JPH1039150A - 導波型光回路及びその製造方法 - Google Patents
導波型光回路及びその製造方法Info
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- JPH1039150A JPH1039150A JP19442096A JP19442096A JPH1039150A JP H1039150 A JPH1039150 A JP H1039150A JP 19442096 A JP19442096 A JP 19442096A JP 19442096 A JP19442096 A JP 19442096A JP H1039150 A JPH1039150 A JP H1039150A
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- waveguide
- thermal expansion
- type optical
- coefft
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は光通信システム、光情報処理装置に
用いられる導波型光デバイス、特に、導波型光干渉計等
の導波型光回路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１と該基板上に形成された
平面型光導波路を少なくとも含む導波型光回路２であっ
て、上記シリコン基板１の上側に、熱膨張係数が上記基
板と異なる層であるチタン添加石英系ガラス板３を形成
し、シリコン基板の伸縮を抑えて、動作波長の温度依存
性を低減してなる。
用いられる導波型光デバイス、特に、導波型光干渉計等
の導波型光回路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１と該基板上に形成された
平面型光導波路を少なくとも含む導波型光回路２であっ
て、上記シリコン基板１の上側に、熱膨張係数が上記基
板と異なる層であるチタン添加石英系ガラス板３を形成
し、シリコン基板の伸縮を抑えて、動作波長の温度依存
性を低減してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム、
光情報処理装置に用いられる導波型光デバイス、特に、
導波型光干渉計等の導波型光回路及びその製造方法に関
するものである。
光情報処理装置に用いられる導波型光デバイス、特に、
導波型光干渉計等の導波型光回路及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光通信
や光情報処理の分野において、光デバイスには、従来、
レンズ，プリズム，干渉膜フィルタ等を組み合わせたバ
ルク型や、光ファイバを用いたファイバ型が用いられて
いる。しかしながら、両方の型ともミクロン単位の光軸
調整や組立精度が要求されるため、生産性が低くコスト
低減が困難であった。また、小型化にも限界がある。
や光情報処理の分野において、光デバイスには、従来、
レンズ，プリズム，干渉膜フィルタ等を組み合わせたバ
ルク型や、光ファイバを用いたファイバ型が用いられて
いる。しかしながら、両方の型ともミクロン単位の光軸
調整や組立精度が要求されるため、生産性が低くコスト
低減が困難であった。また、小型化にも限界がある。
【０００３】これに対して、平面基板上にフォトリソグ
ラフィ技術を用いて作製される光導波路を用いた導波型
は、基板上に一括して多数の導波路を形成できるため、
大量の生産性，小型化，集積化等の点で、バルク型，フ
ァイバ型より優れており、光デバイスの主流となりつつ
ある。
ラフィ技術を用いて作製される光導波路を用いた導波型
は、基板上に一括して多数の導波路を形成できるため、
大量の生産性，小型化，集積化等の点で、バルク型，フ
ァイバ型より優れており、光デバイスの主流となりつつ
ある。
【０００４】図３に導波型干渉計の一例として、波長分
割多重光伝送方式（ＷＤＭ）に用いられるアレー導波路
回折格子型光合分波器の概略を示す。図３に示すよう
に、該合分波器はシリコン基板１の上に光導波路から構
成される光導波回路２から構成されている。上記光導波
回路２は、基板１上に形成される長さの異なる複数の導
波路からなるアレー導波路回折格子２１、二つのスラブ
導波路回折格子２２，２３、入力導波路２４、出力導波
路２５から構成されている。
割多重光伝送方式（ＷＤＭ）に用いられるアレー導波路
回折格子型光合分波器の概略を示す。図３に示すよう
に、該合分波器はシリコン基板１の上に光導波路から構
成される光導波回路２から構成されている。上記光導波
回路２は、基板１上に形成される長さの異なる複数の導
波路からなるアレー導波路回折格子２１、二つのスラブ
導波路回折格子２２，２３、入力導波路２４、出力導波
路２５から構成されている。
【０００５】図４は導波路近傍の断面形状を詳細に示す
図面である。同図（ａ）は導波路と平行な断面図、
（ｂ）は導波路と直交する方向の断面図である。図４に
示すように、シリコン基板１の上に石英ガラス膜２ａ，
２ｂ，２ｃが順次堆積され、膜２ａと膜２ｃとの屈折率
を、形成された導波路コア２ｂよりも低くすることによ
り光を該コア２ｂ内に閉じ込め、導波路としての作用を
有する。
図面である。同図（ａ）は導波路と平行な断面図、
（ｂ）は導波路と直交する方向の断面図である。図４に
示すように、シリコン基板１の上に石英ガラス膜２ａ，
２ｂ，２ｃが順次堆積され、膜２ａと膜２ｃとの屈折率
を、形成された導波路コア２ｂよりも低くすることによ
り光を該コア２ｂ内に閉じ込め、導波路としての作用を
有する。
【０００６】図３に示すように、入力導波路２４の内の
一本に波長多重光（λ1 ，λ2 ・・・λN ）が入力され
た場合を例に取り、この合分波器の動作原理を簡単に説
明する（なお、動作原理の詳細は、特開平２−２４４１
０５号参照）。入力光はスラブ導波路２２内で水平方向
の光閉じ込めがなくなるので、水平方向に広がりながら
伝搬し、複数の導波路からなるアレー導波路回折格子２
１に到達する。該アレー導波路回折格子２１を構成する
複数の導波路の長さが異なるため、スラブ導波路回折格
子２３に到達したときの光の位相は波長により異なる。
一本に波長多重光（λ1 ，λ2 ・・・λN ）が入力され
た場合を例に取り、この合分波器の動作原理を簡単に説
明する（なお、動作原理の詳細は、特開平２−２４４１
０５号参照）。入力光はスラブ導波路２２内で水平方向
の光閉じ込めがなくなるので、水平方向に広がりながら
伝搬し、複数の導波路からなるアレー導波路回折格子２
１に到達する。該アレー導波路回折格子２１を構成する
複数の導波路の長さが異なるため、スラブ導波路回折格
子２３に到達したときの光の位相は波長により異なる。
【０００７】したがって、スラブ導波路回折格子２３を
伝搬する光の波面進行方向が波長によって異なるので、
入力された波長多重光（λ1 ，λ2 ・・・λN ）は出力
導波路２５−１から２５−Ｎに分波されて取り出され
る。このように本合分波器は複数の多重光を一度に分波
できるためＷＤＭに不可欠な部品となっている。
伝搬する光の波面進行方向が波長によって異なるので、
入力された波長多重光（λ1 ，λ2 ・・・λN ）は出力
導波路２５−１から２５−Ｎに分波されて取り出され
る。このように本合分波器は複数の多重光を一度に分波
できるためＷＤＭに不可欠な部品となっている。
【０００８】ところが実際にアレー導波路回折格子型光
合分波器を作製し、その特性の測定を行うと、温度依存
性があることが明らかになった。すなわち、温度が変化
すると、分波される光の波長が変化する。
合分波器を作製し、その特性の測定を行うと、温度依存
性があることが明らかになった。すなわち、温度が変化
すると、分波される光の波長が変化する。
【０００９】以下、上記合分波器の中心波長（中央の入
力導波路から中央の出力導波路へ伝達される波長）λの
温度依存性を式を用いて詳細に説明する。なお、他の出
力導波路から得られる波長も同様の温度依存性をもつこ
とは明らかである。上記合分波器の動作原理より、中心
波長λは下記式（１）を満足する。
力導波路から中央の出力導波路へ伝達される波長）λの
温度依存性を式を用いて詳細に説明する。なお、他の出
力導波路から得られる波長も同様の温度依存性をもつこ
とは明らかである。上記合分波器の動作原理より、中心
波長λは下記式（１）を満足する。
【００１０】
【数１】ｎｃＬ＝ｍλ ・・・（１）
【００１１】ここで、ｎｃは導波路の実効屈折率、Ｌは
アレー導波回路回折格子を構成する導波路の長さの差、
ｍは回折次数（整数）である。（１）式を波長について
解き、温度Ｔで微分すると、波長の温度依存性は下記式
（２）で表される。
アレー導波回路回折格子を構成する導波路の長さの差、
ｍは回折次数（整数）である。（１）式を波長について
解き、温度Ｔで微分すると、波長の温度依存性は下記式
（２）で表される。
【００１２】
【数２】
【００１３】ここで、Ｔは温度、αは基板であるシリコ
ンの熱膨張係数である。ｎｃ＝1.４５、ｄｎｃ／ｄＴ＝
4.３×１０-6、α＝3.５×１０-6、と仮定するとｄλ／
ｄＴ＝0.０１ｎｍ／℃となる。なお、この値は測定で得
られた値と一致しており、定数の仮定は妥当なものとい
える。
ンの熱膨張係数である。ｎｃ＝1.４５、ｄｎｃ／ｄＴ＝
4.３×１０-6、α＝3.５×１０-6、と仮定するとｄλ／
ｄＴ＝0.０１ｎｍ／℃となる。なお、この値は測定で得
られた値と一致しており、定数の仮定は妥当なものとい
える。
【００１４】一般に、通信機器の使用環境温度は５℃〜
６５℃であり、この環境で使用したと仮定すると、波長
が最大で0.６ｎｍ変動することになる。
６５℃であり、この環境で使用したと仮定すると、波長
が最大で0.６ｎｍ変動することになる。
【００１５】温度依存性は、現在検討されている波長間
隔１ｎｍ程度のＷＤＭでは致命的な問題である。したが
って、実際に使用するときには、該合分波器の温度を一
定に保つため、温度制御装置等を付加する必要があっ
た。また、温度依存性の問題は上記説明で取り上げたア
レー導波路回折格子型光後分波器以外にも、同様の材料
で作られる導波型干渉計（例えば、マッハツェンダー干
渉計）に共通の問題であり、その対策が望まれていた。
なお、当然のことながら、屈折率の温度係数の小さい導
波路材料、膨張係数の小さい基板を用いれば、波長の温
度依存性の小さな導波型光干渉計を実現するこは可能で
ある。しかし、実用性を考えたとき、作製の容易さ，価
格，使用実績，耐久性などを総合的に判断して、石英ガ
ラスとシリコンを凌駕する材料を見だせないのが現状で
ある。
隔１ｎｍ程度のＷＤＭでは致命的な問題である。したが
って、実際に使用するときには、該合分波器の温度を一
定に保つため、温度制御装置等を付加する必要があっ
た。また、温度依存性の問題は上記説明で取り上げたア
レー導波路回折格子型光後分波器以外にも、同様の材料
で作られる導波型干渉計（例えば、マッハツェンダー干
渉計）に共通の問題であり、その対策が望まれていた。
なお、当然のことながら、屈折率の温度係数の小さい導
波路材料、膨張係数の小さい基板を用いれば、波長の温
度依存性の小さな導波型光干渉計を実現するこは可能で
ある。しかし、実用性を考えたとき、作製の容易さ，価
格，使用実績，耐久性などを総合的に判断して、石英ガ
ラスとシリコンを凌駕する材料を見だせないのが現状で
ある。
【００１６】本願発明は、上記問題に鑑み、温度依存性
の低減を図り、実用的な導波型光干渉計等の導波型光回
路及びその製造方法を提供することを課題とする。
の低減を図り、実用的な導波型光干渉計等の導波型光回
路及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の第１の導波型光回路の構成は、基板と該基板上に形
成された平面型光導波路を少なくとも含む導波型光回路
であって、上記基板の下側又は上記平面型光導波路の上
側又はその両方に、熱膨張係数が上記基板と異なる層を
形成してなることを特徴とする。
明の第１の導波型光回路の構成は、基板と該基板上に形
成された平面型光導波路を少なくとも含む導波型光回路
であって、上記基板の下側又は上記平面型光導波路の上
側又はその両方に、熱膨張係数が上記基板と異なる層を
形成してなることを特徴とする。
【００１８】本発明の第２の導波型光回路の構成は、基
板と該基板上に形成された平面型光導波路を少なくとも
含む導波型光回路であって、上記基板の下側又は上記平
面型光導波路の上側又はその両方に、熱膨張係数が上記
基板より小さい層を形成してなることを特徴とする。
板と該基板上に形成された平面型光導波路を少なくとも
含む導波型光回路であって、上記基板の下側又は上記平
面型光導波路の上側又はその両方に、熱膨張係数が上記
基板より小さい層を形成してなることを特徴とする。
【００１９】上記第１及び第２の導波型光回路の構成に
おいて、上記平面型光導波路が、光干渉計を含むもので
あることを特徴とする。
おいて、上記平面型光導波路が、光干渉計を含むもので
あることを特徴とする。
【００２０】一方、本発明の導波型光回路の製造方法
は、基板と該基板上に形成された平面型光導波路を少な
くとも含む導波型光回路の製造方法であって、 上記基板上に上記平面型光導波路を形成する工程と、 上記基板の下側、又は上記平面型光導波路の上側又は
その両方に、熱膨張係数が上記基板と異なる材料からな
る平版を接着剤を介して配置する工程と、 上記接着剤を加熱して硬化させる工程と、 冷却する工程とよりなることを特徴とする。
は、基板と該基板上に形成された平面型光導波路を少な
くとも含む導波型光回路の製造方法であって、 上記基板上に上記平面型光導波路を形成する工程と、 上記基板の下側、又は上記平面型光導波路の上側又は
その両方に、熱膨張係数が上記基板と異なる材料からな
る平版を接着剤を介して配置する工程と、 上記接着剤を加熱して硬化させる工程と、 冷却する工程とよりなることを特徴とする。
【００２１】本発明によれば、熱膨張係数の小さな板状
物質を接着することにより、温度変化による導波路基板
の熱収縮を抑制し、導波型光干渉計の波長の温度依存性
の内、基板の熱膨張の寄与を取り除き、温度依存性の低
減を実現できる。
物質を接着することにより、温度変化による導波路基板
の熱収縮を抑制し、導波型光干渉計の波長の温度依存性
の内、基板の熱膨張の寄与を取り除き、温度依存性の低
減を実現できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００２３】図１は本発明による温度依存性が低減され
たアレー導波路回折格子型光合分波器の概略を示す図で
ある。同図に示すように、シリコン基板１上にアレー導
波路回折格子型光合分波回路２が構成されており、その
形状及び動作原理は先に説明した図３に示すものと同様
である。図１中、符号１はシリコン基板、２は光導波回
路（アレー導波路回折格子、二つのスラブ導波路回折格
子、入力導波路、出力導波路）を各々図示する。すなわ
ち、本発明の実施の形態にかかる導波型光回路は、シリ
コン基板１と該基板上に形成された平面型光導波路を少
なくとも含む導波型光回路２であって、上記シリコン基
板１の上側に、熱膨張係数が上記基板と異なる層である
チタン添加石英系ガラス板３を接着してなり、シリコン
基板の伸縮を抑えて、動作波長の温度依存性を低減して
なるものである。
たアレー導波路回折格子型光合分波器の概略を示す図で
ある。同図に示すように、シリコン基板１上にアレー導
波路回折格子型光合分波回路２が構成されており、その
形状及び動作原理は先に説明した図３に示すものと同様
である。図１中、符号１はシリコン基板、２は光導波回
路（アレー導波路回折格子、二つのスラブ導波路回折格
子、入力導波路、出力導波路）を各々図示する。すなわ
ち、本発明の実施の形態にかかる導波型光回路は、シリ
コン基板１と該基板上に形成された平面型光導波路を少
なくとも含む導波型光回路２であって、上記シリコン基
板１の上側に、熱膨張係数が上記基板と異なる層である
チタン添加石英系ガラス板３を接着してなり、シリコン
基板の伸縮を抑えて、動作波長の温度依存性を低減して
なるものである。
【００２４】ここで、導波路上に接着されるチタン添加
石英系ガラス板３は、熱膨張係数がα＝0.０３×１０-6
のチタン添加石英系ガラス板である。ここで、本実施の
形態では上記低α板３の厚さは、２ｍｍとしている。こ
れは、上記シリコン基板１の厚さが１ｍｍであり、その
基板の伸縮を抑えるためである。また、上記低α板３の
厚さが不足するとシリコン基板１の伸縮をおさえること
が困難となる。よって、シリコン基板の場合例えば厚さ
が２ｍｍの場合には、少なくとも厚さ１ｍｍ程度の低α
板が必要となるが、この厚さは低α板の材料により変化
するが伸縮を抑える程度の厚さが必要となる。入力導波
路と出力導波路とのある導波路基板端面には、光ファイ
バ保持部品５，６設けられており、該保持部品５，６に
は光ファイバ４，７が固定されている。
石英系ガラス板３は、熱膨張係数がα＝0.０３×１０-6
のチタン添加石英系ガラス板である。ここで、本実施の
形態では上記低α板３の厚さは、２ｍｍとしている。こ
れは、上記シリコン基板１の厚さが１ｍｍであり、その
基板の伸縮を抑えるためである。また、上記低α板３の
厚さが不足するとシリコン基板１の伸縮をおさえること
が困難となる。よって、シリコン基板の場合例えば厚さ
が２ｍｍの場合には、少なくとも厚さ１ｍｍ程度の低α
板が必要となるが、この厚さは低α板の材料により変化
するが伸縮を抑える程度の厚さが必要となる。入力導波
路と出力導波路とのある導波路基板端面には、光ファイ
バ保持部品５，６設けられており、該保持部品５，６に
は光ファイバ４，７が固定されている。
【００２５】なお、一般に、光ファイバを導波路端面に
接続するためには、先ず、導波路端面を研磨する必要が
あるが、このとき、厚さ１ｍｍのシリコン基板１と比較
して非常に薄い石英硝子導波路（厚さ約６０μｍ）の縁
が欠けないように、導波路上に研磨用やといを張り付け
ることが一般的に行われているが、本発明の構成では、
上記低α板３がその役割も果している。また、光ファイ
バ保持部品５との接着面積を増大し、接着強度を高める
効果も奏している。
接続するためには、先ず、導波路端面を研磨する必要が
あるが、このとき、厚さ１ｍｍのシリコン基板１と比較
して非常に薄い石英硝子導波路（厚さ約６０μｍ）の縁
が欠けないように、導波路上に研磨用やといを張り付け
ることが一般的に行われているが、本発明の構成では、
上記低α板３がその役割も果している。また、光ファイ
バ保持部品５との接着面積を増大し、接着強度を高める
効果も奏している。
【００２６】図２は、本発明における低α板３のいくつ
かの接着形態を示すための図であり、導波型光干渉計の
垂直断面図である。
かの接着形態を示すための図であり、導波型光干渉計の
垂直断面図である。
【００２７】図２（ａ）は図１で説明した実施の形態の
場合であり、シリコン基板１の上面側の導波路上面に、
低α板３が接着されている。
場合であり、シリコン基板１の上面側の導波路上面に、
低α板３が接着されている。
【００２８】図２（ｂ）は図１で説明した実施の形態の
場合とは異なり、導波路上面とは逆のシリコン基板１の
下側に、低α板３が接着されている。このようにした場
合には、導波路が従来技術の説明の図４に示したような
埋め込み型の導波路ではなく、その表面に凹凸がある導
波路の場合に特に有効なものとなる。
場合とは異なり、導波路上面とは逆のシリコン基板１の
下側に、低α板３が接着されている。このようにした場
合には、導波路が従来技術の説明の図４に示したような
埋め込み型の導波路ではなく、その表面に凹凸がある導
波路の場合に特に有効なものとなる。
【００２９】図２（ｃ）は（ａ）で説明した実施の形態
と（ｂ）で説明した実施の形態とを併せたものであり、
導波路の上面及び基板の下側の両面に、低α板３を各々
接着したものであり、このようにすることにより、一枚
の低α板以上に基板の収縮を抑制することができる。
と（ｂ）で説明した実施の形態とを併せたものであり、
導波路の上面及び基板の下側の両面に、低α板３を各々
接着したものであり、このようにすることにより、一枚
の低α板以上に基板の収縮を抑制することができる。
【００３０】次に、本実施の形態の導波型光回路の製造
方法及びその得られた結果について説明する。
方法及びその得られた結果について説明する。
【００３１】作製にあたっては、火炎加水分解ガラス膜
堆積法を用いてシリコン基板１上に石英ガラス膜を形成
し、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチングによ
り導波路のパターン化を行った。その後、低α板３とし
てチタン添加石英系ガラス（α＝0.０３×１０-6）をエ
ポキシ系接着剤を用いて接着した。なお、接着層が厚く
なると、接着剤の弾性により、シリコン基板１の伸縮を
低α板３で抑制できなくなるので、接着にあたっては、
接着面全端に亙って接着層の厚さが均一に５μｍとなる
ように注意を払った。その後、基板端面を研磨したの
ち、光ファイバを接着した。
堆積法を用いてシリコン基板１上に石英ガラス膜を形成
し、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチングによ
り導波路のパターン化を行った。その後、低α板３とし
てチタン添加石英系ガラス（α＝0.０３×１０-6）をエ
ポキシ系接着剤を用いて接着した。なお、接着層が厚く
なると、接着剤の弾性により、シリコン基板１の伸縮を
低α板３で抑制できなくなるので、接着にあたっては、
接着面全端に亙って接着層の厚さが均一に５μｍとなる
ように注意を払った。その後、基板端面を研磨したの
ち、光ファイバを接着した。
【００３２】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）それぞれの接
着方法の場合について中心波長の温度係数を測定したと
ころ、（ａ）の基板の上面に低α板を設けた場合では、
0.００５ｎｍ／℃、（ｂ）の基板の下面に低α板を設け
た場合では、0.００５１ｎｍ／℃、（ｃ）の基板の両面
に低α板を設けた場合では、0.００４６ｎｍ／℃であっ
た。いずれの場合でも低α板を接着しない従来の場合と
比較して、温度依存性が半減された。
着方法の場合について中心波長の温度係数を測定したと
ころ、（ａ）の基板の上面に低α板を設けた場合では、
0.００５ｎｍ／℃、（ｂ）の基板の下面に低α板を設け
た場合では、0.００５１ｎｍ／℃、（ｃ）の基板の両面
に低α板を設けた場合では、0.００４６ｎｍ／℃であっ
た。いずれの場合でも低α板を接着しない従来の場合と
比較して、温度依存性が半減された。
【００３３】なお、残った温度依存性は石英ガラスの屈
折率の温度依存性によるものである。よって、さらに、
温度依存性を低減させる必要がある場合には、熱膨張係
数が負の材料を接着すればよい。例えば、α＝３×１０
-6程度の板を接着すれば、温度係数を零にできることは
上述した式（２）により明らかである。
折率の温度依存性によるものである。よって、さらに、
温度依存性を低減させる必要がある場合には、熱膨張係
数が負の材料を接着すればよい。例えば、α＝３×１０
-6程度の板を接着すれば、温度係数を零にできることは
上述した式（２）により明らかである。
【００３４】また、本実施の形態ではシリコン基板上に
作製された石英系導波路を用いているが、本発明はこの
材料に限定されるものではなく、種々の導波路基板、導
波路材料においても同様の効果が得られることは明らか
である。
作製された石英系導波路を用いているが、本発明はこの
材料に限定されるものではなく、種々の導波路基板、導
波路材料においても同様の効果が得られることは明らか
である。
【００３５】
【発明の効果】以上、実施の形態と共に詳細に説明した
ように、本発明によれば、シリコン基板上に作製された
導波型光干渉計における動作波長の温度依存性を熱膨張
係数の小さな板状物質を接着するという極めて簡便な方
法で低減することが可能となる。
ように、本発明によれば、シリコン基板上に作製された
導波型光干渉計における動作波長の温度依存性を熱膨張
係数の小さな板状物質を接着するという極めて簡便な方
法で低減することが可能となる。
【００３６】したがって、低コストで実用的な導波型光
干渉計を波長分割多重光通信をはじめとする様々な分野
に提供でき、多大な効果が気体できる。
干渉計を波長分割多重光通信をはじめとする様々な分野
に提供でき、多大な効果が気体できる。
【図１】本発明のアレー導波路回折格子型光合分波器の
概略図である。
概略図である。
【図２】本発明の低α板の接着形態を示す導波型光干渉
計の断面図である。
計の断面図である。
【図３】アレー導波路回折格子型光合分波器の概略図で
ある。
ある。
【図４】導波型光干渉計導波路の断面図である。
１ シリコン基板 ２ 光導波回路 ３ 熱膨張係数の小さな板状物質 ４，７ 光ファイバ ５，６ 光ファイバ保持部品
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と該基板上に形成された平面型光導
波路を少なくとも含む導波型光回路であって、 上記基板の下側又は上記平面型光導波路の上側又はその
両方に、熱膨張係数が上記基板と異なる層を形成してな
ることを特徴とする導波型光回路。 - 【請求項２】 基板と該基板上に形成された平面型光導
波路を少なくとも含む導波型光回路であって、 上記基板の下側又は上記平面型光導波路の上側又はその
両方に、熱膨張係数が上記基板より小さい層を形成して
なることを特徴とする導波型光回路。 - 【請求項３】 請求項１及び２記載の導波型光回路にお
いて、 上記平面型光導波路が、光干渉計を含むものであること
を特徴とする導波型光回路。 - 【請求項４】 基板と該基板上に形成された平面型光導
波路を少なくとも含む導波型光回路の製造方法であっ
て、 上記基板上に上記平面型光導波路を形成する工程と、 上記基板の下側、又は上記平面型光導波路の上側又はそ
の両方に、熱膨張係数が上記基板と異なる材料からなる
平版を接着剤を介して配置する工程と、 上記接着剤を加熱して硬化させる工程と、 冷却する工程とよりなることを特徴とする導波型光回路
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19442096A JPH1039150A (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 導波型光回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19442096A JPH1039150A (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 導波型光回路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1039150A true JPH1039150A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16324315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19442096A Pending JPH1039150A (ja) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | 導波型光回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1039150A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1154292A1 (en) * | 2000-05-09 | 2001-11-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Athermalised optical waveguide and methods of fabricating the same |
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| KR100357852B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2002-10-25 | 삼성전자 주식회사 | 부가 도파로를 이용한 광 도파로열 격자 소자의 측정 및정렬 방법 및 그 광 도파로열 격자 소자 |
| KR100389837B1 (ko) * | 2001-07-24 | 2003-07-02 | 삼성전자주식회사 | 광도파로 소자의 패키징 장치 |
| US6876808B2 (en) | 2001-07-27 | 2005-04-05 | Nec Corporation | Optical waveguide device |
| JP2013092625A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-24 JP JP19442096A patent/JPH1039150A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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