JPH1050773A - 半導体装置並びに半導体素子及び基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微小なピッチの電極用パッドを多数備えたフ
リップチップ接続方式の半導体素子を基板にハンダ付け
する際、自己整列作用を積極的に活用し、位置合せ精度
の低下による接続不良の解消を図る。 【解決手段】 半導体素子２１の各電極用パッド２３と
基板３１の各電極用パッド３３とが正しく対面した際に
対面する配置で、各電極用パッド２３，３３より面積が
大きいハンダ付け面を有する位置合せ用パッド２４，３
４を各々設け、対面する位置合せ用パッド２４，３４同
士もハンダ付けする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップタ
イプの半導体素子を基板に接続してなる半導体装置並び
に半導体素子及び基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の実装方式のうち、フリップ
チップ接続方式は、一主面の全面に電極（入出力端子）
用パッドを配置した半導体素子（以下、単に素子ともい
う）をフェースダウンで基板の各電極用パッドにハンダ
付けにより接続したものであり、高密度でその接続がで
きるものとして広く採用されている。

【０００３】このフリップチップ接続方式によるアッセ
ンブリーにおいては、素子と基板の各電極用パッドが平
面視合致する（重なる）ように位置決めしてハンダ付け
工程に送られるが、その過程で受ける種々の振動等によ
り、図６−Ａに示したように、素子１２１と基板１３１
の各電極用パッド１２２，１３２相互間に平面的な位置
ずれＺが生じてしまうことがある。このような位置ずれ
Ｚが生じても、同図に示したようにそれが比較的小さい
状態で電極用パッド１２２，１３２同士及びそれらに形
成されたハンダ１５３，１５３同士が対面しているよう
な場合には、図６−Ｂに示したように、その電極用パッ
ド１２２，１３２間の溶融したハンダ１５３同士が接触
して適度に濡れることにより、溶融ハンダ自体の持つ表
面張力により位置ずれをなくす、いわゆる自己整列作用
（Self Alignment）が働き、ハンダ付け後には図６−Ｃ
に示したように自動的に正しい位置に合される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
自己整列作用が実現されるのも、電極用パッドのハンダ
付け面の平面的な重なり（面積）が５０％以上であるよ
うな場合、つまり比較的位置ずれの小さい場合に限ら
れ、例えばその重なり面積がこれより小さくなるなど対
面するパッド相互間の位置ずれが大きくなると、最早そ
のような作用による正確な位置合せは期待できず、接続
不良となることがあった。

【０００５】すなわち、図７−Ａに示したように、基板
１３１の電極用パッド１３２に素子１２１のそれをハン
ダ付けする際、基板１３１の電極用パッド１３２，１３
２…に対して、素子１２１の電極用パッド１２２，１２
２…が例えば２／３ピッチずれて位置しており、その下
でハンダ１５３が溶融された場合には、図７−Ｂに示し
たようにそのずれた位置で接触しているハンダ１５３同
士が濡れ、その間で自己整列作用がはたらき、図７−Ｃ
に示したように１ピッチ（列）ずれた位置で接続されて
しまう。

【０００６】一方、素子の高密度化により、電極用パッ
ドのピッチは１０ミル（１０／１０００インチ）から１
５ミルと非常に小さくなり、これにつれて電極用パッド
も小さくなってきている。このように基板や素子の電極
用パッド及びそのピッチが小さくなると、わずかな位置
ずれでも電極用パッドの１／２〜１ピッチ分近い位置ず
れとなることより、上記のような接続不良が極めて発生
しやすくなっている。すなわち、電極用パッドのハンダ
付け面の面積（以下、パッド面積ともいう）及びピッチ
が大きければ、多少の位置ずれがあっても自己整列作用
でそのずれが吸収される。しかし、パッド面積及びピッ
チが近時のように微小になってくると、僅かな位置ずれ
（誤差）でもパッドの１ピッチに対して高い割合のずれ
となり、電極用パッドの溶融ハンダの持つ自己整列作用
では正しい位置合せが不可能となり、１ピッチ分ずれて
接続されるなどの接続不良が発生しやすく、これが半導
体装置の製品歩留まりの低下を招いているといった問題
があった。

【０００７】本発明は、かかる問題点を解消すべく案出
したもので、その目的とするところは、フリップチップ
接続方式の半導体素子（チップ）であって微小なピッチ
及び大きさの電極用パッドを多数備えたものを、基板の
電極用パッドにハンダ付けしてなる半導体装置におい
て、そのハンダ付け時に発生している位置ずれに起因す
る接続不良を解消することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、フリップチップタイプの半導体素子の複
数の電極用パッドを、基板の複数の電極用パッドにハン
ダ付けしてなる半導体装置において、該半導体素子及び
該基板に、半導体素子の各電極用パッドと基板の各電極
用パッドとが正しく対面した際に対面する配置で、各電
極用パッドより面積が大きいハンダ付け面を有する位置
合せ用パッドを各々備えており、該対面する位置合せ用
パッド同士がハンダ付けされてなることを特徴とする。

【０００９】上記の手段によれば、素子と基板に、電極
用パッドとは別に、そのハンダ付け面より面積が大きい
ハンダ付け面をもつ位置合せ用パッドを設け、その対面
する位置合せ用パッド同士でもハンダ付けされてなるも
のであるため、電極用パッド同士のハンダ付けに際して
位置ずれがあり、それが電極用パッド同士のハンダ付け
による自己整列作用で吸収できないような場合でも、位
置合せ用パッド同士を接続する溶融ハンダの自己整列作
用により解消される範囲であれば、問題なく電極用パッ
ド相互間がハンダ付けされる。なお、位置合せ用パッド
の大きさや形状は、それ同士のハンダ付け面の重なりが
なるべく大きくなるように、すなわち自己整列作用が有
効に働くように、半導体装置に応じてその数及び配置と
共に設計すればよい。なお、位置合せ用パッドは、電極
用パッドと同様の手法で素子及び基板にそれぞれ形成す
ればよい。

【００１０】すなわち、半導体素子の位置合せ用パッド
は、その電極用パッドと同様に、同素子に形成されたＡ
ｌ層上に、Ｔｉをスパッタリングし、その上にＣｕメッ
キ、Ｎｉメッキ及びＡｕメッキすることで形成するか、
Ｃｒをスパッタリングし、その上にＣｕメッキ、Ｎｉメ
ッキ及びＡｕメッキすることなどで形成できる。また、
基板の位置合せ用パッドについても、電極用パッドと同
様の手法で形成すればよい。すなわち、基板がセラミッ
クで位置合せ用パッドを同時焼成により形成する場合に
は、例えばセラミック未焼成体に同パッド用のタングス
テンやモリブデン等の高融点金属ペーストを印刷して同
時焼成した後、Ｎｉメッキ及びＡｕメッキすることで形
成される。また、セラミック焼成体に、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎ
ｉをスパッタリングし、その上にＮｉメッキ及びＡｕメ
ッキすることでも形成できるし、プリント基板ではＣｕ
メッキなどを施すことで形成される。

【００１１】上記手段において、半導体素子と基板の対
面する位置合せ用パッド（ハンダ付け面）同士は、各電
極用パッド同士が正しく対面した際、合致（同形、同
寸）若しくは略合致するように形成するのが好ましい。
自己整列作用により位置合せ精度を高くできるからであ
る。もっとも、本発明では、基板と素子の位置合せ用パ
ッド間の溶融ハンダで自己整列作用が働いて電極用パッ
ド間の位置ずれが解消されればよいことから、これに限
定されるものではない。例えば、対面する位置合せ用パ
ッドのうち、素子のそれが正方形で、基板のそれがその
正方形に内接する配置で形成された円形であっても良い
し、同外径の円形であっても一方をリング形状とするこ
ともできる。

【００１２】さらに、位置合せ用パッドのハンダ付け面
の形状は、基板と素子の位置合せ用パッド間の溶融ハン
ダで自己整列作用が働いて電極用パッド間の位置ずれが
解消されればよく、したがって矩形或いはＬ形などの任
意の形状とすることも可能である。また、このように対
面する位置合せ用パッド同士を円形以外の形状にしたと
きは、その各位置合せ用パッドの平面的なねじれによる
位置ずれがあっても、そのねじれが解消される方向に自
己整列作用が働くことになる。

【００１３】そして、上記手段において位置合せ用パッ
ドは、半導体素子及び基板の各々に複数形成するとよ
い。位置合せ精度を高めやすいためである。その数は、
好ましくは３か所又は４か所である。３か所又は４か所
とすると、これを略等間隔若しくはなるべく離して配置
することにより、電極用パッド群の縦横に対して具合良
く自己整列作用が働くからである。

【００１４】そして、各位置合せ用パッドは略円形と
し、その直径を、電極用パッド相互の最小ピッチの２．
５倍〜５倍とするとよい。ここに最小ピッチとは、電極
用パッドの縦列又は横列によってピッチが異なる場合の
ように、そのピッチが一定でない場合にはそのうちの最
小のピッチをいう。２．５倍以上としたのは次の理由に
よる。電極用パッドの平面形状は通常は円形である一
方、電極用パッドが最小ピッチの約１ピッチずれて基板
の電極用パッドに対面した際でも、位置合せ用パッドの
溶融ハンダによる自己整列作用により位置合せされるの
が好ましい。そしてこれを位置合せ用パッド間の溶融ハ
ンダによる自己整列作用で実現するためには、前記した
ようにそのハンダ付け面の面積の平面的な重なりを５０
％程度要する。さらに、位置合せ用パッドは略円形とす
るのが製造上などからも好ましく、したがって、これを
円形とする場合には、その直径は少なくとも電極用パッ
ド相互の最小ピッチの約２．５倍となるからである。一
方、５倍以下としたのは、これより大きいと素子の大型
化を招くためである。

【００１５】さらに、上記半導体装置の各手段において
は、位置合せ用パッド同士をハンダ付けしているハンダ
が、電極用パッド同士をハンダ付けしているハンダより
低融点のハンダからなるものとするとよい。このような
ハンダを用いれば、位置合せ用パッドのハンダが先に溶
融するので、それが自己整列作用をなすことで電極用パ
ッドを正しく対面させた後、電極用パッドのハンダが溶
融してその接続をするからである。なお、ハンダは、鉛
−すずを主成分とする合金（Ｐｂ−Ｓｎ）などから適宜
のものを用いれば良く、また、低融点ハンダには電極用
パッドのハンダより共晶組成に近い組成のものや、Ｉ
ｎ、Ｂｉ等を添加したものなどから適宜選択して用いれ
ばよい。

【００１６】なお本発明のうち、フリップチップタイプ
の半導体素子の複数の電極用パッドを、基板の複数の電
極用パッドにハンダ付けしてなる半導体装置に用いられ
る半導体素子は、その電極用パッド群の形成面側に、各
電極用パッドのハンダ付け面より面積が大きいハンダ付
け面を有する位置合せ用パッドを備えているものであ
る。このようにすれば、半導体素子の各電極用パッドを
基板の各電極用パッドに正しく対面させた際に、半導体
素子に形成された位置合せ用パッドに対面する配置で位
置合せ用パッドを設けた基板を用いることで、ハンダ付
け時に働く自己整列作用により素子を基板に正しく接続
させることができる。

【００１７】そして、本発明のうち、フリップチップタ
イプの半導体素子の複数の電極用パッドを、基板の複数
の電極用パッドにハンダ付けしてなる半導体装置に用い
られる基板は、その電極用パッド群の形成面側に、各電
極用パッドのハンダ付け面より面積が大きいハンダ付け
面を有する位置合せ用パッドを備えているものである。
このようにすれば、基板の各電極用パッドを半導体素子
の各電極用パッドに正しく対面させた際に、基板の位置
合せ用パッドに対面する配置で位置合せ用パッドを設け
た半導体素子を用いることで、ハンダ付け時に働く自己
整列作用により基板に素子を正しく接続させることがで
きる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１ないし
図５を参照して詳細に説明する。図中１は、フリップチ
ップタイプの半導体素子２１がセラミック製のパッケー
ジ基板３１に実装されてなる半導体装置を示し、基板３
１には半導体素子２１がフリップチップ接続方式にて接
続されている。このような半導体装置１を構成するフリ
ップチップ接続方式の半導体素子２１は、従来と同様に
その一主面２２の全体に平面視縦横に所定のピッチＰ
（本例では０．２５ｍｍ）で、平面視円形をなす電極用
パッド２３，２３（群）が多数形成されており、例えば
その各電極用パッド２３の直径は０．１４ｍｍとされて
いる。そして、このパッド群２３，２３の角寄り部位の
四か所には、本発明の要旨をなす位置合せ用パッド２
４，２４が形成されている。この位置合せ用パッド２４
は、本例では電極用パッド２３のピッチの約２．５倍の
直径を持ち、ハンダ付け可能の金属層で円形に形成され
ており、そのハンダ付け面（端面）２４ａは、電極用パ
ッド２３のハンダ付け面（端面）２３ａと略同じ高さと
されている。

【００１９】なお、位置合せ用パッド２４は、電極用パ
ッド２３と同様に形成すればよい。すなわち、位置合せ
用パッド２４は、例えば、半導体回路を一般的なフォト
リソグラフィ技術で形成した後、ＴｉやＣｒ等の接着層
を介してＣｕメッキを施工し、必要に応じてＮｉやＡｕ
メッキの酸化防止膜を設けることで形成される。そし
て、その後メッキ法又は印刷法によりハンダを塗布し、
或いはハンダプリフォームやハンダボールをパッド上に
載置して所定の温度て溶融してハンダ付け用のバンプを
形成すればよい。

【００２０】一方、基板３１の一主面３２には、これま
た従来と同様に、素子２１の一主面２２に形成されたパ
ッド群２３，２３に対応する配置で、平面視縦横に同一
のピッチＰで、円形の電極用パッド（群）３３，３３が
素子２１のそれと同一の直径で多数の形成されている。
そして、このパッド群３３，３３の角寄り部位の四か所
であって素子２１の位置合せ用パッド２４に対面（対
応）する部位にも、本発明の要旨をなす位置合せ用パッ
ド３４が形成されている。さらに、この位置合せ用パッ
ド３４は、素子２１の位置合せ用パッド２４と同様に電
極用パッド３３のピッチの約２．５倍の直径を持ち、ハ
ンダ付け可能の金属層で円形に形成されており、そのハ
ンダ付け面（端面）３４ａは、電極用パッド３３のハン
ダ付け面（端面）３３ａと略同じ高さとされている。

【００２１】本例での位置合せ用パッド３４は電極用パ
ッド２３と同様にして形成されるが例示すれば次のよう
である。すなわち、複数の内部回路を持つ基板３１の表
面に設けたタングステンやモリブデン等の高融点金属か
らなるメタライズ層に、Ｎｉメッキを（０．５〜１０ミ
クロン）かけ、その上にハンダとの濡れ性を向上させる
ためのＡｕメッキを例えば０．１〜０．３ミクロンの厚
さで形成する。その後、必要に応じてメッキ法又は印刷
法によりハンダ塗布し、或いはハンダプリフォームやハ
ンダボールをパッド上に載置して所定の温度にて溶融し
てハンダ付け用のバンプを形成すればよい。

【００２２】すなわち、素子２１を基板３１に相互の電
極用パッド２３，３３が正しく対面（正対）するように
して重ねた際に、各々の円形の位置合せ用パッド２４，
３４も正対するように配置され、各パッド間に形成され
たハンダ（バンプ）５３，５４を溶融することにより電
極用パッド２３，３３間と位置合せ用パッド２４，３４
間が接続されている。そして、両者がハンダ付けされて
半導体装置１を成している。

【００２３】このような半導体装置１は、基板３１上
に、素子２１を両者の電極用パッド２３，３３相互が正
対するように位置決めして載置する。なお、素子２１側
の電極用パッド２３又は基板３１側の電極用パッド３３
の一方、及び素子２１側の位置合せ用パッド２４又は基
板３１側の位置合せ用パッド３４の一方にハンダバンプ
を形成しておき、他方のパッドにはハンダペーストを塗
布しておいて、ハンダペーストの粘着力により素子を基
板に仮固定するようにしてもよい。

【００２４】しかして、このような状態のものを、例え
ば所定の温度の加熱炉内を通す。すると、ハンダが溶融
してその接続が行われるが、この溶融、接続に至るまで
の過程で、電極用パッド２３，３３間に微小な位置ずれ
が発生したような場合には、位置合せ用パッド２４，３
４の相互間の溶融ハンダにより次のように自己整列作用
が働く。

【００２５】すなわち、図４−Ａに示したように、この
接続過程でハンダ５３，５４の溶融前に、基板３１に載
置された素子２１が例えば左方向へ電極用パッド２３，
３３相互のピッチＰの１／２位置がずれたとする。この
場合、本例では位置合せ用パッド２４，３４の直径が電
極用パッド２３，３３のピッチＰの２．５倍あることか
ら、位置合せ用パッド２４，３４相互間では、図５に示
したように、ハンダ付け面２４ａ，３４ａの面積の重な
りは平面視７０％以上確保されている。因みに、電極用
パッド２３，３３の位置ずれがその１ピッチ分ずれてる
場合には、その重なりは平面視約５０％となる。一方、
電極用パッド２３，３３同士のハンダ５３は、図５に示
した位置関係からも分かるように平面的には多くは接触
していない。このような関係は、当然のことながら、他
の３か所の位置合せ用パッド２４，３４及びその他の電
極用パッド２３，３３でも同様である。

【００２６】さて、この位置関係の下で、ハンダ５３，
５４が加熱されて溶融されると、４か所の位置合せ用パ
ッド２４，３４相互の溶融ハンダ５４の表面相互がその
位置で互いに濡れ（図４−Ｂ）、それと同時に自己整列
作用を起こし、電極用パッド（群）２３，３３を正対さ
せるように素子２１が右へ動き、それにより電極用パッ
ド２３，３３の溶融ハンダ５３，５３同士が正しく対面
してハンダ付けされることになる。

【００２７】このように、本例の半導体装置１は、電極
用パッド２３，３３のピッチＰの２．５倍の直径の位置
合せ用パッド２４，３４を対面する配置で４か所備えて
いることから、ハンダの溶融と同時に位置合せ用パッド
２４，３４間の溶融ハンダ５４による自己整列作用が働
き、基板３１に対する素子２１の位置ずれを瞬時に解消
し、電極用パッド２３，３３相互間を正しい位置に対面
させてハンダ付けすることができる。

【００２８】上記においては、自己整列前には、位置合
せ用パッド２４，３４相互間でハンダ５４が多く濡れあ
っており、電極用パッド２３，３３相互間ではそれぞれ
そのピッチの中間に位置することからそのハンダ５３が
平面的に多く接触していない場合で説明したが、このよ
うな場合において、電極用パッド２３，３３のハンダ５
３が隣接する両側の電極用パッドに多く接触していると
しても、ハンダの溶融時には位置合せ用パッド２４，３
４のハンダ５４が濡れあっている分そのハンダ５４の表
面張力による自己整列作用が働く側への引張り力が勝る
ことから電極用パッド２３同士が正しく対面するように
整列することになる。なお、電極用パッド２３，３３の
位置ずれがその１／２ピッチより大きい場合には、その
電極用パッド（群）２３，３３同士のハンダの表面張力
と位置合せ用パッド２４，３４同士のハンダの表面張力
との引き合い時に、位置合せ用パッド２４，３４の溶融
ハンダ５４による自己整列作用が勝るように、位置合せ
用パッド２４，３４の大きさや数を設定すればよい。

【００２９】このような場合も含め、上記位置合せ用パ
ッド相互間を接続するハンダは、上記したように電極用
パッドのハンダより融点の低いものを用いるとよい。こ
のようにすれば、ハンダの加熱溶融時に、位置合せ用ハ
ンダが先に溶融して自己整列作用をなし、電極用パッド
同士が正しく対面する位置に合わされた後、その接続用
のハンダが溶融するので、位置合せ用パッドと電極用パ
ッドとの溶融ハンダの引き合いによる問題が回避される
からである。

【００３０】なお、上記においては、縦横に配列された
電極用パッドが横方向へのみ位置ずれしている場合で説
明したが、位置ずれが横方向及び縦方向にある場合で
も、位置合せ用パッドの溶融ハンダによる自己整列作用
はまったく同様に作用することは明らかである。また、
上記においては位置合せ用パッドは、電極用パッド群の
四角の近傍にその群を包囲するように４か所設けたが、
この位置、数は適宜に設定すればよい。そして、自己整
列作用は劣ることになるが、位置合せ用パッドのハンダ
付け面の大きさや形状或いはその配置位置によってはそ
の数は一か所とすることも可能である。使用されるハン
ダの融点を考慮し、電極用パッド群の溶融ハンダとの引
き合いに勝って自己整列させることのできるように、そ
の大きさ（面積）、数、配置を設計すればよい。

【００３１】なお、位置合せ用パッドの面積が大きくな
ると、形成されたハンダが山状に盛り上がりその高さが
電極用パッドのそれより高くなる場合もありうる。その
ような場合には、電極用パッド相互間の接続不良が発生
する危険もあるので、位置合せ用パッドに形成されたハ
ンダと電極用パッドに形成されたハンダの上面が面一と
なるように、位置合せ用パッドの高さを電極用パッドよ
り適宜、低位とするか、ハンダの量を調整するとよい。

【００３２】本発明は、電極用パッドとは別設の位置決
め用パッドの溶融ハンダの自己整列作用により、対面す
る電極用パッドを正しく位置合せできるものであればよ
く、上記の実施の形態に記載した範囲のものに限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々設計
変更して具体化できることはいうまでもない。

【００３３】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置は、以上の説明
から明らかなように、素子と基板に、電極用パッドとは
別に、そのハンダ付け面より面積が大きいハンダ付け面
をもつ位置合せ用パッドを設け、その対面する位置合せ
用パッド同士でもハンダ付けされてなるものである。こ
のため、微小なピッチの電極用パッド同士のハンダ付け
に際して位置ずれがあり、それが電極用パッド同士のハ
ンダ付けによる自己整列作用で吸収できないような場合
でも、位置合せ用パッド同士を接続する溶融ハンダの自
己整列作用により解消される範囲であれば、電極用パッ
ド相互間を正しく対面させてハンダ付けされる。また、
電極用パッドのハンダ付け面より面積が大きいハンダ付
け面をもつ位置合せ用パッド同士によってハンダ付けさ
れるので、その分、素子と基板の接着強度が向上する。
このように、本発明によれば、電極の微小化が進む中、
その接続不良による信頼性の低下が防止されると共に、
半導体装置の完成品歩留まりの低下が有効に防止される
など、その効果には著しいものがある。

【００３４】また、このような半導体装置で、素子と基
板の対面する位置合せ用パッド同士が、各電極用パッド
同士が正しく対面する際においてそのハンダ付け面が合
致若しくは略合致するように形成されているものでは、
自己整列作用における位置合せ精度を高いものとするこ
とができる。

【００３５】そして、位置合せ用パッドが素子及びその
基板の各々に複数形成されているものでは、１か所のも
のに比べてさらに精度よく位置合せされやすい。そし
て、位置合せ用パッドが略円形とされ、その直径が電極
用パッド相互の最小ピッチの２．５倍以上あるもので
は、電極用パッド相互の最小ピッチが１ピッチずれた場
合でも自己整列作用が働く。

【００３６】さらに、このような半導体装置において位
置合せ用パッド同士を接続するハンダが電極用パッド同
士を接続するハンダより低融点のハンダからなるもので
は、位置合せ用パッド同士を接続するハンダが先に溶融
してその自己整列作用による位置合せを行ってから、電
極用パッド同士が接続されるので、大きな位置ずれも具
合良く吸収することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るフリップチップタイプの半導体装
置の実施形態の概略構成側面図及び要部拡大図。

【図２】図１に用いた半導体素子を電極用パッドの形成
面側から見た概略構成図。

【図３】図１に用いた基板を半導体素子が接続される電
極用パッドの形成面側から見た概略構成図。

【図４】図１の基板の電極用パッドに半導体素子の電極
用パッドをハンダ付けする工程で、位置合せ用パッドの
溶融ハンダによる自己整列作用を説明する部分拡大図。

【図５】図４における位置ずれの平面状態を説明する
図。

【図６】従来のフリップチップ接続において、自己整列
作用により正しく位置合せされて接続される状態を説明
する側面部分拡大図。

【図７】従来のフリップチップ接続において、電極用パ
ッドのピッチのずれが大きいために自己整列作用で、接
続不良となった状態を説明する側面部分拡大図。

【符号の説明】

Ｐ ピッチ １ 半導体装置 ２１ 半導体素子 ２３ 半導体素子の電極用パッド ２４ 半導体素子の位置合せ用パッド ２４ａ 位置合せ用パッドのハンダ付け面 ３１ 基板 ３３ 基板の電極用パッド ３４ 基板の位置合せ用パッド ３４ａ 位置合せ用パッドのハンダ付け面 ５３，５４ ハンダ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フリップチップタイプの半導体素子の複
   数の電極用パッドを、基板の複数の電極用パッドにハン
   ダ付けしてなる半導体装置において、該半導体素子及び
   該基板に、半導体素子の各電極用パッドと基板の各電極
   用パッドとが正しく対面した際に対面する配置で、各電
   極用パッドより面積が大きいハンダ付け面を有する位置
   合せ用パッドを各々備えており、該対面する位置合せ用
   パッド同士がハンダ付けされてなることを特徴とする半
   導体装置。
2. 【請求項２】 各電極用パッド同士が正しく対面した
   際、半導体素子と基板の対面する位置合せ用パッド同士
   が、合致若しくは略合致するように形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 位置合せ用パッドが、半導体素子及び基
   板の各々に複数形成されていることを特徴とする請求項
   １又は２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 各位置合せ用パッドが略円形とされ、そ
   の直径が、電極用パッド相互の最小ピッチの２．５倍〜
   ５倍であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の
   半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の半導体装
   置において、位置合せ用パッド同士をハンダ付けしてい
   るハンダが、電極用パッド同士をハンダ付けしているハ
   ンダより低融点のハンダからなることを特徴とする半導
   体装置。
6. 【請求項６】 フリップチップタイプの半導体素子であ
   って、その電極用パッド群の形成面側に、各電極用パッ
   ドのハンダ付け面より面積が大きいハンダ付け面を有す
   る位置合せ用パッドを備えていることを特徴とする半導
   体素子。
7. 【請求項７】 フリップチップタイプの半導体素子用の
   基板であって、その電極用パッド群の形成面側に、各電
   極用パッドのハンダ付け面より面積が大きいハンダ付け
   面を有する位置合せ用パッドを備えていることを特徴と
   する基板。