JPH04251824A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPH04251824A JPH04251824A JP3009278A JP927891A JPH04251824A JP H04251824 A JPH04251824 A JP H04251824A JP 3009278 A JP3009278 A JP 3009278A JP 927891 A JP927891 A JP 927891A JP H04251824 A JPH04251824 A JP H04251824A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【従来の技術】従来、この種の画面部に入力機能を備え
た電気光学装置は多数提案され、一部実用化されている
。図９は、現在実用化されている、手書き入力機能付き
液晶表示装置の概念図であり、１は手書き入力パネル部
、２は液晶表示パネル部、３は入力用圧力ペン、４と５
は入力信号処理回路、６は記憶回路と液晶コントローラ
回路、７は走査電極駆動回路、８は信号電極駆動回路で
ある。手書き入力パネルは、通常２枚のガラス基板の内
面にＸＹ電極を形成してギャップを設けて対向接着し、
圧力ペン、または磁力線によって入力するものである。 したがって、ガラス基板は、液晶表示部を含めて４枚必
要であり、入力信号処理回路と表示駆動回路、及び最低
４箇所の接続コネクターが必要である。
た電気光学装置は多数提案され、一部実用化されている
。図９は、現在実用化されている、手書き入力機能付き
液晶表示装置の概念図であり、１は手書き入力パネル部
、２は液晶表示パネル部、３は入力用圧力ペン、４と５
は入力信号処理回路、６は記憶回路と液晶コントローラ
回路、７は走査電極駆動回路、８は信号電極駆動回路で
ある。手書き入力パネルは、通常２枚のガラス基板の内
面にＸＹ電極を形成してギャップを設けて対向接着し、
圧力ペン、または磁力線によって入力するものである。 したがって、ガラス基板は、液晶表示部を含めて４枚必
要であり、入力信号処理回路と表示駆動回路、及び最低
４箇所の接続コネクターが必要である。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来公
知である図９の手書き入力表示装置は、多数のＸＹ電極
を形成した手書き入力パネル部と、入力信号処理回路、
および、接続コネクターが必要であり、部品点数が多く
、重く厚くなるとともに、製造工程数が多く、コスト高
になる欠点があった。また、入力方法が、圧力ペンや、
磁力線などの手段を使用するため、印刷物のコピー機能
などを付加することはできない、などの課題があった。
知である図９の手書き入力表示装置は、多数のＸＹ電極
を形成した手書き入力パネル部と、入力信号処理回路、
および、接続コネクターが必要であり、部品点数が多く
、重く厚くなるとともに、製造工程数が多く、コスト高
になる欠点があった。また、入力方法が、圧力ペンや、
磁力線などの手段を使用するため、印刷物のコピー機能
などを付加することはできない、などの課題があった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、外部から直接画像入力機能を備えた電
気光学装置において、２端子非線形抵抗素子と電気光学
材料を直列に接続した単位画素を有する表示部に、２端
子非線形抵抗素子が光によって抵抗が変化する性質を利
用して、光によって直接画像を書き込み、さらに、書き
込み画像データを表示部から読み込むようにした。
に、この発明は、外部から直接画像入力機能を備えた電
気光学装置において、２端子非線形抵抗素子と電気光学
材料を直列に接続した単位画素を有する表示部に、２端
子非線形抵抗素子が光によって抵抗が変化する性質を利
用して、光によって直接画像を書き込み、さらに、書き
込み画像データを表示部から読み込むようにした。
【０００４】
【作用】上記のように構成された電気光学装置において
は、画像表示部が、外部からの信号入力部と併用するた
めに、書き込み専用パネル部が不要となり、電気光学装
置のパネル部の重量および厚みが約１／２となり、入力
部の駆動回路や接続コネクター部が不要であり、その結
果、電気光学装置の部品点数が減少するとともに、短時
間で複雑な画像を一括転写入力することとなる。
は、画像表示部が、外部からの信号入力部と併用するた
めに、書き込み専用パネル部が不要となり、電気光学装
置のパネル部の重量および厚みが約１／２となり、入力
部の駆動回路や接続コネクター部が不要であり、その結
果、電気光学装置の部品点数が減少するとともに、短時
間で複雑な画像を一括転写入力することとなる。
【０００５】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図１から図８は本発明による電気光学装置の動
作を説明するための図である。図１は、本発明による電
気光学装置の斜視図であり、１０は上側基板、１１は下
側基板、１２は上側偏光板、１３は反射板付き下側偏光
板、１４はライトペン、１５は走査電極駆動回路、１６
は信号電極駆動回路、１７は電流検出回路、１８は記憶
回路、１９は制御回路を示し、図では省略したが、上下
基板間には液晶が封入されている。本電気光学装置の通
常動作時は、コンピュータなどからの外部表示信号を１
９の制御回路をとおして１５および１６の駆動回路から
の時分割駆動信号によって表示動作を行う。外部からの
画像書き込み時は、後述する調整した一定信号をパネル
部に印加して、ライトペン等によって光を照射した書き
込み部分が、表示を持続するようにして書き込み画像を
表示部に記憶し、前記表示部に記憶した画像の読み取り
は、後述する駆動波形によって、１７の電流検出回路に
よって電気信号化し、１８の記憶回路に画像データを記
憶するものである。
明する。図１から図８は本発明による電気光学装置の動
作を説明するための図である。図１は、本発明による電
気光学装置の斜視図であり、１０は上側基板、１１は下
側基板、１２は上側偏光板、１３は反射板付き下側偏光
板、１４はライトペン、１５は走査電極駆動回路、１６
は信号電極駆動回路、１７は電流検出回路、１８は記憶
回路、１９は制御回路を示し、図では省略したが、上下
基板間には液晶が封入されている。本電気光学装置の通
常動作時は、コンピュータなどからの外部表示信号を１
９の制御回路をとおして１５および１６の駆動回路から
の時分割駆動信号によって表示動作を行う。外部からの
画像書き込み時は、後述する調整した一定信号をパネル
部に印加して、ライトペン等によって光を照射した書き
込み部分が、表示を持続するようにして書き込み画像を
表示部に記憶し、前記表示部に記憶した画像の読み取り
は、後述する駆動波形によって、１７の電流検出回路に
よって電気信号化し、１８の記憶回路に画像データを記
憶するものである。
【０００６】図２は、本発明による電気光学装置のパネ
ル部の等価回路図であり、２０は液晶、２１は非線形抵
抗素子であり、多数の信号電極と走査電極の各交差部に
、直列に接続している。図３は、本発明による電気光学
装置に用いる非線形抵抗素子の電圧対電流特性を示すグ
ラフであり、光照射しないときの特性がｄａｒｋ、光照
射したときの特性をｐｈｏｔｏで示す。非線形抵抗素子
と直列に接続した液晶の透過率が変化し始める電圧をＶ
ｔｈ、保持期間の電圧Ｖｂを約Ｖｔｈ／５とすると、電
圧Ｖｂでのｐｈｏｔｏ電流はｄａｒｋ電流より約１ケタ
以上大きい。また、非線形抵抗素子の電圧に対する電流
の非線形性 Ｌｏｇ（Ｉ）／Ｖはおおむね０．３５以
上が適切である。このような特性を持つ非線形抵抗素子
として、シリコンを主体にした、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、シリコン炭化膜などを使用することができ
る。本実施例では、シリコン窒化膜ＳｉＮｘを用い、シ
リコンと窒素の原子組成比 Ｎ／Ｓｉ≦０．５の材料
である。
ル部の等価回路図であり、２０は液晶、２１は非線形抵
抗素子であり、多数の信号電極と走査電極の各交差部に
、直列に接続している。図３は、本発明による電気光学
装置に用いる非線形抵抗素子の電圧対電流特性を示すグ
ラフであり、光照射しないときの特性がｄａｒｋ、光照
射したときの特性をｐｈｏｔｏで示す。非線形抵抗素子
と直列に接続した液晶の透過率が変化し始める電圧をＶ
ｔｈ、保持期間の電圧Ｖｂを約Ｖｔｈ／５とすると、電
圧Ｖｂでのｐｈｏｔｏ電流はｄａｒｋ電流より約１ケタ
以上大きい。また、非線形抵抗素子の電圧に対する電流
の非線形性 Ｌｏｇ（Ｉ）／Ｖはおおむね０．３５以
上が適切である。このような特性を持つ非線形抵抗素子
として、シリコンを主体にした、シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜、シリコン炭化膜などを使用することができ
る。本実施例では、シリコン窒化膜ＳｉＮｘを用い、シ
リコンと窒素の原子組成比 Ｎ／Ｓｉ≦０．５の材料
である。
【０００７】図４は、本発明に用いた電気光学材料であ
る正の誘電異方性を有する液晶の電圧対容量変化を示す
グラフであり、スレッショールド電圧のときの容量をＣ
１０、飽和電圧のときの容量をＣ９０として、おおむね
Ｃ９０≧２Ｃ１０と設定する。負の誘電異方性をもつ材
料を使用した場合でも同等である。図５は、前記非線形
抵抗素子と前記液晶材料を直列に接続して、電圧平均化
法による駆動を行ったときの、オペレーション電圧Ｖｏ
ｐと液晶光学濃度を示すグラフである。駆動波形のバイ
アス比を１／６に固定し、Ｖｏｐを低電圧から上昇させ
ると、Ｖｏｐ＝Ｖｕの電圧で光学濃度が急激に高くなり
飽和する。一方、この状態からＶｏｐを低下させると、
Ｖｏｐ＝ＶＬ の電圧で光学濃度が急激に減少し、ヒス
テリシス現象を示す。ヒステリシス電圧の幅 ｄＶ＝
Ｖｕ−ＶＬは大きいほど良いが、この値は、非線形抵抗
素子の非線形性が大であり、電気光学材料の容量変化が
大きいほど大きい。前記特性を持つ材料を使用すれば、
ｄＶ＞１Ｖを得ることができる。
る正の誘電異方性を有する液晶の電圧対容量変化を示す
グラフであり、スレッショールド電圧のときの容量をＣ
１０、飽和電圧のときの容量をＣ９０として、おおむね
Ｃ９０≧２Ｃ１０と設定する。負の誘電異方性をもつ材
料を使用した場合でも同等である。図５は、前記非線形
抵抗素子と前記液晶材料を直列に接続して、電圧平均化
法による駆動を行ったときの、オペレーション電圧Ｖｏ
ｐと液晶光学濃度を示すグラフである。駆動波形のバイ
アス比を１／６に固定し、Ｖｏｐを低電圧から上昇させ
ると、Ｖｏｐ＝Ｖｕの電圧で光学濃度が急激に高くなり
飽和する。一方、この状態からＶｏｐを低下させると、
Ｖｏｐ＝ＶＬ の電圧で光学濃度が急激に減少し、ヒス
テリシス現象を示す。ヒステリシス電圧の幅 ｄＶ＝
Ｖｕ−ＶＬは大きいほど良いが、この値は、非線形抵抗
素子の非線形性が大であり、電気光学材料の容量変化が
大きいほど大きい。前記特性を持つ材料を使用すれば、
ｄＶ＞１Ｖを得ることができる。
【０００８】外部からの光による書き込み方法は、一旦
ＶｏｐをＶｕ以上の電圧に設定し、次に、ヒステリシス
の中間電位であるＶｘに設定し、表示部を一定の濃度状
態（白／黒）にする。次に、光を照射すると、非線形抵
抗素子の抵抗が低下することにより、液晶に印加される
実効電圧が低下し、液晶はｏｆｆ状態となり液晶の容量
は低下する。ＶｏｐはＶｘに固定されているため、一旦
ｏｆｆ状態となった画素はその状態を保持する。このよ
うにして、光によって画像を書き込み、光を除去した後
もこの状態を保持することができる。
ＶｏｐをＶｕ以上の電圧に設定し、次に、ヒステリシス
の中間電位であるＶｘに設定し、表示部を一定の濃度状
態（白／黒）にする。次に、光を照射すると、非線形抵
抗素子の抵抗が低下することにより、液晶に印加される
実効電圧が低下し、液晶はｏｆｆ状態となり液晶の容量
は低下する。ＶｏｐはＶｘに固定されているため、一旦
ｏｆｆ状態となった画素はその状態を保持する。このよ
うにして、光によって画像を書き込み、光を除去した後
もこの状態を保持することができる。
【０００９】図６は本発明による電気光学装置の縦断面
図であり、偏光板、反射板、駆動回路部は省略した。１
０は上側基板、１１は下側基板でともにガラス基板を使
用する。２０は液晶層、２４は信号電極、２２は画素電
極、２３は非線形抵抗膜をそれぞれ示し、透明電極であ
る画素電極２２と、信号電極２４との間に、非線形抵抗
素子２１が形成される。図６において、光を照射しない
画素電極には、非線形抵抗素子を介して液晶層に電圧が
印加されて液晶分子が立ち、光が照射した画素は、非線
形抵抗素子の抵抗が低下するために液晶に電圧が印加さ
れず、光を除去した後も、前記ヒステリシス現象によっ
て、液晶分子は立ち上がらない状態を保持することにな
る。
図であり、偏光板、反射板、駆動回路部は省略した。１
０は上側基板、１１は下側基板でともにガラス基板を使
用する。２０は液晶層、２４は信号電極、２２は画素電
極、２３は非線形抵抗膜をそれぞれ示し、透明電極であ
る画素電極２２と、信号電極２４との間に、非線形抵抗
素子２１が形成される。図６において、光を照射しない
画素電極には、非線形抵抗素子を介して液晶層に電圧が
印加されて液晶分子が立ち、光が照射した画素は、非線
形抵抗素子の抵抗が低下するために液晶に電圧が印加さ
れず、光を除去した後も、前記ヒステリシス現象によっ
て、液晶分子は立ち上がらない状態を保持することにな
る。
【００１０】図７は、本発明による電気光学装置の画像
読み取り方法の説明図である。図７（ａ）は走査電極Ｓ
ｎからＳｎ＋４、信号電極ＤｍからＤｍ＋４の表示画面
に画像が書き込み記憶された状態を示し、×が液晶分子
軸が基板面に平行で容量が小さいｏｆｆ状態を示し、○
が液晶分子軸が基板面に垂直に立って容量が大きいｏｎ
状態を示す。図７（ｂ）は前記ｏｆｆ状態×の一単位画
素の等価回路図であり、非線形抵抗素子の抵抗Ｒｏｆｆ
、容量Ｃｉ、液晶の抵抗ＲＬＣ、容量ＣＬ であり、図
７（ｃ）は前記ｏｎ状態○の一単位画素の等価回路図で
あり、非線形抵抗素子の抵抗Ｒｏｎ、液晶の容量Ｃｕで
あり、それぞれ両端子間に−Ｖｒの電圧が印加される。 この時に流れる電流は、非線形抵抗素子の容量Ｃｉと液
晶の容量ＣＬＣとの容量分割比で決定される。すなわち
、液晶容量ＣＬ であるｏｆｆ状態×のとき、非線形抵
抗素子に印加される電圧は、液晶容量Ｃｕであるｏｎ状
態○よりも低下し、信号電極を流れる電流はｉｏｎ＞ｉ
ｏｆｆとなる。通常、Ｃｉ〜０．４ｐＦ、ＣＬ 〜０．
８ｐＦ、Ｃｕ＞１．６ｐＦと設定することにより、ｉｏ
ｎ≧４ｉｏｆｆとすることができ、表示状態を判定する
ための充分な電流比を得ることができる。図７（ｄ）は
走査電極の電圧波形であり、期間τｒ、電位−Ｖｒを線
順次印加し、この時、信号電極の電位レベルは、ＸＹ電
極の交差部の容量や付帯容量の影響を受けないようにす
るため、走査電極の保持期間と同じ電位レベル０Ｖとす
る。 図７（ｅ）は信号電極ＤｍからＤｍ＋４の電流波形を示
し、図７（ａ）の表示画面に対応する。このように、走
査電極を線順次選択し、信号電極の電流を電流検出回路
によって一括して読み取るものである。
読み取り方法の説明図である。図７（ａ）は走査電極Ｓ
ｎからＳｎ＋４、信号電極ＤｍからＤｍ＋４の表示画面
に画像が書き込み記憶された状態を示し、×が液晶分子
軸が基板面に平行で容量が小さいｏｆｆ状態を示し、○
が液晶分子軸が基板面に垂直に立って容量が大きいｏｎ
状態を示す。図７（ｂ）は前記ｏｆｆ状態×の一単位画
素の等価回路図であり、非線形抵抗素子の抵抗Ｒｏｆｆ
、容量Ｃｉ、液晶の抵抗ＲＬＣ、容量ＣＬ であり、図
７（ｃ）は前記ｏｎ状態○の一単位画素の等価回路図で
あり、非線形抵抗素子の抵抗Ｒｏｎ、液晶の容量Ｃｕで
あり、それぞれ両端子間に−Ｖｒの電圧が印加される。 この時に流れる電流は、非線形抵抗素子の容量Ｃｉと液
晶の容量ＣＬＣとの容量分割比で決定される。すなわち
、液晶容量ＣＬ であるｏｆｆ状態×のとき、非線形抵
抗素子に印加される電圧は、液晶容量Ｃｕであるｏｎ状
態○よりも低下し、信号電極を流れる電流はｉｏｎ＞ｉ
ｏｆｆとなる。通常、Ｃｉ〜０．４ｐＦ、ＣＬ 〜０．
８ｐＦ、Ｃｕ＞１．６ｐＦと設定することにより、ｉｏ
ｎ≧４ｉｏｆｆとすることができ、表示状態を判定する
ための充分な電流比を得ることができる。図７（ｄ）は
走査電極の電圧波形であり、期間τｒ、電位−Ｖｒを線
順次印加し、この時、信号電極の電位レベルは、ＸＹ電
極の交差部の容量や付帯容量の影響を受けないようにす
るため、走査電極の保持期間と同じ電位レベル０Ｖとす
る。 図７（ｅ）は信号電極ＤｍからＤｍ＋４の電流波形を示
し、図７（ａ）の表示画面に対応する。このように、走
査電極を線順次選択し、信号電極の電流を電流検出回路
によって一括して読み取るものである。
【００１１】図８は、本発明による電気光学装置の他の
一実施例である縦断面図を示し、コピー機能を備えたも
のである。１０、１１は上下基板、２０は液晶、１２、
１３は偏光板、２７は導光板、２８は光源、２９は光源
ボックス、２６は被複写物の紙である。２６ａは、被複
写物の反射率の低い黒色部、２６ｂは反射率の高い白色
部であり、光源２８からの光は、黒色部２６ａでは光が
吸収されるため、非線形抵抗素子２１ａは光による影響
を受けず、一方、白色部２６ｂの非線形抵抗素子２１ｂ
は反射光による影響を受け、抵抗が変化し、表示面に画
像データが書き込まれることとなる。
一実施例である縦断面図を示し、コピー機能を備えたも
のである。１０、１１は上下基板、２０は液晶、１２、
１３は偏光板、２７は導光板、２８は光源、２９は光源
ボックス、２６は被複写物の紙である。２６ａは、被複
写物の反射率の低い黒色部、２６ｂは反射率の高い白色
部であり、光源２８からの光は、黒色部２６ａでは光が
吸収されるため、非線形抵抗素子２１ａは光による影響
を受けず、一方、白色部２６ｂの非線形抵抗素子２１ｂ
は反射光による影響を受け、抵抗が変化し、表示面に画
像データが書き込まれることとなる。
【００１２】以上の説明から明らかに、本発明による電
気光学装置は、光学的に画像書き込みを行うものであり
、画像書き込み手段として、ライトペンのほかに、印刷
物等を表示パネル部に密着させ、上方から光照射して画
像の一括書き込み、書き込み画像の読み取りを行うこと
ができる。本実施例においては、電気光学材料として液
晶を用いて説明してきたが、誘電率の電圧に対する差が
極めて大きい透明強誘電体材料である、ＰＬＺＴなどの
セラミックス材料を使用することができる。
気光学装置は、光学的に画像書き込みを行うものであり
、画像書き込み手段として、ライトペンのほかに、印刷
物等を表示パネル部に密着させ、上方から光照射して画
像の一括書き込み、書き込み画像の読み取りを行うこと
ができる。本実施例においては、電気光学材料として液
晶を用いて説明してきたが、誘電率の電圧に対する差が
極めて大きい透明強誘電体材料である、ＰＬＺＴなどの
セラミックス材料を使用することができる。
【００１３】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように、画像
書き込み入力と画像表示を同一パネルで行うという構成
としたので、入力用パネル、接続コネクター、基板など
が不必要となり、構成部品点数を大幅に減少させること
ができ、薄型軽重量の電気光学装置を低コストで製造で
きることのほかに、入力手段が光であるために、複雑な
画像を短時間で一括して表示部へ転写し、転写した画像
データの読み取り動作することができるというすぐれた
効果がある。
書き込み入力と画像表示を同一パネルで行うという構成
としたので、入力用パネル、接続コネクター、基板など
が不必要となり、構成部品点数を大幅に減少させること
ができ、薄型軽重量の電気光学装置を低コストで製造で
きることのほかに、入力手段が光であるために、複雑な
画像を短時間で一括して表示部へ転写し、転写した画像
データの読み取り動作することができるというすぐれた
効果がある。
【図１】本発明による電気光学装置の斜視図であり、ラ
イトペンによる手書き入力状態を示した説明図である。
イトペンによる手書き入力状態を示した説明図である。
【図２】本発明による電気光学装置の等価回路図である
。
。
【図３】本発明による電気光学装置に用いる非線形抵抗
素子の電圧対電流特性をグラフにした説明図である。
素子の電圧対電流特性をグラフにした説明図である。
【図４】本発明による電気光学装置に用いる電気光学材
料の電圧対容量特性をグラフにした説明図である。
料の電圧対容量特性をグラフにした説明図である。
【図５】本発明による電気光学装置のオペレーション電
圧対画素の光学濃度をグラフにした説明図である。
圧対画素の光学濃度をグラフにした説明図である。
【図６】本発明による電気光学装置の縦断面図である。
【図７】本発明による電気光学装置の画像読み取り方法
の説明図である。（ａ）は走査電極ＳｎからＳｎ＋４、
信号電極ＤｍからＤｍ＋４の画像記憶状態を示す図、（
ｂ）はｏｆｆ状態の等価回路図、（ｃ）はｏｎ状態の等
価回路図、（ｄ）は走査電極の電位レベルを示すタイミ
ングチャート、（ｅ）は記憶画像に応じた電流波形のタ
イミングチャートをそれぞれ示す。
の説明図である。（ａ）は走査電極ＳｎからＳｎ＋４、
信号電極ＤｍからＤｍ＋４の画像記憶状態を示す図、（
ｂ）はｏｆｆ状態の等価回路図、（ｃ）はｏｎ状態の等
価回路図、（ｄ）は走査電極の電位レベルを示すタイミ
ングチャート、（ｅ）は記憶画像に応じた電流波形のタ
イミングチャートをそれぞれ示す。
【図８】本発明による電気光学装置の一実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図９】従来公知である、手書き入力機能を備えた電気
光学装置の斜視図である。
光学装置の斜視図である。
１ 手書き入力パネル部
２ 液晶表示パネル部
３ 入力用圧力ペン
４、５ 入力信号処理回路
６ 記憶回路
７、８ 表示駆動回路
１０ 上側基板
１１ 下側基板
１２ 偏光板
１３ 偏光板付き反射板
１４ ライトペン
１５ 走査電極駆動回路
１６ 信号電極駆動回路
１７ 電流検出回路
１８ 記憶回路
１９ 制御回路
２０ 液晶
２１ 非線形抵抗素子
２２ 画素電極
２３ 非線形抵抗膜
２４ 信号電極
２５ 走査電極
２６ 被複写物の紙
２６ａ 被複写物の黒色部
２６ｂ 被複写物の白色部
２７ 導光板
２８ 光源
２９ 光源ボックス
Claims (8)
- 【請求項１】 多数の走査電極と多数の信号電極の交
差部に、光感受性をもつ非線形抵抗素子と電気光学材料
を直列に接続した画素を配置した表示部と、駆動回路と
、電流検出回路と、画像記憶回路などからなる画像入力
機能を具備した電気光学装置において、時分割駆動によ
る表示駆動動作をするとともに、前記表示部へ光を照射
して画像を書き込み、前記表示部に一旦記憶し、前記記
憶した画像を電流検出回路により検出し、記憶回路に前
記画像データを記憶することを特徴とする電気光学装置
。 - 【請求項２】 請求項１記載の電気光学装置において
、発光源が付加していることを特徴とする電気光学装置
。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の電気光学装置に
おいて、非線形抵抗素子は、電圧に対して非線形な電流
が流れるとともに、光に対して抵抗が変化することを特
徴とする電気光学装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の電気光学装置に
おいて、電気光学材料は、印加電圧に対して光学的な変
化をするとともに、印加電圧に対して容量が変化するこ
とを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４記載の電気光学装置に
おいて、表示動作を行う駆動波形と、光による書き込み
動作時の駆動波形は異なることを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項６】 請求項１乃至４記載の電気光学装置に
おいて、表示動作を行う駆動波形と、書き込み画像の読
み取り駆動波形は異なることを特徴とする電気光学装置
。 - 【請求項７】 請求項１乃至４記載の電気光学装置に
おいて、非線形抵抗素子は、シリコンを主体にした、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜などか
らなることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至４記載の電気光学装置に
おいて、電気光学材料は、液晶、または、透明強誘電体
であることを特徴とする電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009278A JPH04251824A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3009278A JPH04251824A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251824A true JPH04251824A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11716004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3009278A Pending JPH04251824A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04251824A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585817A (en) * | 1992-05-20 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus and a method for inputting/outputting an image |
| US5966112A (en) * | 1996-09-13 | 1999-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated image-input type display unit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139581A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-08-10 | マイクロドツト・インコ−ポレ−テツド | 遮蔽され接地されるコネクタ |
| JPS59143287A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-16 | アンプ インコーポレーテッド | シールドケーブル用プラグコネクター |
| JPS63154902A (ja) * | 1986-10-04 | 1988-06-28 | シュラムバーガー エレクトロニクス（ユーケイ）リミテッド | 変位トランスジューサ |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP3009278A patent/JPH04251824A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139581A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-08-10 | マイクロドツト・インコ−ポレ−テツド | 遮蔽され接地されるコネクタ |
| JPS59143287A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-16 | アンプ インコーポレーテッド | シールドケーブル用プラグコネクター |
| JPS63154902A (ja) * | 1986-10-04 | 1988-06-28 | シュラムバーガー エレクトロニクス（ユーケイ）リミテッド | 変位トランスジューサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585817A (en) * | 1992-05-20 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus and a method for inputting/outputting an image |
| US5966112A (en) * | 1996-09-13 | 1999-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated image-input type display unit |
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