JPH10335725A - 半導体レーザーの温度制御回路 - Google Patents
半導体レーザーの温度制御回路Info
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- JPH10335725A JPH10335725A JP14178297A JP14178297A JPH10335725A JP H10335725 A JPH10335725 A JP H10335725A JP 14178297 A JP14178297 A JP 14178297A JP 14178297 A JP14178297 A JP 14178297A JP H10335725 A JPH10335725 A JP H10335725A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境温度の変動が大きい場合でも半導体レー
ザーの温度制御を精度良く行う。 【解決手段】 本発明はサーミスタで測定した温度をフ
ィードバックループする回路に環境温度センサーおよび
半導体レーザー駆動電流検出回路で検出した温度を加算
することにより環境温度変動が大きい場合（−２０〜＋
７０℃）であっても半導体レーザーの温度を一定に制御
することができる。
ザーの温度制御を精度良く行う。 【解決手段】 本発明はサーミスタで測定した温度をフ
ィードバックループする回路に環境温度センサーおよび
半導体レーザー駆動電流検出回路で検出した温度を加算
することにより環境温度変動が大きい場合（−２０〜＋
７０℃）であっても半導体レーザーの温度を一定に制御
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はペルチェ素子を利用
して半導体レーザーの温度を一定にする半導体レーザー
の温度制御回路に関する。
して半導体レーザーの温度を一定にする半導体レーザー
の温度制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザーの温度制御回路に
おいては、図３で示されるブロックが開示されている。
図３において、１は目標温度、２は加算器、３はペルチ
ェ素子、４は半導体レーザー、５はサーミスターとから
構成されている。図示したようにペルチェ制御回路（Ａ
ＴＣ回路）は半導体レーザ−４の温度を検出する温度セ
ンサーとしてサーミスタ５を有し、目標温度１とサーミ
スタ５の温度センサーの値を比較して半導体レーザーの
温度が目標温度と等しくなるようにペルチェ素子を制御
するものである。
おいては、図３で示されるブロックが開示されている。
図３において、１は目標温度、２は加算器、３はペルチ
ェ素子、４は半導体レーザー、５はサーミスターとから
構成されている。図示したようにペルチェ制御回路（Ａ
ＴＣ回路）は半導体レーザ−４の温度を検出する温度セ
ンサーとしてサーミスタ５を有し、目標温度１とサーミ
スタ５の温度センサーの値を比較して半導体レーザーの
温度が目標温度と等しくなるようにペルチェ素子を制御
するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体レーザーの温度制御回路にあっては、サーミスタで半
導体レーザーの温度を検出し、目標温度と半導体レーザ
ーの温度を比較して半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子をフィードバック制御し
ている。温度設定誤差は通常±１℃に押さえる必要があ
るが、半導体レーザーがおかれている環境温度が広くな
ればフィードバックループのオープンループゲインを大
きくしなければならない。フィールド（屋外）で使用す
る場合は−２０℃〜７０℃程度の環境温度変化が考えら
れる。このような環境温度の中でも半導体レーザーの温
度を一定の目標値に保つためには前記オープンループゲ
インを大きくするが、大きくなるとシステムが発振する
などの安定性の問題が起こってくる。安定化するため、
位相補償回路を用いるがあまりゲインは大きくできない
し、その設計も難しくなる。したがって、従来技術では
環境温度の変動が大きい場合、温度設定誤差が大きくな
り、その状態では使用できないという問題点があった。
体レーザーの温度制御回路にあっては、サーミスタで半
導体レーザーの温度を検出し、目標温度と半導体レーザ
ーの温度を比較して半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子をフィードバック制御し
ている。温度設定誤差は通常±１℃に押さえる必要があ
るが、半導体レーザーがおかれている環境温度が広くな
ればフィードバックループのオープンループゲインを大
きくしなければならない。フィールド（屋外）で使用す
る場合は−２０℃〜７０℃程度の環境温度変化が考えら
れる。このような環境温度の中でも半導体レーザーの温
度を一定の目標値に保つためには前記オープンループゲ
インを大きくするが、大きくなるとシステムが発振する
などの安定性の問題が起こってくる。安定化するため、
位相補償回路を用いるがあまりゲインは大きくできない
し、その設計も難しくなる。したがって、従来技術では
環境温度の変動が大きい場合、温度設定誤差が大きくな
り、その状態では使用できないという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの課題を
解決するためのものであり、半導体レーザーの温度を検
出する温度検出回路と半導体レーザーをペルチェ素子を
用いて加熱または冷却することによって温度制御が行わ
れる半導体レーザーの温度制御回路において、半導体レ
ーザーが置かれている環境目標温度と前記温度検出回路
の出力とを比較し、半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子に対してフィードバック
制御を行い、このフィードバック制御に対して目標温度
との差が小さくなるように前記温度検出回路で検出した
温度を加算する半導体レーザーの温度制御回路を提供す
る。
解決するためのものであり、半導体レーザーの温度を検
出する温度検出回路と半導体レーザーをペルチェ素子を
用いて加熱または冷却することによって温度制御が行わ
れる半導体レーザーの温度制御回路において、半導体レ
ーザーが置かれている環境目標温度と前記温度検出回路
の出力とを比較し、半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子に対してフィードバック
制御を行い、このフィードバック制御に対して目標温度
との差が小さくなるように前記温度検出回路で検出した
温度を加算する半導体レーザーの温度制御回路を提供す
る。
【０００５】さらに、半導体レーザーの温度を検出する
温度検出回路と半導体レーザーをペルチェ素子を用いて
加熱または冷却することによって温度制御が行われる半
導体レーザーの温度制御回路において、半導体レーザ−
の温度を検出する第１の温度センサーと、半導体レーザ
ーがおかれている環境温度を検出する第２の温度センサ
ーと、半導体レーザーの駆動電流を検出する駆動電流検
出回路とから構成され、目標温度と第１の温度センサー
の値を比較し半導体レーザーの温度が目標温度と等しく
なるようにペルチェ素子を制御するフィードバック制御
を行い、このフィードバック制御に対して目標温度との
差を小さくなるように前記第２の温度センサーで検出し
た温度および前記駆動電流検出回路で検出した温度とを
加算する半導体レーザーの温度制御回路を提供する。
温度検出回路と半導体レーザーをペルチェ素子を用いて
加熱または冷却することによって温度制御が行われる半
導体レーザーの温度制御回路において、半導体レーザ−
の温度を検出する第１の温度センサーと、半導体レーザ
ーがおかれている環境温度を検出する第２の温度センサ
ーと、半導体レーザーの駆動電流を検出する駆動電流検
出回路とから構成され、目標温度と第１の温度センサー
の値を比較し半導体レーザーの温度が目標温度と等しく
なるようにペルチェ素子を制御するフィードバック制御
を行い、このフィードバック制御に対して目標温度との
差を小さくなるように前記第２の温度センサーで検出し
た温度および前記駆動電流検出回路で検出した温度とを
加算する半導体レーザーの温度制御回路を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を用いて説明する、図１は本発明の第１の実施例の半
導体レーザーの温度制御回路のブロック図であり、図２
は本発明の第２の実施例の半導体レーザーの温度制御回
路のブロック図である。図１において、１は目標温度、
２は比較器、３はペルチェ素子、４は半導体レーザー、
５はサーミスタ、６は環境温度センサー、７は比較器、
８は加算器とから構成されている。
面を用いて説明する、図１は本発明の第１の実施例の半
導体レーザーの温度制御回路のブロック図であり、図２
は本発明の第２の実施例の半導体レーザーの温度制御回
路のブロック図である。図１において、１は目標温度、
２は比較器、３はペルチェ素子、４は半導体レーザー、
５はサーミスタ、６は環境温度センサー、７は比較器、
８は加算器とから構成されている。
【０００７】図１にもとづいて動作説明を行う。半導体
レーザー４の温度はサーミスタ５で検出され、目標温度
１と比較器２で比較され、ペルチェ素子３をドライブす
る。そのときにサーミスタ５で検出された温度にもとづ
いてフィードバック制御を繰り返し行うことによってサ
ーミスタ５の温度が目標温度１に一致させるように動作
する。さらに環境温度は環境温度センサー６で検出され
目標温度１と環境温度の差を比較器７で比較しその値を
加算器８に加えることにより前述のフィードバックルー
プに外乱として働く環境温度の変動をキャンセルする事
ができ、外乱に強いフィードバックループを構成でき
る。従って環境温度が大きく変動しても目標温度とサー
ミスタ温度は一致し、精度のよい温度制御が可能であ
る。
レーザー４の温度はサーミスタ５で検出され、目標温度
１と比較器２で比較され、ペルチェ素子３をドライブす
る。そのときにサーミスタ５で検出された温度にもとづ
いてフィードバック制御を繰り返し行うことによってサ
ーミスタ５の温度が目標温度１に一致させるように動作
する。さらに環境温度は環境温度センサー６で検出され
目標温度１と環境温度の差を比較器７で比較しその値を
加算器８に加えることにより前述のフィードバックルー
プに外乱として働く環境温度の変動をキャンセルする事
ができ、外乱に強いフィードバックループを構成でき
る。従って環境温度が大きく変動しても目標温度とサー
ミスタ温度は一致し、精度のよい温度制御が可能であ
る。
【０００８】次に、半導体レーザーの温度制御回路の第
２の実施例について説明する。図１においては外乱要因
として環境温度変動をとらえてそれをキャンセルするこ
とを特徴としていたが、さらに外乱要因として半導体レ
ーザー４を駆動したときの発熱があり、さらにこれもキ
ャンセルする必要があり、このことを説明したのが図２
である。
２の実施例について説明する。図１においては外乱要因
として環境温度変動をとらえてそれをキャンセルするこ
とを特徴としていたが、さらに外乱要因として半導体レ
ーザー４を駆動したときの発熱があり、さらにこれもキ
ャンセルする必要があり、このことを説明したのが図２
である。
【０００９】半導体レーザー４の発熱はその駆動電流に
比例しているので、長時間、駆動すればする程、半導体
レーザー４の発熱もそれに比例して大きくなる。したが
って、図２では、半導体レーザー駆動電流検出回路９に
よってその駆動電流を検出し加算器１０でフィードバッ
クループに加算し、半導体レーザーの発熱をキャンセル
するようにする。こうすることによって第１の実施例よ
りもさらに外乱に強い高精度の温度制御回路を構成でき
る。また図示はしていないが、光ファイバー増幅器にお
いてはそこで使用される半導体レーザーの温度制御は必
須となっていて、本発明を実施することによって使用環
境温度の広い光ファイバー増幅器の開発が可能となる。
比例しているので、長時間、駆動すればする程、半導体
レーザー４の発熱もそれに比例して大きくなる。したが
って、図２では、半導体レーザー駆動電流検出回路９に
よってその駆動電流を検出し加算器１０でフィードバッ
クループに加算し、半導体レーザーの発熱をキャンセル
するようにする。こうすることによって第１の実施例よ
りもさらに外乱に強い高精度の温度制御回路を構成でき
る。また図示はしていないが、光ファイバー増幅器にお
いてはそこで使用される半導体レーザーの温度制御は必
須となっていて、本発明を実施することによって使用環
境温度の広い光ファイバー増幅器の開発が可能となる。
【００１０】
【発明の効果】以上のとおり、本発明はサーミスタで測
定した温度をフィードバックループする回路に環境温度
センサーおよび半導体レーザー駆動電流検出回路で検出
した温度を加算することにより環境温度変動が大きい場
合（−２０〜＋７０℃）であっても半導体レーザーの温
度を一定に制御することができる。特に光ファイバー増
幅器に利用すれば従来品に比べ使用環境温度を広げる事
ができる。
定した温度をフィードバックループする回路に環境温度
センサーおよび半導体レーザー駆動電流検出回路で検出
した温度を加算することにより環境温度変動が大きい場
合（−２０〜＋７０℃）であっても半導体レーザーの温
度を一定に制御することができる。特に光ファイバー増
幅器に利用すれば従来品に比べ使用環境温度を広げる事
ができる。
【図１】 本発明の第１の実施例の半導体レーザーの温
度制御回路のブロック図である。
度制御回路のブロック図である。
【図２】 本発明の第２の実施例の半導体レーザーの温
度制御回路のブロック図である。
度制御回路のブロック図である。
【図３】 従来半導体レーザーの温度制御回路のブロッ
ク図である。
ク図である。
１ 目標温度 ２ 比較器 ３ ペルチェ素子 ４ 半導体レーザー ５ サーミスタ ６ 環境温度センサー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年８月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体レーザーの温度制御回路
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はペルチェ素子を利用
して半導体レーザーの温度を一定にする半導体レーザー
の温度制御回路に関する。
して半導体レーザーの温度を一定にする半導体レーザー
の温度制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザーの温度制御回路に
おいては、図３で示されるブロックが開示されている。
図３において、１は目標温度、２は加算器、３はペルチ
ェ素子、４は半導体レーザー、５はサーミスターとから
構成されている。図示したようにペルチェ制御回路（Ａ
ＴＣ回路）は半導体レーザ−４の温度を検出する温度セ
ンサーとしてサーミスタ５を有し、目標温度１とサーミ
スタ５の温度センサーの値を比較して半導体レーザーの
温度が目標温度と等しくなるようにペルチェ素子を制御
するものである。
おいては、図３で示されるブロックが開示されている。
図３において、１は目標温度、２は加算器、３はペルチ
ェ素子、４は半導体レーザー、５はサーミスターとから
構成されている。図示したようにペルチェ制御回路（Ａ
ＴＣ回路）は半導体レーザ−４の温度を検出する温度セ
ンサーとしてサーミスタ５を有し、目標温度１とサーミ
スタ５の温度センサーの値を比較して半導体レーザーの
温度が目標温度と等しくなるようにペルチェ素子を制御
するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体レーザーの温度制御回路にあっては、サーミスタで半
導体レーザーの温度を検出し、目標温度と半導体レーザ
ーの温度を比較して半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子をフィードバック制御し
ている。温度設定誤差は通常±１℃に押さえる必要があ
るが、半導体レーザーがおかれている環境温度が広くな
ればフィードバックループのオープンループゲインを大
きくしなければならない。フィールド（屋外）で使用す
る場合は−２０℃〜７０℃程度の環境温度変化が考えら
れる。このような環境温度の中でも半導体レーザーの温
度を一定の目標値に保つためには前記オープンループゲ
インを大きくするが、大きくなるとシステムが発振する
などの安定性の問題が起こってくる。安定化するため、
位相補償回路を用いるがあまりゲインは大きくできない
し、その設計も難しくなる。したがって、従来技術では
環境温度の変動が大きい場合、温度設定誤差が大きくな
り、その状態では使用できないという問題点があった。
体レーザーの温度制御回路にあっては、サーミスタで半
導体レーザーの温度を検出し、目標温度と半導体レーザ
ーの温度を比較して半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子をフィードバック制御し
ている。温度設定誤差は通常±１℃に押さえる必要があ
るが、半導体レーザーがおかれている環境温度が広くな
ればフィードバックループのオープンループゲインを大
きくしなければならない。フィールド（屋外）で使用す
る場合は−２０℃〜７０℃程度の環境温度変化が考えら
れる。このような環境温度の中でも半導体レーザーの温
度を一定の目標値に保つためには前記オープンループゲ
インを大きくするが、大きくなるとシステムが発振する
などの安定性の問題が起こってくる。安定化するため、
位相補償回路を用いるがあまりゲインは大きくできない
し、その設計も難しくなる。したがって、従来技術では
環境温度の変動が大きい場合、温度設定誤差が大きくな
り、その状態では使用できないという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの課題を
解決するためのものであり、半導体レーザーをペルチェ
素子を用いて加熱または冷却することによって温度制御
が行われる半導体レーザーの温度制御回路において、半
導体レーザーの温度を検出する第１の温度センサーと半
導体レーザーがおかれている環境温度を検出する第２の
温度センサーとを有し、目標温度と第１の温度センサー
の値を比較して半導体レーザーの温度が目標温度と等し
くなるようにペルチェ素子を制御するフィードバックル
ープを有し、さらに前記半導体レーザーの温度が目標温
度に近づくようにフィードフォーワード信号として前記
フィードバックループ内部に第２の温度センサーからの
出力を加算する半導体レーザーの温度制御回路を提供す
る。
解決するためのものであり、半導体レーザーをペルチェ
素子を用いて加熱または冷却することによって温度制御
が行われる半導体レーザーの温度制御回路において、半
導体レーザーの温度を検出する第１の温度センサーと半
導体レーザーがおかれている環境温度を検出する第２の
温度センサーとを有し、目標温度と第１の温度センサー
の値を比較して半導体レーザーの温度が目標温度と等し
くなるようにペルチェ素子を制御するフィードバックル
ープを有し、さらに前記半導体レーザーの温度が目標温
度に近づくようにフィードフォーワード信号として前記
フィードバックループ内部に第２の温度センサーからの
出力を加算する半導体レーザーの温度制御回路を提供す
る。
【０００５】さらに、半導体レーザーをペルチェ素子を
用いて加熱または冷却することによって温度制御が行わ
れる半導体レーザーの温度制御回路において、半導体レ
ーザ−の温度を検出する第１の温度センサーと、半導体
レーザーがおかれている環境温度を検出する第２の温度
センサーと、半導体レーザーの駆動電流を検出する駆動
電流検出回路とから構成され、目標温度と第１の温度セ
ンサーの値を比較し半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子を制御するフィードバッ
クループ制御に対して目標温度との差をさらに小さくな
るように前記第２の温度センサーで検出した温度値およ
び前記駆動電流検出回路で検出した値とを加算する半導
体レーザーの温度制御回路を提供する。
用いて加熱または冷却することによって温度制御が行わ
れる半導体レーザーの温度制御回路において、半導体レ
ーザ−の温度を検出する第１の温度センサーと、半導体
レーザーがおかれている環境温度を検出する第２の温度
センサーと、半導体レーザーの駆動電流を検出する駆動
電流検出回路とから構成され、目標温度と第１の温度セ
ンサーの値を比較し半導体レーザーの温度が目標温度と
等しくなるようにペルチェ素子を制御するフィードバッ
クループ制御に対して目標温度との差をさらに小さくな
るように前記第２の温度センサーで検出した温度値およ
び前記駆動電流検出回路で検出した値とを加算する半導
体レーザーの温度制御回路を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を用いて説明する、図１は本発明の第１の実施例の半
導体レーザーの温度制御回路のブロック図であり、図２
は本発明の第２の実施例の半導体レーザーの温度制御回
路のブロック図である。図１において、１は目標温度、
２は比較器、３はペルチェ素子、４は半導体レーザー、
５はサーミスタ、６は環境温度センサー、７は比較器、
８は加算器とから構成されている。
面を用いて説明する、図１は本発明の第１の実施例の半
導体レーザーの温度制御回路のブロック図であり、図２
は本発明の第２の実施例の半導体レーザーの温度制御回
路のブロック図である。図１において、１は目標温度、
２は比較器、３はペルチェ素子、４は半導体レーザー、
５はサーミスタ、６は環境温度センサー、７は比較器、
８は加算器とから構成されている。
【０００７】図１にもとづいて動作説明を行う。半導体
レーザー４の温度はサーミスタ５で検出され、目標温度
１と比較器２で比較され、ペルチェ素子３をドライブす
る。そのときにサーミスタ５で検出された温度にもとづ
いてフィードバック制御を繰り返し行うことによってサ
ーミスタ５の温度が目標温度１に一致させるように動作
する。さらに環境温度は環境温度センサー６で検出され
目標温度１と環境温度の差を比較器７で比較しその値を
加算器８に加えることにより前述のフィードバックルー
プに外乱として働く環境温度の変動をキャンセルする事
ができ、外乱に強いフィードバックループを構成でき
る。従って環境温度が大きく変動しても目標温度とサー
ミスタ温度は一致し、精度のよい温度制御が可能であ
る。
レーザー４の温度はサーミスタ５で検出され、目標温度
１と比較器２で比較され、ペルチェ素子３をドライブす
る。そのときにサーミスタ５で検出された温度にもとづ
いてフィードバック制御を繰り返し行うことによってサ
ーミスタ５の温度が目標温度１に一致させるように動作
する。さらに環境温度は環境温度センサー６で検出され
目標温度１と環境温度の差を比較器７で比較しその値を
加算器８に加えることにより前述のフィードバックルー
プに外乱として働く環境温度の変動をキャンセルする事
ができ、外乱に強いフィードバックループを構成でき
る。従って環境温度が大きく変動しても目標温度とサー
ミスタ温度は一致し、精度のよい温度制御が可能であ
る。
【０００８】次に、半導体レーザーの温度制御回路の第
２の実施例について説明する。図１においては外乱要因
として環境温度変動をとらえてそれをキャンセルするこ
とを特徴としていたが、さらに外乱要因として半導体レ
ーザー４を駆動したときの発熱があり、さらにこれもキ
ャンセルする必要があり、このことを説明したのが図２
である。
２の実施例について説明する。図１においては外乱要因
として環境温度変動をとらえてそれをキャンセルするこ
とを特徴としていたが、さらに外乱要因として半導体レ
ーザー４を駆動したときの発熱があり、さらにこれもキ
ャンセルする必要があり、このことを説明したのが図２
である。
【０００９】半導体レーザー４の発熱はその駆動電流に
比例しているので、長時間、駆動すればする程、半導体
レーザー４の発熱もそれに比例して大きくなる。したが
って、図２では、半導体レーザー駆動電流検出回路９に
よってその駆動電流を検出し加算器１０でフィードバッ
クループに加算し、半導体レーザーの発熱をキャンセル
するようにする。こうすることによって第１の実施例よ
りもさらに外乱に強い高精度の温度制御回路を構成でき
る。また図示はしていないが、光ファイバー増幅器にお
いてはそこで使用される半導体レーザーの温度制御は必
須となっていて、本発明を実施することによって使用環
境温度の広い光ファイバー増幅器の開発が可能となる。
比例しているので、長時間、駆動すればする程、半導体
レーザー４の発熱もそれに比例して大きくなる。したが
って、図２では、半導体レーザー駆動電流検出回路９に
よってその駆動電流を検出し加算器１０でフィードバッ
クループに加算し、半導体レーザーの発熱をキャンセル
するようにする。こうすることによって第１の実施例よ
りもさらに外乱に強い高精度の温度制御回路を構成でき
る。また図示はしていないが、光ファイバー増幅器にお
いてはそこで使用される半導体レーザーの温度制御は必
須となっていて、本発明を実施することによって使用環
境温度の広い光ファイバー増幅器の開発が可能となる。
【００１０】
【発明の効果】以上のとおり、本発明はサーミスタで測
定した温度をフィードバックループする回路に環境温度
センサーおよび半導体レーザー駆動電流検出回路で検出
した温度を加算することにより環境温度変動が大きい場
合（−２０〜＋７０℃）であっても半導体レーザーの温
度を一定に制御することができる。特に光ファイバー増
幅器に利用すれば従来品に比べ使用環境温度を広げる事
ができる。
定した温度をフィードバックループする回路に環境温度
センサーおよび半導体レーザー駆動電流検出回路で検出
した温度を加算することにより環境温度変動が大きい場
合（−２０〜＋７０℃）であっても半導体レーザーの温
度を一定に制御することができる。特に光ファイバー増
幅器に利用すれば従来品に比べ使用環境温度を広げる事
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例の半導体レーザーの温
度制御回路のブロック図である。
度制御回路のブロック図である。
【図２】 本発明の第２の実施例の半導体レーザーの温
度制御回路のブロック図である。
度制御回路のブロック図である。
【図３】 従来半導体レーザーの温度制御回路のブロッ
ク図である。
ク図である。
【符号の説明】 １ 目標温度 ２ 比較器 ３ ペルチェ素子 ４ 半導体レーザー ５ サーミスタ ６ 環境温度センサー
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザーの温度を検出する温度検出
回路と半導体レーザーをペルチェ素子を用いて加熱また
は冷却することによって温度制御が行われる半導体レー
ザーの温度制御回路において、半導体レーザーが置かれ
ている環境目標温度と前記温度検出回路の出力とを比較
し、半導体レーザーの温度が目標温度と等しくなるよう
にペルチェ素子に対してフィードバック制御を行い、こ
のフィードバック制御に対して目標温度との差が小さく
なるように前記温度検出回路で検出した温度を加算する
ことを特徴とする半導体レーザーの温度制御回路。 - 【請求項２】半導体レーザーの温度を検出する温度検出
回路と半導体レーザーをペルチェ素子を用いて加熱また
は冷却することによって温度制御が行われる半導体レー
ザーの温度制御回路において、半導体レーザ−の温度を
検出する第１の温度センサーと、半導体レーザーが置か
れている環境温度を検出する第２の温度センサーと、半
導体レーザーの駆動電流を検出する駆動電流検出回路と
から構成され、目標温度と第１の温度センサーの値を比
較し半導体レーザーの温度が目標温度と等しくなるよう
にペルチェ素子を制御するフィードバック制御を行い、
このフィードバック制御に対して目標温度との差を小さ
くなるように前記第２の温度センサーで検出した温度お
よび前記駆動電流検出回路で検出した温度とを加算する
ことを特徴とする半導体レーザーの温度制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14178297A JPH10335725A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 半導体レーザーの温度制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14178297A JPH10335725A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 半導体レーザーの温度制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335725A true JPH10335725A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15300049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14178297A Pending JPH10335725A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 半導体レーザーの温度制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335725A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012942A3 (en) * | 2001-08-03 | 2004-02-19 | Photon X Inc | System and method for the electronic control of a laser diode and thermoelectric cooler |
| JP2006505140A (ja) * | 2002-10-30 | 2006-02-09 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 超発光ダイオードの温度制御を実現する方法およびシステム |
| JP2008078405A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信器 |
| JP2008309583A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Anritsu Corp | 波長安定化装置及び方法 |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP14178297A patent/JPH10335725A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012942A3 (en) * | 2001-08-03 | 2004-02-19 | Photon X Inc | System and method for the electronic control of a laser diode and thermoelectric cooler |
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| JP4732756B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2011-07-27 | ノースロップ・グラマン・コーポレーション | 超発光ダイオードの温度制御を実現する方法およびシステム |
| JP2008078405A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信器 |
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