JPH1050635A - 金属薄膜の生成方法及びcvd装置 - Google Patents
金属薄膜の生成方法及びcvd装置Info
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- JPH1050635A JPH1050635A JP21615196A JP21615196A JPH1050635A JP H1050635 A JPH1050635 A JP H1050635A JP 21615196 A JP21615196 A JP 21615196A JP 21615196 A JP21615196 A JP 21615196A JP H1050635 A JPH1050635 A JP H1050635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応管内での塵埃の発生を防止し、反応管の
保護を図ったCVD装置及び高融点金属薄膜の生成方法
を提供する。 【解決手段】 CVD装置は、石英によって形成されて
その内壁面がSi膜によって被覆された反応管1と、反
応管1の周囲に設けられて当該反応管を加熱するヒータ
2と、反応管1内にタングステン原料ガスを供給する原
料ガス供給装置4と、反応管1内から残留ガスを排気す
る排気装置8とを備え、反応管1内に収容したウェーハ
11にタングステン薄膜を生成する。SiとWとの密着
性により、反応管1の内壁面に生成されたW膜の剥離を
防止し、反応管1内での塵埃発生を防止し、W膜の生成
過程で腐食性のあるHFが生成された場合にあっても、
Si膜によって石英製の反応管1本体の腐食を防止す
る。
保護を図ったCVD装置及び高融点金属薄膜の生成方法
を提供する。 【解決手段】 CVD装置は、石英によって形成されて
その内壁面がSi膜によって被覆された反応管1と、反
応管1の周囲に設けられて当該反応管を加熱するヒータ
2と、反応管1内にタングステン原料ガスを供給する原
料ガス供給装置4と、反応管1内から残留ガスを排気す
る排気装置8とを備え、反応管1内に収容したウェーハ
11にタングステン薄膜を生成する。SiとWとの密着
性により、反応管1の内壁面に生成されたW膜の剥離を
防止し、反応管1内での塵埃発生を防止し、W膜の生成
過程で腐食性のあるHFが生成された場合にあっても、
Si膜によって石英製の反応管1本体の腐食を防止す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
のワークにタングステン等の高融点金属薄膜を形成する
CVD装置及び方法に関し、特に、反応管内での塵埃発
生の防止及び反応管の保護を実現する技術に関する。
のワークにタングステン等の高融点金属薄膜を形成する
CVD装置及び方法に関し、特に、反応管内での塵埃発
生の防止及び反応管の保護を実現する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】タングステン(W)、タンタル(t
a)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)等といっ
た高融点の金属を用いた薄膜加工には、CVD(化学的
気相反応)が用いられており、特に半導体製造の分野で
は、例えばホットウオール型の減圧CVD装置を用い
て、加熱条件下でタングステン薄膜を半導体ウェーハ上
に生成することが行われている。すなわち、このような
CVD装置では反応管内にワークとしての半導体ウェー
ハを収容し、反応管をヒータで加熱しつつ当該反応管内
に原料ガスを供給して、半導体ウェーハの表面にタング
ステン薄膜を生成している。
a)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)等といっ
た高融点の金属を用いた薄膜加工には、CVD(化学的
気相反応)が用いられており、特に半導体製造の分野で
は、例えばホットウオール型の減圧CVD装置を用い
て、加熱条件下でタングステン薄膜を半導体ウェーハ上
に生成することが行われている。すなわち、このような
CVD装置では反応管内にワークとしての半導体ウェー
ハを収容し、反応管をヒータで加熱しつつ当該反応管内
に原料ガスを供給して、半導体ウェーハの表面にタング
ステン薄膜を生成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような薄膜生成に
おいて、タングステン薄膜は反応管の内壁面にも堆積し
てしまうが、CVD装置の反応管はタングステンとの密
着性が悪い石英によって作成されていることから、反応
管の内壁面に形成されたタングステン薄膜が剥離して反
応管内の塵埃となり、半導体ウェーハの製品歩留まり及
び当該半導体ウェーハを用いたデバイスの歩留まりを低
下させてしまっていた。
おいて、タングステン薄膜は反応管の内壁面にも堆積し
てしまうが、CVD装置の反応管はタングステンとの密
着性が悪い石英によって作成されていることから、反応
管の内壁面に形成されたタングステン薄膜が剥離して反
応管内の塵埃となり、半導体ウェーハの製品歩留まり及
び当該半導体ウェーハを用いたデバイスの歩留まりを低
下させてしまっていた。
【0004】また、タングステン薄膜は原料ガスとして
例えばフッ化タングステン(WF6)を用いて、下記の
反応式1のようにモノシラン(SiH4)との反応によ
り生成されるが、この反応によって腐食性の強いフッ化
水素(HF)の生成される。このため、HFによって反
応管の内壁面が腐食され、上記のような塵埃を更に発生
させてしまうばかりか、高価な反応管の寿命を短くして
しまっていた。
例えばフッ化タングステン(WF6)を用いて、下記の
反応式1のようにモノシラン(SiH4)との反応によ
り生成されるが、この反応によって腐食性の強いフッ化
水素(HF)の生成される。このため、HFによって反
応管の内壁面が腐食され、上記のような塵埃を更に発生
させてしまうばかりか、高価な反応管の寿命を短くして
しまっていた。
【0005】
【数1】 WF6+SiH4 → W+SiF4+2HF+H2 ・・・(式1)
【0006】本発明は上記従来の事情に鑑みなされたも
ので、反応管内での塵埃の発生を防止したCVD装置及
び高融点金属薄膜の生成方法を提供することを目的とす
る。また、本発明は、CVD装置に備えられている反応
管の保護を図ったCVD装置及び高融点金属薄膜の生成
方法を提供することを目的とする。
ので、反応管内での塵埃の発生を防止したCVD装置及
び高融点金属薄膜の生成方法を提供することを目的とす
る。また、本発明は、CVD装置に備えられている反応
管の保護を図ったCVD装置及び高融点金属薄膜の生成
方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る高融点金属薄膜の生成方法では、内壁
がシリコン膜で被覆された反応管を用いて、CVD法に
よって高融点金属薄膜をワークに生成する。すなわち、
シリコン(Si)とタングステン等の高融点金属との密
着性により、反応管の内壁面に生成された高融点金属薄
膜の剥離を防止し、反応管内での塵埃発生を防止する。
また、高融点金属薄膜の生成過程でHFが生成された場
合にあっても、シリコン膜によって石英製の反応管本体
の腐食を防止する。
め、本発明に係る高融点金属薄膜の生成方法では、内壁
がシリコン膜で被覆された反応管を用いて、CVD法に
よって高融点金属薄膜をワークに生成する。すなわち、
シリコン(Si)とタングステン等の高融点金属との密
着性により、反応管の内壁面に生成された高融点金属薄
膜の剥離を防止し、反応管内での塵埃発生を防止する。
また、高融点金属薄膜の生成過程でHFが生成された場
合にあっても、シリコン膜によって石英製の反応管本体
の腐食を防止する。
【0008】また、本発明に係る高融点金属薄膜の生成
方法では、まずCVD装置によってシリコンの成膜処理
を行って、当該シリコン薄膜により反応管の内壁面を被
覆した後、当該CVD装置によってワークに高融点金属
薄膜を生成する処理を行う。すなわち、反応管の内壁面
をシリコンで被覆することによって上記と同様な効果を
得ることができ、更に、このような反応管の被覆を同一
のCVD装置による一連の処理によって実現する。な
お、上記したいずれの方法も加熱条件下のCVD法によ
って行われ、例えば、石英製の反応管を備えたホットウ
オール型の減圧CVD装置を用いて行われる。
方法では、まずCVD装置によってシリコンの成膜処理
を行って、当該シリコン薄膜により反応管の内壁面を被
覆した後、当該CVD装置によってワークに高融点金属
薄膜を生成する処理を行う。すなわち、反応管の内壁面
をシリコンで被覆することによって上記と同様な効果を
得ることができ、更に、このような反応管の被覆を同一
のCVD装置による一連の処理によって実現する。な
お、上記したいずれの方法も加熱条件下のCVD法によ
って行われ、例えば、石英製の反応管を備えたホットウ
オール型の減圧CVD装置を用いて行われる。
【0009】また、本発明に係るCVD装置は、上記の
方法を実施するため、反応管の内壁面がシリコン膜によ
って被覆されており、反応管内に収容した半導体ウェー
ハ等のワークにタングステン等の高融点金属薄膜を生成
する。また、本発明に係るCVD装置は、上記の方法を
実施するために、石英によって形成されてその内壁面が
シリコン膜によって被覆された反応管と、反応管の周囲
に設けられて当該反応管を加熱するヒータと、反応管内
にタングステン原料ガスを供給する原料ガス供給装置
と、反応管内から残留ガスを排気する排気装置と、を備
えており、反応管内に収容した半導体ウェーハ等のワー
クにタングステン薄膜を生成する。
方法を実施するため、反応管の内壁面がシリコン膜によ
って被覆されており、反応管内に収容した半導体ウェー
ハ等のワークにタングステン等の高融点金属薄膜を生成
する。また、本発明に係るCVD装置は、上記の方法を
実施するために、石英によって形成されてその内壁面が
シリコン膜によって被覆された反応管と、反応管の周囲
に設けられて当該反応管を加熱するヒータと、反応管内
にタングステン原料ガスを供給する原料ガス供給装置
と、反応管内から残留ガスを排気する排気装置と、を備
えており、反応管内に収容した半導体ウェーハ等のワー
クにタングステン薄膜を生成する。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例に係る高融点金
属薄膜の生成方法及びCVD装置を説明する。本実施例
は、半導体ウェーハに上記の式1に示した反応によって
タングステン薄膜を生成するものである。まず、図1を
参照して本実施例に係るホットウオール型の減圧CVD
装置を説明する。このCVD装置は石英によって形成さ
れた反応管1を備えており、この反応管1の内壁面は全
面に亘ってSi膜で被覆されている。この反応管1の周
囲にはヒータ2が設けられている一方、反応管1の内部
にはウェーハ台3が設けられており、このウェーハ台3
にはタングステン薄膜を形成する半導体ウェーハ11が
載置される。
属薄膜の生成方法及びCVD装置を説明する。本実施例
は、半導体ウェーハに上記の式1に示した反応によって
タングステン薄膜を生成するものである。まず、図1を
参照して本実施例に係るホットウオール型の減圧CVD
装置を説明する。このCVD装置は石英によって形成さ
れた反応管1を備えており、この反応管1の内壁面は全
面に亘ってSi膜で被覆されている。この反応管1の周
囲にはヒータ2が設けられている一方、反応管1の内部
にはウェーハ台3が設けられており、このウェーハ台3
にはタングステン薄膜を形成する半導体ウェーハ11が
載置される。
【0011】反応管1の一端には原料ガス供給装置4が
接続されており、反応管1内には原料ガス供給装置4に
よって原料ガスのWF6及びSiH4がN2及びH2のキャ
リアガスと共に供給される。なお、原料ガス供給装置4
の各ガスの供給管5にはガス流量を調整するフローコン
トローラ6及び供給路を開閉するバルブ7が設けられて
おり、反応管1内に供給されるガスの量を所定値に調整
する。また、反応管1の他端には排気装置8が接続され
ており、反応管1の内部から残留ガスを排気して反応管
1の内部を所定の減圧状態とするとともに清浄な状態に
保持する。なお、排気装置8の排気管9にはポンプ10
が設けられており、当該ポンプ10の駆動によって反応
管1からの排気を行う。
接続されており、反応管1内には原料ガス供給装置4に
よって原料ガスのWF6及びSiH4がN2及びH2のキャ
リアガスと共に供給される。なお、原料ガス供給装置4
の各ガスの供給管5にはガス流量を調整するフローコン
トローラ6及び供給路を開閉するバルブ7が設けられて
おり、反応管1内に供給されるガスの量を所定値に調整
する。また、反応管1の他端には排気装置8が接続され
ており、反応管1の内部から残留ガスを排気して反応管
1の内部を所定の減圧状態とするとともに清浄な状態に
保持する。なお、排気装置8の排気管9にはポンプ10
が設けられており、当該ポンプ10の駆動によって反応
管1からの排気を行う。
【0012】次に、上記構成のCVD装置によって実施
されるタングステン薄膜の生成方法を説明する。まず、
ウェーハ11をウェーハ台3上に設置した後、排気装置
8によって反応管1内を排気し、ヒータ2によって反応
管1を所定の温度に加熱する。そして、原料ガス供給装
置4からWF6、SiH4、N2、H2を供給し、上記の式
1に示す反応により析出したタングステン(W)をウェ
ーハ11の表面上に薄膜状に付着させる。なお、この成
膜処理は、例えば、加熱温度800℃、反応管の内圧1
5Pa、WF6供給量6sccm、H2供給量400sc
cmといったような公知の成膜条件によって行われる。
されるタングステン薄膜の生成方法を説明する。まず、
ウェーハ11をウェーハ台3上に設置した後、排気装置
8によって反応管1内を排気し、ヒータ2によって反応
管1を所定の温度に加熱する。そして、原料ガス供給装
置4からWF6、SiH4、N2、H2を供給し、上記の式
1に示す反応により析出したタングステン(W)をウェ
ーハ11の表面上に薄膜状に付着させる。なお、この成
膜処理は、例えば、加熱温度800℃、反応管の内圧1
5Pa、WF6供給量6sccm、H2供給量400sc
cmといったような公知の成膜条件によって行われる。
【0013】このタングステン薄膜の成膜処理は、内壁
面をSi膜で被覆された反応管1を用いて行われてお
り、析出されて反応管1に付着してしまうタングステン
はこのSi膜上に付着することとなる。タングステンは
Siとケイ化物を形成する等して、反応管自体を形成し
ている石英よりもSiとの密着性が高いため、Si膜上
に生成されたタングステン膜は従来に比して剥離し難い
ものとなっている。このため、ウェーハ11への成膜処
理中に、反応管1の内壁面に付着したタングステン薄膜
が剥離してウェーハ11に塵埃として付着してしまう事
態が防止される。また、上記の反応式1によるタングス
テンの成膜処理を行うと、腐食性の高いHFが生成され
るが、反応管1の内壁面はSi膜によって覆われている
ため、高価な石英によって形成されている反応管自体ま
で腐食されてしまう事態が防止される。
面をSi膜で被覆された反応管1を用いて行われてお
り、析出されて反応管1に付着してしまうタングステン
はこのSi膜上に付着することとなる。タングステンは
Siとケイ化物を形成する等して、反応管自体を形成し
ている石英よりもSiとの密着性が高いため、Si膜上
に生成されたタングステン膜は従来に比して剥離し難い
ものとなっている。このため、ウェーハ11への成膜処
理中に、反応管1の内壁面に付着したタングステン薄膜
が剥離してウェーハ11に塵埃として付着してしまう事
態が防止される。また、上記の反応式1によるタングス
テンの成膜処理を行うと、腐食性の高いHFが生成され
るが、反応管1の内壁面はSi膜によって覆われている
ため、高価な石英によって形成されている反応管自体ま
で腐食されてしまう事態が防止される。
【0014】ここで、上記のタングステンの成膜処理
は、Si膜によって内壁面が被覆された反応管1を予め
備えたCVD装置で行ってもよいが、内壁面がSi膜に
よって未だ被覆されていない反応管1を備えたCVD装
置を用い、一連の成膜処理工程において当該反応管1の
内壁面をSi膜によって被覆するようにしてもよい。す
なわち、タングステンの成膜処理を開始するに先立っ
て、ウェーハ11をウェーハ台3上に設置することな
く、例えば反応式2や3に示すように、SiH4やSi2
H6等といった原料ガスを用いた公知の反応によって、
反応管1内でSi膜の生成処理を行う。これによって、
石英製の反応管1の内壁面に全面に亘ってSi膜を形成
し、この後に、上記したタングステン薄膜の成膜処理を
開始する。このようにタングステンの成膜処理に先だっ
て一連の処理工程の中でSi膜による被覆処理を行う
と、反応管1の内壁面をSi膜により容易且つ良好な状
態で被覆することができる。
は、Si膜によって内壁面が被覆された反応管1を予め
備えたCVD装置で行ってもよいが、内壁面がSi膜に
よって未だ被覆されていない反応管1を備えたCVD装
置を用い、一連の成膜処理工程において当該反応管1の
内壁面をSi膜によって被覆するようにしてもよい。す
なわち、タングステンの成膜処理を開始するに先立っ
て、ウェーハ11をウェーハ台3上に設置することな
く、例えば反応式2や3に示すように、SiH4やSi2
H6等といった原料ガスを用いた公知の反応によって、
反応管1内でSi膜の生成処理を行う。これによって、
石英製の反応管1の内壁面に全面に亘ってSi膜を形成
し、この後に、上記したタングステン薄膜の成膜処理を
開始する。このようにタングステンの成膜処理に先だっ
て一連の処理工程の中でSi膜による被覆処理を行う
と、反応管1の内壁面をSi膜により容易且つ良好な状
態で被覆することができる。
【0015】
【数2】SiH4→ Si+2H2 ・・・(式2)
【0016】
【数3】 Si2H6 → 2Si+3H2 ・・・(式3)
【0017】なお、本発明においては、タングステン薄
膜を生成する反応は式1に示したもの以外であってもよ
く、他の公知な反応によるタングステン薄膜のCVD生
成にも本発明は適用することができる。また、Si膜の
生成も、本発明においては公知の種々な反応を用いるこ
とができ、採用する反応に応じた原料ガスを反応管内に
供給して反応管の内壁面を被覆するようにすればよい。
また、高融点金属としてタングステンの薄膜を生成する
例を示したが、タンタル(ta)、モリブデン(M
o)、レニウム(Re)等といった他の高融点金属のC
VD薄膜生成にも本発明は適用することが可能であり、
これら高融点金属とSi膜との密着性の高さから反応管
内の塵埃発生を防止することができる。
膜を生成する反応は式1に示したもの以外であってもよ
く、他の公知な反応によるタングステン薄膜のCVD生
成にも本発明は適用することができる。また、Si膜の
生成も、本発明においては公知の種々な反応を用いるこ
とができ、採用する反応に応じた原料ガスを反応管内に
供給して反応管の内壁面を被覆するようにすればよい。
また、高融点金属としてタングステンの薄膜を生成する
例を示したが、タンタル(ta)、モリブデン(M
o)、レニウム(Re)等といった他の高融点金属のC
VD薄膜生成にも本発明は適用することが可能であり、
これら高融点金属とSi膜との密着性の高さから反応管
内の塵埃発生を防止することができる。
【0018】また、半導体ウェーハ上にタングステン薄
膜を生成する例を示したが、高融点金属薄膜のCVD生
成はノズル等の部品の緻密な製造処理にも応用されてお
り、ワークをこのような部品の型としたCVD処理にも
本発明を応用することが可能である。また、本発明はC
VD装置の反応管が石英によって形成されている場合に
おいて特に効果があるが、Si膜によって高融点金属薄
膜の剥離防止及び腐食防止を行うとの観点から見れば、
他の材質の反応管を用いた場合にあっても本発明の効果
を得ることができる。
膜を生成する例を示したが、高融点金属薄膜のCVD生
成はノズル等の部品の緻密な製造処理にも応用されてお
り、ワークをこのような部品の型としたCVD処理にも
本発明を応用することが可能である。また、本発明はC
VD装置の反応管が石英によって形成されている場合に
おいて特に効果があるが、Si膜によって高融点金属薄
膜の剥離防止及び腐食防止を行うとの観点から見れば、
他の材質の反応管を用いた場合にあっても本発明の効果
を得ることができる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
タングステン等の高融点金属薄膜のCVD生成処理を内
壁面がSi膜によって被覆された反応管を用いて行うよ
うにしたため、内壁面から剥離した高融点金属薄膜によ
る塵埃発生を防止することができ、半導体ウェーハやデ
バイス等の製品歩留まりを向上させることができる。ま
た、高融点金属薄膜のCVD生成処理において、HF等
といった腐食性のあるガスが生成されてしまった場合で
も、高価な反応管の腐食をSi膜によって防止すること
ができ、反応管の寿命延長によってコストが低減され
る。また、広く普及してコストが比較的低く、且つ、制
御が容易なホットウオール型減圧CVD装置で高融点金
属薄膜の生成処理を行うことが容易となる。
タングステン等の高融点金属薄膜のCVD生成処理を内
壁面がSi膜によって被覆された反応管を用いて行うよ
うにしたため、内壁面から剥離した高融点金属薄膜によ
る塵埃発生を防止することができ、半導体ウェーハやデ
バイス等の製品歩留まりを向上させることができる。ま
た、高融点金属薄膜のCVD生成処理において、HF等
といった腐食性のあるガスが生成されてしまった場合で
も、高価な反応管の腐食をSi膜によって防止すること
ができ、反応管の寿命延長によってコストが低減され
る。また、広く普及してコストが比較的低く、且つ、制
御が容易なホットウオール型減圧CVD装置で高融点金
属薄膜の生成処理を行うことが容易となる。
【図1】本発明の一実施例に係るCVD装置の構成図で
ある。
ある。
1・・・反応管、 2・・・ヒータ、 4・・・原料ガ
ス供給装置、8・・・排気装置、 11・・・半導体ウ
ェーハ、
ス供給装置、8・・・排気装置、 11・・・半導体ウ
ェーハ、
Claims (5)
- 【請求項1】 CVD装置によってワークに高融点金属
薄膜を生成する方法において、 CVD装置に内壁面をシリコン膜で被覆した反応管を用
いることを特徴とする高融点金属薄膜の生成方法。 - 【請求項2】 CVD装置によってワークに高融点金属
薄膜を生成する方法において、 CVD装置によってシリコンの成膜処理を行って、当該
シリコン膜により反応管の内壁面を被覆した後、当該C
VD装置によってワークに高融点金属薄膜を生成する処
理を行うことを特徴とする金属薄膜の生成方法。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の金属薄膜
の生成方法において、 CVD装置として石英製の反応管を備えたホットウオー
ル型の減圧CVD装置を用い、ワークである半導体ウェ
ーハ上に高融点金属薄膜としてのタングステン薄膜を形
成することを特徴とする金属薄膜の生成方法。 - 【請求項4】 反応管内に収容したワークに高融点金属
薄膜を生成するCVD装置において、 前記反応管の内壁面をシリコン膜によって被覆したこと
を特徴とするCVD装置。 - 【請求項5】 反応管内に収容したワークにタングステ
ン薄膜を生成するCVD装置において、 石英によって形成されてその内壁面がシリコン膜によっ
て被覆された反応管と、 反応管の周囲に設けられて当該反応管を加熱するヒータ
と、 反応管内にタングステン原料ガスを供給する原料ガス供
給装置と、 反応管内から残留ガスを排気する排気装置と、 を備えたことを特徴とするCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21615196A JPH1050635A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 金属薄膜の生成方法及びcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21615196A JPH1050635A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 金属薄膜の生成方法及びcvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1050635A true JPH1050635A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16684090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21615196A Pending JPH1050635A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 金属薄膜の生成方法及びcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1050635A (ja) |
Cited By (229)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006018101A1 (de) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Herstellungsverfahren für reaktor zur zersetzung von gasen |
JP2018059182A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-04-12 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | タングステンの選択堆積 |
US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
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