JPH1053564A - アリールカーボネートの連続的製造方法 - Google Patents
アリールカーボネートの連続的製造方法Info
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- JPH1053564A JPH1053564A JP9131647A JP13164797A JPH1053564A JP H1053564 A JPH1053564 A JP H1053564A JP 9131647 A JP9131647 A JP 9131647A JP 13164797 A JP13164797 A JP 13164797A JP H1053564 A JPH1053564 A JP H1053564A
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- aromatic hydroxy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C68/00—Preparation of esters of carbonic or haloformic acids
- C07C68/02—Preparation of esters of carbonic or haloformic acids from phosgene or haloformates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ジアリルカーボネートの連続的な工業的製造
方法を提供する。 【解決手段】 図１に記載のような構成に従って、不均
一系触媒の存在下に気相で芳香族ヒドロキシ化合物をホ
スゲン化する。
方法を提供する。 【解決手段】 図１に記載のような構成に従って、不均
一系触媒の存在下に気相で芳香族ヒドロキシ化合物をホ
スゲン化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不均一系触媒の存在下
に気相で、芳香族ヒドロキシ化合物をホスゲンと反応さ
せることによる、芳香族エステル基を有するカーボネー
トの連続的製造方法に関する。
に気相で、芳香族ヒドロキシ化合物をホスゲンと反応さ
せることによる、芳香族エステル基を有するカーボネー
トの連続的製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】芳香族
ヒドロキシ化合物の相界面ホスゲン化（ショッテン−バ
ウマン反応(Shotten-Baumann reaction)）によりアリー
ルカーボネートを得ることができることは知られてい
る。この反応では、溶媒と水酸化ナトリウム溶液を使用
するが、この水性アルカリ溶液はホスゲン又はクロルギ
酸エステルの部分的けん化を引き起こすことがあるの
で、不利な効果を有し、大量の食塩が副生物として生成
されそして溶媒を回収しなければならない。
ヒドロキシ化合物の相界面ホスゲン化（ショッテン−バ
ウマン反応(Shotten-Baumann reaction)）によりアリー
ルカーボネートを得ることができることは知られてい
る。この反応では、溶媒と水酸化ナトリウム溶液を使用
するが、この水性アルカリ溶液はホスゲン又はクロルギ
酸エステルの部分的けん化を引き起こすことがあるの
で、不利な効果を有し、大量の食塩が副生物として生成
されそして溶媒を回収しなければならない。
【０００３】例えば、米国特許第２８３７５５５号、第
３２３４２６３号及び第２３６２８６５号には、溶媒を
使用しない方法が提案されている。しかしながら、可溶
性触媒を使用しており、生成物からのその分離が面倒で
ある。
３２３４２６３号及び第２３６２８６５号には、溶媒を
使用しない方法が提案されている。しかしながら、可溶
性触媒を使用しており、生成物からのその分離が面倒で
ある。
【０００４】従って、反応混合物の処理を実質的に容易
にする不均一な不溶性触媒を使用するのが都合がよいよ
うに見える。これに関しても提案がなされた。かくし
て、ヨーロッパ特許出願公開公報第５１６３５５号（Ｅ
Ｐ−Ａ−５１６３５５）は、主として、随時アルミノケ
イ酸塩のような担体上に適用されていてもよい三フッ化
アルミニウムを推奨している。しかしながら、フッ素又
はフッ化水素酸の取り扱いはフッ化アルミニウムの合成
を非常に複雑且つ高価なものとする。国際出願公開ＷＯ
９１／０６５２６は、気相及び液相でフェノールを完全
に連続的にホスゲン化するための触媒として多孔性支持
体上の金属塩を記述している。ジフェニルカーボネート
の部分的縮合は、支持体から活性な触媒成分を浸出する
危険を伴い、従って不活性化の危険がある。
にする不均一な不溶性触媒を使用するのが都合がよいよ
うに見える。これに関しても提案がなされた。かくし
て、ヨーロッパ特許出願公開公報第５１６３５５号（Ｅ
Ｐ−Ａ−５１６３５５）は、主として、随時アルミノケ
イ酸塩のような担体上に適用されていてもよい三フッ化
アルミニウムを推奨している。しかしながら、フッ素又
はフッ化水素酸の取り扱いはフッ化アルミニウムの合成
を非常に複雑且つ高価なものとする。国際出願公開ＷＯ
９１／０６５２６は、気相及び液相でフェノールを完全
に連続的にホスゲン化するための触媒として多孔性支持
体上の金属塩を記述している。ジフェニルカーボネート
の部分的縮合は、支持体から活性な触媒成分を浸出する
危険を伴い、従って不活性化の危険がある。
【０００５】更なる欠点としては、大過剰のフェノール
又はホスゲンの存在下ですら不満足な転化率が挙げら
れ、しかも、過剰のホスゲンの場合には、相当な分率の
望まないクロルギ酸フェニルエステルが得られ、そのた
め処理が複雑になる。
又はホスゲンの存在下ですら不満足な転化率が挙げら
れ、しかも、過剰のホスゲンの場合には、相当な分率の
望まないクロルギ酸フェニルエステルが得られ、そのた
め処理が複雑になる。
【０００６】均一な(uniform)、不均一系触媒（heterog
enous catalysts)の存在下に気相で芳香族ヒドロキシ化
合物をホスゲン化することによるジアリールカーボネー
トの連続的な工業的製造方法はこれまで提唱されたこと
はない。
enous catalysts)の存在下に気相で芳香族ヒドロキシ化
合物をホスゲン化することによるジアリールカーボネー
トの連続的な工業的製造方法はこれまで提唱されたこと
はない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような方法が今回見
出された。この方法は、 １）一方では、随時不活性ガス又は不活性溶媒の蒸気で
希釈されていてもよい芳香族ヒドロキシ化合物と場合に
よりそのクロルギ酸エステルの１８０℃〜５００℃に加
熱されたガス状混合物と、他方では、２０℃〜５００℃
に加熱されたホスゲンとを、不均一系触媒を充填され且
つ１８０℃〜５００℃に加熱された、可動部品を持たな
い円筒形反応室に導入し、そして該反応室内で反応さ
せ、その際反応温度は反応混合物の入り口温度より多く
て１５０℃上昇し、 ２）反応器を去るガス混合物を一部凝縮させ、廃ガス
を、随時いくらかのクロルギ酸エステルを含有している
芳香族ヒドロキシ化合物のガス状流又は溶融流と共に、
不均一系触媒を充填された追加の廃ガス反応器に導入
し、そして該廃ガス反応器において、ホスゲン及び随時
クロルギ酸エステルが出口ガス流から除去されるような
方式で反応させ、 ３）反応器を去る凝縮されそして脱ガスされた反応生成
物を、直接処理のために送るか又は第２反応器に導入
し、第２反応器において、残存しているクロルギ酸エス
テルを、不均一系触媒の上で、まだ存在しているか又は
導入された芳香族ヒドロキシ化合物と更に反応させて、
ジアリールカーボネートを生成させ、 ４）第２反応器を去る生成物を再び脱ガスし、そしてこ
の廃ガスを、溶融した又はガス状の芳香族ヒドロキシ化
合物と一緒に、２）で述べた廃ガス反応器に導入し、 ５）第２反応器からの脱ガスされた生成物を蒸留塔に導
入し、芳香族ヒドロキシ化合物及び随時まだ存在してい
る痕跡量のクロルギ酸エステルを、頂部生成物（top pr
oduct)として留去しそして廃ガス反応器又は第１反応器
に再導入し、 ６）この第１蒸留塔の底部生成物を第２蒸留塔に導入
し、第２蒸留塔において随時まだ存在している痕跡量の
低沸点成分を、頂部生成物としてジアリールカーボネー
トから除去して第１塔の上部に戻し、 ７）純粋なジアリールカーボネートを、随時痕跡量の低
沸点成分と共に、第２塔のガス空間から排出させ、 ８）この生成物を第３塔に導入し、そして残存量の高沸
点成分を底部生成物として分離することにより、純粋な
ジアリールカーボネートを塔頂生成物（overhead produ
ct)として得、 ９）第２塔と第３塔からの一緒になった底部生成物を第
４蒸留装置に送り、ジアリールカーボネートを頂部生成
物として留去して第２塔に戻し、そして高沸点成分を第
４蒸留装置の底部から取り出す、ことを特徴とする。
出された。この方法は、 １）一方では、随時不活性ガス又は不活性溶媒の蒸気で
希釈されていてもよい芳香族ヒドロキシ化合物と場合に
よりそのクロルギ酸エステルの１８０℃〜５００℃に加
熱されたガス状混合物と、他方では、２０℃〜５００℃
に加熱されたホスゲンとを、不均一系触媒を充填され且
つ１８０℃〜５００℃に加熱された、可動部品を持たな
い円筒形反応室に導入し、そして該反応室内で反応さ
せ、その際反応温度は反応混合物の入り口温度より多く
て１５０℃上昇し、 ２）反応器を去るガス混合物を一部凝縮させ、廃ガス
を、随時いくらかのクロルギ酸エステルを含有している
芳香族ヒドロキシ化合物のガス状流又は溶融流と共に、
不均一系触媒を充填された追加の廃ガス反応器に導入
し、そして該廃ガス反応器において、ホスゲン及び随時
クロルギ酸エステルが出口ガス流から除去されるような
方式で反応させ、 ３）反応器を去る凝縮されそして脱ガスされた反応生成
物を、直接処理のために送るか又は第２反応器に導入
し、第２反応器において、残存しているクロルギ酸エス
テルを、不均一系触媒の上で、まだ存在しているか又は
導入された芳香族ヒドロキシ化合物と更に反応させて、
ジアリールカーボネートを生成させ、 ４）第２反応器を去る生成物を再び脱ガスし、そしてこ
の廃ガスを、溶融した又はガス状の芳香族ヒドロキシ化
合物と一緒に、２）で述べた廃ガス反応器に導入し、 ５）第２反応器からの脱ガスされた生成物を蒸留塔に導
入し、芳香族ヒドロキシ化合物及び随時まだ存在してい
る痕跡量のクロルギ酸エステルを、頂部生成物（top pr
oduct)として留去しそして廃ガス反応器又は第１反応器
に再導入し、 ６）この第１蒸留塔の底部生成物を第２蒸留塔に導入
し、第２蒸留塔において随時まだ存在している痕跡量の
低沸点成分を、頂部生成物としてジアリールカーボネー
トから除去して第１塔の上部に戻し、 ７）純粋なジアリールカーボネートを、随時痕跡量の低
沸点成分と共に、第２塔のガス空間から排出させ、 ８）この生成物を第３塔に導入し、そして残存量の高沸
点成分を底部生成物として分離することにより、純粋な
ジアリールカーボネートを塔頂生成物（overhead produ
ct)として得、 ９）第２塔と第３塔からの一緒になった底部生成物を第
４蒸留装置に送り、ジアリールカーボネートを頂部生成
物として留去して第２塔に戻し、そして高沸点成分を第
４蒸留装置の底部から取り出す、ことを特徴とする。
【０００８】本発明に従う方法のための芳香族ヒドロキ
シ化合物は、式 ＡｒＯＨ 式中、Ａｒは、フェニル、ナフチル、アントリル、フェ
ナントリル、インダニル、テトラヒドロナフチル、又
は、Ｎ、Ｏ及びＳから成る群より選ばれた１個又は２個
のヘテロ原子を有する５員又は６員の芳香族複素環の残
基を意味し、ここで、これらの同素環残基及び複素環残
基は線状又は分岐状Ｃ1ーＣ4アルキル、Ｃ1ーＣ4アルケ
ニル、Ｃ1ーＣ4アルコキシ基、フェニル残基又はニトリ
ル及びハロゲン基のような１個又はそれより多くの置換
基により置換されていてもよく、そして複素環残基は更
にベンゼン環と縮合していてもよい、の芳香族ヒドロキ
シ化合物である。
シ化合物は、式 ＡｒＯＨ 式中、Ａｒは、フェニル、ナフチル、アントリル、フェ
ナントリル、インダニル、テトラヒドロナフチル、又
は、Ｎ、Ｏ及びＳから成る群より選ばれた１個又は２個
のヘテロ原子を有する５員又は６員の芳香族複素環の残
基を意味し、ここで、これらの同素環残基及び複素環残
基は線状又は分岐状Ｃ1ーＣ4アルキル、Ｃ1ーＣ4アルケ
ニル、Ｃ1ーＣ4アルコキシ基、フェニル残基又はニトリ
ル及びハロゲン基のような１個又はそれより多くの置換
基により置換されていてもよく、そして複素環残基は更
にベンゼン環と縮合していてもよい、の芳香族ヒドロキ
シ化合物である。
【０００９】本発明に従う芳香族ヒドロキシ化合物の例
は、フェノール、ｏ−、ｍ−及びｐ−クレゾール、ｏ
−、ｍ−及びｐ−イソプロピルフェノール、対応するハ
ロフェノール又はアルコキシフェノール、例えば、ｐ−
クロロフェノール又はｐ−メトキシフェノール、更に、
ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンのモノヒ
ドロキシ化合物及びヒドロキシピリジン及びヒドロキシ
キノリンである。好ましくは置換されたフェノールが使
用され、特に好ましくはフェノールそれ自体が使用され
る。
は、フェノール、ｏ−、ｍ−及びｐ−クレゾール、ｏ
−、ｍ−及びｐ−イソプロピルフェノール、対応するハ
ロフェノール又はアルコキシフェノール、例えば、ｐ−
クロロフェノール又はｐ−メトキシフェノール、更に、
ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンのモノヒ
ドロキシ化合物及びヒドロキシピリジン及びヒドロキシ
キノリンである。好ましくは置換されたフェノールが使
用され、特に好ましくはフェノールそれ自体が使用され
る。
【００１０】芳香族ヒドロキシ化合物及びそのクロルギ
酸エステルを、本発明に従う方法を行う前に蒸発させ、
そして１８０〜５００℃、好ましくは２００〜４００
℃、特に好ましくは、２２０〜３５０℃の範囲内の温度
に連続的に加熱する。予め加熱された芳香族ヒドロキシ
化合物は、本発明に従う方法においてそのままで又は不
活性ガス又は不活性溶媒の蒸気で希釈して使用すること
ができる。芳香族ヒドロキシ化合物の蒸気と不活性ガス
との完全な混合は、例えば、不活性ガス又は不活性溶媒
の蒸気の流れの中で芳香族ヒドロキシ化合物を蒸発させ
ることにより達成することができる。好ましい不活性ガ
スは窒素である。芳香族ヒドロキシ化合物を希釈するの
にその蒸気を使用することもできる好適な不活性溶媒
は、例えば、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、
キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナフタレン又
はその混合物である。
酸エステルを、本発明に従う方法を行う前に蒸発させ、
そして１８０〜５００℃、好ましくは２００〜４００
℃、特に好ましくは、２２０〜３５０℃の範囲内の温度
に連続的に加熱する。予め加熱された芳香族ヒドロキシ
化合物は、本発明に従う方法においてそのままで又は不
活性ガス又は不活性溶媒の蒸気で希釈して使用すること
ができる。芳香族ヒドロキシ化合物の蒸気と不活性ガス
との完全な混合は、例えば、不活性ガス又は不活性溶媒
の蒸気の流れの中で芳香族ヒドロキシ化合物を蒸発させ
ることにより達成することができる。好ましい不活性ガ
スは窒素である。芳香族ヒドロキシ化合物を希釈するの
にその蒸気を使用することもできる好適な不活性溶媒
は、例えば、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、
キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナフタレン又
はその混合物である。
【００１１】希釈剤として随時使用される不活性ガス又
は不活性溶媒蒸気の量は決定的に重要ではない。
は不活性溶媒蒸気の量は決定的に重要ではない。
【００１２】本発明に従う方法の好適な触媒は、例え
ば、ヨーロッパ特許出願公開公報第４８３６３２号（Ｅ
Ｐ−Ａ ４８３６３２）、同第６３５４７６号（ＥＰ−
Ａ ６３５４７６）、米国特許第５４７８９６１号、ヨ
ーロッパ特許出願公開公報第６３５４７７号（ＥＰ−Ａ
６３５４７７）、米国特許第５４７３０９４号、ヨー
ロッパ特許出願公開公報第６４５３６４号（ＥＰ−Ａ
６４５３６４）、米国特許第５５２４９４２号、ヨーロ
ッパ特許出願公開公報第６９１３６２号（ＥＰ−Ａ ６
９１３６２）、同７２２９３０号（ＥＰ−Ａ ７２２９
３０）、同５１６３５５号（ＥＰ−Ａ ５１６３５
５）、米国特許第５２３９１０５号及び同第５１３６０
７７号から知られる。
ば、ヨーロッパ特許出願公開公報第４８３６３２号（Ｅ
Ｐ−Ａ ４８３６３２）、同第６３５４７６号（ＥＰ−
Ａ ６３５４７６）、米国特許第５４７８９６１号、ヨ
ーロッパ特許出願公開公報第６３５４７７号（ＥＰ−Ａ
６３５４７７）、米国特許第５４７３０９４号、ヨー
ロッパ特許出願公開公報第６４５３６４号（ＥＰ−Ａ
６４５３６４）、米国特許第５５２４９４２号、ヨーロ
ッパ特許出願公開公報第６９１３６２号（ＥＰ−Ａ ６
９１３６２）、同７２２９３０号（ＥＰ−Ａ ７２２９
３０）、同５１６３５５号（ＥＰ−Ａ ５１６３５
５）、米国特許第５２３９１０５号及び同第５１３６０
７７号から知られる。
【００１３】分離物（educt)ホスゲン及びヒドロキシ化
合物は、１：０．５〜１：８、好ましくは１：１．５〜
１：５、特に好ましくは１：２〜１：４のモル比で使用
される。この場合に、化学量論的比は１：２である。
合物は、１：０．５〜１：８、好ましくは１：１．５〜
１：５、特に好ましくは１：２〜１：４のモル比で使用
される。この場合に、化学量論的比は１：２である。
【００１４】触媒は、粒状材料、ペレット、押出物、ロ
ッド、球状物、高表面積成形物、例えば、ラシヒリング
の形態にある中空押出物、中空シリンダー、星状物(sta
rs)、貨車車輪状物（wagon wheels)又は破断片(broken
pieces)である。これらの粒子の直径及び長さは、０．
５〜１０ｍｍの範囲にある。それらは、簡単な充填の形
態で反応器内に配列される。
ッド、球状物、高表面積成形物、例えば、ラシヒリング
の形態にある中空押出物、中空シリンダー、星状物(sta
rs)、貨車車輪状物（wagon wheels)又は破断片(broken
pieces)である。これらの粒子の直径及び長さは、０．
５〜１０ｍｍの範囲にある。それらは、簡単な充填の形
態で反応器内に配列される。
【００１５】本発明に従う方法を行う前に、ホスゲンの
流れを２０〜５００℃、好ましくは１００〜４００℃、
特に好ましくは２２０〜３５０℃の範囲内の温度に加熱
する。
流れを２０〜５００℃、好ましくは１００〜４００℃、
特に好ましくは２２０〜３５０℃の範囲内の温度に加熱
する。
【００１６】本発明に従う反応を行うために、一方で
は、芳香族ヒドロキシ化合物又は芳香族ヒドロキシ化合
物と不活性ガスもしくは不活性溶媒の蒸気との混合物の
予熱された流れと、他方では、ホスゲンの予熱された流
れとを、円筒形反応室に連続的に導入し、そしてその中
で一緒に混合する。
は、芳香族ヒドロキシ化合物又は芳香族ヒドロキシ化合
物と不活性ガスもしくは不活性溶媒の蒸気との混合物の
予熱された流れと、他方では、ホスゲンの予熱された流
れとを、円筒形反応室に連続的に導入し、そしてその中
で一緒に混合する。
【００１７】本発明に従う方法に好適な反応器は、当業
者には知られている。例は、随意に冷却又は加熱ジャケ
ットを有し、充填物として触媒を入れた、反応器内に可
動部品のない管状反応器であるか、又は、触媒が２つ又
はそれより多くの重ねられたトレー上に均一な層として
分配されている棚型反応器(rack reactors)である。
者には知られている。例は、随意に冷却又は加熱ジャケ
ットを有し、充填物として触媒を入れた、反応器内に可
動部品のない管状反応器であるか、又は、触媒が２つ又
はそれより多くの重ねられたトレー上に均一な層として
分配されている棚型反応器(rack reactors)である。
【００１８】管状反応器は、一般に、鋼、ガラス、合金
又はエナメル被覆鋼(enameled steel)から成り、そして
操作条件下に芳香族ヒドロキシ化合物とホスゲンとの実
質的に完全な反応を確実にするのに十分な長さを有す
る。ガス流は、一般に、管状反応器の一端に導入され、
この導入は、例えば、管状反応器の一端に収容されたノ
ズルを通して、又はノズルと、該ノズルと混合管との間
の環状ギャップとの組み合わせを通して、又は分配板を
通して行うことができる。
又はエナメル被覆鋼(enameled steel)から成り、そして
操作条件下に芳香族ヒドロキシ化合物とホスゲンとの実
質的に完全な反応を確実にするのに十分な長さを有す
る。ガス流は、一般に、管状反応器の一端に導入され、
この導入は、例えば、管状反応器の一端に収容されたノ
ズルを通して、又はノズルと、該ノズルと混合管との間
の環状ギャップとの組み合わせを通して、又は分配板を
通して行うことができる。
【００１９】ホスゲンと芳香族ヒドロキシ化合物との反
応は、約１８０〜５００℃、好ましくは２００〜４００
℃、特に好ましくは２２０〜３５０℃の温度で行われ
る。
応は、約１８０〜５００℃、好ましくは２００〜４００
℃、特に好ましくは２２０〜３５０℃の温度で行われ
る。
【００２０】圧力は、０．１〜１０バール、好ましくは
０．２〜７バール、特に好ましくは０．３〜６バールの
範囲にある。
０．２〜７バール、特に好ましくは０．３〜６バールの
範囲にある。
【００２１】反応器を通る流れは、一方では反応室への
製品供給配管と、他方では反応室からの出口との間の適
当な圧力差を形成させることにより確実にすることがで
きる。一般に、反応室への供給配管内の圧力は、２００
〜３０００ミリバールであり、そして反応室からの出口
では１５０〜２０００ミリバールである。これに関して
必須の点は、反応室を通る流れを確実にするために単に
圧力差を維持することである。反応室を去るガス状混合
物は、一般に冷却されそして処理のために送られるか又
は部分的に凝縮されそして第２反応器に導入される。
製品供給配管と、他方では反応室からの出口との間の適
当な圧力差を形成させることにより確実にすることがで
きる。一般に、反応室への供給配管内の圧力は、２００
〜３０００ミリバールであり、そして反応室からの出口
では１５０〜２０００ミリバールである。これに関して
必須の点は、反応室を通る流れを確実にするために単に
圧力差を維持することである。反応室を去るガス状混合
物は、一般に冷却されそして処理のために送られるか又
は部分的に凝縮されそして第２反応器に導入される。
【００２２】部分的凝縮は、随時不活性溶媒を使用して
行うことができ、その温度は、ジアリールカーボネート
及び希釈剤として随時使用される溶媒が凝縮するか又は
不活性溶媒に溶解するように、一方、過剰のホスゲン、
塩化水素及び随時希釈剤として使用される不活性ガス
は、凝縮段階又は不活性溶媒をガス状で通過するように
選ばれる。選択的凝縮の例は、ガス混合物を不活性溶媒
に通すことであるか又はガス流中に溶媒を噴霧すること
（微粉砕された溶媒）である。
行うことができ、その温度は、ジアリールカーボネート
及び希釈剤として随時使用される溶媒が凝縮するか又は
不活性溶媒に溶解するように、一方、過剰のホスゲン、
塩化水素及び随時希釈剤として使用される不活性ガス
は、凝縮段階又は不活性溶媒をガス状で通過するように
選ばれる。選択的凝縮の例は、ガス混合物を不活性溶媒
に通すことであるか又はガス流中に溶媒を噴霧すること
（微粉砕された溶媒）である。
【００２３】選択的凝縮のために使用することができる
好適な溶媒は、例えば、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロ
ベンゼン、キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナ
フタレン、又はその混合物、好ましくは、ジクロロベン
ゼン、特に好ましくは芳香族ヒドロキシ化合物それ自体
である。
好適な溶媒は、例えば、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロ
ベンゼン、キシレン、クロロナフタレン、デカヒドロナ
フタレン、又はその混合物、好ましくは、ジクロロベン
ゼン、特に好ましくは芳香族ヒドロキシ化合物それ自体
である。
【００２４】しかしながら、冷却又は部分的凝縮は、一
般に熱交換器で行うこともできる。部分的凝縮後に残っ
ている廃ガスを、＜５０重量％、好ましくは＜３０重量
％、特に好ましくは＜１０重量％の量でクロルギ酸エス
テルを含有していてもよいヒドロキシ化合物の溶融流又
はガス状流と一緒に、不均一系触媒を充填された反応器
を並流又は向流で通過させ、そして残りのホスゲン及び
随時まだ同伴されている相対的に少量のクロルギ酸エス
テルを廃ガス流から除去する。廃ガス後反応器を去る溶
融混合物を、随時更にヒドロキシ化合物を添加すること
により所望のモル比に調節し、蒸発させ、所望の温度に
加熱させそして反応器に導入させる。
般に熱交換器で行うこともできる。部分的凝縮後に残っ
ている廃ガスを、＜５０重量％、好ましくは＜３０重量
％、特に好ましくは＜１０重量％の量でクロルギ酸エス
テルを含有していてもよいヒドロキシ化合物の溶融流又
はガス状流と一緒に、不均一系触媒を充填された反応器
を並流又は向流で通過させ、そして残りのホスゲン及び
随時まだ同伴されている相対的に少量のクロルギ酸エス
テルを廃ガス流から除去する。廃ガス後反応器を去る溶
融混合物を、随時更にヒドロキシ化合物を添加すること
により所望のモル比に調節し、蒸発させ、所望の温度に
加熱させそして反応器に導入させる。
【００２５】反応混合物が脱ガスされた後、廃ガス後反
応器の頂部を去るガス流は、実質的に塩化水素から成
る。場合によりまだ存在しているホスゲンは、活性炭塔
で公知の方法を用いて少量の水で加水分解することがで
きる。塩化水素流中にまだ存在しているヒドロキシ化合
物の量（この量は脱ガス装置中に行きわたっている温度
における化合物の蒸気圧により決定される）を、冷トラ
ップで凝固させることにより除去しそして反応器に戻す
ことができる。ありうる残留量は、水中への塩化水素の
その後の断熱吸収において水性混合物として共沸蒸留に
より追い出され（drived off)、そして回収の後反応器
に導入するか又はフェノール樹脂の製造のような他の目
的に使用することができる。
応器の頂部を去るガス流は、実質的に塩化水素から成
る。場合によりまだ存在しているホスゲンは、活性炭塔
で公知の方法を用いて少量の水で加水分解することがで
きる。塩化水素流中にまだ存在しているヒドロキシ化合
物の量（この量は脱ガス装置中に行きわたっている温度
における化合物の蒸気圧により決定される）を、冷トラ
ップで凝固させることにより除去しそして反応器に戻す
ことができる。ありうる残留量は、水中への塩化水素の
その後の断熱吸収において水性混合物として共沸蒸留に
より追い出され（drived off)、そして回収の後反応器
に導入するか又はフェノール樹脂の製造のような他の目
的に使用することができる。
【００２６】塩化水素中にまだ存在するホスゲンの残留
量は、水による断熱吸収（その際それらはヒドロキシ化
合物と水の共沸混合物と共に追い出される）の後、分離
物（educt）流由来の痕跡量の不活性ガスと共に活性炭
塔に有利に導入しそしてそこで加水分解することもでき
る。
量は、水による断熱吸収（その際それらはヒドロキシ化
合物と水の共沸混合物と共に追い出される）の後、分離
物（educt）流由来の痕跡量の不活性ガスと共に活性炭
塔に有利に導入しそしてそこで加水分解することもでき
る。
【００２７】反応混合物が部分的に凝縮された後、初期
粗生成物が得られ、このものは一般に主としてジアリル
カーボネートと芳香族ヒドロキシ化合物から成り、そし
てまだ或る量のクロルギ酸エステルを含有しており、そ
の量は＜５０重量％、好ましくは＜３０重量％、特に好
ましくは＜１５重量％である。
粗生成物が得られ、このものは一般に主としてジアリル
カーボネートと芳香族ヒドロキシ化合物から成り、そし
てまだ或る量のクロルギ酸エステルを含有しており、そ
の量は＜５０重量％、好ましくは＜３０重量％、特に好
ましくは＜１５重量％である。
【００２８】この混合物は、蒸留による処理に直接送る
ことができ、そしてクロルギ酸エステル及びヒドロキシ
化合物、ジアリルカーボネート及び少量の高沸点成分か
ら成る流れに分割することができる。しかしながら、簡
単のため及び蒸留をより経済的に行うことを確実にする
ために、より好適な反応混合物は、クロルギ酸エステル
を含まないか又は少量のクロルギ酸エステルしか含有し
ない。
ことができ、そしてクロルギ酸エステル及びヒドロキシ
化合物、ジアリルカーボネート及び少量の高沸点成分か
ら成る流れに分割することができる。しかしながら、簡
単のため及び蒸留をより経済的に行うことを確実にする
ために、より好適な反応混合物は、クロルギ酸エステル
を含まないか又は少量のクロルギ酸エステルしか含有し
ない。
【００２９】部分的凝縮の後得られた初期の溶融した粗
生成物を、かくして、不均一系触媒の入っている第２反
応器に有利に送り、そしてまだ存在しているクロルギ酸
エステルを、第２反応器において、混合物中にまだ存在
しているか又は混合物に添加されたヒドロキシ化合物と
液相で反応させる。圧力は、ここでは０．１〜６バー
ル、好ましくは０．２〜４バールの比較的狭い範囲に維
持することができる。温度は、１２０〜２５０℃、好ま
しくは１４０〜２５０℃、特に好ましくは１６０〜２３
０℃である。
生成物を、かくして、不均一系触媒の入っている第２反
応器に有利に送り、そしてまだ存在しているクロルギ酸
エステルを、第２反応器において、混合物中にまだ存在
しているか又は混合物に添加されたヒドロキシ化合物と
液相で反応させる。圧力は、ここでは０．１〜６バー
ル、好ましくは０．２〜４バールの比較的狭い範囲に維
持することができる。温度は、１２０〜２５０℃、好ま
しくは１４０〜２５０℃、特に好ましくは１６０〜２３
０℃である。
【００３０】時間当たり触媒容量リットル当たりの分離
物（educt)混合物ｋｇで測定した反応器負荷(reactor l
oading)は、反応温度、触媒の活性及び所望の転化率に
依存している。負荷は、０．０１〜２０、好ましくは
０．０２〜１０、特に好ましくは０．０３〜４、最も好
ましくは０．０４〜３ｋｇ／ｌ／ｈである。
物（educt)混合物ｋｇで測定した反応器負荷(reactor l
oading)は、反応温度、触媒の活性及び所望の転化率に
依存している。負荷は、０．０１〜２０、好ましくは
０．０２〜１０、特に好ましくは０．０３〜４、最も好
ましくは０．０４〜３ｋｇ／ｌ／ｈである。
【００３１】第２反応器を去る混合物は脱ガスされ、そ
して廃ガス流は、やはり廃ガス第２反応器に送られる。
少量の（＜３、好ましくは＜２、特に好ましくは＜１重
量％）のクロルギ酸エステルしか含有しない脱ガスされ
た混合物は、第１蒸留塔で、過剰のヒドロキシ化合物及
びクロルギ酸エステル又は随時使用される溶媒を除去さ
れ、これらを頂部生成物として排出し、そして必要に応
じて反応器、第２反応器又は廃ガス反応器に送りそして
更に反応させる。
して廃ガス流は、やはり廃ガス第２反応器に送られる。
少量の（＜３、好ましくは＜２、特に好ましくは＜１重
量％）のクロルギ酸エステルしか含有しない脱ガスされ
た混合物は、第１蒸留塔で、過剰のヒドロキシ化合物及
びクロルギ酸エステル又は随時使用される溶媒を除去さ
れ、これらを頂部生成物として排出し、そして必要に応
じて反応器、第２反応器又は廃ガス反応器に送りそして
更に反応させる。
【００３２】この塔の底部から排出される混合物は、第
２塔において、残留低沸点成分（これは第１塔の上部に
戻される）、純粋なジアリルカーボネート（これはこの
第２塔の蒸気流から横に排出される）及びジアリルカー
ボネートと高沸点成分の混合物（これは底部生成物とし
て塔を去る）に分離される。
２塔において、残留低沸点成分（これは第１塔の上部に
戻される）、純粋なジアリルカーボネート（これはこの
第２塔の蒸気流から横に排出される）及びジアリルカー
ボネートと高沸点成分の混合物（これは底部生成物とし
て塔を去る）に分離される。
【００３３】第３塔に導入されることにより、ジアリル
カーボネート（これはこの第３塔から頂部生成物として
排出される）は、痕跡量の高沸点成分（底部生成物）か
ら分離される。
カーボネート（これはこの第３塔から頂部生成物として
排出される）は、痕跡量の高沸点成分（底部生成物）か
ら分離される。
【００３４】第２塔及び第３塔からの一緒になった底部
生成物は、連続的又は非連続的に操作される４蒸留塔
で、高沸点成分を含有する底部生成物とジアリルカーボ
ネートに分離され、このジアリルカーボネートは第２塔
の下部に送られ、そしてそこで更に精製される。
生成物は、連続的又は非連続的に操作される４蒸留塔
で、高沸点成分を含有する底部生成物とジアリルカーボ
ネートに分離され、このジアリルカーボネートは第２塔
の下部に送られ、そしてそこで更に精製される。
【００３５】反応生成物の＜３％、好ましくは＜２％、
特に好ましくは＜１％の比較的少量の底部生成物は焼却
するか又はフェノール系樹脂の製造に使用するのが便利
である。
特に好ましくは＜１％の比較的少量の底部生成物は焼却
するか又はフェノール系樹脂の製造に使用するのが便利
である。
【００３６】
γ−酸化アルミニウムの存在下でのフェノールの気相ホ
スゲン化によるジフェニルカーボネートの連続的製造 本発明に従う方法を行うのに使用される装置及び生じる
物質流は図１に線図で示される。
スゲン化によるジフェニルカーボネートの連続的製造 本発明に従う方法を行うのに使用される装置及び生じる
物質流は図１に線図で示される。
【００３７】蒸留塔Ｘの頂部から排出されたフェノール
１４及び冷トラップＸＶＩから戻されたフェノール１８
と共に、５４．０重量部／時間のフェノール１２を、加
熱式タンクＩから標準圧力下に熱交換器ＩＩＩ（１７０
℃）を経由して、１７０℃に加熱されそして４５容量部
のγ−酸化アルミニウムを充填された廃ガス後反応器Ｖ
ＩＩの頂部に供給する。凝縮装置ＶＩ及び脱ガス装置Ｉ
Ｘに由来する廃ガス流１５（フェノール／ホスゲン／塩
化水素／二酸化炭素の重量比１．７／５２．９／４４．
８／０．６）を、フェノールと並流で反応器ＶＩＩに導
入する。
１４及び冷トラップＸＶＩから戻されたフェノール１８
と共に、５４．０重量部／時間のフェノール１２を、加
熱式タンクＩから標準圧力下に熱交換器ＩＩＩ（１７０
℃）を経由して、１７０℃に加熱されそして４５容量部
のγ−酸化アルミニウムを充填された廃ガス後反応器Ｖ
ＩＩの頂部に供給する。凝縮装置ＶＩ及び脱ガス装置Ｉ
Ｘに由来する廃ガス流１５（フェノール／ホスゲン／塩
化水素／二酸化炭素の重量比１．７／５２．９／４４．
８／０．６）を、フェノールと並流で反応器ＶＩＩに導
入する。
【００３８】フェノール、クロルギ酸エステル、ジフェ
ニルカーボネート及び副生物を８２．０／１．３５／１
６．６／０．０５の割合で含有する、反応器の底部を去
る生成物１１′は、脱ガス器ＸＶによって、廃ガス１６
（フェノール、ホスゲン、塩化水素及び二酸化炭素の重
量比４．０／６６．３／２９．５／０．２）と、底部生
成物１１（フェノール、クロルギ酸フェニルエステル、
ジフェニルカーボネート及び副生物の重量比８１．９／
１．４／１６．７／０．０５）に分離される。
ニルカーボネート及び副生物を８２．０／１．３５／１
６．６／０．０５の割合で含有する、反応器の底部を去
る生成物１１′は、脱ガス器ＸＶによって、廃ガス１６
（フェノール、ホスゲン、塩化水素及び二酸化炭素の重
量比４．０／６６．３／２９．５／０．２）と、底部生
成物１１（フェノール、クロルギ酸フェニルエステル、
ジフェニルカーボネート及び副生物の重量比８１．９／
１．４／１６．７／０．０５）に分離される。
【００３９】熱交換器ＩＶ（２８０℃）により予熱され
た４０．６重量部／時間のホスゲン３を、２８０℃に予
熱された１１と並流で、２８０℃に加熱されそして４５
容量部のγ−酸化アルミニウムを充填された反応器Ｖに
導入する。
た４０．６重量部／時間のホスゲン３を、２８０℃に予
熱された１１と並流で、２８０℃に加熱されそして４５
容量部のγ−酸化アルミニウムを充填された反応器Ｖに
導入する。
【００４０】フェノール、クロルギ酸フェニルエステ
ル、ジフェニルカーボネート及び副生物を３４．１／
４．３／６１．３／０．３の割合で含有する、反応器の
底部を去る生成物５は、凝縮装置ＶＩによって、廃ガス
６（フェノール、ホスゲン、塩化水素及び二酸化炭素の
重量比０．９／５４．８／４３．７／０．６）と、底部
生成物７（フェノール、クロルギ酸フェニルエステル、
ジフェニルカーボネート及び副生物の重量比３３．９／
４．３／６１．５／０．３）に分離される。
ル、ジフェニルカーボネート及び副生物を３４．１／
４．３／６１．３／０．３の割合で含有する、反応器の
底部を去る生成物５は、凝縮装置ＶＩによって、廃ガス
６（フェノール、ホスゲン、塩化水素及び二酸化炭素の
重量比０．９／５４．８／４３．７／０．６）と、底部
生成物７（フェノール、クロルギ酸フェニルエステル、
ジフェニルカーボネート及び副生物の重量比３３．９／
４．３／６１．５／０．３）に分離される。
【００４１】底部生成物７中に存在するクロルギ酸フェ
ニルエステルは、γ−酸化アルミニウム（４５容量部）
を充填されている第２反応器ＶＩＩＩにおいて、存在す
るフェノール（場合により追加のフェノール（１′又は
１４′）の添加の後）との後反応(subsequent reactio
n)により１８０℃でジフェニルカーボネートに転化され
る。
ニルエステルは、γ−酸化アルミニウム（４５容量部）
を充填されている第２反応器ＶＩＩＩにおいて、存在す
るフェノール（場合により追加のフェノール（１′又は
１４′）の添加の後）との後反応(subsequent reactio
n)により１８０℃でジフェニルカーボネートに転化され
る。
【００４２】反応器の底部で排出された生成物８（フェ
ノール、ジフェニルカーボネート及び副生物の重量比３
１．７／６８．０／０．３）は、脱ガス器ＩＸによっ
て、廃ガス９（フェノール／塩化水素）と、底部生成物
１０（フェノール、ジフェニルカーボネート及び副生物
の重量比３１．５／６８．２／０．３）に分離される。
廃ガス流６及び９は一緒になって１５となり、そして既
に上記したフェノール（１２、１４及び１８）と並流で
廃ガス反応器ＶＩＩに送られる。
ノール、ジフェニルカーボネート及び副生物の重量比３
１．７／６８．０／０．３）は、脱ガス器ＩＸによっ
て、廃ガス９（フェノール／塩化水素）と、底部生成物
１０（フェノール、ジフェニルカーボネート及び副生物
の重量比３１．５／６８．２／０．３）に分離される。
廃ガス流６及び９は一緒になって１５となり、そして既
に上記したフェノール（１２、１４及び１８）と並流で
廃ガス反応器ＶＩＩに送られる。
【００４３】脱ガス器ＸＶの頂部を去る廃ガス１６は、
冷トラップＸＶＩに送られ、そこで存在するフェノール
１８（０．７０重量部／時間）は除去されそして廃ガス
反応器ＶＩＩに戻される。
冷トラップＸＶＩに送られ、そこで存在するフェノール
１８（０．７０重量部／時間）は除去されそして廃ガス
反応器ＶＩＩに戻される。
【００４４】冷トラップＸＶＩを去る廃ガス１７は、塩
化水素吸収装置ＸＶＩＩに送られる。
化水素吸収装置ＸＶＩＩに送られる。
【００４５】１２４．４重量部／時間の１８％塩酸１９
を導入することにより、１４５．７重量部／時間の３０
％塩酸２０が得られ、このものは電解に供給することが
できる。電解から得られる塩素は、ホスゲンの製造に再
使用することができる。
を導入することにより、１４５．７重量部／時間の３０
％塩酸２０が得られ、このものは電解に供給することが
できる。電解から得られる塩素は、ホスゲンの製造に再
使用することができる。
【００４６】痕跡量の同伴されたフェノールは水との共
沸混合物２９として除去されうる。分解装置（水を有す
る活性炭塔）が接続されて、廃ガス３０中にまだ存在し
ているホスゲンを分解する。
沸混合物２９として除去されうる。分解装置（水を有す
る活性炭塔）が接続されて、廃ガス３０中にまだ存在し
ているホスゲンを分解する。
【００４７】底部生成物１０は、第１蒸留塔Ｘに導入さ
れ、そして約８０℃／１２トルで２８．１重量部／時間
のフェノールと、底部生成物２２（フェノール、ジフェ
ニルカーボネート及び副生物の重量比０．３／９９．３
／０．４）に分離される。
れ、そして約８０℃／１２トルで２８．１重量部／時間
のフェノールと、底部生成物２２（フェノール、ジフェ
ニルカーボネート及び副生物の重量比０．３／９９．３
／０．４）に分離される。
【００４８】底部生成物２２は、第２蒸留塔ＸＩに送ら
れ、該第２蒸留塔ＸＩにおいて、まだ存在するフェノー
ル（０．２重量部／時間）２１は頂部生成物として除去
されそして第１塔Ｘの上部に導入される。
れ、該第２蒸留塔ＸＩにおいて、まだ存在するフェノー
ル（０．２重量部／時間）２１は頂部生成物として除去
されそして第１塔Ｘの上部に導入される。
【００４９】６１．３重量部／時間の生成物２３（ジフ
ェニルカーボネート、副生物の重量比９９．９／０．
１）が、第２塔ＸＩのガス空間からの横方向排出により
得られ、生成物２３は第３蒸留塔ＸＩＩにおいて頂部生
成物２８（６１．３重量部／時間のジフェニルカーボネ
ート）と、底部生成物２７に分離され、底部生成物２７
は塔ＸＩＩＩに流れる。
ェニルカーボネート、副生物の重量比９９．９／０．
１）が、第２塔ＸＩのガス空間からの横方向排出により
得られ、生成物２３は第３蒸留塔ＸＩＩにおいて頂部生
成物２８（６１．３重量部／時間のジフェニルカーボネ
ート）と、底部生成物２７に分離され、底部生成物２７
は塔ＸＩＩＩに流れる。
【００５０】蒸留塔ＸＩの底部で排出された生成物２５
（ジフェニルカーボネート／副生物の重量比９０．６／
９．４）は、２７と共に、第４蒸留塔ＸＩＩＩにおいて
１７０℃／１２トルで、頂部生成物２４（ジフェニルカ
ーボネート１．８重量部／時間）と、底部生成物２６
（高沸点副生物）に分離され、頂部生成物２４は第２塔
ＸＩの下部に戻される。
（ジフェニルカーボネート／副生物の重量比９０．６／
９．４）は、２７と共に、第４蒸留塔ＸＩＩＩにおいて
１７０℃／１２トルで、頂部生成物２４（ジフェニルカ
ーボネート１．８重量部／時間）と、底部生成物２６
（高沸点副生物）に分離され、頂部生成物２４は第２塔
ＸＩの下部に戻される。
【００５１】実施例２ 反応器Ｖに、熱交換器ＩＩＩを経由して７１．９重量部
／時間のフェノール４を導入しそして熱交換器ＩＶによ
り予熱された３７．１重量部／時間のホスゲン３を導入
して、廃ガス反応器なしで３３０℃で実施例１に記載の
本発明に従う方法を実施すると、一定の選択性で２６．
１重量部／時間のジフェニルカーボネートが得られる。
／時間のフェノール４を導入しそして熱交換器ＩＶによ
り予熱された３７．１重量部／時間のホスゲン３を導入
して、廃ガス反応器なしで３３０℃で実施例１に記載の
本発明に従う方法を実施すると、一定の選択性で２６．
１重量部／時間のジフェニルカーボネートが得られる。
【００５２】分離物(educt)及び生成物の組成、触媒負
荷及び温度に依存して、上記方法に対する下記の更なる
態様を列挙することができる。
荷及び温度に依存して、上記方法に対する下記の更なる
態様を列挙することができる。
【００５３】ａ）プロセスの最初に廃ガス反応器ＶＩＩ
を経由する代わりに反応器Ｖに直接フェノール４を供給
する。
を経由する代わりに反応器Ｖに直接フェノール４を供給
する。
【００５４】ｂ）比較的高い濃度のクロルギ酸フェニル
エステルが存在する場合に、後反応のための追加の反応
相手としてフェノール（１′又は１４′）を添加する。
エステルが存在する場合に、後反応のための追加の反応
相手としてフェノール（１′又は１４′）を添加する。
【００５５】ｃ）反応器ＶＩＩＩの後反応なしで操作
し、その際まだ存在するクロルギ酸フェニルエステル
を、第１蒸留塔Ｘにおいてフェノールと共に低沸点成分
１４として留去しそして廃ガス反応器ＶＩＩに導入する
か、又は、このプロセスが廃ガス後反応器なしで操作さ
れる場合には、第１反応器Ｖに戻す（１３）。
し、その際まだ存在するクロルギ酸フェニルエステル
を、第１蒸留塔Ｘにおいてフェノールと共に低沸点成分
１４として留去しそして廃ガス反応器ＶＩＩに導入する
か、又は、このプロセスが廃ガス後反応器なしで操作さ
れる場合には、第１反応器Ｖに戻す（１３）。
【００５６】Ｄ）廃ガス反応器ＶＩＩ及び脱ガス器ＸＶ
の代わりにホスゲンスクラビングにより操作し、その
際、廃ガス流１５を向流装置の底部から溶融したフェノ
ール（１、１４又は１８）に対して向流で送る。
の代わりにホスゲンスクラビングにより操作し、その
際、廃ガス流１５を向流装置の底部から溶融したフェノ
ール（１、１４又は１８）に対して向流で送る。
【図１】本発明に従う方法を実施するのに使用される装
置及び物質流を示す線図である。
置及び物質流を示す線図である。
Ｉ フェノール貯蔵タンク ＩＩ ホスゲン貯蔵タンク ＩＩＩ、 ＩＶ 熱交換器 Ｖ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ 反応器 ＶＩ、ＩＸ、ＸＶ 凝縮装置／脱ガス器 Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ 蒸留塔 ＸＩＶ 生成物タンク（ＤＰＣ） ＸＶＩ 冷トラップ ＸＶＩＩ ＨＣｌ 吸収塔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリク・ビシヨフ アメリカ合衆国テキサス州77520ベイタウ ン・ウエストベイロード8500・バイエルコ ーポレーシヨン内 (72)発明者 ハンス−ヨゼフ・ブイシユ ドイツ47809クレーフエルト・ブランデン ブルガーシユトラーセ28 (72)発明者 シユテフエン・キユーリング ドイツ40670メーアブツシユ・ゴヒヤーベ ーク５ (72)発明者 ゴツトフリート・ツアビイ ドイツ51375レーフエルクーゼン・ベルギ シエラントシユトラーセ124ベー (72)発明者 ボルフガング・ヤコブ ドイツ47447メルス・アムドームアツカー 81 (72)発明者 ユルゲン・ダーマー ドイツ47800クレーフエルト・ベテルシユ トラーセ24 (72)発明者 ノルベルト・シエン ドイツ97070ビユルツブルク・テイーポロ シユトラーセ２ベー
Claims (1)
- 【請求項１】 不均一系触媒の存在下にホスゲンを芳香
族ヒドロキシ化合物と反応させることによるジアリール
カーボネートの連続的製造方法であって、 １）一方では、随時不活性ガス又は不活性溶媒の蒸気で
希釈されていてもよい芳香族ヒドロキシ化合物と場合に
よりそのクロルギ酸エステルの１８０℃〜５００℃に加
熱されたガス状混合物と、他方では、２０℃〜５００℃
に加熱されたホスゲンとを、不均一系触媒を充填され且
つ１８０℃〜５００℃に加熱された、可動部品を持たな
い円筒形反応室に導入し、そして該反応室内で反応さ
せ、その際反応温度は反応混合物の入り口温度より多く
ても１５０℃上昇し、 ２）反応器を去るガス混合物を一部凝縮させ、廃ガス
を、随時いくらかのクロルギ酸エステルを含有している
芳香族ヒドロキシ化合物のガス状流又は溶融流と共に、
不均一系触媒を充填された追加の廃ガス反応器に導入
し、そして該廃ガス反応器において、ホスゲン及び随時
クロルギ酸エステルが廃ガス流から除去されるような方
式で反応させ、 ３）反応器を去る脱ガスされた反応生成物を、処理のた
めに直接送るか又は第２反応器に導入し、第２反応器に
おいて、残存しているクロルギ酸エステルを、不均一系
触媒上で、まだ存在しているか又は導入された芳香族ヒ
ドロキシ化合物と更に反応させてジアリールカーボネー
トを生成させ、 ４）第２反応器を去る生成物を再び脱ガスし、そしてこ
の廃ガスを、溶融した又はガス状芳香族ヒドロキシ化合
物と一緒に、２）で述べた廃ガス反応器に導入し、 ５）第２反応器からの脱ガスされた生成物を蒸留塔に導
入し、芳香族ヒドロキシ化合物及び随時まだ存在してい
る痕跡量のクロルギ酸エステルを、頂部生成物として留
去し、そして廃ガス反応器又は第１反応器に再導入し、 ６）この第１塔の底部生成物を第２蒸留塔に導入し、第
２蒸留塔において、随時まだ存在している痕跡量の低沸
点成分を、頂部生成物としてジアリールカーボネートか
ら除去しそして第１塔の上部に戻し、 ７）ジアリールカーボネートを、随時痕跡量の低沸点成
分と共に、第２塔のガス空間から排出させ、 ８）この生成物を第３塔に導入し、そして残存量の高沸
点成分を底部生成物として分離することにより、純粋な
ジアリールカーボネートを塔頂生成物として得、 ９）第２塔と第３塔からの一緒になった底部生成物を第
４蒸留装置に送り、ジアリールカーボネートを頂部生成
物として留去して第２塔に戻し、そして高沸点成分を第
４蒸留装置の底部から取り出す、ことを特徴とする方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19619224.2 | 1996-05-13 | ||
| DE19619224A DE19619224A1 (de) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Arylcarbonaten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053564A true JPH1053564A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3856351B2 JP3856351B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=7794170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13164797A Expired - Fee Related JP3856351B2 (ja) | 1996-05-13 | 1997-05-07 | アリールカーボネートの連続的製造方法 |
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