JPH1040846A - マスク，荷電粒子線転写方法および荷電粒子線転写装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットの大幅な向上を図ることができ
るマスク，荷電粒子線転写方法および荷電粒子線転写装
置の提供。 【解決手段】 マスク１４は、ウエハ４に転写すべきパ
ターンが複数の分割パターンに分割されて形成され、回
転することによって分割パターンのいずれかを選択して
電子線ＥＢによりウエハ４にその選択パターンを転写す
る荷電粒子線転写方法に用いられる。マスク１４には、
分割パターンが回転軸を中心とする少なくとも２つの同
心円上に２列に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転することによ
りパターン転写を行う転写装置に用いられるマスク，荷
電粒子線転写方法および荷電粒子線転写装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、リソグラフィにおける高解像と高
スループットの両方を兼ね備える電子線露光装置の検討
が進められている。この種の装置における露光方法とし
ては、従来、１チップまたは複数のチップのパターンを
一度に露光する一括転写方式が提案されている。しか
し、一括転写方式では、転写のための原版となるマスク
またはレチクル（以下ではマスクと記す）の製作が難し
いことや、光学フィールドが１チップ以上の大きさを有
するために収差を要求精度内に抑えるのが難しいという
欠点がある。

【０００３】そこで、最近では、大きな光学フィールド
を有し、その光学フィールドを小さな領域に分割して露
光転写する分割転写方式が、例えば特開平７−７８７３
６に提案されている。この方式によれば、１回当りの荷
電粒子線の照射範囲が小さいので、光学系の収差を抑え
て高解像，高精度に転写ができる。図３は従来の転写装
置の概略構成を説明する図である。図４は図３の装置を
用いて行われる分割転写方式を説明する図であり、図３
において、電子ビーム発生源１から出射された電子ビー
ムＥＢはコンデンサレンズ２で平行ビームとされ、偏向
器５により偏向されてステージ６に載置されたマスク３
上に照射される。マスク３を通過した電子ビームＥＢ
は、投影光学系８によって、ステージ７に載置されたウ
エハ４上の所定位置に照射される。なお、ステージ６，
７は不図示の駆動装置によりｘおよびｙ方向に駆動され
る

【０００４】図４は図３に示す装置における転写方法を
説明する図であり、３０はマスク３に形成されたパター
ン，４０はパターン３０が転写されるウエハ４上の被転
写領域を示している。パターン３０および被転写領域４
０はそれぞれ複数（図４では３つ）の帯状領域３１，４
１に分割され、帯状領域３１ａ，３１ｂ，３１ｃの各パ
ターンはそれぞれ対応する帯状領域４１ａ，４１ｂ，４
１ｃに転写される。各帯状領域３１は図４のようにｍ×
ｎ個の微少領域ｇij（ただし、i＝1,2,…,m、j＝1,2,
…,n）に分割される。転写の際には、マスク３を−ｙ方
向（矢印ＡＬ１）に、ウエハ４をｙ方向（矢印ＡＬ２）
に連続移動しつつ電子線ＥＢをｘ方向に偏向することに
より経路Ｐ１のように電子線ＥＢを走査し、電子線ＥＢ
をｇ11〜ｇmnの順で微少領域ｇijに照射する。その結
果、帯状領域３１ａの微少領域ｇijに形成されたパター
ンが、帯状領域４１ａの対応する微少領域ｆijに転写さ
れる。

【０００５】同様にして、帯状領域３１ｂ，３１ｃのパ
ターンがウエハ４の帯状領域４１ｂ，４１ｃにそれぞれ
転写されるが、帯状領域３１ｂを転写する場合にはマス
ク３およびウエハ４の連続移動方向を逆転してそれぞれ
ｙ方向および−ｙ方向に移動し、続く帯状領域３１ｃの
転写の場合には再び連続移動方向を−ｙ方向およびｙ方
向に逆転する。

【０００６】ところで、マスク３およびウエハ４の連続
移動方向、すなわちステージ６および７（図３）の移動
方向を逆転する際には、ステージ６，７の減速，停止，
移動方向を逆転しての加速を行う必要があり、パターン
転写に要する時間に加えてステージ６，７の移動方向の
逆転に要する時間がスループットに影響している。上述
した図４に示す転写方法では、一つの帯状領域３１のパ
ターンを転写する度にステージ６，７の移動方向の逆転
を行わなければならず、スループットが大きく低下する
という欠点があった。

【０００７】このようなスループットの低下を改善する
ために、ＵＳＰ５，４３４，４２４号公報に図５，６に
示すような転写方法が提案されている。図５は転写装置
の概略図であるが、回転ステージ１１に載置されたマス
ク１０はＯ1を回転中心として矢印Ｒ方向に回転駆動さ
れる。１２はステージ１１を回動するモータであり、そ
の他の構成は図３の装置と同様である。図６は転写方法
を説明する図であり、（ａ）はマスク１０の平面図、
（ｃ）はウエハ４の平面図をそれぞれ示す図であり、
（ｂ）はウエハ４に複数設けられる被転写領域４０の拡
大図である。図４の被転写領域４０では３つの帯状領域
４１ａ，４１ｂ，４１ｃに分割されていたが、図６
（ｂ）では便宜上２つの帯状領域４１ａ，４１ｂに分割
して考える。各帯状領域４１ａ，４１ｂは図４の場合と
同様にｍ×ｎ個の微少領域ｆijに分割される。図６
（ｂ）において、第１列〜第ｍ列の各列にはｎ個の微少
領域ｆijが設けられ、この各列を小領域Ｗａ1〜Ｗａm，
Ｗｂ1〜Ｗｂmと示している。

【０００８】一方、マスク１０にはＯ1を中心とする円
周に沿って小領域ＭＡ1〜ＭＡm，ＭＢ1〜ＭＢmが設けら
れており、各小領域ＭＡ1〜ＭＡmの微小領域ｇijにはウ
エハ４の小領域Ｗａ1〜Ｗａmの対応する微少領域ｆijに
転写されるべきパターンが形成されている。同様に、各
小領域ＭＢ1〜ＭＢmの微小領域ｇijには、ウエハ４の小
領域Ｗｂ1〜Ｗｂmの対応する微少領域ｆijに転写される
べきパターンが形成されている。

【０００９】図７は図４と同様の図であり、図７を用い
てマスク１０を用いた転写方法を説明する。図７の場合
には、Ｏ1を中心にマスク１０を矢印Ｒ方向に連続的に
回転させつつ電子線ＥＢをｘ方向に偏向して経路Ｐ２の
ように走査するとともに、ウエハ４をｙ方向に連続移動
させて小領域ＭＡ1〜ＭＡmのパターンをウエハ４の帯状
領域４１ａの小領域Ｗａ1〜Ｗａmに転写する。なお、マ
スク１０は微少領域ｇ11〜ｇ1nのちょうど中間（また
は、ほぼ中間）に位置する微小領域ｇ1sが光軸ＡＸ上に
来るように位置決めされる。帯状領域４１ａのパターン
転写が終了したらウエハ４の連続移動を停止し、ウエハ
４をｘ方向にステップ移動させる。その後、ウエハ４を
逆方向（−ｙ方向）に連続移動させながら小領域ＭＢ1
〜ＭＢmのパターンを帯状領域４１ｂの小領域Ｗｂ1〜Ｗ
ｂmに転写する。このとき、マスク３はＲ方向に回転さ
せたままであり、ウエハ４の帯状領域４１ａの第ｍ列の
小領域Ｗａmに対応する微少領域ＭＡmと帯状領域４１ｂ
の第ｍ列の小領域Ｗｂmに対応する微少領域ＭＢmとの間
には、その間の時間間隔がΔｔとなるようなブランク領
域Ｓが設けられている（図６参照）。この時間間隔Δｔ
の間に、上述したウエハ４の停止，ステップ移動，連続
移動の逆転が行われる。なお、帯状領域４１ｂへのパタ
ーン転写は小領域Ｗｂm，…Ｗｂ2，Ｗｂ1の順に行われ
るため、マスク３上では時計回りにＭＢm，…ＭＢ2，Ｍ
Ｂ1となるように小領域ＭＢ1〜ＭＢmが設けられてい
る。

【００１０】このように、マスク１０が１回転する間
に、図６（ｃ）に示す被転写領域４０ａへのパターン転
写が行われる。次いで、マスク１０の２回転目に他の被
転写領域４０、例えば４０ｄに同様にしてパターンが転
写される。同様にして、マスク３の全ての被転写領域４
０に、図６（ｃ）の経路Ｐ３のような順序でパターンが
転写される。このように、図５〜７に示した例では、上
述した図３，４の転写方法のようにマスクの連続移動方
向の逆転動作が無いため、マスクの移動方向の逆転に要
する時間というものは発生することがない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
（ｃ）の経路Ｐ３で示すように被転写領域４０の各領域
４０ａ，４０ｄ，…，４０ｆ毎にパターン転写が行われ
るため、ウエハ４の連続移動方向の逆転の回数は図３，
４の場合と同様である。そのため、マスク３の連続移動
方向の逆転によるスループットへの影響は解消されて
も、ウエハ４の連続移動方向の逆転による影響が残され
たままであるため、大幅なスループットの向上は望めな
いという欠点があった。

【００１２】本発明の目的は、スループットの大幅な向
上を図ることができるマスク，荷電粒子線転写方法およ
び荷電粒子線転写装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１，２に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、試料４に転写すべきパターン
が複数の分割パターンに分割されて形成され、回転する
ことによって分割パターンのいずれかを選択して荷電粒
子線ＥＢにより試料４にその選択パターンを転写する荷
電粒子線転写方法に用いられるマスク１４に適用され、
分割パターンを回転軸を中心とする少なくとも２つの同
心円上に２列に形成したことにより上述の目的を達成す
る。 （２）請求項２の発明は、請求項１に記載のマスクにお
いて、半径方向に分割パターンを複数個並べてなる小領
域ＭＡ1〜ＭＡmを、同心円上で所定間隔あけて形成した
ことを特徴とするマスク。 （３）請求項３の発明による荷電粒子線転写方法は、請
求項１に記載のマスク１４に形成されている一の同心円
上の第１の分割パターンに荷電粒子線ＥＢが照射される
ようにマスク１４を位置決めするとともに、前記一の同
心円上の第１の分割パターンが、試料４上の対応する第
１の領域Ｗａ1〜Ｗａmに転写されるように試料４を位置
決めする第１の工程と、この第１の工程で位置決めされ
たマスク１４を回転させながら前記一の同心円上の第１
の分割パターンを試料４の第１の領域Ｗａ1〜Ｗａmに転
写する第２の工程と、マスク１４に形成されている他の
同心円上の第２の分割パターンに荷電粒子線ＥＢが照射
されるようにマスク１４を位置決めするとともに、前記
他の同心円上の第２の分割パターンが、試料４上の対応
する第２の領域Ｗｂ1〜Ｗｂmに転写されるように試料４
を位置決めする第３の工程と、この第３の工程で位置決
めされたマスク１４を回転させながら前記他の同心円上
の第２の分割パターンを試料４の第２の領域Ｗｂ1〜Ｗ
ｂmに転写する第４の工程とを少なくとも含むことによ
り上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明による荷電粒子線転写方法は、請
求項１または２に記載のマスク１４に形成されている一
の同心円上の第１の分割パターンに荷電粒子線ＥＢが照
射されるようにマスク１４を位置決めするとともに、前
記一の同心円上の第１の分割パターンが、試料４上の対
応する第１の領域Ｗａ1〜Ｗａmに転写されるように試料
４を位置決めする第１の工程と、この第１の工程で位置
決めされたマスク１４を回転させながら荷電粒子線ＥＢ
を偏向させて前記一の同心円上の第１の分割パターンを
試料４の第１の領域Ｗａ1〜Ｗａmに転写する第２の工程
と、マスク１４に形成されている他の同心円上の第２の
分割パターンに荷電粒子線ＥＢが照射されるようにマス
ク１４を位置決めするとともに、前記他の同心円上の第
２の分割パターンが、試料４上の対応する第２の領域Ｗ
ｂ1〜Ｗｂmに転写されるように試料４を位置決めする第
３の工程と、この第３の工程で位置決めされたマスク１
４を回転させながら荷電粒子線ＥＢを偏向させて前記他
の同心円上の第２の分割パターンを試料４の第２の領域
Ｗｂ1〜Ｗｂmに転写する第４の工程とを少なくとも含む
ことにより上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、請求項３または４に記載の荷
電粒子線転写方法において、試料４の一方向（ｙ方向）
の移動で、試料４の複数のダイに対応する領域４０ａ，
４０ｂ，４０ｃにマスク１４の一の同心円上の分割パタ
ーンを繰り返し転写する。 （６）請求項６の発明は、請求項１または２に記載のマ
スク１４を用いる荷電粒子線転写装置に適用され、荷電
粒子線発生源１と、マスク１４を回転させる回転手段１
１，１２と、マスク１４を光軸ＡＸに対して垂直方向に
移動させるマスク移動手段１３と、試料４を所定の方向
に移動させる試料移動手段７と、回転するマスク１４の
分割パターンに荷電粒子線ＥＢを照射して試料４に分割
パターンの像を投影する投影手段８とを備えて上述の目
的を達成する。 （７）請求項７の発明は、請求項６に記載の荷電粒子線
転写装置において、荷電粒子線ＥＢをマスク１４の半径
方向に偏向する偏向手段１５を備える。 （８）請求項８の発明は、請求項６または７に記載の荷
電粒子線転写装置において、試料４の一方向（ｙ方向）
の移動で、試料４の複数のダイに対応する領域４０ａ，
４０ｂ，４０ｃにマスク１４の一の同心円上の分割パタ
ーンを繰り返し転写する。

【００１４】（１）請求項１，３の発明では、マスク１
４の異なる同心円上の分割パターンは、マスク１４が回
転することによって荷電粒子線ＥＢにより試料４に転写
される。 （２）請求項２，４の発明では、マスク１４の異なる同
心円上の小領域ＭＡ1〜ＭＡm，ＭＢ1〜ＭＢmに形成され
た分割パターンは、マスク１４を回転させつつ荷電粒子
線ＥＢを偏向することにより試料４に転写される。 （３）請求項６の発明では、マスク移動手段１３で光軸
上に移動され回転手段１１，１２により回転されるマス
ク１４に荷電粒子線ＥＢが照射され、試料移動手段７に
より移動される試料４にパターンの像が投影される。

【００１５】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図２を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図１は本発明による荷電粒
子線転写装置の一実施の形態を示す図であり、電子線転
写装置の概略構成を示している。図１において、図５と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分を中心に説明
する。本実施の形態では、マスク１４を載置した回転ス
テージ１１およびモータ１２は、ステージ１３によって
ｘ方向に駆動可能となっている。なお、マスク１４の詳
細は後述する。１５は偏向器であり、マスク１４を通過
した電子線ＥＢがウエハ４の所定位置を照射するように
電子線ＥＢを偏向する。１６は制御回路であり、偏向器
５，１５による電子線ＥＢの偏向，モータ１２による回
転ステージ１１の回転，ステージ１３，７によるマスク
１４およびウエハ４の移動をそれぞれ制御する。その他
の構成は図５の装置と同様である。

【００１７】図２は図１に示す装置を用いた転写方法を
説明するための図であって、図６に対応する図である。
図２では、ウエハ４に設けられた被転写領域４０の第１
列〜第ｍ列の小領域Ｗａ1〜ＷａmおよびＷｂ1〜Ｗｂmの
配置は同一であるが、マスク１４における小領域ＭＡ1
〜ＭＡm，ＭＢ1〜ＭＢmの配置が図６の場合と異なる。
本実施の形態では、Ｏ1を中心とする同心円の異なる円
周に沿って、帯状領域４１ａの小領域Ｗａ1〜Ｗａmに対
応する小領域ＭＡ1〜ＭＡmと、帯状領域４１ｂの小領域
Ｗｂ1〜Ｗｂmに対応する小領域ＭＢ1〜ＭＢmとが設けら
れている。

【００１８】転写手順を説明する。まず、回転ステージ
１１にマスク１４を載置した後、回転ステージ１１を駆
動してＯ1を回転中心としてマスク１４をＲ方向に回転
させる。次に、回転ステージ１１，ステージ１３および
ステージ７を同期させながら駆動して、マスク１４の小
領域ＭＡ1の微少領域ｇ1s（図７の場合と同様に、微小
領域ｇ11〜ｇ1nの中間に位置する微小領域）および微少
領域ｇ1sと対応するウエハ４の微小領域ｆ1sが光軸ＡＸ
上に来るようにマスク１４およびウエハ４を移動する。
そして、ウエハ４をｙ方向に連続移動させつつ電子線Ｅ
Ｂを経路Ｐ４のように走査して、小領域ＭＡ1〜ＭＡmの
微少領域ｇ11〜ｇmnのパターンをウエハ４の帯状領域４
１ａに含まれる小領域Ｗａ1〜Ｗａmの微少領域ｆ11〜ｆ
mnに順に転写する。図２（ｃ）の経路Ｐ５に示すよう
に、被転写領域４０ａの帯状領域４１ａ1へのパターン
転写が終了したら、マスク１４の回転およびウエハ４の
ｙ方向への連続移動を継続させたまま隣接する被転写領
域４０ｂの帯状領域４１ａ2へのパターン転写を行う。

【００１９】同様にして被転写領域４０ｃの帯状領域４
１ａ3へのパターン転写が終了したら、同じ被転写領域
４０ｃの帯状領域４１ｂ3へのパターン転写を行う。こ
の際、光軸ＡＸ上に小領域ＭＢmの微少領域ｇms（微小
領域ｇm1〜ｇmnの中間に位置する微小領域）が来るよう
に、マスク１４を回転させつつステージ１３を−ｘ方向
へステップ移動させる。同時に、上述した微少領域ｇms
に対応する帯状領域４１ｂ3の微少領域ｆmsが光軸ＡＸ
上に来るように、ウエハ４を載置したステージ７の停
止，ｘ方向へのステップ移動および−ｙ方向への連続移
動を行わせる。そして、光軸ＡＸ上に微少領域ｇmsおよ
びｆmsが来たならば、第ｍ列〜第１列の小領域Ｗｂm，
Ｗｂm-1，…，Ｗｂ2，Ｗｂ1の順にそれぞれの微小領域
ｆm1〜ｆ11のパターン転写を行う。被転写領域４０ｃの
帯状領域４１ｂ3のパターン転写が終了したら、マスク
１４の回転およびウエハ４の連続移動を継続させたま
ま、被転写領域４０ｂの帯状領域４１ｂ2，被転写領域
４０ａの帯状領域４１ｂ1の順で同様のパターン転写を
行う。

【００２０】このようにして被転写領域４０ａ〜４０ｃ
のパターン転写が終了したら、ウエハ４の連続移動方向
を逆転して被転写領域４０ｄ,４０ｅ，４０ｆの帯状領
域４１ａ4，４１ａ5，４１ａ6へのパターン転写を行
う。その後さらにウエハ４の連続移動方向を逆転して、
帯状領域４１ｂ6，４１ｂ5，４１ｂ4へのパターン転写
を行う。すなわち、経路Ｐ５のようにパターンを転写す
る。

【００２１】図６の経路Ｐ３の場合にはウエハ４の連続
移動方向の逆転の回数は９回であるが、図２の経路Ｐ５
の場合には３回であることが分かる。そのため、この逆
転に要する時間が１／３に短縮され、大幅にスループッ
トが改善される。また、帯状領域４１ａ、４１ｂに転写
されるパターンをそれぞれマスク１４の異なる同心円上
に設けたので、図６の場合に比べマスク面を有効に利用
することができ、マスク１４の大きさを小さくすること
ができる。なお、従来の技術（図４）で説明したマスク
４の連続移動の逆転は、移動速度が高速度なため減速，
停止，逆方向への加速にかなりの時間を要するが、本実
施の形態のステージ１３によるマスク４のｘ方向へのス
テップ移動には、移動速度が小さいため所要時間が小さ
くて済む。

【００２２】上述した実施の形態では、微少領域ｇ11〜
ｇmnを各小領域ＭＡ1〜ＭＡm，ＭＢ1〜ＭＢm毎に半径方
向に並べて設けたが、例えば、外側の同心円上にｇ11〜
ｇ1n，ｇ2n〜ｇ21，〜，ｇm1〜ｇmnの順に小領域ＭＡ1
〜ＭＡmの微少領域を設け、内側の同心円上にｇm1〜ｇm
n，〜，ｇ2n〜ｇ21，ｇ11〜ｇ1nの順に小領域ＭＢ1〜Ｍ
Ｂmの微少領域を設けるようにしても良い。この際、マ
スク１４からウエハ４に照射される電子線ＥＢを偏向器
１５によって図２（ｂ）のｘ方向に偏向する。例えば、
小領域ＭＡ1の各微少領域ｇ11〜ｇ1nからの電子線ＥＢ
をｘ方向に偏向して、小領域Ｗａ1のｘ方向に並ぶ微少
領域ｆ11〜ｆ1nに電子線ＥＢを順に照射する。

【００２３】上述したマスク１４では、外側の円周上に
小領域ＭＡ1〜ＭＡmを、内側の円周上に小領域ＭＢm〜
ＭＢ1をそれぞれ配列して、ＭＡ1〜ＭＡm，ＭＢm〜ＭＢ
1の順に転写したが、以下のようにマスク１４を構成し
ても良い。マスク１４上に２ｎ個の円周を設定して、最
外周からｎ個の円周上に小領域ＭＡ1〜ＭＡmの微少領域
を順に（ｇ11，ｇ21，〜，ｇm1），（ｇm2，〜，ｇ22，
ｇ12），〜，（ｇ1n，ｇ2n，〜，ｇmn），と配列した
後、さらにその内側のｎ個の円周上に小領域ＭＢｍ〜Ｍ
Ｂ１の微少領域を順に（ｇm1，〜，ｇ21，〜，ｇ11），
（ｇ12，ｇ22，〜，ｇm2）〜，（ｇ1n，ｇ2n，〜，ｇm
n）と配列する。

【００２４】ウエハ４に転写する際には、最初にウエハ
４を図２のｙ方向に連続移動しながら被転写領域４０
ａ，４０ｂ，４０ｃの順に微少領域ｆ11，ｆ12，〜，ｆ
m1へパターンを転写する。次に、ウエハ４を−ｙ方向に
連続移動しながら被転写領域４０ｃ，４０ｂ，４０ａの
順に微少領域ｆm2，〜，ｆ22，ｆ12へパターンを転写す
る。このようにウエハ４の連続移動方向を逆転しながら
各被転写領域４０ａ，４０ｂ，４０ｃの帯状領域４１ａ
および４１ｂに含まれる第１行目〜第２ｎ行目の微小領
域にパターン転写を行う。次いで被転写領域４０ｄ〜４
０ｆへのパターン転写を同様に行う。このマスクの場合
も、従来のマスク１０比べマスク面積を小さくすること
ができる。

【００２５】以上説明した発明の実施の形態と特許請求
の範囲の要素との対応において、電子ビーム発生源１は
荷電粒子発生源を、ウエハ４は試料を、回転ステージ１
１およびモータ１２は回転手段を、ステージ１３はマス
ク移動手段を、ステージ７は試料移動手段を、投影光学
系８は投影手段を、偏向器１５は偏向手段をそれぞれ構
成する。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスク上の複数の同心円上に分割パターンが形成される
ため、マスク面を有効に利用することができ、マスクを
小さくすることができる。また、試料の一方向の移動に
より、マスクの一の同心円上に形成された分割パターン
を試料の複数のダイに対応する領域に繰り返し転写する
ことでき、パターン転写のスループットを向上させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による荷電粒子転写装置の概略構成を示
す図。

【図２】図１の転写装置による転写方法を説明する図で
あり、（ａ）はマスクの平面図、（ｂ）は被転写領域の
詳細図、（ｃ）はウエハの平面図。

【図３】従来の荷電粒子転写装置の第１の例を示す図で
あり、電子線転写装置の概略構成図。

【図４】図３の転写装置による転写方法を説明する図。

【図５】従来の荷電粒子転写装置の第２の例を示す図で
あり、電子線転写装置の概略構成図。

【図６】図５の転写装置で用いられるマスクおよびウエ
ハを説明する図であり、（ａ）はマスクの平面図、
（ｂ）は被転写領域の詳細図、（ｃ）はウエハの平面
図。

【図７】図５の転写装置による転写方法を詳細に説明す
る図。

【符号の説明】

３，１４ マスク ４ ウエハ ７，１３ ステージ ８ 投影光学系 １１ 回転ステージ １２ モータ １５ 偏向器 １６ 制御回路 ４１ａ，４１ｂ，４１ａ1〜４１ａ6，４１ｂ1〜４１ｂ6
帯状領域 ＭＡ1〜ＭＡm，ＭＢ1〜ＭＢm，Ｗａ1〜Ｗａm，Ｗｂ1〜
Ｗｂm 小領域

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｂ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料に転写すべきパターンが複数の分割
   パターンに分割されて形成され、回転することによって
   前記分割パターンのいずれかを選択して荷電粒子線によ
   り試料にその選択パターンを転写する荷電粒子線転写方
   法に用いられるマスクにおいて、 前記分割パターンを回転軸を中心とする少なくとも２つ
   の同心円上に２列に形成したことを特徴とするマスク。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のマスクにおいて、 半径方向に前記分割パターンを複数個並べてなる小領域
   を、前記同心円上で所定間隔あけて形成したことを特徴
   とするマスク。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のマスクに形成されてい
   る一の同心円上の第１の分割パターンに荷電粒子線が照
   射されるようにマスクを位置決めするとともに、前記一
   の同心円上の前記第１の分割パターンが、前記試料上の
   対応する第１の領域に転写されるように前記試料を位置
   決めする第１の工程と、 この第１の工程で位置決めされたマスクを回転させなが
   ら前記一の同心円上の前記第１の分割パターンを前記試
   料の前記第１の領域に転写する第２の工程と、 前記マスクに形成されている他の同心円上の第２の分割
   パターンに荷電粒子線が照射されるようにマスクを位置
   決めするとともに、前記他の同心円上の前記第２の分割
   パターンが、前記試料上の対応する第２の領域に転写さ
   れるように前記試料を位置決めする第３の工程と、 この第３の工程で位置決めされたマスクを回転させなが
   ら前記他の同心円上の前記第２の分割パターンを前記試
   料の前記第２の領域に転写する第４の工程とを少なくと
   も含むことを特徴とする荷電粒子線転写方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載のマスクに形成
   されている一の同心円上の第１の分割パターンに荷電粒
   子線が照射されるようにマスクを位置決めするととも
   に、前記一の同心円上の前記第１の分割パターンが、前
   記試料上の対応する第１の領域に転写されるように試料
   を位置決めする第１の工程と、 この第１の工程で位置決めされたマスクを回転させなが
   ら荷電粒子線を偏向させて前記一の同心円上の前記第１
   の分割パターンを前記試料の前記第１の領域に転写する
   第２の工程と、 前記マスクに形成されている他の同心円上の第２の分割
   パターンに荷電粒子線が照射されるようにマスクを位置
   決めするとともに、前記他の同心円上の前記第２の分割
   パターンが、前記試料上の対応する第２の領域に転写さ
   れるように試料を位置決めする第３の工程と、 この第３の工程で位置決めされたマスクを回転させなが
   ら荷電粒子線を偏向させて前記他の同心円上の前記第２
   の分割パターンを前記試料の前記第２の領域に転写する
   第４の工程とを少なくとも含むことを特徴とする荷電粒
   子線転写方法。
5. 【請求項５】 請求項３または４に記載の荷電粒子線転
   写方法において、 前記試料の一方向の移動で、前記試料の複数のダイに対
   応する領域に前記マスクの一の同心円上の分割パターン
   を繰り返し転写することを特徴とする荷電粒子線転写方
   法。
6. 【請求項６】 請求項１または２に記載のマスクを用い
   る荷電粒子線転写装置において、 荷電粒子線発生源と、 前記マスクを回転させる回転手段と、 前記マスクを光軸に対して垂直方向に移動させるマスク
   移動手段と、 試料を所定の方向に移動させる試料移動手段と、 回転する前記マスクの分割パターンに荷電粒子線を照射
   して前記試料に前記分割パターンの像を投影する投影手
   段とを備えることを特徴とする荷電粒子線転写装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の荷電粒子線転写装置に
   おいて、 前記荷電粒子線を前記マスクの半径方向に偏向する偏向
   手段を備えることを特徴とする荷電粒子線転写装置。
8. 【請求項８】 請求項６または７に記載の荷電粒子線転
   写装置において、 前記試料の一方向の移動で、前記試料の複数のダイに対
   応する領域に前記マスクの一の同心円上の分割パターン
   を繰り返し転写することを特徴とする荷電粒子線転写装
   置。