JPH1074677A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法及び露光装置

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JPH1074677A
JPH1074677A JP8228124A JP22812496A JPH1074677A JP H1074677 A JPH1074677 A JP H1074677A JP 8228124 A JP8228124 A JP 8228124A JP 22812496 A JP22812496 A JP 22812496A JP H1074677 A JPH1074677 A JP H1074677A
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光方法及び露光装置に関し、レーザ描画方
式露光におけるエッジ精度を改善する。 【解決手段】 基板1上に描画されるパターン群の予め
設定した方向にレーザ光の走査方向を合わせて露光を行
なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及び露光装
置に関するものであり、特に、レーザ描画方式の露光に
おけるパターンエッジの精度を改善した露光方法及び露
光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電子デバイスの製造工程に用いる
露光方法としては、紫外線露光方法、X線露光方法、電
子ビーム露光方法、或いは、レーザビーム露光方法等が
知られており、微細なパターン描画のためには、電子ビ
ーム露光方法の様により波長の短い露光源が必要になる
が、この様な露光方法の場合には時間がかかるためスル
ープットが悪く、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パ
ネル)基板やLCD(液晶パネル)基板等の大型の基板
の露光に用いることは不適当であった。
【0003】そこで、この様な大型の基板、例えば、6
50mm×1050mmの長方形のPDP基板を露光す
る場合には、レーザ光を走査して微細なパターンを描く
ラスタスキャンタイプの露光装置の使用が検討されてい
るので、この様なレーザ描画方式露光装置の概念的構成
を図4を参照して説明する。
【0004】図4参照従来のレーザ描画方式露光装置
は、PDP基板41をロードするローダー42、ローダ
ー42からPDP基板41を受け取り、レーザセンサ等
を用いて位置合わせを行なうアライメント装置43、ア
ライメント装置43上のPDP基板41をステージ45
に搬送・載置するハンドリング装置44、PDP基板4
1をレーザ光でスキャンニングする際に、PDP基板4
1をX軸方向に移動させるステージ45から構成され
る。
【0005】また、このステージ45は、X軸レシーバ
47及びY軸レシーバ48からなるLMS(Laser
Measurement System:レーザ測定
系)46によって位置制御される。
【0006】この市販されている従来のレーザ描画方式
露光装置においては、主走査方向が固定、例えば、Y軸
方向に固定されており、ビーム幅dが約30μm程度の
レーザ光をポリゴンミラーの回転により600mmの範
囲に渡ってY軸方向に沿って走査し、次に、ステージ4
5上のPDP基板41をX軸方向にdだけ移動させて、
再び、レーザ光をY軸方向に走査していた。
【0007】図5(a)乃至(b)参照 したがって、バスライン等の一方向に伸びる配線層パタ
ーン49の多いPDP基板を露光する場合、例えば、図
5(a)に示す様に、この配線層パターン49がレーザ
描画方式露光装置のスキャン方向に沿った方向である場
合には、スキャン方向に沿って連続的に露光し、一方、
図5(b)に示す様に、配線層パターン49がレーザ描
画方式露光装置のスキャン方向に垂直方向である場合に
は、レーザ走査制御系に設けた変調器によって、配線層
幅に相当する距離を露光したのち、配線層間の間隔に相
当する領域をブランキング制御する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図5(a)乃至(c)参照 しかし、従来のレーザ描画方式露光においては、図5
(a)に示す様に露光パターンがスキャン方向に沿った
成分が多い場合には余り問題がないものの、図5(b)
に示す様に露光パターンがスキャン方向に垂直な成分が
多い場合には、図5(c)に示すように、配線層パター
ン49に継ぎ目50が発生し、この継ぎ目50における
エッジ精度hが0.6μm以上となり、精度の良いパタ
ーニングが困難になるという問題がある。なお、図5
(c)は、図5(b)における実線で示す円の内部を模
式的に拡大したものである。
【0009】この様な問題を解決するには、主走査方向
とステージの移動方向を反対にすれば良いが、従来のレ
ーザ描画方式露光装置においては主走査方向が固定され
ているので、主走査方向とステージの移動方向を反対に
することができなかった。
【0010】なお、レーザ走査系自身を90度回転させ
れば走査方向の変更も可能であるが、その場合には、ポ
リゴンミラーを含む光学系の一部毎反転させる必要があ
り、そのための構造が非常に大きなものとなるために、
現実的な解決手段とはならなかった。
【0011】図6参照 なお、従来の電子ビーム露光方法においては、上述の様
なエッジ精度の問題を解決するために、チップ51の内
に形成された矩形パターンの内、横長の矩形パターン5
2の場合には、パターンの長手方向に沿った方向を主走
査方向Sとして電子ビームを走査し、一方、縦長の矩形
パターン53の場合にも主走査方向Sを90度回転させ
て、即ち、X軸方向とY軸方向とを入れ換えて、パター
ンの長手方向に沿った方向を主走査方向Sとして電子ビ
ームを走査することが提案されている(必要ならば、特
開昭56−17016号公報参照)。
【0012】或いは、露光パターンを幾つかの部分露光
パターンに分解して、各部分露光パターンの長手方向に
沿って電子ビームを走査することによってエッジ精度を
改善することも提案されている(必要ならば、特開昭6
0−253218号公報参照)。
【0013】しかし、これらの方法は、磁場或いは電場
により走査方向の制御が可能である電子ビームの場合に
は有効であるが、大掛かりな光学系による制御以外に適
当な手段がないレーザ光の場合に、この様な方法は直ち
には適用できないものである。
【0014】したがって、本発明は、レーザ描画方式露
光におけるエッジ精度を改善することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図1を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図1(a)及び(b)参照 (1)本発明は、レーザ描画方式の露光方法において、
描画されるパターン群の予め設定した方向にレーザ光の
走査方向を合わせて露光を行なうことを特徴とする。
【0016】この様に、描画されるパターン群の予め設
定した方向、即ち、エッジ精度が改善される方向にレー
ザ光の走査方向を合わせて露光を行なうことにより、描
画されるパターン群のエッジ精度を改善することができ
る。
【0017】(2)また、本発明は、上記(1)におい
て、描画されるパターン群の予め設定した方向にレーザ
光の走査方向を合わせるために、パターンデータ9のX
軸座標の値とY軸座標の値を入れ替えて露光を行なうこ
とを特徴とする。
【0018】この様に、図1(b)において破線で示す
ように、パターンデータ9の座標の値を90°回転させ
ることによって、即ち、パターンジェネレータ10の出
力を座標回転プログラムを通して正方向のパターン11
を90°回転したパターン12に変換することによっ
て、レーザ描画方式露光装置に設定されているレーザ光
の走査方向を変更することなく、描画されるパターン群
のエッジ精度を改善することができる。
【0019】(3)また、本発明は、上記(1)または
(2)において、予め設定した方向が、描画されるパタ
ーン群の内の各パターンの長手方向が一番多く一致した
方向であることを特徴とする。
【0020】この様に、描画されるパターン群の内の各
パターンの長手方向が一番多く一致した方向に沿ってレ
ーザ光を走査することによって、最も効果的にエッジ精
度を改善することができる。
【0021】(4)また、本発明は、上記(3)におい
て、パターン群を描画する基板1が長方形の基板であ
り、この基板1をレーザ描画方式露光装置のアライメン
ト装置3において、予め設定した方向がレーザ光の走査
方向になるように回転させることを特徴とする。
【0022】この様に、基板1が長方形の場合には、基
板1を90度回転させることによって、レーザ描画方式
露光装置に設定されているレーザ光の走査方向を基板1
の長手方向に一致させることができる。
【0023】(5)また、本発明は、レーザ描画方式の
露光装置において、描画されるパターン群の予め設定し
た方向がレーザ光の走査方向に合うように基板1を回転
させる回転機構2をアライメント装置3に設けたことを
特徴とする。
【0024】この様に、基板1の回転機構2を、アライ
メント装置3に設けることによって、簡単な機構による
基板1の回転が可能になり、且つ、アライメント装置3
により回転させたのちハンドリング装置4を介してステ
ージ5に基板1を載置するので、回転機構2そのものか
らの微振動の影響による描画精度の劣化を防止すること
ができる。
【0025】(6)また、本発明は、上記(5)におい
て、描画されるパターン群の予め設定した方向にしたが
って、パターンデータ9のX軸座標の値とY軸座標の値
との入れ替えを制御する制御手段を設けたことを特徴と
する。
【0026】この様な構成にすることによって、描画さ
れるパターン群の走査方向を設定するだけで、パターン
データ9のX軸座標の値とY軸座標の値とを入れ替える
か、或いは、入れ替えないかの設定が自動的に行なわ
れ、レーザ描画方式露光装置に設定されているレーザ光
の走査方向を変更することなく、描画されるパターン群
のエッジ精度を改善することができる。
【0027】(7)また、本発明は、上記(5)または
(6)において、描画されるパターン群の予め設定した
方向を、パターンデータ9に基づいて自動認識する方向
設定手段を設けたことを特徴とする。
【0028】この様に、描画されるパターン群の予め設
定した方向を、パターンデータ9に基づいて自動認識す
る方向設定手段、即ち、露光方向自動決定装置を設ける
ことにより、走査方向の設定を熟練したオペレータの作
業に頼ることなく、自動的に行なうことができる。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図2
を参照して説明する。 図2(a)参照 本発明の実施の形態に係わるレーザ描画方式露光装置
は、従来のレーザ描画方式露光装置と同様に、PDP基
板21をロードするローダー22、ローダー22からP
DP基板21を受け取り、レーザセンサ等を用いて位置
合わせを行なうアライメント装置24、アライメント装
置24上のPDP基板21をステージ26に搬送・載置
するハンドリング装置25、PDP基板21をレーザ光
でスキャンニングする際に、PDP基板21をX軸方向
に移動させるステージ26から構成される。
【0030】しかし、このレーザ描画方式露光装置にお
いては、アライメント装置24にPDP基板21を90
度回転させるための回転機構23が設けられており、こ
の回転機構23はモーターによって駆動され、、PDP
基板21に描画されるパターン、例えば、バスライン等
の配線層パターンの配置に基づいて予め設定された走査
方向が、レーザ描画方式露光装置において固定されてい
るレーザ光の走査方向と一致するようにPDP基板21
を回転させる。
【0031】なお、ステージ26は、従来の装置と同様
に、X軸レシーバ28及びY軸レシーバ29からなるL
MS27によって位置制御される。
【0032】図2(b)参照 そして、PDP基板21に描画されるパターンのパター
ンデータ30は、PG(パターンジェネレータ)31に
入力され、これらの出力によってレーザ走査系を制御す
る。
【0033】この場合、PDP基板21における走査方
向の設定は、レーザ描画方式露光装置に付加された露光
方向自動決定装置によって、パターンデータ30に基づ
いて判断するものであり、PDP基板21に描画するパ
ターン群全体で、縦方向(Y軸方向)或いは横方向(X
軸方向)のどちらを長手方向にするパターンが多く存在
するかを判断し、長手方向の一致したパターンの数が最
も多い方向を、PDP基板21における走査方向として
設定する。
【0034】なお、このPDP基板21における走査方
向の設定は、熟練したオペレータによるマニュアルの設
定でも良い。
【0035】そして、PDP基板21における走査方向
の設定において、縦方向、即ち、Y軸方向を長手方向と
するパターンが多いと判断した場合には、PDP基板2
1を回転させることなく、従来と同様に、実線の矢印で
示すように、パターンデータ30はPG31を介してモ
ジュレータ34に伝達されて、PDP基板21の短軸方
向に沿って露光が行なわれることになる。
【0036】また、横方向、即ち、X軸方向を長手方向
とするパターンが多いと判断した場合には、PDP基板
21を回転させるための信号をアライメント装置24に
伝達し、PDP基板21を回転機構23によって90度
回転させたのち、PDP基板21のアライメントを行な
い、次いで、ハンドリング装置25によってPDP基板
21をステージ26上に搬送すると共に、図において破
線の矢印で示すように座標回転プログラムを通して露光
されるパターン、即ち、正方向のパターン32を90°
回転したパターン33に変換して露光を行なう。
【0037】即ち、PG31の出力は、座標回転プログ
ラムを通すことで、露光されるべき座標の位置を90度
回転させた露光データとして出力し、モジュレータ34
に伝達されて、PDP基板21の長手方向に沿って露光
が行なわれることになる。
【0038】この様に制御することによって、描画され
るパターンは、90度回転した形で縦長に載置されたP
DP基板21上に描かれるため、多くのパターンの長手
方向がレーザ光の主走査方向と一致し、描画パターンに
おける継ぎ目が少なくなり、エッジ精度が改善される。
【0039】また、PDP基板21の回転は、アライメ
ント装置24に設けられた回転機構23において行なう
ので、ステージ26上において描画を行なっている間
に、次に描画するパターンデータを解析・判断してPD
P基板21における走査方向を設定し、その結果に基づ
いて、必要に応じてPDP基板21を回転させるので、
基板を回転させるための作業に伴うロスタイムをなくす
ことができる。
【0040】さらに、回転機構23の回転動作に伴う微
振動はステージ26に伝達されないので、微振動に伴う
描画精度の劣化を防止することができる。
【0041】なお、上記の実施の形態においては、PD
P基板を90度回転させているが、露光対象の基板が、
正方形、或いは、正方形に近い長方形である場合には、
基板を90度回転させる必要はなく、PG(パターンジ
ェネレータ)の出力を座標回転プログラムで90度回転
させて露光を行なうだけで良い。
【0042】次に、図3を参照して、各種の基板回転機
構について検討する。 図3(a)参照 図3(a)の場合には、ステージ26にPDP基板21
を回転させる回転機構35を設けたものであり、アライ
メント装置24は従来と同様にPDP基板21のアライ
メントのみを行なう。
【0043】この様な基板回転機構の場合には、回転機
構35の回転動作に伴う微振動がステージ26に伝達さ
れ、ステージ26の設定に狂いが生じて、描画精度に劣
化が生ずる可能性があり、また、回転動作のための作業
時間を露光時間とは別に必要とするのでスループットが
低下し、実現的な機構とは言えないものである。
【0044】図3(b)参照 図3(b)の場合には、ステージ26本体を90度回転
させるものであるが、この様なステージ26本体の回転
のためには、LMSからの測長レーザを反射するミラー
が2対必要になり、構造が複雑化するという問題あり、
また、図3(a)の場合と同様に、回転動作のための作
業時間を露光時間とは別に必要とするのでスループット
が低下し、やはり実現的な機構とは言えないものであ
る。
【0045】なお、上記の実施の形態の説明において
は、基板としてPDP基板を用いているが、本発明の露
光対象はPDP基板に限られるものではなく、LCD
(液晶表示装置)基板等の大型の基板を主に対象とする
ものであるが、半導体装置或いはプリント回路基板等も
対象とするものである。
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ描画方式露光装
置の走査方向が、基板に描画するパターン群の内の各パ
ターンの長手方向が一番多く一致した方向となるように
しているので、走査幅によるエッジ精度の劣化を極力減
らすことができる。
【0047】特に、PDP基板等の大型の長方形基板を
露光する場合には、基板を回転させる機構を設けること
によって、長方形基板に合わせたパターンデータを正し
く描画することができ、また、この回転機構をアライメ
ント装置に設けることにより、パターン精度を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成の説明図である。
【図2】本発明の実施の形態の説明図である。
【図3】各種の基板回転機構の説明図である。
【図4】従来のレーザ描画方式露光装置の説明図であ
る。
【図5】従来のレーザ描画方式の露光方法における問題
点の説明図である。
【図6】従来の電子ビーム露光におけるエッジ精度改善
方法の説明図である。
【符号の説明】 1 基板 2 回転機構 3 アライメント装置 4 ハンドリング装置 5 ステージ 6 LMS 7 X軸レシーバ 8 Y軸レシーバ 9 パターンデータ 10 パターンジェネレータ 11 正方向のパターン 12 90°回転したパターン 13 モジュレータ 21 PDP基板 22 ローダー 23 回転機構 24 アライメント装置 25 ハンドリング装置 26 ステージ 27 LMS 28 X軸レシーバ 29 Y軸レシーバ 30 パターンデータ 31 PG 32 正方向のパターン 33 90°回転したパターン 34 モジュレータ 35 回転機構 41 PDP基板 42 ローダー 43 アライメント装置 44 ハンドリング装置 45 ステージ 46 LMS 47 X軸レシーバ 48 Y軸レシーバ 49 配線層パターン 50 継ぎ目 51 チップ 52 横長の矩形パターン 53 縦長の矩形パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上村 貢 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 前田 龍治 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 浦口 雅弘 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ描画方式の露光方法において、描
    画されるパターン群の予め設定した方向にレーザ光の走
    査方向を合わせて露光を行なうことを特徴とする露光方
    法。
  2. 【請求項2】 上記描画されるパターン群の予め設定し
    た方向にレーザ光の走査方向を合わせるために、パター
    ンデータのX軸座標の値とY軸座標の値を入れ替えて露
    光を行なうことを特徴とする請求項1記載の露光方法。
  3. 【請求項3】 上記予め設定した方向が、上記描画され
    るパターン群の内の各パターンの長手方向が一番多く一
    致した方向であることを特徴とする請求項1または2に
    記載の露光方法。
  4. 【請求項4】 上記パターン群を描画する基板が長方形
    の基板であり、前記基板をレーザ描画方式露光装置のア
    ライメント装置において、上記予め設定した方向がレー
    ザ光の走査方向になるように回転させることを特徴とす
    る請求項3記載の露光方法。
  5. 【請求項5】 レーザ描画方式の露光装置において、描
    画されるパターン群の予め設定した方向がレーザ光の走
    査方向に合うように、基板を回転させる回転機構をアラ
    イメント装置に設けたことを特徴とする露光装置。
  6. 【請求項6】 上記描画されるパターン群の予め設定し
    た方向にしたがって、パターンデータのX軸座標の値と
    Y軸座標の値との入れ替えを制御する制御手段を設けた
    ことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 上記描画されるパターン群の予め設定し
    た方向をパターンデータに基づいて自動認識する方向設
    定手段を設けたことを特徴とする請求項5または6に記
    載の露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017517882A (ja) * 2014-06-13 2017-06-29 インテル・コーポレーション 電子ビームのユニバーサルカッタ
WO2022215690A1 (ja) * 2021-04-09 2022-10-13 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法

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