JP3359178B2 - Layout method of semiconductor integrated circuit - Google Patents

Layout method of semiconductor integrated circuit

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JP3359178B2 JP05810495A JP5810495A JP3359178B2 JP 3359178 B2 JP3359178 B2 JP 3359178B2 JP 05810495 A JP05810495 A JP 05810495A JP 5810495 A JP5810495 A JP 5810495A JP 3359178 B2 JP3359178 B2 JP 3359178B2
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    • H01L2924/1433Application-specific integrated circuit [ASIC]

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンコンパイラ装
置により製作されるASIC(ApplicationSpecific IC
)等の半導体集積回路の配置配線方式に関するもので
ある。
The present invention relates to an ASIC (Application Specific IC) manufactured by a silicon compiler.
) And the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンコンパイラ装置とは、LSIの
機能を高級言語(各論理設計CADごとに異なる)で記
述し、それをコンパイルし、機械語に相当する言語に落
し、LSI製造用のマスクレイアウトデータ(以下、マ
スクデータという)を得ることができる装置をいう。即
ち、シリコンコンパイラ装置は、高級言語で記述された
論理回路を回路図として入力する。これにより、回路図
をデータベースとして、シリコンコンパイラネットリス
トを生成し、各種ライブラリパラメータ(回路のレイア
ウト等)をセットする。そして、コンパイル、マスクデ
ータの作成という順序で、論理回路から配置・配線まで
を行い、マスクデータを生成する。このように、LSI
の仕様が与えられれば、マスクデータのパターン設計ま
でが人手を介さずに自動的に行われる。
2. Description of the Related Art A silicon compiler device describes an LSI function in a high-level language (different for each logic design CAD), compiles it, converts it into a language equivalent to a machine language, and creates a mask layout for LSI manufacture. Refers to an apparatus that can obtain data (hereinafter, referred to as mask data). That is, the silicon compiler device inputs a logic circuit described in a high-level language as a circuit diagram. Thus, a silicon compiler netlist is generated using the circuit diagram as a database, and various library parameters (circuit layout and the like) are set. Then, in the order of compilation and creation of mask data, processing from logic circuit to arrangement and wiring is performed to generate mask data. Thus, LSI
Is given, the pattern design of the mask data is automatically performed without manual operation.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術には、次のような課題があった。即ち、半
導体集積回路の機能や論理の変更等が生じたときは、マ
スクレイアウトデータを作り直さなければならない。そ
の場合、ウェハ工程(前工程)において、素子間分離工
程、素子形成工程、配線工程等のすべてのマスクデータ
を作り直さなければならなかった。従って、変更後の半
導体集積回路の設計・製造期間が長くなるとともに、開
発費用が増大してしまった。
However, the above-mentioned prior art has the following problems. That is, when the function or logic of the semiconductor integrated circuit is changed, the mask layout data must be recreated. In that case, in the wafer process (pre-process), all the mask data in the device isolation process, the device formation process, the wiring process, and the like have to be recreated. Therefore, the design and manufacturing period of the changed semiconductor integrated circuit is lengthened, and the development cost is increased.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の配置配線方式は、上述した課題を解決するため、基板
上で所定の機能を実現するよう、各回路を配置及び配線
するためのマスクレイアウトデータをシリコンコンパイ
ラ装置によって生成し、当該マスクレイアウトデータを
用いて製造された半導体集積回路において、以下の点を
特徴とするものである。 (1) 初期の所定機能を実現するための必要領域を備える。 当該必要領域が形成された基板と同一の基板上に形成
され、当該必要領域とあわせて前記所定機能を修正した
機能を実現するためのゲートアレイ及び機能セルのいず
れか一方又は双方から成る未使用領域を備える。
According to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit arrangement / wiring method for arranging and wiring each circuit so as to realize a predetermined function on a substrate. A semiconductor integrated circuit produced by using a silicon compiler device to generate layout data and using the mask layout data has the following features. (1) A necessary area for realizing an initial predetermined function is provided. An unused portion which is formed on the same substrate as the substrate on which the required region is formed, and which comprises one or both of a gate array and a functional cell for realizing a function in which the predetermined function is modified in accordance with the required region With an area.

【0005】(2)(1)において、未使用領域は、一
方向に基本ゲートを配列し、それと垂直な方向に当該基
本ゲート相互及び当該基本ゲートと必要領域とを接続す
るための配線チャネルを配置したチャネル型ゲートアレ
イから成る。 (3)(1)において、未使用領域は、一方向に所定単
位の機能を実現する機能セルを配列し、それと垂直な方
向に当該機能セル相互及び当該機能セルと必要領域とを
接続するための配線チャネルを配置したものである。 (4)(1)において、未使用領域は、基本ゲートを敷
き詰めたチャネルレスゲートアレイから成る。
(2) In (1), in the unused area, a basic gate is arranged in one direction, and a wiring channel for connecting the basic gates with each other and the basic gate with a necessary area is arranged in a direction perpendicular to the basic gate. It consists of an arranged channel type gate array. (3) In (1), the unused area is for arranging function cells for realizing a function of a predetermined unit in one direction and connecting the function cells to each other and the function cell to a necessary area in a direction perpendicular to the array. Are arranged. (4) In (1), the unused area comprises a channelless gate array in which basic gates are laid.

【0006】[0006]

【作用】[Action]

(1)半導体集積回路の初期の所定の機能は、必要領域
によって実現される。必要領域は、機能セルから成り、
シリコンコンパイラ装置によりビルディングブロック方
式で生成される。シリコンコンパイラ装置は、ウェハ工
程において配線工程までのすべてのマスクデータを作成
する。この場合、必要領域の他にゲートアレイ又は機能
セルから成る未使用領域が形成される。この未使用領域
は、初期の機能仕様では、必要領域の機能セルとは接続
されない。その後、改良等のため、機能の変更が生じた
ときは必要領域の機能セルの構造及び未使用領域の構造
はそのままにして配線を変えるだけで機能を変更するこ
とができる。この結果、配線工程の手前までの工程は機
能変更前と全く同じとなり、同じマスクデータを使用す
ることができる。即ち、配線工程のマスクデータのみを
新たに作成すればよい。また、配線工程の前までのウェ
ハがすでに製造されている場合に、そのウェハを機能変
更後のウェハの製造に用いることができる。
(1) An initial predetermined function of a semiconductor integrated circuit is realized by a necessary area. The required area consists of functional cells,
It is generated in a building block system by a silicon compiler device. The silicon compiler generates all the mask data up to the wiring process in the wafer process. In this case, an unused area including a gate array or a functional cell is formed in addition to the necessary area. This unused area is not connected to the function cell of the necessary area in the initial function specification. Thereafter, when the function is changed for improvement or the like, the function can be changed only by changing the wiring while keeping the structure of the function cell in the necessary area and the structure of the unused area. As a result, the steps before the wiring step are exactly the same as before the function change, and the same mask data can be used. That is, only the mask data of the wiring process needs to be newly created. Further, when the wafer before the wiring step is already manufactured, the wafer can be used for manufacturing the wafer after the function change.

【0007】(2)(1)において、未使用領域の構造
をチャネル型ゲートアレイとした結果、配線の自由度が
大きく、僅かな機能変更に対しては種々の内容の変更に
柔軟に対応することができる。 (3)(1)において、未使用領域の構造を汎用的な機
能セルとした結果、将来の機能変更がある程度予測でき
る場合に僅かな面積の未使用領域によりそのような機能
変更に対応することができる。 (4)(1)において、未使用領域の構造をチャネルレ
スゲートアレイとした結果、予備のゲートを狭い面積の
未使用領域に収納しておくことができる。
(2) In (1), the structure of the unused area is a channel type gate array, so that the degree of freedom of wiring is large, and a slight change in function can flexibly cope with various changes of contents. be able to. (3) In (1), when the structure of the unused area is a general-purpose function cell, if the future function change can be predicted to some extent, the unused area with a small area can cope with such function change. Can be. (4) In (1), as a result of using a channelless gate array for the structure of the unused area, the spare gate can be stored in the unused area having a small area.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 (第1実施例)図1は、本発明の半導体集積回路の配置
配線方式の第1実施例のブロック図である。図示の回路
は、必要領域1の他に、未使用領域2を備えている。必
要領域1は、機能セル11〜14の組み合わせから成
り、ビルディングブロック方式で作成される。このよう
なビルディングブロック方式は、LSIの開発にあたっ
て、設計を容易にするものの一種である。これは、既に
設計済みのブロックを機能セル11〜14として配置し
て、各機能セル間及び機能セルとボンディングパッド1
0間を配線により接続するものである。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of a layout method of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. The illustrated circuit includes an unused area 2 in addition to the necessary area 1. The necessary area 1 is composed of a combination of the function cells 11 to 14 and is created by a building block method. Such a building block method is a kind of one that facilitates design in developing an LSI. This is because the already designed blocks are arranged as the function cells 11 to 14, and between the function cells and between the function cells and the bonding pads 1.
0 is connected by wiring.

【0009】未使用領域2は、必要領域1の空き領域に
設けられる。この未使用領域2は、チャネル型ゲートア
レイから成る。即ち、図1に示すように、基本ゲート2
1、22を一方向に配列し、これと垂直な方向に基本ゲ
ート相互又は基本ゲート・機能セル間、基本ゲート・ボ
ンディングパッド間を接続し得る配線チャネル20を備
える。基本ゲートの最小規模は、少なくともアンド、オ
ア等の1つの論理を実現できる規模とする。
The unused area 2 is provided in a free area of the necessary area 1. This unused region 2 is formed of a channel type gate array. That is, as shown in FIG.
1 and 22 are arranged in one direction, and a wiring channel 20 capable of connecting basic gates to each other, or between basic gates and functional cells, and between basic gates and bonding pads is provided in a direction perpendicular to this. The minimum scale of the basic gate is a scale that can implement at least one logic such as AND and OR.

【0010】次に、上述した回路の機能変更について説
明する。図1のような構成のLSIが製作された後、機
能・論理の変更等が必要になったとする。この場合、必
要領域1のセル構造及び未使用領域2のゲートアレイ構
造は変更せず、例えば、図2に示すように、相互の配線
のみを変更する。従って、製造工程においては、配線工
程のみが異なり、配線工程の直前までの工程は変更前と
同様となる。このため、マスク又はレティクルも配線工
程の直前までは変更前のものを流用することができる。
配線工程用のマスク又はレティクルについては、マスク
データを作成して製作する。マスクデータの作成は、シ
リコンコンパイラ装置を用いて行うか、又は既存のデー
タの一部に手を加えることにより、手動で配置・配線し
て行う。この場合のマスクデータの作成の手順は、以下
のようになる。
Next, the function change of the above-mentioned circuit will be described. It is assumed that after the LSI having the configuration as shown in FIG. 1 is manufactured, it is necessary to change functions and logic. In this case, the cell structure of the necessary area 1 and the gate array structure of the unused area 2 are not changed, and, for example, only the mutual wiring is changed as shown in FIG. Therefore, in the manufacturing process, only the wiring step is different, and the steps immediately before the wiring step are the same as before the change. Therefore, the mask or reticle can be diverted to the one before the change until immediately before the wiring step.
A mask or reticle for the wiring process is manufactured by creating mask data. The mask data is created by using a silicon compiler or by manually arranging and wiring by modifying a part of the existing data. The procedure for creating the mask data in this case is as follows.

【0011】ウェハ工程のうち、素子間分離工程及び素
子形成工程は論理回路の変更後も全く同じとなる。従っ
て、素子間分離工程及び素子形成工程のマスクデータは
流用することができる。配線工程のマスクデータは新た
に作成し、以下の条件を満たすようなものとする。 (1)必要領域1の機能セル11〜14は削除すべきもの
がないときは全て配線まで含めて使用する。 (2)必要領域1の機能セルに削除すべきものがあるとき
は、配線を切断することにより、削除する。 (3)追加すべき論理回路があるときは、未使用領域2の
基本ゲートで構成されるゲートアレイに多層配線を施す
ことによって追加部分の論理回路を機能セルイメージで
作成する。そして、その追加部分の論理回路と必要領域
1の機能セルとを配線で接続する。
In the wafer process, the device isolation process and the device formation process are exactly the same after the change of the logic circuit. Therefore, the mask data in the element separation step and the element formation step can be used. It is assumed that mask data for the wiring process is newly created to satisfy the following conditions. (1) When there is no function cell 11 to 14 in the necessary area 1 to be deleted, all the function cells 11 to 14 are used including the wiring. (2) When there is a function cell in the necessary area 1 to be deleted, the wiring is cut to delete it. (3) When there is a logic circuit to be added, a logic array of an additional portion is created by a functional cell image by applying a multilayer wiring to a gate array composed of basic gates in the unused area 2. Then, the logic circuit of the additional portion and the functional cell in the necessary area 1 are connected by wiring.

【0012】このようにして、論理回路の一部に変更が
生じた場合、配線工程のマスクデータのみを作成すれば
済むので、以下のような利点がある。即ち、ウェハ工程
における素子間分離工程及び素子形成工程までが終了
し、配線工程が未終了のウェハが用意されていれば、そ
のウェハに変更後の配線工程を施すことにより、変更後
のチップを搭載したウェハを製造することができる。従
って、配線工程だけで新たなチップを搭載したウェハの
製造をできるため、ウェハ工程の全体を行う場合に比べ
て製造期間を5分の1程度に短縮することができる。ま
た、配線工程が未終了のウェハを無駄にせずに有効に利
用することができる。更に、マスクデータの作成、マス
ク又はレティクルの製作も配線工程についてのみ行えば
よいので、ウェハ工程全体について行う場合に比べて開
発費用を4分の1程度に抑えることができる。更にま
た、チャネル型ゲートアレイを用いることにより、配線
チャネルが存在する分、配線の自由度が大きく、例えば
数百〜数千論理ゲートレベルの論理変更も可能である。
As described above, when a change occurs in a part of the logic circuit, only the mask data in the wiring process need be created, and the following advantages are provided. In other words, if the process up to the device separation process and the device formation process in the wafer process is completed and a wafer for which the wiring process has not been completed is prepared, the changed chip is performed by performing the changed wiring process on the wafer. A mounted wafer can be manufactured. Therefore, since a wafer on which a new chip is mounted can be manufactured only by the wiring process, the manufacturing period can be reduced to about one-fifth as compared with the case where the entire wafer process is performed. Further, the wafer for which the wiring process has not been completed can be effectively used without wasting. Further, since the mask data creation and the mask or reticle fabrication need only be performed in the wiring process, the development cost can be reduced to about a quarter as compared with the case of performing the entire wafer process. Further, by using the channel type gate array, the degree of freedom of wiring is increased by the existence of the wiring channel, and it is possible to change the logic of, for example, several hundred to several thousand logic gate levels.

【0013】(第2実施例)図3は、本発明の半導体集
積回路の配置配線方式の第2実施例のブロック図であ
る。図示の回路は、必要領域1の他に、未使用領域2a
を備えている。必要領域1は、上述した第1実施例と同
様である。未使用領域2aは、特定の論理を実現できる
機能セル21a、22aを単位として配置される。初期
の状態では、未使用領域2a内での機能セル21a、2
2a相互は配線せず、機能セル21a、22a内のみで
配線する。尚、機能セル21a、22a内での配線は図
示を省略している。未使用領域2a内での機能セル21
a、22aの並べ方は、一方向に各種の機能セルを配置
し、それと垂直な方向に配線チャネル20aを配置する
ビルディングブロック方式である。即ち、未使用領域2
aの機能セル構成は、必要領域1と同様である。
(Second Embodiment) FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the arrangement and wiring method of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. The illustrated circuit includes an unused area 2a in addition to the necessary area 1.
It has. The necessary area 1 is the same as in the first embodiment described above. The unused area 2a is arranged in units of function cells 21a and 22a that can realize a specific logic. In the initial state, the function cells 21a and 2a in the unused area 2a
2a is not wired, but is wired only in the function cells 21a and 22a. The wiring in the function cells 21a and 22a is not shown. Function cell 21 in unused area 2a
The method of arranging a and 22a is a building block system in which various functional cells are arranged in one direction and the wiring channel 20a is arranged in a direction perpendicular to the functional cells. That is, the unused area 2
The function cell configuration of “a” is the same as that of the required area 1.

【0014】上述した回路の変更の手順については、上
述した第1実施例の場合と機能セル内が既に配線されて
いることのみが異なり、これ以外は同様である。図4に
示すように、第2実施例では、チップ内の論理回路に追
加部分があるとき、未使用領域2a内の機能セル又は各
機能セルの組み合わせによりそのような追加部分を作成
する。この場合、機能セル内に既に配線が施されている
ため、第1実施例と比べて新たに追加する配線は少なく
て済む。従って、第2実施例では、第1実施例の効果に
加えて配線のためのマスクデータ量が少なくて済み、マ
スク費用をより安価にすることができるという効果が得
られる。また、比較的頻繁に必要とされる機能セルが予
めわかっていれば、それを不要領域の所定位置に作り込
んでおき、必要になったとき結線して使用することによ
り短時間で回路の変更が可能となるという効果もある。
The procedure of changing the circuit is the same as that of the first embodiment except that the inside of the function cell is already wired, and the other steps are the same. As shown in FIG. 4, in the second embodiment, when there is an additional portion in the logic circuit in the chip, such an additional portion is created by a function cell in the unused area 2a or a combination of each function cell. In this case, since the wiring has already been provided in the function cell, the number of newly added wirings can be reduced as compared with the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the amount of mask data for wiring can be reduced and the mask cost can be further reduced. In addition, if the function cells that are required relatively frequently are known in advance, they are built in predetermined positions in the unnecessary area, and when necessary, they are connected and used to change the circuit in a short time. There is also an effect that it becomes possible.

【0015】(第3実施例)図5は、本発明の半導体集
積回路の配置配線方式の第3実施例のブロック図であ
る。図示の回路は、必要領域1の他に、未使用領域2b
を備えている。必要領域1は、上述した第1実施例及び
第2実施例と同様である。未使用領域2bは、チャネル
レスゲートアレイから成る。即ち、第1実施例と同様に
ゲートアレイから成るが、配線チャネルがない敷き詰め
型のゲートアレイである。回路の変更手順は、上述した
第1実施例と基本的に同様であるが、配線チャネルがな
いため、ゲートアレイ使用効率は小さい。尚、多層配線
を利用することもできる。
(Third Embodiment) FIG. 5 is a block diagram of a third embodiment of the arrangement and wiring method of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. The illustrated circuit includes an unused area 2b in addition to the necessary area 1.
It has. The necessary area 1 is the same as in the above-described first and second embodiments. The unused area 2b is composed of a channelless gate array. That is, it is a laid-down gate array which is composed of a gate array as in the first embodiment, but has no wiring channel. The procedure for changing the circuit is basically the same as that of the first embodiment, but the use efficiency of the gate array is low because there is no wiring channel. Note that a multilayer wiring can be used.

【0016】第3実施例では、論理回路の機能・論理の
変更がほんの僅かであることが想定できる場合、例え
ば、信号伝搬経路に遅延回路を設けるためにインバータ
を2段挿入するといった程度の論理変更の場合、図6に
示すように、配線チャネルを使わずに回路変更に対応す
ることができる。従って、第1実施例に比べて同一の変
更機能を高集積化されたチャネルレスゲートアレイによ
り実現することができ、未使用領域2bを縮小すること
ができる。尚、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能であることはもちろんで
ある。例えば、上述した実施例では、未使用領域2、2
a、2bをゲートアレイ又は機能セルのいずれかにより
構成しているが、双方を合せ持つようにしてもよい。
In the third embodiment, when it can be assumed that the function and logic of the logic circuit are slightly changed, for example, a logic such as inserting two inverters in order to provide a delay circuit in the signal propagation path is used. In the case of a change, as shown in FIG. 6, it is possible to cope with a circuit change without using a wiring channel. Therefore, the same change function can be realized by a highly integrated channelless gate array as compared with the first embodiment, and the unused area 2b can be reduced. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, the unused areas 2, 2
Although a and 2b are constituted by either a gate array or a functional cell, both may be combined.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路の配置配線方式によれば、回路の機能の僅かな変
更に対応するための未使用領域を作っておくようにした
ので、次のような効果がある。即ち、半導体集積回路の
機能や論理の変更等が生じたときに、マスクレイアウト
データをすべて作り直す必要はなく、配線工程のマスク
レイアウトデータのみを作り直すことにより対応するこ
とができる。従って、製造期間を短縮することができる
とともに、開発費用の大部分を節約することができる。
As described above, according to the arrangement and wiring method of a semiconductor integrated circuit of the present invention, an unused area for responding to a slight change in the function of the circuit is created. The effect is as follows. That is, when a change in the function or logic of the semiconductor integrated circuit occurs, it is not necessary to re-create all the mask layout data, and it is possible to cope with it by re-creating only the mask layout data in the wiring process. Therefore, the manufacturing period can be shortened, and most of the development cost can be saved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体集積回路の配置配線方式の第1
実施例のブロック図である。
FIG. 1 shows a first example of a layout method of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
It is a block diagram of an example.

【図2】本発明の半導体集積回路の配置配線方式の第1
実施例における配線変更後のブロック図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a first arrangement and wiring method of a semiconductor integrated circuit according to the present invention;
It is a block diagram after wiring change in an Example.

【図3】本発明の半導体集積回路の配置配線方式の第2
実施例のブロック図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a second example of the layout method of the semiconductor integrated circuit according to the present invention;
It is a block diagram of an example.

【図4】本発明の半導体集積回路の配置配線方式の第2
実施例における配線変更後のブロック図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a second example of the layout method of the semiconductor integrated circuit according to the present invention;
It is a block diagram after wiring change in an Example.

【図5】本発明の半導体集積回路の配置配線方式の第3
実施例のブロック図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a third example of the layout method of the semiconductor integrated circuit according to the present invention;
It is a block diagram of an example.

【図6】本発明の半導体集積回路の配置配線方式の第3
実施例における配線変更後のブロック図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a third example of the layout method of the semiconductor integrated circuit according to the present invention;
It is a block diagram after wiring change in an Example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 必要領域 2、2a、2b 未使用領域 1 Required area 2, 2a, 2b Unused area

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上で所定の機能を実現するよう、各
回路を配置及び配線するためのマスクレイアウトデータ
をシリコンコンパイラ装置によって生成し、当該マスク
レイアウトデータを用いて製造された半導体集積回路に
おいて、 初期の所定機能を実現するための必要領域と、 当該必要領域が形成された基板と同一の基板上に形成さ
れ、当該必要領域とあわせて前記所定機能を修正した機
能を実現するためのゲートアレイ及び機能セルのいずれ
か一方又は双方から成る未使用領域とを備えたことを特
徴とする半導体集積回路の配置配線方式。
1. A silicon compiler device generates mask layout data for arranging and wiring each circuit so as to realize a predetermined function on a substrate, and the semiconductor integrated circuit manufactured using the mask layout data. A required area for realizing an initial predetermined function, and a gate formed on the same substrate as the substrate on which the required area is formed, and for realizing a function obtained by modifying the predetermined function together with the required area An arrangement and wiring method for a semiconductor integrated circuit, comprising: an unused area comprising one or both of an array and a functional cell.
【請求項2】 前記未使用領域は、一方向に基本ゲート
を配列し、それと垂直な方向に当該基本ゲート相互及び
当該基本ゲートと前記必要領域とを接続するための配線
チャネルを配置したチャネル型ゲートアレイから成るこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の配置配
線方式。
2. The unused area is a channel type in which basic gates are arranged in one direction, and wiring channels for connecting the basic gates to each other and connecting the basic gates to the required area are arranged in a direction perpendicular to the basic gates. 2. The layout method according to claim 1, wherein the layout method comprises a gate array.
【請求項3】 前記未使用領域は、一方向に所定単位の
機能を実現する機能セルを配列し、それと垂直な方向に
当該機能セル相互及び当該機能セルと前記必要領域とを
接続するための配線チャネルを配置したことを特徴とす
る請求項1記載の半導体集積回路の配置配線方式。
3. The unused area for arranging function cells for realizing a function of a predetermined unit in one direction and connecting the function cells to each other and the function cell to the necessary area in a direction perpendicular to the array. 2. The method according to claim 1, wherein wiring channels are arranged.
【請求項4】 前記未使用領域は、基本ゲートを敷き詰
めたチャネルレスゲートアレイから成ることを特徴とす
る請求項1記載の半導体集積回路の配置配線方式。
4. The layout method according to claim 1, wherein said unused area comprises a channelless gate array in which basic gates are laid.
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