JPH05136035A - Ｅｂ描画装置 - Google Patents
Ｅｂ描画装置Info
- Publication number
- JPH05136035A JPH05136035A JP3295999A JP29599991A JPH05136035A JP H05136035 A JPH05136035 A JP H05136035A JP 3295999 A JP3295999 A JP 3295999A JP 29599991 A JP29599991 A JP 29599991A JP H05136035 A JPH05136035 A JP H05136035A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- screen
- electron beam
- patterns
- substrate
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】電子ビームを用いて基板上に微細なパターンを
描画するＥＢ描画技術に於て、同一パターンの繰り返し
描画が多い場合繰り返しパターン部を極薄い金属スクリ
ーンに形成し、スクリーンを通して電子ビームを照射し
てパターンの形成を行う一括転写露光方式を採るＥＢ描
画装置に於て、繰り返しパターンの形成されたスクリー
ンの各パターン毎に位置検出用のマークを設け、スクリ
ーンの照射パターン部を電子ビームの光軸中心近傍に移
動した後スクリーンを固定し、パターンの位置検出用の
マークと電子ビームの光軸の座標のアライメントを行っ
た後基板上の描画座標と描画パターンとの位置合わせを
行い描画するＥＢ描画装置。 【効果】ビーム光軸とパターン位置とのアライメントが
不要となり、さらに１枚のスクリーンに多数のパターン
を形成しても、各パターンの選択時電子ビームの偏向角
が一定となり転写時のパターンの重ね合わせ精度を向上
させられる。
描画するＥＢ描画技術に於て、同一パターンの繰り返し
描画が多い場合繰り返しパターン部を極薄い金属スクリ
ーンに形成し、スクリーンを通して電子ビームを照射し
てパターンの形成を行う一括転写露光方式を採るＥＢ描
画装置に於て、繰り返しパターンの形成されたスクリー
ンの各パターン毎に位置検出用のマークを設け、スクリ
ーンの照射パターン部を電子ビームの光軸中心近傍に移
動した後スクリーンを固定し、パターンの位置検出用の
マークと電子ビームの光軸の座標のアライメントを行っ
た後基板上の描画座標と描画パターンとの位置合わせを
行い描画するＥＢ描画装置。 【効果】ビーム光軸とパターン位置とのアライメントが
不要となり、さらに１枚のスクリーンに多数のパターン
を形成しても、各パターンの選択時電子ビームの偏向角
が一定となり転写時のパターンの重ね合わせ精度を向上
させられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造工程な
どに於て用いられる電子ビーム露光装置の構造、露光方
式に関し、その目的とするところは繰り返し描画が多い
微細素子を電子ビームを照射してパターンの形成を高速
に行う一括転写露光方式を採るＥＢ描画装置に於てその
パターン間の合わせ精度の向上及び多種類の繰り返しパ
ターンを一枚のスクリーンに形成しそれらを選択使用可
能ならしめるところにある。
どに於て用いられる電子ビーム露光装置の構造、露光方
式に関し、その目的とするところは繰り返し描画が多い
微細素子を電子ビームを照射してパターンの形成を高速
に行う一括転写露光方式を採るＥＢ描画装置に於てその
パターン間の合わせ精度の向上及び多種類の繰り返しパ
ターンを一枚のスクリーンに形成しそれらを選択使用可
能ならしめるところにある。
【０００２】
【従来の技術】図２に一括転写露光方式を採るＥＢ描画
装置の構造概念図を示し、図３に複数のパターンを形成
したスクリーンを示す。
装置の構造概念図を示し、図３に複数のパターンを形成
したスクリーンを示す。
【０００３】半導体メモリーを一括転写露光方式を採る
ＥＢ描画法を用いて作成するときメモリーの回路パター
ンをメモリーセル部及び周辺回路部の特徴的な繰り返し
部に分解し、各々を薄金属板で作られたスクリーンにフ
ォトエッチング法によって形成しておく。
ＥＢ描画法を用いて作成するときメモリーの回路パター
ンをメモリーセル部及び周辺回路部の特徴的な繰り返し
部に分解し、各々を薄金属板で作られたスクリーンにフ
ォトエッチング法によって形成しておく。
【０００４】従来の方法では繰り返しパターンを一括転
写するためのスクリーンをＥＢ描画装置に１枚セット
し、そのスクリーン内の各パターンと電子ビーム光軸と
の位置をあらかじめ測定しておき、照射パターンを選択
する場合はパターン選択（成形）偏向板３により決めら
れた角度にビームを偏向して照射（描画）を行う方法を
採る。
写するためのスクリーンをＥＢ描画装置に１枚セット
し、そのスクリーン内の各パターンと電子ビーム光軸と
の位置をあらかじめ測定しておき、照射パターンを選択
する場合はパターン選択（成形）偏向板３により決めら
れた角度にビームを偏向して照射（描画）を行う方法を
採る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の方法によ
る描画方法では多数のパターンを形成したスクリーンを
交換する度に煩雑な、ビーム光軸とパターン位置とのア
ライメントが必要となり、さらに１枚のスクリーンに多
数のパターンを形成した場合、各パターンを選択する時
電子ビームの偏向角が大きくなり転写時のパターンの重
ね合わせ精度の低下及びパターンの変形を招き、又１枚
のスクリーン上に形成できるパターンの数にも制限を受
けるなどの問題がある。
る描画方法では多数のパターンを形成したスクリーンを
交換する度に煩雑な、ビーム光軸とパターン位置とのア
ライメントが必要となり、さらに１枚のスクリーンに多
数のパターンを形成した場合、各パターンを選択する時
電子ビームの偏向角が大きくなり転写時のパターンの重
ね合わせ精度の低下及びパターンの変形を招き、又１枚
のスクリーン上に形成できるパターンの数にも制限を受
けるなどの問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためのもので、複数のパターンを形成したスクリー
ンを電子ビーム光軸移動設置可能とし、併せて各パター
ン毎に位置検出用のマークを設け、該スクリーンの照射
パターン部を電子ビームの光軸中心近傍に移動した後ス
クリーンを固定し、該パターンの位置検出用のマークと
電子ビームの光軸の座標のアライメントを行った後基板
上の描画座標と描画パターンとの位置合わせを行い描画
する方法を取った。
するためのもので、複数のパターンを形成したスクリー
ンを電子ビーム光軸移動設置可能とし、併せて各パター
ン毎に位置検出用のマークを設け、該スクリーンの照射
パターン部を電子ビームの光軸中心近傍に移動した後ス
クリーンを固定し、該パターンの位置検出用のマークと
電子ビームの光軸の座標のアライメントを行った後基板
上の描画座標と描画パターンとの位置合わせを行い描画
する方法を取った。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の方法による機構をもったＥＢ
露光装置の構造概念図を示す。
露光装置の構造概念図を示す。
【０００８】図中１で示される電子銃より引き出された
電子ビームを第一絞り（矩形）２によって所定の照射範
囲をもった矩形に成形し、パターン選択（成形）偏向板
３によってスクリーン４の所定のパターン位置にビーム
を偏向させる。
電子ビームを第一絞り（矩形）２によって所定の照射範
囲をもった矩形に成形し、パターン選択（成形）偏向板
３によってスクリーン４の所定のパターン位置にビーム
を偏向させる。
【０００９】スクリーンを透過し、所定のパターン形状
となった電子ビームは縮小レンズ５、対物レンズ６を経
由しさらに偏向器７によって描画基板８上の所定の位置
に照射される。
となった電子ビームは縮小レンズ５、対物レンズ６を経
由しさらに偏向器７によって描画基板８上の所定の位置
に照射される。
【００１０】ここで繰り返しパターンの形成されたスク
リーン４を円周方向に４ないし６分割し各部位にそれぞ
れ照射を行う繰り返しパターン及び各パターンの外周部
に位置検出アライメントマークを設けておく。
リーン４を円周方向に４ないし６分割し各部位にそれぞ
れ照射を行う繰り返しパターン及び各パターンの外周部
に位置検出アライメントマークを設けておく。
【００１１】図３にそのスクリーンの外形外略図を示
す。
す。
【００１２】図中４がスクリーンを示し、９が描画（照
射）を行う繰り返しパターン部、１０がアライメントマ
ークを示す。
射）を行う繰り返しパターン部、１０がアライメントマ
ークを示す。
【００１３】スクリーンは円形に作成されておりスクリ
ーンセンターを中心として電子ビーム光軸部に各パター
ンが回転位置するように構成されている。
ーンセンターを中心として電子ビーム光軸部に各パター
ンが回転位置するように構成されている。
【００１４】以下実際の描画（照射）シーケンスに従
い、半導体メモリーの描画について例を挙げ説明を行
う。
い、半導体メモリーの描画について例を挙げ説明を行
う。
【００１５】メモリーの回路パターンをメモリーセル部
及び周辺回路部の特徴的な繰り返し部に分解し各々を薄
金属板で作られたスクリーンにフォトエッチング法によ
って形成し上記ＥＢ描画装置に設置しておく。
及び周辺回路部の特徴的な繰り返し部に分解し各々を薄
金属板で作られたスクリーンにフォトエッチング法によ
って形成し上記ＥＢ描画装置に設置しておく。
【００１６】描画を行う基板を真空チャンバー内の試料
ステージに載せ電子ビーム光軸下に位置させた後、基板
上の既に描画されているパターン位置座標を基板上のマ
ークを電子ビームにより検出、読み取り、さらに重ねて
描画（照射）するパターンを選択し、スクリーンを回転
させて電子ビーム光軸下に位置させる。
ステージに載せ電子ビーム光軸下に位置させた後、基板
上の既に描画されているパターン位置座標を基板上のマ
ークを電子ビームにより検出、読み取り、さらに重ねて
描画（照射）するパターンを選択し、スクリーンを回転
させて電子ビーム光軸下に位置させる。
【００１７】選択されたパターンは当初電子ビーム光軸
との位置合わせができていない状態であるため、上記合
わせを行う様細く絞った電子ビームをパターン外周部の
アライメントマーク部にスキャンし、同時に基板ステー
ジ上の電子ビームセンサーを電子ビーム光軸下に移動さ
せ上記アライメントマークの検出を行いパターン位置座
標の算出を行わせる。
との位置合わせができていない状態であるため、上記合
わせを行う様細く絞った電子ビームをパターン外周部の
アライメントマーク部にスキャンし、同時に基板ステー
ジ上の電子ビームセンサーを電子ビーム光軸下に移動さ
せ上記アライメントマークの検出を行いパターン位置座
標の算出を行わせる。
【００１８】上記算出された座標にしたがって電子ビー
ムを偏向し基板上に選択されたパターンを照射したの
ち、次シヨット位置まで基板を移動し照射を行うことを
必要回数繰り返した。
ムを偏向し基板上に選択されたパターンを照射したの
ち、次シヨット位置まで基板を移動し照射を行うことを
必要回数繰り返した。
【００１９】当初選択されたパターンを繰り返し転写し
たのち、別のパターンを転写するためスクリーンを回転
し別のパターンを選択し同様にアライメントマークの検
出を行いパターン位置座標の算出、照射を行う。
たのち、別のパターンを転写するためスクリーンを回転
し別のパターンを選択し同様にアライメントマークの検
出を行いパターン位置座標の算出、照射を行う。
【００２０】上記操作を繰り返しパターンの主要部を転
写した後、繰り返し部以外のパターンを一括転写法によ
らず微細な矩形を用いた描画方式により形成し、メモリ
ーの素子の形成を行った。
写した後、繰り返し部以外のパターンを一括転写法によ
らず微細な矩形を用いた描画方式により形成し、メモリ
ーの素子の形成を行った。
【００２１】
【発明の効果】上記本発明による方式を採ったＥＢ描画
装置によって半導体メモリーの描画を行った結果従来の
方式による描画方式を取ったＥＢ描画装置を用いて行う
場合に比較してスクリーンを交換する度に必要であった
煩雑なビーム光軸とパターン位置とのアライメントが不
要となり、さらに１枚のスクリーンに多数のパターンを
形成しても、各パターンの選択時電子ビームの偏向角が
一定となり転写時のパターンの重ね合わせ精度を向上さ
せ、又パターンの変形も生ぜず、一枚のスクリーン上に
形成できるパターンの数も従来に比べ大幅な増加をはか
ることができた。
装置によって半導体メモリーの描画を行った結果従来の
方式による描画方式を取ったＥＢ描画装置を用いて行う
場合に比較してスクリーンを交換する度に必要であった
煩雑なビーム光軸とパターン位置とのアライメントが不
要となり、さらに１枚のスクリーンに多数のパターンを
形成しても、各パターンの選択時電子ビームの偏向角が
一定となり転写時のパターンの重ね合わせ精度を向上さ
せ、又パターンの変形も生ぜず、一枚のスクリーン上に
形成できるパターンの数も従来に比べ大幅な増加をはか
ることができた。
【図１】本発明の方法による機構をもったＥＢ露光装置
の構造概念図。
の構造概念図。
【図２】従来の方式による一括転写露光方式のＥＢ描画
装置の構造概念図。
装置の構造概念図。
【図３】本発明の方法による構成を持ったパターン描画
用スクリーンの外観図。
用スクリーンの外観図。
１ 電子銃 ２ 第一絞り（矩形） ３ パターン選択（成形）偏向板 ４ スクリーン ５ 縮小レンズ ６ 対物レンズ ７ 偏向器 ８ 描画基板 ９ 描画パターン １０ 位置検出アライメントマーク １１ 電子ビームセンサー
Claims (1)
- 【請求項１】電子ビームを用いて基板上に微細なパター
ンを描画するＥＢ描画技術に於て、同一パターンの繰り
返し描画が多い場合繰り返しパターン部を極薄い金属ス
クリーンに形成し、前記スクリーンを通して電子ビーム
を照射してパターンの形成を行う一括転写露光方式を採
るＥＢ描画装置に於て、繰り返しパターンの形成された
スクリーンの各パターン毎に位置検出用のマークを設
け、該スクリーンの照射パターン部を電子ビームの光軸
中心近傍に移動した後スクリーンを固定し、該パターン
の位置検出用のマークと電子ビームの光軸の座標のアラ
イメントを行った後基板上の描画座標と描画パターンと
の位置合わせを行い描画する機能を有することを特徴と
するＥＢ描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295999A JPH05136035A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Ｅｂ描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295999A JPH05136035A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Ｅｂ描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136035A true JPH05136035A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17827826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295999A Pending JPH05136035A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Ｅｂ描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607801A (en) * | 1993-12-14 | 1997-03-04 | Nec Corporation | Direct patterning method of resist film using electron beam |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP3295999A patent/JPH05136035A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607801A (en) * | 1993-12-14 | 1997-03-04 | Nec Corporation | Direct patterning method of resist film using electron beam |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060524 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060724 |
|
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