JPH1062258A - 位相シフトマスク検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、位相シフタの位相量を高精度に測定
して信頼性を向上する。 【解決手段】光源２０から放射された中心波長３００ｎ
ｍ以下で露光装置と同一の波長のランプ光又はエキシマ
レーザ光を、照明側ウォラストンプリズム２６を備えた
照明光学系２１により互いに直交する２つの直線偏光に
分離して位相シフトマスク３に照射し、この位相シフト
マスク３を透過した２つの直線偏光を検出光学系３０に
より重ね合わせ、その干渉光に基づいて算出部４１によ
り位相シフトマスク３の位相シフタ２の位相量を求め
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を製造
するときのリソグラフィー工程において被投影原版とし
て用いられる遠紫外光用フォトマスク（レチクル）の検
査に係わり、特に位相シフトマスクの位相シフタの位相
量を測定する位相シフトマスク検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子を製造するときのリソグラフ
ィー工程では、例えば半導体露光装置において位相シフ
トマスクを用いた露光が行われている。この位相シフト
マスクを用いた露光は、例えば図３に示すようにガラス
基板１上に光の位相を１８０°反転させる位相シフト膜
（位相シフター）２を形成した位相シフトマスク３を用
いて露光するもので、パターンの境界部で光強度が零と
なり、レジストの解像度を大幅に向上でき、焦点深度も
大きく向上する。

【０００３】このような位相シフトマスク３は、位相シ
フタ２として半透明の膜（ハーフトーン型）を用いてお
り、この位相シフタ２での位相量が露光波長の２分の１
であることが必要であり、このために位相シフタ２の位
相量測定が行われている。

【０００４】図４はかかる位相シフタの位相量測定装置
の構成図である。水銀アークランプ４から放射される光
の光路上には、ｉ、ｈ、ｇ及びｅ線のフィルタ５、グレ
ーティングアパーチャ６、コンデンサレンズ７が配置さ
れ、これらフィルタ５、グレーティングアパーチャ６、
コンデンサレンズ７を通った光が位相シフトマスク３の
ガラス基板１及び位相シフタ２に照射される。

【０００５】この位相シフトマスク３のガラス基板１及
び位相シフタ２を透過した各光は、対物レンズ８を通し
て第１の偏光プリズム９に入射し、この第１の偏光プリ
ズム９により２つの光路に分岐される。

【０００６】これら２つの光路上には、可変シアリング
楔１０、可変位相シフタ１１がそれぞれ配置され、これ
ら可変シアリング楔１０、可変位相シフタ１１を透過し
た各光は、第２の偏光プリズム１２により重ね合わされ
る。

【０００７】そして、第２の偏光プリズム１２により重
ね合わされた光は、ピンホールミラー１３のピンホール
１３ａを通して光増倍管１４に入射すると共にピンホー
ルミラー１３で反射しレンズ１５を通してイメージディ
テクタ１６に入射する。

【０００８】従って、イメージディテクタ１６に入射す
る光は、位相シフトマスク３のガラス基板１と位相シフ
タ２とを透過した各光の干渉縞となることから、イメー
ジディテクタ１６の出力信号に基づいて位相シフタ２の
位相量を求める。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置では、第１の偏光プリズム９により２つの光路に分岐
し、これら２つの光をそれぞれ可変シアリング楔１０、
可変位相シフタ１１に透過させているので、別々の光路
を通過することから例えばこれら２つの光路における空
気の流れの状態がそれぞれ異なることが生じ、例えば一
方の光路の空気の流れが乱れると、その影響が位相シフ
タ２の位相量測定結果に現れてしまい、測定結果の信頼
性を低下させてしまう。

【００１０】又、上記位相シフトマスクを使用する半導
体露光装置には、光源としてランプ光源とレーザ光源と
を有するものがある。しかし、従来の位相シフトマスク
検査装置では、光源の種類毎に検査可能なものと不可能
なものがある。

【００１１】そこで本発明は、位相シフタの位相量を高
精度に測定できる信頼性を向上させた位相シフトマスク
検査装置を提供することを目的とする。又、本発明は、
ランプ光源とレーザ光源とを切り替えることで半導体露
光装置の光源がランプ光源であってもレーザ光源であっ
ても１台の装置で検査することができる位相シフトマス
ク検査装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１によれば、遠紫
外光を放射する光源と、この光源から放射された遠紫外
光を互いに直交する偏光面を持つ２つの直線偏光に分離
して位相シフトマスクに照射する照明光学系と、位相シ
フトマスクを透過した２つの直線偏光を重ね合わせて干
渉光を発生させる検出光学系と、この検出光学系により
検出された干渉光の強度に基づいて位相シフトマスクに
おける位相シフタの位相量を求める位相量算出手段と、
を備えた位相シフトマスク検査装置である。

【００１３】このような位相シフトマスク検査装置であ
れば、光源から放射された遠紫外光は、照明光学系によ
り互いに直交する偏光面を持つ２つの直線偏光に分離さ
れて位相シフトマスクに照射される。

【００１４】この位相シフトマスクを透過した２つの直
線偏光は、検出光学系により重ね合わされ、その干渉光
に基づいて位相量算出手段により位相シフトマスクの位
相シフタの位相量が求められる。

【００１５】請求項２によれば、遠紫外光を拡散放射す
るランプと、遠紫外のレーザ光を出力するレーザ光源
と、レーザ光源からのレーザ光を等価な強度を持つ拡散
放射の光源に変換する光源変換光学系と、ランプから拡
散放射された遠紫外光又は光源変換光学系により変換さ
れた拡散放射のレーザ光を互いに直交する偏光面を持つ
２つの直線偏光に分離して位相シフトマスクに照射する
照明光学系と、位相シフトマスクを透過した２つの直線
偏光を重ね合わせて干渉光を発生させる検出光学系と、
この検出光学系により検出された干渉光の強度に基づい
て位相シフトマスクにおける位相シフタの位相量を求め
る位相量算出手段と、を備えた位相シフトマスク検査装
置である。

【００１６】このような位相シフトマスク検査装置であ
れば、ランプから拡散放射される遠紫外光、又はレーザ
光源から出力される遠紫外のレーザ光が切り替えられて
照明光学系に送られ、この照明光学系により互いに直交
する偏光面を持つ２つの直線偏光に分離されて位相シフ
トマスクに照射される。

【００１７】この場合、レーザ光源から出力される遠紫
外のレーザ光は、光源変換光学系により等価な強度を持
つ拡散放射の光源に変換されて照明光学系に送られる。
そして、この位相シフトマスクを透過した２つの直線偏
光は、検出光学系により重ね合わされ、その干渉光に基
づいて位相量算出手段により位相シフトマスクの位相シ
フタの位相量が求められる。

【００１８】請求項３によれば、請求項１又は２記載の
位相シフトマスク検査装置において、照明光学系は、ウ
ォラストンプリズムを用いた。請求項４によれば、請求
項１又は２記載の位相シフトマスク検査装置において、
中心波長が３００ｎｍ以下の遠紫外光又はレーザ光を位
相シフトマスクに照射する。請求項５によれば、請求項
２記載の位相シフトマスク検査装置において、ランプと
して水銀ランプを用い、レーザ光源としてエキシマレー
ザ装置を用いた。

【００１９】

【発明の実施の形態】

(1) 以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参
照して説明する。図１は位相シフトマスク検査装置の構
成図である。遠紫外光を放射する光源２０は、例えばＨ
ｇ−Ｘｅランプに代表される水銀ランプ、ＫｒＦエキシ
マレーザ装置である。これら光源２０は、遠紫外光とし
て中心波長２４８ｎｍの光をそれぞれ出力するものであ
る。

【００２０】この光源２０から出力されるランプ光又は
エキシマレーザ光の光路上には、照明光学系２１が配置
されている。この照明光学系２１は、この光源２０から
放射された遠紫外光であるランプ光又はエキシマレーザ
光を互いに直交する２つの直線偏光に分離して位相シフ
トマスク３に照射するものである。

【００２１】具体的に照明光学系２１は、光源２０から
出力されるランプ光又はエキシマレーザ光の光路上に、
各光学レンズ２２〜２４、偏光子２５と、偏光分離プリ
ズムとしての照明側ウォラストンプリズム２６、各光学
レンズ２７、２８及びコンデンサレンズ２９を配置した
構成となっている。

【００２２】このうち照明側ウォラストンプリズム２６
は、ランプ光又はエキシマレーザ光を互いに直交する２
つの直線偏光に分離するもので、これら２つの直線偏光
を同一光路上でわずかに横ずれした２つの照明として出
射する機能を有している。

【００２３】一方、位相シフトマスク３の透過光の光路
上には、検出光学系３０が配置されている。この検出光
学系３０は、位相シフトマスク３を透過した２つの直線
偏光を重ね合わせて干渉光を発生させる機能を有するも
ので、位相シフトマスク３の透過光の光路上に、対物レ
ンズ３１、各光学レンズ３２、３３、偏光分離プリズム
としての検出側ウォラストンプリズム３４、検光子３５
及び光学レンズ３６を配置した構成となっている。

【００２４】そして、この光学レンズ３６を透過する光
の光路上には、ピンホール３７を介して位相量算出手段
を構成するフォトマル４０及び算出部４１が設けられて
いる。

【００２５】このうちフォトマル４０は、入射する干渉
光強度に対応した電圧信号を出力するものであり、光学
レンズ３６の結像位置に配置されている。又、算出部３
１はフォトマル４０から出力される電圧信号を入力し、
干渉光強度に基づいて位相シフトマスク３におけるシフ
タの位相量を演算し求める機能を有している。

【００２６】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。Ｈｇ−Ｘｅランプ又はＫｒＦエキシマレ
ーザ装置の光源２０から出力された遠紫外光として中心
波長３０００ｎｍ以下のランプ光又はエキシマレーザ光
は、各光学レンズ２２〜２４を通して偏光子２５に入射
し、ここで照明側ウォラストンプリズム２６の偏光角と
光軸ｆと垂直な面内で４５°回転した方向の直線偏光が
取り出される。

【００２７】この光が照明側ウォラストンプリズム２６
に入射すると、この照明側ウォラストンプリズム２６か
らは、互いに直交した２つの直線偏光に分離される。こ
の場合、これら２つの分離角は、照明側ウォラストンプ
リズム２６の張り合わせ面の角度に応じて決まる。

【００２８】従って、これら直交する２つの直線偏光
は、同一光路上でわずかに横ずれした２つの照明として
各光学レンズ２７、２８及びコンデンサレンズ２９を通
して位相シフトマスク３に照射される。

【００２９】すなわち、これら直交する２つの直線偏光
は、その一方の光が位相シフトマスク３のガラス基板
１、他方の光が位相シフター２を透過する。この位相シ
フトマスク３を透過した２つの光は、対物レンズ３１、
各光学レンズ３２、３３を通して検出側ウォラストンプ
リズム３４に入射し、ここで重ね合わされる。

【００３０】なお、この検出側ウォラストンプリズム３
４の張り合わせ面は、対物レンズ３１の瞳面と一致する
ように配置されている。この検出側ウォラストンプリズ
ム３４により重ね合わされた２つの光は、検光子３５を
通すことにより干渉を起こし、この干渉光が光学レンズ
３６、ピンホール３７を通してフォトマル４０に入射す
る。すなわち、フォトマル４０のセンサ面には、位相シ
フトマスク３の横ずらし干渉画像が投影される。

【００３１】このフォトマル４０に入射する干渉光は、
２つの直交する直線偏光のうち一方が位相シフトマスク
３のガラス基板１を透過し、他方が位相シフタ２を透過
しているので、位相シフタ２の位相量に応じた干渉強度
となっている。

【００３２】そして、このフォトマル４０は、入射する
干渉光強度に対応した電圧信号を出力する。ここで、位
相シフトマスク３の位相シフタ２の位相量を測定する場
合には、位相シフト干渉法、すなわち照明側ウォラスト
ンプリズム２６を光軸ｆに対して垂直方向（イ）に移動
させ、照明側ウォラストンプリズム２６により分離され
る互いに直交する偏光面を持つ直線偏光の２光の位相量
を例えば０°、９０°、１８０°、２７０°にそれぞれ
変化する。

【００３３】フォトマル４０は、これら位相量０°、９
０°、１８０°、２７０°のときの各干渉光の強度Ｉ₁
〜Ｉ₄ に応じた各電圧信号を出力する。算出部４１は、
フォトマル４０から出力される各干渉光強度Ｉ₁ 〜Ｉ₄
に応じた各電圧信号を入力し、これら電圧信号から次式
を演算して位相シフトマスク３における位相シフタ２の
位相量θを求める。

【００３４】 θ＝ tan^-1｛（Ｉ₃ −Ｉ₁ ）／（Ｉ₂ −Ｉ₄ ）｝ …(1) なお、この場合は、４点の場合にて説明したが、さらに
多点の場合でももちろんよい。この場合は正弦波状に変
化する各電圧信号をフーリエ変換的手法を用いることで
演算し、位相シフタでの位相量を求めることができる。
以下の説明でも同様である。

【００３５】このように上記第１の実施の形態において
は、光源２０から放射された中心波長３００ｎｍ以下の
ランプ光又はエキシマレーザ光を、照明側ウォラストン
プリズム２６を備えた照明光学系２１により互いに直交
する２つの直線偏光に分離して位相シフトマスク３に照
射し、この位相シフトマスク３を透過した２つの直線偏
光を検出光学系３０により重ね合わせ、その干渉光に基
づいて算出部４１により位相シフトマスク３の位相シフ
タ２の位相量を求めるようにしたので、照明側ウォラス
トンプリズム２６により分離される２光は、同一光路上
でわずかに横ずれした２つの照明として位相シフトマス
ク３に照射されるものとなり、これら２光がそれぞれ別
々に空気の乱れの影響を受けることはなく、同一の空気
の流れの条件で位相シフトマスク３に照射できる。

【００３６】従って、位相シフタ２の位相量を高精度に
測定でき、その測定結果の信頼性を向上できる。このよ
うに位相シフタ２の位相量を高精度に測定できるので、
位相シフトマスク３の設定値と比較することにより位相
シフトマスク３の良否を判定でき、さらに位相シフト露
光にあっては半導体ウエハに対して高精度にパターン転
写ができ、半導体製造における歩留まりを向上できる。

【００３７】又、位相シフタ２として半透明の膜を用い
たハーフトーン型の集積度の高い位相シフトマスク３
は、位相シフタ２の位相量を測定するのには、半導体露
光装置の光源と同じ波長の光を用いて測定をしなければ
ならない。しかし、上記装置では半導体露光装置の光源
と同一の中心波長２４８ｎｍのＨｇ−Ｘｅランプ光又は
ＫｒＦエキシマレーザ光を用いるので、高精度にかつ確
実に位相シフタ２の位相量を測定できる。

【００３８】なお、上記第１の実施の形態は、次の通り
変形してもよい。上記第１の実施の形態では、位相シフ
トマスク３上に２つの横ずれした照明エリアを形成し、
位相シフトマスク３の２つの横ずれした像を重ね合わせ
た横ずらし干渉画像をフォトマル４０のセンサ面に投影
しているが、マスク像をフォトマル４０のセンサ面に結
像せず、照明側ウォラストンプリズム２６で分離された
２光束を照明レンズで位相シフトマスク３上のわずかに
離れた２点に小さく絞り込み、一方を位相シフタ２に他
方をガラス基板１に照射する。そして、位相シフトマス
ク３を透過した２光束を再び検出側ウォラストンプリズ
ム３４で重ね合わせて干渉させ、フォトマル４０で検出
するようにしてもよい。

【００３９】又、位相シフトマスク３のガラス基板１と
位相シフタ２との透過強度を比較することで、位相測定
だけでなく透過率の測定もできる。 (2) 次に本発明の第２の実施の形態について説明する。
なお、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい
説明は省略する。

【００４０】図２は位相シフトマスク検査装置の構成図
である。中心波長２４８ｎｍの遠紫外光を放射するＨｇ
−Ｘｅランプ５０が設けられ、このＨｇ−Ｘｅランプ５
０から出力されるランプ光の光路上に照明光学系２１が
配置されている。

【００４１】一方、中心波長２４８ｎｍのエキシマレー
ザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置５１が設けら
れている。このＫｒＦエキシマレーザ装置５１から出力
されるエキシマレーザ光の光路上には、拡散板５２、各
光学レンズ５３、５４及びハーフミラー５５が配置され
ている。

【００４２】このうち拡散板５２は、ＫｒＦエキシマレ
ーザ装置５１から出力されたエキシマレーザ光を等価的
に拡散放射の光源に変換する光源変換光学系としての機
能を有している。

【００４３】又、ハーフミラー５５は、ＫｒＦエキシマ
レーザ装置５１から出力されたエキシマレーザ光を、照
明光学系２１の光軸ｆ方向、すなわち光学レンズ２４か
ら偏光子２５、照明側ウォラストンプリズム２６、各光
学レンズ２７、２８及びコンデンサレンズ２９を通して
位相シフトマスク３に照射するものとなっている。

【００４４】従って、Ｈｇ−Ｘｅランプ５０又はＫｒＦ
エキシマレーザ装置５１を２種の露光装置に応じて切り
替えて使用できる構成となっている。次に上記の如く構
成された装置の作用について説明する。

【００４５】先ず、Ｈｇ−Ｘｅランプ５０から出力され
たランプ光は、各光学レンズ２２〜２４を通して偏光子
２５に入射し、ここで照明側ウォラストンプリズム２６
の偏光角と光軸ｆと垂直な面内で４５°回転した方向の
直線偏光が取り出される。

【００４６】この光が照明側ウォラストンプリズム２６
に入射すると、この照明側ウォラストンプリズム２６か
らは、互いに直交した偏光面を持つ２つの直線偏光に分
離され、これら２光は、わずかに横ずれした２つの照明
として各光学レンズ２７、２８及びコンデンサレンズ２
９を通して位相シフトマスク３に照射される。

【００４７】この位相シフトマスク３を透過した２つの
光は、対物レンズ３１、各光学レンズ３２、３３を通し
て検出側ウォラストンプリズム３４に入射し、ここで重
ね合わされる。

【００４８】この検出側ウォラストンプリズム３４によ
り重ね合わされた２つの光は、検光子３５を通すことに
より干渉を起こし、この干渉光が光学レンズ３６、ピン
ホール３７を通してフォトマル４０に入射する。

【００４９】このフォトマル４０に入射する干渉光は、
２つの直交する直線偏光のうち一方が位相シフトマスク
３のガラス基板１を透過し、他方が位相シフタ２を透過
しているので、位相シフタ２の位相量に応じた干渉強度
となっている。

【００５０】ここで、位相シフトマスク３の位相シフタ
２の位相量を測定する場合、照明側ウォラストンプリズ
ム２６を光軸ｆに対して垂直方向（イ）に移動させ、互
いに直交する直線偏光の２光の位相量を例えば０°、９
０°、１８０°、２７０°にそれぞれ変化する。

【００５１】フォトマル４０は、これら位相量０°、９
０°、１８０°、２７０°のときの各干渉光の強度Ｉ₁
〜Ｉ₄ に応じた各電圧信号を出力する。算出部４１は、
フォトマル４０から出力される各干渉光強度Ｉ₁ 〜Ｉ₄
に応じた各電圧信号を入力し、これら電圧信号から上記
式(1) を演算して位相シフトマスク３における位相シフ
タの位相量θを求める。

【００５２】一方、ＫｒＦエキシマレーザ装置５１から
出力されたエキシマレーザは、拡散板５２により等価的
に拡散放射の光源に変換され、各光学レンズ５３からハ
ーフミラー５５を通して照明光学系２１の光軸ｆに入射
し、さらに偏光子２５、照明側ウォラストンプリズム２
６、各光学レンズ２７、２８及びコンデンサレンズ２９
を通して位相シフトマスク３に照射される。

【００５３】この位相シフトマスク３を透過した２つの
光は、対物レンズ３１、各光学レンズ３２、３３を通し
て検出側ウォラストンプリズム３４に入射し、ここで重
ね合わされる。

【００５４】この重ね合わされた２つの光は、検光子３
５を通すことにより干渉を起こし、この干渉光が光学レ
ンズ３６、ピンホール３７を通してフォトマル４０に入
射する。

【００５５】このフォトマル４０に入射する干渉光は、
２つの直交する直線偏光のうち一方が位相シフトマスク
３のガラス基板１を透過し、他方が位相シフタ２を透過
しているので、位相シフタ２の位相量に応じた干渉強度
となっている。

【００５６】ここで、位相シフトマスク３の位相シフタ
２の位相量を測定する場合、照明側ウォラストンプリズ
ム２６を光軸ｆに対して垂直方向（イ）に移動させ、互
いに直交する直線偏光の２光の位相量を例えば０°、９
０°、１８０°、２７０°にそれぞれ変化する。

【００５７】フォトマル４０は、これら位相量０°、９
０°、１８０°、２７０°のときの各干渉光の強度Ｉ₁
〜Ｉ₄ に応じた各電圧信号を出力する。算出部４１は、
フォトマル４０から出力される各干渉光強度Ｉ₁ 〜Ｉ₄
に応じた各電圧信号を入力し、これら電圧信号から上記
式(1) を演算して位相シフトマスク３における位相シフ
タの位相量θを求める。

【００５８】このように上記第２の実施の形態において
は、Ｈｇ−Ｘｅランプ５０又はＫｒＦエキシマレーザ装
置５１を切り替える構成としたので、上記第１の実施の
形態と同一の効果を奏することは言うまでもなく、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ装置５１をランプ光と等価な拡散光源
として用いることができ、これによりＨｇ−Ｘｅランプ
５０とＫｒＦエキシマレーザ装置５１とを２種の露光装
置に応じて切り替えて使用することができ、これら露光
装置と同一の光源を用いて位相シフトマスク３における
位相シフタの位相量θを求めることができる。

【００５９】なお、上記第２の実施の形態は、次の通り
変形してもよい。例えば、光源としては、ＡｒＦレーザ
（波長１９３ｎｍ）を用いてもよい。要は２５６Ｍbit
ＤＲＡＭ等の高集積度の半導体に対する露光装置に用い
られる遠紫外光を発する光源であればよい。

【００６０】

【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１〜
５によれば、位相シフタの位相量を高精度に測定できる
信頼性を向上させた位相シフトマスク検査装置を提供で
きる。又、本発明の請求項２〜５によれば、各種の露光
装置と同一光源を用いて位相シフトマスクにおける位相
シフタの位相量を求めることができる位相シフトマスク
検査装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる位相シフトマスク検査装置の第
１の実施の形態を示す構成図。

【図２】本発明に係わる位相シフトマスク検査装置の第
２の実施の形態を示す構成図。

【図３】位相シフトマスクの構成図。

【図４】従来の位相シフタの膜厚測定装置の構成図。

【符号の説明】

３…位相シフトマスク、 ２０…光源、 ２１…照明光学系、 ２６，３４…ウォラストンプリズム、 ３０…検出光学系、 ４０…フォトマル、 ４１…算出部、 ５０…Ｈｇ−Ｘｅランプ、 ５１…ＫｒＦエキシマレーザ装置、 ５５…ハーフミラー。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 遠紫外光を放射する光源と、 この光源から放射された遠紫外光を互いに直交する偏光
   面を持つ２つの直線偏光に分離して位相シフトマスクに
   照射する照明光学系と、 前記位相シフトマスクを透過した２つの直線偏光を重ね
   合わせて干渉光を発生させる検出光学系と、 この検出光学系により検出された干渉光の強度に基づい
   て前記位相シフトマスクにおける位相シフタの位相量を
   求める位相量算出手段と、 を具備したことを特徴とする位相シフトマスク検査装
   置。
2. 【請求項２】 遠紫外光を拡散放射するランプと、 遠紫外のレーザ光を出力するレーザ光源と、 前記レーザ光源からのレーザ光を等価な強度を持つ拡散
   放射の光源に変換する光源変換光学系と、 前記ランプから拡散放射された遠紫外光又は前記光源変
   換光学系により変換された拡散放射のレーザ光を互いに
   直交する偏光面を持つ２つの直線偏光に分離して位相シ
   フトマスクに照射する照明光学系と、 前記位相シフトマスクを透過した２つの直線偏光を重ね
   合わせて干渉光を発生させる検出光学系と、 この検出光学系により検出された干渉光の強度に基づい
   て前記位相シフトマスクにおける位相シフタの位相量を
   求める位相量算出手段と、 を具備したことを特徴とする位相シフトマスク検査装
   置。
3. 【請求項３】 前記照明光学系は、ウォラストンプリズ
   ムを用いたことを特徴とする請求項１又は２記載の位相
   シフトマスク検査装置。
4. 【請求項４】 中心波長が３０００ｎｍ以下の遠紫外光
   又はレーザ光を位相シフトマスクに照射することを特徴
   とする請求項１又は２記載の位相シフトマスク検査装
   置。
5. 【請求項５】 前記ランプとして水銀ランプを用い、前
   記レーザ光源としてエキシマレーザ装置を用いたことを
   特徴とする請求項２記載の位相シフトマスク検査装置。