JPH1065046A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH1065046A
JPH1065046A JP8216281A JP21628196A JPH1065046A JP H1065046 A JPH1065046 A JP H1065046A JP 8216281 A JP8216281 A JP 8216281A JP 21628196 A JP21628196 A JP 21628196A JP H1065046 A JPH1065046 A JP H1065046A
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semiconductor
semiconductor chip
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武 山本
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/79Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップごとの資材を用意する必要がな
く、複数の種類の半導体チップも同一基板に実装するこ
とができるようにする。 【解決手段】半導体チップ2と、外部リードをもつリー
ドフレーム5と、異なる寸法の半導体チップ2が一方の
面に搭載されもう一方の面にリードフレーム5の接合面
を有しこれら両面を接続する内部配線7を有する多層配
線基板1とを封止樹脂6により樹脂封止して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にASIC半導体チップをリードフレームに接続する
パッケージをもつ半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置を、図3の断
面図に示す。この半導体装置は、半導体チップ2の寸法
に適合するように作られたTABリード11をリードフ
レーム5に接合し、この接合体を封止樹脂6により気密
に封止してパッケージを構成している。なおTABリー
ド11はテープ10で接続されている。
【0003】一般に、ASIC半導体チップは、製品ご
とに規格の異なる特注品であるため、規格化された外形
寸法のパッケージとした場合、そのチップごとに入出力
端子の配置、寸法が異なるため、チップごとに関係する
資材を用意してパッケージを製造しており、そのため製
品コストが高いものとなっていた。こ問題を解決するた
めに、中間基板を用いた半導体装置が、特開平2―28
0346号公報に示されている。これを図4の斜視図に
より説明する、図4において、この中間基板14は、半
導体チップ2の所定端子と基板(パッケージ)13上の
リートフレーム5の所定端子とを接続する配線パターン
が設けられ、基板(パッケージ)13の共用化を可能と
している。この中間基板14には、入力側パッド15
a,出力側パッド15b、配線パターン12、ボンディ
ングワイヤ16が設けられている。
【0004】このパッケージ構造では、ある特定のチッ
プの入出力端子用の中間基板側のボンディングパッドが
配置されているため、1つの基板で異なる寸法の半導体
チップを搭載するこができない問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体装置では、特注品であるASIC半導体チップを
共通のパッケージに適用しようとすると、同一ピン数で
もチップ寸法が異なるため、その都度TABリードを用
意しなければならず、そのため半導体チップごとに資材
を用意しなければならないという問題がある。
【0006】また、予め半導体チップの寸法に応じて接
続パッドが設置された半導体装置も、異なるチップサイ
ズの半導体チップには対応することが出来ないという問
題があった。
【0007】本発明の目的は、複数の異なるチップサイ
ズの半導体チップに対応できるようにし、特注品である
ASIC半導体チップにも共用化できるようにした半導
体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の構
成は、半導体チップと、外部リードをもつリードフレー
ムと、前記半導体チップとして異なる寸法のものを搭載
できる搭載面を一方の面に有しもう一方の面に前記リー
ドフレームとの接合面を有しこれら両面を接続する内部
配線を有する多層配線基板とを樹脂封止して構成するこ
とを特徴とする。
【0009】また本発明において、多層配線基板は、寸
法またはピン間隔の異なる半導体チップを搭載できるよ
うに複数種類間隔をもつチップ接合用パッドを有するこ
とができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下本発明について図面を参照し
て説明する。図1(a)(b)は本発明の一実施の形態
を示す断面図およびその部分拡大図である。この半導体
装置は、セラミックまたはプラスチックの多層配線基板
1を内部に用い、その基板1の一方の面には半導体チッ
プ2と接合されるチップ接合用パッド8を有し、また基
板1の他方の面にはリードフレーム5と接合されるリー
ドフレーム接合用パッド9を有している。これら基板1
の接合面は、図2の各平面図にそれぞれ示されるように
構成されている。
【0011】すなわち、半導体チップ2と接合される面
には、図2(a)のA部のように、チップサイズの異な
った複数の半導体チップ2と接続することができるよう
に、複数種類のチップ接合用パッド8が設けられ、リー
ドフレーム5と接合される面は、図2(b)のB部のよ
うに、1個のリードフレーム接合用パッド9が設けられ
ている。このチップ接合用パッド8は、半導体チップ2
の寸法、ピッチ等の規格に合わせて規格化して配置すれ
ば、各種の半導体チップ2と対応でき、また同一ピン数
の半導体チップのピッチを同じ基板に配置できるように
しておけば、寸法の異なるものも同一基板で対応するこ
ともできる。
【0012】さらに多層配線基板1は、チップ接合用パ
ッド8が基板内の内部配線7を介してリードフレーム接
合用パッド9に接続されているので、異なる半導体チッ
プ2ごとに異なる基板を用意する必要がない。このチッ
プ接合用パッド8は、はんだ等のチップ接合用バンプ3
により半導体チップ2上の入出力端子と接合され、また
リードフレーム接合用パッド9は、リードフレーム接合
用バンプ4を接合してさらにリードフレーム5と接続さ
れる。このように組立てられた半導体チップ2、多層配
線基板1、リードフレーム5は封止樹脂6により気密封
止されて半導体パッケージを構成する。
【0013】また多層配線基板1の内部配線7は、基板
内部で層間配線パターンやスルーホールを介して、図2
(a)のチップ接合用パッド8に電気的に接合され、ま
た図2(b)のように、リードフレーム接合用パッド9
に電気的に接合される。従って、同一のパッド配置をも
つ半導体チップ2はチップ外形寸法が異っても同じ基板
に搭載可能である。さらにリードフレーム5の外形ピッ
チを固定することができるため、その都度リードフレー
ムの端子配置を変更することなく、リードフレームを共
用化が可能となる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、内
部配線のある中継配線基板を用いてリードフレームの寸
法、ピッチを固定でき、資材(リードフレーム)を共用
でき、半導体チップごとの資材を用意する必要がない。
また、複数の半導体チップの寸法、ピッチに対応できる
ようにチップ接合用パッドが配置されているので、この
規格に従う半導体チップを用いれば、複数の種類の半導
体チップも同一基板に実装することができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の第1の実施の形態を説明
する断面図およびその部分拡大図である。
【図2】図1のパッド部分の平面図である。
【図3】従来例のパッケージ構造の示す断面図である。
【図4】他の従来例のパッケージ構造の示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 多層基板 2 半導体チップ 3 チップ接合バンプ 4 リードフレーム用パッド 5 リードフレーム 6 封止樹脂 7 内部配線 8 チップ接合用パッド 9 リードフレーム接合用パッド 10 テープ 11 TABテープ 12 配線パターン 13 パッケージ 14 中間基板 15 入出力パッド 16 ボンディングワイア 17 ボンディングパッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップと、外部リードをもつリー
    ドフレームと、前記半導体チップとして異なる寸法のも
    のを搭載できる搭載面を一方の面に有しもう一方の面に
    前記リードフレームとの接合面を有しこれら両面間の電
    気的接続を行う内部配線を有する多層配線基板とを樹脂
    封止して構成したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 多層配線基板は、寸法またはピン間隔の
    異なる半導体チップを搭載できるように複数種類間隔を
    もつチップ接合用パッドを一方の面に有するものである
    請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 多層配線基板は、リードフレームを接合
    するリードフレーム接合用パッドをもう一方の面に有す
    るものである請求項1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 内部配線は、チップ接合用パッドとリー
    ドフレーム接合用パッドとの間を接続する層間配線また
    はスルーホールからなる請求溝2または3記載の半導体
    装置。
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