JPH1078536A - ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 - Google Patents
ハイブリッド光集積回路及びその製造方法Info
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- JPH1078536A JPH1078536A JP23553896A JP23553896A JPH1078536A JP H1078536 A JPH1078536 A JP H1078536A JP 23553896 A JP23553896 A JP 23553896A JP 23553896 A JP23553896 A JP 23553896A JP H1078536 A JPH1078536 A JP H1078536A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子とＳｉ基板上に形成された光導波
路とが高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集
積回路及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 裏面に複数の光軸調整用合わせマーク２
１を持つ半導体素子２０と、同じく複数の光軸調整用合
わせマーク２３が形成されたＳｉ基板２２とを、画像処
理等の手段を用いてこれらの光軸調整用合わせマーク２
１、２３により光軸合わせを行う場合において、基板２
２上に形成された複数の光軸合わせマークを真円とする
ことにより、半導体素子２０とＳｉ基板２２上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合される。この
ため極めて精度の高いハイブリッド光集積回路が得られ
る。
路とが高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集
積回路及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 裏面に複数の光軸調整用合わせマーク２
１を持つ半導体素子２０と、同じく複数の光軸調整用合
わせマーク２３が形成されたＳｉ基板２２とを、画像処
理等の手段を用いてこれらの光軸調整用合わせマーク２
１、２３により光軸合わせを行う場合において、基板２
２上に形成された複数の光軸合わせマークを真円とする
ことにより、半導体素子２０とＳｉ基板２２上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合される。この
ため極めて精度の高いハイブリッド光集積回路が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッド光集
積回路及びその製造方法に関する。
積回路及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ基板上に形成された石英系光導波路
に、半導体素子（光素子）を位置決め固定する方法とし
て、光素子上に設けた光軸調整用合わせマークとＳｉ基
板上に設けた光軸調整用合わせマークを用いて光軸合わ
せを行う方法が提案されている。（１９９３年電子情報
通信学会秋季大会講演論文集４−２６６頁）。
に、半導体素子（光素子）を位置決め固定する方法とし
て、光素子上に設けた光軸調整用合わせマークとＳｉ基
板上に設けた光軸調整用合わせマークを用いて光軸合わ
せを行う方法が提案されている。（１９９３年電子情報
通信学会秋季大会講演論文集４−２６６頁）。
【０００３】これは、赤外顕微鏡で各々の光軸調整用合
わせマークを検出し、基板ステージを移動させて位置決
め固定するものである。
わせマークを検出し、基板ステージを移動させて位置決
め固定するものである。
【０００４】図３は従来技術によるハイブリッド光集積
回路の拡散分解図である。
回路の拡散分解図である。
【０００５】同図に示すハイブリッド光集積回路は、光
素子１の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク２と、Ｓ
ｉ基板３上に設けた光軸調整用合わせマーク４とを赤外
顕微鏡で検出し、光素子１をＳｉ基板３上に位置決めし
た後固定するものである。尚、同図において５はバッフ
ァ層、６はコア、７はクラッド層である。
素子１の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク２と、Ｓ
ｉ基板３上に設けた光軸調整用合わせマーク４とを赤外
顕微鏡で検出し、光素子１をＳｉ基板３上に位置決めし
た後固定するものである。尚、同図において５はバッフ
ァ層、６はコア、７はクラッド層である。
【０００６】光軸調整用合わせ用マーク４はＳｉ基板３
のＳｉベンチ上にマスクパターンを形成し、水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）水溶液を用いてＳｉベンチの一部分をエ
ッチングすることによって形成していた。
のＳｉベンチ上にマスクパターンを形成し、水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）水溶液を用いてＳｉベンチの一部分をエ
ッチングすることによって形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＫＯＨ水溶
液を用いてＳｉベンチの一部をエッチングし、光軸調整
用合わせマーク４をＳｉベンチ上に形成すると、光軸調
整用合わせマーク４の形状は正方形に加工されるべきと
ころ、長方形あるいはそれに近い形状になった。本来、
ＫＯＨ水溶液を用いたＳｉのウエットエッチングはＳｉ
の結晶方位に対するエッチングレート差を利用したもの
であり、エッチング形状は正方形となる。従って、何ら
かの理由でＳｉの結晶方位がくずれ、正規のエッチング
が行われなかったと推定される。この要因としては、バ
ッファ層５の形成プロセスの高温熱処理（１２５０〜１
３５０℃）が考えられる。しかし、この高温熱処理は本
ハイブリッド光集積回路を製造するためには必須であ
る。
液を用いてＳｉベンチの一部をエッチングし、光軸調整
用合わせマーク４をＳｉベンチ上に形成すると、光軸調
整用合わせマーク４の形状は正方形に加工されるべきと
ころ、長方形あるいはそれに近い形状になった。本来、
ＫＯＨ水溶液を用いたＳｉのウエットエッチングはＳｉ
の結晶方位に対するエッチングレート差を利用したもの
であり、エッチング形状は正方形となる。従って、何ら
かの理由でＳｉの結晶方位がくずれ、正規のエッチング
が行われなかったと推定される。この要因としては、バ
ッファ層５の形成プロセスの高温熱処理（１２５０〜１
３５０℃）が考えられる。しかし、この高温熱処理は本
ハイブリッド光集積回路を製造するためには必須であ
る。
【０００８】ここで、光軸調整用合わせマーク４の形状
が完全な正方形でないと次のような支障がある。前述し
たように光素子を位置決め固定する際には、赤外線顕微
鏡で光素子上に設けた光軸調整用合わせマーク２とＳｉ
基板上に設けた光軸調整用合わせマーク４を検出しそれ
らのマーク重心位置を算出して光軸合わせをしているた
め、光軸調整用合わせマーク４の形状が歪んでいると、
その光軸調整用合わせマーク４の重心位置がずれ、光軸
合わせの精度が悪くなるといった問題が生じる。
が完全な正方形でないと次のような支障がある。前述し
たように光素子を位置決め固定する際には、赤外線顕微
鏡で光素子上に設けた光軸調整用合わせマーク２とＳｉ
基板上に設けた光軸調整用合わせマーク４を検出しそれ
らのマーク重心位置を算出して光軸合わせをしているた
め、光軸調整用合わせマーク４の形状が歪んでいると、
その光軸調整用合わせマーク４の重心位置がずれ、光軸
合わせの精度が悪くなるといった問題が生じる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、半導体素子とＳｉ基板上に形成された光導波路とが
高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集積回路
及びその製造方法を提供することにある。
し、半導体素子とＳｉ基板上に形成された光導波路とが
高い精度で光学的に結合されたハイブリッド光集積回路
及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、裏面に複数の光軸調整用合わせマークが形
成された半導体素子と、基板上に複数の光軸調整用合わ
せマークが形成された基板とを両光軸調整用合わせマー
ク同士が合うようにして半導体素子と光導波路とを光学
的に結合したハイブリッド光集積回路において、基板上
に形成された複数の光軸調整用合わせマークを真円とし
たものである。
に本発明は、裏面に複数の光軸調整用合わせマークが形
成された半導体素子と、基板上に複数の光軸調整用合わ
せマークが形成された基板とを両光軸調整用合わせマー
ク同士が合うようにして半導体素子と光導波路とを光学
的に結合したハイブリッド光集積回路において、基板上
に形成された複数の光軸調整用合わせマークを真円とし
たものである。
【００１１】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、半導体素子の裏面に複数の光軸調整用合わせマー
クを形成し、基板上に複数の光軸調整用合わせマークを
形成し、それらの光軸調整合わせマーク同士を合わせ、
半導体素子と光導波路とを光学的に結合するハイブリッ
ド光集積回路の製造方法において、基板上の複数の光軸
調整用合わせマークを真円に形成するものである。
法は、半導体素子の裏面に複数の光軸調整用合わせマー
クを形成し、基板上に複数の光軸調整用合わせマークを
形成し、それらの光軸調整合わせマーク同士を合わせ、
半導体素子と光導波路とを光学的に結合するハイブリッ
ド光集積回路の製造方法において、基板上の複数の光軸
調整用合わせマークを真円に形成するものである。
【００１２】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、光導波路のコアを基板上に形成するためのコアパ
ターニング工程と、基板上に半導体素子を位置合わせし
て搭載するための基板側の光軸調整用合わせマークを形
成するためのマークパターニング工程とを備え、半導体
素子の裏面に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
と、基板上に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
を合わせることで半導体素子と基板上に形成された光導
波路とを光学的に結合するハイブリッド光集積回路の製
造方法において、コアパターニング工程と上記マークパ
ターニング工程とを同時に行うものである。
法は、光導波路のコアを基板上に形成するためのコアパ
ターニング工程と、基板上に半導体素子を位置合わせし
て搭載するための基板側の光軸調整用合わせマークを形
成するためのマークパターニング工程とを備え、半導体
素子の裏面に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
と、基板上に形成された複数の光軸調整用合わせマーク
を合わせることで半導体素子と基板上に形成された光導
波路とを光学的に結合するハイブリッド光集積回路の製
造方法において、コアパターニング工程と上記マークパ
ターニング工程とを同時に行うものである。
【００１３】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程に、マークパターンとコアパターンとを同一面に描画
するフォトリソグラフィ用マスクを用いるものである。
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程に、マークパターンとコアパターンとを同一面に描画
するフォトリソグラフィ用マスクを用いるものである。
【００１４】本発明のハイブリッド光集積回路の製造方
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程はフッ素系ガスを用いたドライエッチングで行うもの
である。
法は、コアパターニング工程及びマークパターニング工
程はフッ素系ガスを用いたドライエッチングで行うもの
である。
【００１５】上記構成によれば、基板上に形成された複
数の光軸合わせマークを真円とすることにより、半導体
素子とＳｉ基板上に形成された光導波路とが高い精度で
光学的に結合される。このため極めて精度の高いハイブ
リッド光集積回路が得られる。
数の光軸合わせマークを真円とすることにより、半導体
素子とＳｉ基板上に形成された光導波路とが高い精度で
光学的に結合される。このため極めて精度の高いハイブ
リッド光集積回路が得られる。
【００１６】コアパターニング工程とマークパターニン
グ工程とを同時に行うことにより、経時変化による位置
ずれが防止され、半導体素子と光導波路とが精度よく光
学的に結合される。
グ工程とを同時に行うことにより、経時変化による位置
ずれが防止され、半導体素子と光導波路とが精度よく光
学的に結合される。
【００１７】マークパターンとコアパターンとが同一面
に描画されたフォトリソグラフィ用マスクを用いること
により、位置ずれが防止され、半導体素子と光導波路と
が精度よく光学的に結合される。
に描画されたフォトリソグラフィ用マスクを用いること
により、位置ずれが防止され、半導体素子と光導波路と
が精度よく光学的に結合される。
【００１８】また、ＫＯＨ水溶液によるＳｉのウエット
エッチングでは光軸調整用合わせマークの形状を真円と
することは不可能とされているが、フッ素系ガスを用い
たドライエッチングは等方性エッチングになりやすいの
で、マスクパターンの形状が正方形であってもほぼ真円
の形状に形成される。従つて、マスクパターンの形状を
多角形にすることで、ドライエッチングにより完全な真
円とすることができる。
エッチングでは光軸調整用合わせマークの形状を真円と
することは不可能とされているが、フッ素系ガスを用い
たドライエッチングは等方性エッチングになりやすいの
で、マスクパターンの形状が正方形であってもほぼ真円
の形状に形成される。従つて、マスクパターンの形状を
多角形にすることで、ドライエッチングにより完全な真
円とすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を添
付図面に基づいて詳述する。
付図面に基づいて詳述する。
【００２０】図１は本発明のハイブリッド光集積回路の
拡散分解図である。
拡散分解図である。
【００２１】同図に示すハイブリッド光集積回路は、光
素子２０の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク（正方
形）２１と、Ｓｉ基板２２の表面に設けた光軸調整用合
わせマーク（真円）２３とを赤外顕微鏡で検出し、光素
子２０をＳｉ基板２２上に位置決めした後固定したもの
である。尚、同図においては２４はバッファ層、２５は
コア、２６はクラッド層である。尚、図では両光軸調整
用合わせマーク２１、２３の数が２つずつであるが、限
定されるものではない。
素子２０の裏面に設けた光軸調整用合わせマーク（正方
形）２１と、Ｓｉ基板２２の表面に設けた光軸調整用合
わせマーク（真円）２３とを赤外顕微鏡で検出し、光素
子２０をＳｉ基板２２上に位置決めした後固定したもの
である。尚、同図においては２４はバッファ層、２５は
コア、２６はクラッド層である。尚、図では両光軸調整
用合わせマーク２１、２３の数が２つずつであるが、限
定されるものではない。
【００２２】図２は図１に示したハイブリッド光集積回
路の製造方法を説明するための工程図である。
路の製造方法を説明するための工程図である。
【００２３】外径３インチ、両面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）
１μｍが形成された厚さｌｍｍのＳｉ基板２２上に対し
て、まず、レジストを塗布後マスクアライナーでＳｉベ
ンチ用のパターンを転写し、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）あるいはフッ酸を用いて不要な酸化膜を除去
し、その後、残されたＳｉＯ2 をマスク材としてＳｉ基
板２２のエッチングを行なう。エッチャントは濃度４０
重量％、温度４０℃の水酸化カリウム（ＫＯＨ）の水溶
液を用い、深さ２５μｍのエッチングを行ないＳｉベン
チ２７を形成する（図２（ａ）、（ｂ））。
１μｍが形成された厚さｌｍｍのＳｉ基板２２上に対し
て、まず、レジストを塗布後マスクアライナーでＳｉベ
ンチ用のパターンを転写し、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）あるいはフッ酸を用いて不要な酸化膜を除去
し、その後、残されたＳｉＯ2 をマスク材としてＳｉ基
板２２のエッチングを行なう。エッチャントは濃度４０
重量％、温度４０℃の水酸化カリウム（ＫＯＨ）の水溶
液を用い、深さ２５μｍのエッチングを行ないＳｉベン
チ２７を形成する（図２（ａ）、（ｂ））。
【００２４】次に、Ｓｉベンチ２７上にＳｉＯ2 のガラ
ス膜２８を電子ビーム蒸着法や火炎堆積法で２５μｍ堆
積させ、さらに、研磨等を行って不要なＳｉＯ2 のガラ
ス膜２８を削り取りバッファ層２４とする（図２
（ｃ）、（ｄ））。
ス膜２８を電子ビーム蒸着法や火炎堆積法で２５μｍ堆
積させ、さらに、研磨等を行って不要なＳｉＯ2 のガラ
ス膜２８を削り取りバッファ層２４とする（図２
（ｃ）、（ｄ））。
【００２５】次に、バッファ層２４が埋め込まれたＳｉ
基板２２上に、バッファ層２４よりも屈折率の大きいコ
アガラス膜２９を電子ビーム蒸着法で８μｍ形成する。
コアガラス膜２９の表面上に、マグネトロン・スバッタ
リング法によりＷＳｉ膜３０を１μｍ形成する（図２
（ｅ））。
基板２２上に、バッファ層２４よりも屈折率の大きいコ
アガラス膜２９を電子ビーム蒸着法で８μｍ形成する。
コアガラス膜２９の表面上に、マグネトロン・スバッタ
リング法によりＷＳｉ膜３０を１μｍ形成する（図２
（ｅ））。
【００２６】さらに、レジストを塗布した後、マスクア
ライナーでコア導波路と光軸調整用合わせマーク２３を
形成するためのパターンを転写する。ＷＳｉ膜３０をマ
スク材としてＣＨＦ3 をエッチングガスとした反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）でコアガラス膜２９をエッチ
ングする。ＷＳｉ膜３０にはコア２５と光軸調整用合わ
せマーク２３のパターン３１とが同一面上に描画されて
いるので、コア２５とパターン３１とが同時に形成され
る。このため（コア２５とパターン３１とを別々に形成
する場合に比べて）、経時変化等により位置ずれが生じ
ることがなく位置精度が向上する（図２（ｆ））。
ライナーでコア導波路と光軸調整用合わせマーク２３を
形成するためのパターンを転写する。ＷＳｉ膜３０をマ
スク材としてＣＨＦ3 をエッチングガスとした反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）でコアガラス膜２９をエッチ
ングする。ＷＳｉ膜３０にはコア２５と光軸調整用合わ
せマーク２３のパターン３１とが同一面上に描画されて
いるので、コア２５とパターン３１とが同時に形成され
る。このため（コア２５とパターン３１とを別々に形成
する場合に比べて）、経時変化等により位置ずれが生じ
ることがなく位置精度が向上する（図２（ｆ））。
【００２７】次に、パターン３１が形成されたＳｉ基板
２２を、コア２５とパターン３１とをマスク材としてＮ
Ｆ3 ガスをエッチングガスとした反応性イオンエッチン
グを行い、Ｓｉベンチ２７の一部分をエッチングし、光
軸調整用合わせマーク２３をＳｉベンチ２７上に形成す
る。
２２を、コア２５とパターン３１とをマスク材としてＮ
Ｆ3 ガスをエッチングガスとした反応性イオンエッチン
グを行い、Ｓｉベンチ２７の一部分をエッチングし、光
軸調整用合わせマーク２３をＳｉベンチ２７上に形成す
る。
【００２８】このとき、光軸調整用合わせマーク２３の
エッチング形状は従来のＫＯＨ水溶液を用いたウエット
エッチングの場合と異なりほぼ真円である。この理由と
しては、ＮＦ3 ガスを用いたＳｉのドライエッチングは
若干、等方性エッチングになりやすく、この効果により
パターン３１の形状が正方形であってもほぼ真円の形状
に形成されるからである。従って、マスクパターンの形
状を多角形にすることで、エッチングにより完全な真円
とすることが可能となる（図２（ｇ））。
エッチング形状は従来のＫＯＨ水溶液を用いたウエット
エッチングの場合と異なりほぼ真円である。この理由と
しては、ＮＦ3 ガスを用いたＳｉのドライエッチングは
若干、等方性エッチングになりやすく、この効果により
パターン３１の形状が正方形であってもほぼ真円の形状
に形成されるからである。従って、マスクパターンの形
状を多角形にすることで、エッチングにより完全な真円
とすることが可能となる（図２（ｇ））。
【００２９】次に、コア２５及び光軸調整用合わせマー
ク２３が形成されたＳｉ基板２２を、加熱されたターン
テーブルに置き、火炎堆積法を用いてまず、ＳｉＯ2 −
Ｂ2Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 系の多孔質ガラス層を３００μｍ形
成する。その後、このＳｉ基板２２は電気炉内におい
て、石英ガラス炉心管内に位置させ、Ｈｅガス雰囲気で
１３３０℃の温度で１時間保持することにより透明ガラ
ス化して、クラッド層２６を厚さ３０μｍ形成した。ま
た、このクラッド層２６の屈折率ｎ0 は１．４５７６で
あり、バッファ層２４の屈折率と等しいことを確認し
た。また本実施の形態ではコア導波路の幅及び高さは共
に８μｍ、コア２５、バッファ層２４及びクラッド層２
６間の比屈折率差は０．３％である（図２（ｈ））。
ク２３が形成されたＳｉ基板２２を、加熱されたターン
テーブルに置き、火炎堆積法を用いてまず、ＳｉＯ2 −
Ｂ2Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 系の多孔質ガラス層を３００μｍ形
成する。その後、このＳｉ基板２２は電気炉内におい
て、石英ガラス炉心管内に位置させ、Ｈｅガス雰囲気で
１３３０℃の温度で１時間保持することにより透明ガラ
ス化して、クラッド層２６を厚さ３０μｍ形成した。ま
た、このクラッド層２６の屈折率ｎ0 は１．４５７６で
あり、バッファ層２４の屈折率と等しいことを確認し
た。また本実施の形態ではコア導波路の幅及び高さは共
に８μｍ、コア２５、バッファ層２４及びクラッド層２
６間の比屈折率差は０．３％である（図２（ｈ））。
【００３０】次に、クラッド層２６の表面上に、マグネ
トロン・スパッタリング法によりＷＳｉ膜を３μｍ形成
した。さらに、レジストを塗布後、マスクアライナで光
素子を搭載するためのピット部パターンを転写し、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）でクラッド層２６のガラ
ス膜の一部をエッチングし、光素子搭載用ピット部３２
及び光導波路部３３を形成した（図２（ｉ））。
トロン・スパッタリング法によりＷＳｉ膜を３μｍ形成
した。さらに、レジストを塗布後、マスクアライナで光
素子を搭載するためのピット部パターンを転写し、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）でクラッド層２６のガラ
ス膜の一部をエッチングし、光素子搭載用ピット部３２
及び光導波路部３３を形成した（図２（ｉ））。
【００３１】次に、第１図に示したように光素子２０に
形成された光軸調整用合わせマーク２１と、本実施の形
態で作製したＳｉ基板２２上の光軸調整用合わせマーク
２３により、赤外線顕微鏡で各々のマーク２１、２３を
検出し、光素子２０をＳｉ基板２２上に固定させると図
１に示したようなハイブリッド光集積回路が形成され
る。
形成された光軸調整用合わせマーク２１と、本実施の形
態で作製したＳｉ基板２２上の光軸調整用合わせマーク
２３により、赤外線顕微鏡で各々のマーク２１、２３を
検出し、光素子２０をＳｉ基板２２上に固定させると図
１に示したようなハイブリッド光集積回路が形成され
る。
【００３２】その結果、光素子２０と光導波路部３３の
光軸位置ずれ量はわずか０．１μｍ以下であった。
光軸位置ずれ量はわずか０．１μｍ以下であった。
【００３３】以上において本実施の形態のハイブリッド
光集積回路によれば、Ｓｉ基板側光軸調整用マークと光
素子の光軸との相対位置精度が±０．５μｍ以下である
ため、光素子と光導波路との位置ずれ量をサブミクロン
以下とすることができ、高精度のハイブリッド光集積回
路が得られる。
光集積回路によれば、Ｓｉ基板側光軸調整用マークと光
素子の光軸との相対位置精度が±０．５μｍ以下である
ため、光素子と光導波路との位置ずれ量をサブミクロン
以下とすることができ、高精度のハイブリッド光集積回
路が得られる。
【００３４】また、本実施の形態のハイブリッド光集積
回路の製造方法によれば、Ｓｉ基板側光軸調整用マーク
を形成するためのマークパターニングとコアを形成する
ためのコアパターニングとを同時に行い、かつ従来の方
法に比べＳｉ基板上に形成するＳｉ基板側光軸調整用マ
ークの形状を真円とすることが可能となり極めて高い精
度のハイブリッド光集積回路が得られる。
回路の製造方法によれば、Ｓｉ基板側光軸調整用マーク
を形成するためのマークパターニングとコアを形成する
ためのコアパターニングとを同時に行い、かつ従来の方
法に比べＳｉ基板上に形成するＳｉ基板側光軸調整用マ
ークの形状を真円とすることが可能となり極めて高い精
度のハイブリッド光集積回路が得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３６】基板上に形成された複数の光軸合わせマー
クを真円としたので、半導体素子とＳｉ基板上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合されたハイブ
リッド光集積回路を実現することができる。
クを真円としたので、半導体素子とＳｉ基板上に形成さ
れた光導波路とが高い精度で光学的に結合されたハイブ
リッド光集積回路を実現することができる。
【図１】本発明のハイブリッド光集積回路の拡散分解図
である。
である。
【図２】図１に示したハイブリッド光集積回路の製造方
法を説明するための工程図である。
法を説明するための工程図である。
【図３】従来技術によるハイブリッド光集積回路の拡散
分解図である。
分解図である。
２０ 半導体素子（光素子） ２１、２３ 光軸調整用合わせマーク ２２ 基板（Ｓｉ基板） ３３ 光導波路（光導波路部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳澤 雅弘 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 山田 泰文 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 岡野 広明 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 樋口 恵一 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 上塚 尚登 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 寺岡 達夫 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 金谷 達憲 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 黒岩 勉 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】 裏面に複数の光軸調整用合わせマークが
形成された半導体素子と、基板上に複数の光軸調整用合
わせマークが形成された基板とを両光軸調整用合わせマ
ーク同士が合うようにして半導体素子と光導波路とを光
学的に結合したハイブリッド光集積回路において、上記
基板上に形成された複数の光軸調整用合わせマークを真
円としたことを特徴とするハイブリッド光集積回路。 - 【請求項２】 半導体素子の裏面に複数の光軸調整用合
わせマークを形成し、基板上に複数の光軸調整用合わせ
マークを形成し、それらの光軸調整合わせマーク同士を
合わせ、半導体素子と光導波路とを光学的に結合するハ
イブリッド光集積回路の製造方法において、上記基板上
の複数の光軸調整用合わせマークを真円に形成すること
を特徴とするハイブリッド光集積回路の製造方法。 - 【請求項３】 光導波路のコアを基板上に形成するため
のコアパターニング工程と、上記基板上に半導体素子を
位置合わせして搭載するための基板側の光軸調整用合わ
せマークを形成するためのマークパターニング工程とを
備え、半導体素子の裏面に形成された複数の光軸調整用
合わせマークと、基板上に形成された上記複数の光軸調
整用合わせマークを合わせることで上記半導体素子と上
記基板上に形成された光導波路とを光学的に結合するハ
イブリッド光集積回路の製造方法において、上記コアパ
ターニング工程と上記マークパターニング工程とを同時
に行うことを特徴とするハイブリッド光集積回路の製造
方法。 - 【請求項４】 上記コアパターニング工程及び上記マー
クパターニング工程に、マークパターンとコアパターン
とを同一面に描画するフォトリソグラフィ用マスクを用
いる請求項３記載のハイブリッド光集積回路の製造方
法。 - 【請求項５】 上記コアパターニング工程及び上記マー
クパターニング工程はフッ素系ガスを用いたドライエッ
チングで行う請求項４記載のハイブリッド光集積回路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23553896A JPH1078536A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23553896A JPH1078536A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1078536A true JPH1078536A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16987472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23553896A Pending JPH1078536A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ハイブリッド光集積回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1078536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009086238A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nec Corp | 平面光波回路及びその製造方法並びに光導波路デバイス |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP23553896A patent/JPH1078536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009086238A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nec Corp | 平面光波回路及びその製造方法並びに光導波路デバイス |
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