JPH10247801A - Ｒｆスイッチ回路および送受共用器 - Google Patents
Ｒｆスイッチ回路および送受共用器Info
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- JPH10247801A JPH10247801A JP9049184A JP4918497A JPH10247801A JP H10247801 A JPH10247801 A JP H10247801A JP 9049184 A JP9049184 A JP 9049184A JP 4918497 A JP4918497 A JP 4918497A JP H10247801 A JPH10247801 A JP H10247801A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い周波数帯域または複数の周波数帯域にお
いて正しく位相反転し、且つインピーダンス整合がとれ
るようにしたＲＦスイッチ回路および送受共用器を提供
する。 【解決手段】 ポート＃１とポート＃２との間に第１の
ダイオードＤ１を直列に接続し、ポート＃２とポート＃
３との間にλ／４移相回路１を設け、ポート＃３とアー
スとの間に第２のダイオードＤ２を接続するとともに、
λ／４移相回路の構成要素であるキャパシタを可変容量
ダイオードＶＤ１，ＶＤ２で構成し、制御端子ＣＮＴ２
の印加電圧によってλ／４移相回路１の適合する周波数
帯を切り替える。
いて正しく位相反転し、且つインピーダンス整合がとれ
るようにしたＲＦスイッチ回路および送受共用器を提供
する。 【解決手段】 ポート＃１とポート＃２との間に第１の
ダイオードＤ１を直列に接続し、ポート＃２とポート＃
３との間にλ／４移相回路１を設け、ポート＃３とアー
スとの間に第２のダイオードＤ２を接続するとともに、
λ／４移相回路の構成要素であるキャパシタを可変容量
ダイオードＶＤ１，ＶＤ２で構成し、制御端子ＣＮＴ２
の印加電圧によってλ／４移相回路１の適合する周波数
帯を切り替える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＲＦ信号のスイ
ッチ回路およびそれを用いた送受共用器に関する。
ッチ回路およびそれを用いた送受共用器に関する。
【０００２】
【従来の技術】アンテナ端子と送信用フィルタおよび受
信用フィルタとの間に設けられ、アンテナ端子と送信用
フィルタまたは受信用フィルタとの接続を切り替えて、
アンテナ端子に接続されたアンテナを送信用と受信用と
に切り替えるＲＦスイッチ回路が従来より用いられてい
る。
信用フィルタとの間に設けられ、アンテナ端子と送信用
フィルタまたは受信用フィルタとの接続を切り替えて、
アンテナ端子に接続されたアンテナを送信用と受信用と
に切り替えるＲＦスイッチ回路が従来より用いられてい
る。
【０００３】図９は従来のＲＦスイッチ回路の基本構成
を示す回路図である。同図においてλ／４移相回路は位
相を反転する回路であり、制御端子ＣＮＴ１に正電位が
印加された時、ダイオードＤ１→λ／４移相回路→ダイ
オードＤ２の経路で両ダイオードにバイアス電圧が印加
されることにより、両ダイオードが共にオンする。これ
によりポート＃１とポート＃２とが高周波的に導通する
と共に、ポート＃３がアースに接続（接地）される。こ
のようにポート＃３がアースに接続（接地）されること
によってＡ点は等価的に開放されて、ポート＃１からの
入力信号およびポート＃２からの入力信号はポート＃３
側およびダイオードＤ２側へは流入しない。制御端子Ｃ
ＮＴ１に接地電位または負電位が印加されたとき、ダイ
オードＤ１，Ｄ２は共にオフして、ポート＃１とポート
＃２とは回路的に遮断され、ポート＃２からの入力信号
がポート＃３へ出力される。
を示す回路図である。同図においてλ／４移相回路は位
相を反転する回路であり、制御端子ＣＮＴ１に正電位が
印加された時、ダイオードＤ１→λ／４移相回路→ダイ
オードＤ２の経路で両ダイオードにバイアス電圧が印加
されることにより、両ダイオードが共にオンする。これ
によりポート＃１とポート＃２とが高周波的に導通する
と共に、ポート＃３がアースに接続（接地）される。こ
のようにポート＃３がアースに接続（接地）されること
によってＡ点は等価的に開放されて、ポート＃１からの
入力信号およびポート＃２からの入力信号はポート＃３
側およびダイオードＤ２側へは流入しない。制御端子Ｃ
ＮＴ１に接地電位または負電位が印加されたとき、ダイ
オードＤ１，Ｄ２は共にオフして、ポート＃１とポート
＃２とは回路的に遮断され、ポート＃２からの入力信号
がポート＃３へ出力される。
【０００４】図１０は図９に示したＲＦスイッチ回路の
従来の具体的構成例であり、λ／４移相回路をキャパシ
タＣ１，Ｃ２とインダクタＬ１とで構成している。尚、
ダイオードＤ１，Ｄ２に対する制御電圧入力回路として
は、抵抗Ｒ３およびコンデンサＣ３から成るＲＦチョー
ク回路および制御電圧を導く伝送路としてのマイクロス
トリップラインＭＳ１を設けている。
従来の具体的構成例であり、λ／４移相回路をキャパシ
タＣ１，Ｃ２とインダクタＬ１とで構成している。尚、
ダイオードＤ１，Ｄ２に対する制御電圧入力回路として
は、抵抗Ｒ３およびコンデンサＣ３から成るＲＦチョー
ク回路および制御電圧を導く伝送路としてのマイクロス
トリップラインＭＳ１を設けている。
【０００５】このようなＲＦスイッチ回路を用いて、図
９または図１０に示したポート＃１に送信フィルタ、ポ
ート＃３に受信フィルタ、ポート＃２にアンテナをそれ
ぞれ接続することによってアンテナ共用器が構成され
る。
９または図１０に示したポート＃１に送信フィルタ、ポ
ート＃３に受信フィルタ、ポート＃２にアンテナをそれ
ぞれ接続することによってアンテナ共用器が構成され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＲＦスイッ
チ回路を用いたアンテナ共用器は、ＴＤＭＡ方式の移動
体通信システムに適合し、また送受共用部分での損失を
低く抑えることができるという特徴を有している。
チ回路を用いたアンテナ共用器は、ＴＤＭＡ方式の移動
体通信システムに適合し、また送受共用部分での損失を
低く抑えることができるという特徴を有している。
【０００７】ところで図９または図１０に示した回路に
おいて、ダイオードＤ２がオン状態の時、図中のＡ点が
等価的に開放状態となるためには、λ／４移相回路が正
確に１／４波長分位相シフトさせて位相反転させる特性
を備えていなければならない。そこで、従来は使用する
周波数帯域に応じて、図９に示したＣ１，Ｃ２，Ｌ１の
各定数を定めていた。
おいて、ダイオードＤ２がオン状態の時、図中のＡ点が
等価的に開放状態となるためには、λ／４移相回路が正
確に１／４波長分位相シフトさせて位相反転させる特性
を備えていなければならない。そこで、従来は使用する
周波数帯域に応じて、図９に示したＣ１，Ｃ２，Ｌ１の
各定数を定めていた。
【０００８】ところが、最近のディジタル携帯電話シス
テムにおいては、１つの端末で複数のシステムを利用可
能とする取り組みがなされている。たとえば日本国内に
おいては、８００ＭＨｚ帯を用いるＰＤＣと１．９ＧＨ
ｚ帯を用いるＰＨＳがあるが、両者を１つの端末で利用
するためには８００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚの広い帯域に
亘って上記λ／４移相回路が所定の特性を満足するもの
でなければならない。しかし図９に示したような従来の
λ／４移相回路では、ある１つの帯域の周波数でしか正
しく位相反転し、且つその入出力部のインピーダンス
（通常５０Ω）に整合させることができない。そのた
め、上述したように８００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚの広帯
域に亘って正確に位相反転し、且つインピーダンス整合
させることは非常に困難である。その結果、ＶＳＷＲが
悪化し、挿入損失が悪化することになる。
テムにおいては、１つの端末で複数のシステムを利用可
能とする取り組みがなされている。たとえば日本国内に
おいては、８００ＭＨｚ帯を用いるＰＤＣと１．９ＧＨ
ｚ帯を用いるＰＨＳがあるが、両者を１つの端末で利用
するためには８００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚの広い帯域に
亘って上記λ／４移相回路が所定の特性を満足するもの
でなければならない。しかし図９に示したような従来の
λ／４移相回路では、ある１つの帯域の周波数でしか正
しく位相反転し、且つその入出力部のインピーダンス
（通常５０Ω）に整合させることができない。そのた
め、上述したように８００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚの広帯
域に亘って正確に位相反転し、且つインピーダンス整合
させることは非常に困難である。その結果、ＶＳＷＲが
悪化し、挿入損失が悪化することになる。
【０００９】この発明の目的は広い周波数帯域または複
数の周波数帯域において正しく位相反転し、且つインピ
ーダンス整合がとれるようにしたＲＦスイッチ回路およ
び送受共用器を提供することにある。
数の周波数帯域において正しく位相反転し、且つインピ
ーダンス整合がとれるようにしたＲＦスイッチ回路およ
び送受共用器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１ポート
と第２ポートとの間に第１のダイオードを直列に接続
し、第２ポートと第３ポートとの間にλ／４移相回路設
け、第３ポートとアースとの間に第２のダイオードを接
続したＲＦスイッチ回路において、λ／４移相回路を広
帯域に亘って機能させるために、請求項１に記載のとお
り、制御電圧によってキャパシタンスの変化する可変容
量ダイオードとインダクタとを用いてλ／４移相回路を
構成する。これにより、可変容量ダイオードに対する制
御電圧によってそのキャパシタンスを変化させれば、そ
の可変容量ダイオードとインダクタとを用いて構成した
λ／４移相回路の移相特性およびインピーダンスを、用
いる周波数帯に応じて変更できるようになる。
と第２ポートとの間に第１のダイオードを直列に接続
し、第２ポートと第３ポートとの間にλ／４移相回路設
け、第３ポートとアースとの間に第２のダイオードを接
続したＲＦスイッチ回路において、λ／４移相回路を広
帯域に亘って機能させるために、請求項１に記載のとお
り、制御電圧によってキャパシタンスの変化する可変容
量ダイオードとインダクタとを用いてλ／４移相回路を
構成する。これにより、可変容量ダイオードに対する制
御電圧によってそのキャパシタンスを変化させれば、そ
の可変容量ダイオードとインダクタとを用いて構成した
λ／４移相回路の移相特性およびインピーダンスを、用
いる周波数帯に応じて変更できるようになる。
【００１１】またこの発明は、請求項２に記載のとお
り、前記λ／４移相回路を、キャパシタとインダクタを
用いて構成するとともに、制御電圧によってスイッチン
グして前記キャパシタの実効的キャパシタンスを切り替
えるスイッチ素子を設ける。この構成により制御電圧に
よってスイッチ素子のオン／オフ状態を切り替えれば、
λ／４移相回路のキャパシタ部分の実効的キャパシタン
スが切り替わり、λ／４移相回路の適合する周波数帯域
が切り替わる。
り、前記λ／４移相回路を、キャパシタとインダクタを
用いて構成するとともに、制御電圧によってスイッチン
グして前記キャパシタの実効的キャパシタンスを切り替
えるスイッチ素子を設ける。この構成により制御電圧に
よってスイッチ素子のオン／オフ状態を切り替えれば、
λ／４移相回路のキャパシタ部分の実効的キャパシタン
スが切り替わり、λ／４移相回路の適合する周波数帯域
が切り替わる。
【００１２】また、請求項３に記載のとおり、前記λ／
４移相回路を、キャパシタとインダクタを用いて構成す
るとともに、制御電圧によってスイッチングして前記イ
ンダクタの実効的インダクタンスを切り替えるスイッチ
素子を設ける。この構成により制御電圧によってスイッ
チ素子のオン／オフ状態を切り替えれば、λ／４移相回
路のインダクタ部分の実効的インダクタンスが切り替わ
り、λ／４移相回路の適合する周波数帯域が切り替わ
る。
４移相回路を、キャパシタとインダクタを用いて構成す
るとともに、制御電圧によってスイッチングして前記イ
ンダクタの実効的インダクタンスを切り替えるスイッチ
素子を設ける。この構成により制御電圧によってスイッ
チ素子のオン／オフ状態を切り替えれば、λ／４移相回
路のインダクタ部分の実効的インダクタンスが切り替わ
り、λ／４移相回路の適合する周波数帯域が切り替わ
る。
【００１３】更にこの発明は、請求項４に記載のとお
り、請求項１〜３のいずれかに記載のＲＦスイッチ回路
の第１ポートに送信フィルタまたは受信フィルタを接続
するとともに、第３ポートに受信フィルタまたは送信フ
ィルタを接続する。このようにしてＲＦスイッチ回路に
よって、送信フィルタを通して入力される送信信号を第
２のポートから出力する場合と、第２のポートから入力
される信号を受信フィルタへ出力する場合とを切り替え
ることができ、たとえば第２のポートにアンテナを接続
することによってアンテナ共用器として用いることがで
きる。
り、請求項１〜３のいずれかに記載のＲＦスイッチ回路
の第１ポートに送信フィルタまたは受信フィルタを接続
するとともに、第３ポートに受信フィルタまたは送信フ
ィルタを接続する。このようにしてＲＦスイッチ回路に
よって、送信フィルタを通して入力される送信信号を第
２のポートから出力する場合と、第２のポートから入力
される信号を受信フィルタへ出力する場合とを切り替え
ることができ、たとえば第２のポートにアンテナを接続
することによってアンテナ共用器として用いることがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態に係る
ＲＦスイッチ回路の構成およびその適用例を図１〜図３
を参照して説明する。
ＲＦスイッチ回路の構成およびその適用例を図１〜図３
を参照して説明する。
【００１５】図１はＲＦスイッチ回路の回路図である。
同図において１はλ／４移相回路であり、このλ／４移
相回路１と第１のダイオードＤ１および第２のダイオー
ドＤ２とからＲＦスイッチ回路を構成している。λ／４
移相回路１はインダクタＬ１と可変容量ダイオードＶＤ
１，ＶＤ２およびこの２つの可変容量ダイオードに対し
て制御電圧を印加するための抵抗Ｒ１，Ｒ２とから構成
している。可変容量ダイオードＶＤ１，ＶＤ２のキャパ
シタンスは制御端子ＣＮＴ２に印加される制御電圧に応
じて定まる。したがって制御端子ＣＮＴ２に印加される
制御電圧に応じてλ／４移相回路１の適合する周波数帯
が変化する。すなわち制御端子ＣＮＴ２に印加する制御
電圧が可変幅内で最も低い時、可変容量ダイオードＶＤ
１，ＶＤ２のキャパシタンスは最も大きくなるので、λ
／４移相回路１の適合する周波数帯は最も低くなる。制
御端子ＣＮＴ２に印加する制御電圧が正の電圧でその値
が高くなるほど可変容量ダイオードＶＤ１，ＶＤ２のキ
ャパシタンスが小さくなって、λ／４移相回路１の適合
する周波数帯が上昇する。したがって、使用する周波数
帯域が８００ＭＨｚ帯と１．９ＧＨｚ帯の２つだけであ
る場合には、その制御電圧を所定の２つの電圧値のうち
一方に切り替えることによって、適合する周波数帯を８
００ＭＨｚと１．９ＧＨｚとに切り替えればよい。抵抗
Ｒ３とコンデンサＣ３とはＲＦチョーク回路を構成し、
制御端子ＣＮＴ１から入力される制御電圧に重畳されて
いる高周波信号を除去する。ＭＳ１はこの制御信号を供
給するための伝送路としてのマイクロストリップライン
である。制御端子ＣＮＴ１に正電圧が印加されると、抵
抗Ｒ３→マイクロストリップラインＭＳ１→ダイオード
Ｄ１→インダクタＬ１→ダイオードＤ２の経路でダイオ
ードＤ１，Ｄ２にバイアス電圧が印加されることによ
り、両ダイオードが共にオンする。これによりポート＃
１とポート＃２とが高周波的に導通すると共に、ポート
＃３が接地される。このようにポート＃３が接地される
ことによってＡ点は等価的に開放されて、ポート＃１か
らの入力信号およびポート＃２からの入力信号はポート
＃３側およびダイオードＤ２側へは流入されない。制御
端子ＣＮＴ１が接地電位または負電位となったとき、ダ
イオードＤ１，Ｄ２は共にオフして、ポート＃１とポー
ト＃２とは回路的に遮断され、ポート＃２からの入力信
号がポート＃３へ出力される。
同図において１はλ／４移相回路であり、このλ／４移
相回路１と第１のダイオードＤ１および第２のダイオー
ドＤ２とからＲＦスイッチ回路を構成している。λ／４
移相回路１はインダクタＬ１と可変容量ダイオードＶＤ
１，ＶＤ２およびこの２つの可変容量ダイオードに対し
て制御電圧を印加するための抵抗Ｒ１，Ｒ２とから構成
している。可変容量ダイオードＶＤ１，ＶＤ２のキャパ
シタンスは制御端子ＣＮＴ２に印加される制御電圧に応
じて定まる。したがって制御端子ＣＮＴ２に印加される
制御電圧に応じてλ／４移相回路１の適合する周波数帯
が変化する。すなわち制御端子ＣＮＴ２に印加する制御
電圧が可変幅内で最も低い時、可変容量ダイオードＶＤ
１，ＶＤ２のキャパシタンスは最も大きくなるので、λ
／４移相回路１の適合する周波数帯は最も低くなる。制
御端子ＣＮＴ２に印加する制御電圧が正の電圧でその値
が高くなるほど可変容量ダイオードＶＤ１，ＶＤ２のキ
ャパシタンスが小さくなって、λ／４移相回路１の適合
する周波数帯が上昇する。したがって、使用する周波数
帯域が８００ＭＨｚ帯と１．９ＧＨｚ帯の２つだけであ
る場合には、その制御電圧を所定の２つの電圧値のうち
一方に切り替えることによって、適合する周波数帯を８
００ＭＨｚと１．９ＧＨｚとに切り替えればよい。抵抗
Ｒ３とコンデンサＣ３とはＲＦチョーク回路を構成し、
制御端子ＣＮＴ１から入力される制御電圧に重畳されて
いる高周波信号を除去する。ＭＳ１はこの制御信号を供
給するための伝送路としてのマイクロストリップライン
である。制御端子ＣＮＴ１に正電圧が印加されると、抵
抗Ｒ３→マイクロストリップラインＭＳ１→ダイオード
Ｄ１→インダクタＬ１→ダイオードＤ２の経路でダイオ
ードＤ１，Ｄ２にバイアス電圧が印加されることによ
り、両ダイオードが共にオンする。これによりポート＃
１とポート＃２とが高周波的に導通すると共に、ポート
＃３が接地される。このようにポート＃３が接地される
ことによってＡ点は等価的に開放されて、ポート＃１か
らの入力信号およびポート＃２からの入力信号はポート
＃３側およびダイオードＤ２側へは流入されない。制御
端子ＣＮＴ１が接地電位または負電位となったとき、ダ
イオードＤ１，Ｄ２は共にオフして、ポート＃１とポー
ト＃２とは回路的に遮断され、ポート＃２からの入力信
号がポート＃３へ出力される。
【００１６】図２は図１に示したＲＦスイッチ回路を用
いた送受共用器の一例としてのアンテナ共用器の構成を
示すブロック図である。図２において送信側デュプレク
サは８００ＭＨｚ帯の送信フィルタと１．９ＧＨｚ帯の
送信フィルタから成り、受信側デュプレクサは８００Ｍ
Ｈｚ帯の受信フィルタと１．９ＧＨｚ帯の受信フィルタ
から成る。この場合、図１に示したＲＦスイッチ回路の
ポート＃１に図２の送信側デュプレクサを接続し、ＲＦ
スイッチ回路のポート＃３に受信側デュプレクサを接続
し、更にＲＦスイッチ回路のポート＃２にアンテナＡＮ
Ｔを接続する。
いた送受共用器の一例としてのアンテナ共用器の構成を
示すブロック図である。図２において送信側デュプレク
サは８００ＭＨｚ帯の送信フィルタと１．９ＧＨｚ帯の
送信フィルタから成り、受信側デュプレクサは８００Ｍ
Ｈｚ帯の受信フィルタと１．９ＧＨｚ帯の受信フィルタ
から成る。この場合、図１に示したＲＦスイッチ回路の
ポート＃１に図２の送信側デュプレクサを接続し、ＲＦ
スイッチ回路のポート＃３に受信側デュプレクサを接続
し、更にＲＦスイッチ回路のポート＃２にアンテナＡＮ
Ｔを接続する。
【００１７】図３は図２に示したアンテナ共用器の構成
を示す回路図である。図３においてＦ１１は８００ＭＨ
ｚ帯の送信フィルタ、Ｆ１２は１．９ＧＨｚ帯の送信フ
ィルタ、Ｆ２１は８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ、Ｆ２
２は１．９ＧＨｚ帯の受信フィルタである。同図に示す
ように２つの帯域の送信フィルタＦ１１，Ｆ１２は位相
調整回路を介してＲＦスイッチ回路のポート＃１に接続
し、２つの帯域の受信フィルタＦ２１，Ｆ２２は位相調
整回路を介してＲＦスイッチ回路のポート＃３に接続し
ている。そしてＲＦスイッチ回路のポート＃２にアンテ
ナを接続している。この構成によって４つのフィルタＦ
１１，Ｆ１２，Ｆ２１，Ｆ２２はそれぞれ他のフィルタ
との間で干渉することなく、アンテナＡＮＴを８００Ｍ
Ｈｚ帯の送受と１．９ＧＨｚ帯の送受に兼用することが
できる。
を示す回路図である。図３においてＦ１１は８００ＭＨ
ｚ帯の送信フィルタ、Ｆ１２は１．９ＧＨｚ帯の送信フ
ィルタ、Ｆ２１は８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ、Ｆ２
２は１．９ＧＨｚ帯の受信フィルタである。同図に示す
ように２つの帯域の送信フィルタＦ１１，Ｆ１２は位相
調整回路を介してＲＦスイッチ回路のポート＃１に接続
し、２つの帯域の受信フィルタＦ２１，Ｆ２２は位相調
整回路を介してＲＦスイッチ回路のポート＃３に接続し
ている。そしてＲＦスイッチ回路のポート＃２にアンテ
ナを接続している。この構成によって４つのフィルタＦ
１１，Ｆ１２，Ｆ２１，Ｆ２２はそれぞれ他のフィルタ
との間で干渉することなく、アンテナＡＮＴを８００Ｍ
Ｈｚ帯の送受と１．９ＧＨｚ帯の送受に兼用することが
できる。
【００１８】次に第２の実施形態に係るＲＦスイッチ回
路の構成を図４に示す。図１に示したものと異なり、こ
のＲＦスイッチ回路のλ／４移相回路１はインダクタＬ
１、キャパシタＣ１，Ｃ２、ダイオードＤ３，Ｄ４およ
びインダクタＬ２，Ｌ３で構成している。その他の構成
は図１に示したものと同様である。図４のλ／４移相回
路１においてインダクタＬ２，Ｌ３はダイオードＤ３，
Ｄ４に対してバイアス電圧を供給するためのＲＦチョー
クコイルとして作用する。この構成により、ダイオード
Ｄ３，Ｄ４がオンすれば、インダクタＬ１両端に接続さ
れるキャパシタの実効キャパシタンスはＣ１，Ｃ２のキ
ャパシタンスに略等しくなり、またダイオードＤ３，Ｄ
４がオフすれば、インダクタＬ１両端のキャパシタの実
効キャパシタンスはダイオードＤ３，Ｄ４のオフ時のキ
ャパシタンス成分とＣ１，Ｃ２のキャパシタンスとの直
列合成値となる。したがって制御端子ＣＮＴ２に対する
制御電圧に応じてダイオードＤ３，Ｄ４をオン／オフす
ることによって、λ／４移相回路１の適合する周波数帯
を切り替えることができる。したがってたとえばダイオ
ードＤ３，Ｄ４がオフ状態の時１．９ＧＨｚ帯に適合
し、オン状態の時８００ＭＨｚ帯に適合するように、イ
ンダクタＬ１のインダクタンス、キャパシタＣ１，Ｃ２
のキャパシタンスおよびダイオードＤ３，Ｄ４のオフ時
のキャパシタンスをそれぞれ設定すればよい。
路の構成を図４に示す。図１に示したものと異なり、こ
のＲＦスイッチ回路のλ／４移相回路１はインダクタＬ
１、キャパシタＣ１，Ｃ２、ダイオードＤ３，Ｄ４およ
びインダクタＬ２，Ｌ３で構成している。その他の構成
は図１に示したものと同様である。図４のλ／４移相回
路１においてインダクタＬ２，Ｌ３はダイオードＤ３，
Ｄ４に対してバイアス電圧を供給するためのＲＦチョー
クコイルとして作用する。この構成により、ダイオード
Ｄ３，Ｄ４がオンすれば、インダクタＬ１両端に接続さ
れるキャパシタの実効キャパシタンスはＣ１，Ｃ２のキ
ャパシタンスに略等しくなり、またダイオードＤ３，Ｄ
４がオフすれば、インダクタＬ１両端のキャパシタの実
効キャパシタンスはダイオードＤ３，Ｄ４のオフ時のキ
ャパシタンス成分とＣ１，Ｃ２のキャパシタンスとの直
列合成値となる。したがって制御端子ＣＮＴ２に対する
制御電圧に応じてダイオードＤ３，Ｄ４をオン／オフす
ることによって、λ／４移相回路１の適合する周波数帯
を切り替えることができる。したがってたとえばダイオ
ードＤ３，Ｄ４がオフ状態の時１．９ＧＨｚ帯に適合
し、オン状態の時８００ＭＨｚ帯に適合するように、イ
ンダクタＬ１のインダクタンス、キャパシタＣ１，Ｃ２
のキャパシタンスおよびダイオードＤ３，Ｄ４のオフ時
のキャパシタンスをそれぞれ設定すればよい。
【００１９】次に第３の実施形態に係るＲＦスイッチ回
路の構成を図５に示す。この例では、λ／４移相回路１
を、インダクタＬ１、キャパシタＣ１，Ｃ２、ＦＥＴＱ
１，Ｑ２およびインダクタＬ２，Ｌ３により構成してい
る。その他は図４に示したものと同様である。この構成
により、制御端子ＣＮＴ２の印加電圧に応じてＦＥＴＱ
１，Ｑ２が共にオン／オフする。そしてＦＥＴＱ１，Ｑ
２がオンすれば、インダクタＬ１両端に接続されるキャ
パシタの実効キャパシタンスはＣ１，Ｃ２のキャパシタ
ンスに略等しくなり、ＦＥＴＱ１，Ｑ２がオフすれば、
インダクタＬ１両端のキャパシタの実効キャパシタンス
はＦＥＴＱ１，Ｑ２のオフ時のキャパシタンス成分とＣ
１，Ｃ２のキャパシタンスとの直列合成値となる。した
がって制御端子ＣＮＴ２に対する制御電圧に応じてＦＥ
ＴＱ１，Ｑ２をオン／オフすることによって、λ／４移
相回路１の適合する周波数帯が切り替わる。たとえばＦ
ＥＴＱ１，Ｑ２がオフ状態の時１．９ＧＨｚ帯に適合
し、オン状態の時８００ＭＨｚ帯に適合するように、イ
ンダクタＬ１のインダクタンス、キャパシタＣ１，Ｃ２
のキャパシタンスおよびＦＥＴＱ１，Ｑ２のオフ時のキ
ャパシタンスをそれぞれ設定すればよい。
路の構成を図５に示す。この例では、λ／４移相回路１
を、インダクタＬ１、キャパシタＣ１，Ｃ２、ＦＥＴＱ
１，Ｑ２およびインダクタＬ２，Ｌ３により構成してい
る。その他は図４に示したものと同様である。この構成
により、制御端子ＣＮＴ２の印加電圧に応じてＦＥＴＱ
１，Ｑ２が共にオン／オフする。そしてＦＥＴＱ１，Ｑ
２がオンすれば、インダクタＬ１両端に接続されるキャ
パシタの実効キャパシタンスはＣ１，Ｃ２のキャパシタ
ンスに略等しくなり、ＦＥＴＱ１，Ｑ２がオフすれば、
インダクタＬ１両端のキャパシタの実効キャパシタンス
はＦＥＴＱ１，Ｑ２のオフ時のキャパシタンス成分とＣ
１，Ｃ２のキャパシタンスとの直列合成値となる。した
がって制御端子ＣＮＴ２に対する制御電圧に応じてＦＥ
ＴＱ１，Ｑ２をオン／オフすることによって、λ／４移
相回路１の適合する周波数帯が切り替わる。たとえばＦ
ＥＴＱ１，Ｑ２がオフ状態の時１．９ＧＨｚ帯に適合
し、オン状態の時８００ＭＨｚ帯に適合するように、イ
ンダクタＬ１のインダクタンス、キャパシタＣ１，Ｃ２
のキャパシタンスおよびＦＥＴＱ１，Ｑ２のオフ時のキ
ャパシタンスをそれぞれ設定すればよい。
【００２０】次に第４の実施形態に係るＲＦスイッチ回
路およびそれを適用したアンテナダイバーシチ用アンテ
ナ共用器の構成を図６および図７を参照して説明する。
路およびそれを適用したアンテナダイバーシチ用アンテ
ナ共用器の構成を図６および図７を参照して説明する。
【００２１】図６はアンテナ共用器の全体の構成を示す
ブロック図である。図６においてＡＮＴ１は送受兼用ア
ンテナ、ＡＮＴ２は受信専用アンテナである。送信側デ
ュプレクサは８００ＭＨｚ帯の送信フィルタと１．９Ｇ
Ｈｚ帯の送信フィルタから成り、受信側デュプレクサは
８００ＭＨｚ帯の受信フィルタと１．９ＧＨｚ帯の受信
フィルタから成る。この場合、ＲＦスイッチ回路ＳＷ１
は送受の切替を行い、ＲＦスイッチ回路ＳＷ２は受信ア
ンテナの切替を行う。
ブロック図である。図６においてＡＮＴ１は送受兼用ア
ンテナ、ＡＮＴ２は受信専用アンテナである。送信側デ
ュプレクサは８００ＭＨｚ帯の送信フィルタと１．９Ｇ
Ｈｚ帯の送信フィルタから成り、受信側デュプレクサは
８００ＭＨｚ帯の受信フィルタと１．９ＧＨｚ帯の受信
フィルタから成る。この場合、ＲＦスイッチ回路ＳＷ１
は送受の切替を行い、ＲＦスイッチ回路ＳＷ２は受信ア
ンテナの切替を行う。
【００２２】図７は図６に示したアンテナ共用器の構成
を示す回路図である。図７においてダイオードＤ１１、
λ／４移相回路１１、ダイオードＤ２は第１のＲＦスイ
ッチを構成し、ダイオードＤ１２、λ／４移相回路１
２、ダイオードＤ２は第２のＲＦスイッチを構成する。
抵抗Ｒ３とコンデンサＣ３とはＲＦチョーク回路を構成
し、制御端子ＣＮＴ１から入力される制御電圧に重畳さ
れている高周波信号を除去し、マイクロストリップライ
ンＭＳ１はこの制御信号を供給する。同様に、抵抗Ｒ４
とコンデンサＣ６とはＲＦチョーク回路を構成し、制御
端子ＣＮＴ３から入力される制御電圧に重畳されている
高周波信号を除去し、マイクロストリップラインＭＳ２
はこの制御信号を供給する。今、制御端子ＣＮＴ１に正
電圧が印加されると、抵抗Ｒ３→マイクロストリップラ
インＭＳ１→ダイオードＤ１１→λ／４移相回路１１→
ダイオードＤ２の経路で両ダイオードにバイアス電圧が
印加されることにより、両ダイオードが共にオンする。
これにより８００ＭＨｚ帯の送信フィルタＦ１１または
１．９ＧＨｚ帯の送信フィルタＦ１２を通った送信信号
がアンテナＡＮＴ１へ導かれる。制御端子ＣＮＴ３と制
御端子ＣＮＴ１に接地電位または負電位が印加される
と、ダイオードＤ１１，Ｄ２は共にオフし、アンテナＡ
ＮＴ１の受信信号がλ／４移相回路１１および１２を介
して８００ＭＨｚ帯の受信フィルタＦ２１および１．９
ＧＨｚ帯の受信フィルタＦ２２に入力される。制御端子
ＣＮＴ１に接地電位または負電位が印加されている状態
で、制御端子ＣＮＴ３に正電位が印加されると、抵抗Ｒ
４→マイクロストリップラインＭＳ２→ダイオードＤ１
２→λ／４移相回路１２→ダイオードＤ２の経路で両ダ
イオードにバイアス電圧が印加されることにより、両ダ
イオードが共にオンする。これによりアンテナＡＮＴ２
の受信信号が受信フィルタＦ２１およびＦ２２に入力さ
れる。このように２つのλ／４移相回路を用いてアンテ
ナダイバーシチ用アンテナ共用器を構成する場合にも、
使用周波数帯に応じて制御端子ＣＮＴ２に対する印加電
圧を切り替えて、２つのλ／４移相回路の特性を共に切
り替えることによって、２つの使用周波数帯に適合する
アンテナダイバーシチ回路として作用させることができ
る。
を示す回路図である。図７においてダイオードＤ１１、
λ／４移相回路１１、ダイオードＤ２は第１のＲＦスイ
ッチを構成し、ダイオードＤ１２、λ／４移相回路１
２、ダイオードＤ２は第２のＲＦスイッチを構成する。
抵抗Ｒ３とコンデンサＣ３とはＲＦチョーク回路を構成
し、制御端子ＣＮＴ１から入力される制御電圧に重畳さ
れている高周波信号を除去し、マイクロストリップライ
ンＭＳ１はこの制御信号を供給する。同様に、抵抗Ｒ４
とコンデンサＣ６とはＲＦチョーク回路を構成し、制御
端子ＣＮＴ３から入力される制御電圧に重畳されている
高周波信号を除去し、マイクロストリップラインＭＳ２
はこの制御信号を供給する。今、制御端子ＣＮＴ１に正
電圧が印加されると、抵抗Ｒ３→マイクロストリップラ
インＭＳ１→ダイオードＤ１１→λ／４移相回路１１→
ダイオードＤ２の経路で両ダイオードにバイアス電圧が
印加されることにより、両ダイオードが共にオンする。
これにより８００ＭＨｚ帯の送信フィルタＦ１１または
１．９ＧＨｚ帯の送信フィルタＦ１２を通った送信信号
がアンテナＡＮＴ１へ導かれる。制御端子ＣＮＴ３と制
御端子ＣＮＴ１に接地電位または負電位が印加される
と、ダイオードＤ１１，Ｄ２は共にオフし、アンテナＡ
ＮＴ１の受信信号がλ／４移相回路１１および１２を介
して８００ＭＨｚ帯の受信フィルタＦ２１および１．９
ＧＨｚ帯の受信フィルタＦ２２に入力される。制御端子
ＣＮＴ１に接地電位または負電位が印加されている状態
で、制御端子ＣＮＴ３に正電位が印加されると、抵抗Ｒ
４→マイクロストリップラインＭＳ２→ダイオードＤ１
２→λ／４移相回路１２→ダイオードＤ２の経路で両ダ
イオードにバイアス電圧が印加されることにより、両ダ
イオードが共にオンする。これによりアンテナＡＮＴ２
の受信信号が受信フィルタＦ２１およびＦ２２に入力さ
れる。このように２つのλ／４移相回路を用いてアンテ
ナダイバーシチ用アンテナ共用器を構成する場合にも、
使用周波数帯に応じて制御端子ＣＮＴ２に対する印加電
圧を切り替えて、２つのλ／４移相回路の特性を共に切
り替えることによって、２つの使用周波数帯に適合する
アンテナダイバーシチ回路として作用させることができ
る。
【００２３】次に第５の実施形態に係るＲＦスイッチ回
路の構成を図８を参照して説明する。第１〜第４の実施
形態では、λ／４移相回路の構成要素であるキャパシタ
の実効キャパシタンスを変えることによって、λ／４移
相回路の特性を変えるようにしたが、この第５の実施形
態ではλ／４移相回路の構成要素であるインダクタの実
効インダクタンスを変えることによって、λ／４移相回
路の特性を変える。図８において、図１に示した回路と
異なる点はλ／４移相回路の構成である。図８におい
て、Ｃ１，Ｃ２、およびＬ１１，Ｌ１２はλ／４移相の
ためのキャパシタおよびインダクタである。ここではダ
イオードＤ５はスイッチング用のダイオードとして用
い、インダクタＬ４，Ｌ５はそのダイオードＤ５に対し
て制御電圧信号を印加するためのＲＦチョークコイルと
して用いる。今、制御端子ＣＮＴ２に正電位を印加する
と、インダクタＬ４→ダイオードＤ５→インダクタＬ５
の経路でダイオードＤ５にバイアス電圧が印加され、ダ
イオードＤ５がオンする。これにより、インダクタＬ１
２が比較的キャパシタンスの大きなキャパシタＣ７でバ
イパスされ、λ／４移相に寄与するインダクタの実効イ
ンダクタンスはＬ１１のインダクタンスに略等しくなり
低下する。制御端子ＣＮＴ２に接地電位または負電位を
印加すると、ダイオードＤ５がオフする。これにより、
λ／４移相に寄与するインダクタの実効インダクタンス
はＬ１１とＬ１２の直列合成値に略等しくなり増大す
る。したがって、制御端子ＣＮＴ２の印加電圧に応じて
λ／４移相回路１の適合する周波数帯を切り替えること
ができる。
路の構成を図８を参照して説明する。第１〜第４の実施
形態では、λ／４移相回路の構成要素であるキャパシタ
の実効キャパシタンスを変えることによって、λ／４移
相回路の特性を変えるようにしたが、この第５の実施形
態ではλ／４移相回路の構成要素であるインダクタの実
効インダクタンスを変えることによって、λ／４移相回
路の特性を変える。図８において、図１に示した回路と
異なる点はλ／４移相回路の構成である。図８におい
て、Ｃ１，Ｃ２、およびＬ１１，Ｌ１２はλ／４移相の
ためのキャパシタおよびインダクタである。ここではダ
イオードＤ５はスイッチング用のダイオードとして用
い、インダクタＬ４，Ｌ５はそのダイオードＤ５に対し
て制御電圧信号を印加するためのＲＦチョークコイルと
して用いる。今、制御端子ＣＮＴ２に正電位を印加する
と、インダクタＬ４→ダイオードＤ５→インダクタＬ５
の経路でダイオードＤ５にバイアス電圧が印加され、ダ
イオードＤ５がオンする。これにより、インダクタＬ１
２が比較的キャパシタンスの大きなキャパシタＣ７でバ
イパスされ、λ／４移相に寄与するインダクタの実効イ
ンダクタンスはＬ１１のインダクタンスに略等しくなり
低下する。制御端子ＣＮＴ２に接地電位または負電位を
印加すると、ダイオードＤ５がオフする。これにより、
λ／４移相に寄与するインダクタの実効インダクタンス
はＬ１１とＬ１２の直列合成値に略等しくなり増大す
る。したがって、制御端子ＣＮＴ２の印加電圧に応じて
λ／４移相回路１の適合する周波数帯を切り替えること
ができる。
【００２４】なお、以上に示した各実施形態のうち、λ
／４移相回路のキャパシタまたはインダクタをダイオー
ドを用いて切り替えるものは、そのダイオードのオン／
オフによって、λ／４移相回路の適合周波数帯を２通り
に切り替えるものであったが、同様にして、２つ以上の
ダイオードを設けて、それらのオン／オフ制御によっ
て、３つ以上の周波数帯に適合するλ／４移相回路を構
成してもよい。
／４移相回路のキャパシタまたはインダクタをダイオー
ドを用いて切り替えるものは、そのダイオードのオン／
オフによって、λ／４移相回路の適合周波数帯を２通り
に切り替えるものであったが、同様にして、２つ以上の
ダイオードを設けて、それらのオン／オフ制御によっ
て、３つ以上の周波数帯に適合するλ／４移相回路を構
成してもよい。
【００２５】また、第４の実施形態では送受共用器の一
例としてアンテナ共用器を挙げたが、第１と第３のポー
トに送信フィルタと受信フィルタを接続するとともに、
第２のポートに伝送線路を接続した送受共用器にも本願
発明は同様に適用できる。
例としてアンテナ共用器を挙げたが、第１と第３のポー
トに送信フィルタと受信フィルタを接続するとともに、
第２のポートに伝送線路を接続した送受共用器にも本願
発明は同様に適用できる。
【００２６】
【発明の効果】この発明の請求項１に係るＲＦスイッチ
回路によれば、可変容量ダイオードに対する制御電圧に
よってそのキャパシタンスを変化させれば、その可変容
量ダイオードとインダクタとを用いて構成したλ／４移
相回路の移相特性およびインピーダンスを、用いる周波
数帯に応じて適宜変更できるようになる。
回路によれば、可変容量ダイオードに対する制御電圧に
よってそのキャパシタンスを変化させれば、その可変容
量ダイオードとインダクタとを用いて構成したλ／４移
相回路の移相特性およびインピーダンスを、用いる周波
数帯に応じて適宜変更できるようになる。
【００２７】請求項２および３に係るＲＦスイッチ回路
によれば、制御電圧によってスイッチ素子のオン／オフ
状態を切り替えることによってλ／４移相回路の適合す
る周波数帯域を容易に切り替えることができる。
によれば、制御電圧によってスイッチ素子のオン／オフ
状態を切り替えることによってλ／４移相回路の適合す
る周波数帯域を容易に切り替えることができる。
【００２８】さらに、請求項４に係る送受共用器によれ
ば、ＲＦスイッチ回路によって送信フィルタを通して入
力される送信信号を第２のポートから出力する場合と、
第２のポートから入力される信号を受信フィルタへ出力
する場合とを切り替えることができ、たとえば第２のポ
ートにアンテナを接続することによって、広範囲に亘っ
て用いることのできるアンテナ共用器が容易に構成でき
る。
ば、ＲＦスイッチ回路によって送信フィルタを通して入
力される送信信号を第２のポートから出力する場合と、
第２のポートから入力される信号を受信フィルタへ出力
する場合とを切り替えることができ、たとえば第２のポ
ートにアンテナを接続することによって、広範囲に亘っ
て用いることのできるアンテナ共用器が容易に構成でき
る。
【図１】第１の実施形態に係るＲＦスイッチ回路の回路
図である。
図である。
【図２】同ＲＦスイッチ回路を適用したアンテナ共用器
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図３】同アンテナ共用器の構成を示す回路図である。
【図４】第２の実施形態に係るＲＦスイッチ回路の回路
図である。
図である。
【図５】第３の実施形態に係るＲＦスイッチ回路の回路
図である。
図である。
【図６】第４の実施形態に係るアンテナ共用器の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図７】同アンテナ共用器の構成を示す回路図である。
【図８】第５の実施形態に係るＲＦスイッチ回路の回路
図である。
図である。
【図９】従来のＲＦスイッチ回路の構成を示す図であ
る。
る。
【図１０】従来のＲＦスイッチ回路の回路図である。
１，１１，１２−λ／４移相回路 Ｌ１〜Ｌ５，Ｌ１１，Ｌ１２−インダクタ Ｃ１〜Ｃ７−キャパシタ Ｄ１〜Ｄ５−ダイオード ＶＤ１，ＶＤ２−可変容量ダイオード ＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３−制御端子 ＭＳ１，ＭＳ２−マイクロストリップライン Ｆ１１，Ｆ１２−送信フィルタ Ｆ２１，Ｆ２２−受信フィルタ
Claims (4)
- 【請求項１】 第１ポートと第２ポートとの間に第１の
ダイオードを直列に接続し、第２ポートと第３ポートと
の間にλ／４移相回路設け、第３ポートとアースとの間
に第２のダイオードを接続したＲＦスイッチ回路におい
て、 前記λ／４移相回路を、制御電圧によってキャパシタン
スの変化する可変容量ダイオードとインダクタとを用い
て構成したことを特徴とするＲＦスイッチ回路。 - 【請求項２】 第１ポートと第２ポートとの間に第１の
ダイオードを直列に接続し、第２ポートと第３ポートと
の間にλ／４移相回路設け、第３ポートとアースとの間
に第２のダイオードを接続したＲＦスイッチ回路におい
て、 前記λ／４移相回路を、キャパシタとインダクタを用い
て構成するとともに、制御電圧によってスイッチングし
て前記キャパシタの実効的キャパシタンスを切り替える
スイッチ素子を設けたことを特徴とするＲＦスイッチ回
路。 - 【請求項３】 第１ポートと第２ポートとの間に第１の
ダイオードを直列に接続し、第２ポートと第３ポートと
の間にλ／４移相回路設け、第３ポートとアースとの間
に第２のダイオードを接続したＲＦスイッチ回路におい
て、 前記λ／４移相回路を、キャパシタとインダクタを用い
て構成するとともに、制御電圧によってスイッチングし
て前記インダクタの実効的インダクタンスを切り替える
スイッチ素子を設けたことを特徴とするＲＦスイッチ回
路。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のＲＦス
イッチ回路の第１ポートに送信フィルタまたは受信フィ
ルタを接続するとともに、第３ポートに受信フィルタま
たは送信フィルタを接続してなる送受共用器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049184A JPH10247801A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | Ｒｆスイッチ回路および送受共用器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049184A JPH10247801A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | Ｒｆスイッチ回路および送受共用器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247801A true JPH10247801A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12823961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9049184A Pending JPH10247801A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | Ｒｆスイッチ回路および送受共用器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247801A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002290269A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置 |
| JP2003309489A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Nec Saitama Ltd | 携帯無線機 |
| WO2005099039A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Toto Ltd. | マイクロストリップアンテナ |
| JP2005537739A (ja) * | 2002-08-29 | 2005-12-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 多周波通信システム中で使用するためのトランシーバ装置、多周波通信システムの基地局、トランシーバ装置の使用方法、多周波通信システム中で多周波信号を送受信する方法 |
| KR100695969B1 (ko) | 2005-02-07 | 2007-03-15 | 알에프코어 주식회사 | Rf 스위치 및 rf 스위치를 구비하는 장치 |
| JPWO2005057803A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2008-04-17 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
| JP2008522533A (ja) * | 2004-12-02 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 分散型ダイプレクサ |
| WO2013118237A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ回路およびモジュール |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP9049184A patent/JPH10247801A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002290269A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置 |
| JP2003309489A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Nec Saitama Ltd | 携帯無線機 |
| JP2005537739A (ja) * | 2002-08-29 | 2005-12-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 多周波通信システム中で使用するためのトランシーバ装置、多周波通信システムの基地局、トランシーバ装置の使用方法、多周波通信システム中で多周波信号を送受信する方法 |
| JPWO2005057803A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2008-04-17 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
| JP4548610B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-09-22 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
| WO2005099039A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Toto Ltd. | マイクロストリップアンテナ |
| US7952534B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-05-31 | Toto Ltd. | Microstrip antenna |
| JP2008522533A (ja) * | 2004-12-02 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 分散型ダイプレクサ |
| KR100695969B1 (ko) | 2005-02-07 | 2007-03-15 | 알에프코어 주식회사 | Rf 스위치 및 rf 스위치를 구비하는 장치 |
| WO2013118237A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ回路およびモジュール |
| JPWO2013118237A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2015-05-11 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ回路およびモジュール |
| US10263757B2 (en) | 2012-02-06 | 2019-04-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Filter circuit and module |
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