JPH1051691A - 容量負荷駆動回路 - Google Patents
容量負荷駆動回路Info
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- JPH1051691A JPH1051691A JP8204516A JP20451696A JPH1051691A JP H1051691 A JPH1051691 A JP H1051691A JP 8204516 A JP8204516 A JP 8204516A JP 20451696 A JP20451696 A JP 20451696A JP H1051691 A JPH1051691 A JP H1051691A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 10
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 CCD撮像素子を用いたハイビジョンカメラ
では、水平転送シフトレジスタの電極のパルス駆動に消
費電力が増加するのでカメラヘッドを小形化すると自然
空冷では発熱が許容できなくなり、カメラヘッドに空冷
ファンを追加していた。そのため手術室やクリーンルー
ムでの使用が困難であった。本発明はこれらの欠点を除
去し、CCD撮像素子を用いたハイビジョンカメラの消
費電力の低減と操作性の向上を目的とする。 【解決手段】水平転送電極とインダクタとで構成させた
並列共振回路をCMOSICで駆動する。パルス起動時
に駆動回路は電源電圧から接地電圧へと起動する場合は
電源電圧から接地電圧へは、低い出力抵抗で駆動して強
く共振させてから高い出力抵抗で駆動する。パルス停止
開始時に接地電圧から電源電圧へ停止する場合は、パル
スと逆極性で接地電圧から電源電圧へは、低い出力抵抗
で駆動し、電源電圧から接地電圧へは高い出力抵抗で駆
動して共振を電源電圧へ制動させる。
では、水平転送シフトレジスタの電極のパルス駆動に消
費電力が増加するのでカメラヘッドを小形化すると自然
空冷では発熱が許容できなくなり、カメラヘッドに空冷
ファンを追加していた。そのため手術室やクリーンルー
ムでの使用が困難であった。本発明はこれらの欠点を除
去し、CCD撮像素子を用いたハイビジョンカメラの消
費電力の低減と操作性の向上を目的とする。 【解決手段】水平転送電極とインダクタとで構成させた
並列共振回路をCMOSICで駆動する。パルス起動時
に駆動回路は電源電圧から接地電圧へと起動する場合は
電源電圧から接地電圧へは、低い出力抵抗で駆動して強
く共振させてから高い出力抵抗で駆動する。パルス停止
開始時に接地電圧から電源電圧へ停止する場合は、パル
スと逆極性で接地電圧から電源電圧へは、低い出力抵抗
で駆動し、電源電圧から接地電圧へは高い出力抵抗で駆
動して共振を電源電圧へ制動させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は Charge C
oupled Device(以下CCDと略す)撮像
素子を用いたハイビジョン等の高精細テレビジョンカメ
ラおよび1秒あたりのフレーム数の多い高速撮影テレビ
ジョンカメラの消費電力の低減に関するものである。
oupled Device(以下CCDと略す)撮像
素子を用いたハイビジョン等の高精細テレビジョンカメ
ラおよび1秒あたりのフレーム数の多い高速撮影テレビ
ジョンカメラの消費電力の低減に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のCCD撮像素子を用いたハイビジ
ョン等の高精細テレビジョンカメラでは、そこからの信
号読み出しに、約70〜180PFの容量を持つ1列の
水平転送シフトレジスタが用いられ、そのシフトレジス
タを駆動するクロックパルスは、エミッタフォロワ回路
が用いられていた。最近では74AC等の超高速の相補
型金属酸化シリコン集積回路(以下CMOSICと略
す)を駆動回路に用いている。ところが、容量を充放電
する無効電力が多く消費電力が増加する。
ョン等の高精細テレビジョンカメラでは、そこからの信
号読み出しに、約70〜180PFの容量を持つ1列の
水平転送シフトレジスタが用いられ、そのシフトレジス
タを駆動するクロックパルスは、エミッタフォロワ回路
が用いられていた。最近では74AC等の超高速の相補
型金属酸化シリコン集積回路(以下CMOSICと略
す)を駆動回路に用いている。ところが、容量を充放電
する無効電力が多く消費電力が増加する。
【0003】また、1990年の技術資料「NAB’9
0 Advance Technology for
a New Era」には、水平転送シフトレジスタを
2列とし後段の回路で2列の信号を合成し映像信号水平
転送周波数を半減させる回路が示されている。ここで、
水平転送シフトレジスタを2列化すると、2列目の水平
転送シフトレジスタは水平転送のみを行うのに対し、1
列目の水平転送シフトレジスタは水平転送と2列目の水
平転送シフトレジスタへの垂直転送とを行う。そのた
め、1列目の水平転送シフトレジスタと2列目の水平転
送シフトレジスタとでは水平転送の効率と取扱電荷量と
が、正確には合致しないことによる固定雑音(縦筋)が
発生する。従来、この固定雑音は補正回路を追加して補
正していた。
0 Advance Technology for
a New Era」には、水平転送シフトレジスタを
2列とし後段の回路で2列の信号を合成し映像信号水平
転送周波数を半減させる回路が示されている。ここで、
水平転送シフトレジスタを2列化すると、2列目の水平
転送シフトレジスタは水平転送のみを行うのに対し、1
列目の水平転送シフトレジスタは水平転送と2列目の水
平転送シフトレジスタへの垂直転送とを行う。そのた
め、1列目の水平転送シフトレジスタと2列目の水平転
送シフトレジスタとでは水平転送の効率と取扱電荷量と
が、正確には合致しないことによる固定雑音(縦筋)が
発生する。従来、この固定雑音は補正回路を追加して補
正していた。
【0004】また、水平転送シフトレジスタの容量とイ
ンダクタとで並列共振回路を構成し、並列共振回路を駆
動するパルス回路はNPNトランジスタのオープンコレ
タで構成した。
ンダクタとで並列共振回路を構成し、並列共振回路を駆
動するパルス回路はNPNトランジスタのオープンコレ
タで構成した。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】超高速CMOSICを
駆動回路に用いても、ハイビジョンテレビカメラでは約
70〜180PFの大容量の水平転送シフトレジスタ
を、高速方形波パルス(5〜6Vp−p、37〜74M
Hz)で駆動するため、消費電力が増加する。
駆動回路に用いても、ハイビジョンテレビカメラでは約
70〜180PFの大容量の水平転送シフトレジスタ
を、高速方形波パルス(5〜6Vp−p、37〜74M
Hz)で駆動するため、消費電力が増加する。
【0006】水平転送シフトレジスタを2列とすると2
列の信号の合成回路と固定雑音の補正回路が大規模であ
り消費電力が増加する。
列の信号の合成回路と固定雑音の補正回路が大規模であ
り消費電力が増加する。
【0007】また、並列共振回路を構成しても、駆動回
路出力をNPNトランジスタのオープンコレタで構成す
ると断続する方形波パルスの平坦部が少なく方形波パル
スの振幅が大きい割に水平転送シフトレジスタの転送効
率が上がらない。また、並列共振の起動と停止に時間が
かかり、水平ブランキング時間が3.77μSと短いハ
イビジョンテレビカメラでは安定動作が困難であった。
路出力をNPNトランジスタのオープンコレタで構成す
ると断続する方形波パルスの平坦部が少なく方形波パル
スの振幅が大きい割に水平転送シフトレジスタの転送効
率が上がらない。また、並列共振の起動と停止に時間が
かかり、水平ブランキング時間が3.77μSと短いハ
イビジョンテレビカメラでは安定動作が困難であった。
【0008】そのため、従来のどの方式をとっても、カ
メラヘッドを小形化すると自然空冷では発熱が許容でき
なくなる。そのため、カメラヘッドに空冷ファンを追加
する等していたため手術室やクリーンルームでの使用が
困難であった。
メラヘッドを小形化すると自然空冷では発熱が許容でき
なくなる。そのため、カメラヘッドに空冷ファンを追加
する等していたため手術室やクリーンルームでの使用が
困難であった。
【0009】本発明の目的は、これらの欠点を除去し、
CCD撮像素子を用いたハイビジョン等の高精細テレビ
ジョンカメラあるいは1秒あたりのフレーム数の多い高
速撮影テレビジョンカメラ等の消費電力の低減と操作性
の向上である。
CCD撮像素子を用いたハイビジョン等の高精細テレビ
ジョンカメラあるいは1秒あたりのフレーム数の多い高
速撮影テレビジョンカメラ等の消費電力の低減と操作性
の向上である。
【0010】本発明の他の目的は、並列共振回路を超高
速CMOSICで駆動するために、超高速CMOSIC
の出力電圧が並列共振時でも超高速CMOSICの最大
定格以下となるように並列共振を制御することである。
速CMOSICで駆動するために、超高速CMOSIC
の出力電圧が並列共振時でも超高速CMOSICの最大
定格以下となるように並列共振を制御することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の全体構成
を示すブロック図である。図2は図1の水平転送シフト
レジスタクロックφH1、φH2の波形図である。
を示すブロック図である。図2は図1の水平転送シフト
レジスタクロックφH1、φH2の波形図である。
【0012】図1において、入射光Liは、レンズ11
により撮像素子1の撮像面に結像し、映像信号電圧Vi
に変換される。タイミング発生回路3のパルスに従い水
平駆動回路2が水平転送シフトレジスタ電極Hφ1、H
φ2とリセットゲートRGを駆動し、垂直駆動回路4が
垂直転送シフトレジスタVφ1〜Vφ4を駆動する。
により撮像素子1の撮像面に結像し、映像信号電圧Vi
に変換される。タイミング発生回路3のパルスに従い水
平駆動回路2が水平転送シフトレジスタ電極Hφ1、H
φ2とリセットゲートRGを駆動し、垂直駆動回路4が
垂直転送シフトレジスタVφ1〜Vφ4を駆動する。
【0013】CCD撮像素子(等価回路で示す)1内の
水平転送シフトレジスタの2つの電極Hφ1、Hφ2の
内部等価回路は接地容量CφH1、CφH2と水平転送クロ
ック間容量CφHHと水平転送クロック直流抵抗RφHで
表せる。
水平転送シフトレジスタの2つの電極Hφ1、Hφ2の
内部等価回路は接地容量CφH1、CφH2と水平転送クロ
ック間容量CφHHと水平転送クロック直流抵抗RφHで
表せる。
【0014】そこで、水平転送シフトレジスタの容量と
インダクタとで並列共振回路を構成させ、水平駆動回路
2は共振の起動期間と共振の損失分との電流を補充させ
る。具体的には、水平転送シフトレジスタの2つの電極
Hφ1、Hφ2の容量とインダクタL1、L2、L12と
を交流的に接続して、容量CφH1、CφH2、CφHHとイ
ンダクタL1、L2、L12とで並列共振回路を構成す
る。
インダクタとで並列共振回路を構成させ、水平駆動回路
2は共振の起動期間と共振の損失分との電流を補充させ
る。具体的には、水平転送シフトレジスタの2つの電極
Hφ1、Hφ2の容量とインダクタL1、L2、L12と
を交流的に接続して、容量CφH1、CφH2、CφHHとイ
ンダクタL1、L2、L12とで並列共振回路を構成す
る。
【0015】水平転送クロックパルスφHの周波数fφ
Hから L1=L2=1/((2πfφH)2CφH1)=1/((2πfφH)2CφH2) (1)式 L12=1/((2πfφh)2Cφhh) (2)式 となる。
Hから L1=L2=1/((2πfφH)2CφH1)=1/((2πfφH)2CφH2) (1)式 L12=1/((2πfφh)2Cφhh) (2)式 となる。
【0016】そして、図2(a)の波形図の実線のよう
に断続する方形波パルス起動期間に駆動回路を電源電圧
から接地電圧へと起動する場合は電源から接地へを(低
い出力抵抗で)強く駆動し接地から電源へを(高い出力
抵抗で)弱く駆動し、方形波パルス停止開始期間に接地
から電源へ停止する場合は方形波パルスと逆相で接地か
ら電源へを(低い出力抵抗で)強く駆動し電源から接地
へを弱く(高い出力抵抗で)駆動する。
に断続する方形波パルス起動期間に駆動回路を電源電圧
から接地電圧へと起動する場合は電源から接地へを(低
い出力抵抗で)強く駆動し接地から電源へを(高い出力
抵抗で)弱く駆動し、方形波パルス停止開始期間に接地
から電源へ停止する場合は方形波パルスと逆相で接地か
ら電源へを(低い出力抵抗で)強く駆動し電源から接地
へを弱く(高い出力抵抗で)駆動する。
【0017】ここで、アンバッファーインバーターCM
OSICは出力と入力は、極性が反転しており、入力が
電源電圧または接地電圧では内部出力抵抗は低く駆動能
力は強い。また、入力が電源電圧と接地電圧の中間の電
圧値では、内部出力抵抗は高く駆動能力は低い。したが
って、図1の水平駆動回路2にアンバッファーインバー
ターCMOSICを使用し、高い出力抵抗で弱く駆動す
る場合は、アンバッファーインバーターCMOSICの
入力電圧を電源電圧と接地電圧の中間電圧値から少しず
れた電圧値に制御すれば良い。(CMOSICの入力電
圧を電源電圧と接地電圧の中間値にすると一般に出力が
不安定でCMOSICの内部で電源と接地との間に貫通
電流が流れる。) また、3値(トライステート)バッファーCMOSIC
は内部出力抵抗は低く駆動能力は強いが、インヒビット
入力をインヒビットに制御(一般に接地)すれば、出力
は開放(高い抵抗)となる。したがって、図1の水平駆
動回路2に複数のトライステートバッファーCMOSI
Cを使用し、高い出力抵抗で弱く駆動する場合は、一部
のインヒビット入力をインヒビットに制御すれば良い。
OSICは出力と入力は、極性が反転しており、入力が
電源電圧または接地電圧では内部出力抵抗は低く駆動能
力は強い。また、入力が電源電圧と接地電圧の中間の電
圧値では、内部出力抵抗は高く駆動能力は低い。したが
って、図1の水平駆動回路2にアンバッファーインバー
ターCMOSICを使用し、高い出力抵抗で弱く駆動す
る場合は、アンバッファーインバーターCMOSICの
入力電圧を電源電圧と接地電圧の中間電圧値から少しず
れた電圧値に制御すれば良い。(CMOSICの入力電
圧を電源電圧と接地電圧の中間値にすると一般に出力が
不安定でCMOSICの内部で電源と接地との間に貫通
電流が流れる。) また、3値(トライステート)バッファーCMOSIC
は内部出力抵抗は低く駆動能力は強いが、インヒビット
入力をインヒビットに制御(一般に接地)すれば、出力
は開放(高い抵抗)となる。したがって、図1の水平駆
動回路2に複数のトライステートバッファーCMOSI
Cを使用し、高い出力抵抗で弱く駆動する場合は、一部
のインヒビット入力をインヒビットに制御すれば良い。
【0018】さらに、以下のようにすれば、図2(a)
の波形図の点線のようになる。つまり、断続する方形波
パルス起動期間に、最初は、駆動回路を高い出力抵抗で
弱く駆動し、小振幅で共振させてから低い出力抵抗で強
く駆動する。また、方形波パルス停止開始期間に接地電
圧から電源電圧へ停止する場合は方形波パルスと逆相で
接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵抗で強く駆動して
から電源電圧に高い出力抵抗で弱く駆動し、方形波パル
スを強制的に制動する。
の波形図の点線のようになる。つまり、断続する方形波
パルス起動期間に、最初は、駆動回路を高い出力抵抗で
弱く駆動し、小振幅で共振させてから低い出力抵抗で強
く駆動する。また、方形波パルス停止開始期間に接地電
圧から電源電圧へ停止する場合は方形波パルスと逆相で
接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵抗で強く駆動して
から電源電圧に高い出力抵抗で弱く駆動し、方形波パル
スを強制的に制動する。
【0019】あるいは、以下のようにすれば、図2
(a)の波形図の1点鎖線のようになる。つまり、断続
する方形波パルス起動期間に、最初は、駆動回路を低い
出力抵抗で強く駆動し、大振幅で共振させた後は高い出
力抵抗で弱く駆動させる。また、方形波パルス停止開始
期間には接地電圧から電源電圧へ停止する場合は、方形
波パルスと逆相で接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵
抗で強く駆動してから電源電圧に高い出力抵抗で弱く駆
動し、方形波パルスを強制的に制動する。
(a)の波形図の1点鎖線のようになる。つまり、断続
する方形波パルス起動期間に、最初は、駆動回路を低い
出力抵抗で強く駆動し、大振幅で共振させた後は高い出
力抵抗で弱く駆動させる。また、方形波パルス停止開始
期間には接地電圧から電源電圧へ停止する場合は、方形
波パルスと逆相で接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵
抗で強く駆動してから電源電圧に高い出力抵抗で弱く駆
動し、方形波パルスを強制的に制動する。
【0020】図2(a)φH1、φH2のようにパルス停止
中は2組の駆動回路出力が電源電圧と接地電圧に別れる
場合は、インダクタL1の結合容量C3との接続端は電
源に接続しL2の結合容量C4との接続端は接地するこ
とにより結合容量C3、C4は不要となり、結合容量は
C1とC2の2ケですむ。
中は2組の駆動回路出力が電源電圧と接地電圧に別れる
場合は、インダクタL1の結合容量C3との接続端は電
源に接続しL2の結合容量C4との接続端は接地するこ
とにより結合容量C3、C4は不要となり、結合容量は
C1とC2の2ケですむ。
【0021】図2(a)φH1′、φH2のようにパルス
停止中は2組の駆動回路出力は、同じ電圧、即ち、電源
電圧か、接地電圧としても良いCCD撮像素子を用い、
パルス起動期間に前記2組の駆動回路出力の内1組の駆
動回路出力は残りの1組の駆動回路出力の起動よりパル
スの半周期前から接地電圧から電源電圧へ駆動する場合
は、結合容量C1もC2も短絡することにより不要とな
り、結合容量C1〜C4は全て不要となる。
停止中は2組の駆動回路出力は、同じ電圧、即ち、電源
電圧か、接地電圧としても良いCCD撮像素子を用い、
パルス起動期間に前記2組の駆動回路出力の内1組の駆
動回路出力は残りの1組の駆動回路出力の起動よりパル
スの半周期前から接地電圧から電源電圧へ駆動する場合
は、結合容量C1もC2も短絡することにより不要とな
り、結合容量C1〜C4は全て不要となる。
【0022】または、図1の水平駆動回路2に複数のト
ライステートバッファーCMOSICを使用して、駆動
回路の出力を完全な高抵抗状態にする場合はインヒビッ
ト入力を全て接地し、駆動回路の出力の抵抗を高くして
弱く駆動する場合はインヒビット入力の一部を接地し、
低い出力抵抗で強く駆動する場合はインヒビット入力の
全てを電源電圧にする。
ライステートバッファーCMOSICを使用して、駆動
回路の出力を完全な高抵抗状態にする場合はインヒビッ
ト入力を全て接地し、駆動回路の出力の抵抗を高くして
弱く駆動する場合はインヒビット入力の一部を接地し、
低い出力抵抗で強く駆動する場合はインヒビット入力の
全てを電源電圧にする。
【0023】つまり、以下のようにすれば、図2(b)
の波形図のようになる。パルス停止中はインヒビット入
力を全て接地し、駆動回路の出力は電源電圧と接地電圧
の中間の高抵抗状態となり、パルス起動期間はインヒビ
ット入力を電源電圧にして、駆動回路の出力は、電源電
圧駆動から接地電圧駆動、接地電圧駆動から電源電圧駆
動の繰り返し駆動となる。
の波形図のようになる。パルス停止中はインヒビット入
力を全て接地し、駆動回路の出力は電源電圧と接地電圧
の中間の高抵抗状態となり、パルス起動期間はインヒビ
ット入力を電源電圧にして、駆動回路の出力は、電源電
圧駆動から接地電圧駆動、接地電圧駆動から電源電圧駆
動の繰り返し駆動となる。
【0024】また、パルス停止開始期間は並列共振の損
失に応じた期間3値出力回路が方形波パルスと逆相で駆
動して方形波パルスを強制的に制動してからインヒビッ
ト入力を全て接地し、駆動回路の出力は高抵抗状態とな
る。
失に応じた期間3値出力回路が方形波パルスと逆相で駆
動して方形波パルスを強制的に制動してからインヒビッ
ト入力を全て接地し、駆動回路の出力は高抵抗状態とな
る。
【0025】図2(b)φH1、φH2のようにパルス停
止中は2組の駆動回路出力はそろって電源電圧または接
地電圧としても良いCCD撮像素子を用い、パルス停止
中は駆動回路の出力は電源電圧と接地電圧の中間の高抵
抗状態となる場合は、結合容量C1もC2も短絡するこ
とにより不要となり、インダクタL1と結合容量C3と
の接続点とインダクタL2と結合容量C4との接続点と
を接続することにより、結合容量は1ケですむ。
止中は2組の駆動回路出力はそろって電源電圧または接
地電圧としても良いCCD撮像素子を用い、パルス停止
中は駆動回路の出力は電源電圧と接地電圧の中間の高抵
抗状態となる場合は、結合容量C1もC2も短絡するこ
とにより不要となり、インダクタL1と結合容量C3と
の接続点とインダクタL2と結合容量C4との接続点と
を接続することにより、結合容量は1ケですむ。
【0026】また、簡易的には図1の結合容量C3、C
4とインダクタL1、L2とを開放して、並列インダク
タL12と容量CφHHとで並列共振回路を構成する。この
簡易的な場合には図2(a)φH1′、φH2のようにし
た場合も図2(b)φH1、φH2のようにした場合も結
合容量C1〜C4は全て不要となる。
4とインダクタL1、L2とを開放して、並列インダク
タL12と容量CφHHとで並列共振回路を構成する。この
簡易的な場合には図2(a)φH1′、φH2のようにし
た場合も図2(b)φH1、φH2のようにした場合も結
合容量C1〜C4は全て不要となる。
【0027】図2は図1の水平転送シフトレジスタクロ
ックφH1、φH2の波形図である。図2(a)の波形図
の実線のように断続する方形波パルス起動期間に駆動回
路は電源電圧から接地電圧へと起動する場合は電源電圧
から接地電圧へ低い出力抵抗で強く駆動し、接地電圧か
ら電源電圧へ高い出力抵抗で弱く駆動することにより、
φH1、φH2は方形波パルスのおよそ1周期で、φH
1′は方形波パルスのおよそ1.5周期で方形波パルス
の中心電位を電源電圧VCCの半分に安定させる。ま
た、接地電圧から電源電圧へ高い出力抵抗で弱く駆動す
ることにより、方形波パルスは電源電圧VCCを大きく
超える事はない。
ックφH1、φH2の波形図である。図2(a)の波形図
の実線のように断続する方形波パルス起動期間に駆動回
路は電源電圧から接地電圧へと起動する場合は電源電圧
から接地電圧へ低い出力抵抗で強く駆動し、接地電圧か
ら電源電圧へ高い出力抵抗で弱く駆動することにより、
φH1、φH2は方形波パルスのおよそ1周期で、φH
1′は方形波パルスのおよそ1.5周期で方形波パルス
の中心電位を電源電圧VCCの半分に安定させる。ま
た、接地電圧から電源電圧へ高い出力抵抗で弱く駆動す
ることにより、方形波パルスは電源電圧VCCを大きく
超える事はない。
【0028】図2(a)の波形図の実線のように方形波
パルス停止開始期間に接地電圧から電源電圧へ停止する
場合は方形波パルスと逆相で接地電圧から電源電圧へ低
い出力抵抗で強く駆動し、電源電圧から接地電圧へ弱く
(高い出力抵抗で)駆動し、方形波パルスのおよそ1周
期で方形波パルスを強制的に制動する。方形波パルス停
止開始期間もまた、方形波パルスと逆相で駆動すること
により、方形波パルスは電源電圧VCCを大きく超える
事はない。
パルス停止開始期間に接地電圧から電源電圧へ停止する
場合は方形波パルスと逆相で接地電圧から電源電圧へ低
い出力抵抗で強く駆動し、電源電圧から接地電圧へ弱く
(高い出力抵抗で)駆動し、方形波パルスのおよそ1周
期で方形波パルスを強制的に制動する。方形波パルス停
止開始期間もまた、方形波パルスと逆相で駆動すること
により、方形波パルスは電源電圧VCCを大きく超える
事はない。
【0029】図2(a)の波形図の点線のように断続す
る方形波パルス起動期間に駆動回路は電源電圧から接地
電圧へと起動する場合は断続する方形波パルス起動期間
に初めに駆動回路は(高い出力抵抗で)弱く駆動し、小
振幅で共振させてから(低い出力抵抗で)強く駆動する
ことにより、φH1、φH2は方形波パルスのおよそ1周
期で、φH1′は方形波パルスのおよそ1.5周期で方
形波パルスの中心電位を電源電圧VCCの半分に安定さ
せる。この場合は方形波パルス起動期間の最初の1周期
の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差(一般
に1〜2V)以下にすれば、実質的に水平転送は行われ
ず、次の大振幅の方形波パルスから水平転送が始まる。
また、接地電圧から電源電圧へ高い出力抵抗で、弱く駆
動することにより、方形波パルスは電源電圧VCCを大
きく超える事はない。
る方形波パルス起動期間に駆動回路は電源電圧から接地
電圧へと起動する場合は断続する方形波パルス起動期間
に初めに駆動回路は(高い出力抵抗で)弱く駆動し、小
振幅で共振させてから(低い出力抵抗で)強く駆動する
ことにより、φH1、φH2は方形波パルスのおよそ1周
期で、φH1′は方形波パルスのおよそ1.5周期で方
形波パルスの中心電位を電源電圧VCCの半分に安定さ
せる。この場合は方形波パルス起動期間の最初の1周期
の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差(一般
に1〜2V)以下にすれば、実質的に水平転送は行われ
ず、次の大振幅の方形波パルスから水平転送が始まる。
また、接地電圧から電源電圧へ高い出力抵抗で、弱く駆
動することにより、方形波パルスは電源電圧VCCを大
きく超える事はない。
【0030】また、共振が弱い場合は図2(a)の波形
図の点線のように、方形波パルス停止開始期間に接地電
圧から電源電圧へ停止する場合は方形波パルスと逆相で
接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵抗で強く駆動して
から電源電圧に高い出力抵抗で弱く駆動し、方形波パル
スのおよそ1.5周期で方形波パルスを強制的に制動す
る。この場合は方形波パルスの位相が乱れても、確実に
電源電圧に収束する。方形波パルス停止開始期間もま
た、方形波パルスと逆相で駆動することにより、方形波
パルスは電源電圧VCCを大きく超える事はない。
図の点線のように、方形波パルス停止開始期間に接地電
圧から電源電圧へ停止する場合は方形波パルスと逆相で
接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵抗で強く駆動して
から電源電圧に高い出力抵抗で弱く駆動し、方形波パル
スのおよそ1.5周期で方形波パルスを強制的に制動す
る。この場合は方形波パルスの位相が乱れても、確実に
電源電圧に収束する。方形波パルス停止開始期間もま
た、方形波パルスと逆相で駆動することにより、方形波
パルスは電源電圧VCCを大きく超える事はない。
【0031】図2(a)の波形図の1点鎖線のように、
断続する方形波パルス起動期間に初めに駆動回路は、低
い出力抵抗で強く駆動し、大振幅で共振させた後は、高
い出力抵抗で弱く駆動させる場合は方形波パルスのおよ
そ0.5周期で方形波パルスの中心電位を電源電圧VC
Cの半分に安定させる。大振幅で共振させた後は高い出
力抵抗で弱く駆動させることにより、方形波パルスは接
地電圧や電源電圧VCCを大きく超える事はない。
断続する方形波パルス起動期間に初めに駆動回路は、低
い出力抵抗で強く駆動し、大振幅で共振させた後は、高
い出力抵抗で弱く駆動させる場合は方形波パルスのおよ
そ0.5周期で方形波パルスの中心電位を電源電圧VC
Cの半分に安定させる。大振幅で共振させた後は高い出
力抵抗で弱く駆動させることにより、方形波パルスは接
地電圧や電源電圧VCCを大きく超える事はない。
【0032】また、方形波パルス停止開始期間には接地
電圧から電源電圧へ停止する場合は方形波パルスと逆相
で、接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵抗で強く駆動
してから、電源電圧で高い出力抵抗で弱く駆動し、方形
波パルスのおよそ1周期で方形波パルスを強制的に制動
する。この場合は方形波パルスの位相が乱れても、確実
に電源電圧に収束する。方形波パルス停止開始期間もま
た、方形波パルスと逆相で駆動することにより、方形波
パルスは電源電圧VCCを大きく超える事はない。
電圧から電源電圧へ停止する場合は方形波パルスと逆相
で、接地電圧から電源電圧へ、低い出力抵抗で強く駆動
してから、電源電圧で高い出力抵抗で弱く駆動し、方形
波パルスのおよそ1周期で方形波パルスを強制的に制動
する。この場合は方形波パルスの位相が乱れても、確実
に電源電圧に収束する。方形波パルス停止開始期間もま
た、方形波パルスと逆相で駆動することにより、方形波
パルスは電源電圧VCCを大きく超える事はない。
【0033】または、図2(b)の波形図の場合は、パ
ルス起動期間は駆動回路は電源電圧と接地電圧の中間の
高抵抗状態から、電源電圧駆動から接地電圧駆動、接地
電圧駆動から電源電圧駆動となる。方形波パルスのおよ
そ1周期で、方形波パルスの中心電位を電源電圧VCC
の半分に安定させる。大振幅で共振させた後はインヒビ
ット入力の一部を接地し、一部の駆動回路を電源電圧と
接地電圧の中間の高抵抗状態として駆動回路全体の出力
抵抗を高くして弱く駆動させることにより、方形波パル
スは接地電圧や電源電圧VCCを大きく超える事はな
い。
ルス起動期間は駆動回路は電源電圧と接地電圧の中間の
高抵抗状態から、電源電圧駆動から接地電圧駆動、接地
電圧駆動から電源電圧駆動となる。方形波パルスのおよ
そ1周期で、方形波パルスの中心電位を電源電圧VCC
の半分に安定させる。大振幅で共振させた後はインヒビ
ット入力の一部を接地し、一部の駆動回路を電源電圧と
接地電圧の中間の高抵抗状態として駆動回路全体の出力
抵抗を高くして弱く駆動させることにより、方形波パル
スは接地電圧や電源電圧VCCを大きく超える事はな
い。
【0034】また、パルス停止開始期間は駆動回路全体
が方形波パルスと逆相で駆動してから(並列共振の損失
に応じて、逆相で駆動する駆動回路の割合と期間とを制
御して、)一部の駆動回路を電源電圧と接地電圧の中間
の高抵抗状態、残りの駆動回路が方形波パルスと逆相で
駆動してから駆動回路全体が高抵抗状態となり、方形波
パルスを強制的に制動する。方形波パルスのおよそ1.
5周期で、方形波パルスを完全に制動する。
が方形波パルスと逆相で駆動してから(並列共振の損失
に応じて、逆相で駆動する駆動回路の割合と期間とを制
御して、)一部の駆動回路を電源電圧と接地電圧の中間
の高抵抗状態、残りの駆動回路が方形波パルスと逆相で
駆動してから駆動回路全体が高抵抗状態となり、方形波
パルスを強制的に制動する。方形波パルスのおよそ1.
5周期で、方形波パルスを完全に制動する。
【0035】このように、駆動回路の工夫により並列共
振を制御すれば、起動期間でも停止開始期間でも確実に
共振電圧波形は駆動回路の最大定格以内に納まる。その
ため、共振電圧波形をCMOSICの最大定格の接地−
0.5Vから電源電圧+0.5Vまたは−0.5Vから
+7Vまで拡大できる。その結果、水平転送駆動回路
は、電源電圧が非共振型の水平転送駆動回路の電源電圧
より約1Vから2V低くできる。
振を制御すれば、起動期間でも停止開始期間でも確実に
共振電圧波形は駆動回路の最大定格以内に納まる。その
ため、共振電圧波形をCMOSICの最大定格の接地−
0.5Vから電源電圧+0.5Vまたは−0.5Vから
+7Vまで拡大できる。その結果、水平転送駆動回路
は、電源電圧が非共振型の水平転送駆動回路の電源電圧
より約1Vから2V低くできる。
【0036】また、駆動期間は大振幅で共振させた後で
駆動回路の出力抵抗は高く出力電流は少ないので消費電
流も共振分半減する。
駆動回路の出力抵抗は高く出力電流は少ないので消費電
流も共振分半減する。
【0037】さらに、並列共振の起動期間と停止期間と
が単なる並列共振と比較して短縮され、水平ブランキン
グ時間が3.77μSと短いハイビジョンでも安定動作
が図れる。
が単なる並列共振と比較して短縮され、水平ブランキン
グ時間が3.77μSと短いハイビジョンでも安定動作
が図れる。
【0038】CCD撮像素子を用いたハイビジョン等の
高精細テレビジョンカメラにおいて、水平転送CCDを
2列とすることなく、つまり、2列の信号の合成回路と
固定雑音の補正回路による消費電力の増加を伴うことな
く、水平転送駆動回路の消費電力が低減する。
高精細テレビジョンカメラにおいて、水平転送CCDを
2列とすることなく、つまり、2列の信号の合成回路と
固定雑音の補正回路による消費電力の増加を伴うことな
く、水平転送駆動回路の消費電力が低減する。
【0039】そのため、消費電力が低減するので、カメ
ラヘッドが小形化しても自然空冷で発熱が許容できる。
そこで空冷ファンが不要のため手術室やクリーンルーム
での使用が用意となる。また、操作性が向上する。
ラヘッドが小形化しても自然空冷で発熱が許容できる。
そこで空冷ファンが不要のため手術室やクリーンルーム
での使用が用意となる。また、操作性が向上する。
【0040】CCD撮像素子用のタイミング回路で発生
する水平転送パルスが、1系統から2系統以上に増加す
るが、タイミング回路は一般にCMOSゲートアレイで
構成するので、パルス系統の増加による消費電力増加は
近年進んでいるCMOSゲートアレイ内部の電源電圧低
減とCMOSゲートアレイのデザインルールの縮小で吸
収できる。
する水平転送パルスが、1系統から2系統以上に増加す
るが、タイミング回路は一般にCMOSゲートアレイで
構成するので、パルス系統の増加による消費電力増加は
近年進んでいるCMOSゲートアレイ内部の電源電圧低
減とCMOSゲートアレイのデザインルールの縮小で吸
収できる。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図3
と図4を用いて説明し、次に別の一実施例を図5と図6
を用いて説明し、また次に他の別の一実施例を図5と図
7を用いて説明し、最後に更に別の一実施例を図8と図
9を用いて説明する。
と図4を用いて説明し、次に別の一実施例を図5と図6
を用いて説明し、また次に他の別の一実施例を図5と図
7を用いて説明し、最後に更に別の一実施例を図8と図
9を用いて説明する。
【0042】図3はこの発明の容量負荷駆動回路の一実
施例の回路図である。図3において、CCD撮像素子1
を駆動するφH1駆動回路12とφH2駆動回路13とは
同一構成である。図4は図3のφH1駆動回路12の波
形図である。
施例の回路図である。図3において、CCD撮像素子1
を駆動するφH1駆動回路12とφH2駆動回路13とは
同一構成である。図4は図3のφH1駆動回路12の波
形図である。
【0043】図3において、A1〜A6はTC74VH
C04U等の超高速アンバッファーインバーターCMO
SICである。(A1〜A6は大電流駆動の超高速アン
バッファーインバーターCMOSICの方が好まし
い。)R1〜R3は混合抵抗でその大きさは3R1=2
R2=R3とする。D1、D2は保護ダイオード、D
3、D4はショトキバリアダイオード、R6、R7はダ
ンピング抵抗、C1、C2は結合容量、CφH1、CφH2は
接地容量、CφHHは水平転送クロック間容量、RφHは
水平転送クロック直流抵抗、L1、L2とL12は共振イ
ンダクタである。
C04U等の超高速アンバッファーインバーターCMO
SICである。(A1〜A6は大電流駆動の超高速アン
バッファーインバーターCMOSICの方が好まし
い。)R1〜R3は混合抵抗でその大きさは3R1=2
R2=R3とする。D1、D2は保護ダイオード、D
3、D4はショトキバリアダイオード、R6、R7はダ
ンピング抵抗、C1、C2は結合容量、CφH1、CφH2は
接地容量、CφHHは水平転送クロック間容量、RφHは
水平転送クロック直流抵抗、L1、L2とL12は共振イ
ンダクタである。
【0044】2/3”相当130万画素以上の一列の水
平転送シフトレジスタCCD型撮像素子を用いたハイビ
ジョン等のテレビジョンカメラでは一般に CφH1=CφH2=70〜300PF CφHH=約50PF RφH=0〜10Ω fφH=48〜74MHz であるから、上述した(1)式(2)式から L1=1/((2πfφH)2CφH1)=16〜157n
H L12=1/((2πfφH)2CφHH)=92〜220n
H となる。
平転送シフトレジスタCCD型撮像素子を用いたハイビ
ジョン等のテレビジョンカメラでは一般に CφH1=CφH2=70〜300PF CφHH=約50PF RφH=0〜10Ω fφH=48〜74MHz であるから、上述した(1)式(2)式から L1=1/((2πfφH)2CφH1)=16〜157n
H L12=1/((2πfφH)2CφHH)=92〜220n
H となる。
【0045】また、共振が乱れて出力φH1の電圧波形
が電源VCC+VF以上と接地0−VF以下となると、シ
ョトキバリアダイオードD3、D4と抵抗R6、R7と
でダンピングされるので、純粋な共振回路を用いた駆動
回路のように容量CφH1、CφH2、CφHHに合わせてL
1、L12を調整する必要は少ない。(VFはショトキバリ
アダイオードD3、D4の順方向降下電圧でVFが0.
5V程度となる高耐圧ショトキバリアダイオードが電源
VCCの低減に適している。)超高速アンバッファーイ
ンバーターCMOSICは周知のものであるため、詳細
な説明を省略し、動作について簡単に説明する。アンバ
ッファーインバーターCMOSICは入力が電源電圧ま
たは接地電圧では、出力は入力と反転し、かつ接地電圧
または電源電圧に低い内部出力抵抗で駆動している。入
力が電源電圧と接地電圧の中間値では、出力は入力と反
転し、かつ内部出力抵抗は高く駆動能力は低い。
が電源VCC+VF以上と接地0−VF以下となると、シ
ョトキバリアダイオードD3、D4と抵抗R6、R7と
でダンピングされるので、純粋な共振回路を用いた駆動
回路のように容量CφH1、CφH2、CφHHに合わせてL
1、L12を調整する必要は少ない。(VFはショトキバリ
アダイオードD3、D4の順方向降下電圧でVFが0.
5V程度となる高耐圧ショトキバリアダイオードが電源
VCCの低減に適している。)超高速アンバッファーイ
ンバーターCMOSICは周知のものであるため、詳細
な説明を省略し、動作について簡単に説明する。アンバ
ッファーインバーターCMOSICは入力が電源電圧ま
たは接地電圧では、出力は入力と反転し、かつ接地電圧
または電源電圧に低い内部出力抵抗で駆動している。入
力が電源電圧と接地電圧の中間値では、出力は入力と反
転し、かつ内部出力抵抗は高く駆動能力は低い。
【0046】以下図3の回路の動作について簡単に説明
する。図3では方形波パルス起動期間に、最初、入力V
11と入力V12とが接地電圧で、入力V13が電源V
CCで入力VmがVCC×(5/6)で出力φH1は中
程度の出力抵抗Roで接地電圧で駆動され、次に入力V
11と入力V12とが電源VCCで、入力V13が接地
電圧で入力VmがVCC×(1/6)で出力φH1は中
程度の出力抵抗Roで電源電圧で駆動され、小振幅で共
振させてから、入力V11と入力V12と入力V13と
が接地電圧で、入力Vmが電源VCCで出力φH1は低
い出力抵抗Roで接地電圧で強く駆動することにより、
φH1は方形波パルスの1周期で、方形波パルスの中心
電位を電源電圧VCCの半分に安定させる。この場合は
方形波パルス起動期間の最初の1周期の振幅電圧を水平
転送電極のポテンシャル電圧差(一般に1〜2V)以下
にすれば、実質的に水平転送は行われず、次の大振幅の
方形波パルスから水平転送が始まる。また、接地電圧か
ら電源電圧へ中程度の出力抵抗Roで駆動することによ
り、方形波パルスは電源電圧VCCを大きく超える事は
ない。
する。図3では方形波パルス起動期間に、最初、入力V
11と入力V12とが接地電圧で、入力V13が電源V
CCで入力VmがVCC×(5/6)で出力φH1は中
程度の出力抵抗Roで接地電圧で駆動され、次に入力V
11と入力V12とが電源VCCで、入力V13が接地
電圧で入力VmがVCC×(1/6)で出力φH1は中
程度の出力抵抗Roで電源電圧で駆動され、小振幅で共
振させてから、入力V11と入力V12と入力V13と
が接地電圧で、入力Vmが電源VCCで出力φH1は低
い出力抵抗Roで接地電圧で強く駆動することにより、
φH1は方形波パルスの1周期で、方形波パルスの中心
電位を電源電圧VCCの半分に安定させる。この場合は
方形波パルス起動期間の最初の1周期の振幅電圧を水平
転送電極のポテンシャル電圧差(一般に1〜2V)以下
にすれば、実質的に水平転送は行われず、次の大振幅の
方形波パルスから水平転送が始まる。また、接地電圧か
ら電源電圧へ中程度の出力抵抗Roで駆動することによ
り、方形波パルスは電源電圧VCCを大きく超える事は
ない。
【0047】方形波パルス駆動期間は入力V11と入力
V12とが同相で、入力V13が逆相のため、入力Vm
がVCC×(1/6)で出力φH1は中程度の出力抵抗
Roで電源電圧駆動と、VCC×(5/6)で出力φH
1は中程度の出力抵抗Roで接地電圧駆動とを繰り返
し、方形波パルスは電源電圧VCCと接地電圧とを大き
く超える事はない。
V12とが同相で、入力V13が逆相のため、入力Vm
がVCC×(1/6)で出力φH1は中程度の出力抵抗
Roで電源電圧駆動と、VCC×(5/6)で出力φH
1は中程度の出力抵抗Roで接地電圧駆動とを繰り返
し、方形波パルスは電源電圧VCCと接地電圧とを大き
く超える事はない。
【0048】図2(a)の波形図の点線のように、方形
波パルス停止開始期間に接地電圧から電源電圧へ停止す
る場合は方形波パルスと逆相で入力V11と入力V12
と入力V13とが電源電圧VCCで入力Vmが接地とな
り、出力φH1は方形波パルスと逆相で低い出力抵抗R
oで電源電圧で強く駆動することにより、接地電圧から
電源電圧へ、低い出力抵抗Roで強く駆動して方形波パ
ルスを強制的に制動する。その後、入力V11と入力V
13とが接地で、入力V12が電源電圧VCCで入力V
mがVCC×(4/6)で出力φH1は高い出力抵抗R
oで弱く接地電圧で駆動して方形波パルスを弱く制動す
る。最後に入力V11と入力V12と入力V13とが電
源電圧VCCで入力Vmが接地電圧となり、出力φH1
は低い出力抵抗Roで電源電圧で強く駆動することによ
り、方形波パルスの位相が乱れても、方形波パルスの1
周期で確実に電源に収束する。この場合は方形波パルス
停止開始期間もまた、方形波パルスを強制的に逆相で制
動することにより、方形波パルスは電源電圧VCCを大
きく超える事はない。
波パルス停止開始期間に接地電圧から電源電圧へ停止す
る場合は方形波パルスと逆相で入力V11と入力V12
と入力V13とが電源電圧VCCで入力Vmが接地とな
り、出力φH1は方形波パルスと逆相で低い出力抵抗R
oで電源電圧で強く駆動することにより、接地電圧から
電源電圧へ、低い出力抵抗Roで強く駆動して方形波パ
ルスを強制的に制動する。その後、入力V11と入力V
13とが接地で、入力V12が電源電圧VCCで入力V
mがVCC×(4/6)で出力φH1は高い出力抵抗R
oで弱く接地電圧で駆動して方形波パルスを弱く制動す
る。最後に入力V11と入力V12と入力V13とが電
源電圧VCCで入力Vmが接地電圧となり、出力φH1
は低い出力抵抗Roで電源電圧で強く駆動することによ
り、方形波パルスの位相が乱れても、方形波パルスの1
周期で確実に電源に収束する。この場合は方形波パルス
停止開始期間もまた、方形波パルスを強制的に逆相で制
動することにより、方形波パルスは電源電圧VCCを大
きく超える事はない。
【0049】その結果、並列共振回路を駆動するA4〜
A6の出力φH1は図4の様に停止開始期間も起動期間
も素早く安定する。また、出力φH1は電源電圧と接地
電圧の範囲を大きく超えない。
A6の出力φH1は図4の様に停止開始期間も起動期間
も素早く安定する。また、出力φH1は電源電圧と接地
電圧の範囲を大きく超えない。
【0050】図5はこの発明の容量負荷駆動回路の別の
一実施例の回路図である。図5において、CCD撮像素
子1を駆動するφH1駆動回路12とφH2駆動回路13
とは同一構成である。図6は図5のφH1駆動回路12
の波形図である。
一実施例の回路図である。図5において、CCD撮像素
子1を駆動するφH1駆動回路12とφH2駆動回路13
とは同一構成である。図6は図5のφH1駆動回路12
の波形図である。
【0051】図5において、IC1〜IC2はTC74
LCX244等の超高速トライステートバッファーCM
OSICであり、R4、R5はIC1〜IC2の出力が
開放状態時に電源電圧と接地電圧の中間電位を保つ抵抗
である。また、図1や図2のインダクタL1、L2は省
略してあり、φH1とφH2の直流電位が等しいので、
図1や図2の容量C1〜C4も省略してある。さらに、
TC74LCXシリーズは他のCMOSICと異なり電
源電圧VCCより高い電圧を出力に加えても破壊しない
ので、図2のダイオードD1、D3と抵抗R6も省略し
てある。また、出力φH1の共振波形の中央値も、抵抗
R4<R5により定まる電位も電源電圧と接地電圧の中
間電圧より高い。図5において、その他の部品は図3と
同一である。
LCX244等の超高速トライステートバッファーCM
OSICであり、R4、R5はIC1〜IC2の出力が
開放状態時に電源電圧と接地電圧の中間電位を保つ抵抗
である。また、図1や図2のインダクタL1、L2は省
略してあり、φH1とφH2の直流電位が等しいので、
図1や図2の容量C1〜C4も省略してある。さらに、
TC74LCXシリーズは他のCMOSICと異なり電
源電圧VCCより高い電圧を出力に加えても破壊しない
ので、図2のダイオードD1、D3と抵抗R6も省略し
てある。また、出力φH1の共振波形の中央値も、抵抗
R4<R5により定まる電位も電源電圧と接地電圧の中
間電圧より高い。図5において、その他の部品は図3と
同一である。
【0052】図5において、IC1〜IC2はTC74
AC244等の超高速トライステートバッファーCMO
SICでは、図2のダイオードD1、D3と抵抗R6も
必要となる。
AC244等の超高速トライステートバッファーCMO
SICでは、図2のダイオードD1、D3と抵抗R6も
必要となる。
【0053】超高速トライステートバッファーCMOS
ICは周知のものであるため、詳細な説明は省略し、動
作について簡単に説明する。トライステートバッファー
CMOSICはインヒビット入力が電源電圧では、出力
は信号入力と同相で接地電圧または電源電圧で低い内部
出力抵抗で駆動している。インヒビット入力が接地電圧
では信号入力に関わらず、内部出力抵抗は非常に高く開
放状態になる。
ICは周知のものであるため、詳細な説明は省略し、動
作について簡単に説明する。トライステートバッファー
CMOSICはインヒビット入力が電源電圧では、出力
は信号入力と同相で接地電圧または電源電圧で低い内部
出力抵抗で駆動している。インヒビット入力が接地電圧
では信号入力に関わらず、内部出力抵抗は非常に高く開
放状態になる。
【0054】図5において、パルス停止中はIC1〜I
C2のインヒビット入力V14とV16の全てを接地し、出
力φH1は電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗状態とな
る。
C2のインヒビット入力V14とV16の全てを接地し、出
力φH1は電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗状態とな
る。
【0055】パルス起動期間はインヒビット入力V14と
V16の全てを電源電圧にして出力φH1は電源電圧と接
地電圧の中間の高抵抗状態にして、電源電圧駆動から接
地電圧駆動、接地電圧駆動から電源電圧駆動となる。方
形波パルスの1周期で、出力φH1の共振の中心電位を
電源電圧VCCの半分に安定させる。大振幅で共振させ
た後はインヒビット入力V16を接地し、IC2を高抵抗
状態として駆動回路全体の出力抵抗Roを高くして弱く
駆動させることにより、出力φH1の共振波形は接地電
圧を大きく超える事はない。
V16の全てを電源電圧にして出力φH1は電源電圧と接
地電圧の中間の高抵抗状態にして、電源電圧駆動から接
地電圧駆動、接地電圧駆動から電源電圧駆動となる。方
形波パルスの1周期で、出力φH1の共振の中心電位を
電源電圧VCCの半分に安定させる。大振幅で共振させ
た後はインヒビット入力V16を接地し、IC2を高抵抗
状態として駆動回路全体の出力抵抗Roを高くして弱く
駆動させることにより、出力φH1の共振波形は接地電
圧を大きく超える事はない。
【0056】また、パルス停止開始期間はインヒビット
入力V14とV16の全てを電源電圧にしてIC1〜IC2
が出力φH1の共振波形と逆相で駆動してから(並列共
振の損失に応じて、)IC2を高抵抗状態、IC1が出
力φH1の共振波形と逆相で駆動して出力φH1の共振
波形を強制的に制動してからIC1〜IC2が高抵抗状
態となり、出力φH1は抵抗R4<R5により電源電圧
と接地電圧の中間電圧より高い値となる。方形波パルス
の1.5周期で、出力φH1の共振波形を完全に制動す
る。
入力V14とV16の全てを電源電圧にしてIC1〜IC2
が出力φH1の共振波形と逆相で駆動してから(並列共
振の損失に応じて、)IC2を高抵抗状態、IC1が出
力φH1の共振波形と逆相で駆動して出力φH1の共振
波形を強制的に制動してからIC1〜IC2が高抵抗状
態となり、出力φH1は抵抗R4<R5により電源電圧
と接地電圧の中間電圧より高い値となる。方形波パルス
の1.5周期で、出力φH1の共振波形を完全に制動す
る。
【0057】また並列共振損失が少なくQが高くできる
場合は、パルス停止開始期間にIC2はIC1と同一期
間出力φH1の共振波形と逆相で駆動してからIC1〜
IC2が高抵抗状態となる。
場合は、パルス停止開始期間にIC2はIC1と同一期
間出力φH1の共振波形と逆相で駆動してからIC1〜
IC2が高抵抗状態となる。
【0058】逆に、並列共振損失が多くQが低い場合
は、パルス停止開始期間にIC2は高抵抗状態のままと
なる。
は、パルス停止開始期間にIC2は高抵抗状態のままと
なる。
【0059】その結果、並列共振回路を駆動するIC1
〜IC2の出力φH1は図6の様に停止開始時も起動時
も素早く安定する。
〜IC2の出力φH1は図6の様に停止開始時も起動時
も素早く安定する。
【0060】また、共振が乱れて出力φH1の電圧波形
が接地0−VF以下となると、ショトキバリアダイオー
ドD4と抵抗R7とでダンピングされるので、純粋な共
振回路を用いた駆動回路のように容量CφHHに合わせて
L12を調整する必要は少ない。(VFはショトキバリアダ
イオードD3、D4の順方向降下電圧でVFが0.5V
程度となる高耐圧ショトキバリアダイオードが電源電圧
VCCの低減に適している。) ところで抵抗R4<R
5の値は、パルス停止開始期間の最後に出力φH1をダ
ンピングする最大限の値として、出力φH1を共振駆動
する共振の損失が少なくなる様に値をきめる。
が接地0−VF以下となると、ショトキバリアダイオー
ドD4と抵抗R7とでダンピングされるので、純粋な共
振回路を用いた駆動回路のように容量CφHHに合わせて
L12を調整する必要は少ない。(VFはショトキバリアダ
イオードD3、D4の順方向降下電圧でVFが0.5V
程度となる高耐圧ショトキバリアダイオードが電源電圧
VCCの低減に適している。) ところで抵抗R4<R
5の値は、パルス停止開始期間の最後に出力φH1をダ
ンピングする最大限の値として、出力φH1を共振駆動
する共振の損失が少なくなる様に値をきめる。
【0061】図7はこの発明の容量負荷駆動回路の図5
のφH1駆動回路12の更に別の一実施例の波形図であ
る。図5において、図7の波形図の動作をする場合はR
4、R5は開放となり、L12と直列にC1が必要とな
る。IC1、IC2は電源電圧VCCより高い電圧を出
力に加えても破壊しないTC74LCX244等とす
る。IC1、IC2がTC74AC244等の場合は後
述する。
のφH1駆動回路12の更に別の一実施例の波形図であ
る。図5において、図7の波形図の動作をする場合はR
4、R5は開放となり、L12と直列にC1が必要とな
る。IC1、IC2は電源電圧VCCより高い電圧を出
力に加えても破壊しないTC74LCX244等とす
る。IC1、IC2がTC74AC244等の場合は後
述する。
【0062】インヒビット入力V14は常に電源電圧であ
り、パルス停止期間は入力V15とV17とインヒビット入
力V14とV16との全てを電源電圧にしてφH1を電源電
圧とする。
り、パルス停止期間は入力V15とV17とインヒビット入
力V14とV16との全てを電源電圧にしてφH1を電源電
圧とする。
【0063】共振が強い場合はパルス起動期間はインヒ
ビット入力V16を接地電圧にしてIC2を高抵抗状態と
して駆動回路全体の出力抵抗Roを高くしてφH1は電
源電圧から高い出力抵抗で、接地電圧で駆動してから電
源電圧駆動とし、インヒビット入力V16を電源電圧に
し、低い出力抵抗Roで接地電圧に駆動してから大振幅
で共振させた後、インヒビット入力V16を接地し、IC
2を高抵抗状態として駆動回路全体の出力抵抗Roを高
くして弱く駆動させることにより、方形波パルスの1.
5周期で、出力φH1の共振を安定させる。また、φH
1の共振波形は接地電圧を大きく超える事はない。
ビット入力V16を接地電圧にしてIC2を高抵抗状態と
して駆動回路全体の出力抵抗Roを高くしてφH1は電
源電圧から高い出力抵抗で、接地電圧で駆動してから電
源電圧駆動とし、インヒビット入力V16を電源電圧に
し、低い出力抵抗Roで接地電圧に駆動してから大振幅
で共振させた後、インヒビット入力V16を接地し、IC
2を高抵抗状態として駆動回路全体の出力抵抗Roを高
くして弱く駆動させることにより、方形波パルスの1.
5周期で、出力φH1の共振を安定させる。また、φH
1の共振波形は接地電圧を大きく超える事はない。
【0064】共振が弱い場合は、パルス起動期間はイン
ヒビット入力V16を接地電圧にしてIC2を高抵抗状態
として駆動回路全体の出力抵抗Roを高くしてφH1を
電源電圧で、高い出力抵抗Roで接地電圧で駆動し、イ
ンヒビット入力V16を電源電圧にし、低い出力抵抗Ro
で、電源電圧で駆動してから低い出力抵抗Roで接地電
圧で駆動し、大振幅で共振させた後は接地電圧駆動する
時のみインヒビット入力V16を接地し、IC2を高抵抗
状態として駆動回路全体の出力抵抗Roを高くして弱く
駆動させることにより、方形波パルスの1.5周期で、
φH1の共振を安定させる。また、φH1の共振波形は
接地電圧を大きく超える事はない。
ヒビット入力V16を接地電圧にしてIC2を高抵抗状態
として駆動回路全体の出力抵抗Roを高くしてφH1を
電源電圧で、高い出力抵抗Roで接地電圧で駆動し、イ
ンヒビット入力V16を電源電圧にし、低い出力抵抗Ro
で、電源電圧で駆動してから低い出力抵抗Roで接地電
圧で駆動し、大振幅で共振させた後は接地電圧駆動する
時のみインヒビット入力V16を接地し、IC2を高抵抗
状態として駆動回路全体の出力抵抗Roを高くして弱く
駆動させることにより、方形波パルスの1.5周期で、
φH1の共振を安定させる。また、φH1の共振波形は
接地電圧を大きく超える事はない。
【0065】この場合も方形波パルス起動期間の最初の
1周期の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差
(一般に1〜2V)以下にすれば、実質的に水平転送は
行われず、次の大振幅の方形波パルスから水平転送が始
まる。
1周期の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差
(一般に1〜2V)以下にすれば、実質的に水平転送は
行われず、次の大振幅の方形波パルスから水平転送が始
まる。
【0066】またパルス停止開始期間は、共振が強い場
合インヒビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC
2が出力φH1の共振波形と逆相で電源に駆動してから
インヒビット入力V16を接地にしてIC2を高抵抗状態
として、IC1が出力φH1の共振波形と逆相で接地電
圧駆動して出力φH1の共振波形を強制的に制動してか
らインヒビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC
2がφH1を電源電圧に固定する。
合インヒビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC
2が出力φH1の共振波形と逆相で電源に駆動してから
インヒビット入力V16を接地にしてIC2を高抵抗状態
として、IC1が出力φH1の共振波形と逆相で接地電
圧駆動して出力φH1の共振波形を強制的に制動してか
らインヒビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC
2がφH1を電源電圧に固定する。
【0067】共振が弱い場合インヒビット入力V16を電
源電圧にしてIC1〜IC2が出力φH1の共振波形と
逆相で電源電圧駆動してからインヒビット入力V16を接
地電圧にしてIC2を高抵抗状態として、IC1がφH
1を電源電圧駆動して出力φH1の共振波形を制動して
からインヒビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜I
C2がφH1を電源電圧に固定する。
源電圧にしてIC1〜IC2が出力φH1の共振波形と
逆相で電源電圧駆動してからインヒビット入力V16を接
地電圧にしてIC2を高抵抗状態として、IC1がφH
1を電源電圧駆動して出力φH1の共振波形を制動して
からインヒビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜I
C2がφH1を電源電圧に固定する。
【0068】図7では、方形波パルスの1.5周期でφ
H1の共振波形を完全に制動する。図5において、IC
1〜IC2はTC74AC244等の超高速トライステ
ートバッファーCMOSICでは、図2のダイオードD
1、D3と抵抗R6も必要となる。この場合の動作は以
下の様にIC1〜IC2がTC74LCX244等で共
振が強い場合と同様である。
H1の共振波形を完全に制動する。図5において、IC
1〜IC2はTC74AC244等の超高速トライステ
ートバッファーCMOSICでは、図2のダイオードD
1、D3と抵抗R6も必要となる。この場合の動作は以
下の様にIC1〜IC2がTC74LCX244等で共
振が強い場合と同様である。
【0069】インヒビット入力V14は常に電源電圧であ
り、パルス停止期間は入力V15とV17とインヒビット入
力V14とV16との全てを電源電圧にしてφH1を電源電
圧とする。
り、パルス停止期間は入力V15とV17とインヒビット入
力V14とV16との全てを電源電圧にしてφH1を電源電
圧とする。
【0070】パルス起動期間はインヒビット入力V16を
接地電圧にしてIC2を高抵抗状態として駆動回路全体
の出力抵抗Roを高くしてφH1は電源電圧から高い出
力抵抗Roで接地電圧駆動から電源電圧駆動とし、イン
ヒビット入力V16を電源電圧にし、低い出力抵抗Roで
接地電圧駆動して、大振幅で共振させた後はインヒビッ
ト入力V16を接地し、IC2を高抵抗状態として駆動回
路全体の出力抵抗Roを高くして弱く駆動させることに
より、方形波パルスの1.5周期で、出力φH1の共振
を安定させる。また、φH1の共振波形は電源電圧と接
地電圧を大きく超える事はない。
接地電圧にしてIC2を高抵抗状態として駆動回路全体
の出力抵抗Roを高くしてφH1は電源電圧から高い出
力抵抗Roで接地電圧駆動から電源電圧駆動とし、イン
ヒビット入力V16を電源電圧にし、低い出力抵抗Roで
接地電圧駆動して、大振幅で共振させた後はインヒビッ
ト入力V16を接地し、IC2を高抵抗状態として駆動回
路全体の出力抵抗Roを高くして弱く駆動させることに
より、方形波パルスの1.5周期で、出力φH1の共振
を安定させる。また、φH1の共振波形は電源電圧と接
地電圧を大きく超える事はない。
【0071】この場合も方形波パルス起動期間の最初の
1周期の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差
(一般に1〜2V)以下にすれば、実質的に水平転送は
行われず、次の大振幅の方形波パルスから水平転送が始
まる。
1周期の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差
(一般に1〜2V)以下にすれば、実質的に水平転送は
行われず、次の大振幅の方形波パルスから水平転送が始
まる。
【0072】またパルス停止開始期間は、インヒビット
入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC2が出力φH1
の共振波形と逆相で電源電圧駆動してからインヒビット
入力V16を接地電圧にしてIC2を高抵抗状態として、
IC1が出力φH1の共振波形と逆相で接地電圧駆動し
て出力φH1の共振波形を強制的に制動してからインヒ
ビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC2がφH
1を電源電圧に固定する。方形波パルスの1.5周期で
φH1の共振波形を完全に制動する。
入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC2が出力φH1
の共振波形と逆相で電源電圧駆動してからインヒビット
入力V16を接地電圧にしてIC2を高抵抗状態として、
IC1が出力φH1の共振波形と逆相で接地電圧駆動し
て出力φH1の共振波形を強制的に制動してからインヒ
ビット入力V16を電源電圧にしてIC1〜IC2がφH
1を電源電圧に固定する。方形波パルスの1.5周期で
φH1の共振波形を完全に制動する。
【0073】図8はこの発明の容量負荷駆動回路の別の
一実施例の回路図である。図8において、CCD撮像素
子1を駆動するφH1駆動回路12とφH2駆動回路13
とは同一構成である。図9は図8のφH1駆動回路12
の波形図である。
一実施例の回路図である。図8において、CCD撮像素
子1を駆動するφH1駆動回路12とφH2駆動回路13
とは同一構成である。図9は図8のφH1駆動回路12
の波形図である。
【0074】図8において、IC1 1/6〜IC1 6/6は
TC74AC373等の6ケ入り超高速トライステート
バッファーCMOSICであり、図1や図2のインダク
タL1、L2は省略してある。図8において、その他の
部品は図3と同一である。
TC74AC373等の6ケ入り超高速トライステート
バッファーCMOSICであり、図1や図2のインダク
タL1、L2は省略してある。図8において、その他の
部品は図3と同一である。
【0075】(また、図8において共振のQが高い場合
はIC1はTC74AC244等の8ケ入り超高速トラ
イステートバッファーCMOSICであり、IC1 1/6
〜IC1 6/6を()内の様にIC1 1/8〜IC1 8/8と
する。) 超高速トライステートバッファーCMOSICは周知の
ものであるため、詳細な説明は省略し、動作について簡
単に説明する。トライステートバッファーCMOSIC
はインヒビット入力が電源電圧では、出力は信号入力と
同相で接地電圧または電源電圧で低い内部出力抵抗で駆
動している。インヒビット入力が接地電圧では信号入力
に関わらず、内部出力抵抗は非常に高く開放状態にな
る。
はIC1はTC74AC244等の8ケ入り超高速トラ
イステートバッファーCMOSICであり、IC1 1/6
〜IC1 6/6を()内の様にIC1 1/8〜IC1 8/8と
する。) 超高速トライステートバッファーCMOSICは周知の
ものであるため、詳細な説明は省略し、動作について簡
単に説明する。トライステートバッファーCMOSIC
はインヒビット入力が電源電圧では、出力は信号入力と
同相で接地電圧または電源電圧で低い内部出力抵抗で駆
動している。インヒビット入力が接地電圧では信号入力
に関わらず、内部出力抵抗は非常に高く開放状態にな
る。
【0076】図8において、方形波パルス起動期間に初
めに、入力V14と入力V16とが電源電圧で、出力φH1
はIC1 1/6〜IC1 6/6を並列した低い出力抵抗Ro
で電源電圧から接地電圧で強く駆動し、大振幅で共振さ
せた後のパルス駆動期間はインヒビット入力V16を接地
し、IC1 3/6〜IC1 6/6の出力を開放としてIC1
1/6〜IC1 2/6の比較的高い出力抵抗Roで弱く駆動
させることにより、φH1は方形波パルスの0.5周期
で、方形波パルスの中間電位を電源電圧VCCの半分に
安定させ、パルス駆動期間の消費電流は非共振駆動時の
2/6となる。また、出力φH1の共振波形は接地電圧
を大きく超える事はない。
めに、入力V14と入力V16とが電源電圧で、出力φH1
はIC1 1/6〜IC1 6/6を並列した低い出力抵抗Ro
で電源電圧から接地電圧で強く駆動し、大振幅で共振さ
せた後のパルス駆動期間はインヒビット入力V16を接地
し、IC1 3/6〜IC1 6/6の出力を開放としてIC1
1/6〜IC1 2/6の比較的高い出力抵抗Roで弱く駆動
させることにより、φH1は方形波パルスの0.5周期
で、方形波パルスの中間電位を電源電圧VCCの半分に
安定させ、パルス駆動期間の消費電流は非共振駆動時の
2/6となる。また、出力φH1の共振波形は接地電圧
を大きく超える事はない。
【0077】またパルス停止開始期間は、インヒビット
入力V16を電源電圧にしてIC1 1/6〜IC1 6/6を並
列した低い出力抵抗Roで出力φH1の共振波形と逆相
で電源に駆動して出力φH1の共振波形を強制的に制動
してφH1を方形波パルスの1.5周期で電源電圧に固
定する。但し、この場合はパルス停止開始期間の最初の
1周期の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差
(一般に1〜2V)以下にできるので実質的に水平転送
は行われない。
入力V16を電源電圧にしてIC1 1/6〜IC1 6/6を並
列した低い出力抵抗Roで出力φH1の共振波形と逆相
で電源に駆動して出力φH1の共振波形を強制的に制動
してφH1を方形波パルスの1.5周期で電源電圧に固
定する。但し、この場合はパルス停止開始期間の最初の
1周期の振幅電圧を水平転送電極のポテンシャル電圧差
(一般に1〜2V)以下にできるので実質的に水平転送
は行われない。
【0078】波形図 図9の様にインヒビット入力V14
は常時電源電圧で、入力V15は水平転送を共振しないφ
H1駆動のパルスと同一である。インヒビット入力V16
は水平転送の停止と開始のタイミングパルスV19を水平
転送の半周期未満(約1/4周期)遅延させたパルスで
ある。
は常時電源電圧で、入力V15は水平転送を共振しないφ
H1駆動のパルスと同一である。インヒビット入力V16
は水平転送の停止と開始のタイミングパルスV19を水平
転送の半周期未満(約1/4周期)遅延させたパルスで
ある。
【0079】したがって、図8と図9との実施例では、
インヒビット入力V16を水平転送の約1/4周期遅延さ
せるだけで、新規のパルスタイミングを追加する事無
く、回路を工夫するのみで、水平転送を共振駆動してパ
ルス駆動期間の消費電流は非共振駆動時の2/6とな
る。
インヒビット入力V16を水平転送の約1/4周期遅延さ
せるだけで、新規のパルスタイミングを追加する事無
く、回路を工夫するのみで、水平転送を共振駆動してパ
ルス駆動期間の消費電流は非共振駆動時の2/6とな
る。
【0080】
【発明の効果】本発明によれば、超高画素数のCCD撮
像素子を用いたハイビジョン等の高精細テレビジョンカ
メラにおいて、水平転送CCDを2列とすることなく、
回路を工夫するのみで、消費電力と発熱との低減が可能
であるため、空冷ファンなしで、小形軽量なハイビジョ
ン等の高精細テレビカメラが実現でき、操作性が向上す
る。 また、高価な超高画素CCD撮像素子の水平転送
CCDの特性のバラツキを吸収できるため、選別基準を
ゆるめたCCD撮像素子を使用でき、ハイビジョンカメ
ラの低価格化が実現できる。
像素子を用いたハイビジョン等の高精細テレビジョンカ
メラにおいて、水平転送CCDを2列とすることなく、
回路を工夫するのみで、消費電力と発熱との低減が可能
であるため、空冷ファンなしで、小形軽量なハイビジョ
ン等の高精細テレビカメラが実現でき、操作性が向上す
る。 また、高価な超高画素CCD撮像素子の水平転送
CCDの特性のバラツキを吸収できるため、選別基準を
ゆるめたCCD撮像素子を使用でき、ハイビジョンカメ
ラの低価格化が実現できる。
【図1】本発明の全体構成を示すブロック図。
【図2】本発明の動作を説明するための波形図。
【図3】本発明の一実施例を示す回路図。
【図4】本発明の一実施例の動作を説明するための波形
図。
図。
【図5】本発明の他の一実施例を示す回路図。
【図6】本発明の他の一実施例の動作を説明するための
波形図。
波形図。
【図7】本発明の他の一実施例の動作を説明するための
波形図。
波形図。
【図8】本発明の更に他の一実施例を示す回路図。
【図9】本発明の更に他の一実施例の動作を説明するた
めの波形図。
めの波形図。
11:レンズ、 1:CCD撮像素子、 2:水平転送
駆動回路、3:CCDタイミング発生回路、 4:垂直
転送駆動回路、φH1,φH2:水平転送クロック駆動
パルス、 Vcc:電圧源、L1,L2,L12:共振
インダクタ、A1〜A6:アンバッファーインバーター
CMOSIC、IC1〜IC2:トライステートバッフ
ァーCMOSIC。
駆動回路、3:CCDタイミング発生回路、 4:垂直
転送駆動回路、φH1,φH2:水平転送クロック駆動
パルス、 Vcc:電圧源、L1,L2,L12:共振
インダクタ、A1〜A6:アンバッファーインバーター
CMOSIC、IC1〜IC2:トライステートバッフ
ァーCMOSIC。
Claims (14)
- 【請求項1】 容量負荷とインダクタとで構成された並
列共振回路を断続する方形波パルスで駆動する駆動回路
において、上記断続する方形波パルス起動時、上記断続
する方形波パルスの定常駆動時および上記断続する方形
波パルス停止開始時、上記駆動回路の出力抵抗をそれぞ
れ変化させて駆動することを特徴とする容量負荷駆動回
路。 - 【請求項2】 容量負荷とインダクタとで構成させた並
列共振回路を断続する方形波パルスで駆動する請求項1
記載の駆動回路において、前記断続するパルス停止中は
前記の駆動回路出力は電源電圧または接地電圧とし、前
記断続する方形波パルス起動時は前記の駆動回路は電源
電圧から接地電圧へと起動する場合、電源電圧から接地
電圧へは比較的低い出力抵抗で駆動し、接地電圧から電
源電圧へと起動する場合、接地電圧から電源電圧へは比
較的低い出力抵抗で駆動し、前記断続する方形波パルス
の定常駆動時は前記の駆動回路出力は比較的高い出力抵
抗で駆動し、前記断続する方形波パルス停止開始時に接
地電圧から電源電圧へ停止する場合、前記断続する方形
波パルスと逆相で接地電圧から電源電圧へは比較的低い
出力抵抗で駆動し、電源電圧から接地電圧へ停止する場
合、前記断続する方形波パルスと逆相で電源電圧から接
地電圧へは比較的低い出力抵抗で駆動することを特徴と
する容量負荷駆動回路。 - 【請求項3】 請求項2において、前記断続する方形波
パルス起動時、前記の駆動回路が電源電圧から接地電圧
へと起動する場合、電源電圧から接地電圧へは比較的高
い出力抵抗で駆動し、接地電圧から電源電圧へは比較的
高い出力抵抗で駆動し、電源電圧から接地電圧へは比較
的低い出力抵抗で駆動し、接地電圧から電源電圧へは比
較的高い出力抵抗で駆動し、接地電圧から電源電圧へと
起動する場合は、接地電圧から電源電圧へは比較的高い
出力抵抗で駆動し、電源電圧から接地電圧へは比較的高
い出力抵抗で駆動してから、接地電圧から電源電圧へを
比較的低い出力抵抗で駆動し、電源電圧から接地電圧へ
は比較的高い出力抵抗で駆動し、前記断続する方形波パ
ルス停止開始時に接地電圧から電源電圧へ停止する場合
は前記断続する方形波パルスと逆相で接地電圧から電源
電圧へは比較的低い出力抵抗で駆動し、電源電圧から接
地電圧へは比較的高い出力抵抗で駆動し、電源電圧から
接地電圧へ停止する場合は前記断続する方形波パルスと
逆相で電源電圧から接地電圧へは比較的低い出力抵抗で
駆動し、接地電圧から電源電圧へは比較的高い出力抵抗
で駆動することを特徴とする容量負荷駆動回路。 - 【請求項4】 請求項2または請求項3において、前記
の駆動回路をアンバッファーインバーターの相補型金属
酸化シリコン集積回路として、前記断続するパルス停止
中は前記の駆動回路の入力を接地電圧または電源電圧と
し、接地電圧へを比較的低い出力抵抗で駆動する場合に
前記の駆動回路の入力は電源電圧とし、接地電圧へを比
較的高い出力抵抗で駆動する場合に前記の駆動回路の入
力は電源電圧と接地電圧の中間で接地電圧に近い値と
し、電源電圧へは比較的高い出力抵抗で駆動する場合、
前記の駆動回路の入力は電源電圧と接地電圧の中間で、
電源電圧に近い値とし、電源電圧へを比較的低い出力抵
抗で駆動する場合に前記の駆動回路の入力は接地とする
ことを特徴とする容量負荷駆動回路。 - 【請求項5】 請求項4において、前記の駆動回路入力
電圧を複数の相補型金属酸化シリコン集積回路の出力を
抵抗網で混合したことにより発生させたことを特徴とす
る容量負荷駆動回路。 - 【請求項6】 請求項2または請求項3において、前記
の駆動回路を複数の3値出力の相補型金属酸化シリコン
集積回路として、前記の駆動回路の入力を接地電圧また
は電源電圧とし、比較的低い出力抵抗で駆動する場合に
前記の駆動回路の全てのインヒビット入力をアクティブ
に制御し、比較的高い出力抵抗で駆動する場合に前記の
駆動回路の一部のインヒビット入力をインヒビットに制
御することを特徴とする容量負荷駆動回路。 - 【請求項7】 容量負荷とインダクタとで構成させた並
列共振回路を断続する方形波パルスで駆動する複数の3
値出力回路を並列化し、前記断続する方形波パルス停止
中は前記複数の3値出力回路は電源電圧と接地電圧の中
間の高抵抗状態となり、前記断続する方形波パルス起動
時は前記一部の3値出力回路は電源電圧と接地電圧の中
間の高抵抗状態から起動し、電源電圧から接地電圧と、
接地電圧から電源電圧となり、前記断続する方形波パル
スの半周期後に残りの3値出力回路は電源電圧と接地電
圧の中間の高抵抗状態から起動し前記断続する方形波パ
ルスと同相で接地電圧から電源電圧と、電源電圧から接
地電圧となってから電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗
状態となり、前記断続する方形波パルス停止開始時は前
記複数の3値出力回路は、少なくとも一部が前記断続す
る方形波パルスの逆相で駆動してから全てが電源電圧と
接地電圧の中間の高抵抗状態となることを特徴とする容
量負荷駆動回路。 - 【請求項8】 容量負荷とインダクタとで構成させた並
列共振回路を断続する方形波パルスで駆動する複数の3
値出力回路を並列化し、前記断続する方形波パルス停止
中は前記複数の3値出力回路は全てが電源電圧と接地電
圧の中間の高抵抗状態となり、前記断続する方形波パル
ス起動時は前記複数の3値出力回路は電源電圧と接地電
圧の中間の高抵抗状態から同一位相で全てが起動し、電
源電圧から接地電圧と接地電圧から電源電圧となってか
ら一部が電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗状態とな
り、前記断続する方形波パルス停止開始時は前記複数の
3値出力回路は少なくとも一部が前記断続する方形波パ
ルスの逆相で駆動してから後に全てが高抵抗状態となる
ことを特徴とする容量負荷駆動回路。 - 【請求項9】 請求項7または請求項8において、前記
複数の3値出力回路を相補型金属酸化シリコン集積回路
で構成し、インヒビット入力をインヒビットに制御する
ことより出力を高抵抗状態に変化させることを特徴とす
る容量負荷駆動回路。 - 【請求項10】 請求項2または請求項6において、前
記の駆動回路出力と接地との間または前記の駆動回路出
力と電源との間の少なくとも1つに逆接続ショトキーバ
リアダイオードと抵抗とを直列接続したことを特徴とす
る容量負荷駆動回路。 - 【請求項11】 請求項10において、前記の駆動回路
出力と接地との間または前記の駆動回路出力と電源との
間の少なくとも1つに逆接続ダイオードを接続したこと
を特徴とする容量負荷駆動回路。 - 【請求項12】 互いに容量結合した2組の容量負荷同
士を結合容量を介せずにインダクタで接続させて、並列
共振回路を構成させた回路を断続する方形波パルスで駆
動する2組の駆動回路において、前記断続するパルス停
止中は前記2組の駆動回路出力はそろって電源電圧また
は接地電圧または電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗状
態のいずれか1つとなり、前記断続する方形波パルス駆
動時は前記2組の駆動回路出力は互いに逆相で電源電圧
と接地電圧を繰返すことを特徴とする容量負荷駆動回
路。 - 【請求項13】 請求項12において、前記断続するパ
ルス停止中は前記2組の駆動回路出力はそろって電源電
圧または接地電圧となり、前記2組の駆動回路出力の内
1組の駆動回路出力は前記断続する方形波パルス起動時
は前記の駆動回路は電源電圧から接地電圧へと起動する
場合、電源電圧から接地電圧へは比較的低い出力抵抗で
駆動し、接地電圧から電源電圧へは比較的高い出力抵抗
で駆動し、接地電圧から電源電圧へと起動する場合は、
接地電圧から電源電圧へは比較的低い出力抵抗で駆動
し、電源電圧から接地電圧へは比較的高い出力抵抗で駆
動し、前記2組の駆動回路出力の内他組の駆動回路出力
は前記断続する方形波パルス起動時は前記の駆動回路
は、電源電圧から接地電圧へと起動する場合は、前記断
続する方形波パルスの1周期半、電源電圧から接地電圧
へ比較的高い出力抵抗で駆動し、接地電圧から電源電圧
へと起動する場合は、前記断続する方形波パルスの1周
期半、接地電圧から電源電圧へ比較的高い出力抵抗で駆
動し、前記断続する方形波パルス停止開始時に、接地電
圧から電源電圧へ停止する場合は、接地電圧から電源電
圧へは比較的低い出力抵抗で駆動し、電源電圧から接地
電圧へは比較的高い出力抵抗で駆動し、電源電圧から接
地電圧へ停止する場合は、電源電圧から接地電圧へは比
較的低い出力抵抗で駆動し、接地電圧から電源電圧へは
比較的高い出力抵抗で駆動することを特徴とする容量負
荷駆動回路。 - 【請求項14】 請求項12において、3値出力回路を
用いて、前記断続する方形波パルス停止中は前記3値出
力回路は電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗状態とな
り、前記断続する方形波パルス起動時は前記3値出力回
路は電源電圧と接地電圧の中間の高抵抗状態から起動
し、電源電圧から接地電圧と、接地電圧から電源電圧と
なり、前記断続する方形波パルス停止開始時は、前記3
値出力回路は電源電圧と接地電圧の繰返しから電源電圧
と接地電圧の中間の高抵抗状態となることを特徴とする
容量負荷駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8204516A JPH1051691A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 容量負荷駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8204516A JPH1051691A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 容量負荷駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1051691A true JPH1051691A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16491834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8204516A Pending JPH1051691A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 容量負荷駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1051691A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006112151A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-26 | Sony Corporation | 容量性インピーダンスを持つ素子を駆動する駆動方法および駆動装置並びに撮像装置 |
JP4643802B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2011-03-02 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子の駆動装置 |
US10629351B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-04-21 | Sony Corporation | Semiconductor device, semiconductor chip, and system |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP8204516A patent/JPH1051691A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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