JP2846240B2 - 周波数帯域可変フィルタ - Google Patents

周波数帯域可変フィルタ

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JP2846240B2
JP2846240B2 JP6129862A JP12986294A JP2846240B2 JP 2846240 B2 JP2846240 B2 JP 2846240B2 JP 6129862 A JP6129862 A JP 6129862A JP 12986294 A JP12986294 A JP 12986294A JP 2846240 B2 JP2846240 B2 JP 2846240B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯無線通信機
の分波器などに用いられるフィルタに関し、特に、通過
域及び阻止域を可変とする周波数帯域可変BEF(帯域
阻止ろ波器)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、マイクロ波無線通信機に用いら
れている周波数帯域可変フィルタとして、通過帯域の中
心周波数を可変にすることができる電圧制御ろ波器があ
り、制御電圧によって帯域を可変設定できる。図1は上
記従来の周波数帯域可変フィルタの構成例であり、1は
入力端子、2は出力端子、3,4は制御電圧を与えるバ
イアス端子である。DR1 ,DR2 は誘電体共振器であ
り、C14,C15は可変周波数幅調整用コンデンサ、X
1 ,X2 は可変容量ダイオード、R11,R12はバイアス
電圧供給用抵抗、C11,C12,C13は結合用コンデンサ
である。このような構成のバンドパスフィルタの通過帯
域の中心周波数は、可変容量ダイオードX1 ,X2 の容
量と、コンデンサC14,C15とのそれぞれの合成容量、
および誘電体共振器DR1 ,DR2 の共振周波数によっ
て決まり、バイアス端子3,4に印加する電圧を変化さ
せて可変容量ダイオードX1 ,X2 の容量を変化させる
ことにより中心周波数を可変にすることができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来回路
における可変容量ダイオードは、耐電力性が低く、ま
た、C−V特性といわれる逆電圧対端子間容量特性がも
つ非線系性のため入出力の直線性が得られないという欠
点がある。このため、可変容量ダイオードを用いたフィ
ルタは、主に取り扱う電力が小さい受信機にしか用いら
れず、送信機に用いられることはなかった。近年、小形
化のために、一つののフィルタで帯域周波数の異なる複
数の特性が得られる周波数帯域可変フィルタの要求が強
く、送信機においても例外ではなく、これを実現する方
法が求められている。
【0004】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決し、耐電力性を向上させ、入出力直線性に優れた周
波数帯域可変フィルタを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
した周波数帯域可変フィルタは、第1の実施例と第3の
実施例を包含するものであり、入力端子と接地端子との
間に接続され第1のコンデンサと第1のインダクタンス
素子からなり直列共振周波数を第1の減衰極とする第1
の直列共振回路と、出力端子と接地端子との間に接続さ
れ第2のコンデンサと第2のインダクタンス素子からな
り直列共振周波数を第2の減衰極とする第2の直列共振
回路と、前記第1の直列共振回路の入力端子側と前記第
2の直列共振回路の出力端子側との間に接続された結合
用コイルと、前記第1及び第2の直列共振回路とそれぞ
れ並列に接続された第3及び第4のインダクタンス素子
が備えられ、前記2つの減衰極により周波数の高域が
阻止域となり、前記2つの直列共振回路と前記第3及び
第4のインダクタンス素子により周波数の低域が通過域
となるローパス形フィルタにおいて、 前記第1のインダ
クタンス素子および前記第2のインダクタンス素子のそ
れぞれに設けたタップと接地間に、該タップと接地を高
周波的にオン/オフする第1及び第2のスイッチングダ
イオードが備えられ、 前記2つのスイッチングダイオー
ドに同時に正のバイアス電圧を印加して該2つのスイッ
チングダイオードをオンの状態にしたとき前記2つの減
衰極周波数が上がって低域の通過域と高域の阻止域が同
時に周波数の高い方に設定され、前記2つのスイッチン
グダイオードに同時に負のバイアス電圧を印加して該2
つのスイッチングダイオードをオフの状態にしたとき前
記2つの減衰極周波数が下がって低域の通過域と高域の
阻止域が同時に周波数の低い方に設定されるように構成
したことを特徴とするものである。
【0006】本発明の請求項2に記載の周波数帯域可変
フィルタは、第2の実施例を示すものであり、前記第1
のスイッチングダイオードと前記タップとの間及び前記
第2のスイッチングダイオードと前記タップとの間にそ
れぞれ第1及び第2の微調用コイルを設け、該第1及び
第2の微調用コイルのインダクタンスを調整することに
より前記タップの位置を変えずに前記スイッチングダイ
オードがオンのときの 減衰極周波数を微調することがで
きるようにしたことを特徴とするものである。
【0007】本発明の請求項3に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第4の実施例を示すものであり、前記第
1のインダクタンス素子のタップに接続された前記第1
の微調用コイルと前記第1のスイッチングダイオードか
らなる第1の直列回路と並列に接続され、第3の微調用
コイルと第3のスイッチングダイオードからなる第3の
直列回路と、 前記第2のインダクタンス素子のタップに
接続された前記第2の微調用コイルと前記第2のスイッ
チングダイオードからなる第2の直列回路と並列に接続
され、第4の微調用コイルと第4のスイッチングダイオ
ードからなる第4の直列回路とが備えられ、 前記第1及
び第2の微調用コイルのインダクタンスの値に対する前
記第3及び第4の微調用コイルのインダクタンスの値を
互いに異なる値に設定し、前記第1及び第2のスイッチ
ングダイオードを同時にオン/オフする制御と、前記第
3及び第4のスイッチングダイオードを同時にオン/オ
フする制御とを独立して制御することにより、通過域と
阻止域を同時に4段階に変えて帯域を設定できるように
構成したことを特徴とするものである。
【0008】本発明の請求項4に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第5の実施例を示すものであり、入力端
子と接地端子との間に接続され第1のコンデンサと第1
のインダクタンス素子からなり直列共振周波数を第1の
減衰極とする第1の直列共振回路と、出力端子と接地端
子との間に接続され第2のコンデンサと第2のインダク
タンス素子からなり直列共振周波数を第2の減衰極とす
る第2の直列共振回路と、前記第1の直列共振回路の入
力端子側と前記第2の直列共振回路の出力端子側との間
に接続された結合用コンデンサと、前記第1及び第2の
直列共振回路とそれぞれ並列に接続された第3及び第4
のコンデンサとが備えられ、前記2つの減衰極により周
波数の低域が阻止域となり、前記2つの直列共振回路と
前記第3及び第4のコンデンサにより周波数の高域が通
過域となるハイパス形フィルタにおいて、 前記第1のイ
ンダクタンス素子および前記第2のインダクタンス素子
のそれぞれに設けたタップと接地間に、該タップと接地
を高周波的にオン/オフする第1及び第2のスイッチン
グダイオードが備えられ、 前記2つのスイッチングダイ
オードに同時に正のバイアス電圧を印加して該2つのス
イッチングダイオードをオンの状態にしたとき前記2つ
の減衰極周波数が上がって低域の阻止域と高域の通過域
が同時に周波数の高い方に設定され、前記2つのスイッ
チングダイオードに同時に負のバイアス電圧を印加して
該2つのスイッチングダイオードをオフの状態にしたと
き前記2つの減衰極周波数が下がって高域の通過域と低
域の阻止域が同時に周波数の低い方に設定されるように
構成したことを特徴とするものである。
【0009】本発明の請求項5に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第5の実施例と第2の実施例を組み合わ
せたものであり、前記第1のスイッチングダイオードと
前記タップとの間及び前記第2のスイッチングダイオー
ドと前記タップとの間にそれぞれ第1及び第2の微調用
コイルを設け、該第1及び第2の微調用コイルのインダ
クタンスを調整することにより前記タップの位置を変え
ずに前記スイッチングダイオードがオンのときの減衰極
周波数を微調することができるようにしたことを特徴と
するものである。
【0010】本発明の請求項6に記載した周波数帯域可
変フィルタは、第5の実施例と第4の実施例とを組み合
わせたものであり、前記第1のインダクタンス素子のタ
ップに接続された前記第1の微調用コイルと前記第1の
スイッチングダイオードからなる第1の直列回路と並列
に接続され、第3の微調用コイルと第3のスイッチング
ダイオードからなる第3の直列回路と、 前記第2のイン
ダクタンス素子のタップに接続された前記第2の微調用
コイルと前記第2のスイッチングダイオードからなる第
2の直列回路と並列に接続され、第4の微調用コイルと
第4のスイッチングダイオードからなる第4の直列回路
とが備えられ、 前記第1及び第2の微調用コイルのイン
ダクタンスの値に対する前記第3及び 第4の微調用コイ
ルのインダクタンスの値を互いに異なる値に設定し、前
記第1及び第2のスイッチングダイオードを同時にオン
/オフする制御と、前記第3及び第4のスイッチングダ
イオードを同時にオン/オフする制御とを独立して制御
することにより、通過域と阻止域を同時に4段階に変え
て帯域を設定できるように構成したことを特徴とするも
のである。
【0011】
【実施例】本発明の構成及び作用について説明する。図
2は本発明の第1の実施例を示す回路構成図である。そ
の減衰特性は、図3(A)に示すようにローパスノッチ
形フィルタ特性を示す。すなわち、図3(A)に明示し
たように、制御電圧に対応して通過域及び阻止域の両方
が所定の規格を満たすことになる。この実施例は、例え
ば送信信号帯域を通過帯域とし受信信号帯域を阻止域と
するBEPであり、アンテナ共用器に用いられる分波器
の送信側フィルタとして用いられる。コンデンサC1
コイルL1 ,コンデンサC2 とコイルL2 による共振周
波数により阻止域の2つの減衰極周波数が決まり、コン
デンサC1 ,C2 の容量値が大きくなると減衰量が増
す。L4 は2つの共振回路を接続する結合コイルであ
り、L3 ,L5 は通過域において、容量性リアクタンス
を打ち消すような値に設定され、挿入損失を減らす役割
をもつコイルである。コイルL1 ,L2 には接地側に近
い部分にタップが設けられており、スイッチングダイオ
ードD1 ,D2 によってタップと接地間を高周波的に開
放にしたり短絡したりすることができる。つまり、この
例では、1つのフィルタにより、通過域及び阻止域の両
方の帯域を同時に切替え設定して相異なる2つの帯域特
性をもたせることができる。本実施例において、ダイオ
ードD1 ,D2 をオフ(断)の状態にするためには、バ
イアス端子に印加する制御電圧VCTL として負の電圧を
与えればよい。R1 ,R2は制御電圧供給用抵抗であ
る。このとき、コイルL1 ,L2 は最も大きなインダク
タンス値を示し、それぞれ共振回路の共振周波数は低く
なる。また、オン(導通)のときは、タップと接地間が
短絡されることになり、インダクタンスが小さくなって
それぞれの共振回路の共振周波数は高くなる。すなわ
ち、阻止域が低くなったり高くなったりする。
【0012】本回路の耐電力性は、ダイオードD1 ,D
2 がオンの時は、その高周波抵抗Rs と流入する高周波
電流により決定される。すなわち、ダイオードD1 ,D
2 の最大ジャンクション温度と放熱抵抗から導出される
許容損失によって決定される。また、オフの時は、コイ
ルL1 ,L2 のタップと接地の間にかかる高周波電圧の
ピーク値とダイオードD1 ,D2 にかかる逆バイアス電
圧によって決定され、高周波電圧のピーク値が逆バイア
ス電圧を超えなければよい。このため、図1に示した従
来例のように、周波数可変の機能を可変容量ダイオード
に依存し、そのC−V特性によって生じる非線系性によ
って印加電力が制限される従来例に比べ、本発明は比較
にならない位の大電力を取り扱うことができる。
【0013】図4は本発明の第1の実施例の一部を変え
た回路構成図であり、図2の第1の実施例におけるダイ
オードスイッチ素子をFETQ1 ,Q2 にした例であ
る。ダイオードのようにオンの時に電流が流れないので
低消費電力化が図れる。現在、GaAs(ガリウム砒
素)FETを用いると、1GHzでオンの時の抵抗値が
0.6Ω、オフのときの容量が1.1pFであり、高周
波スイッチングダイオードと同等の性能のものを容易に
入手することができる。ただ、現在ではダイオードより
高価なのが難点である。作用は第1の実施例と同じであ
る。いずれにしても、低消費電力化が求められる携帯電
話などの端末機用フィルタとして有益である。
【0014】図5は本発明の第1の実施例の一部を変え
た回路構成図であり、図2の第1の実施例における共振
用コイルL1 ,L2 をストリップラインなど分布定数線
路Z1 ,Z2 を用いて構成した回路である。作用は第1
の実施例と同じである。この実施例は小形・薄形化が容
易に実現できる。
【0015】図6は、本発明の第2の実施例を示す回路
構成図であり、図2の第1の実施例におけるダイオード
1 ,D2 がオンの時の共振周波数を微調するため、コ
イルL1 ,L2 のタップとダイオードD1 ,D2 との間
に微調用コイルL6 ,L7 を設けた例であり、タップの
位置を変えずに周波数の微調ができる利点がある。この
コイルL6 ,L7 は、通常のコイルでもよいし、印刷配
線導体による分布定数線路でもよい。
【0016】図7は、本発明の第3の実施例を示す回路
構成図であり、図2の第1の実施例におけるコイルL
1 ,L2 にタップを2つ設け、可変帯域を3種類にした
実施例である。この例では、制御端子の印加電圧
CTL1,VCTL2の両方をオフ、VCTL1のみオン、VCTL2
のみオンの3つの周波数帯域を可変することができる。
【0017】図8は、本発明の第の実施例を示す回路
構成図であり、コイルL1 ,L2 のタップを1つにし、
補助コイルL8 〜L11を設けることにより、制御端子の
印加電圧VCTL1,VCTL2の両方をオフ、両方をオン,
CTL1のみオン,VCTL2のみオンとすることにより4つの
周波数帯域を切替えることができる。
【0018】図9は、本発明の第の実施例を示す回路
構成図であり、特性が図3(B)に示すようにハイパス
ノッチ形フィルタ特性を示すものである。すなわち、図
3(B)に明示したように、制御電圧に対応して通過域
及び阻止域の両方が所定の規格を満たすことになる。
ンデンサC7 ,C9 の値は、通過域において誘導性リア
クタンスを打ち消すように選定され、通過域の挿入損失
を減らす役割をもつ。C8 は結合用コンデンサである。
この第の実施例は、図2の第1の実施例に対する第2
〜第の実施例と同様な態様を実現することができる。
【0019】
【発明の効果】本発明を実施することにより次のような
効果が得られる。 (1)耐電力性に優れた周波数帯域可変フィルタが実現
できる。 (2)このため、大電力を扱う送信機用のフィルタとし
て利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の回路構成例図である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す構成図である。
【図3】本発明の対象とするフィルタ特性説明図であ
る。
【図4】本発明の第1の実施例の一部を変えた構成を示
す構成図である。
【図5】本発明の第1の実施例の一部を変えた構成を示
す構成図である。
【図6】本発明の第2の実施例を示す構成図である。
【図7】本発明の第3の実施例を示す構成図である。
【図8】本発明の第4の実施例を示す構成図である。
【図9】本発明の第5の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 入力端子 2 出力端子 3,4 バイアス端子 L1 ,L2 共振用コイル L4 結合用コイル L3 ,L5 コイル L6 ,L7 ,L8 ,L9 ,L10,L11 微調用コイル C1 ,C2 共振用コンデンサ C3 ,C4 ,C5 ,C6 コンデンサ C7 ,C9 コンデンサ C8 結合用コンデンサ D1 ,D2 ,D3 ,D4 スイッチングダイオード R1 ,R2 ,R3 ,R4 制御電圧供給用抵抗 Q1 ,Q2 FET Z1 ,Z2 分布定数線路 DR1 ,DR2 誘電体共振器 X1 ,X2 可変容量ダイオード C14,C15 周波数幅調整用コンデンサ C11,C12,C13 結合用コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 和雄 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国 際電気株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−28315(JP,A) 特開 昭63−90901(JP,A) 特開 平3−215948(JP,A) 特開 平3−34723(JP,A) 特開 昭56−103514(JP,A) 特開 昭52−27338(JP,A) 特開 昭62−181515(JP,A) 実開 昭58−141618(JP,U) 実開 昭59−104601(JP,U) 実開 平2−73821(JP,U) 実開 昭60−186714(JP,U) 実開 昭50−25449(JP,U) 実開 昭63−5721(JP,U) 実開 平2−147941(JP,U) 特公 昭47−43003(JP,B1) 特公 昭52−11183(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03H 7/12 H03H 7/01 H01P 1/20 - 1/205

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子と接地端子との間に接続され第
    1のコンデンサと第1のインダクタンス素子からなり直
    列共振周波数を第1の減衰極とする第1の直列共振回路
    と、出力端子と接地端子との間に接続され第2のコンデ
    ンサと第2のインダクタンス素子からなり直列共振周波
    数を第2の減衰極とする第2の直列共振回路と、前記第
    1の直列共振回路の入力端子側と前記第2の直列共振回
    路の出力端子側との間に接続された結合用コイルと、前
    記第1及び第2の直列共振回路とそれぞれ並列に接続さ
    れた第3及び第4のインダクタンス素子とが備えられ、
    前記2つの減衰極により周波数の高域が阻止域となり、
    前記2つの直列共振回路と前記第3及び第4のインダク
    タンス素子により周波数の低域が通過域となるローパス
    形フィルタにおいて、 前記第1のインダクタンス素子および前記第2のインダ
    クタンス素子のそれぞれに設けたタップと接地間に、該
    タップと接地を高周波的にオン/オフする第1及び第2
    のスイッチングダイオードが備えられ、 前記2つのスイッチングダイオードに同時に正のバイア
    ス電圧を印加して該2つのスイッチングダイオードをオ
    ンの状態にしたとき前記2つの減衰極周波数が上がって
    低域の通過域と高域の阻止域が同時に周波数の高い方に
    設定され、前記2つのスイッチングダイオードに同時に
    負のバイアス電圧を印加して該2つのスイッチングダイ
    オードをオフの状態にしたとき前記2つの減衰極周波数
    が下がって低域の通過域と高域の阻止域が同時に周波数
    の低い方に設定されるように構成したことを特徴とする
    ローパス形周波数帯域可変フィルタ。
  2. 【請求項2】 前記第1のスイッチングダイオードと前
    記タップとの間及び前記第2のスイッチングダイオード
    と前記タップとの間にそれぞれ第1及び第2の微調用コ
    イルを設け、該第1及び第2の微調用コイルのインダク
    タンスを調整することにより前記タップの位置を変えず
    に前記スイッチングダイオードがオンのときの減衰極周
    波数を微調することができるようにしたことを特徴とす
    る請求項1記載の周波数帯域可変フィルタ。
  3. 【請求項3】 前記第1のインダクタンス素子のタップ
    に接続された前記第1の微調用コイルと前記第1のスイ
    ッチングダイオードからなる第1の直列回路と並列に接
    続され、第3の微調用コイルと第3のスイッチングダイ
    オードからなる第3の直列回路と、 前記第2のインダクタンス素子のタップに接続された前
    記第2の微調用コイルと前記第2のスイッチングダイオ
    ードからなる第2の直列回路と並列に接続され、第4の
    微調用コイルと第4のスイッチングダイオードからなる
    第4の直列回路とが備えられ、 前記第1及び第2の微調用コイルのインダクタンスの値
    に対する前記第3及び第4の微調用コイルのインダクタ
    ンスの値を互いに異なる値に設定し、前記第1及び第2
    のスイッチングダイオードを同時にオン/オフする制御
    と、前記第3及び第4のスイッチングダイオードを同時
    にオン/オフする制御とを独立して制御することによ
    り、通過域と阻止域を同時に4段階に変えて帯域を設定
    できるように構成した ことを特徴とする請求項1記載の
    周波数帯域可変フィルタ。
  4. 【請求項4】 入力端子と接地端子との間に接続され第
    1のコンデンサと第1のインダクタンス素子からなり直
    列共振周波数を第1の減衰極とする第1の直列共振回路
    と、出力端子と接地端子との間に接続され第2のコンデ
    ンサと第2のインダクタンス素子からなり直列共振周波
    数を第2の減衰極とする第2の直列共振回路と、前記第
    1の直列共振回路の入力端子側と前記第2の直列共振回
    路の出力端子側との間に接続された結合用コンデンサ
    と、前記第1及び第2の直列共振回路とそれぞれ並列に
    接続された第3及び第4のコンデンサとが備えられ、
    2つの減衰極により周波数の低域が阻止域となり、前
    記2つの直列共振回路と前記第3及び第4のコンデンサ
    により周波数の高域が通過域となるハイパス形フィルタ
    において、 前記第1のインダクタンス素子および前記第2のインダ
    クタンス素子のそれぞれに設けたタップと接地間に、該
    タップと接地を高周波的にオン/オフする第1及び第2
    のスイッチングダイオードが備えられ、 前記2つのスイッチングダイオードに同時に正のバイア
    ス電圧を印加して該2つのスイッチングダイオードをオ
    ンの状態にしたとき前記2つの減衰極周波数が 上がって
    低域の阻止域と高域の通過域が同時に周波数の高い方に
    設定され、前記2つのスイッチングダイオードに同時に
    負のバイアス電圧を印加して該2つのスイッチングダイ
    オードをオフの状態にしたとき前記2つの減衰極周波数
    が下がって高域の通過域と低域の阻止域が同時に周波数
    の低い方に設定されるように構成したことを特徴とする
    ハイパス形周波数帯域可変フィルタ。
  5. 【請求項5】 前記第1のスイッチングダイオードと前
    記タップとの間及び前記第2のスイッチングダイオード
    と前記タップとの間にそれぞれ第1及び第2の微調用コ
    イルを設け、該第1及び第2の微調用コイルのインダク
    タンスを調整することにより前記タップの位置を変えず
    に前記スイッチングダイオードがオンのときの減衰極周
    波数を微調することができるようにしたことを特徴とす
    る請求項4記載の周波数帯域可変フィルタ。
  6. 【請求項6】 前記第1のインダクタンス素子のタップ
    に接続された前記第1の微調用コイルと前記第1のスイ
    ッチングダイオードからなる第1の直列回路と並列に接
    続され、第3の微調用コイルと第3のスイッチングダイ
    オードからなる第3の直列回路と、 前記第2のインダクタンス素子のタップに接続された前
    記第2の微調用コイルと前記第2のスイッチングダイオ
    ードからなる第2の直列回路と並列に接続され、第4の
    微調用コイルと第4のスイッチングダイオードからなる
    第4の直列回路とが備えられ、 前記第1及び第2の微調用コイルのインダクタンスの値
    に対する前記第3及び第4の微調用コイルのインダクタ
    ンスの値を互いに異なる値に設定し、前記第1及び第2
    のスイッチングダイオードを同時にオン/オフする制御
    と、前記第3及び第4のスイッチングダイオードを同時
    にオン/オフする制御とを独立して制御することによ
    り、通過域と阻止域を同時に4段階に変えて帯域を設定
    できるように構成した ことを特徴とする請求項4記載の
    周波数帯域可変フィルタ。
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