JPH1079298A - 蛍光ランプ点灯装置 - Google Patents
蛍光ランプ点灯装置Info
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- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
- H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S315/00—Electric lamp and discharge devices: systems
- Y10S315/05—Starting and operating circuit for fluorescent lamp
Landscapes
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カレントトランスを用いることなく、小型か
つ簡単で安価な構成の蛍光ランプ点灯装置を提供する。 【解決手段】 電源回路に接続された、第１スイッチン
グ素子および第２スイッチング素子からなる第１直列体
と、電源回路の一方の端子と、第１スイッチング素子お
よび第２スイッチング素子の中点との間に接続された、
第１インダクタ、第１キャパシタおよび蛍光ランプから
なる第２直列体と、第１スイッチング素子の制御端子ま
たは第２スイッチング素子の制御端子に制御電圧を供給
する、第２インダクタ、第２キャパシタ、および第１イ
ンダクタと電磁的に結合された第３インダクタからなる
第３直列体と、第２キャパシタに並列に接続された定電
圧素子と、を備えており、定電圧素子は、制御端子に対
応する陰極端子に対して、正の制御電圧および負の制御
電圧を制御端子に供給し、正の制御電圧の絶対値は、負
の制御電圧の絶対値よりも大きい。
つ簡単で安価な構成の蛍光ランプ点灯装置を提供する。 【解決手段】 電源回路に接続された、第１スイッチン
グ素子および第２スイッチング素子からなる第１直列体
と、電源回路の一方の端子と、第１スイッチング素子お
よび第２スイッチング素子の中点との間に接続された、
第１インダクタ、第１キャパシタおよび蛍光ランプから
なる第２直列体と、第１スイッチング素子の制御端子ま
たは第２スイッチング素子の制御端子に制御電圧を供給
する、第２インダクタ、第２キャパシタ、および第１イ
ンダクタと電磁的に結合された第３インダクタからなる
第３直列体と、第２キャパシタに並列に接続された定電
圧素子と、を備えており、定電圧素子は、制御端子に対
応する陰極端子に対して、正の制御電圧および負の制御
電圧を制御端子に供給し、正の制御電圧の絶対値は、負
の制御電圧の絶対値よりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光ランプ点灯装
置に関し、より詳細には、複数のスイッチング素子によ
って蛍光ランプを駆動する点灯装置に関する。
置に関し、より詳細には、複数のスイッチング素子によ
って蛍光ランプを駆動する点灯装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術による蛍光ランプ点灯装置と
しては、例えば、図６に示すいわゆる「シリーズインバ
ータ」がある。図６の回路において、蛍光ランプ８の始
動前に、電流は交流電源１から整流回路３を流れ、この
整流回路３によって、交流電圧は整流されて、平滑キャ
パシタ４に充電されるとともに、抵抗器１１、抵抗器２
３、カレントトランス２５の２次巻線２５ｃを介して流
れてトリガキャパシタ１４に充電される。トリガキャパ
シタ１４の電圧がＦＥＴ６のゲートスレッシュホールド
電圧に達すると、トリガキャパシタ１４の電荷がＦＥＴ
６のゲートに供給され、ＦＥＴ６がオンする。
しては、例えば、図６に示すいわゆる「シリーズインバ
ータ」がある。図６の回路において、蛍光ランプ８の始
動前に、電流は交流電源１から整流回路３を流れ、この
整流回路３によって、交流電圧は整流されて、平滑キャ
パシタ４に充電されるとともに、抵抗器１１、抵抗器２
３、カレントトランス２５の２次巻線２５ｃを介して流
れてトリガキャパシタ１４に充電される。トリガキャパ
シタ１４の電圧がＦＥＴ６のゲートスレッシュホールド
電圧に達すると、トリガキャパシタ１４の電荷がＦＥＴ
６のゲートに供給され、ＦＥＴ６がオンする。
【０００３】ＦＥＴ６がオンすると、交流電源１から整
流回路３を介して、共振キャパシタ７、蛍光ランプ８の
一方の電極８ａ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプ８の他
方の電極８ｂ、インダクタ２４、カレントトランス２５
の１次巻線２５ｂ、ＦＥＴ６のドレイン、整流回路３、
交流電源１に電流が増加しながら流れる。
流回路３を介して、共振キャパシタ７、蛍光ランプ８の
一方の電極８ａ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプ８の他
方の電極８ｂ、インダクタ２４、カレントトランス２５
の１次巻線２５ｂ、ＦＥＴ６のドレイン、整流回路３、
交流電源１に電流が増加しながら流れる。
【０００４】次いでカレントトランス２５の１次巻線２
５ｂに流れる電流によってカレントトランス２５の２次
巻線２５ｃに電圧が発生し、ＦＥＴ６のゲート電圧を供
給し、ＦＥＴ６はオンを維持する。この際、カレントト
ランス２５の１次巻線２５ｂを流れる電流も増加を続け
るが、ある時点でカレントトランス２５のコアが磁気飽
和し、インダクタンスとしての機能を失う。
５ｂに流れる電流によってカレントトランス２５の２次
巻線２５ｃに電圧が発生し、ＦＥＴ６のゲート電圧を供
給し、ＦＥＴ６はオンを維持する。この際、カレントト
ランス２５の１次巻線２５ｂを流れる電流も増加を続け
るが、ある時点でカレントトランス２５のコアが磁気飽
和し、インダクタンスとしての機能を失う。
【０００５】カレントトランス２５のコアが磁気飽和す
ると、カレントトランス２５の２次巻線２５ｃの出力が
なくなり、ＦＥＴ６のゲート・ソース間に供給される電
圧がスレッシュホールド電圧以下になるとともに、ＦＥ
Ｔ６はオフする。
ると、カレントトランス２５の２次巻線２５ｃの出力が
なくなり、ＦＥＴ６のゲート・ソース間に供給される電
圧がスレッシュホールド電圧以下になるとともに、ＦＥ
Ｔ６はオフする。
【０００６】なお、カレントトランス２５に蓄積された
エネルギーによる電流は時間とともに変化する電流であ
るため、カレントトランス２５のコアの磁気飽和を境と
して、２次巻線の出力極性が反転する。すなわち、ＦＥ
Ｔ５のゲート・ソース間に供給される電圧が上昇するの
で、やがてＦＥＴ５がオンする。
エネルギーによる電流は時間とともに変化する電流であ
るため、カレントトランス２５のコアの磁気飽和を境と
して、２次巻線の出力極性が反転する。すなわち、ＦＥ
Ｔ５のゲート・ソース間に供給される電圧が上昇するの
で、やがてＦＥＴ５がオンする。
【０００７】ＦＥＴ５がオンすると、電流は、共振キャ
パシタ７、ＦＥＴ５、カレントトランス２５の１次巻線
２５ｂ、インダクタ２４、蛍光ランプ８の一方の電極８
ｂ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプ８の他方の電極８
ａ、共振キャパシタ７と流れ、この電流は、共振キャパ
シタ７、ＦＥＴ５、カレントトランス２５、インダクタ
２４、蛍光ランプ８の一方の電極８ｂ、予熱キャパシタ
９、蛍光ランプ８の他方の電極８ａを含む閉回路で共振
する。
パシタ７、ＦＥＴ５、カレントトランス２５の１次巻線
２５ｂ、インダクタ２４、蛍光ランプ８の一方の電極８
ｂ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプ８の他方の電極８
ａ、共振キャパシタ７と流れ、この電流は、共振キャパ
シタ７、ＦＥＴ５、カレントトランス２５、インダクタ
２４、蛍光ランプ８の一方の電極８ｂ、予熱キャパシタ
９、蛍光ランプ８の他方の電極８ａを含む閉回路で共振
する。
【０００８】この電流が反転してカレントトランス２５
のコアが再び磁気飽和すると、カレントトランス２５の
２次巻線２５ａの出力がなくなり、ＦＥＴ５のゲート・
ソース間に供給される電圧がスレッシュホールド電圧以
下になるので、ＦＥＴ５はオフし、次いでカレントトラ
ンス２５の２次巻線の出力極性の反転により、再びＦＥ
Ｔ６がオンする。以後この動作を繰り返す。
のコアが再び磁気飽和すると、カレントトランス２５の
２次巻線２５ａの出力がなくなり、ＦＥＴ５のゲート・
ソース間に供給される電圧がスレッシュホールド電圧以
下になるので、ＦＥＴ５はオフし、次いでカレントトラ
ンス２５の２次巻線の出力極性の反転により、再びＦＥ
Ｔ６がオンする。以後この動作を繰り返す。
【０００９】上記の電流は、蛍光ランプ８の電極８ａ、
８ｂを流れて電極８ａ、８ｂを加熱する。同時に蛍光ラ
ンプ８は、その電極間に共振によって大きな電圧が印加
されるため、電極温度が上昇し、点灯する。
８ｂを流れて電極８ａ、８ｂを加熱する。同時に蛍光ラ
ンプ８は、その電極間に共振によって大きな電圧が印加
されるため、電極温度が上昇し、点灯する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
蛍光ランプ点灯装置は、蛍光ランプを高周波でスイッチ
ングさせるためにカレントトランスを用いる。しかし、
このような従来の蛍光ランプ点灯装置は、カレントトラ
ンスを用いているため点灯装置の小型化を阻害している
とともに、カレントトランスが高価なため製造コストが
大きくなってしまうという問題があった。
蛍光ランプ点灯装置は、蛍光ランプを高周波でスイッチ
ングさせるためにカレントトランスを用いる。しかし、
このような従来の蛍光ランプ点灯装置は、カレントトラ
ンスを用いているため点灯装置の小型化を阻害している
とともに、カレントトランスが高価なため製造コストが
大きくなってしまうという問題があった。
【００１１】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、カレントトランスを使用
することなく、小型かつ簡単で安価な構成で、蛍光ラン
プを始動・点灯させることのできる蛍光ランプ点灯装置
を提供することである。
れたものであり、その目的は、カレントトランスを使用
することなく、小型かつ簡単で安価な構成で、蛍光ラン
プを始動・点灯させることのできる蛍光ランプ点灯装置
を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による蛍光ランプ
点灯装置は、電源回路に接続された、第１スイッチング
素子および第２スイッチング素子からなる第１直列体
と、電源回路の一方の端子と、第１スイッチング素子お
よび第２スイッチング素子の中点との間に接続された、
第１インダクタ、第１キャパシタおよび蛍光ランプから
なる第２直列体と、第１スイッチング素子の制御端子ま
たは第２スイッチング素子の制御端子に制御電圧を供給
する、第２インダクタ、第２キャパシタ、および第１イ
ンダクタと電磁的に結合された第３インダクタからなる
第３直列体と、第２キャパシタに並列に接続された定電
圧素子と、を備えており、定電圧素子は、制御端子に対
応する陰極端子に対して、正の制御電圧および負の制御
電圧を制御端子に供給し、正の制御電圧の絶対値は、負
の制御電圧の絶対値よりも大きく、そのことにより上記
目的が達成される。
点灯装置は、電源回路に接続された、第１スイッチング
素子および第２スイッチング素子からなる第１直列体
と、電源回路の一方の端子と、第１スイッチング素子お
よび第２スイッチング素子の中点との間に接続された、
第１インダクタ、第１キャパシタおよび蛍光ランプから
なる第２直列体と、第１スイッチング素子の制御端子ま
たは第２スイッチング素子の制御端子に制御電圧を供給
する、第２インダクタ、第２キャパシタ、および第１イ
ンダクタと電磁的に結合された第３インダクタからなる
第３直列体と、第２キャパシタに並列に接続された定電
圧素子と、を備えており、定電圧素子は、制御端子に対
応する陰極端子に対して、正の制御電圧および負の制御
電圧を制御端子に供給し、正の制御電圧の絶対値は、負
の制御電圧の絶対値よりも大きく、そのことにより上記
目的が達成される。
【００１３】ある実施形態では、第２インダクタおよび
第２キャパシタの共振周波数は、第１スイッチング素子
および第２スイッチング素子がスイッチングする周波数
よりも高い。
第２キャパシタの共振周波数は、第１スイッチング素子
および第２スイッチング素子がスイッチングする周波数
よりも高い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００１５】本明細書において、スイッチング素子の
「制御端子」は、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のゲ
ート、バイポーラトランジスタのベース、ＩＧＢＴ（絶
縁ゲートバイポーラトランジスタ）のゲートを総称す
る。スイッチング素子の「陽極端子」は、ＦＥＴのドレ
イン、バイポーラトランジスタのコレクタ、ＩＧＢＴの
コレクタを総称し、スイッチング素子の「陰極端子」
は、ＦＥＴのソース、バイポーラトランジスタのエミッ
タ、ＩＧＢＴのエミッタを総称する。
「制御端子」は、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のゲ
ート、バイポーラトランジスタのベース、ＩＧＢＴ（絶
縁ゲートバイポーラトランジスタ）のゲートを総称す
る。スイッチング素子の「陽極端子」は、ＦＥＴのドレ
イン、バイポーラトランジスタのコレクタ、ＩＧＢＴの
コレクタを総称し、スイッチング素子の「陰極端子」
は、ＦＥＴのソース、バイポーラトランジスタのエミッ
タ、ＩＧＢＴのエミッタを総称する。
【００１６】（実施の形態１）図１は、本発明による蛍
光ランプ点灯装置の実施の形態１の回路図である。蛍光
ランプ点灯装置１００は、例えば、交流電源１から蛍光
ランプ８を点灯させるエネルギーを受け取る。交流電源
１は典型的には家庭のコンセントであり、実効値１００
Ｖの交流電圧を整流回路３に出力する。雑音防止キャパ
シタ２は、交流電源１と、整流回路３との間に設けられ
ることによって、蛍光ランプ点灯装置１００が発生する
スイッチング雑音が交流電源１に漏れることを防止す
る。
光ランプ点灯装置の実施の形態１の回路図である。蛍光
ランプ点灯装置１００は、例えば、交流電源１から蛍光
ランプ８を点灯させるエネルギーを受け取る。交流電源
１は典型的には家庭のコンセントであり、実効値１００
Ｖの交流電圧を整流回路３に出力する。雑音防止キャパ
シタ２は、交流電源１と、整流回路３との間に設けられ
ることによって、蛍光ランプ点灯装置１００が発生する
スイッチング雑音が交流電源１に漏れることを防止す
る。
【００１７】整流回路３は、交流を受け取り、全波整流
してから脈流を平滑キャパシタ４に出力する。平滑キャ
パシタ４は、全波整流された脈流を受け取り、電荷を蓄
積することによって、リップル成分を減少させる。結
局、ほぼ直流に変換された電圧が、端子ＶＩＮおよび端
子ＧＮＤの間に発生する。実効値１００Ｖの交流電源１
を用いれば、端子ＧＮＤに対する端子ＶＩＮの電圧は、
約１４０Ｖになる。
してから脈流を平滑キャパシタ４に出力する。平滑キャ
パシタ４は、全波整流された脈流を受け取り、電荷を蓄
積することによって、リップル成分を減少させる。結
局、ほぼ直流に変換された電圧が、端子ＶＩＮおよび端
子ＧＮＤの間に発生する。実効値１００Ｖの交流電源１
を用いれば、端子ＧＮＤに対する端子ＶＩＮの電圧は、
約１４０Ｖになる。
【００１８】ＦＥＴ５のドレイン（陽極端子）は、端子
ＶＩＮに接続され、ＦＥＴ５のソース（陰極端子）は、
ＦＥＴ６のドレイン（陽極端子）に接続され、ＦＥＴ６
のソース（陰極端子）は、端子ＧＮＤに接続される。す
なわち、ＦＥＴ５およびＦＥＴ６は、直列に接続され
る。
ＶＩＮに接続され、ＦＥＴ５のソース（陰極端子）は、
ＦＥＴ６のドレイン（陽極端子）に接続され、ＦＥＴ６
のソース（陰極端子）は、端子ＧＮＤに接続される。す
なわち、ＦＥＴ５およびＦＥＴ６は、直列に接続され
る。
【００１９】端子ＶＩＮおよび端子ＩＮＴの間には、こ
の順で直列に接続された共振キャパシタ７、蛍光ランプ
の電極８ａ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプの電極８
ｂ、およびチョークコイル１０の１次巻線１０ｂが接続
される。端子ＩＮＴは、ＦＥＴ５およびＦＥＴ６の中
点、すなわち、ＦＥＴ５のソースおよびＦＥＴ６のドレ
インが接続される点である。本明細書において、「端
子」は、外部との接続のための物理的な端子の構造を必
ずしも必要としないことに注意されたい。例えば、回路
図における端子ＶＩＮ、ＩＮＴおよびＧＮＤなどは、い
ずれも実際の製品においてはプリント基板上の銅箔パタ
ーンの１部に対応する。
の順で直列に接続された共振キャパシタ７、蛍光ランプ
の電極８ａ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプの電極８
ｂ、およびチョークコイル１０の１次巻線１０ｂが接続
される。端子ＩＮＴは、ＦＥＴ５およびＦＥＴ６の中
点、すなわち、ＦＥＴ５のソースおよびＦＥＴ６のドレ
インが接続される点である。本明細書において、「端
子」は、外部との接続のための物理的な端子の構造を必
ずしも必要としないことに注意されたい。例えば、回路
図における端子ＶＩＮ、ＩＮＴおよびＧＮＤなどは、い
ずれも実際の製品においてはプリント基板上の銅箔パタ
ーンの１部に対応する。
【００２０】蛍光ランプ点灯装置１００は、蛍光ランプ
８の一対の電極８ａおよび８ｂの間に設けられた予熱キ
ャパシタ９を含め、全体として高周波インバータ回路を
構成する。蛍光ランプ点灯装置１００は、交流電源１か
ら端子ＶＩＮおよびＧＮＤまでの交流から直流への変換
回路を含むが、この回路を含まなくても本発明に包含さ
れる。例えば、蛍光ランプ点灯装置１００から交流・直
流変換回路を除き、端子ＶＩＮおよびＧＮＤにおいて直
流電圧を受け取ってもよい。受け取られた直流電流は、
交互にオンするＦＥＴ５および６を介して、直列に接続
された共振キャパシタ７、蛍光ランプ８、および１次巻
線１０ｂを流れることによって、蛍光ランプを点灯させ
る。
８の一対の電極８ａおよび８ｂの間に設けられた予熱キ
ャパシタ９を含め、全体として高周波インバータ回路を
構成する。蛍光ランプ点灯装置１００は、交流電源１か
ら端子ＶＩＮおよびＧＮＤまでの交流から直流への変換
回路を含むが、この回路を含まなくても本発明に包含さ
れる。例えば、蛍光ランプ点灯装置１００から交流・直
流変換回路を除き、端子ＶＩＮおよびＧＮＤにおいて直
流電圧を受け取ってもよい。受け取られた直流電流は、
交互にオンするＦＥＴ５および６を介して、直列に接続
された共振キャパシタ７、蛍光ランプ８、および１次巻
線１０ｂを流れることによって、蛍光ランプを点灯させ
る。
【００２１】以下にＦＥＴ５および６のゲートを駆動す
る回路を説明する。チョークコイル１０は、１次巻線１
０ｂと、２次巻線１０ａおよび１０ｃとを有する。１次
巻線１０ｂに電流が流れることによって、２次巻線１０
ａおよび１０ｃは、それぞれＦＥＴ５および６のゲート
を駆動する電圧を発生し、自励発振を可能にする。
る回路を説明する。チョークコイル１０は、１次巻線１
０ｂと、２次巻線１０ａおよび１０ｃとを有する。１次
巻線１０ｂに電流が流れることによって、２次巻線１０
ａおよび１０ｃは、それぞれＦＥＴ５および６のゲート
を駆動する電圧を発生し、自励発振を可能にする。
【００２２】ＦＥＴ５のゲートおよび端子ＩＮＴの間に
は、直列に接続された２次巻線１０ａおよびインダクタ
２１と、直列に接続されたツェナダイオード１９および
２０と、キャパシタ２２とがそれぞれ並列に接続され
る。ＦＥＴ５のドレインおよびソースには、並列に抵抗
器１１およびキャパシタ１２が接続される。
は、直列に接続された２次巻線１０ａおよびインダクタ
２１と、直列に接続されたツェナダイオード１９および
２０と、キャパシタ２２とがそれぞれ並列に接続され
る。ＦＥＴ５のドレインおよびソースには、並列に抵抗
器１１およびキャパシタ１２が接続される。
【００２３】ＦＥＴ６のゲートおよび端子ＶＬの間に
は、直列に接続された２次巻線１０ｃおよびインダクタ
１５と、直列に接続されたツェナダイオード１７および
１８と、キャパシタ１６とがそれぞれ並列に接続され
る。ＦＥＴ６のゲートおよび端子ＩＮＴには、抵抗器２
３が接続される。端子ＶＬおよび端子ＧＮＤの間には、
トリガキャパシタ１４が接続される。
は、直列に接続された２次巻線１０ｃおよびインダクタ
１５と、直列に接続されたツェナダイオード１７および
１８と、キャパシタ１６とがそれぞれ並列に接続され
る。ＦＥＴ６のゲートおよび端子ＩＮＴには、抵抗器２
３が接続される。端子ＶＬおよび端子ＧＮＤの間には、
トリガキャパシタ１４が接続される。
【００２４】端子ＶＩＮからの電荷は、抵抗器１１およ
び抵抗器２３を介して、トリガキャパシタ１４に充電さ
れる。逆にツェナダイオード１７および１８の中点と、
端子ＧＮＤとの間には、トリガキャパシタ１４に蓄積さ
れた電荷を放電するための抵抗器１３が接続される。
び抵抗器２３を介して、トリガキャパシタ１４に充電さ
れる。逆にツェナダイオード１７および１８の中点と、
端子ＧＮＤとの間には、トリガキャパシタ１４に蓄積さ
れた電荷を放電するための抵抗器１３が接続される。
【００２５】ここでツェナダイオード１７および１８
と、１９および２０とを説明する。図２は、直列接続さ
れた２つのツェナダイオードの両端の電圧ＶＺＤと、２
つのツェナダイオードを流れる電流ＩＺＤとの向きを示
す回路図である。図３は、直列接続されたツェナダイオ
ードの特性を、電圧ＶＺＤおよび電流ＩＺＤの関係によ
って示す図である。図２のように電圧ＶＺＤおよび電流
ＩＺＤを決めれば、図３に示すように、正の制御電圧Ｖ
Ｐおよび負の制御電圧ＶＮの範囲では、抵抗は実質的に
無限大であり、正の制御電圧ＶＰまたは負の制御電圧Ｖ
Ｎを越えれば、抵抗は実質的にゼロである。したがって
図３に示すように、ツェナダイオード１７および１８
は、ＦＥＴ６のゲートに印加される制御電圧を正の制御
電圧ＶＰおよび負の制御電圧ＶＮにおいてクリップす
る。言い換えれば、ツェナダイオード１７および１８
は、ＦＥＴ６の制御端子であるゲートに、同じＦＥＴ６
の陰極端子であるソースに対して、正の制御電圧ＶＰお
よび負の制御電圧ＶＮを供給する。
と、１９および２０とを説明する。図２は、直列接続さ
れた２つのツェナダイオードの両端の電圧ＶＺＤと、２
つのツェナダイオードを流れる電流ＩＺＤとの向きを示
す回路図である。図３は、直列接続されたツェナダイオ
ードの特性を、電圧ＶＺＤおよび電流ＩＺＤの関係によ
って示す図である。図２のように電圧ＶＺＤおよび電流
ＩＺＤを決めれば、図３に示すように、正の制御電圧Ｖ
Ｐおよび負の制御電圧ＶＮの範囲では、抵抗は実質的に
無限大であり、正の制御電圧ＶＰまたは負の制御電圧Ｖ
Ｎを越えれば、抵抗は実質的にゼロである。したがって
図３に示すように、ツェナダイオード１７および１８
は、ＦＥＴ６のゲートに印加される制御電圧を正の制御
電圧ＶＰおよび負の制御電圧ＶＮにおいてクリップす
る。言い換えれば、ツェナダイオード１７および１８
は、ＦＥＴ６の制御端子であるゲートに、同じＦＥＴ６
の陰極端子であるソースに対して、正の制御電圧ＶＰお
よび負の制御電圧ＶＮを供給する。
【００２６】蛍光ランプ点灯装置１００においては、正
の制御電圧ＶＰの絶対値が負の制御電圧ＶＮの絶対値に
等しくてもよいが、実施の形態２で後述するように、好
ましくは、正の制御電圧ＶＰの絶対値は、負の制御電圧
ＶＮの絶対値よりも大きい。ツェナダイオード１９およ
び２０も、ツェナダイオード１７および１８と同じ特性
をもつ。
の制御電圧ＶＰの絶対値が負の制御電圧ＶＮの絶対値に
等しくてもよいが、実施の形態２で後述するように、好
ましくは、正の制御電圧ＶＰの絶対値は、負の制御電圧
ＶＮの絶対値よりも大きい。ツェナダイオード１９およ
び２０も、ツェナダイオード１７および１８と同じ特性
をもつ。
【００２７】次に、蛍光ランプ点灯装置１００の動作を
説明する。蛍光ランプ８の始動前には、交流電源１（例
えば、コンセント）から供給される商用交流電圧は、雑
音防止キャパシタ２、整流回路３および平滑キャパシタ
４を通り、ほぼ直流の電圧に変換される。端子ＶＩＮお
よびＧＮＤの間に発生する直流電圧によって、共振キャ
パシタ７、蛍光ランプ８の一方の電極８ａ、予熱キャパ
シタ９、蛍光ランプ８の他方の電極８ｂ、チョークコイ
ル１０の１次巻線１０ｂ、およびＦＥＴ６を電流が流れ
る。その結果、平滑キャパシタ４は、交流電源１が供給
する電圧の波高値（例えば、１４０Ｖ）まで充電され
る。その結果、トリガキャパシタ１４は、抵抗器１１、
抵抗器２３、インダクタ１５、およびチョークコイル１
０の２次巻線１０ｃを通して充電される。
説明する。蛍光ランプ８の始動前には、交流電源１（例
えば、コンセント）から供給される商用交流電圧は、雑
音防止キャパシタ２、整流回路３および平滑キャパシタ
４を通り、ほぼ直流の電圧に変換される。端子ＶＩＮお
よびＧＮＤの間に発生する直流電圧によって、共振キャ
パシタ７、蛍光ランプ８の一方の電極８ａ、予熱キャパ
シタ９、蛍光ランプ８の他方の電極８ｂ、チョークコイ
ル１０の１次巻線１０ｂ、およびＦＥＴ６を電流が流れ
る。その結果、平滑キャパシタ４は、交流電源１が供給
する電圧の波高値（例えば、１４０Ｖ）まで充電され
る。その結果、トリガキャパシタ１４は、抵抗器１１、
抵抗器２３、インダクタ１５、およびチョークコイル１
０の２次巻線１０ｃを通して充電される。
【００２８】トリガキャパシタ１４の両端の電圧がＦＥ
Ｔ６のゲートスレッシュホールド電圧に達すると、トリ
ガキャパシタ１４の電荷がＦＥＴ６のゲートに供給さ
れ、ＦＥＴ６がオンする。ＦＥＴ６がいったんオンする
と、端子ＶＩＮおよび端子ＧＮＤの間に印加された電圧
によって、共振キャパシタ７、蛍光ランプ８の一方の電
極８ａ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプ８の他方の電極
８ｂ、チョークコイル１０の１次巻線１０ｂ、およびＦ
ＥＴ６を流れる電流が増加する。
Ｔ６のゲートスレッシュホールド電圧に達すると、トリ
ガキャパシタ１４の電荷がＦＥＴ６のゲートに供給さ
れ、ＦＥＴ６がオンする。ＦＥＴ６がいったんオンする
と、端子ＶＩＮおよび端子ＧＮＤの間に印加された電圧
によって、共振キャパシタ７、蛍光ランプ８の一方の電
極８ａ、予熱キャパシタ９、蛍光ランプ８の他方の電極
８ｂ、チョークコイル１０の１次巻線１０ｂ、およびＦ
ＥＴ６を流れる電流が増加する。
【００２９】チョークコイル１０の１次巻線１０ｂに電
流が流れるので、チョークコイル１０の２次巻線１０ｃ
の両端に電圧が発生する。その結果、ＦＥＴ６のゲート
電圧がより高くなり、ＦＥＴ６はオンを維持する。
流が流れるので、チョークコイル１０の２次巻線１０ｃ
の両端に電圧が発生する。その結果、ＦＥＴ６のゲート
電圧がより高くなり、ＦＥＴ６はオンを維持する。
【００３０】やがてチョークコイル１０の２次巻線１０
ｃを流れる電流は、２次巻線１０ｃに接続されるインダ
クタ１５およびキャパシタ１６の共振によって逆向きに
流れ始める。その結果、ＦＥＴ６のゲート・ソース間に
供給される電圧が、ＦＥＴ６のゲートスレッシュホール
ド電圧より小さくなるので、ＦＥＴ６はオフする。
ｃを流れる電流は、２次巻線１０ｃに接続されるインダ
クタ１５およびキャパシタ１６の共振によって逆向きに
流れ始める。その結果、ＦＥＴ６のゲート・ソース間に
供給される電圧が、ＦＥＴ６のゲートスレッシュホール
ド電圧より小さくなるので、ＦＥＴ６はオフする。
【００３１】図１に示すようにチョークコイル１０の２
次巻線１０ａは、２次巻線１０ｃとは逆の向きに巻かれ
ているので、２次巻線１０ｃの両端の電圧が小さくなる
と、逆に２次巻線１０ａの両端の電圧は大きくなる。そ
の結果、ＦＥＴ６がオフした後には、ＦＥＴ５のゲート
・ソース間に供給される電圧も大きくなり、ＦＥＴ５が
オンする。
次巻線１０ａは、２次巻線１０ｃとは逆の向きに巻かれ
ているので、２次巻線１０ｃの両端の電圧が小さくなる
と、逆に２次巻線１０ａの両端の電圧は大きくなる。そ
の結果、ＦＥＴ６がオフした後には、ＦＥＴ５のゲート
・ソース間に供給される電圧も大きくなり、ＦＥＴ５が
オンする。
【００３２】ＦＥＴ５がオンすると、共振キャパシタ７
に蓄えられた電荷が、ＦＥＴ５、チョークコイル１０、
蛍光ランプ８の一方の電極８ｂ、予熱キャパシタ９、お
よび蛍光ランプ８の他方の電極８ａを含む閉回路を移動
する。この電流は、チョークコイル１０の１次巻線１０
ｂ、共振キャパシタ７、および予熱キャパシタ９を有す
る直列共振回路によって共振する。
に蓄えられた電荷が、ＦＥＴ５、チョークコイル１０、
蛍光ランプ８の一方の電極８ｂ、予熱キャパシタ９、お
よび蛍光ランプ８の他方の電極８ａを含む閉回路を移動
する。この電流は、チョークコイル１０の１次巻線１０
ｂ、共振キャパシタ７、および予熱キャパシタ９を有す
る直列共振回路によって共振する。
【００３３】やがてチョークコイル１０の２次巻線１０
ａを流れる電流は、２次巻線１０ａに接続されるインダ
クタ２１およびキャパシタ２２の共振によって逆向きに
流れ始める。その結果、ＦＥＴ５のゲート・ソース間に
供給される電圧が、ＦＥＴ５のゲートスレッシュホール
ド電圧より小さくなるので、ＦＥＴ５はオフする。
ａを流れる電流は、２次巻線１０ａに接続されるインダ
クタ２１およびキャパシタ２２の共振によって逆向きに
流れ始める。その結果、ＦＥＴ５のゲート・ソース間に
供給される電圧が、ＦＥＴ５のゲートスレッシュホール
ド電圧より小さくなるので、ＦＥＴ５はオフする。
【００３４】図１に示すようにチョークコイル１０の２
次巻線１０ｃは、２次巻線１０ａとは逆の向きに巻かれ
ているので、２次巻線１０ａの両端の電圧が小さくなる
と、逆に２次巻線１０ｃの両端の電圧は大きくなる。そ
の結果、ＦＥＴ５がオフした後には、ＦＥＴ６のゲート
・ソース間に供給される電圧も大きくなり、ＦＥＴ６が
オンする。以後、上述の動作を繰り返すことによって、
ＦＥＴ５およびＦＥＴ６は、交互にオンする。
次巻線１０ｃは、２次巻線１０ａとは逆の向きに巻かれ
ているので、２次巻線１０ａの両端の電圧が小さくなる
と、逆に２次巻線１０ｃの両端の電圧は大きくなる。そ
の結果、ＦＥＴ５がオフした後には、ＦＥＴ６のゲート
・ソース間に供給される電圧も大きくなり、ＦＥＴ６が
オンする。以後、上述の動作を繰り返すことによって、
ＦＥＴ５およびＦＥＴ６は、交互にオンする。
【００３５】ＦＥＴ５およびＦＥＴ６を交互に流れる電
流は、蛍光ランプ８の電極８ａおよび８ｂを流れること
によって、電極８ａおよび８ｂを加熱する。それと同時
に蛍光ランプ８の電極８ａおよび８ｂの間には、共振に
よる大きな振幅をもつ電圧が印加される。電極の加熱
と、電極間の高電圧とにより、蛍光ランプ８は点灯し、
その後、点灯を維持し続ける。
流は、蛍光ランプ８の電極８ａおよび８ｂを流れること
によって、電極８ａおよび８ｂを加熱する。それと同時
に蛍光ランプ８の電極８ａおよび８ｂの間には、共振に
よる大きな振幅をもつ電圧が印加される。電極の加熱
と、電極間の高電圧とにより、蛍光ランプ８は点灯し、
その後、点灯を維持し続ける。
【００３６】本発明による蛍光ランプ点灯装置の実施の
形態１は、スイッチング素子であるＦＥＴ５およびＦＥ
Ｔ６のゲートの高周波駆動を、それぞれインダクタ２１
およびキャパシタ２２、およびインダクタ１５およびキ
ャパシタ１６の共振によって実現している。したがっ
て、従来の技術とは異なり、カレントトランスを使用す
ることなく、蛍光ランプを始動・点灯できる。その結
果、より小型かつ簡単で安価な構成の蛍光ランプ点灯装
置を提供できる。
形態１は、スイッチング素子であるＦＥＴ５およびＦＥ
Ｔ６のゲートの高周波駆動を、それぞれインダクタ２１
およびキャパシタ２２、およびインダクタ１５およびキ
ャパシタ１６の共振によって実現している。したがっ
て、従来の技術とは異なり、カレントトランスを使用す
ることなく、蛍光ランプを始動・点灯できる。その結
果、より小型かつ簡単で安価な構成の蛍光ランプ点灯装
置を提供できる。
【００３７】蛍光ランプ点灯装置１００の回路定数を以
下に例示する。
下に例示する。
【００３８】交流電源１の出力電圧の実効値：１００
Ｖ、 １次巻線１０ｂのインダクタンス：０．７ｍＨ、 １次巻線１０ｂのターン数：１３６回、 ２次巻線１０ａおよびｃのターン数：１０回、 共振キャパシタ７のキャパシタンス：０．１μＦ、 予熱キャパシタ９のキャパシタンス：９１００ｐＦ、 平滑キャパシタ４のキャパシタンス：３３μＦ、 トリガキャパシタ１４のキャパシタンス：０．０３３μ
Ｆ、および ツェナダイオード１７〜２０のツェナ電圧：１０．０Ｖ
（つまり正の制御電圧ＶＰ＝＋１０．０Ｖ、負の制御電
圧ＶＮ＝−１０．０Ｖ）。
Ｖ、 １次巻線１０ｂのインダクタンス：０．７ｍＨ、 １次巻線１０ｂのターン数：１３６回、 ２次巻線１０ａおよびｃのターン数：１０回、 共振キャパシタ７のキャパシタンス：０．１μＦ、 予熱キャパシタ９のキャパシタンス：９１００ｐＦ、 平滑キャパシタ４のキャパシタンス：３３μＦ、 トリガキャパシタ１４のキャパシタンス：０．０３３μ
Ｆ、および ツェナダイオード１７〜２０のツェナ電圧：１０．０Ｖ
（つまり正の制御電圧ＶＰ＝＋１０．０Ｖ、負の制御電
圧ＶＮ＝−１０．０Ｖ）。
【００３９】本発明による蛍光ランプ点灯装置の回路定
数は、上記の値に限定されるものではないが、例えば、
上記定数を用いれば、良好にランプを始動・点灯するこ
とができる。
数は、上記の値に限定されるものではないが、例えば、
上記定数を用いれば、良好にランプを始動・点灯するこ
とができる。
【００４０】なお好ましくは、インダクタ１５およびキ
ャパシタ１６の共振周波数は、ＦＥＴ５および６のスイ
ッチング周波数よりも高い。例えば、インダクタ１５お
よびキャパシタ１６の共振周波数は、約１００ｋＨｚで
あり、ＦＥＴ５および６のスイッチング周波数は、約１
０ｋＨｚ〜約７５ｋＨｚの範囲にある。インダクタ２１
およびキャパシタ２２の共振周波数についても同様のこ
とがいえる。
ャパシタ１６の共振周波数は、ＦＥＴ５および６のスイ
ッチング周波数よりも高い。例えば、インダクタ１５お
よびキャパシタ１６の共振周波数は、約１００ｋＨｚで
あり、ＦＥＴ５および６のスイッチング周波数は、約１
０ｋＨｚ〜約７５ｋＨｚの範囲にある。インダクタ２１
およびキャパシタ２２の共振周波数についても同様のこ
とがいえる。
【００４１】（実施の形態２）本発明による蛍光ランプ
点灯装置の実施の形態２は、実施の形態１の効果に加え
て、貫通電流を確実に防げるという効果を有する。この
貫通電流は、ランプ点灯装置１００のＦＥＴ５および６
が同時にオンすることによって、端子ＶＩＮおよび端子
ＧＮＤが短絡されて流れる電流である。実施の形態１
は、本来、ＦＥＴ５および６が同時にオンしない構成で
ある。しかし回路を構成する部品の定数のばらつきや、
部品の温度特性などに起因して、ＦＥＴ５および６が同
時にオンすることもありうる。
点灯装置の実施の形態２は、実施の形態１の効果に加え
て、貫通電流を確実に防げるという効果を有する。この
貫通電流は、ランプ点灯装置１００のＦＥＴ５および６
が同時にオンすることによって、端子ＶＩＮおよび端子
ＧＮＤが短絡されて流れる電流である。実施の形態１
は、本来、ＦＥＴ５および６が同時にオンしない構成で
ある。しかし回路を構成する部品の定数のばらつきや、
部品の温度特性などに起因して、ＦＥＴ５および６が同
時にオンすることもありうる。
【００４２】図４は、実施の形態１におけるＦＥＴ５お
よび６の、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン
電流ＩＤを示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸
はゲート・ソース間電圧ＶＧＳについては電圧を示し、
ドレイン電流ＩＤについては電流を示す。実施の形態１
においては、正の制御電圧ＶＰ（例えば、＋１０．０
Ｖ）の絶対値は、負の制御電圧ＶＮ（−１０．０Ｖ）の
絶対値に等しい。したがって、図４に示すようにＦＥＴ
５のオン期間ＴＯＮ５およびＦＥＴ６のオン期間ＴＯＮ
６の間には、いわゆるデッドタイムＴＤが存在しない。
理論上は、図４のタイミングであれば、貫通電流は流れ
ない。しかし実際の製品においては、部品のばらつき
や、温度特性などにより、オン期間ＴＯＮ５およびＴＯ
Ｎ６が時間軸上で重なりうる。この場合、ＦＥＴ５およ
び６が同時にオンしている期間ができ、貫通電流が流
れ、ＦＥＴ５および６における電力ロスが大きくなる。
またＦＥＴ５および６における発熱のためにＦＥＴ５お
よび６の劣化が加速されうる。
よび６の、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン
電流ＩＤを示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸
はゲート・ソース間電圧ＶＧＳについては電圧を示し、
ドレイン電流ＩＤについては電流を示す。実施の形態１
においては、正の制御電圧ＶＰ（例えば、＋１０．０
Ｖ）の絶対値は、負の制御電圧ＶＮ（−１０．０Ｖ）の
絶対値に等しい。したがって、図４に示すようにＦＥＴ
５のオン期間ＴＯＮ５およびＦＥＴ６のオン期間ＴＯＮ
６の間には、いわゆるデッドタイムＴＤが存在しない。
理論上は、図４のタイミングであれば、貫通電流は流れ
ない。しかし実際の製品においては、部品のばらつき
や、温度特性などにより、オン期間ＴＯＮ５およびＴＯ
Ｎ６が時間軸上で重なりうる。この場合、ＦＥＴ５およ
び６が同時にオンしている期間ができ、貫通電流が流
れ、ＦＥＴ５および６における電力ロスが大きくなる。
またＦＥＴ５および６における発熱のためにＦＥＴ５お
よび６の劣化が加速されうる。
【００４３】図５は、実施の形態２におけるＦＥＴ５お
よび６の、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン
電流ＩＤを示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸
はゲート・ソース間電圧ＶＧＳについては電圧を示し、
ドレイン電流ＩＤについては電流を示す。実施の形態２
においては、正の制御電圧ＶＰ（例えば、＋１０．０
Ｖ）の絶対値は、負の制御電圧ＶＮ（−８．２Ｖ）の絶
対値よりも大きい。図５に示すようにＦＥＴ５のオン期
間ＴＯＮ５およびＦＥＴ６のオン期間ＴＯＮ６の間には
デッドタイムＴＤが存在する。
よび６の、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン
電流ＩＤを示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸
はゲート・ソース間電圧ＶＧＳについては電圧を示し、
ドレイン電流ＩＤについては電流を示す。実施の形態２
においては、正の制御電圧ＶＰ（例えば、＋１０．０
Ｖ）の絶対値は、負の制御電圧ＶＮ（−８．２Ｖ）の絶
対値よりも大きい。図５に示すようにＦＥＴ５のオン期
間ＴＯＮ５およびＦＥＴ６のオン期間ＴＯＮ６の間には
デッドタイムＴＤが存在する。
【００４４】実施の形態２においては、正の制御電圧Ｖ
Ｐの絶対値は、負の制御電圧ＶＮの絶対値よりも大き
い。言い換えれば、実施の形態２の蛍光ランプ点灯装置
は、実施の形態１の蛍光ランプ点灯装置１００と同じ回
路構成ではあるが、ツェナダイオード１７〜２０のツェ
ナ電圧Ｖ１７〜Ｖ２０が、「Ｖ１７＜Ｖ１８かつＶ１９
＜Ｖ２０」という関係を満たす。ツェナダイオード１７
〜２０のツェナ電圧を上記関係を満たすように設定する
ことによって、図５に示すデッドタイムＴＤを設けるこ
とができる。すなわち、ＦＥＴ５および６が同時にオン
することを確実に防止できる。
Ｐの絶対値は、負の制御電圧ＶＮの絶対値よりも大き
い。言い換えれば、実施の形態２の蛍光ランプ点灯装置
は、実施の形態１の蛍光ランプ点灯装置１００と同じ回
路構成ではあるが、ツェナダイオード１７〜２０のツェ
ナ電圧Ｖ１７〜Ｖ２０が、「Ｖ１７＜Ｖ１８かつＶ１９
＜Ｖ２０」という関係を満たす。ツェナダイオード１７
〜２０のツェナ電圧を上記関係を満たすように設定する
ことによって、図５に示すデッドタイムＴＤを設けるこ
とができる。すなわち、ＦＥＴ５および６が同時にオン
することを確実に防止できる。
【００４５】上述のように実施の形態２は、極めて簡単
な構成によって、２つのスイッチング素子の同時オンを
防止でき、このためスイッチング素子が早期に劣化して
しまうことを防げる。
な構成によって、２つのスイッチング素子の同時オンを
防止でき、このためスイッチング素子が早期に劣化して
しまうことを防げる。
【００４６】実施の形態２の回路定数は、ツェナダイオ
ードのそれを除き、例えば、実施の形態１と同じであ
る。すなわち、 交流電源１の出力電圧の実効値：１００Ｖ、 １次巻線１０ｂのインダクタンス：０．７ｍＨ、 １次巻線１０ｂのターン数：１３６回、 ２次巻線１０ａおよびｃのターン数：１０回、 共振キャパシタ７のキャパシタンス：０．１μＦ、 予熱キャパシタ９のキャパシタンス：９１００ｐＦ、 平滑キャパシタ４のキャパシタンス：３３μＦ、 トリガキャパシタ１４のキャパシタンス：０．０３３μ
Ｆ、 ツェナダイオード１７および１９のツェナ電圧：８．２
Ｖ（つまり負の制御電圧ＶＮ＝−８．２Ｖ）、および ツェナダイオード１８および２０のツェナ電圧：１０．
０Ｖ（つまり正の制御電圧ＶＮ＝１０．０Ｖ）。
ードのそれを除き、例えば、実施の形態１と同じであ
る。すなわち、 交流電源１の出力電圧の実効値：１００Ｖ、 １次巻線１０ｂのインダクタンス：０．７ｍＨ、 １次巻線１０ｂのターン数：１３６回、 ２次巻線１０ａおよびｃのターン数：１０回、 共振キャパシタ７のキャパシタンス：０．１μＦ、 予熱キャパシタ９のキャパシタンス：９１００ｐＦ、 平滑キャパシタ４のキャパシタンス：３３μＦ、 トリガキャパシタ１４のキャパシタンス：０．０３３μ
Ｆ、 ツェナダイオード１７および１９のツェナ電圧：８．２
Ｖ（つまり負の制御電圧ＶＮ＝−８．２Ｖ）、および ツェナダイオード１８および２０のツェナ電圧：１０．
０Ｖ（つまり正の制御電圧ＶＮ＝１０．０Ｖ）。
【００４７】本発明による蛍光ランプ点灯装置の回路定
数は、上記の値に限定されるものではないが、例えば、
上記定数を用いれば、良好にランプを始動・点灯するこ
とができ、かつ確実に貫通電流を防止できる。
数は、上記の値に限定されるものではないが、例えば、
上記定数を用いれば、良好にランプを始動・点灯するこ
とができ、かつ確実に貫通電流を防止できる。
【００４８】なお、上記実施の形態１および２では、制
御端子を有するスイッチング素子として、ＦＥＴを用い
たが、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴなど、その他
の制御端子を有するスイッチング素子を用いても同様の
効果を得ることができる。また、点灯回路として、シリ
ーズインバータを用いたが、制御端子を有するスイッチ
ング素子をＬＣ共振により駆動するなら、他の構成、例
えば一石インバータなどを用いても同様の効果が得られ
る。また、予熱キャパシタ９を蛍光ランプ８の反電源側
に設けたが、電源側に設けても同様の効果が得られる。
御端子を有するスイッチング素子として、ＦＥＴを用い
たが、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴなど、その他
の制御端子を有するスイッチング素子を用いても同様の
効果を得ることができる。また、点灯回路として、シリ
ーズインバータを用いたが、制御端子を有するスイッチ
ング素子をＬＣ共振により駆動するなら、他の構成、例
えば一石インバータなどを用いても同様の効果が得られ
る。また、予熱キャパシタ９を蛍光ランプ８の反電源側
に設けたが、電源側に設けても同様の効果が得られる。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、カレントトランスを用
いることなく、小型かつ簡単で安価な構成の蛍光ランプ
点灯装置を提供できる。
いることなく、小型かつ簡単で安価な構成の蛍光ランプ
点灯装置を提供できる。
【００５０】また本発明によれば、２つのスイッチング
素子のオン期間が時間軸上で重ならないようにスイッチ
ング素子を駆動できるので、スイッチング素子の同時オ
ンを防ぎ、スイッチング素子のロスを抑制し、スイッチ
ング素子の熱による部品の早期劣化を防止することがで
きる小型かつ簡単で安価な蛍光ランプ点灯装置を提供で
きる。
素子のオン期間が時間軸上で重ならないようにスイッチ
ング素子を駆動できるので、スイッチング素子の同時オ
ンを防ぎ、スイッチング素子のロスを抑制し、スイッチ
ング素子の熱による部品の早期劣化を防止することがで
きる小型かつ簡単で安価な蛍光ランプ点灯装置を提供で
きる。
【図１】本発明による蛍光ランプ点灯装置の実施の形態
１の回路図である。
１の回路図である。
【図２】直列接続された２つのツェナダイオードの両端
の電圧ＶＺＤと、２つのツェナダイオードを流れる電流
ＩＺＤとの向きを示す回路図である。
の電圧ＶＺＤと、２つのツェナダイオードを流れる電流
ＩＺＤとの向きを示す回路図である。
【図３】直列接続されたツェナダイオードの特性を、電
圧ＶＺＤおよび電流ＩＺＤの関係によって示す図であ
る。
圧ＶＺＤおよび電流ＩＺＤの関係によって示す図であ
る。
【図４】実施の形態１におけるＦＥＴ５および６の、ゲ
ート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン電流ＩＤを示
すグラフである。
ート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン電流ＩＤを示
すグラフである。
【図５】実施の形態２におけるＦＥＴ５および６の、ゲ
ート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン電流ＩＤを示
すグラフである。
ート・ソース間電圧ＶＧＳおよびドレイン電流ＩＤを示
すグラフである。
【図６】従来の技術による蛍光ランプ点灯装置の回路図
である。
である。
４ 平滑キャパシタ ５、６ ＦＥＴ ７ 共振キャパシタ ８ 蛍光ランプ ９ 予熱キャパシタ １０ ２次巻線付共振インダクタ １０ａ、１０ｃ ２次巻線 １０ｂ １次巻線 １４ トリガキャパシタ １５、２１ インダクタ １６、２２ キャパシタ １７、１８、１９、２０ ツェナダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小沢 正孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 電源回路に接続された、第１スイッチン
グ素子および第２スイッチング素子からなる第１直列体
と、 前記電源回路の一方の端子と、前記第１スイッチング素
子および前記第２スイッチング素子の中点との間に接続
された、第１インダクタ、第１キャパシタおよび蛍光ラ
ンプからなる第２直列体と、 前記第１スイッチング素子の制御端子または前記第２ス
イッチング素子の制御端子に制御電圧を供給する、第２
インダクタ、第２キャパシタ、および前記第１インダク
タと電磁的に結合された第３インダクタからなる第３直
列体と、 前記第２キャパシタに並列に接続された定電圧素子と、
を備えており、 前記定電圧素子は、前記制御端子に対応する陰極端子に
対して、正の制御電圧および負の制御電圧を前記制御端
子に供給し、前記正の制御電圧の絶対値は、前記負の制
御電圧の絶対値よりも大きい蛍光ランプ点灯装置。 - 【請求項２】 前記第２インダクタおよび前記第２キャ
パシタの共振周波数は、前記第１スイッチング素子およ
び前記第２スイッチング素子がスイッチングする周波数
よりも高い請求項１に記載の蛍光ランプ点灯装置。
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