JPH107476A - 高純度シリコン等の熱処理用電気炉材の製造方法、及び熱処理用電気炉材 - Google Patents
高純度シリコン等の熱処理用電気炉材の製造方法、及び熱処理用電気炉材Info
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- JPH107476A JPH107476A JP17987196A JP17987196A JPH107476A JP H107476 A JPH107476 A JP H107476A JP 17987196 A JP17987196 A JP 17987196A JP 17987196 A JP17987196 A JP 17987196A JP H107476 A JPH107476 A JP H107476A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、高温熱処理においても高純度シリコ
ン等を不純物金属元素、特にアルカリ金属元素で汚染す
ることの少ない電気炉材の製造方法、該製造方法で得ら
れた電気炉材を提供すること。 【解決手段】アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜
１ｗｔ％を主成分とする熱処理用電気炉材を塩化水素ガ
ス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから選ば
れる少なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、４００
〜１４００℃で純化処理する高純度シリコン等の熱処理
用電気炉材の製造方法、及び前記製造方法で得られた熱
処理用電気炉材。
ン等を不純物金属元素、特にアルカリ金属元素で汚染す
ることの少ない電気炉材の製造方法、該製造方法で得ら
れた電気炉材を提供すること。 【解決手段】アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜
１ｗｔ％を主成分とする熱処理用電気炉材を塩化水素ガ
ス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから選ば
れる少なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、４００
〜１４００℃で純化処理する高純度シリコン等の熱処理
用電気炉材の製造方法、及び前記製造方法で得られた熱
処理用電気炉材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度シリコン等の熱
処理用電気炉材の製造方法及び前記製造方法で得られた
熱処理用電気炉材、特に溶融石英ガラス、合成シリカガ
ラス、シリコンウエハー等の半導体用材料、光学用材料
等を熱処理するための電熱処理用電気炉材の製造方法、
及び該製造方法で得られた熱処理用電気炉材に関する。
処理用電気炉材の製造方法及び前記製造方法で得られた
熱処理用電気炉材、特に溶融石英ガラス、合成シリカガ
ラス、シリコンウエハー等の半導体用材料、光学用材料
等を熱処理するための電熱処理用電気炉材の製造方法、
及び該製造方法で得られた熱処理用電気炉材に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、天然水晶や石英を溶融したいわゆる
“溶融石英”ガラスは、高純度で耐熱性が高く、しかも
耐急加熱急冷却性に優れているところから、シリコンウ
エハーボート、チャンバー、ベルジャー、洗浄槽、ルツ
ボ等の半導体工業用治具に、またＳｉＣｌ4等の高純度
シリコン化合物を火炎加水分解法等で得た合成シリカガ
ラスは高純度で紫外域、赤外域の光透過性に優れている
ところから光ファイバ、光リソグラフィー用レンズ、プ
リズム等の光学材料として、さらにＳｉ3Ｎ4、ＳｉＣ等
のシリコン化合物はその耐熱性の良さから炉内で使用す
る耐熱材料として使用されてきた。前記治具にあっては
その製造時の歪除去のためのアニール処理、その後製品
として使用されるための加熱処理が行われ、また光学材
料にあっては複屈折の低減、屈折率分布を高均質にする
のための加熱処理が行われる。さらに前記治具や耐熱材
料には半導体製品を載置し加熱炉中で熱処理することが
行われる。これらの加熱処理はいずれも高温で長時間行
われるところから、処理中に電気炉の炉材から不純物金
属元素が揮発し治具や光学材料、或は半導体製品等を汚
染することが時々起こる。特に拡散速度の大きいＮａの
汚染が大きな問題となっており、中でも単結晶シリコ
ン、シリコンウエハーの熱処理においてはさらにＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｕ等の金属元素による汚染も問題点となってい
る。こうした炉材中の不純物金属元素による汚染を低減
するため炉材を例えば低酸素分圧下（Ｎ2気流中）、
１，３００〜１，５００℃で１００〜１２０時間の空焼
きしたり、或は高純度Ａｌ2Ｏ3板を炉床板として用い、
その上に被処理物を載置する方法等が提案されている
が、いずれも不純物金属元素の汚染を充分防ぐものでは
なかった。
“溶融石英”ガラスは、高純度で耐熱性が高く、しかも
耐急加熱急冷却性に優れているところから、シリコンウ
エハーボート、チャンバー、ベルジャー、洗浄槽、ルツ
ボ等の半導体工業用治具に、またＳｉＣｌ4等の高純度
シリコン化合物を火炎加水分解法等で得た合成シリカガ
ラスは高純度で紫外域、赤外域の光透過性に優れている
ところから光ファイバ、光リソグラフィー用レンズ、プ
リズム等の光学材料として、さらにＳｉ3Ｎ4、ＳｉＣ等
のシリコン化合物はその耐熱性の良さから炉内で使用す
る耐熱材料として使用されてきた。前記治具にあっては
その製造時の歪除去のためのアニール処理、その後製品
として使用されるための加熱処理が行われ、また光学材
料にあっては複屈折の低減、屈折率分布を高均質にする
のための加熱処理が行われる。さらに前記治具や耐熱材
料には半導体製品を載置し加熱炉中で熱処理することが
行われる。これらの加熱処理はいずれも高温で長時間行
われるところから、処理中に電気炉の炉材から不純物金
属元素が揮発し治具や光学材料、或は半導体製品等を汚
染することが時々起こる。特に拡散速度の大きいＮａの
汚染が大きな問題となっており、中でも単結晶シリコ
ン、シリコンウエハーの熱処理においてはさらにＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｕ等の金属元素による汚染も問題点となってい
る。こうした炉材中の不純物金属元素による汚染を低減
するため炉材を例えば低酸素分圧下（Ｎ2気流中）、
１，３００〜１，５００℃で１００〜１２０時間の空焼
きしたり、或は高純度Ａｌ2Ｏ3板を炉床板として用い、
その上に被処理物を載置する方法等が提案されている
が、いずれも不純物金属元素の汚染を充分防ぐものでは
なかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、アルミナを主成分
とする熱処理用電気炉材を特定の処理条件で純化処理す
ることでＮａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の不純物金属元素、
特に拡散速度の早いＮａによる汚染の少ない炉材を製造
できることを見出し、本発明を完成したものである。す
なわち、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、アルミナを主成分
とする熱処理用電気炉材を特定の処理条件で純化処理す
ることでＮａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の不純物金属元素、
特に拡散速度の早いＮａによる汚染の少ない炉材を製造
できることを見出し、本発明を完成したものである。す
なわち、
【０００４】本発明は、高純度シリコン等をＮａ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の不純物金属元素で汚染することの少
ない熱処理用電気炉材の製造方法を提供することを目的
とする。
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の不純物金属元素で汚染することの少
ない熱処理用電気炉材の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００５】また、本発明は、上記の製造方法で得られ
た熱処理用電気炉材を提供することを目的とする。
た熱処理用電気炉材を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜１ｗｔ
％を主成分とする熱処理用電気炉材を塩化水素ガス、塩
素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから選ばれる少
なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、４００〜１４
００℃で純化処理するか、又はさらに硝酸、塩酸、硫酸
及びフッ酸から選ばれる少なくとも１種の水溶液で、２
０〜８０℃で洗浄純化処理する高純度シリコン等の熱処
理用電気炉材の製造方法、及び該製造方法で得られた熱
処理電気炉用炉材に係る。
明は、アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜１ｗｔ
％を主成分とする熱処理用電気炉材を塩化水素ガス、塩
素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから選ばれる少
なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、４００〜１４
００℃で純化処理するか、又はさらに硝酸、塩酸、硫酸
及びフッ酸から選ばれる少なくとも１種の水溶液で、２
０〜８０℃で洗浄純化処理する高純度シリコン等の熱処
理用電気炉材の製造方法、及び該製造方法で得られた熱
処理電気炉用炉材に係る。
【０００７】上記のとおり本発明の炉材は、アルミナ７
０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜１ｗｔ％を主成分とする
熱処理用電気炉材であるが、該炉材の製造原料粉として
は粒径１〜５００μｍ、純度９９．９９ｗｔ％のアルミ
ナ粉及びシリカ粉が用いられる。前記原料が３０〜１ｗ
ｔ％のシリカ粉含有することで焼結が容易となるがその
含有量が３０ｗｔ％を超えると炉材の使用最高温度が約
１４００℃以下と低くなり、またシリカ粉の含有量が１
ｗｔ％未満では焼成温度が高温過ぎ、かつ高緻密化し純
化処理が困難となる。
０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜１ｗｔ％を主成分とする
熱処理用電気炉材であるが、該炉材の製造原料粉として
は粒径１〜５００μｍ、純度９９．９９ｗｔ％のアルミ
ナ粉及びシリカ粉が用いられる。前記原料が３０〜１ｗ
ｔ％のシリカ粉含有することで焼結が容易となるがその
含有量が３０ｗｔ％を超えると炉材の使用最高温度が約
１４００℃以下と低くなり、またシリカ粉の含有量が１
ｗｔ％未満では焼成温度が高温過ぎ、かつ高緻密化し純
化処理が困難となる。
【０００８】本発明の熱処理用電気炉材の製造方法にあ
っては、前記原料に、さらに必要に応じて少量のバイン
ダーを加えそれらをＶ型混合器、ボールミル等で均一に
混合したのち、押出成形、流延成形等で炉材に成形し、
それを約１，５００〜１，８００℃で焼成し、嵩密度
０．１〜１ｇ／ｃｍ3の炉材をえ、さらに（ｉ）塩化水
素ガス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから
選ばれる少なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、加
熱純化処理するか、又は（ｉｉ）前記加熱純化処理に続
いてさらに硝酸、塩酸、硫酸及びフッ酸から選ばれる少
なくとも１種の水溶液による洗浄純化処理をする。炉材
の嵩密度が０．１〜１ｇ／ｃｍ3の範囲にあることで純
化処理が良好に行える。
っては、前記原料に、さらに必要に応じて少量のバイン
ダーを加えそれらをＶ型混合器、ボールミル等で均一に
混合したのち、押出成形、流延成形等で炉材に成形し、
それを約１，５００〜１，８００℃で焼成し、嵩密度
０．１〜１ｇ／ｃｍ3の炉材をえ、さらに（ｉ）塩化水
素ガス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから
選ばれる少なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、加
熱純化処理するか、又は（ｉｉ）前記加熱純化処理に続
いてさらに硝酸、塩酸、硫酸及びフッ酸から選ばれる少
なくとも１種の水溶液による洗浄純化処理をする。炉材
の嵩密度が０．１〜１ｇ／ｃｍ3の範囲にあることで純
化処理が良好に行える。
【０００９】上記加熱純化処理でのガス雰囲気は塩化水
素ガス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから
選ばれる少なくとも１種を窒素、アルゴン等の不活性ガ
スで希釈するのがよく、その雰囲気ガス中での処理温度
は４００〜１４００℃、好ましくは６００〜１，０００
℃の範囲がよい。また洗浄純化処理においては硝酸、塩
酸、硫酸及びフッ酸から選ばれる少なくとも１種の水溶
液で２０〜８０℃、好ましくは３０〜６０℃で洗浄する
のがよい。前記加熱純化処理は単独でもまた複数回繰り
返してもよく、さらにこの加熱純化処理に洗浄処理を組
み合わせてもよい。より好ましくは加熱純化処理に引き
続き洗浄処理を行うのがよい。
素ガス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから
選ばれる少なくとも１種を窒素、アルゴン等の不活性ガ
スで希釈するのがよく、その雰囲気ガス中での処理温度
は４００〜１４００℃、好ましくは６００〜１，０００
℃の範囲がよい。また洗浄純化処理においては硝酸、塩
酸、硫酸及びフッ酸から選ばれる少なくとも１種の水溶
液で２０〜８０℃、好ましくは３０〜６０℃で洗浄する
のがよい。前記加熱純化処理は単独でもまた複数回繰り
返してもよく、さらにこの加熱純化処理に洗浄処理を組
み合わせてもよい。より好ましくは加熱純化処理に引き
続き洗浄処理を行うのがよい。
【００１０】上記純化処理で熱処理用電気炉材中のＮａ
含有量を０．０２ｗｔ％以下、好ましくは１〜１００ｗ
ｔｐｐｍとする。特に（ｉｉ）の純化方法を実施するこ
とでＮａ含有量が０．０２ｗｔ％以下、Ｃｕの含有量が
５０ｗｔｐｐｍ以下、Ｎｉの含有量が５０ｗｔｐｐｍ以
下及びＦｅの含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下とするこ
とができ８００〜１，３００℃の温度で単結晶シリコ
ン、シリコンウエハー等の高純度シリコン、又はレンズ
用高純度合成シリカガラス等を処理しても不純物金属元
素による汚染が殆ど起こることがなく、しかも嵩密度が
上記範囲にあることから１０００℃における熱伝導率が
０．１〜１ｋｃａｌ／ｍｈ℃となり保温効果が高い。
含有量を０．０２ｗｔ％以下、好ましくは１〜１００ｗ
ｔｐｐｍとする。特に（ｉｉ）の純化方法を実施するこ
とでＮａ含有量が０．０２ｗｔ％以下、Ｃｕの含有量が
５０ｗｔｐｐｍ以下、Ｎｉの含有量が５０ｗｔｐｐｍ以
下及びＦｅの含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下とするこ
とができ８００〜１，３００℃の温度で単結晶シリコ
ン、シリコンウエハー等の高純度シリコン、又はレンズ
用高純度合成シリカガラス等を処理しても不純物金属元
素による汚染が殆ど起こることがなく、しかも嵩密度が
上記範囲にあることから１０００℃における熱伝導率が
０．１〜１ｋｃａｌ／ｍｈ℃となり保温効果が高い。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に具体例に基づいて本発明を詳
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
【００１３】
実施例１〜６ ９９．９９ｗｔ％以上のアルミナ粉（α−アルミナ粉）
約１０ｋｇとシリカ粉約２ｋｇを準備し、それを表１の
組成割合でアルミナ製ボールで混合し、さらに少量のバ
インダーを添加したのち押出成形して炉材を形成し、そ
れを約１，５００〜１，８００℃で常圧焼成して１５０
×１５０×２０ｍｍの板状母材を作成した。該母材の蛍
光Ｘ線分光法による組成は表１のとおりであった。
約１０ｋｇとシリカ粉約２ｋｇを準備し、それを表１の
組成割合でアルミナ製ボールで混合し、さらに少量のバ
インダーを添加したのち押出成形して炉材を形成し、そ
れを約１，５００〜１，８００℃で常圧焼成して１５０
×１５０×２０ｍｍの板状母材を作成した。該母材の蛍
光Ｘ線分光法による組成は表１のとおりであった。
【００１４】上記板状母材を横型円筒電気炉に約直径２
００×長さ１０００ｍｍのシリカガラス炉芯管を挿込し
た内部に設置し、窒素ガスで置換したのち、表１に示す
成分の純化ガスを５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎの流量で流
した。処理温度及び処理時間は表１のとおりである。前
記加熱純化処理した板状母材を表１に示す組成のフッ化
水素酸水溶液で洗浄処理し、次いでイオン交換水で洗浄
し、乾燥した。得られた板状母材を中のＮａ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｆｅの濃度分析を原子吸光光度法で行い、また２５
℃における嵩密度の測定および１０００℃における熱伝
導率測定をそれぞれ行った。その結果を表１に示す。
００×長さ１０００ｍｍのシリカガラス炉芯管を挿込し
た内部に設置し、窒素ガスで置換したのち、表１に示す
成分の純化ガスを５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎの流量で流
した。処理温度及び処理時間は表１のとおりである。前
記加熱純化処理した板状母材を表１に示す組成のフッ化
水素酸水溶液で洗浄処理し、次いでイオン交換水で洗浄
し、乾燥した。得られた板状母材を中のＮａ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｆｅの濃度分析を原子吸光光度法で行い、また２５
℃における嵩密度の測定および１０００℃における熱伝
導率測定をそれぞれ行った。その結果を表１に示す。
【００１５】また、板状母材を二ケイ化モリブデンをヒ
ータとする高温大気炉内の炉材とし使用し、該炉の床面
上に寸法１００×１００×５ｍｍのＳｕｐｒａｓｉｌ−
Ｆ３１０（信越石英（株）シリカガラス製品）を敷き、
その上に汚染評価用サンプルとしてフッ化水素酸により
表層部約３μｍをエッチング処理した直径１０×長さ５
０ｍｍのＨｅｒａｌｕｘ−Ｅ−ＬＡ（信越石英（株）シ
リカガラス製品）を置き１，１００℃、１００時間加熱
処理した。
ータとする高温大気炉内の炉材とし使用し、該炉の床面
上に寸法１００×１００×５ｍｍのＳｕｐｒａｓｉｌ−
Ｆ３１０（信越石英（株）シリカガラス製品）を敷き、
その上に汚染評価用サンプルとしてフッ化水素酸により
表層部約３μｍをエッチング処理した直径１０×長さ５
０ｍｍのＨｅｒａｌｕｘ−Ｅ−ＬＡ（信越石英（株）シ
リカガラス製品）を置き１，１００℃、１００時間加熱
処理した。
【００１６】次いで、このサンプルをフッ化水素酸によ
り表層部約１０μｍをエッチング除去して、残りのサン
プルをすべて溶解調整し、これを原子吸光光度法にて不
純物濃度分析を行った。その測定結果を表１に示す。
り表層部約１０μｍをエッチング除去して、残りのサン
プルをすべて溶解調整し、これを原子吸光光度法にて不
純物濃度分析を行った。その測定結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】比較例１ 実施例１と同一の板状母材の高純化処理を行わないもの
をそのまま加熱処理用炉材として用い、実施例１と同様
のサンプルの加熱処理汚染評価を行った。その結果を表
２に示す。
をそのまま加熱処理用炉材として用い、実施例１と同様
のサンプルの加熱処理汚染評価を行った。その結果を表
２に示す。
【００１９】比較例２ 比較例１において、アルミナ組成比が小さく、不純物金
属元素含有量の大きい加熱処理用炉材を用いて、実施例
１と同様のサンプルの加熱処理汚染評価を行った。その
結果を表２に示す。
属元素含有量の大きい加熱処理用炉材を用いて、実施例
１と同様のサンプルの加熱処理汚染評価を行った。その
結果を表２に示す。
【００２０】比較例３ 実施例１において高純化処理の加熱純化処理温度を２０
０℃で行った加熱処理用炉材を用いて、実施例１のサン
プルの加熱処理汚染評価を行った。その結果を表２に示
す。
０℃で行った加熱処理用炉材を用いて、実施例１のサン
プルの加熱処理汚染評価を行った。その結果を表２に示
す。
【００２１】
【表２】
【００２２】〈評価〉本発明の製造方法で得られた熱処
理用炉材を用いて電気炉を作成し、該電気炉でシリカガ
ラスサンプルを加熱処理しても表１、２から明らかなよ
うに前記サンプルを殆ど汚染することがない。
理用炉材を用いて電気炉を作成し、該電気炉でシリカガ
ラスサンプルを加熱処理しても表１、２から明らかなよ
うに前記サンプルを殆ど汚染することがない。
【００２３】一方、比較例１〜３に示すように純化処理
しない熱処理用炉材の場合には不純物金属元素による汚
染、特にＮａ汚染が大きい。また、比較例２にみるよう
にアルミナ含有量が少ない炉材は最高使用温度が約１３
００℃と低く、その嵩密度も０．０９ｇ／ｃｍ3と低く
機械的強度が弱く、炉材としての基本性能が好ましくな
かった。
しない熱処理用炉材の場合には不純物金属元素による汚
染、特にＮａ汚染が大きい。また、比較例２にみるよう
にアルミナ含有量が少ない炉材は最高使用温度が約１３
００℃と低く、その嵩密度も０．０９ｇ／ｃｍ3と低く
機械的強度が弱く、炉材としての基本性能が好ましくな
かった。
【００２４】
【発明の効果】本発明の製造方法では、高純度の原料粉
を用いて熱処理用炉材を製造し、それを純化処理すると
いう簡便な方法で不純物金属元素を発生させることが少
ない加熱処理用炉材を容易に製造できる。前記加熱処理
用炉材で電気炉を構築することで高純度シリコン等を８
００〜１３００℃で熱処理しても不純物金属元素、特に
アルカリ金属元素で汚染されることがなく、その工業的
価値の高い炉材である。
を用いて熱処理用炉材を製造し、それを純化処理すると
いう簡便な方法で不純物金属元素を発生させることが少
ない加熱処理用炉材を容易に製造できる。前記加熱処理
用炉材で電気炉を構築することで高純度シリコン等を８
００〜１３００℃で熱処理しても不純物金属元素、特に
アルカリ金属元素で汚染されることがなく、その工業的
価値の高い炉材である。
Claims (6)
- 【請求項１】アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜
１ｗｔ％を主成分とする熱処理用電気炉材を塩化水素ガ
ス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから選ば
れる少なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、４００
〜１４００℃で純化処理することを特徴とする高純度シ
リコン等の熱処理用電気炉材の製造方法。 - 【請求項２】アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜
１ｗｔ％を主成分とする熱処理用電気炉材を塩化水素ガ
ス、塩素ガス、フッ素ガス及びフッ化水素ガスから選ば
れる少なくとも１種を含有するガス雰囲気中で、４００
〜１４００℃で純化処理したのち、さらに硝酸、塩酸、
硫酸及びフッ酸から選ばれる少なくとも１種の水溶液を
用い２０〜８０℃で洗浄純化することを特徴とする高純
度シリコン等の熱処理用電気炉材の製造方法。 - 【請求項３】アルミナ７０〜９９ｗｔ％、シリカ３０〜
１ｗｔ％を主成分とする熱処理用電気炉材において、前
記熱処理用電気炉材が高純化処理でＮａ含有量を０．０
２ｗｔ％以下としたことを特徴とする高純度シリコン等
の熱処理用電気炉材。 - 【請求項４】Ｎａ含有量が１〜１００ｗｔｐｐｍである
ことを特徴とする請求項３記載の高純度シリコン等の熱
処理用電気炉材。 - 【請求項５】Ｃｕ含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、Ｎｉ含
有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、Ｆｅ含有量が１０００ｗｔ
ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項３または４記
載の高純度シリコン等の熱処理用電気炉材。 - 【請求項６】熱処理用電気炉材の嵩密度が０．１〜１ｇ
／ｃｍ3、１，０００℃における熱伝導率が０．１〜１
ｋｃａｌ／ｍｈ℃であることを特徴とする請求項３ない
し５のいずれか１記載の高純度シリコン等の熱処理用電
気炉材。
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| JP17987196A JP3687872B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 高純度シリコン等の熱処理用電気炉材の製造方法、及び熱処理用電気炉材 |
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| JP17987196A JP3687872B2 (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 高純度シリコン等の熱処理用電気炉材の製造方法、及び熱処理用電気炉材 |
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|---|---|---|---|---|
| EP1031649A1 (en) * | 1999-02-23 | 2000-08-30 | Toshiba Monofrax Company Ltd. | High-purity crystalline inorganic fiber, molded body thereof, and method of production thereof |
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-
1996
- 1996-06-21 JP JP17987196A patent/JP3687872B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574991B1 (en) | 1998-08-13 | 2003-06-10 | Corning Incorporated | Pure fused silica, furnace and method |
| EP1031649A1 (en) * | 1999-02-23 | 2000-08-30 | Toshiba Monofrax Company Ltd. | High-purity crystalline inorganic fiber, molded body thereof, and method of production thereof |
| US6348428B1 (en) | 1999-02-23 | 2002-02-19 | Toshiba Monofrax Co., Ltd. | High-purity crystalline inorganic fiber, molded body thereof, and method of production thereof |
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