JPH1078767A

JPH1078767A - プラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: JPH1078767A
Application number: JP8233156A
Authority: JP
Inventors: Makoto Onozawa; 誠小野澤; Yuji Sano; 勇司佐野; Akihiko Konoue; 明彦鴻上; Masahisa Tsukahara; 正久塚原
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Video and Information System Inc
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Advanced Digital Inc
Priority date: 1996-09-03
Filing date: 1996-09-03
Publication date: 1998-03-24

Abstract

(57)【要約】【課題】細線消去によるプラズマディスプレイパネル
からの放電電流を低減する。【解決手段】Ｘドライブ回路８は、まず、全書込回路
１２からの全書込パルスにより、プラズマディスプレイ
パネル１での全セルの書込みを行ない、次に、細線消去
回路１５により、かかる全セルの放電を行なわせるが、
このとき、大きな放電電流が細線消去回路１５に流れ
て、その回路素子を損傷させることになる。そこで、細
線消去回路１５の入力側に電流低減回路１６を設け、こ
れでもって上記放電電流を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイ装置は、放電を利
用して蛍光体を発光させることによって映像を再生する
ディスプレイ装置であり、大画面を省スペースで提供で
き、次世代のディスプレイ装置として注目を浴びてい
る。

【０００３】このプラズマディスプレイ装置は、プラズ
マディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパ
ネルのＸ電極を駆動するＸドライブ回路と、Ｙ電極を駆
動するＹドライブ回路と、アドレス電極を駆動するアド
レスドライブ回路と、各ドライブ回路に供給するドライ
ブ信号を形成するドライブ信号形成回路を用いて構成さ
れている。

【０００４】かかるプラズマディスプレイ装置の一例が
特公平７ー１０９５４２号公報に示めされており、これ
は、プラズマディスプレイパネルを駆動するＸドライブ
回路やＹドライブ回路，アドレスドライブ回路のほか
に、電力を回収するためのコイルとスイッチからなる電
力回収回路が設けられ、この電力回収回路により、プラ
ズマディスプレイ装置の消費電力を低減することができ
るようにしている。

【０００５】このＸドライブ回路は、画素となるセルに
ガス放電を発生させるための繰返しパルス状のＸサステ
イン電圧を生成するＸサステイン回路と、ガス放電を発
生した全てのセルで螢光体を発光させるという全書き込
み動作を行なうための全書込回路と、セルを放電させる
細線消去を行なうための細線消去回路と、電力回収を行
なうための上記電力回収回路とで構成されている。

【０００６】アドレスドライブ回路によって螢光体を発
光させるセルを選定し、この選定されたセルにＸサステ
イン電圧を供給することにより、このセルを交流的に駆
動してガス放電を発生維持させ、ガス放電が維持された
状態で全書込パルスを印加することにより、このセルで
螢光体が発光するものであるが、このＸサステイン電圧
を印加してガス放電を発生させるとき、非常に大きな電
力を必要とする。このため、電力回収回路は、Ｘサステ
イン電圧の立上り時、上記のスイッチをオンさせてセル
に電力を供給し、Ｘサステイン電圧の立下り時、このス
イッチをオンさせてこのセルから電力を回収するように
し、これにより、セルのガス放電を発生させるときの消
費電力を低減するようにしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来のプラズマディスプレイ装置におけるＸドライブ回
路では、セルを放電させるための細線消去を行なうと
き、細線消去回路に大電流が流れる。この電流は、全書
込みを行なうことによってプラズマディスプレイパネル
のセルに充電された電荷が、その直後に行なわれる細線
消去の際、急速に放電するために生じるものであるが、
これが大電流であるため、回路素子などに支障を来すこ
とになる。そしてねこのような細線消去回路に流れる電
流は、プラズマディスプレイパネルの画面サイズが大き
くなるほど大きくなり、また、プラズマディスプレイパ
ネルの精細度が高いほど、大きい。

【０００８】従って、大画面でかつ高精細なプラズマデ
ィスプレイ装置を実現するためには、この細線消去回路
に流れる電流を小さくし、細線消去回路に用いる素子の
負担を低減することが重要な課題となる。

【０００９】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、細線消去時に細線消去回路に流
れる電流を大幅に低減することができるようにしたプラ
ズマディスプレイ装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、Ｘドライブ回路内に細線消去電流を低減
する電流低減手段を設ける。

【００１１】これにより、細線消去回路に流れる電流が
小さくなり、この結果、細線消去回路に用いられる素子
の負担を低減することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図１は本発明によるプラズマディスプ
レイ装置の第１の実施形態を示すブロック図であって、
１はプラズマディスプレイパネル（以下、単にパネルと
いう）、２はＸ電極、３はＹ電極、４，５はアドレス電
極、６はビデオ信号の入力端子、７はドライブ信号形成
回路、８はＸドライブ回路、９，１０はアドレスドライ
ブ回路、１１はＹドライブ回路、１２は全書込回路、１
３はＸサステイン回路、１４は電力回収回路、１５は細
線消去回路、１６は電流低減回路、１７はＸドライブ出
力端子、１８は加算回路である。

【００１３】同図において、パネル１は、２枚のガラス
基板が互いに平行に配置され、それらの間がセル（画
素）毎に区分されて夫々のセルに放電ガスが封入され、
また、螢光体が設けられてなり、一方のガラス基板の内
部表面に、水平方向のセル列毎に、Ｘ電極２とＹ電極３
とが互いに平行に設けられ、また、他方のガラス基板の
内部表面に、これらＸ電極２，Ｙ電極３と直交する方向
（即ち、垂直方向）のセル列毎に、アドレス電極４が設
けられている。

【００１４】Ｘ電極２には、全て共通して、Ｘドライブ
回路８からＸドライブ出力電圧Ｖ_Xが供給される。即
ち、Ｘ電極２は全てのセルに共通なＸドライブ出力電圧
Ｖ_Xを供給する共通電極となっている。また、Ｙ電極３
には、Ｙドライブ回路１１から別々にＹドライブ信号が
供給される。さらに、１つおきのアドレス電極４は、一
方のアドレスドライブ回路９からアドレスドライブパル
スが別々に供給され、他の１つおきのアドレス電極４
は、他方のアドレスドライブ回路１０からアドレスドラ
イブパルスが別々に供給される。

【００１５】Ｘドライブ回路８は、全書込回路１２，Ｘ
サステイン回路１３，電力回収回路１４，細線消去回路
１５及び電流低減回路１６によって構成されており、１
フィールドの１／ｎ（ｎは正整数であって、通常、ｎ＝
６〜８）の期間であるサブフィールド期間毎に、図３
（ａ）で示すようなＸドライブ信号を発生してＸ電極２
に供給する。

【００１６】１サブフィールド期間のＸドライブ出力電
圧Ｖ_Xは、図３（ａ）に示すように、全セル書込期間
と、細線消去期間と、スキャン期間と、Ｘサステイン期
間とからなっている。

【００１７】いま、Ｅ１（Ｖ），Ｅ２（Ｖ）の電圧との
間に、Ｅ１＞Ｅ２＞０の関係があるとすると、全セル書
込期間では、Ｘドライブ回路８の全書込回路１２からＥ
１（Ｖ）の全書込パルスが発生し、Ｘドライブ回路８の
Ｘドライブ出力端子１７からＸ電極２に供給される。こ
れとともに、Ｙドライブ回路１１から全てのＹ電極３に
所定レベルのＹドライブ信号が供給される。このとき、
アドレス電極４は０（Ｖ）である。これにより、パネル
１上の各セルでは、Ｘ電極２とＹ電極３との間所定の電
位差が生じ、これら電極間でガス放電が生ずる。このよ
うにガス放電が生ずる状態を書込状態といい、全セル書
込期間では、全セルをかかる書込状態にするものであ
る。

【００１８】この全書込状態により、直前のサブフィー
ルド期間で螢光体が発光したセルと発光しないセルとの
全てのセルを一旦ガス放電状態として、同じ条件の状態
とするものである。なお、ガス放電は、Ｘ，Ｙ電極に印
加されるパルスのエッジで発生する。

【００１９】次に、細線消去期間となり、Ｘドライブ回
路８の細線消去回路１５が０（Ｖ）の細線消去パルスを
発生する。このとき、アドレス電極４は０（Ｖ）とさ
れ、Ｙ電極３は全て“Ｈ”（ハイレベル）に保持され
る。これにより、全書込みによって各セルに蓄積された
電荷が、Ｘ電極２，Ｘドライブ出力端子１７を介して、
Ｘドライブ回路８での電流低減回路１６、さらには、細
線消去回路１５を介して放電し、次のスキャン期間で画
像表示のために螢光体を発光させる必要があるセルのみ
を書込状態にすることができるように、Ｘ電極２，Ｙ電
極３及びアドレス電極４間の電位差を所定に設定され
る。

【００２０】かかる細線消去によると、放電が全てのセ
ルから同時に行なわれるので、細線消去回路１５に非常
に大きな放電電流が流れ、細線消去回路１５を構成する
回路素子が破壊されるおそれがある。このため、この第
１の実施形態では、電流低減回路１６を設けて、細線消
去回路１５に流れる放電電流を小さくするようにしてい
るのである。

【００２１】次に、スキャン期間では、Ｘ電極２をＥ２
（Ｖ）に設定するとともに、Ｙドライブ回路１１が夫々
のＹ電極３に順番にＹドライブ信号を供給しながら、ア
ドレスドライブ回路９，１０が夫々のアドレス電極４に
順番にアドレスドライブパルスを供給したり、しなかっ
たりすることにより、螢光体を発光させるセルでの書込
みを行なう。即ち、あるＹ電極３にＹドライブ信号が供
給されている期間において、このＹ電極３に沿って配列
されるセルのうち、螢光体を発光させる必要があるセル
を通るアドレス電極４には、アドレスドライブパルスを
供給して、このセルをガス放電する書込み状態とし、螢
光体を発光させる必要がないセルを通るアドレス電極４
には、アドレスドライブパルスを供給せず、ガス放電を
生じさせない。

【００２２】このようにして、Ｙ電極３とアドレス電極
４の順番の駆動によってＸ，Ｙ方向のスキャンを行な
い、これにともなって螢光体を発光させるセルの書込み
が行なわれることになる。

【００２３】かかるスキャン期間が過ぎてＸサステイン
期間になると、Ｘドライブ回路８のＸサステイン回路１
３から一定繰返しパルスからなるＸサステインパルスが
発生し、Ｘドライブ出力端子１７を介してＸ電極２に供
給される。このＸサステインパルスは０（Ｖ）とＥ２
（Ｖ）との間を繰り返す。また、これとともに、Ｙドラ
イブ回路１１から全てのＹ電極３に、Ｘサステインパル
スと逆極性のパルスが印加され、これにより、これらパ
ルスのエッジ毎に書込みがなされたセルの螢光体が発光
する。

【００２４】ここで、セルの発光強度は、Ｘサステイン
パルスのパルス数に応じて異なり、パルス数が多いほど
発光強度が強い。そして、各サブフィールド毎にＸサス
テインパルスのパルス数を異ならせており、例えば、１
フィールドが６サブフィールドからなるものとすると、
最初のサブフィールドから順にＸサステインパルスのパ
ルス数を８，１６，３２，６４，１２８，２５６個と４
×（２のｍ乗）とし、これをフィールド毎に繰り返すよ
うにしている。そして、各セルについて、１フィールド
期間に書込みを行なわないサブフィールドと書込みを行
なうサブフィールドとがあるようにすることにより、階
調が得られることになる。

【００２５】以上で１サブフィールドでの動作が終わ
り、次のサブフィールドに移って全書込期間から動作が
繰り返される。

【００２６】また、以上のＸドライブ回路８，Ｙドライ
ブ回路１１，アドレスドライブ回路９，１０の動作は、
ドライブ信号形成回路７により、入力端子６から入力さ
れる映像信号や同期信号に基づいて形成されるドライブ
信号によって制御される。

【００２７】図２は図１におけるＸドライブ回路８の一
具体例を示す回路図であって、２１は全書込信号の入力
端子、２２，２３はＸサステイン信号の入力端子、２
４，２５は電力回収信号の入力端子、２６は細線消去信
号の入力端子、２７，２８，２９，３０，３１，３２は
増幅回路、３３，３４，３５，３６，３７，３８はパワ
ーＭＯＳＦＥＴ、３９は全書込回路１２の電源端子、４
０はＸサステイン回路１３の電源端子、４１，４２，４
３はダイオード、４４はコンデンサ、４５は電力回収コ
イルであり、図１に対応する部分には同一符号をつけて
いる。

【００２８】また、図３は図２における各部の信号を示
す波形図であって、図２に対応する信号には同一符号を
つけている。

【００２９】図２及び図３において、全書込回路１２は
増幅回路２７とＮ型のパワーＭＯＳＦＥＴ３３とから構
成されている。電源端子３９からはＥ１（Ｖ）の電源電
圧が印加されている。入力端子２１からは、全書込期
間、図３（ｂ）に示すように、パネル１の全セルの書込
みを行なうための全書込パルスを発生させる“Ｌ”（ロ
ーレベル）の全書込ドライブ信号Ｖ₂₁が、ドライブ信号
形成回路７（図１）から供給される。

【００３０】この全書込ドライブ信号Ｖ₂₁は、増幅回路
２７で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ３３に供給さ
れる。このパワーＭＯＳＦＥＴ３３は、全書込ドライブ
信号Ｖ₂₁の“Ｌ”期間オンし、このオン期間、Ｅ１
（Ｖ）のレベルの全書込パルスを全書込回路１２の出力
信号として出力する。

【００３１】Ｘサステイン回路１３は、増幅回路２８，
２９と、Ｐ型のパワーＭＯＳＦＥＴ３４，３５と、ダイ
オード４１，４２とから構成されている。パワーＭＯＳ
ＦＥＴ３４のドレインには、電源端子４０からＥ２
（Ｖ）の電源電圧が印加され、そのソースは順方向のダ
イオード４１を介してＸドライブ出力端子１７に接続さ
れている。また、パワーＭＯＳＦＥＴ３５のドレインは
直接にＸドライブ出力端子１７に接続され、そのソース
は接地されている。

【００３２】入力端子２２からは、図３（ｃ）に示すよ
うに、全セル書込期間やスキャン期間、“Ｈ”となり、
細線消去期間では、“Ｌ”となり、Ｘサステイン期間で
は、Ｘサステインパルスと同期したパルスからなるＸサ
ステインドライブ信号Ｖ₂₂がドライブ信号形成回路７
（図１）から供給され、また、入力端子２３からは、図
３（ｄ）に示すように、このＸサステインドライブ信号
Ｖ₂₂とは逆極性のＸサステインドライブ信号Ｖ₂₃がドラ
イブ信号形成回路７から供給される。但し、このＸサス
テインドライブ信号Ｖ₂₃は、細線消去期間も“Ｌ”に保
持される。

【００３３】Ｘサステインドライブ信号Ｖ₂₂は、増幅回
路２８で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ３４に供給
され、このＸサステインドライブ信号Ｖ₂₂の“Ｈ”期間
（即ち、全書込期間やスキャン期間など）、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ３４をオンにする。これにより、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ３４のソースからは、そのオン期間に電源端子４
０からＥ２（Ｖ）の電源電圧が出力され、さらに、ダイ
オード４１を通してＸサステイン回路１３から出力され
る。Ｘサステインドライブ信号Ｖ₂₂の“Ｌ”期間（即
ち、細線消去期間）では、パワーＭＯＳＦＥＴ３４はオ
フとなる。

【００３４】但し、全書込期間では、全書込回路１２か
らＥ１（Ｖ）の全書込パルスが出力され、Ｘサステイン
出力端子は１７はＥ１（Ｖ）に保持される。このときの
パワーＭＯＳＦＥＴ３４の高電圧の逆バイアスによる破
壊を防止するために、ダイオード４１が設けられてい
る。

【００３５】また、入力端子２３からのＸサステインド
ライブ信号Ｖ₂₃は、増幅回路２９で増幅された後、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ３５に供給され、このＸサステインドラ
イブ信号Ｖ₂₃の“Ｌ”期間（即ち、全書込期間，細線消
去期間，スキャン期間など）オフし、Ｘサステインドラ
イブ信号Ｖ₂₃のパルスの継続期間、パワーＭＯＳＦＥＴ
３４とは逆位相でオン，オフ動作する。パワーＭＯＳＦ
ＥＴ３４のドレインは、それがオンすると、接地レベル
に設定される。

【００３６】これにより、パワーＭＯＳＦＥＴ３４がオ
ンしてダイオード４１から“Ｈ”の信号が出力されると
きには、パワーＭＯＳＦＥＴ３５はオフしているので、
ダイオード４１から出力される“Ｈ”の信号はダイオー
ド４２を介してパワーＭＯＳＦＥＴ３５に流れることが
なく、また、ダイオード４１から出力される“Ｈ”の信
号の間でパワーＭＯＳＦＥＴ３５がオンしてダイオード
４２の出力側が接地レベルとなるので、結局、Ｘサステ
イン期間、Ｘサイテイン回路１３からＸドライブ出力端
子１７にＸサステインドライブ信号Ｖ₂₂に波形が同期
し、かつ、“Ｈ”が電源電圧であるＥ２（Ｖ）のレベル
であって、“Ｌ”が接地レベルにほぼ等しい繰返しのＸ
サステインパルスが出力される。

【００３７】電力回収回路１４は、増幅回路３０，３１
と、パワーＭＯＳＦＥＴ３６と、パワーＭＯＳＦＥＴ３
７と、ダイオード４２，４３と、コンデンサ４５と、電
力回収用コイル４６とから構成されており、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ３６，３７のソースにコンデンサ４５が接続さ
れ、パワーＭＯＳＦＥＴ３６のドレインが逆方向のダイ
オード４２，電力回収用コイル４６を介して、また、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ３７のドレインが順方向のダイオード
４３，電力回収用コイル４６を介して夫々Ｘドライブ出
力端子１７に接続されている。

【００３８】入力端子２４からは、図３（ｅ）に示すよ
うに、Ｘサステイン期間、入力端子２２から入力される
Ｘサステインドライブ信号Ｖ₂₂の立下りエッジ、従っ
て、Ｘドライブ出力電圧Ｖ_XでのＸサステインパルスの
立下りエッジに同期した“Ｈ”レベルの電力回収ドライ
ブ信号Ｖ₂₄がドライブ信号形成回路７（図１）から供給
され、増幅回路３０で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ３６に供給される。また、入力端子２５からは、図３
（ｆ）に示すように、Ｘサステイン期間、入力端子２３
から入力されるＸサステインドライブ信号Ｖ₂₃の立下り
エッジ、従って、Ｘドライブ出力電圧Ｖ_Xでの立上りエ
ッジに同期した“Ｌ”レベルの電力回収ドライブ信号Ｖ
₂₅がドライブ信号形成回路７から供給され、増幅回路３
１で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ３７に供給され
る。

【００３９】さらに、具体的には、これら電力回収ドラ
イブ信号Ｖ₂₄は、Ｘサステインパルスの立下りエッジの
の直前で立ち上り、このＸサステインパルスのこの立下
りエッジの直後で立ち下がるパルスであり、また、電力
回収ドライブ信号Ｖ₂₅は、Ｘサステインパルスの立上り
エッジの直前で立ち下がり、このＸサステインパルスの
この立上りエッジの直後で立ち上がるパルスである。

【００４０】パワーＭＯＳＦＥＴ３６は、“Ｈ”の電力
回収ドライブ信号Ｖ₂₄が供給される毎に、従って、Ｘド
ライブ出力電圧Ｖ_XのＸサステインパルスの立下りエッ
ジ毎にその直前から直後までの期間オンし、プラズマデ
ィスプレイパルス１の螢光体が発光しているセルからＸ
電極２，Ｘドライブ出力端子１７，電力回収用コイル４
５，ダイオード４２を介して放電電流を流し、コンデン
サ４５への電力回収を行なう。

【００４１】この場合、パワーＭＯＳＦＥＴ３６がオン
すると、電力回収用コイル４６がパネル１のセルがもつ
容量と共振を起こし、パワーＭＯＳＦＥＴ３６を介して
コンデンサ４４に回収される電流波形は正弦波状に変化
して増加していく。これにより、電流が急激に流れない
ようにしている。

【００４２】また、パワーＭＯＳＦＥＴ３７は、“Ｌ”
の電力回収ドライブ信号Ｖ₂₅が供給される毎に、従っ
て、Ｘドライブ出力電圧Ｖ_XのＸサステインパルスの立
上りエッジ毎にその直前から直後までの期間オンし、コ
ンデンサ４５からダイオード４３，電力回収用コイル４
５，Ｘドライブ出力端子１７を介して電流を出力し、プ
ラズマディスプレイパルス１でのＸ電極２を介して書込
み状態にあるセルに螢光体発光のための電力を供給す
る。

【００４３】即ち、Ｘサステイン回路１３から出力され
るＸサステインパルスの立上りで、書込み状態にあるセ
ルに電力を供給してガス放電を生じさせ、螢光体を発光
させるものであるが、かかる電力の一部を電力回収回路
１４で補うようにするものであり、また、Ｘサステイン
バルスの立下りでは、書込み状態にあるセルを放電さ
せ、このときにガス放電を生じさせて螢光体を発光させ
るものであるが、この放電によって放出される電力を電
力回収回路１４で回収し、次の書込み状態にあるセルへ
の次の電力の供給に際し、この電力の一部を回収した電
力で補うものである。

【００４４】このために、上記のように、電力回収ドラ
イブ信号Ｖ₂₄，Ｖ₂₅は、Ｘサステインパルスのエッジの
直前で立ち上り、そのエッジの直後で立ち下がるパルス
とすることにより、Ｘサステイン回路１３から電力供給
に先だって電力回収回路１４からの電力の補充が行なわ
れ、また、Ｘサステイン回路１３による電力の放出に先
だって、電力回収回路１４による電力の回収が行なわれ
る。

【００４５】Ｘサステイン回路１３により、書込み状態
にあるセルをＸサステインパルスによって駆動する場
合、パワーＭＯＳＦＥＴ３４，３５で電力の損失がある
が、このように、Ｘサステインパルスによるセルからの
電力の放出に先だって電力回収回路１４による電力の回
収が行なわれることにより、この無駄に放出される電力
を次のセルへの電力供給に用いることができ、従って、
パワーＭＯＳＦＥＴ３４，３５で失われる電力を補って
電力損失を大幅に低減することができる。

【００４６】この場合でも、パワーＭＯＳＦＥＴ３７が
オンすると、電力回収用コイル４６がパネル１のセルが
もつ容量と共振を起こし、コンデンサ４４からパワーＭ
ＯＳＦＥＴ３６を介して放出される電流波形が正弦波状
に変化して増加していく。これにより、電流が急激に流
れないようにしている。

【００４７】細線消去回路１５は、増幅回路３２とパワ
ーＭＯＳＦＥＴ３８とから構成されている。全書込期間
が経過し、細線消去期間となると、入力端子２６から図
３（ｇ）に示す“Ｌ”の細線消去ドライブ信号Ｖ₂₆がド
ライブ信号形成回路７（図１）から供給され、増幅回路
３２で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ３８に供給さ
れる。このパワーＭＯＳＦＥＴ３８は、この細線消去ド
ライブ信号Ｖ₂₆の期間オンし、パネル１のＸ電極２をＸ
ドライブ出力端子１７を介して接地する。これにより、
書込み状態にある全セルは全て、このパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ３８を介して急速に放電し、書込み状態が解消する。

【００４８】以上の全書込回路１２，Ｘサステイン回路
１３，電力回収回路１４及び細線消去回路１５の動作に
より、Ｘドライブ出力端子１７からパネル１のＸ電極２
に図３（ａ）に示すＸドライブ出力電圧Ｖ_X が供給さ
れ、サブフィールド毎に全書込み，細線消去，スキャ
ン，Ｘサステインの一連の動作が行なわれる。

【００４９】ところで、細線消去パルスのパルス期間、
上記のように、パネル１のアドレス選択されたセルに充
電された電荷を急速に放電させると、細線消去回路１５
に大きな放電電流Ｉ_Sが流れる、そして、検討の結果，
かかる放電電流Ｉ_Sは、パネル１の画面サイズが大き
く、精細度が高いほど大きくなることがわかった。

【００５０】そこで、この第１の実施形態では、細線消
去回路１５の入力側に電流低減回路１６を設け、細線消
去回路１５に流れる放電電流Ｉ_Sを低減するようにした
ものである。この電流低減回路１６としては、図４
（ａ）に示すように、抵抗素子を用いてもよいし、ま
た、図４（ｂ）に示すように、コイル素子を用いてもよ
い。

【００５１】図３（ｈ）に示すように、このような電流
低減回路１６を設けない従来のＸドライブ回路８では、
細線消去回路１５に流れ込む放電電流Ｉｓは、破線で示
すように、非常に大きな電流であったが、この第１の実
施形態では、かかる電流低減回路１６を設けたことによ
り、放電電流Ｉｓが実線で示すように非常に小さなもの
となった。これにより、細線消去回路１５のパワーＭＯ
ＳＦＥＴ３８などが熱損傷を受けるようなことがなくな
った。

【００５２】なお、細線消去ドライブ信号Ｖ₂₆によって
パワーＭＯＳＦＥＴ３８がオンする期間、Ｘサステイン
回路１３では、パワーＭＯＳＦＥＴ３４から細線消去回
路１５のパワーＭＯＳＦＥＴ３８に還流電流が流れ込ま
ないようにするため、この期間パワーＭＯＳＦＥＴ３４
がオフするようにする。このために、入力端子２２から
供給されるＸサステインドライブ信号Ｖ₂₂は、この細線
消去ドライブ信号Ｖ₂₆の“Ｈ”期間、“Ｌ”となるよう
にしている。

【００５３】図５は本発明によるプラズマディスプレイ
装置の第２の実施形態を示すブロック図であって、１
２’は全書込回路、４６はＸサステイン回路兼細線消去
回路、４７は電力回収回路兼電流低減回路であり、図１
に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省
略する。

【００５４】同図において、この第２の実施形態では、
図１におけるＸサステイン回路１３と細線消去回路１５
とをＸサステイン回路兼細線消去回路４６で兼用し、図
１における電力回収回路１４と電流低減回路１６とを電
力回収回路兼電流低減回路４７で兼用するとともに、全
書込回路１２’を図１での全書込回路１２と若干構成を
異ならせたものである。

【００５５】即ち、Ｘドライブ出力端子１７に得られる
Ｘドライブ出力電圧Ｖ_Xは、図７（ａ）に示すように、
図３（ａ）に示した第１の実施形態でのＸドライブ出力
電圧Ｖ_Xと同様であるが、全書込パルスは全書込回路１
２’とＸサステイン回路兼細線消去回路４６とで生成さ
れ、細線消去パルスとＸサステインパルスとはＸサステ
イン回路兼細線消去回路４６で生成され、パネル１から
の電力回収と細線消去期間での放電電流の低減とが電力
回収回路兼電流低減回路４７で行なわれる。

【００５６】図６は図５におけるＸドライブ回路８の一
具体例を示すブロック図であって、４８，４９は全書込
ドライブ信号Ｖ₄₈，Ｖ₄₉の入力端子、５０，５１はＸサ
ステイン回路兼細線消去ドライブ信号Ｖ₅₀，Ｖ₅₁の入力
端子、５２，５３は電力回収兼電流低減ドライブ信号Ｖ
₅₂，Ｖ₅₃の入力端子、５４〜５９は増幅回路、６０〜６
５はパワーＭＯＳＦＥＴ、６６は電源端子、６７はコン
デンサ、６８〜７０はダイオード、７１は電力回収コイ
ル、７２はコンデンサであり、図２に対応する部分には
同一符号を付けている。

【００５７】また、図７は図６における各部の信号を示
す波形図であって、図６に対応する信号には同一符号を
付けている。

【００５８】図６及び図７において、全書込回路１２’
は、増幅回路５４，５５、パワーＭＯＳＦＥＴ６０，６
１及びコンデンサ６７によって構成されている。

【００５９】入力端子４８には、ドライブ信号形成回路
７（図５）から、図７（ｂ）に示すように、全書込期間
のみ“Ｈ”となる全書込ドライブ信号Ｖ₄₈が供給され、
増幅器５４で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ６０に
供給される。このパワーＭＯＳＦＥＴ６０は、全書込ド
ライブ信号Ｖ₄₈の“Ｈ”の期間（即ち、全書込期間）の
みオンする。また、入力端子４９には、ドライブ信号形
成回路７から、図７（ｃ）に示すように、全書込期間の
み“Ｌ”となる全書込ドライブ信号Ｖ₄₉が供給され、増
幅器５５で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ６１に供
給される。このパワーＭＯＳＦＥＴ６１は、全書込ドラ
イブ信号Ｖ₄₉の“Ｌ”の期間（即ち、全書込期間）のみ
オフする。

【００６０】パワーＭＯＳＦＥＴ６０がオンし、パワー
ＭＯＳＦＥＴ６１がオフする全書込期間では、電源端子
６６に印加された電源電圧のＥ１’（Ｖ）が、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ６０とコンデンサ６７を介し、点Ａで電源端
子４０からの電源電圧Ｅ２（Ｖ）と加算されて（Ｅ１’
＋Ｅ２）（Ｖ）の電圧が得られる。また、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ６０がオフし、パワーＭＯＳＦＥＴ６１がオンす
る全書込期間以外の期間では、コンデンサ６７が設置さ
れることにより、点Ａでの電圧は電源端子４０からの電
源電圧Ｅ２（Ｖ）に等しくなる。

【００６１】従って、Ｅ１’＝Ｅ１−Ｅ２とすることに
より、全書込期間、点ＡにＥ１（Ｖ）の電圧が得られ
る。

【００６２】Ｘサステイン回路兼細線消去回路４６は、
増幅回路５６，５７、パワーＭＯＳＦＥＴ６２，６３に
よって構成されている。

【００６３】入力端子５０には、ドライブ信号形成回路
７（図５）から、図７（ｄ）に示すように、図３（ｃ）
に示したＸサステインドライブ信号Ｖ₂₂と同様のＸサス
テイン兼細線消去ドライブ信号Ｖ₅₀が供給され、増幅器
５６で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ６２に供給さ
れる。このパワーＭＯＳＦＥＴ６２は、細線消去期間オ
フとなるとともに、Ｘサステイン期間オン，オフ動作す
る。また、入力端子５１には、ドライブ信号形成回路７
から、図７（ｅ）に示すように、Ｘサステイン兼細線消
去ドライブ信号Ｖ₅₀とは逆極性のＸサステイン兼細線消
去ドライブ信号Ｖ₅₁が供給され、増幅器５７で増幅され
た後、パワーＭＯＳＦＥＴ６３に供給される。なお、Ｘ
サステイン兼細線消去ドライブ信号Ｖ₅₁は、細線消去期
間“Ｈ”となり、これが図３（ｄ）に示したＸサステイ
ンドライブ信号Ｖ₂₃と異なる。このパワーＭＯＳＦＥＴ
６３は、Ｘサステイン期間、パワーＭＯＳＦＥＴ６２と
は逆位相でオン，オフ動作するとともに、細線消去期間
には、オンする。

【００６４】このＸサステイン兼細線消去ドライブ信号
Ｖ₅₁の細線消去期間での“Ｈ”のパルスが図１〜図３で
示した第１の実施形態でのＸサステインドライブ信号Ｖ
₂₃に相当するものであり、これによってパワーＭＯＳＦ
ＥＴ６３がオンすることにより、パネル１（図５）での
全書込期間で書込みがなされた全セルからの放電電流
が、ドレイン電流Ｉ_MSとして、パワーＭＯＳＦＥＴ６３
を流れる。

【００６５】勿論、Ｘサステイン期間では、Ｘサステイ
ン兼細線消去ドライブ信号Ｖ₅₁によってパワーＭＯＳＦ
ＥＴ６２，６３が互いに逆位相でオン，オフ動作し、Ｘ
ドライブ出力端子１７からＸ電極２（図５）にＸサステ
インパルスが供給される。

【００６６】また、全書込期間では、上記のように、全
書込回路１２’において、パワーＭＯＳＦＥＴ６０がオ
ンし、パワーＭＯＳＦＥＴ６１がオフすることにより、
点Ａに（Ｅ１’＋Ｅ２）（Ｖ）の電圧が得られるが、こ
のとき、Ｘサステイン兼細線消去回路４６では、パワー
ＭＯＳＦＥＴ６２がオンし、パワーＭＯＳＦＥＴ６３が
オフしており、このため、この（Ｅ１’＋Ｅ２）（Ｖ）
の電圧がパワーＭＯＳＦＥＴ６２を通り、全書込パルス
としてＸドライブ出力端子１７からＸ電極２に供給され
る。

【００６７】なお、ダイオード６８は、全書込パルス発
生時にオフし、電源端子４０に電流が逆流するのを防止
する働きをしている。

【００６８】電力回収回路兼電流低減回路４７は、増幅
回路５８，５９、パワーＭＯＳＦＥＴ６４，６５、ダイ
オード６９，７０、電力回収コイル７１及びコンデンサ
７２によって構成されている。

【００６９】入力端子５２からは、ドライブ信号形成回
路７（図５）から、図７（ｆ）に示すように、図３
（ｅ）に示したのと同様の電力回収ドライブ信号Ｖ₂₄に
これと同極性の電流低減ドライブ信号Ｖ₂₆が付加された
電力回収兼電流低減ドライブ信号Ｖ₅₂が供給され、増幅
器５８で増幅された後、パワーＭＯＳＦＥＴ６４に供給
される。そのうちの電流低減ドライブ信号Ｖ₂₆は、Ｘサ
ステイン兼細線消去ドライブ信号Ｖ₅₀での細線消去期間
の“Ｌ”パルスの立下りエッジの直前で立ち上り、その
直後で立ち下がるパルスである。

【００７０】このように、パワーＭＯＳＦＥＴ６４が電
力回収兼電流低減ドライブ信号Ｖ₅₂の“Ｈ”期間オンす
ることにより、Ｘドライブ出力端子１７から電力回収コ
イル７１，ダイオード６９を介してコンデンサ７２に電
流を流し込む。従って、上記第１の実施形態と同様に、
この電力回収兼電流低減ドライブ信号Ｖ₅₂での電力回収
ドライブ信号Ｖ₂₄により、Ｘサステイン期間での電力の
回収が行なわれる。

【００７１】また、細線消去期間、パワーＭＯＳＦＥＴ
６４が電力回収兼電流低減ドライブ信号Ｖ₅₂での電流低
減ドライブ信号Ｖ₂₆によってオンすると、同様にして、
Ｘドライブ出力端子１７から電力回収コイル７１，ダイ
オード６９を介してコンデンサ７２に電流を流し込む。
この動作は、細線消去期間にＸサステイン兼細線消去回
路４６でのパワーＭＯＳＦＥＴ６３がオンして放電電流
が流れる直前に開始する。

【００７２】従って、細線消去期間の開始直前に、この
パワーＭＯＳＦＥＴ６４がオンして全書込期間に書込み
がなされた全セルからの放電が行なわれることになり、
これによってある程度の放電が行なわれてから、Ｘサス
テイン兼細線消去回路４６でのパワーＭＯＳＦＥＴ６３
がオンすることにより、細線消去期間での本格的な放電
が行なわれることになる。

【００７３】図７（ｈ）はＸサステイン兼細線消去回路
４６のパワーＭＯＳＦＥＴ６３に流れる電流Ｉ_MSを示す
ものであって、細線消去期間において、点線は、かかる
電力回収回路兼電流低減回路４７を動作させない従来の
プラズマディスプレイ装置の場合のドレイン電流Ｉ_MSを
示し、実線は、同じく電力回収回路兼電流低減回路４７
を動作させるこの第２の実施形態でのパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ６３に流れるドレイン電流Ｉ_MSを示している。

【００７４】このように、パワーＭＯＳＦＥＴ６３に流
れる放電電流（ドレイン電流Ｉ_MS）は小さなものとな
り、パワーＭＯＳＦＥＴ６３を細線消去回路に兼用して
も、このパワーＭＯＳＦＥＴ６３に障害が起こることは
ない。

【００７５】また、電力回収回路兼電流低減回路４７で
は、この細線消去動作の一部をパワーＭＯＳＦＥＴ６４
が兼用していることになるが、この場合には、上記の第
１の実施形態での電力回収コイル４５のように、パネル
１でのセルがもつ容量と共振動作する電力回収コイル７
１が電流低減回路としても作用し、この細線消去での放
電電流を低減する。これにより、ダイオード６９やパワ
ーＭＯＳＦＥＴ６４に障害が生ずることがない。

【００７６】以上のように、第２の実施形態において
も、細線消去時、細線消去回路（この場合には、Ｘサス
テイン回路兼細線消去回路４６）に流れる放電電流を低
減することができる。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
細線消去時にプラズマディスプレイパネルの各セルから
の放電電流を低減することができ、例えプラズマディス
プレイパネルが大型化したり、高精細となっても、細線
消去回路やＸサステイン回路兼細線消去回路を構成する
回路素子の負担を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマディスプレイ装置の第１
の実施形態を示すブロック図である。

【図２】図１におけるＸドライブ回路の一具体例を示す
回路図である。

【図３】図２における各部の信号を示す波形図である。

【図４】図１，図２における電流低減回路の具体例を示
す図である。

【図５】本発明によるプラズマディスプレイ装置の第２
の実施形態を示すブロック図である。

【図６】図５におけるＸドライブ回路の一具体例を示す
回路図である。

【図７】図６における各部の信号を示す波形図である。

【符号の説明】

１プラズマディスプレイパネル２Ｘ電極３Ｙ電極４，５アドレス電極７ドライブ信号形成回路８Ｘドライブ回路９，１０アドレスドライブ回路１１Ｙドライブ回路１２，１２’ 全書込回路１３Ｘサステイン回路１４電力回収回路１５細線消去回路１６電流低減回路４６Ｘサステイン回路兼細線消去回路４７電力回収回路兼電流低減回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐野勇司神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所マルチメディアシステム開発本部内 (72)発明者鴻上明彦神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所マルチメディアシステム開発本部内 (72)発明者塚原正久神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立画像情報システム内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマディスプレイパネルと、該プラ
ズマディスプレイパネルのＸ電極を駆動するＸドライブ
回路と、該プラズマディスプレイパネルのＹ電極を駆動
するＹドライブ回路と、該プラズマディスプレイパネル
のアドレス電極を駆動するアドレスドライブ回路と、該
Ｘドライブ回路と該Ｙドライブ回路と該アドレスドライ
ブ回路とを制御するためのドライブ信号を形成するドラ
イブ信号形成回路を備えたプラズマディスプレイ装置に
おいて、該Ｘドライブ回路は、全書き込み回路，Ｘサステイン回
路，電力回収回路及び細線消去回路からなり、かつ、該
細線消去回路に流れる細線消去電流を低減する電流低減
手段を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイ装
置。
【請求項２】請求項１に記載のプラズマディスプレイ
装置において、前記電流低減手段は、抵抗またはコイルを用いて構成さ
れたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】請求項１に記載のプラズマディスプレイ
装置において、前記電流低減手段は、前記電力回収回路によって構成さ
れ、前記電力回収回路を前記細線消去電流が流れる期間でも
動作させることを特徴としたプラズマディスプレイ装
置。
【請求項４】請求項１，２または３に記載のプラズマ
ディスプレイ装置において、前記細線消去回路は、前記Ｘサステイン回路を用いて構
成したことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】プラズマディスプレイパネルと、該プラ
ズマディスプレイパネルのＸ電極を駆動するＸドライブ
回路と、該プラズマディスプレイパネルのＹ電極を駆動
するＹドライブ回路と、該プラズマディスプレイパネル
のアドレス電極を駆動するアドレスドライブ回路と、該
Ｘドライブ回路と該Ｙドライブ回路と該アドレスドライ
ブ回路とを制御するためのドライブ信号を形成するドラ
イブ信号形成回路とを備えたプラズマディスプレイ装置
において、該Ｘドライブ回路は、全書き込み回路，細線消去機能を
有するＸサステイン回路兼細線消去回路，及び細線消去
パルス発生時に、該Ｘサステイン回路兼細線消去回路に
流れる電流を低減する機能を有する電力回収回路兼電流
低減手段を用いて構成したことを特徴としたプラズマデ
ィスプレイ装置。