り、また不要な部分への漏れを防いだりする為の部分で
あり、この両者の構成に関しては、以降の実施の形態に
おいて示すようにその組合せによって、各種の構成が考
えられる。
部110及び照明光制御部111から発せられた光を画
像入出力デバイス102に対して、面均一な状態で供給
するための部分である。
出し部は、読出回路108がこれに相当する部分であ
り、読出回路108からの制御信号に基づいて、制御回
路105、駆動制御回路106を介してセグメント電極
駆動回路103及びコモン電極駆動回路104によっ
て、画像入力デバイス102における光応答性分子の状
態変化として取り込まれた画像情報を、その光応答性分
子の状態変化によって引き起こされる液晶分子の状態変
化による電気的異方性を利用することにより、液晶分子
の配列状態の違いを静電容量の変化として捉え、電気信
号に変換して読み出す為の回路である。
て、図1及び図3に示すフローチャートに基づいて説明
する。
て、3つの動作モードに分類することができ、以降その
各モードに対しての説明を行なう。
ャルに制御する為のフローチャートとして、一連の流れ
において制御される場合についての制御フローとして示
しており、各モード毎でのフローを点線に示している
が、各モードを独立の流れとして構成することも可能で
ある。
ネルにおける表示動作と同様にして、例えば外部回路よ
り供給された表示データなどを画像入出力デバイス10
2に表示する動作である。
ついて説明すると、まず電源がONとなり、表示内容選
択ルーチンにおいて、画像入出力デバイス102に表示
する画像を、外部回路から供給された画像データに基づ
く画像、読出回路108で読み出された画像データに基
づく画像、もしくは原稿から画像入出力デバイス102
に取り込まれた画像データをそのまま保持した画像とす
るかの判断が行なわれ、この判定に従った制御信号が図
1の制御回路105より表示制御回路107、駆動制御
回路106、及び照明光制御回路109に供給される。
からの制御信号と共に、表示画像データが上記の判定に
従って供給され、これを画像入力デバイス102への表
示に適したタイミングで、駆動制御回路106に供給さ
れる。更に、駆動制御回路106から、セグメント電極
駆動回路103及びコモン電極駆動回路104に対し
て、その駆動制御信号及び表示データが供給され、画像
入出力デバイス102において、画像として表示が行な
われる。
表示用照明光の供給が指示され、これに従って、照明光
発生部110及び照明光制御部111を表示の際のバッ
クライト光として、照明光拡散部112から供給される
ように制御される。
レーム単位での表示後に、画像入力動作を行なうかの判
定が行なわれ、Noの場合には、上記の表示内容変更の
判断が行なわれたのちに、引続き表示動作が行なわれ
る。Yesの場合には、次の動作モード2における動作
に移行する。動作モード2は、動作モード1での表示動
作に対して、原稿の画像情報を画像入出力デバイス10
2に取り込む動作が加わった動作である。
おいて、画像入力動作を行うかの判定がYesの場合の
一連の動作であり、制御回路105からの制御信号に従
って、所定の位置にセットされた原稿の画像情報を、画
像入出力デバイス102に取り込むための動作が行なわ
れる。
は、まず制御回路105からの制御信号により駆動制御
回路106を介してセグメント電極駆動回路103及び
コモン電極駆動回路104によって、画像の取り込みを
行うためのイニシャル状態にする。
駆動制御回路106によりセグメント電極駆動回路10
3及びコモン電極駆動回路104は画像入力が行なわれ
る駆動状態になり、更に照明光制御回路109により照
明光拡散部112からの照明光についても画像入出力デ
バイス102に画像が取り込まれるのに必要となる波長
の光が供給されるように制御回路105からの制御信号
に従って制御され、原稿を透過して画像入出力デバイス
102に供給される。
時間を経過して画像入出力デバイス102において光応
答性分子の状態変化により原稿の画像情報が取り込まれ
た後、その画像情報が保持されるように、セグメント電
極駆動回路103及びコモン電極駆動回路104の駆動
状態を切替え、更に照明光制御回路109によって照明
光発生部110及び照明光制御部111を画像表示状態
へ切替えて、画像取り込みモードを終了する。
作モード3は、上記の動作モード2での画像読み出し動
作を行なうかの判定がYesの場合に、画像取り込み動
作に引き続いて行なわれる動作を含めた動作であり、制
御回路105からの指定に従って、画像入出力デバイス
102に取り込まれた画像を、読出回路108によって
電気信号としての読み出しが行なわれる。
信号により読出回路108から駆動制御回路106に対
して読み出しを行なうために必要となる制御信号が供給
され、これに従って駆動制御回路106は、セグメント
電極駆動回路103及びコモン電極駆動回路104を介
して、画像入出力デバイス102に対しての読出走査を
行なう。
ス102からセグメント電極駆動回路103を介して読
出回路108に出力される信号を、読出回路108で信
号処理され、その結果が制御回路105に出力されて、
外部に対して出力されると共に、制御回路105から表
示制御回路107に表示画像データとして供給されるこ
とで、画像入出力デバイス102においてその読み取ら
れた画像情報を表示することも可能となる。
ついては、後述する読出回路108の実施の形態におい
て説明する。
構成、その動作の概略、及びシステム制御部に関する働
きについての説明を行なったが、以降においては照明
部、デバイス部、読み出し部の各々の実施の形態につい
て詳細に説明する。
概観について説明する。図2に本装置の概観図を示す。
部171に分かれる。上部170には画像入出力デバイ
ス102、スイッチ130、開閉自在に設けられたフタ
131等が備えられている。また、下部171には、可
視光を放射する第1のランプ121、紫外光を放射する
第2のランプ123、散乱板125、フィルタ132等
が備えられている。本体100は接続部172を中心
に、上部170と下部171が開閉できるようになって
いる。
液晶を使用する。散乱板125から画像入出力デバイス
102に照射される光は、後述するように、第1のラン
プ121、第2のランプ123、フィルタ132を駆使
することで得られる、第1、第2、第3の光である。第
1の光は可視領域の波長の光で白色光である。第1の光
にはある特定の波長λ1の光が含まれている。第2の光
は紫外領域の波長の光で、別の特定の波長λ2の光を含
んでいる。フィルタ132は、第1の光を透過する光透
過部aと、波長λ1の光を吸収する光透過部bに分かれ
ており(図示せず)、第1のランプ121が点灯する際
には、光透過部aもしくはbのいずれか一方が選択さ
れ、第1のランプ121と散乱板125の間を覆うよう
に制御されている。光透過部aが選択されているときに
は、上記第1の光が散乱板125に入射する。光透過部
bが選択されているときには、第1の光から波長λ1の
光を除いた第3の光が、散乱板125に入射されること
になる。第3の光には、波長λ1及びλ2の光が含まれて
いないので、第3の光を照射しても光応答性分子の状態
は変化しない。
には、スイッチ130を切り替えて表示モードとする。
このとき散乱板125から照射される光は、第1の光と
なるように制御される。画像入出力デバイス102には
表示信号が供給されて、図2(a)に示すように表示面
に画像が表示される。第1の光はバックライト光とな
り、操作者は画像を見ることができる。
まず、図2(b)に示すように上部170を持ち上げ
て、散乱板125が見える状態にする。さらに、散乱板
125上の適当な位置に読み取りたい原稿129を配置
し、再び上部170を閉じて図2(a)の状態にする。
最後にスイッチ130を切り替えて、画像入力モードを
スタートさせる。このとき散乱板125から照射される
光は、第2の光となるように制御され、原稿像が画像入
出力デバイス102に入力される。画像入力が終了した
時点で第3の光が照射されるようにセットされており、
その時、画像入出力デバイス102に読み取られた画像
を目視することができる。このとき原稿129が必要な
ければ、取り出しておけばよい。
モードにすると、画像入力モードで画像入出力デバイス
102に書き込まれた画像が、電気信号で読み出され
る。
とで、多様な用途に利用できる。例えば、パーソナルコ
ンピュータ(PC)として利用すれば、日常入手した紙
媒体の資料を次々に画像入力し、別途キーボードやマウ
ス等を接続することで、それらを使って資料毎にタイト
ルやキーワードを付けてメモリ等の記憶媒体内に保存し
ておき、必要な時には文字検索等によって、速やかに入
力画像を呼び出すことができる。さらに、PCのもつ文
字認識技術、画像認識技術を駆使することによって、入
力した画像は直ちに編集が容易なコード情報に変換する
ことができ、ワープロソフトやCADソフトによって、
文字や画像の編集を行うこともできる。また、無線ある
いは有線の通信機能を持たせて、他の装置との間で入力
画像の送受信を行うことも可能である。さらに、公衆回
線を使ってFAXとして利用することもできる。その場
合には、モデムを外付けするか、予め内蔵していてもよ
い。このように多様な機能を持たせた装置を小型軽量化
することによって、電子手帳や携帯情報端末機として利
用することもでき、個人の持つ情報ツールとして非常に
有用である。以上多機能化について例示したが、勿論こ
れに限るものではない。
る。図4にデバイス部における第1の実施の形態による
画像入出力デバイス102の構造断面図を示す。
2と透明基板303の間に光応答性分子300と液晶分
子301を封入した液晶セルから成る。基本構造とし
て、デューティー型液晶パネルと同じ構造を有する。
透明ガラス板から構成される。透明基板302と303
は、液晶分子301を封止する目的で用いられる。その
ため、ガラス以外の材料で、透明プラスチック、透明セ
ラミックス、透明ゴムなどで構成することができる。ま
た、形態に関して、板状には限らず、柔軟性のあるフィ
ルム状でもよい。偏光板304と305は、それぞれ透
明基板302と303の表面に貼付されているフィルム
状の偏光板である。偏光板304と305は、入射され
た光を直線偏光の光に変換する偏光板で、互いに概略直
交している。
2の表面に薄く均一に付着され、形成されていて、液晶
分子301の配向方向を制御する配向膜の機能を有す
る。光応答性分子300は、照射される光の波長によっ
て分子構造を変化させる特性を有するフォトクロミック
分子を含んで構成され、例えば、スチルベン、アゾベン
ゼン誘導体、などの分子を含む。
いて、簡単に説明する。基本的には液晶パネルの作成方
法と同じである。駆動用の透明電極が形成されている一
方の透明基板302上に、光応答性分子300を含む薄
膜を化学吸着、塗布、LB膜の付着などの作成技術で作
成する。上記の光応答性分子300を形成した透明基板
302と、透明電極だけ形成された透明基板303をス
ペーサを挟んで、対向させ、周りを封止剤で封止する。
一部開放された注入口から液晶を注入した後、注入口も
封止する。
に示す。光応答性分子300にある特定の波長λ1を有
する光が照射されると、分子構造は直線状のトランス体
300a(図5(a))に変化する。一方、光応答性分
子300にある特定の波長λ2を有する光が照射される
と、分子構造がV字形のシス体300b(図5(b))
に変化する。この反応は可逆的で、繰り返し反応を起こ
すことができる。即ち、光応答性分子300に照射され
る光の波長に応じて、光応答性分子300の分子構造が
変化する。それぞれの状態は、変化を起こさせる光が入
射されるまでは維持される。即ち、トランス体は波長λ
2の光が入射されるまでトランス体を、シス体は波長λ
1の光が入射されるまでシス体を維持する。
の一例を図7に示す。図7(a)に示す分子はポリビニ
ルアルコール(PVA)にアゾベンゼンが結合した分子
である。この分子に波長λ2の光として363nmの紫
外光を当てると、トランス体からシス体に変化する。ま
た、波長λ1の光として436nmの可視光を当てる
と、シス体からトランス体に変化する。図7(b)に示
す分子は4,4′−ジノニルアゾベンゼンである。この
分子も同様に、 紫外光によってトランス体からシス体
に、可視光によってシス体からトランス体に変化する。
上記したフォトクロミック分子を含んで構成される光応
答性分子300は、大略、可視光の特定の波長の光に感
じて、シス体からトランス体に変化し、紫外光の特定の
波長の光に感じて、トランス体からシス体に変化する。
る液晶分子である。例えば、ツイストネマチック(T
N)液晶、またはスーパーツイストネマチック(ST
N)液晶などである。偏光板304と305の作用によ
り、液晶分子301の配向の違いによって、透過光のオ
ン、オフを制御する。
1に及ぼす作用について説明する。図4に示すように、
画像入出力デバイス102に波長λ1の光を含む可視光
307(第1の波長の光)が入射されている場合は、光
応答性分子300は直線状のトランス体300aをと
る。光応答性分子300は液晶分子301の配向膜とし
て作用するので、液晶分子301は光応答性分子300
の分子の形状の影響を受けて、透明基板302、303
に垂直な方向のホメオトロピック配向となる。
イス102に波長λ2の光を含む紫外光308(第2の
波長の光)が入射されている場合は、光応答性分子30
0はV字形のシス体300bをとる。液晶分子301は
光応答性分子300の分子の形状の影響を受けて、透明
基板302、303に平行な方向のプレーナ配向とな
る。液晶分子の配向に伴う透過光の制御は、通常の液晶
パネルの場合と同じで、ホメオトロピック配向のときは
光を透過させ、プレーナ配向のときは光を遮断する。以
上の変化は、液晶分子301に電圧を印加しなくても起
こる。但し、応答速度を上げるため、閾値以下の電圧を
加えることもある。
は、トランス体かシス体かの2つの状態しかとらない。
しかし、この形状の変化は確率的に起こるので、可視光
あるいは紫外光の強度に応じて、変化する分子の数が変
わる。即ち、入射される光の強度に応じて、階調をもっ
て書き込まれる。
で、第2の波長の光が紫外光という組み合わせであった
が、それ以外の組み合わせ、例えば第1の波長の光が可
視光で、第2の波長の光が赤外光であっても、本発明の
本質は変わらない。
電極やコモン電極に比べて極めて小さい。また、電極の
数に比べて、比較にならない程の数の光応答性分子30
0が透明基板302に形成されているので、光学的に書
き込まれた画像は、電気的に書き込まれた画像より高い
解像度をもつ。
の書き込み(画像入力モード)、電気的読み出し、電気
的書き込み(表示モード)の動作について、図8を用い
て説明する。構造的には図4に比べ、電気的読み出し機
能と電気的書き込み機能を実現するために、セグメント
電極310とコモン電極311が付加され、偏光板30
4,305が図示されていないところが異なる。ここで
は3種類の光を使い分ける。第1の光は、光応答性分子
300をシス体からトランス体に変化させる波長λ1の
光を含む可視光307である。この第1の波長の光は表
示用のバックライト光と兼用するので、可視光の全波長
成分を含んでいることが望ましい。また、可視光は波長
λ2の光は含まない。第2の光は、光応答性分子300
をトランス体からシス体に変化させる波長λ2の光を含
む紫外光308である。当然、波長λ1の光は含まな
い。第3の光は、波長λ1の光を含まない可視光(図示
せず)である。当然、波長λ2の光も含まない。
する。
配向にして、液晶セル全面を透明状態にして、初期状態
にする(図8(a))。液晶セルの一方の側からセル全
面に可視光307を入射して、光応答性分子300をト
ランス体300aに変形させる。可視光の入射方向は液
晶セルのどちらの面からでもよいが、光応答性分子30
0が形成されている透明基板302側から入射する方が
効果的である。光応答性分子300の大部分がトランス
体300aに変形することから、液晶分子301はホメ
オトロピック配向を採り、透明状態になる。このとき、
セグメント電極310とコモン電極311の間には電圧
は印加しない。
よる原稿の透過像を画像入出力デバイス102に投影す
る(図8(b))。原稿の透明な部分を透過した紫外光
は、画像入出力デバイス102に入射する。紫外光30
8を受けた光応答性分子300は、紫外光308の作用
によりトランス体300aからシス体300bに変形す
る。それに伴い、その光応答性分子の近傍の液晶分子3
01はプレーナ配向を採る。また、紫外光308が照射
されなかった光応答性分子300はトランス体300a
のままであり、その光応答性分子の近傍の液晶分子はホ
メオトロピック配向のままである。即ち、第2の波長の
光308が入射された領域は不透明状態になり、入射さ
れなかった領域は透明状態になり、原稿像から見れば、
反転した画像が画像入出力デバイス102に書き込まれ
ることになる。このとき、セグメント電極310とコモ
ン電極311の間には電圧は印加しない。書き込まれた
画像は、画像入出力デバイス102に波長λ1の光ある
いは波長λ2の光、またはセグメント電極310とコモ
ン電極311の間に閾値以上の電圧を加えない限り、保
持される。
込まれた画像は、第3の光をバックライト光として用い
て、表示させることができる。第3の光は光応答性分子
300を変形させないので、書き込まれた画像が消去さ
れたりすることはない。光学的に書き込まれた画像は、
上述したように解像度の高い画像であり、セグメント電
極とコモン電極の大きさに関係なく、解像度の高い画像
を表示させることができる。
(図8(c))。これは、画像入出力デバイス102に
書き込まれた画像を電気的に読み出すモードである。
晶分子の配向状態が異なれば、セグメント電極310と
コモン電極311間の誘電率が変化する。即ち、逆に画
素毎の誘電率を検出すれば、液晶分子の配向状態を知る
ことができる。書き込まれた画像が保持された状態で、
セグメント電極310とコモン電極311の間に液晶分
子の配向状態を検出するための電圧を印加する。印加電
圧は液晶分子の配向状態を変化させない閾値以下の電圧
である。また、印加電圧は交流電圧でも、直流電圧でも
よい。このようにして、光学的に書き込まれた画像を電
気信号に変換して、読み出すことができる。
8(d))。これは、液晶パネルの通常の使い方で、画
像入出力デバイス102に電気信号を入力して、その電
気信号に応じた画像を表示させるモードである。
バックライト光として可視光309をパネル全面に照射
する。可視光309には波長λ1の光が含まれているの
で、光応答性分子300をトランス体300aに変形さ
せる。即ち、パネル全面が初期状態としてホメオトロピ
ック配向されたと考えればよい。この状態で、画素毎に
電気信号を与えれば、閾値以上の電圧が加わった画素の
液晶分子はホメオトロピック配向からプレーナ配向に変
化する。通常の液晶パネルと同じ原理で動作する。画像
入出力デバイス102を初期状態にする可視光307と
表示用のバックライト光の可視光309は原理的に同じ
波長成分をもつ光である必要はないが、簡略化のため兼
用できるので、あえて異なる光を使う必要はない。な
お、本実施の形態では、液晶にツイストネマチック液
晶、あるいはスーパーツイストネマチック液晶を用いる
ので、低電圧で駆動させることができる。
態による画像入出力デバイス102の構造断面図を示
す。画像入出力デバイス102は光応答性分子400
と、低分子液晶401と、高分子液晶402と、イオン
403と、透明基板404と、透明基板405と、コモ
ン電極406と、セグメント電極407とから成る。透
明基板404と405は、光応答性分子400と低分子
液晶401と高分子液晶405を封止する目的で用いら
れる。
1、高分子液晶402とともに、複合体を形成してい
る。光応答性分子400は、該複合体の光透過状態/光
散乱状態を制御する。光応答性分子400は、適当な温
度と電界周波数の条件下で光異性化する特性を有するフ
ォトクロミック分子を含んで構成される。光応答性分子
400としては、例えば、紫外光照射によりトランス体
からシス体へ、また可視光照射によりシス体からトラン
ス体へ光異性化するアゾ化合物を使用する。
的に示す。光応答性分子400に可視光領域の波長λ1
の光が照射されると、分子構造は直線状のトランス体4
00aに変化する。一方、紫外光領域の波長λ2の光が
照射されると、分子構造がV字型のシス体400bに変
化する。この反応は可逆的で、繰り返し反応を起こす事
ができる。
の一例を図7(b)に示す。これは、4,4′−ジノニ
ルアゾベンゼンである。紫外線によってトランス体から
シス体に、可視光線によってシス体からトランス体に変
化する。
ング機能を有し、また、電場により配向制御されるよう
に、低分子液晶401、および高分子液晶402が選択
される。低分子液晶401は、該複合体の粘性を制御す
るために、該複合体のメモリー性をあまり損なわずに、
該複合体の応答速度を向上させるものが選ばれる。高分
子液晶402は、該複合体の応答速度をあまり損なわず
に、該複合体にメモリー性を持たせ、さらに、電場によ
る配向制御が可能なものが選ばれる。
た、光応答性分子400、低分子液晶401と高分子液
晶402を調製することによってできた複合体を、概し
て、図9に示すように、コモン電極406とセグメント
電極407の間に挟み、それらをさらに透明基板404
と透明基板405で挟んだ構造となっている。
理を概略説明する。
高分子液晶402からなる複合体の中にイオン403が
混入されている。コモン電極406とセグメント電極4
07の間にある閾値電圧以上の低周波の電界を印加する
と、周波数に応じてイオン403が複合体の中を移動す
る。この動きによって、高分子液晶402の配列が乱
れ、微小なドメイン(領域)が多数発生する。光学的に
みると屈折率の界面が多数存在して、非常に不均一な状
態であり、散乱状態になる。
波数(第1臨界周波数fc1)以上で、イオン403の
移動は追随しなくなり、液晶分子には電界が加わり、液
晶分子の誘電異方性により均一なホメオトロピック配向
をとる。光学的には屈折率が均一な大きなドメインがで
き、透明状態になる。
応答性分子400がシス体の状態のときには、上記臨界
周波数は第2臨界周波数fc2に変わる。第2臨界周波
数fc2は第1臨界周波数fc1よりは高周波である。
つまり、光応答性分子400がシス体であるということ
は、散乱状態を取り易い状態であり、液晶分子をホメオ
トロピック配向にするには、より高い周波数の電界を加
える必要があるということである。
ードを、図11に基づいて説明する。第1に、画像入力
モードについて説明する。
01と高分子液晶402からなる複合体を全面透明状態
の初期状態にする(図11(a))。電源408によ
り、コモン電極406とセグメント電極407の間に、
閾値電圧以上で第1臨界周波数(fc1)以上の高周波
電界を印加する。それと同時に、波長λ1を含む可視光
411を複合体全体に印加する。
ることから、光応答性分子400はトランス体400a
をとる。そして、そこに第1臨界周波数(fc1)以上
の高周波電界が加わることから、高分子液晶分子402
はホメオトロピック配向をとり、全面で透明状態にな
る。
原稿の透過光を画像入出力デバイス102に投影して、
原稿の画像を画像入出力デバイス102に書き込む(図
11(b))。
グメント電極407の間に、閾値電圧以上で、第1臨界
周波数(fc1)以上でかつ第2臨界周波数(fc2)
以下の高周波電界を印加する。それと同時に、原稿の透
過光である紫外光409を複合体に印加する。
0はトランス体400aからシス体400bに変化す
る。そして、そこに第2臨界周波数(fc2)以下の高
周波電界が加わることから、高分子液晶分子402は散
乱状態をとる。
子400はトランス体を維持する。そして、そこに第1
臨界周波数(fc1)以上の高周波電界が加わることか
ら、高分子液晶分子402はホメオトロピック配向をと
り、透明状態をとる。即ち、紫外光が入射された領域は
不透明状態になり、入射されなかった領域は透明状態に
なり、原稿像から見れば、反転した画像が画像入出力デ
バイス102に書き込まれる。
102に閾値電圧以上の電界、及び波長λ1あるいは波
長λ2の光を印加しない限り、保持される。
込まれた画像は、波長λ1を含まない可視光の成分をも
つ第3の光を照射することにより、表示させることがで
きる。第3の光は、当然、波長λ2の光も含まない。即
ち、第3の光は、光応答性分子400を変化させないの
で、書き込まれた画像が消去されることはない。
(図11(c))。このモードは画像入出力デバイス1
02に光学的に書き込まれた画像を電気信号の形で読み
出すモードである。
グメント電極407の間に、閾値電圧以下で第1臨界周
波数(fc1)以上の高周波電界を印加する。このと
き、光は一切印加しない。
し、液晶分子の配向状態が異なれば、コモン電極406
とセグメント電極407の間に現れる誘電率が変化す
る。即ち、画素毎の静電容量を測定すれば、液晶分子の
配向状態を検出することができる。
しないことから、光応答性分子400には何の影響も与
えないので、このモードでは書き込まれた画像が消去さ
れることはない。
11(d))。このモードは通常の液晶表示パネルの使
い方で、電気的に選択した画素に、低周波の高電圧を印
加して、散乱状態を作ることにより、画像表示を行う。
力デバイス102全面に照射する。バックライト光41
0は当然、可視光であり、波長λ1の光を含んでいる。
即ち、バックライト光410と可視光411を兼用する
ことができる。
長λ1の光が当たることから、光応答性分子400はト
ランス体400aをとる。
界、あるいは高周波電界を印加する。電源408によ
り、コモン電極406とセグメント電極407の間に、
オンの画素には閾値電圧以上で第1臨界周波数(fc
1)以下の低周波電界を印加し、オフの画素には閾値電
圧以上で第1臨界周波数(fc1)以上の高周波電界を
印加する。第1臨界周波数(fc1)以下の低周波電界
が印加されたオン画素では、イオン403の動きが大き
く、高分子液晶分子402の配列は乱されて、散乱状態
になる。第1臨界周波数(fc1)以上の高周波電界を
印加されたオフ画素では、イオン403の動きが小さ
く、高分子液晶分子402の誘電異方性により電界方向
に配列が整い、透明状態になる。
画像入出力デバイス102に書き込むことができる。
徴は、偏光板を必要とせず動作できることである。特
に、原稿像を画像入出力デバイス102に書き込むとき
の書き込み光を有効に使うことができる。
像入出力デバイス102に書き込むときに、第2の波長
の光を偏光板を通して入力していた。光応答性分子を反
応させるのに、偏光された光は全く必要としないが、モ
ード毎に偏光板を取り外したりすると、機構的に非常に
複雑となるので、偏光板を透過した光で書き込みを行っ
ていた。偏光板を通すことにより、偏光板の前後で50
%以上の光の損失があった。また、通常の表示モードに
おいても偏光板による光の損失は存在する。
的に偏光板を必要としないので、画像入出力デバイス1
02への書き込み光を有効に利用することができる。そ
のために、ランプの光量を減らすことができ、低消費電
力化につながる。また、ランプの光量が一定とすれば、
透過率の低い原稿の画像も書き込むことができる。
態の画像入出力デバイス102を図12に示し、説明す
る。
2と透明基板303の間に光応答性分子300と液晶分
子301を封入して構成される。片方の透明基板302
にはTFT(薄膜トランジスタ)450が形成されてい
る。TFTはゲート451、ソース453、ドレイン4
54、半導体452、絶縁膜455で構成される。
あるいはTa(タンタル)系金属が使われる。絶縁膜4
55の材料には、酸化タンタルが使われる。半導体45
2、ソース453、及びドレイン454にはa−Si
(アモルファスシリコン)薄膜が使われる。
され、上記のTFTによって1画素のオン・オフがスイ
ッチングされる。上述の液晶パネルはアクティブ・マト
リクス液晶と同様である。
は別の透明基板303には、全面に共通電極456が形
成されている。共通電極456はITOなどの透明電極
である。透明基板303にはさらに、画像入出力デバイ
ス102における第1の実施の形態で示した如く、光応
答性分子300が一様に形成されていて、液晶分子30
1に対して、配向膜としての機能をもつ。光応答性分子
300が照射される光の波長に応じて、液晶分子301
の配向状態を制御する原理は前述の通りである。光応答
性分子300と液晶分子301の構成は図12に限定さ
れるものではなく、図9に示されるような、光応答性分
子と高分子液晶と低分子液晶を混合した液晶にも適応で
きる。
たアクティブ・マトリクス型液晶においても、光応答性
分子を活用して、光学像を直接画像入出力デバイスに光
学的に書き込み、電気的に読み出し、また電気的に書き
込みができる。アクティブ・マトリクス型液晶がもつ本
来の特徴である、高コントラスト、高精細、高速応答な
どの特徴を有する画像入力一体型表示装置を実現するこ
とができる。
詳しく説明する。
置断面図を図13に示す。図1の照明光発生部110は
第1のランプ121と第2のランプ123と第1の反射
板122と第2の反射板124、図1の照明光制御部1
11はフィルタ132、図1の照明光拡散部112は散
乱板125で構成される。
光は、可視領域の波長の光で白色光である。第1の光に
は、前述の波長λ1の光が含まれている。第2のランプ
123から放射される第2の光は紫外領域の波長の光
で、前述の波長λ2の光が含まれている。第1のランプ
121及び第2のランプ123には、それぞれ第1の反
射板122及び第2の反射板124が備えられ、それぞ
れの光を効率よく散乱板125に照射できるようになっ
ている。また、散乱板125の下面にも散乱光反射板1
27を備え、散乱光を効率よく上方に照射できるように
なっている。フィルタ132は第1の光を透過する光透
過部aと、波長λ1の光を吸収する光透過部bに分かれ
ている。また、フィルタ132は可とう性を有してお
り、上下端を光フィルタ巻き上げ装置141の上下一組
のローラーに固定され、小型モータによって駆動される
光フィルタ巻き上げ装置141の上下ローラーが回転す
ることによって、第1のランプ121からの光が光透過
部aまたはbを通るようにすることができる。第1のラ
ンプ121が点灯する際には、光透過部aもしくはbの
いずれか一方が選択され、第1のランプ121と散乱板
125の間を覆うように制御される。
配されている。画像入出力デバイス102の表示像を目
視するときは、第1のランプ121のみを点灯し、フィ
ルタ132は光透過部aが選択され、第1の光である白
色光が画像入出力デバイス102を透過するようにす
る。したがって、画像入出力デバイス102には白色光
がバックライト光として照射される。同時に画像入出力
デバイス102には表示信号が供給されて、図2(a)
に示すように画像入出力デバイス102表示面に画像が
表示され、鮮明に目視できる。
の上に原稿129を置き、第2のランプ123のみを点
灯し、第2の光である紫外光を画像入出力デバイス10
2に照射するようにする。その切り替えはスイッチ13
0によって行う。
画像を、目視するときには、第1のランプ121のみを
点灯し、フィルタ132は光透過部bを選択する。した
がって、画像入出力デバイス102には第3の光である
可視光がバックライト光として照射される。原稿129
が必要なければ、取り出しておけばよい。
されるのを防ぐために、フタ131を被せておく。フタ
131の代わりに、可視光透過紫外光不透過フィルム
を、画像入出力デバイス102の目視面側に覆ってもよ
い。
は、専用の第1のランプ121、第2のランプ123を
設けているので、点灯切り替えの簡単な制御のみで、第
1の光、第2の光が得られる。さらに、第3の光を発生
するランプを作製することは困難であるが、フィルタを
設けたことで、第1のランプを兼用して、容易に第3の
光を得ることができる。また、初期状態で透明な状態に
なっている画像入出力デバイス102の下に原稿129
を置くので、原稿の位置設定が容易である。
置断面図を図14に示す。
違点について中心に説明する。
広い範囲の波長の光を放射する光源であり、その放射光
には前述の波長λ1及びλ2の光を含んでいる。ランプ1
42から放射された光及び反射板122で反射された光
は、光フィルタ150を透過した後、散乱板125に入
射する。
ように、第1の光透過部151と第2の光透過部15
2、及び第3の光透過部153を、1枚のシート状にし
たもので可とう性を有している。光フィルタ150の特
性を図16に示す。第1の光透過部151では図16
(a)に示したように、第2の波長領域の波長の短い光
を透過しにくい一方、第1の波長領域の光の透過率が1
00%近いという特性を有している。この部分は、画像
入出力デバイス102に表示信号に従って電圧を印加し
て表示しているときに、バックライト光として白色光を
照射するときに使用する。また、第2の光透過部152
では図16(c)に示したように、第1の波長領域の波
長の短い光を透過しにくい一方、第2の波長領域の光の
透過率が100%近いという特性を有している。この部
分は、画像入出力デバイス102に上記第2の波長の光
を照射して、原稿像を読み取る時に使用する。最後に、
第3の光透過部153では、図16(b)に示したよう
に、第2の波長領域の波長の短い光を透過しにくい一
方、波長λ1の光を除いた第1の波長領域の光の透過率
が100%近いという特性を有している。この部分は、
上述の原稿像を読み取った時に、光応答性分子の状態を
変化させずにバックライト光を照射するときに使用す
る。
タ巻き上げ装置141の上下一組のローラーに固定さ
れ、小型モータによって駆動される光フィルタ巻き上げ
装置141の上下ローラーが回転することによっていず
れかひとつの光透過部を露にし、ランプ142からの光
が第1、第2あるいは第3の光透過部を通るようにする
ことができる。
きには、画像入出力デバイス102の表示電極に電圧が
印加されることで、液晶分子の配向方向を制御してお
り、これによる表示を照明するには、白色光によるバッ
クライトが適切である。したがってこのときには、第1
の光透過部151が光フィルタ150の透過部全面を覆
うように、光フィルタ巻き上げ装置141を駆動してお
く。そうすれば、白色光が画像入出力デバイス102に
照射され、表示画像を目視しやすい。ただし、この場
合、光応答性分子は白色光に含まれた波長λ1の光も受
けることになり、すべての光応答性分子が第1の状態で
あるトランス体になる。このこと自体は、画像入出力デ
バイス102の電気的表示には何の影響も及ぼさない
が、画像入出力デバイス102の表示に光応答性分子の
第2の状態であるシス体に伴う画像が含まれていた場合
には、その部分は消去されてしまうことになるので、電
気的表示時に限られる。
部152が光フィルタ150の透過部全面を覆うよう
に、光フィルタ巻き上げ装置141を駆動しておく。し
たがって光フィルタ150を透過する光はほぼ第2の光
である紫外光のみとなり、散乱板125によって上面に
向けて均一な第2の光を照射するように散乱される。散
乱板125と画像入出力デバイス102の間には原稿1
29が挿入されており、原稿129上の濃淡に応じて第
2の光が透過し、その透過した第2の光によって、画像
入出力デバイス102中の光応答性分子がシス体に変化
し、それに伴って液晶分子の配向も変わり、画像入出力
デバイス102に原稿像が読み取られる。
を目視する時には第3の光透過部153が光フィルタ1
50の透過部全面を覆うように、光フィルタ巻き上げ装
置141を駆動しておく。したがって光フィルタ150
を透過する光は白色光のうち、波長λ1の光を除いた光
となり、散乱板125によって上面に向けて均一な第1
の光を照射するように散乱される。散乱板125と画像
入出力デバイス102の間には原稿129が挿入されて
いないので、散乱光はそのまま画像入出力デバイス10
2を透過し、操作者は表示された画像を観察することが
できる。また、このときには、波長λ1の光及び波長λ2
の光が含まれていないので、光応答性分子の状態は変化
せず、読み取った画像をそのまま目視することができる
のである。
特性を図16(c)のようにしたが、光応答性分子を第
2の状態に変化させる波長λ2の透過率がピークとな
り、それ以外の波長の透過率が非常に低くなるような特
性のものでもよい。
されるのを防ぐために、フタを被せておく。フタの代わ
りに、可視光透過紫外光不透過フィルムを、画像入出力
デバイス102の目視面側に覆ってもよい。
は、一つのランプ142と、光フィルタ150を用いる
ことで、第1、第2、第3の光を容易に得ることができ
る。またランプを一灯しか用いていないので、装置本体
の小型化及び低コスト化が可能である。また、初期状態
で透明な状態になっている画像入出力デバイス102の
下に原稿129を置くので、原稿の位置設定が容易であ
る。
の照明装置断面図を図17に示す。先に示した図と同じ
構成には同じ符号を付し、相違点について中心に説明す
る。
いる。図17のランプ142は図14のランプ142と
同じランプである。第1の光透過フィルタ155には、
図16(a)に示す特性をもつ光透過部aと図16
(b)に示す特性をもつ光透過部bがあり、切替えられ
るようになっている。ランプ142から放射された光及
び反射板122で反射された光は、第1の光透過フィル
タ155を透過した後散乱板に入射する。第1の光透過
フィルタ155の光透過部aを透過した光は、波長λ1
を含む第1の光で、表示用のバックライト光である。第
1の光透過フィルタ155の光透過部bを透過した光
は、波長λ1を含まない第3の光で、画像入出力デバイ
スに光学的に書き込まれた画像を表示するときのバック
ライト光である。
の光または第3の光を照射するように散乱され、散乱光
はそのまま画像入出力デバイス102を透過して、操作
者は表示された画像を観察することができる。
している。このとき、画像入出力デバイス102の上に
は原稿129が置かれ、さらにその上からフタ131が
被せられている。フタ131には、上散乱板161と、
第2の光透過フィルタ156と、ランプ142からの光
を上散乱板161方向に反射するためのミラー162が
備えられている。
は、上向きに光を照射するように向きが変えられる。こ
れはランプ142と反射板122を一体化したユニット
を、ランプの軸に対して90度回転させることで実現で
きる。上向きの光は、フタ131に備えられたミラー1
62によって反射され、第2の光透過フィルタ156を
透過した後、同じくフタ131に取り付けられたもう一
枚の散乱板である上散乱板161に入射する。第2の光
透過フィルタ156は、図16(c)の特性を有してい
る。したがって、上散乱板161に入射する光は第2の
光である。入射した第2の光は上散乱板161によって
下面に向けて均一な第2の光を照射するように散乱され
る。上散乱板161と画像入出力デバイス102の間に
は原稿129が挿入されており、原稿129上の濃淡に
応じて第2の光が透過し、その透過した第2の光によっ
て画像入出力デバイス102に原稿像が写し取られる。
は、本体を上部と下部に分ける必要がなく一体にするこ
とができるので、画像入出力パネルと照明部の電気的結
合線を本体の中で容易に引き回すことができ、構成がよ
り簡単に実現できる。フタ131には光学部品のみで電
気回路は備えておらず、本体とフタとの間の結線の必要
はない。また、画像入力時に紫外光が下側に向かって放
射されるので、誤っても操作者の目に紫外光が入る危険
性は少ない。
る。図18は図1の全体構成図から画像読み出しに直接
関係する部分を抜き出したものである。制御回路105
は動作モード(表示/画像入力/読み出し)の判定結果
に従って駆動制御回路106と読出回路108を制御す
る。読出回路108は読み出し時のみセグメント電極と
コモン電極に適切な電圧波形を印加するべく、駆動制御
回路106を制御する。以下、電気的に読み出す原理に
ついて説明する。本発明においては、光照射によって書
き込まれる情報は画素ごとの誘電率εの変化という形で
記録される。したがって、このεの変化を検出すればよ
い。まず、図19に示すように、液晶1画素をコンデン
サとみなし、検出用抵抗Rと電源を含む電気回路として
表す。液晶自身が持つ抵抗分については値が小さいため
無視してよい。また、配線部分を含む電極も抵抗分を持
つが、説明を簡単にするためにここでは省略する。図1
9(a)は液晶に対して電圧を印加している状態であ
り、これを充電状態と呼ぶ。図19(b)は液晶に蓄積
された電荷を放電している状態である(以降、これを放
電状態と呼ぶ)。
とができる。
りCの変化はεの変化に比例するから、Cの変化を検出
すればよい。
(図19(a))、定常状態に達した後、時刻t=0に
スイッチSWを開き、放電させるとする(図19
(b))。なお、電圧Voは液晶の表示内容を変化させ
ない程度の電圧とする。このとき、抵抗Rにかかる電圧
VR(t)は、回路方程式を解くことにより次のように
求まる。
画像情報が記録されている画素の容量Conは、画像情
報が記録されていない画素の容量Coffよりも大きく
なるため、Conの状態とCoffの状態では電圧VR
(t)の変化の仕方が異なる。
を測定し、あらかじめ設定しておいたしきい値電圧Vt
hと比較することにより、VR>Vthならば情報あ
り、VR<Vthならば情報なしと判定することができ
る。
めたが、スキャナとして機能させるには、全画素の情報
を読み出す必要がある。そのため、読み出しの際にも表
示時と同様に線順次走査を行ない、1行ずつ順に読み出
していく。1行がm画素で構成されるとすると、m画素
分のスイッチ、A/Dコンバータ、コンパレータを用意
することにより、m画素分のデータを同時に処理するこ
とができる。なお、説明上省略した配線部分を含む電極
の抵抗値は画素の位置によって異なるため、上記説明で
用いたしきい値電圧Vthも画素ごとに設定する必要が
ある。
する。一例として図21に示すように画像が記録された
とする。図21において、○は情報が記録されている画
素(容量Con)、×は情報が記録されていない画素
(容量Coff)を表す。また、Xi〜Xi+4はセグ
メント電極、Yj〜Yj+4はコモン電極である。これ
を読み出す際には、図22に示すようにコモン電極に電
圧を線順次で印加する。この時、セグメント電極は0v
に保つ。充電期間の後には放電期間を設けるが、この
時、セグメント検出電圧は図22に示すように変化し、
ConとCoffの違いによって変化の仕方が異なる。
そこで、放電開始後のある時刻でのセグメント検出電圧
をA/D変換し、あらかじめ画素ごとに設定されたしき
い値電圧とコンパレータで比較することにより、情報の
有無を判定する。図20の場合、t=t0におけるCo
nの画素の検出電圧V1はV1>Vthであるから情報
あり、Coffの画素の検出電圧V2はV2<Vthで
あるから情報なしと判定される。充電と放電をコモン電
極の数だけ繰り返せば全画面の読み出しが完了する。こ
れまで述べた読み出し手続きのフローチャートを図23
に示す。なお、ここでは液晶がm×n画素で構成されて
いるとしている。
はoff)で記録されたものとしてきたが、本発明にお
いてはこれが多値記録されたものでもよい。図24は4
値の場合の検出原理を説明する図である。光書き込みを
行った後の液晶の画素容量は、原稿の階調性によってC
off、C1、C2、C3のように変化する(Coff
<C1<C2<C3)。この時、状態を判別するための
しきい値を3つ(Vth1、Vth2、Vth3)設け
ることにより、4値のいずれであるかを判定することが
できる。すなわち、しきい値の数を(多値検出階調数−
1)とすることにより、階調性をもった読み出しを行う
ことができる。
劣化することから、表示の際には印加電圧の極性を一定
時間ごとに反転するということが行なわれるが、読み出
しの際にも印加電圧の極性を反転することができる。す
なわち、図25に示すように負電圧−Voの印加により
1回の走査が終了すると、次の走査の際には正電圧Vo
を印加し、これを繰り返すのである。こうすることによ
り、液晶の劣化を防ぐことができる。
液晶における、読み出し方法について説明する。TFT
液晶の1画素分の等価回路を図26に示す。マトリクス
状に配置された信号線と走査線の交点にTFTが配置さ
れ、ゲートは走査線に、ソースは信号線に、ドレインは
液晶容量に接続される。TFTはスイッチの役目をする
が、読み出す際にはスイッチONの状態を保つため、液
晶容量は信号線と接続されることになる。ここで、TF
TはスイッチON状態であっても抵抗値を持つが、デュ
ーティ液晶を用いた場合の説明において配線部分を含む
電極の抵抗分を省略したのと同様に、ここでも説明を簡
単にするため省略すると、読み出す際の回路は図19と
同じと考えることができる。すなわち、図19(a)が
充電時、図19(b)が放電時に対応する。したがっ
て、読み出し方法もデューティ液晶の場合と同じでよ
い。
方法について説明する。これまでは、図20に示したよ
うに、ある時刻における検出電圧とあらかじめ設定され
たしきい値電圧Vthとの大小関係によって書き込み情
報の有無を判定した。これに対して、図27に示すよう
に、検出電圧がある電圧Vf(<Vo)になる時間によ
って書き込み情報の有無を判定することができる。すな
わち、あらかじめしきい値時刻Tthを設定しておき、
VR=Vfとなった時刻としきい値時刻Tthの大小関
係によって書き込み情報の有無を判定する。図27の場
合、VR=VfとなるConの画素の時刻T1はT1>
Tthであるから情報あり、Coffの画素の時刻T2
はT2<Tthであるから情報なしと判定される。な
お、時間の測定はカウンタにより計時できる。
いて説明したが、これも同様にしきい値時刻を設定する
ことによっても検出することができる。すなわち、図2
8に示すように、4値の場合には状態を判別するための
しきい値時刻を3つ(Tth1、Tth2、Tth3)
設けることにより、4値のいずれであるかを判定するこ
とができる。ここでも、しきい値の数を(多値検出階調
数−1)とすることにより、階調性をもった読み出しを
行うことができる。
置によれば、1つのセルの中に液晶分子と光応答性分子
を封入することにより、画像表示機能と画像入力機能を
1つのデバイスでもたせることができる。そのため、表
示用電極と画像入力用電極を兼用することができ、構造
が簡単で、小型化することができ、低コストで生産する
ことができる。
に多く存在することから、多階調の画像を光学的に入力
したり、電気的に読み出したりすることができる。ま
た、非常に多くの光応答性分子が分散していることか
ら、光学的な入力感度が高く、電気的な読み出しに対し
て、S/N比が高く十分な大きさの信号が得られる。さ
らに、電気的な読み出しに対する解像度は第1の電極群
と第2の電極群の密度によるが、非常に多くの光応答性
分子が分散していることから、各画素から得られる電気
信号は離散的にサンプリングした濃度ではなく画素の平
均的な濃度を反映していて、ローパスフィルタの効果が
あり、信号にモアレが発生しない。
バイスに液晶の配向状態を一時的に記憶しておく機能が
あり、画像を一時的に記憶させることができる。そのた
めに、画像入力と電気的読み出しを時系列的に行なうこ
とができ、システムの柔軟さが増大する。また、静止画
を表示させるときには、常に画像入出力デバイスに表示
用の電気信号を送らなくてもよく、低消費電力化を図る
ことができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、液晶セルに封入す
る液晶の選択範囲が広がり、液晶にツイストネマチック
液晶あるいはスーパーツイストネマチック液晶を用いる
ことができるので、低電圧、低消費電力で動作させるこ
とができ、そのため、電池駆動のパーソナルコンピュー
タあるいは携帯情報端末機などへの応用に適している。
によれば、請求項1の効果に加えて、1つのセルの中に
高分子液晶と低分子液晶と光応答性分子の混合体を封入
することにより、偏光板を必要とせず、画像入力のため
の光及び表示のための光を有効に利用することができ
る。そのために、光量の少ないランプを使用することが
でき、低消費電力化を図ることができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、デューティー型液
晶パネルと同じ基本構造を持った画像入出力デバイスを
用いることにより、画像入出力デバイスが比較的簡単な
作成プロセスで作成することができ、上記の効果に加
え、低コストで実現することができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、TFT型液晶パネ
ルと同じ基本構造を持った画像入出力デバイスを用いる
ことにより、表示モードにおいて高コントラスト、高精
細で、動画の表示をすることができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、検出手段を簡単な
構成にすることができる。また、所定電圧を複数設ける
ことにより、原稿の階調を読み出すことができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、検出手段からの検
出電圧の大きさを時間に変換して測定することにより、
デジタル化が容易であり、その回路を低コストで作製す
ることができる。
ックを変更するだけで、容易に行なえる。さらに、原稿
の階調を読み出すために多値の検出を行なう場合も、複
数の基準電圧を備える必要はなく、低コストで高精度な
検出ができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、画像入出力デバイ
スで光学的に入力した画像を直接、画像入出力デバイス
上に表示させて目視することができる。光応答性分子は
非常に小さく、また非常に多くの数、セルの中に分散し
て存在しているので、光学的に入力された画像は非常に
高解像度である。即ち、光学的に入力された画像を表示
するだけの場合には、非常に高解像度な画像を表示させ
ることができる。
によれば、請求項1の効果に加えて、照明手段の構成が
簡略になり、装置本体の小型化及び低コスト化が可能に
なる。
置によれば、請求項1の効果に加えて、画像入力時には
第2の波長の光である紫外光が下側に向かって放射され
るので、誤って操作者の目に紫外光が入る危険性は少な
く、安全である。
る。
チャートである。
出力デバイスの断面図である。
る光応答性分子を表す摸式図である。
明する図である。
明する図である。
出力デバイスの断面図である。
れる光応答性分子を表す摸式図である。
説明する図である。
入出力デバイスの断面図である。
一体型表示装置の断面図である。
一体型表示装置の断面図である。
用いられる光フィルタの構成図である。
る。
一体型表示装置の断面図である。
である。
図である。
表す図である。
配置図である。
得られた信号波形を表す図である。
トである。
である。
ある。
る。
形を表す図である。
す図である。
る。
Claims (10)
- 【請求項1】 第1の波長の光の照射によって第1の分
子構造に変化し、第2の波長の光の照射によって第2の
分子構造に変化する光応答性分子と該光応答性分子の分
子構造の変化に対応して配向状態が変化する液晶分子と
が2枚の透明基板の間に封入された液晶セルと第1の電
極群と第2の電極群とからなる画像入出力デバイスと、 第1の電極群を駆動する第1の電極駆動手段と、 第2の電極群を駆動する第2の電極駆動手段と、 第1の波長の光及び第2の波長の光を上記画像入出力デ
バイスに照射する照明手段と、 第1の電極群に印加されたパルス電圧に応じて第1の電
極群と第2の電極群の交点に対応する箇所の静電容量を
読み出す読出手段と、 第1の電極駆動手段と第2の電極駆動手段と上記照明手
段と上記読出手段とを制御して、画像表示時には、第1
の波長の光を照射して第1の電極群と第2の電極群の交
点に対応する箇所の上記液晶分子の配向状態を変化させ
て上記画像入出力デバイスに第1の画像を表示し、画像
入力時には、第2の波長の光を照射して上記画像入出力
デバイスに第2の画像を入力してから第1の電極群にパ
ルス電圧を発生して第1の電極群と第2の電極群の交点
に対応する箇所の静電容量を読み出して第2の画像を読
み出す制御手段と、を備えたことを特徴とする画像入力
一体型表示装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、上記光応答性分子は、少なくとも一方の透
明基板に固着されていることを特徴とする画像入力一体
型表示装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、上記液晶分子は、高分子液晶と低分子液晶
の混合体からなり、該混合体と上記光応答性分子とが上
記液晶セルに分散されていることを特徴とする画像入力
一体型表示装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、第1の電極群が一方の透明基板上に形成さ
れ、第2の電極群が他方の透明基板上に形成されている
ことを特徴とする画像入力一体型表示装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、第1の電極群と第2の電極群とが一方の透
明基板上に形成され、第1の電極群と第2の電極群との
交点にスイッチング素子が形成され、共通電極が他方の
透明基板上に形成されていることを特徴とする画像入力
一体型表示装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、上記読出手段は、上記静電容量から所定時
間後の電圧を検出する電圧検出手段と、検出された電圧
と所定電圧との大小比較をする電圧比較手段と、からな
ることを特徴とする画像入力一体型表示装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、上記読出手段は、上記静電容量から電圧を
検出する電圧検出手段と、検出された電圧が所定電圧に
到達するまでの時間を計時する計時手段と、からなるこ
とを特徴とする画像入力一体型表示装置。 - 【請求項8】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、上記照明手段は、上記画像入出力デバイス
に入力された第2の画像を表示するために上記光応答性
分子の状態を変化させない第3の波長の光を照射するこ
とを特徴とする画像入力一体型表示装置。 - 【請求項9】 請求項1に記載の画像入力一体型表示装
置において、上記照明手段は、第1の波長の光と第2の
波長の光を照射する光源が共用され、第1の波長の光と
第2の波長の光とを分離する光波長分離手段を備えてい
ることを特徴とする画像入力一体型表示装置。 - 【請求項10】 請求項1に記載の画像入力一体型表示
装置において、上記照明手段は、第1の波長の光と第2
の波長の光を照射する光源が共用され、第1の波長の光
を一方の透明基板から照射し、第2の波長の光を他方の
透明基板から照射する導光手段を備えていることを特徴
とする画像入力一体型表示装置。
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