JPH1050850A - Lsi layout method - Google Patents

Lsi layout method

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JPH1050850A
JPH1050850A JP22039996A JP22039996A JPH1050850A JP H1050850 A JPH1050850 A JP H1050850A JP 22039996 A JP22039996 A JP 22039996A JP 22039996 A JP22039996 A JP 22039996A JP H1050850 A JPH1050850 A JP H1050850A
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semiconductor
lsi
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To divert LSI's and layout design resources which have already existed and reduce a LSI development work amount by a method wherein a cell of basic logic unit is structured of magnitude integral times a pitch of basic dimensional unit. SOLUTION: When cells 1 to 11 constituting basic logic unit are formed on a semiconductor substrate, magnitude of occupied contour, input/output signals, power source terminal position, and wiring routes to connect a plurality of elements are structured integral times a pitch of basic dimensional unit and prescribed. Respective signal terminals and wirings are laid out and connected on lattices arranged at a pitch of basic dimensional unit to constitute LSI's. As described above, a basic logic cell is prescribed at a pitch of basic dimensional unit without depending on a semiconductor process, and this basic dimension can be changed corresponding to semiconductor design. Thereby, it is possible to reduce work steps required for design and enable LSI development for a short period.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スタンダードセル
方式の半導体集積回路に関し、特に、配置配線設計に関
する。
The present invention relates to a standard cell type semiconductor integrated circuit, and more particularly to a layout and wiring design.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1に、スタンダードセルを用いた半導
体集積回路(「LSI」という)でのレイアウト設計の
一例を示す。図中、1〜11は、基本論理回路である、
インバータ、2入力NAND、3入力NANDといった
機能をもつスタンダードセルを示している。また、図
中、白抜四角の記号で示した端子は入力端子、黒塗四角
の記号で示した端子は出力端子を示し、これらを接続す
る配線を矢印で表示している。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows an example of a layout design in a semiconductor integrated circuit (referred to as "LSI") using standard cells. In the figure, 1 to 11 are basic logic circuits.
A standard cell having functions such as an inverter, a two-input NAND, and a three-input NAND is shown. In the figure, terminals indicated by white square symbols indicate input terminals, terminals indicated by black square symbols indicate output terminals, and wires connecting these terminals are indicated by arrows.

【0003】LSIの微細化などのため、半導体プロセ
スが、第1の半導体プロセス(“テクノロジA”)から
第2の半導体プロセス(“テクノロジB”)に更新され
る場合を考える。
Consider a case where a semiconductor process is updated from a first semiconductor process (“technology A”) to a second semiconductor process (“technology B”) due to miniaturization of an LSI or the like.

【0004】この第2の半導体プロセスにおいては、半
導体基板上で回路を構成する設計寸法が更新され、微細
化に伴って各部寸法が縮小されるのが一般的である。
In the second semiconductor process, it is general that the design dimensions of a circuit on a semiconductor substrate are updated, and the dimensions of each part are reduced with miniaturization.

【0005】LSIのレイアウト設計の従来方式では、
配置・配線を、自動化ツールにより行う都合上、ある基
本単位寸法のピッチで並ぶ格子に沿って素子配置、配線
を行なっている。
In the conventional method of LSI layout design,
For the purpose of arranging and wiring by an automated tool, the elements are arranged and wired along a grid arranged at a pitch of a certain basic unit size.

【0006】しかしながら、上記したような半導体プロ
セスの更新により、設計寸法が縮小変更された場合、性
能追及をするためには、図3に示すように、個々の基本
回路のスタンダードセルの大きさの縮小が回路によって
異なり、その結果、各セルの配置の相対的位置の関係が
異なることになる。
However, when the design dimensions are reduced and changed by the above-described semiconductor process update, in order to pursue the performance, as shown in FIG. 3, the size of the standard cell of each basic circuit is reduced. The reduction differs depending on the circuit, and as a result, the relationship of the relative positions of the arrangement of the cells differs.

【0007】また、LSIの微細化への方法としてLS
Iの機能部の全体を一律に各寸法を縮小(リダクショ
ン)する手法がある。
As a method for miniaturization of LSI, LS
There is a method of uniformly reducing (reducing) each dimension of the entire functional unit of I.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来方式は下
記記載の問題点を有している。
The above-mentioned conventional system has the following problems.

【0009】(1)第1の問題点は、半導体製造プロセ
スの更新によりLSIの微細化が行なわれると、再度、
LSIの配置、配線のレイアウト設計を行なわねばなら
ず、莫大な設計作業量を要する、ということである。
(1) The first problem is that when the LSI is miniaturized by updating the semiconductor manufacturing process, the LSI must be renewed.
This means that LSI layout and wiring layout design must be performed, which requires an enormous amount of design work.

【0010】その理由は、半導体プロセス更新に伴う設
計寸法の変更により、論理機能を構成する基本論理セル
の大きさが異なり、このため各セルの配置の相対的位置
関係がくずれてしまう、ことによる。
The reason is that the size of the basic logic cell constituting the logic function differs due to the change of the design dimension accompanying the semiconductor process update, and the relative positional relationship of the arrangement of each cell is lost. .

【0011】(2)第2の問題点は、LSIの機能部の
全体を一律に縮小する場合、機能を構成する各階層のブ
ロックを流用することができず、各LSIを、個別にレ
イアウト設計することが必要とされ、やはり大きな設計
作業量を要する、ということである。
(2) The second problem is that when the entire functional unit of the LSI is uniformly reduced, blocks of each hierarchical level constituting a function cannot be used, and the layout of each LSI is individually designed. And it also requires a large amount of design work.

【0012】したがって、本発明は、上記事情に鑑みて
なされたものであって、その目的は、スタンダードセル
方式のLSI設計において、LSIの微細化等を伴い、
新たなLSI設計を行う際に、半導体プロセスによら
ず、スタンダードセル及びこれを組合せた論理ブロック
の配置、配線情報を流用せしめ、これにより設計に要す
る作業工数を低減し、短期でのLSI開発を可能とする
レイアウト方式を提供することにある。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to reduce the size of an LSI in a standard cell LSI design.
When designing a new LSI, the arrangement and wiring information of standard cells and logic blocks combining them are diverted, regardless of the semiconductor process, thereby reducing the number of man-hours required for the design and shortening LSI development in a short time. An object of the present invention is to provide a layout method that can be used.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のレイアウト方式は、複数のトランジスタ素
子をもつ論理機能ブロックを複数個半導体集積回路基板
に形成するスタンダードセル方式の半導体集積回路にお
いて、基本の論理単位を構成するセルを半導体基板上に
おいて形成する際に占める外形の大きさ、入出力信号及
び電源供給端子位置、複数の素子を接続する配線経路
を、基本寸法単位のピッチの整数倍で構成して規定す
る、ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a layout method according to the present invention is directed to a standard cell type semiconductor integrated circuit in which a plurality of logic function blocks having a plurality of transistor elements are formed on a semiconductor integrated circuit substrate. The size of the external shape occupied when forming the cells constituting the basic logical unit on the semiconductor substrate, the position of the input / output signal and the power supply terminal, and the wiring path connecting the plurality of elements are represented by an integer of the pitch of the basic dimensional unit It is characterized in that it is composed and specified as double.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態を以
下に説明する。本発明は、その好ましい実施の形態にお
いて、LSIの基本の論理セルをLSI基板レイアウト
上で構成する際に、セルの大きさ、入出力端子の位置
を、基本寸法単位のピッチによる格子上に配列する上
で、半導体プロセス上での設計寸法によらず、各基本セ
ルのピッチ上で換算した大きさを同一とし、配置位置の
相対関係を、基本寸法単位のピッチの格子上で保ったセ
ルとしてレイアウト設計を行うようにしたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below. According to a preferred embodiment of the present invention, when configuring a basic logic cell of an LSI on an LSI substrate layout, the size of the cell and the positions of the input / output terminals are arranged on a lattice with a pitch of a basic dimension unit. In doing so, regardless of the design dimensions in the semiconductor process, the size converted on the pitch of each basic cell shall be the same, and the relative position of the arrangement position shall be maintained on the pitch grid of the basic dimension unit. This is a layout design.

【0015】また、本発明の実施の形態においては、基
本論理単位のセルを、好ましくは、基本寸法単位のピッ
チの整数倍に組合せ配置し、階層的に大規模な論理ブロ
ックを構成するものである。
In the embodiment of the present invention, the cells of the basic logical unit are preferably combined and arranged at an integral multiple of the pitch of the basic dimensional unit to form a hierarchically large-scale logical block. is there.

【0016】さらに、本発明の実施の形態においては、
基本寸法単位のピッチは、半導体製造プロセスに関る、
異なる設計寸法に対応し可変とされる。
Further, in the embodiment of the present invention,
The basic unit pitch is related to the semiconductor manufacturing process.
It is variable according to different design dimensions.

【0017】これにより、異なる設計寸法の半導体プロ
セスに対するLSIのレイアウト設計においても、LS
I全体あるいはLSI内の一部機能構成ブロックについ
て、基本寸法単位を変更することのみで、内部のセルの
配置の相対的な位置を変えることなく、既存のレイアウ
トデータ資源の流用活用を行なうことができる。
As a result, even in the LSI layout design for semiconductor processes of different design dimensions, the LS
It is possible to reuse existing layout data resources without changing the relative positions of the internal cells only by changing the basic dimension unit for the entire I or some functional blocks in the LSI. it can.

【0018】[0018]

【実施例】本発明の実施例について図面を参照して以下
に説明する。図1を参照すると、本発明の実施例におい
ては、基本の論理単位のセル1〜11の各々を、基本寸
法単位のピッチの整数倍の大きさで構成し、各信号端子
および配線を基本寸法単位のピッチで配列する格子(図
示しない)上に配置接続し、LSIを構成したものであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, in the embodiment of the present invention, each of the cells 1 to 11 of the basic logical unit is configured to have a size of an integral multiple of the pitch of the basic size unit, and each signal terminal and wiring are set to the basic size. It is arranged and connected on a grid (not shown) arranged at a unit pitch to form an LSI.

【0019】図2は、図1に示したLSIに対して、異
なる半導体プロセスにて微細化を図った際の、本実施例
によるレイアウト結果の一例を示す図であり、図1で使
用の基本セルの基本寸法単位のピッチを縮小して、LS
I配置を行なったものである。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a layout result according to this embodiment when miniaturization is performed on the LSI shown in FIG. 1 by a different semiconductor process. LS is reduced by reducing the pitch of the cell's basic dimension unit.
This is the result of the I arrangement.

【0020】図2に示すように、各セル1〜11の配置
の相対的位置関係は、図1におけるLSIの各セルの配
置の相対的位置関係と等価であることがわかる。
As shown in FIG. 2, it can be seen that the relative positional relationship between the cells 1 to 11 is equivalent to the relative positional relationship between the cells in the LSI shown in FIG.

【0021】本実施例においては、プロセスによらず、
セルの大きさ、端子位置を基本寸法単位のピッチ上で同
一とした基本論理セルを規定することにより、LSIを
構成する基本論理セルとこれを階層的に組合わせた論理
機能ブロックを、基本寸法単位を半導体プロセスに応じ
て設定し、配置・配線を行なう。これらのデータの縮小
/拡大の寸法設定の作業は、市販のCADツール又はレ
イアウト、情報データのテキスト・レベルでの変換によ
り極く一般的に可能である。
In this embodiment, regardless of the process,
By defining basic logic cells having the same cell size and terminal position on the pitch of the basic dimension unit, the basic logic cells constituting the LSI and the logic function blocks obtained by hierarchically combining the basic logic cells can be defined. The unit is set according to the semiconductor process, and arrangement and wiring are performed. The task of dimensioning the reduction / enlargement of these data is very generally possible with commercial CAD tools or layout, text-level conversion of information data.

【0022】図1を参照して、半導体プロセス“テクノ
ロジA”による、スタンダードセルのインバータ1はピ
ッチ幅1ピッチのセル、2入力NANDセル2はピッチ
幅2ピッチのセル、3入力NANDセル3はピッチ幅3
ピッチのセル…等に規定されて任意の論理機能を実現す
るために配置されている。また信号端子及び配線は図示
しない格子上に配置され、セル内端子位置はセル内での
相対的位置を固定されているものである。
Referring to FIG. 1, in a semiconductor process "technology A", a standard cell inverter 1 has a pitch of 1 pitch, a 2-input NAND cell 2 has a pitch of 2 pitch, and a 3-input NAND cell 3 has Pitch width 3
Arranged in order to realize an arbitrary logical function defined by cells having a pitch. The signal terminals and wirings are arranged on a lattice (not shown), and the terminal positions in the cell are fixed relative positions in the cell.

【0023】図2は、図1の論理機能を半導体プロセス
“テクロノジB”にて実現しているものであり、基本寸
法単位のピッチを、図1の1/2としたものであり、各
セルの相対的な配置関係は図1と同一である。
FIG. 2 shows the logic function of FIG. 1 realized by the semiconductor process "Technology B". The pitch of the basic dimension unit is reduced to half that of FIG. Are the same as those in FIG.

【0024】これに対して、前述した従来の方式では、
図3に示すように、セル構成をテクノロジAと無関係に
規定したものでのセルの相対的な配置が異なるため、配
置の再設計が必要とされている。
On the other hand, in the conventional method described above,
As shown in FIG. 3, since the relative arrangement of the cells is different when the cell configuration is defined independently of the technology A, the arrangement needs to be redesigned.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
既存のLSI、レイアウト設計資源が流用することがで
き、LSI開発作業量を低減することができる、という
効果を奏する。
As described above, according to the present invention,
There is an effect that existing LSI and layout design resources can be diverted, and the amount of LSI development work can be reduced.

【0026】その理由は、本発明においては、基本論理
セルを半導体プロセスに依存することなく、基本寸法単
位のピッチにより規定し、この基本寸法を半導体設計に
応じて可変できるものとしたことによる。
The reason is that, in the present invention, the basic logic cell is defined by the pitch of the basic dimension unit without depending on the semiconductor process, and the basic dimension can be changed according to the semiconductor design.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を説明するための図であり、第
1の半導体プロセスによるLSIの配置配線例を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention, and is a diagram illustrating an example of arrangement and wiring of an LSI by a first semiconductor process.

【図2】本発明の実施例を説明するための図であり、第
2の半導体プロセスによるLSIの配置配線例を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention, and is a diagram showing an example of arrangement and wiring of LSIs by a second semiconductor process.

【図3】従来方式での半導体プロセスによるLSIの配
置配線例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an arrangement and wiring of an LSI by a semiconductor process in a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜11 基本論理セル 1ピッチ 基本寸法単位 INV、2NAND 論理機能 テクノロジA、B 半導体プロセス名 1 to 11 basic logic cell 1 pitch basic dimension unit INV, 2NAND logic function technology A, B semiconductor process name

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のトランジスタ素子をもつ論理機能ブ
ロックを複数個半導体集積回路基板に形成するスタンダ
ードセル方式の半導体集積回路において、 基本の論理単位を構成するセルを半導体基板上において
形成する際に占める外形の大きさ、入出力信号及び電源
供給端子位置、複数の素子を接続する配線経路を、基本
寸法単位のピッチの整数倍で構成してなることを特徴と
する半導体集積回路のレイアウト方式。
In a standard cell type semiconductor integrated circuit in which a plurality of logic function blocks having a plurality of transistor elements are formed on a semiconductor integrated circuit substrate, when a cell constituting a basic logic unit is formed on the semiconductor substrate, A layout method of a semiconductor integrated circuit, wherein a size of an external shape occupied, positions of input / output signals and power supply terminals, and a wiring path connecting a plurality of elements are constituted by an integral multiple of a pitch of a unit of a basic dimension.
【請求項2】半導体集積回路(「LSI」という)を構
成する基本論理セルのLSI基板上へのレイアウトにお
いて、 前記基本論理セルの大きさを、基本寸法単位のピッチの
整数倍とし、半導体プロセスによらないセルを規定し、 前記基本寸法単位のピッチ寸法は半導体プロセスで定ま
る設計寸法に応じて可変に調整され、 異なる半導体プロセスに対しても基本寸法単位ピッチ上
で前記基本論理セルの相対的位置関係を同一としたこと
を特徴とする半導体集積回路のレイアウト方式。
2. A semiconductor process according to claim 1, wherein the layout of the basic logic cells constituting the semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as “LSI”) is performed on an LSI substrate. The pitch dimension of the basic dimension unit is variably adjusted according to a design dimension determined by a semiconductor process, and the relative pitch of the basic logic cell on the basic dimension unit pitch is different for different semiconductor processes. A layout method for a semiconductor integrated circuit, wherein the positional relationship is the same.
【請求項3】前記基本論理単位のセルを、基本寸法単位
のピッチの整数倍に組合せ配置し、階層的に大規模な論
理ブロックを構成する、ことを特徴とする請求項1記載
の半導体集積回路のレイアウト方式。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein cells of said basic logical unit are arranged in combination at an integral multiple of a pitch of a basic dimension unit to form a hierarchically large-scale logical block. Circuit layout method.
【請求項4】前記基本寸法単位のピッチは、半導体製造
プロセスに関る、異なる設計寸法に対応し可変としたこ
とを特徴とする請求項1又は3記載の半導体集積回路の
レイアウト方式。
4. The layout method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the pitch of the basic dimension unit is variable corresponding to different design dimensions related to a semiconductor manufacturing process.
【請求項5】半導体製造プロセスによらず、基本寸法単
位のピッチで規定してなる前記基本論理セルおよび大規
模論理ブロックを組合せてレイアウト設計を行うことを
特徴とする請求項1〜4のいずれか一に記載の半導体集
積回路のレイアウト方式。
5. The layout design according to claim 1, wherein the layout design is performed by combining the basic logic cells and the large-scale logic blocks defined by the pitch of the basic dimension unit regardless of the semiconductor manufacturing process. 2. The layout method of a semiconductor integrated circuit according to claim 1.
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