JPH10336000A - 高周波信号切り替え器 - Google Patents
高周波信号切り替え器Info
- Publication number
- JPH10336000A JPH10336000A JP14746497A JP14746497A JPH10336000A JP H10336000 A JPH10336000 A JP H10336000A JP 14746497 A JP14746497 A JP 14746497A JP 14746497 A JP14746497 A JP 14746497A JP H10336000 A JPH10336000 A JP H10336000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency signal
- signal switch
- shunt element
- capacitor
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単純な構成で充分なアイソレーション特性の
得られる高周波信号切り替え器を得る。 【解決手段】 入力から出力へ接続する直列素子と、出
力端子を接地するシャント素子とで構成される。シャン
ト素子はＦＥＴ2 とシャント素子全体が含むリーケージ
インダクタンスＬ1 と伝送帯域の中心周波数ｆ2 で共振
するキャパシタＣ1 とを含む。アイソレーション特性を
改善する場合、ＦＥＴ2 のオン抵抗値２Ω、リーケージ
インダクタンスＬ1 のインピーダンスを６Ωとすると、
キャパシタＣ1 でインダクタンスＬ1 のインピーダンス
をうち消した場合、８Ωあったシャント素子の総合イン
ピーダンスを、２Ωまで下げることによって、−１０ｄ
Ｂ程度改善することができる。
得られる高周波信号切り替え器を得る。 【解決手段】 入力から出力へ接続する直列素子と、出
力端子を接地するシャント素子とで構成される。シャン
ト素子はＦＥＴ2 とシャント素子全体が含むリーケージ
インダクタンスＬ1 と伝送帯域の中心周波数ｆ2 で共振
するキャパシタＣ1 とを含む。アイソレーション特性を
改善する場合、ＦＥＴ2 のオン抵抗値２Ω、リーケージ
インダクタンスＬ1 のインピーダンスを６Ωとすると、
キャパシタＣ1 でインダクタンスＬ1 のインピーダンス
をうち消した場合、８Ωあったシャント素子の総合イン
ピーダンスを、２Ωまで下げることによって、−１０ｄ
Ｂ程度改善することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波信号切り替え
器に関し、特にマイクロ波通信用の高周波信号切り替え
器に関する。
器に関し、特にマイクロ波通信用の高周波信号切り替え
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波信号切り替え器、例えば単
極単投型（ＳＰＳＴ）切り替え器は、図３の回路図に示
すような構成を持っている。すなわち、入力から出力へ
接続する直列素子（電界効果トランジスタＦＥＴ1 を主
体とする）と、出力端子を接地するシャント素子（同じ
く電界効果トランジスタＦＥＴ2 を主体とする）とで構
成される。
極単投型（ＳＰＳＴ）切り替え器は、図３の回路図に示
すような構成を持っている。すなわち、入力から出力へ
接続する直列素子（電界効果トランジスタＦＥＴ1 を主
体とする）と、出力端子を接地するシャント素子（同じ
く電界効果トランジスタＦＥＴ2 を主体とする）とで構
成される。
【０００３】ゲート回路の抵抗器Ｒ１，Ｒ２を夫々介し
て、直列素子であるＦＥＴ1 をオンにしシャント素子で
あるＦＥＴ2 をオフにすると、入力が出力に接続され高
周波信号切り替え器としてはオンとなる。同様にＦＥＴ
1 をオフにしＦＥＴ2 をオンにすると、高周波信号切り
替え器としてはオフとなる。すなわち、ＦＥＴは直流あ
るいは低周波信号に対しては、オン抵抗値が例えば２Ω
と低く、オフ抵抗値が例えば数ＭΩときわめて高いた
め、信号切り替え器の特性（信号切り替え器オフ時の入
力／出力間のアイソレーションが−１２０ＭＨｚ）とし
ては、きわめて優れていることとなる。
て、直列素子であるＦＥＴ1 をオンにしシャント素子で
あるＦＥＴ2 をオフにすると、入力が出力に接続され高
周波信号切り替え器としてはオンとなる。同様にＦＥＴ
1 をオフにしＦＥＴ2 をオンにすると、高周波信号切り
替え器としてはオフとなる。すなわち、ＦＥＴは直流あ
るいは低周波信号に対しては、オン抵抗値が例えば２Ω
と低く、オフ抵抗値が例えば数ＭΩときわめて高いた
め、信号切り替え器の特性（信号切り替え器オフ時の入
力／出力間のアイソレーションが−１２０ＭＨｚ）とし
ては、きわめて優れていることとなる。
【０００４】しかし、高周波信号例えば１０００ＭＨｚ
の信号に対しては、ＦＥＴのソース／ドレイン間の浮遊
容量Ｃ0 （例えば２ｐＦ）のインピーダンスが、例えば
８０Ωと低くなり、シャント素子内部のリーケージイン
ダクタンスＬ2 （例えば１ｎＨ）のインピーダンスが、
例えば６Ωとなって無視できなくなる。従って、図４に
示すように伝送する下限周波数をｆ1 、中心周波数をｆ
2 、上限周波数をｆ3とし、中心周波数ｆ2 を例えば１
０００ＭＨｚとすると、ｆ2 におけるアイソレーション
は−２０ｄＢ程度になってしまう。
の信号に対しては、ＦＥＴのソース／ドレイン間の浮遊
容量Ｃ0 （例えば２ｐＦ）のインピーダンスが、例えば
８０Ωと低くなり、シャント素子内部のリーケージイン
ダクタンスＬ2 （例えば１ｎＨ）のインピーダンスが、
例えば６Ωとなって無視できなくなる。従って、図４に
示すように伝送する下限周波数をｆ1 、中心周波数をｆ
2 、上限周波数をｆ3とし、中心周波数ｆ2 を例えば１
０００ＭＨｚとすると、ｆ2 におけるアイソレーション
は−２０ｄＢ程度になってしまう。
【０００５】例えば所要性能が、オフ時のアイソレーシ
ョンが−３０ｄＢ以上必要であるとすると、この所要性
能を満たすことができない問題がある。
ョンが−３０ｄＢ以上必要であるとすると、この所要性
能を満たすことができない問題がある。
【０００６】特開平５−２９９９９５号公報には、図５
に示すような入力から出力へ接続する直列素子（共振回
路）１と、出力端子を接地するシャント素子（共振回
路）２とで構成される高周波信号切り替え器が提案され
ている。
に示すような入力から出力へ接続する直列素子（共振回
路）１と、出力端子を接地するシャント素子（共振回
路）２とで構成される高周波信号切り替え器が提案され
ている。
【０００７】図５において、共振回路１と共振回路２と
は、基本的に同一の２端子回路で、ＦＥＴ3,4 あるいは
ＦＥＴ5,6 がオンの時は、キャパシタＣ2 あるいはＣ3
とインダクタＬ3 あるいはＬ5 とで並列共振回路を構成
し、２端子間にハイインピーダンスを与える。ＦＥＴ3,
4 あるいはＦＥＴ5,6 がオフの時は、キャパシタＣ2あ
るいはＣ3 とインダクタＬ4 あるいはＬ6 とで直列共振
回路を構成し、２端子間にローインピーダンスを与え
る。
は、基本的に同一の２端子回路で、ＦＥＴ3,4 あるいは
ＦＥＴ5,6 がオンの時は、キャパシタＣ2 あるいはＣ3
とインダクタＬ3 あるいはＬ5 とで並列共振回路を構成
し、２端子間にハイインピーダンスを与える。ＦＥＴ3,
4 あるいはＦＥＴ5,6 がオフの時は、キャパシタＣ2あ
るいはＣ3 とインダクタＬ4 あるいはＬ6 とで直列共振
回路を構成し、２端子間にローインピーダンスを与え
る。
【０００８】従って、共振回路１をハイインピーダンス
状態、共振回路２をローインピーダンス状態にすると、
高周波信号切り替え器としてはオフ状態、共振回路１を
ローインピーダンス状態、共振回路２をハイインピーダ
ンス状態にすると、高周波信号切り替え器としてはオン
状態となる。
状態、共振回路２をローインピーダンス状態にすると、
高周波信号切り替え器としてはオフ状態、共振回路１を
ローインピーダンス状態、共振回路２をハイインピーダ
ンス状態にすると、高周波信号切り替え器としてはオン
状態となる。
【０００９】伝送する下限周波数をｆ1 ’、中心周波数
をｆ2 ’、上限周波数をｆ3 ’として、この場合のアイ
ソレーション特性を図６（ａ）、挿入損失特性を図６
（ｂ）に示す。
をｆ2 ’、上限周波数をｆ3 ’として、この場合のアイ
ソレーション特性を図６（ａ）、挿入損失特性を図６
（ｂ）に示す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−２９９９９
５号公報記載の提案の場合、例えばキャパシタＣ2,3 の
容量値は、ＦＥＴのソース／ドレイン間の浮遊容量Ｃ0
（図３参照）に比べて、充分に大きい必要がある。もし
同程度であれば、単純な直列／並列共振回路と考えるこ
とができず、複雑な共振特性を持つこととなり、充分な
高周波信号切り替え特性を得ることはできない。キャパ
シタＣ2,3 の容量値が大きくなると、それに応じてイン
ダクタＬ3,4,5,6 の値を小さくしていく必要があるが、
極端に小さくする（リードの持つインダクタンス以下に
する）ことは現実的には不可能であり、例えば１０００
ＭＨｚといった高い周波数の、高周波信号切り替え器に
は適用できない問題が生じる。
５号公報記載の提案の場合、例えばキャパシタＣ2,3 の
容量値は、ＦＥＴのソース／ドレイン間の浮遊容量Ｃ0
（図３参照）に比べて、充分に大きい必要がある。もし
同程度であれば、単純な直列／並列共振回路と考えるこ
とができず、複雑な共振特性を持つこととなり、充分な
高周波信号切り替え特性を得ることはできない。キャパ
シタＣ2,3 の容量値が大きくなると、それに応じてイン
ダクタＬ3,4,5,6 の値を小さくしていく必要があるが、
極端に小さくする（リードの持つインダクタンス以下に
する）ことは現実的には不可能であり、例えば１０００
ＭＨｚといった高い周波数の、高周波信号切り替え器に
は適用できない問題が生じる。
【００１１】本発明の目的は、単純な構成で充分なアイ
ソレーション特性の得られる高周波信号切り替え器を提
供することである。
ソレーション特性の得られる高周波信号切り替え器を提
供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による高周波信号
切り替え器は、入力と出力を接続する第一の開閉素子を
主体とする直列素子と、前記出力と接地間を接続する第
二の開閉素子を主体とするシャント素子とを含む高周波
信号切り替え器であって、前記第一及び第二の開閉素子
を相補的に開閉制御する開閉制御手段と、前記シャント
素子に直列に挿入され前記シャント素子の含むリーケー
ジインダクタンスをうち消すキャパシタとを含むことを
特徴とする。
切り替え器は、入力と出力を接続する第一の開閉素子を
主体とする直列素子と、前記出力と接地間を接続する第
二の開閉素子を主体とするシャント素子とを含む高周波
信号切り替え器であって、前記第一及び第二の開閉素子
を相補的に開閉制御する開閉制御手段と、前記シャント
素子に直列に挿入され前記シャント素子の含むリーケー
ジインダクタンスをうち消すキャパシタとを含むことを
特徴とする。
【００１３】また、前記第一及び第二の開閉素子が、電
界効果トランジスタで構成され、前記キャパシタが、伝
送帯域の中心付近で前記リーケージインダクタンスと共
振する値に選ばれることを特徴とする。
界効果トランジスタで構成され、前記キャパシタが、伝
送帯域の中心付近で前記リーケージインダクタンスと共
振する値に選ばれることを特徴とする。
【００１４】本発明の作用は次の通りである。シャント
素子の含むリーケージインダクタンスを直列共振の形で
除去するキャパシタを付加する。
素子の含むリーケージインダクタンスを直列共振の形で
除去するキャパシタを付加する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１６】図１は本発明による高周波信号切り替え器
の実施例の構成を示す回路図であり、図３と同等部分は
同一符号にて示している。
の実施例の構成を示す回路図であり、図３と同等部分は
同一符号にて示している。
【００１７】図１において、本発明による高周波信号切
り替え器は、入力から出力へ接続する直列素子（電界効
果型トランジスタＦＥＴ1 を主体とする）と、出力端子
を接地するシャント素子（同じく電界効果型トランジス
タＦＥＴ2 を主体とする）とで構成される。直列素子は
ＦＥＴ1 と、そのソース／ドレイン間の浮遊容量Ｃ0
と、ＦＥＴ1 のゲート回路に挿入され、それを介してＦ
ＥＴ1 を電圧制御する抵抗器Ｒ１とを含む。
り替え器は、入力から出力へ接続する直列素子（電界効
果型トランジスタＦＥＴ1 を主体とする）と、出力端子
を接地するシャント素子（同じく電界効果型トランジス
タＦＥＴ2 を主体とする）とで構成される。直列素子は
ＦＥＴ1 と、そのソース／ドレイン間の浮遊容量Ｃ0
と、ＦＥＴ1 のゲート回路に挿入され、それを介してＦ
ＥＴ1 を電圧制御する抵抗器Ｒ１とを含む。
【００１８】シャント素子はＦＥＴ2 と、そのソース／
ドレイン間の浮遊容量Ｃ0 と、ＦＥＴ2 のゲート回路に
挿入され、それを介してＦＥＴ2 を電圧制御する抵抗器
Ｒ２と、シャント素子全体が含むリーケージインダクタ
ンスＬ1 （図ではキャパシタＣ1 と接地間に挿入されて
いるように描かれているが、これは仮に描いたもので、
シャント素子全体に分布する形で存在する）、インダク
タンスＬ1 と、伝送帯域の中心周波数ｆ2 例えば１００
０ＭＨｚで共振するキャパシタＣ1 とを含む。
ドレイン間の浮遊容量Ｃ0 と、ＦＥＴ2 のゲート回路に
挿入され、それを介してＦＥＴ2 を電圧制御する抵抗器
Ｒ２と、シャント素子全体が含むリーケージインダクタ
ンスＬ1 （図ではキャパシタＣ1 と接地間に挿入されて
いるように描かれているが、これは仮に描いたもので、
シャント素子全体に分布する形で存在する）、インダク
タンスＬ1 と、伝送帯域の中心周波数ｆ2 例えば１００
０ＭＨｚで共振するキャパシタＣ1 とを含む。
【００１９】本発明の実施例の動作は、直列素子は図３
に示す従来例と同一であって、図４に示すアイソレーシ
ョン特性について、例えば中心周波数ｆ2 付近を１０ｄ
Ｂ改善しようとする場合、シャント素子のインピーダン
スを約１／３（−１０ｄＢ）にする必要がある。
に示す従来例と同一であって、図４に示すアイソレーシ
ョン特性について、例えば中心周波数ｆ2 付近を１０ｄ
Ｂ改善しようとする場合、シャント素子のインピーダン
スを約１／３（−１０ｄＢ）にする必要がある。
【００２０】ＦＥＴ2 のオン抵抗値を例えば２Ω、リー
ケージインダクタンスＬ1 のインピーダンスを６Ωとす
ると、キャパシタＣ1 でインダクタンスＬ1 のインピー
ダンスをうち消した場合、約７（２＋６；ベクトル和）
Ωあったシャント素子の総合インピーダンスを、２Ωま
で下げることによって、図２（ａ）に示すように−１０
ｄＢ程度改善することができる。なお、この場合の挿入
損失特性を図２（ｂ）に示す。
ケージインダクタンスＬ1 のインピーダンスを６Ωとす
ると、キャパシタＣ1 でインダクタンスＬ1 のインピー
ダンスをうち消した場合、約７（２＋６；ベクトル和）
Ωあったシャント素子の総合インピーダンスを、２Ωま
で下げることによって、図２（ａ）に示すように−１０
ｄＢ程度改善することができる。なお、この場合の挿入
損失特性を図２（ｂ）に示す。
【００２１】さらに、キャパシタＣ1 を挿入しても、イ
ンダクタンスＬ1 をなるべく増やさないことが重要で、
キャパシタＣ1 として貫通型キャパシタ（接地インダク
タンスがきわめて小さい）を使用し、なるべく短く（ワ
イアボンディングの場合はなるべくワイアの数を多く）
ＦＥＴ2 に接続する必要がある。
ンダクタンスＬ1 をなるべく増やさないことが重要で、
キャパシタＣ1 として貫通型キャパシタ（接地インダク
タンスがきわめて小さい）を使用し、なるべく短く（ワ
イアボンディングの場合はなるべくワイアの数を多く）
ＦＥＴ2 に接続する必要がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、キャパシ
タでシャント素子のリーケージインダクタンスのインピ
ーダンスをうち消すことによって、アイソレーション特
性を伝送帯域の中心周波数付近で−１０ｄＢ程度改善す
ることができる効果がある。
タでシャント素子のリーケージインダクタンスのインピ
ーダンスをうち消すことによって、アイソレーション特
性を伝送帯域の中心周波数付近で−１０ｄＢ程度改善す
ることができる効果がある。
【図１】本発明の実施例の回路図である。
【図２】本発明の実施例のアイソレーション特性及び挿
入損失特性の説明図である。
入損失特性の説明図である。
【図３】従来の高周波信号切り替え器の一例を示す回路
図である。
図である。
【図４】従来の高周波信号切り替え器の一例のアイソレ
ーション特性の説明図である。
ーション特性の説明図である。
【図５】従来の高周波信号切り替え器の他の一例を示す
回路図である。
回路図である。
【図６】従来の高周波信号切り替え器の他の一例のアイ
ソレーション特性及び挿入損失特性の説明図である。
ソレーション特性及び挿入損失特性の説明図である。
ＦＥＴ1 ，ＦＥＴ2 電界効果トランジスタ Ｃ1 キャパシタ Ｌ1 リーケージインダクタンス １，Ｒ２ 抵抗器
Claims (3)
- 【請求項１】 入力と出力を接続する第一の開閉素子を
主体とする直列素子と、前記出力と接地間を接続する第
二の開閉素子を主体とするシャント素子とを含む高周波
信号切り替え器であって、前記第一及び第二の開閉素子
を相補的に開閉制御する開閉制御手段と、前記シャント
素子に直列に挿入され前記シャント素子の含むリーケー
ジインダクタンスをうち消すキャパシタとを含むことを
特徴とする高周波信号切り替え器。 - 【請求項２】 前記第一及び第二の開閉素子が、電界効
果トランジスタで構成されることを特徴とする請求項１
記載の高周波信号切り替え器。 - 【請求項３】 前記キャパシタが、伝送帯域の中心付近
で前記リーケージインダクタンスと共振する値に選ばれ
ることを特徴とする請求項１あるいは２記載の高周波信
号切り替え器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14746497A JPH10336000A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 高周波信号切り替え器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14746497A JPH10336000A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 高周波信号切り替え器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10336000A true JPH10336000A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15430975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14746497A Withdrawn JPH10336000A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 高周波信号切り替え器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10336000A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1150430A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
| WO2004013927A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-12 | Sony Corporation | 高周波回路 |
| WO2007129583A1 (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Advantest Corporation | スイッチ回路、フィルタ回路及び試験装置 |
| JP2011045019A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 高周波スイッチ回路 |
| US10715109B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency front-end circuit and communication device |
| US10840886B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-11-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
| US10911027B2 (en) | 2017-06-28 | 2021-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
| US11031921B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-06-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, duplexer, radio frequency front end circuit and communication apparatus |
| US11139798B2 (en) | 2017-06-28 | 2021-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
| US11489514B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-11-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP14746497A patent/JPH10336000A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1150430A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
| WO2004013927A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-12 | Sony Corporation | 高周波回路 |
| WO2007129583A1 (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Advantest Corporation | スイッチ回路、フィルタ回路及び試験装置 |
| US8232808B2 (en) | 2006-05-10 | 2012-07-31 | Advantest Corporation | Switch circuit, filter circuit and test apparatus |
| JP5011282B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2012-08-29 | 株式会社アドバンテスト | スイッチ回路、フィルタ回路及び試験装置 |
| JP2011045019A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 高周波スイッチ回路 |
| US10715109B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency front-end circuit and communication device |
| US11031921B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-06-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, duplexer, radio frequency front end circuit and communication apparatus |
| US10911027B2 (en) | 2017-06-28 | 2021-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
| US11139798B2 (en) | 2017-06-28 | 2021-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
| US10840886B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-11-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
| US11489514B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-11-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3441236B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3332194B2 (ja) | スイツチ半導体集積回路及び通信端末装置 | |
| US5748053A (en) | Switching circuit | |
| JP3144477B2 (ja) | スイッチ回路及び半導体装置 | |
| US6847829B2 (en) | Multiband high-frequency switch | |
| JP2002314373A (ja) | 可変減衰器 | |
| JPH10336000A (ja) | 高周波信号切り替え器 | |
| US7633357B2 (en) | SPST switch, SPDT switch and MPMT switch | |
| JPH07303001A (ja) | 高周波スイッチ | |
| US6664870B2 (en) | Compact 180 degree phase shifter | |
| JPH06152361A (ja) | Ｆｅｔスイッチ | |
| US7167064B2 (en) | Phase shift circuit and phase shifter | |
| JP3634223B2 (ja) | 移相器 | |
| JPH10247801A (ja) | Ｒｆスイッチ回路および送受共用器 | |
| US20060145779A1 (en) | High frequency circuit | |
| US5099155A (en) | Active element filter network | |
| JP3836044B2 (ja) | スイッチ回路 | |
| JPH09261111A (ja) | Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタ | |
| JP3670084B2 (ja) | 半導体スイッチ回路 | |
| JP2642600B2 (ja) | 半導体高周波スイッチ回路 | |
| KR100372534B1 (ko) | 반도체 집적회로 | |
| JPH0370380B2 (ja) | ||
| JPH08288703A (ja) | マイクロ波スイッチ | |
| JPH09139602A (ja) | マイクロ波スイッチ | |
| JP2003198344A (ja) | 高周波スイッチ回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |