JPH09266081A - 放電灯点灯装置及び照明装置 - Google Patents
放電灯点灯装置及び照明装置Info
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- JPH09266081A JPH09266081A JP8077725A JP7772596A JPH09266081A JP H09266081 A JPH09266081 A JP H09266081A JP 8077725 A JP8077725 A JP 8077725A JP 7772596 A JP7772596 A JP 7772596A JP H09266081 A JPH09266081 A JP H09266081A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放電灯の始動電圧発生時と点灯時において、ロ
ー側のスイッチング手段を制御する制御回路の制御レベ
ルを一定化する。 【解決手段】第１及び第２の制御回路２５，２６は、そ
れぞれ可飽和カレントトランスＣＴ１の第１及び第２の
二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３に並列に接続した第１及び第２
の制御インピーダンス手段のインピーダンスを制御する
ことにより、第１及び第２の駆動回路２３，２４による
オン幅を独立して制御している。電圧制限素子であると
ころのツェナーダイオードＺＤ２１は、前記第１の制御
回路２５の制御インピーダンス手段に設けられ、この制
御インピーダンス手段に加えられた電圧が制限電圧値以
上にならないように制限する。
ー側のスイッチング手段を制御する制御回路の制御レベ
ルを一定化する。 【解決手段】第１及び第２の制御回路２５，２６は、そ
れぞれ可飽和カレントトランスＣＴ１の第１及び第２の
二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３に並列に接続した第１及び第２
の制御インピーダンス手段のインピーダンスを制御する
ことにより、第１及び第２の駆動回路２３，２４による
オン幅を独立して制御している。電圧制限素子であると
ころのツェナーダイオードＺＤ２１は、前記第１の制御
回路２５の制御インピーダンス手段に設けられ、この制
御インピーダンス手段に加えられた電圧が制限電圧値以
上にならないように制限する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放電灯の点灯を行う
放電灯点灯装置及び照明装置に関する。
放電灯点灯装置及び照明装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、可飽和カレントトランスを用いた
自励式のクリーンブリッジの放電灯点灯装置では、整流
回路の出力端子間に接続されたハイ（Ｈ）側及びロー
（Ｌ）側の第１及び第２のスイッチング手段をインダク
タに直列に接続された可飽和カレントトランスを用いて
交互にオンオフすることにより、インダクタに高周波電
流を流し、このインダクタのからの高周波出力を放電灯
に供給している。ここで、放電灯の始動電圧発生時と点
灯時では、第１及び第２のスイッチング手段のオン・オ
フの周期を変えることにより、始動電圧発生時に必要な
ランプ電力とランプ電圧を得るようにしていたが、この
場合の制御をＬ側のスイッチング手段を制御する回路の
みで行うため、このような制御回路の応答（ゲイン）を
広範囲に設定しなければならず、始動電圧値及び整流回
路の電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を両立
するのが困難であった。
自励式のクリーンブリッジの放電灯点灯装置では、整流
回路の出力端子間に接続されたハイ（Ｈ）側及びロー
（Ｌ）側の第１及び第２のスイッチング手段をインダク
タに直列に接続された可飽和カレントトランスを用いて
交互にオンオフすることにより、インダクタに高周波電
流を流し、このインダクタのからの高周波出力を放電灯
に供給している。ここで、放電灯の始動電圧発生時と点
灯時では、第１及び第２のスイッチング手段のオン・オ
フの周期を変えることにより、始動電圧発生時に必要な
ランプ電力とランプ電圧を得るようにしていたが、この
場合の制御をＬ側のスイッチング手段を制御する回路の
みで行うため、このような制御回路の応答（ゲイン）を
広範囲に設定しなければならず、始動電圧値及び整流回
路の電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を両立
するのが困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の放電灯
用点灯装置では、放電灯の始動電圧発生時と点灯時で
は、第１及び第２のスイッチング手段のオン・オフの周
期を変えることにより、始動電圧発生時に必要なランプ
電力とランプ電圧を得るようにしていたが、この場合の
制御をロー側のスイッチング手段を制御する制御回路の
みで行うので、このような制御回路の応答（ゲイン）を
広範囲に設定する必要があり、始動電圧値及び整流回路
の電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を両立す
るのが困難であった。
用点灯装置では、放電灯の始動電圧発生時と点灯時で
は、第１及び第２のスイッチング手段のオン・オフの周
期を変えることにより、始動電圧発生時に必要なランプ
電力とランプ電圧を得るようにしていたが、この場合の
制御をロー側のスイッチング手段を制御する制御回路の
みで行うので、このような制御回路の応答（ゲイン）を
広範囲に設定する必要があり、始動電圧値及び整流回路
の電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を両立す
るのが困難であった。
【０００４】そこで本発明は、放電灯の始動電圧発生時
と点灯時において、ロー側のスイッチング手段を制御す
る制御回路の制御レベルを一定化することができる放電
灯点灯装置及び照明装置の提供を目的とする。
と点灯時において、ロー側のスイッチング手段を制御す
る制御回路の制御レベルを一定化することができる放電
灯点灯装置及び照明装置の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の放電灯点
灯装置は、交流電源の出力電圧を整流して直流電圧を出
力する整流回路と；この整流回路の出力端子間の直列的
に設けられ、それぞれ該整流回路の出力端子間のハイ側
及びロー側となる第１及び第２のスイッチング手段と；
この第１のスイッチング手段と並列的に設けられた相対
的に大容量の第１のコンデンサと；前記第１のスイッチ
ング手段及び第１のコンデンサの間に介挿されたインダ
クタと；このインダクタに一次巻線が直列接続された可
飽和カレントトランスと、前記第１のコンデンサより容
量が小さく設定され、前記第２のスイッチング手段のオ
ン期間に該第２のスイッチング手段及び前記インダクタ
と共振回路を形成する第２のコンデンサと；前記インダ
クタ及び第２のコンデンサの共振に基づいて得た高周波
出力を放電灯に供給する出力回路と；それぞれ前記可飽
和カレントトランスの第１及び第２の二次巻線を用いて
それぞれ前記第１及び第２のスイッチング手段の制御端
子に交互にオン電圧を加えることにより、それぞれ第１
及び第２のスイッチング手段を交互にオンオフする第１
及び第２の駆動回路と；それぞれ前記可飽和カレントト
ランスの第１及び第２の二次巻線に並列に接続した第１
及び第２の制御インピーダンス手段のインピーダンスを
制御することにより、前記第１及び第２の駆動回路によ
るオン幅を独立して制御する第１及び第２の制御回路
と；前記第１の制御回路の制御インピーダンス手段に設
けられ、この制御インピーダンス手段に加えられ電圧が
制限電圧値以上にならないように制限する電圧制限素子
と；を具備したことを特徴とする。
灯装置は、交流電源の出力電圧を整流して直流電圧を出
力する整流回路と；この整流回路の出力端子間の直列的
に設けられ、それぞれ該整流回路の出力端子間のハイ側
及びロー側となる第１及び第２のスイッチング手段と；
この第１のスイッチング手段と並列的に設けられた相対
的に大容量の第１のコンデンサと；前記第１のスイッチ
ング手段及び第１のコンデンサの間に介挿されたインダ
クタと；このインダクタに一次巻線が直列接続された可
飽和カレントトランスと、前記第１のコンデンサより容
量が小さく設定され、前記第２のスイッチング手段のオ
ン期間に該第２のスイッチング手段及び前記インダクタ
と共振回路を形成する第２のコンデンサと；前記インダ
クタ及び第２のコンデンサの共振に基づいて得た高周波
出力を放電灯に供給する出力回路と；それぞれ前記可飽
和カレントトランスの第１及び第２の二次巻線を用いて
それぞれ前記第１及び第２のスイッチング手段の制御端
子に交互にオン電圧を加えることにより、それぞれ第１
及び第２のスイッチング手段を交互にオンオフする第１
及び第２の駆動回路と；それぞれ前記可飽和カレントト
ランスの第１及び第２の二次巻線に並列に接続した第１
及び第２の制御インピーダンス手段のインピーダンスを
制御することにより、前記第１及び第２の駆動回路によ
るオン幅を独立して制御する第１及び第２の制御回路
と；前記第１の制御回路の制御インピーダンス手段に設
けられ、この制御インピーダンス手段に加えられ電圧が
制限電圧値以上にならないように制限する電圧制限素子
と；を具備したことを特徴とする。
【０００６】請求項２記載の放電灯点灯装置は、交流電
源の出力電圧を整流して直流電圧を出力する整流回路
と；この整流回路の出力端子間の直列的に設けられ、そ
れぞれ該整流回路の出力端子間のハイ側及びロー側とな
る第１及び第２のスイッチング手段と；この第１のスイ
ッチング手段と並列的に設けられた相対的に大容量の第
１のコンデンサと；前記第１のスイッチング手段及び第
１のコンデンサの間に介挿されたインダクタと；このイ
ンダクタに一次巻線が直列接続された可飽和カレントト
ランスと、前記第１のコンデンサより容量が小さく設定
され、前記第２のスイッチング手段のオン期間に該第２
のスイッチング手段及び前記インダクタと共振回路を形
成する第２のコンデンサと；前記インダクタ及び第２の
コンデンサの共振に基づいて得た高周波出力を放電灯に
供給する出力回路と；それぞれ前記可飽和カレントトラ
ンスの第１及び第２の二次巻線を用いてそれぞれ前記第
１及び第２のスイッチング手段の制御端子に交互にオン
電圧を加えることにより、それぞれ第１及び第２のスイ
ッチング手段を交互にオンオフする第１及び第２の駆動
回路と；それぞれ前記可飽和カレントトランスの第１及
び第２の二次巻線に並列に接続した第１及び第２の制御
インピーダンス手段のインピーダンスを制御することに
より、前記第１及び第２の駆動回路によるオン幅を独立
して制御する第１及び第２の制御回路と、前記第１の制
御回路の制御インピーダンス手段に設けられ、この制御
インピーダンス手段に加えられ電圧が制限電圧値以上に
ならないように制限する電圧制限素子と；を具備し、前
記電圧制限素子が放電灯点灯時に不動作、始動電圧発生
時に動作するように電圧制限素子の制限電圧値を設定し
たことを特徴とする。
源の出力電圧を整流して直流電圧を出力する整流回路
と；この整流回路の出力端子間の直列的に設けられ、そ
れぞれ該整流回路の出力端子間のハイ側及びロー側とな
る第１及び第２のスイッチング手段と；この第１のスイ
ッチング手段と並列的に設けられた相対的に大容量の第
１のコンデンサと；前記第１のスイッチング手段及び第
１のコンデンサの間に介挿されたインダクタと；このイ
ンダクタに一次巻線が直列接続された可飽和カレントト
ランスと、前記第１のコンデンサより容量が小さく設定
され、前記第２のスイッチング手段のオン期間に該第２
のスイッチング手段及び前記インダクタと共振回路を形
成する第２のコンデンサと；前記インダクタ及び第２の
コンデンサの共振に基づいて得た高周波出力を放電灯に
供給する出力回路と；それぞれ前記可飽和カレントトラ
ンスの第１及び第２の二次巻線を用いてそれぞれ前記第
１及び第２のスイッチング手段の制御端子に交互にオン
電圧を加えることにより、それぞれ第１及び第２のスイ
ッチング手段を交互にオンオフする第１及び第２の駆動
回路と；それぞれ前記可飽和カレントトランスの第１及
び第２の二次巻線に並列に接続した第１及び第２の制御
インピーダンス手段のインピーダンスを制御することに
より、前記第１及び第２の駆動回路によるオン幅を独立
して制御する第１及び第２の制御回路と、前記第１の制
御回路の制御インピーダンス手段に設けられ、この制御
インピーダンス手段に加えられ電圧が制限電圧値以上に
ならないように制限する電圧制限素子と；を具備し、前
記電圧制限素子が放電灯点灯時に不動作、始動電圧発生
時に動作するように電圧制限素子の制限電圧値を設定し
たことを特徴とする。
【０００７】請求項３記載の放電灯点灯装置は、請求項
１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置であって、
前記電圧制限素子にツェナーダイオードを用いたことを
特徴とする。
１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置であって、
前記電圧制限素子にツェナーダイオードを用いたことを
特徴とする。
【０００８】請求項４記載の放電灯点灯装置は、請求項
１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置であって、
前記第１及び第２のスイッチング手段にＭＯＳ形電解コ
ンデンサを用いたことを特徴とする。
１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置であって、
前記第１及び第２のスイッチング手段にＭＯＳ形電解コ
ンデンサを用いたことを特徴とする。
【０００９】請求項５記載の放電灯点灯装置は、請求項
１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置であって、
前記第１のコンデンサに電解コンデンサを用いたことを
特徴とする。
１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置であって、
前記第１のコンデンサに電解コンデンサを用いたことを
特徴とする。
【００１０】請求項６記載の照明装置は、請求項１乃至
５のいずれか一記載の放電灯点灯装置と；この放電灯点
灯装置を収容する照明器具本体と；を具備したことを特
徴とする。
５のいずれか一記載の放電灯点灯装置と；この放電灯点
灯装置を収容する照明器具本体と；を具備したことを特
徴とする。
【００１１】請求項７記載の照明装置は、器具本体と；
この器具本体に装着された放電灯と；この放電灯を点灯
する請求項１乃至５のいずれか一記載の放電灯点灯装置
と；を具備したことを特徴とする照明装置。
この器具本体に装着された放電灯と；この放電灯を点灯
する請求項１乃至５のいずれか一記載の放電灯点灯装置
と；を具備したことを特徴とする照明装置。
【００１２】請求項１乃至５記載の構成によれば、電圧
制限素子の制限電圧値を適切の値に設定することにより
放電灯の始動電圧発生時と点灯時において、ロー側のス
イッチング手段を制御する制御回路の制御レベルを一定
化することができる。
制限素子の制限電圧値を適切の値に設定することにより
放電灯の始動電圧発生時と点灯時において、ロー側のス
イッチング手段を制御する制御回路の制御レベルを一定
化することができる。
【００１３】請求項６及び７記載の構成によれば、請求
項１乃至５のいずれか１つに記載の放電灯用点灯装置を
放電灯点灯装置に適用できる。
項１乃至５のいずれか１つに記載の放電灯用点灯装置を
放電灯点灯装置に適用できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１５】図１は本発明に係る放電灯点灯装置の一発
明の実施の形態を示す回路図である。
明の実施の形態を示す回路図である。
【００１６】図１において、交流電源１１は、一方の出
力端子が電源スイッチＳＷ１を介してチョークコイルＬ
１の一端に接続される。チョークコイルＬ１の他端は、
ダイオードブリッジによる整流回路１２の一方の入力端
子に接続され、交流電源１１の他方の出力端子は、チョ
ークコイルＬ２の一端に接続される。チョークコイルＬ
２の他端は、整流回路１２の他方の入力端子に接続され
る。チョークコイルＬ１とチョークコイルＬ２とは磁気
的に結合している。チョークコイルＬ１，Ｌ２の一端の
間には、コンデンサＣ１が接続されている。チョークコ
イルＬ１，Ｌ２の他端の間には、コンデンサＣ２が接続
されている。
力端子が電源スイッチＳＷ１を介してチョークコイルＬ
１の一端に接続される。チョークコイルＬ１の他端は、
ダイオードブリッジによる整流回路１２の一方の入力端
子に接続され、交流電源１１の他方の出力端子は、チョ
ークコイルＬ２の一端に接続される。チョークコイルＬ
２の他端は、整流回路１２の他方の入力端子に接続され
る。チョークコイルＬ１とチョークコイルＬ２とは磁気
的に結合している。チョークコイルＬ１，Ｌ２の一端の
間には、コンデンサＣ１が接続されている。チョークコ
イルＬ１，Ｌ２の他端の間には、コンデンサＣ２が接続
されている。
【００１７】整流回路１２の正極側の出力端子は、イン
バータ２０の正極側の入力端子に接続される。整流回路
１２の負極側の出力端子は、インバータ２０の負極側の
入力端子に接続される。
バータ２０の正極側の入力端子に接続される。整流回路
１２の負極側の出力端子は、インバータ２０の負極側の
入力端子に接続される。
【００１８】インバータ２０は、ハイ（Ｈ）側のスイッ
チング手段であるところ第１のＭＯＳ形電解コンデンサ
（ＭＯＳ−ＦＥＴ）２１と、ロー（Ｌ）側のスイッチン
グ手段であるところ第２のＭＯＳ−ＦＥＴ２２と、第１
及び第２の駆動回路２３，２４と、第１及び第２の制御
回路２５，２６と、時定数発生回路２７と、フィードバ
ック制御回路２８と、可飽和カレントトランスＣＴ１の
一次巻線Ｌ１１と、第１のコンデンサＣ１１例えば電解
コンデンサと、第１のコンデンサＣ１より容量が小さい
第２のコンデンサＣ１２と、この第２のコンデンサＣ１
２と共振回路を構成するインダクタ２９たとえばリーケ
ージトランスとから構成されている。
チング手段であるところ第１のＭＯＳ形電解コンデンサ
（ＭＯＳ−ＦＥＴ）２１と、ロー（Ｌ）側のスイッチン
グ手段であるところ第２のＭＯＳ−ＦＥＴ２２と、第１
及び第２の駆動回路２３，２４と、第１及び第２の制御
回路２５，２６と、時定数発生回路２７と、フィードバ
ック制御回路２８と、可飽和カレントトランスＣＴ１の
一次巻線Ｌ１１と、第１のコンデンサＣ１１例えば電解
コンデンサと、第１のコンデンサＣ１より容量が小さい
第２のコンデンサＣ１２と、この第２のコンデンサＣ１
２と共振回路を構成するインダクタ２９たとえばリーケ
ージトランスとから構成されている。
【００１９】以下、インバータ２０について詳細に説明
する。
する。
【００２０】また、インバータ２０の正極側の入力端子
は、Ｈ側に設けられるＭＯＳ−ＦＥＴ２１のドレイン・
ソース路とＬ側に設けられるＭＯＳ−ＦＥＴ２２のドレ
イン・ソース路との直列接続を介してのインバータ２０
の負極側の入力端子に接続されるとともに、コンデンサ
Ｃ１１とコンデンサＣ１２との並列接続を介してインバ
ータ２０の負極側の入力端子に接続される。
は、Ｈ側に設けられるＭＯＳ−ＦＥＴ２１のドレイン・
ソース路とＬ側に設けられるＭＯＳ−ＦＥＴ２２のドレ
イン・ソース路との直列接続を介してのインバータ２０
の負極側の入力端子に接続されるとともに、コンデンサ
Ｃ１１とコンデンサＣ１２との並列接続を介してインバ
ータ２０の負極側の入力端子に接続される。
【００２１】第１及び第２のＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２
の接続点は、可飽和カレントトランスＣＴ１の一次巻線
Ｌ１１とインダクタ２９の一次巻線Ｌ２１との直列接続
を介してコンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２との接続
点に接続される。このような接続により、コンデンサＣ
１１及びコンデンサＣ１２は、それぞれＭＯＳ−ＦＥＴ
２１，２２に並列的に設けられる。
の接続点は、可飽和カレントトランスＣＴ１の一次巻線
Ｌ１１とインダクタ２９の一次巻線Ｌ２１との直列接続
を介してコンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２との接続
点に接続される。このような接続により、コンデンサＣ
１１及びコンデンサＣ１２は、それぞれＭＯＳ−ＦＥＴ
２１，２２に並列的に設けられる。
【００２２】ＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２のゲートには、
それぞれ駆動回路２３，２４が接続されている。
それぞれ駆動回路２３，２４が接続されている。
【００２３】第１の駆動回路２３は、可飽和カレントト
ランスＣＴ１の第１の二次巻線Ｌ１２と、抵抗Ｒ２１，
Ｒ２２から構成されている。ＭＯＳ−ＦＥＴ２１のゲー
トは、抵抗Ｒ２１と可飽和カレントトランスＣＴ１の第
１の二次巻線Ｌ１２との直列接続を介してＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２１のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ２２を介
してＭＯＳ−ＦＥＴ２１のソースに接続される。二次巻
線Ｌ１２と抵抗Ｒ２１との接続点は、第１の制御回路２
５のダイオードＤ２１のアノードに接続される。
ランスＣＴ１の第１の二次巻線Ｌ１２と、抵抗Ｒ２１，
Ｒ２２から構成されている。ＭＯＳ−ＦＥＴ２１のゲー
トは、抵抗Ｒ２１と可飽和カレントトランスＣＴ１の第
１の二次巻線Ｌ１２との直列接続を介してＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２１のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ２２を介
してＭＯＳ−ＦＥＴ２１のソースに接続される。二次巻
線Ｌ１２と抵抗Ｒ２１との接続点は、第１の制御回路２
５のダイオードＤ２１のアノードに接続される。
【００２４】第１の制御回路２５は、ダイオードＤ２１
と、ツェナーダイオードＺＤ２１と、抵抗Ｒ２３，Ｒ２
４と、電解コンデンサＣ２１と、コンデンサＣ２２と、
ＮＰＮトランジスタＴｒ２１とから構成される。
と、ツェナーダイオードＺＤ２１と、抵抗Ｒ２３，Ｒ２
４と、電解コンデンサＣ２１と、コンデンサＣ２２と、
ＮＰＮトランジスタＴｒ２１とから構成される。
【００２５】ダイオードＤ２１のカソードは、ツェナー
ダイオードＺＤ２１と抵抗Ｒ２３と電解コンデンサＣ２
１の並列接続を介してＮＰＮトランジスタＴｒ２１のコ
レクタに接続される。ツェナーダイオードＺＤ２１と抵
抗Ｒ２３と電解コンデンサＣ２１の並列接続は第１の制
御インピーダンス手段となっている。ツェナーダイオー
ドＺＤ２１は、アノードがＮＰＮトランジスタＴｒ２１
側に接続され、カソードがダイオードＤ２１側に接続さ
れている。ＮＰＮトランジスタＴｒ２１のエミッタ、Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ２１のソースに接続される。ＮＰＮトラン
ジスタＴｒ２１のベースは抵抗Ｒ２５とコンデンサＣ２
２との並列接続を介してＮＰＮトランジスタＴｒ２１の
エミッタに接続されるとともに、ダイオードＤ２２のカ
ソードに接続される。
ダイオードＺＤ２１と抵抗Ｒ２３と電解コンデンサＣ２
１の並列接続を介してＮＰＮトランジスタＴｒ２１のコ
レクタに接続される。ツェナーダイオードＺＤ２１と抵
抗Ｒ２３と電解コンデンサＣ２１の並列接続は第１の制
御インピーダンス手段となっている。ツェナーダイオー
ドＺＤ２１は、アノードがＮＰＮトランジスタＴｒ２１
側に接続され、カソードがダイオードＤ２１側に接続さ
れている。ＮＰＮトランジスタＴｒ２１のエミッタ、Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ２１のソースに接続される。ＮＰＮトラン
ジスタＴｒ２１のベースは抵抗Ｒ２５とコンデンサＣ２
２との並列接続を介してＮＰＮトランジスタＴｒ２１の
エミッタに接続されるとともに、ダイオードＤ２２のカ
ソードに接続される。
【００２６】第２の駆動回路２４は、可飽和カレントト
ランスＣＴ１の第２の二次巻線Ｌ１３と、抵抗Ｒ３１，
Ｒ３２とから構成されている。ＭＯＳ−ＦＥＴ２２のゲ
ートは、抵抗Ｒ３１と可飽和カレントトランスＣＴ１の
第２の二次巻線Ｌ１３との直列接続を介してＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２２のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ３２を
介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接続される。二次
巻線Ｌ１３と抵抗Ｒ３１との接続点は、第２の制御回路
２６のダイオードＤ３１のアノードに接続される。
ランスＣＴ１の第２の二次巻線Ｌ１３と、抵抗Ｒ３１，
Ｒ３２とから構成されている。ＭＯＳ−ＦＥＴ２２のゲ
ートは、抵抗Ｒ３１と可飽和カレントトランスＣＴ１の
第２の二次巻線Ｌ１３との直列接続を介してＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２２のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ３２を
介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接続される。二次
巻線Ｌ１３と抵抗Ｒ３１との接続点は、第２の制御回路
２６のダイオードＤ３１のアノードに接続される。
【００２７】第２の制御回路２６は、ダイオードＤ３１
と、抵抗Ｒ３３と、電解コンデンサＣ３１と、ＮＰＮト
ランジスタＴｒ３１とから構成される。
と、抵抗Ｒ３３と、電解コンデンサＣ３１と、ＮＰＮト
ランジスタＴｒ３１とから構成される。
【００２８】ダイオードＤ３１のカソードは、ＮＰＮト
ランジスタＴｒ３１のコレクタ・エミッタ路と抵抗Ｒ３
３の直列接続を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接
続されるとともに、電解コンデンサＣ３１を介してＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２２のソースに接続される。電解コンデンサ
Ｃ３１と抵抗Ｒ３３は第２の制御インピーダンス手段と
なっている。
ランジスタＴｒ３１のコレクタ・エミッタ路と抵抗Ｒ３
３の直列接続を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接
続されるとともに、電解コンデンサＣ３１を介してＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２２のソースに接続される。電解コンデンサ
Ｃ３１と抵抗Ｒ３３は第２の制御インピーダンス手段と
なっている。
【００２９】フィードバック制御回路２８は、抵抗Ｒ４
１，Ｒ４２，Ｒ４３，Ｒ４４と、コンデンサＣ４１と、
ＮＰＮトランジスタＴｒ４１とから構成されている。
１，Ｒ４２，Ｒ４３，Ｒ４４と、コンデンサＣ４１と、
ＮＰＮトランジスタＴｒ４１とから構成されている。
【００３０】ＭＯＳ−ＦＥＴ２１のドレインは、抵抗Ｒ
４１，Ｒ４２の直列接続を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２の
ソースに接続される。
４１，Ｒ４２の直列接続を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２の
ソースに接続される。
【００３１】抵抗Ｒ４１，Ｒ４２の接続点は、コンデン
サＣ４１を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接続さ
れるとともに、ＮＰＮトランジスタＴｒ４１のベースに
接続される。ＮＰＮトランジスタＴｒ４１のエミッタ
は、抵抗Ｒ４４を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに
接続されとともに、第２の制御回路２６のＮＰＮトラン
ジスタＴｒ３１のベースに接続される。ＮＰＮトランジ
スタＴｒ４１のコレンタは、抵抗Ｒ４３を介して時定数
発生回路２７のＰＮＰトランジスタＴｒ５１のコレクタ
に接続される。
サＣ４１を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接続さ
れるとともに、ＮＰＮトランジスタＴｒ４１のベースに
接続される。ＮＰＮトランジスタＴｒ４１のエミッタ
は、抵抗Ｒ４４を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに
接続されとともに、第２の制御回路２６のＮＰＮトラン
ジスタＴｒ３１のベースに接続される。ＮＰＮトランジ
スタＴｒ４１のコレンタは、抵抗Ｒ４３を介して時定数
発生回路２７のＰＮＰトランジスタＴｒ５１のコレクタ
に接続される。
【００３２】時定数発生回路２７は、抵抗Ｒ５１，Ｒ５
２と、ＰＮＰトランジスタＴｒ５１と、ツェナーダイオ
ードＺＤ５１と、電解コンデンサＣ５１，Ｃ５２とから
構成されている。
２と、ＰＮＰトランジスタＴｒ５１と、ツェナーダイオ
ードＺＤ５１と、電解コンデンサＣ５１，Ｃ５２とから
構成されている。
【００３３】ＭＯＳ−ＦＥＴ２１のドレインは、抵抗Ｒ
５１，電解コンデンサＣ５１の直列接続を介してＭＯＳ
−ＦＥＴ２２のソースに接続される。
５１，電解コンデンサＣ５１の直列接続を介してＭＯＳ
−ＦＥＴ２２のソースに接続される。
【００３４】抵抗Ｒ５１とコンデンサＣ５１との接続点
は、ＰＮＰトランジスタＴｒ５１のエミッタ・コレクタ
路と電解コンデンサＣ５２を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２
のソースに接続される。ＰＮＰトランジスタＴｒ５１の
ベースは、ツェナーダイオードＺＤ５１のカソードに接
続される。ツェナーダイオードＺＤ５１のアノードはＭ
ＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接続される。ＰＮＰトラン
ジスタＴｒ５１のエミッタは、抵抗Ｒ５２を介してＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２２のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ
２５とダイオードＤ２２のアノード・カソード路を介し
て第１の制御回路２５のＮＰＮトランジスタＴｒ２１の
ベースに接続される。
は、ＰＮＰトランジスタＴｒ５１のエミッタ・コレクタ
路と電解コンデンサＣ５２を介してＭＯＳ−ＦＥＴ２２
のソースに接続される。ＰＮＰトランジスタＴｒ５１の
ベースは、ツェナーダイオードＺＤ５１のカソードに接
続される。ツェナーダイオードＺＤ５１のアノードはＭ
ＯＳ−ＦＥＴ２２のソースに接続される。ＰＮＰトラン
ジスタＴｒ５１のエミッタは、抵抗Ｒ５２を介してＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２２のソースに接続されるとともに、抵抗Ｒ
２５とダイオードＤ２２のアノード・カソード路を介し
て第１の制御回路２５のＮＰＮトランジスタＴｒ２１の
ベースに接続される。
【００３５】インダクタ２９の二次巻線Ｌ２２の一端
は、放電灯６１の一方の電極に接続され、インダクタ２
９の二次巻線Ｌ２２の他端は、放電灯６１の他方の電極
に接続される。
は、放電灯６１の一方の電極に接続され、インダクタ２
９の二次巻線Ｌ２２の他端は、放電灯６１の他方の電極
に接続される。
【００３６】放電灯６１の一方の電極と他方の電極との
間には、コンデンサＣ６１が接続される。このような接
続により、放電灯６１とコンデンサＣ６１は、出力回路
６０を構成している。
間には、コンデンサＣ６１が接続される。このような接
続により、放電灯６１とコンデンサＣ６１は、出力回路
６０を構成している。
【００３７】このような構成により、第１及び第２の駆
動回路２３，２４は、それぞれ前記可飽和カレントトラ
ンスＣＴ１の第１及び第２の二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３を
用いてそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２の制御端子に
交互にオン電圧を加えることにより、それぞれＭＯＳ−
ＦＥＴ２１，２２を交互にオンオフするようになってい
る。
動回路２３，２４は、それぞれ前記可飽和カレントトラ
ンスＣＴ１の第１及び第２の二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３を
用いてそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２の制御端子に
交互にオン電圧を加えることにより、それぞれＭＯＳ−
ＦＥＴ２１，２２を交互にオンオフするようになってい
る。
【００３８】第１及び第２の制御回路２５，２６は、そ
れぞれ可飽和カレントトランスＣＴ１の第１及び第２の
二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３に並列に接続した第１及び第２
の制御インピーダンス手段のインピーダンスを制御する
ことにより、第１及び第２の駆動回路２３，２４による
オン幅を独立して制御している。
れぞれ可飽和カレントトランスＣＴ１の第１及び第２の
二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３に並列に接続した第１及び第２
の制御インピーダンス手段のインピーダンスを制御する
ことにより、第１及び第２の駆動回路２３，２４による
オン幅を独立して制御している。
【００３９】電圧制限素子であるところのツェナーダイ
オードＺＤ２１は、前記第１の制御回路２５の制御イン
ピーダンス手段に設けられ、この制御インピーダンス手
段に加えられた電圧が制限電圧値以上にならないように
制限する。
オードＺＤ２１は、前記第１の制御回路２５の制御イン
ピーダンス手段に設けられ、この制御インピーダンス手
段に加えられた電圧が制限電圧値以上にならないように
制限する。
【００４０】フィードバック制御回路２８は、始動電圧
発生時と点灯時において整流回路１２の電源電圧の変動
によるインダクタ２９の出力の変動を防止するための行
うための回路であり、整流回路１２の出力端子間の電圧
に基づいて、Ｌ側の制御回路２４に制御レベルであると
ころの制御電圧Ｖａを供給している。
発生時と点灯時において整流回路１２の電源電圧の変動
によるインダクタ２９の出力の変動を防止するための行
うための回路であり、整流回路１２の出力端子間の電圧
に基づいて、Ｌ側の制御回路２４に制御レベルであると
ころの制御電圧Ｖａを供給している。
【００４１】本発明の実施の形態では電圧制限素子（ツ
ェナーダイオードＺＤ２１）の制限電圧値を適切の値に
設定することにより放電灯６１の始動電圧発生時と点灯
時において、ロー側のスイッチング手段（ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２２）を制御する制御回路２６の制御レベル（制御電
圧Ｖａ）を一定化することができる。
ェナーダイオードＺＤ２１）の制限電圧値を適切の値に
設定することにより放電灯６１の始動電圧発生時と点灯
時において、ロー側のスイッチング手段（ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２２）を制御する制御回路２６の制御レベル（制御電
圧Ｖａ）を一定化することができる。
【００４２】以下、本実施例の動作を説明する。
【００４３】まず、スイッチＳＷ１をオンすると、交流
電源１１の電圧は、整流回路１２で全波整流され、イン
バータ２０に加えられる。これにより、電解コンデンサ
Ｃ１１，コンデンサＣ１２に電荷が蓄積されるととも
に、図示しない起動回路によりＭＯＳ−ＦＥＴ２２のゲ
ートにオン電圧を加える。この状態では、ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２１がオフしている。
電源１１の電圧は、整流回路１２で全波整流され、イン
バータ２０に加えられる。これにより、電解コンデンサ
Ｃ１１，コンデンサＣ１２に電荷が蓄積されるととも
に、図示しない起動回路によりＭＯＳ−ＦＥＴ２２のゲ
ートにオン電圧を加える。この状態では、ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２１がオフしている。
【００４４】この時点では時定数回路２７のＰＮＰトラ
ンジスタＴｒ５１がオフとなっており、制御回路２５，
２６のＮＰＮトランジスタＴｒ２１，Ｔｒ３１がオフさ
れ、可飽和カレントトランスＣＴ１の第１の二次巻線Ｌ
１２と抵抗Ｒ２１の接続点から制御回路２５に電流が流
れない状態となり、可飽和カレントトランスＣＴ１の第
２の二次巻線Ｌ１３と抵抗Ｒ３１の接続点からの電流は
抵抗Ｒ３３に流れない状態となるので、制御回路２５，
２６の制御インピーダンスが高い値に設定され、これに
より、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２にオン・オフ周期が高
い値に設定され、放電灯６１には低いレベルのランプ予
熱電圧が加えられる。
ンジスタＴｒ５１がオフとなっており、制御回路２５，
２６のＮＰＮトランジスタＴｒ２１，Ｔｒ３１がオフさ
れ、可飽和カレントトランスＣＴ１の第１の二次巻線Ｌ
１２と抵抗Ｒ２１の接続点から制御回路２５に電流が流
れない状態となり、可飽和カレントトランスＣＴ１の第
２の二次巻線Ｌ１３と抵抗Ｒ３１の接続点からの電流は
抵抗Ｒ３３に流れない状態となるので、制御回路２５，
２６の制御インピーダンスが高い値に設定され、これに
より、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２にオン・オフ周期が高
い値に設定され、放電灯６１には低いレベルのランプ予
熱電圧が加えられる。
【００４５】このようなランプ予熱期間が１秒程度経過
すると、時定数回路２７のＰＮＰトランジスタＴｒ５１
がオンされ、制御回路２５，２６のＮＰＮトランジスタ
Ｔｒ２１，Ｔｒ３１がオンされ、可飽和カレントトラン
スＣＴ１の第１の二次巻線Ｌ１２と抵抗Ｒ２１の接続点
から制御回路２５に電流が流れる状態となり、可飽和カ
レントトランスＣＴ１の第２の二次巻線Ｌ１３と抵抗Ｒ
３１の接続点からの電流は抵抗Ｒ３３に流れる状態とな
り、制御回路２５，２６の制御インピーダンスが低い値
に設定され、これにより、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２に
オン・オフ周期が低い値に設定される。ここで、放電灯
６１が点灯する以前には、インダクタ２９の一次巻線Ｌ
２１のインダクタンスは低い値となり、可飽和カレント
トランスＣＴ１の出力の反転周期が長くなる。この後、
第１の二次巻線Ｌ１２が出力する出力電圧がツェナーダ
イオードＺＤ２１のツェナー電圧を超え、ツェナーダイ
オードＺＤ２１がオンされ、制御回路２５の制御インピ
ーダンスがさらに低い値に設定され、インダクタ２９の
ランプ電力が３０Ｗ以上となり、出力電圧が４００Ｖに
到達し、放電灯６１が点灯する。放電灯６１が点灯する
と、インダクタ２９の一次巻線Ｌ２１のインダクタンス
は高い値となり、可飽和カレントトランスＣＴ１の出力
の反転周期が長くなるとともに、第１の二次巻線Ｌ１２
が出力する出力電圧がツェナーダイオードＺＤ２１のツ
ェナー電圧を下回り、ツェナーダイオードＺＤ２１がオ
フされ、制御回路２５の制御インピータンスが点灯直前
よりも低い値に設定され、フィードバック制御回路２８
により、インダクタ２９の出力電圧が適切なレベルに制
御され、放電灯６１が適切な出力で点灯する。
すると、時定数回路２７のＰＮＰトランジスタＴｒ５１
がオンされ、制御回路２５，２６のＮＰＮトランジスタ
Ｔｒ２１，Ｔｒ３１がオンされ、可飽和カレントトラン
スＣＴ１の第１の二次巻線Ｌ１２と抵抗Ｒ２１の接続点
から制御回路２５に電流が流れる状態となり、可飽和カ
レントトランスＣＴ１の第２の二次巻線Ｌ１３と抵抗Ｒ
３１の接続点からの電流は抵抗Ｒ３３に流れる状態とな
り、制御回路２５，２６の制御インピーダンスが低い値
に設定され、これにより、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２に
オン・オフ周期が低い値に設定される。ここで、放電灯
６１が点灯する以前には、インダクタ２９の一次巻線Ｌ
２１のインダクタンスは低い値となり、可飽和カレント
トランスＣＴ１の出力の反転周期が長くなる。この後、
第１の二次巻線Ｌ１２が出力する出力電圧がツェナーダ
イオードＺＤ２１のツェナー電圧を超え、ツェナーダイ
オードＺＤ２１がオンされ、制御回路２５の制御インピ
ーダンスがさらに低い値に設定され、インダクタ２９の
ランプ電力が３０Ｗ以上となり、出力電圧が４００Ｖに
到達し、放電灯６１が点灯する。放電灯６１が点灯する
と、インダクタ２９の一次巻線Ｌ２１のインダクタンス
は高い値となり、可飽和カレントトランスＣＴ１の出力
の反転周期が長くなるとともに、第１の二次巻線Ｌ１２
が出力する出力電圧がツェナーダイオードＺＤ２１のツ
ェナー電圧を下回り、ツェナーダイオードＺＤ２１がオ
フされ、制御回路２５の制御インピータンスが点灯直前
よりも低い値に設定され、フィードバック制御回路２８
により、インダクタ２９の出力電圧が適切なレベルに制
御され、放電灯６１が適切な出力で点灯する。
【００４６】以下、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２のオン・
オフによる詳細な動作について説明する。
オフによる詳細な動作について説明する。
【００４７】ＭＯＳ−ＦＥＴ２２がオンすると、第１の
期間となり、インダクタ２９及びコンデンサＣ１２によ
る共振回路が直列共振して、共振電流がインダクタ２９
とコンデンサＣ１２の直列回路に流れた後、共振電圧が
低下し、整流回路１２からの電流がコンデンサＣ１１と
インダクタ２９の一次巻線Ｌ２１と可飽和カレントトラ
ンスＣＴ１の一次巻線Ｌ１１とスィッチング手段２２と
の直列接続を介して流れ、この一次巻線Ｌ１１に流れる
電流が所定値以上になると、可飽和カレントトランスＣ
Ｔ１が飽和し、可飽和カレントトランスＣＴ１の第１及
び第２の二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３にそれぞれＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２１のゲート側とＭＯＳ−ＦＥＴ２２のゲートとは
反対側の起電力が発生し、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１をオン
し、ＭＯＳ−ＦＥＴ２２をオフする。これにより、第２
の期間となり、インダクタ２９の蓄積エネルギーにより
第１のＭＯＳ−ＦＥＴ２１からコンデンサＣ１１に電流
が流れ、この後、コンデンサＣ１１に蓄えられた電荷が
放出され、インダクタ２９の一次巻線Ｌ１１及び可飽和
カレントトランスＣＴ１の一次巻線Ｌ２１に電流が流れ
る。これにより、駆動回路２３，２４の出力が反転し、
スイッチング手段２２がオンし、スイッチング手段２１
がオフして、第１の期間に戻り、以下同様の動作を繰り
返す。これにより、インダクタ２９の一次巻線Ｌ２１に
高周波電流が流れ、インダクタ２９の二次巻線Ｌ２２に
高周波電圧を誘起する。
期間となり、インダクタ２９及びコンデンサＣ１２によ
る共振回路が直列共振して、共振電流がインダクタ２９
とコンデンサＣ１２の直列回路に流れた後、共振電圧が
低下し、整流回路１２からの電流がコンデンサＣ１１と
インダクタ２９の一次巻線Ｌ２１と可飽和カレントトラ
ンスＣＴ１の一次巻線Ｌ１１とスィッチング手段２２と
の直列接続を介して流れ、この一次巻線Ｌ１１に流れる
電流が所定値以上になると、可飽和カレントトランスＣ
Ｔ１が飽和し、可飽和カレントトランスＣＴ１の第１及
び第２の二次巻線Ｌ１２，Ｌ１３にそれぞれＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２１のゲート側とＭＯＳ−ＦＥＴ２２のゲートとは
反対側の起電力が発生し、ＭＯＳ−ＦＥＴ２１をオン
し、ＭＯＳ−ＦＥＴ２２をオフする。これにより、第２
の期間となり、インダクタ２９の蓄積エネルギーにより
第１のＭＯＳ−ＦＥＴ２１からコンデンサＣ１１に電流
が流れ、この後、コンデンサＣ１１に蓄えられた電荷が
放出され、インダクタ２９の一次巻線Ｌ１１及び可飽和
カレントトランスＣＴ１の一次巻線Ｌ２１に電流が流れ
る。これにより、駆動回路２３，２４の出力が反転し、
スイッチング手段２２がオンし、スイッチング手段２１
がオフして、第１の期間に戻り、以下同様の動作を繰り
返す。これにより、インダクタ２９の一次巻線Ｌ２１に
高周波電流が流れ、インダクタ２９の二次巻線Ｌ２２に
高周波電圧を誘起する。
【００４８】図２及び図３はＭＯＳ−ＦＥＴ２１，２２
のオン・オフの周波数ｆａと制御回路２６への制御電圧
Ｖａの関係を示すグラフであり、図２に始動電圧発生時
を示し、図３に点灯時を示している。
のオン・オフの周波数ｆａと制御回路２６への制御電圧
Ｖａの関係を示すグラフであり、図２に始動電圧発生時
を示し、図３に点灯時を示している。
【００４９】図２において、始動電圧発生時は、ＭＯＳ
−ＦＥＴ２１，２２のオン・オフの周波数ｆａは、制御
電圧ＶａがツェナーダイオードＺＤ２１がオンされるレ
ベルとなるまでは、フラットになるのに対して、制御電
圧ＶａがツェナーダイオードＺＤ２１がオンされるレベ
ルされるレベルを超えると、所定の傾きで低下する。
−ＦＥＴ２１，２２のオン・オフの周波数ｆａは、制御
電圧ＶａがツェナーダイオードＺＤ２１がオンされるレ
ベルとなるまでは、フラットになるのに対して、制御電
圧ＶａがツェナーダイオードＺＤ２１がオンされるレベ
ルされるレベルを超えると、所定の傾きで低下する。
【００５０】一方、点灯時は、二次巻線Ｌ１２の電圧が
ツェナーダイオードＺＤ２１の電圧を超えないようにし
ているので、グラフに示した範囲ではフラットになる。
ツェナーダイオードＺＤ２１の電圧を超えないようにし
ているので、グラフに示した範囲ではフラットになる。
【００５１】図２及び図３より、始動電圧発生時と点灯
時に制御電圧Ｖａが一定の値Ａ（例えば２Ｖ）とするに
は、ツェナーダイオードＺＤ２１の制限電圧値を適切の
値に設定することによりツェナーダイオードＺＤ２１が
オンされるレベルをシフトし、始動電圧発生時に制御電
圧Ｖａが値Ａの場合において、周波数ｆａが適切な値と
なるようにすることができる。これにより、放電灯６１
の始動電圧発生時と点灯時において、ロー側のスイッチ
ング手段（ＭＯＳ−ＦＥＴ２２）を制御する制御回路２
６の制御レベル（制御電圧Ｖａ）を一定化することがで
きる。
時に制御電圧Ｖａが一定の値Ａ（例えば２Ｖ）とするに
は、ツェナーダイオードＺＤ２１の制限電圧値を適切の
値に設定することによりツェナーダイオードＺＤ２１が
オンされるレベルをシフトし、始動電圧発生時に制御電
圧Ｖａが値Ａの場合において、周波数ｆａが適切な値と
なるようにすることができる。これにより、放電灯６１
の始動電圧発生時と点灯時において、ロー側のスイッチ
ング手段（ＭＯＳ−ＦＥＴ２２）を制御する制御回路２
６の制御レベル（制御電圧Ｖａ）を一定化することがで
きる。
【００５２】図４及び図５は始動電圧発生時の放電灯６
１のランプ電圧（始動電圧値）ＶＬ及びランプ電力ＷＬ
に対する制御電圧Ｖａの関係を示すグラフであり、図４
にツェナーダイオードＺＤ２１を設けなかった場合を示
し、図５にツェナーダイオードＺＤ２１を設けた場合を
示している。
１のランプ電圧（始動電圧値）ＶＬ及びランプ電力ＷＬ
に対する制御電圧Ｖａの関係を示すグラフであり、図４
にツェナーダイオードＺＤ２１を設けなかった場合を示
し、図５にツェナーダイオードＺＤ２１を設けた場合を
示している。
【００５３】図４及び図５において、ツェナーダイオー
ドＺＤ２１を設けなかった場合は、ランプ電力ＷＬは、
制御電圧Ｖａに対して一定の割合で上昇するが、放電灯
６１を始動すための目標値も３０Ｗと比較的に低いの
で、制御電圧Ｖａが２Ｖでランプ電力ＷＬの目標を達成
できる。
ドＺＤ２１を設けなかった場合は、ランプ電力ＷＬは、
制御電圧Ｖａに対して一定の割合で上昇するが、放電灯
６１を始動すための目標値も３０Ｗと比較的に低いの
で、制御電圧Ｖａが２Ｖでランプ電力ＷＬの目標を達成
できる。
【００５４】図４において、ツェナーダイオードＺＤ２
１を設けなかった場合は、始動電圧値ＶＬ２は、制御電
圧Ｖａに対して一定の割合で上昇するが、放電灯６１を
始動させるための目標値も比較的高く４００Ｖなので、
制御電圧Ｖａが２Ｖで始動電圧値ＶＬの目標を達成する
ために、制御電圧Ｖａが３Ｖ必要となる。
１を設けなかった場合は、始動電圧値ＶＬ２は、制御電
圧Ｖａに対して一定の割合で上昇するが、放電灯６１を
始動させるための目標値も比較的高く４００Ｖなので、
制御電圧Ｖａが２Ｖで始動電圧値ＶＬの目標を達成する
ために、制御電圧Ｖａが３Ｖ必要となる。
【００５５】図５において、ツェナーダイオードＺＤ２
１を設けた場合は、始動電圧値ＶＬ２は、ツェナーダイ
オードＺＤ２１が動作するレベルまでは制御電圧Ｖａに
対して図４の同じ割合で上昇するが、ツェナーダイオー
ドＺＤ２１が動作するレベルを超えると制御電圧Ｖａに
対して図４よりも高い割合で上昇るので、制御電圧Ｖａ
が２Ｖで始動電圧値ＶＬの目標値４００Ｖを達成でき
る。
１を設けた場合は、始動電圧値ＶＬ２は、ツェナーダイ
オードＺＤ２１が動作するレベルまでは制御電圧Ｖａに
対して図４の同じ割合で上昇するが、ツェナーダイオー
ドＺＤ２１が動作するレベルを超えると制御電圧Ｖａに
対して図４よりも高い割合で上昇るので、制御電圧Ｖａ
が２Ｖで始動電圧値ＶＬの目標値４００Ｖを達成でき
る。
【００５６】このような発明の実施の形態では、放電灯
６１の始動電圧発生時と点灯時において、ロー側のスイ
ッチング手段を制御する制御回路２６の制御レベルを一
定化することができので、このような制御回路２６の応
答（ゲイン）を広範囲に設定する必要がなくなり、始動
電圧値を適切化することができるとともに、整流回路の
電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を両立する
ことができる。
６１の始動電圧発生時と点灯時において、ロー側のスイ
ッチング手段を制御する制御回路２６の制御レベルを一
定化することができので、このような制御回路２６の応
答（ゲイン）を広範囲に設定する必要がなくなり、始動
電圧値を適切化することができるとともに、整流回路の
電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を両立する
ことができる。
【００５７】また、図４に示したように、ツェナーダイ
オードＺＤ２１を設けることにより、制御回路２６の制
御レベルを低下させ、回路の効率化を計ることができ
る。
オードＺＤ２１を設けることにより、制御回路２６の制
御レベルを低下させ、回路の効率化を計ることができ
る。
【００５８】図６は図１の発明の実施の形態を適用した
放電灯点灯装置による照明装置を示す斜視図である。
放電灯点灯装置による照明装置を示す斜視図である。
【００５９】図６において、照明装置４０１は、ソケッ
ト４０２，４０３の間に放電灯６１を取り付け、内部に
放電灯点灯装置（図１に示した放電灯６１と交流電源１
１を除いた部分）１０を内蔵し、放電灯点灯装置１０に
より放電灯６１の点灯を行うようにしたものである。
ト４０２，４０３の間に放電灯６１を取り付け、内部に
放電灯点灯装置（図１に示した放電灯６１と交流電源１
１を除いた部分）１０を内蔵し、放電灯点灯装置１０に
より放電灯６１の点灯を行うようにしたものである。
【００６０】このような構造により図１の発明の実施の
形態を照明装置に適用できる。
形態を照明装置に適用できる。
【００６１】尚、図１の発明の実施の形態においては、
第１及び第２のスイッチング手段としてＭＯＳ−ＦＥＴ
を用いたが、ＭＯＳ−ＦＥＴ以外のスイッチング素子、
例えば通常のＮＰＮトランジスタを用いるように構成し
てもよい。
第１及び第２のスイッチング手段としてＭＯＳ−ＦＥＴ
を用いたが、ＭＯＳ−ＦＥＴ以外のスイッチング素子、
例えば通常のＮＰＮトランジスタを用いるように構成し
てもよい。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、放電灯の始動電圧発生
時と点灯時において、ロー側のスイッチング手段を制御
する制御回路の制御レベルを一定化することができるの
で、始動電圧値を適切化することができるとともに、整
流回路の電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を
両立することができる。
時と点灯時において、ロー側のスイッチング手段を制御
する制御回路の制御レベルを一定化することができるの
で、始動電圧値を適切化することができるとともに、整
流回路の電源電圧の変動による点灯時光出力の一定化を
両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る放電灯点灯装置の発明の実施の形
態を示す回路図。
態を示す回路図。
【図２】図１のＭＯＳ−ＦＥＴのオン・オフの周波数と
Ｌ側の制御回路への制御電圧の始動電圧発生時の関係を
示すグラフ。
Ｌ側の制御回路への制御電圧の始動電圧発生時の関係を
示すグラフ。
【図３】図１のＭＯＳ−ＦＥＴのオン・オフの周波数と
Ｌ側の制御回路への制御電圧の点灯時の関係を示すグラ
フ。
Ｌ側の制御回路への制御電圧の点灯時の関係を示すグラ
フ。
【図４】図１の制御回路にツェナーダイオードを設けた
場合の放電灯の始動電圧値及びランプ電力に対する制御
電圧の関係を示すグラフ。
場合の放電灯の始動電圧値及びランプ電力に対する制御
電圧の関係を示すグラフ。
【図５】図１の制御回路にツェナーダイオードを設けな
かった場合の放電灯の始動電圧値及びランプ電力に対す
る制御電圧の関係を示すグラフ。
かった場合の放電灯の始動電圧値及びランプ電力に対す
る制御電圧の関係を示すグラフ。
【図６】図１の発明の実施の形態を適用した放電灯点灯
装置による照明装置を示す斜視図。
装置による照明装置を示す斜視図。
１１ 交流電源 １２ 整流回路 ２１，２２ ＭＯＳ−ＦＥＴ ２３，２４ 駆動回路 ２５，２６ 制御回路 ２８ フィードバック制御回路 ２９ インダクタ ６１ 放電灯 ＣＴ１ 可飽和カレントトランス ＺＤ２１ ツェナーダイオード
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年４月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【図３】
【図１】
【図４】
【図５】
【図６】
Claims (7)
- 【請求項１】 交流電源の出力電圧を整流して直流電圧
を出力する整流回路と；この整流回路の出力端子間の直
列的に設けられ、それぞれ該整流回路の出力端子間のハ
イ側及びロー側となる第１及び第２のスイッチング手段
と；この第１のスイッチング手段と並列的に設けられた
相対的に大容量の第１のコンデンサと；前記第１のスイ
ッチング手段及び第１のコンデンサの間に介挿されたイ
ンダクタと；このインダクタに一次巻線が直列接続され
た可飽和カレントトランスと、 前記第１のコンデンサより容量が小さく設定され、前記
第２のスイッチング手段のオン期間に該第２のスイッチ
ング手段及び前記インダクタと共振回路を形成する第２
のコンデンサと；前記インダクタ及び第２のコンデンサ
の共振に基づいて得た高周波出力を放電灯に供給する出
力回路と；それぞれ前記可飽和カレントトランスの第１
及び第２の二次巻線を用いてそれぞれ前記第１及び第２
のスイッチング手段の制御端子に交互にオン電圧を加え
ることにより、それぞれ第１及び第２のスイッチング手
段を交互にオンオフする第１及び第２の駆動回路と；そ
れぞれ前記可飽和カレントトランスの第１及び第２の二
次巻線に並列に接続した第１及び第２の制御インピーダ
ンス手段のインピーダンスを制御することにより、前記
第１及び第２の駆動回路によるオン幅を独立して制御す
る第１及び第２の制御回路と；前記第１の制御回路の制
御インピーダンス手段に設けられ、この制御インピーダ
ンス手段に加えられ電圧が制限電圧値以上にならないよ
うに制限する電圧制限素子と；を具備したことを特徴と
する放電灯点灯装置。 - 【請求項２】 交流電源の出力電圧を整流して直流電圧
を出力する整流回路と；この整流回路の出力端子間の直
列的に設けられ、それぞれ該整流回路の出力端子間のハ
イ側及びロー側となる第１及び第２のスイッチング手段
と；この第１のスイッチング手段と並列的に設けられた
相対的に大容量の第１のコンデンサと；前記第１のスイ
ッチング手段及び第１のコンデンサの間に介挿されたイ
ンダクタと；このインダクタに一次巻線が直列接続され
た可飽和カレントトランスと、 前記第１のコンデンサより容量が小さく設定され、前記
第２のスイッチング手段のオン期間に該第２のスイッチ
ング手段及び前記インダクタと共振回路を形成する第２
のコンデンサと；前記インダクタ及び第２のコンデンサ
の共振に基づいて得た高周波出力を放電灯に供給する出
力回路と；それぞれ前記可飽和カレントトランスの第１
及び第２の二次巻線を用いてそれぞれ前記第１及び第２
のスイッチング手段の制御端子に交互にオン電圧を加え
ることにより、それぞれ第１及び第２のスイッチング手
段を交互にオンオフする第１及び第２の駆動回路と；そ
れぞれ前記可飽和カレントトランスの第１及び第２の二
次巻線に並列に接続した第１及び第２の制御インピーダ
ンス手段のインピーダンスを制御することにより、前記
第１及び第２の駆動回路によるオン幅を独立して制御す
る第１及び第２の制御回路と、 前記第１の制御回路の制御インピーダンス手段に設けら
れ、この制御インピーダンス手段に加えられ電圧が制限
電圧値以上にならないように制限する電圧制限素子と；
を具備し、前記電圧制限素子が放電灯点灯時に不動作、
始動電圧発生時に動作するように電圧制限素子の制限電
圧値を設定したことを特徴とする放電灯点灯装置。 - 【請求項３】 前記電圧制限素子にツェナーダイオード
を用いたことを特徴とする請求項１及び２のいずれか一
記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項４】 前記第１及び第２のスイッチング手段に
ＭＯＳ形電解コンデンサを用いたことを特徴とする請求
項１及び２のいずれか一記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項５】 前記第１のコンデンサに電解コンデンサ
を用いたことを特徴とする請求項１及び２のいずれか一
記載の放電灯点灯装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一記載の放電
灯点灯装置と；この放電灯点灯装置を収容する照明器具
本体と；を具備したことを特徴とする照明装置。 - 【請求項７】 器具本体と；この器具本体に装着された
放電灯と；この放電灯を点灯する請求項１乃至５のいず
れか一記載の放電灯点灯装置と；を具備したことを特徴
とする照明装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP07772596A JP3687177B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 放電灯点灯装置及び照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07772596A JP3687177B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 放電灯点灯装置及び照明装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266081A true JPH09266081A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3687177B2 JP3687177B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=13641883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07772596A Expired - Fee Related JP3687177B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 放電灯点灯装置及び照明装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3687177B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030072657A (ko) * | 2002-03-06 | 2003-09-19 | 주식회사 에스.이.씨 | 형광등 스타터 |
| US7953369B2 (en) | 1999-06-21 | 2011-05-31 | Access Business Group International Llc | System and method for inductive power supply control using remote device power requirements |
| US8222827B2 (en) | 1999-06-21 | 2012-07-17 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled ballast circuit |
| US9013895B2 (en) | 2003-02-04 | 2015-04-21 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP07772596A patent/JP3687177B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
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|---|---|---|---|---|
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| US9397524B2 (en) | 1999-06-21 | 2016-07-19 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled ballast circuit |
| US10014722B2 (en) | 1999-06-21 | 2018-07-03 | Philips Ip Ventures B.V. | Inductively coupled ballast circuit |
| US8116681B2 (en) | 1999-06-21 | 2012-02-14 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply with communication |
| US8222827B2 (en) | 1999-06-21 | 2012-07-17 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled ballast circuit |
| US8618749B2 (en) | 1999-06-21 | 2013-12-31 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled ballast circuit |
| US8855558B2 (en) | 1999-06-21 | 2014-10-07 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply with communication |
| US9590456B2 (en) | 1999-06-21 | 2017-03-07 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled ballast circuit |
| US7953369B2 (en) | 1999-06-21 | 2011-05-31 | Access Business Group International Llc | System and method for inductive power supply control using remote device power requirements |
| US9368976B2 (en) | 1999-06-21 | 2016-06-14 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply with communication |
| US9299493B2 (en) | 1999-06-21 | 2016-03-29 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled ballast circuit |
| KR20030072657A (ko) * | 2002-03-06 | 2003-09-19 | 주식회사 에스.이.씨 | 형광등 스타터 |
| US9246356B2 (en) | 2003-02-04 | 2016-01-26 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply |
| US10505385B2 (en) | 2003-02-04 | 2019-12-10 | Philips Ip Ventures B.V. | Adaptive inductive power supply |
| US8116683B2 (en) | 2003-02-04 | 2012-02-14 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply with communication |
| US9013895B2 (en) | 2003-02-04 | 2015-04-21 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply |
| US9906049B2 (en) | 2003-02-04 | 2018-02-27 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply |
| US10439437B2 (en) | 2003-02-04 | 2019-10-08 | Philips Ip Ventures B.V. | Adaptive inductive power supply with communication |
| US9190874B2 (en) | 2003-02-04 | 2015-11-17 | Access Business Group International Llc | Adaptive inductive power supply |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3687177B2 (ja) | 2005-08-24 |
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