JPH10326824A - Manufacture of electrostatic chuck - Google Patents

Manufacture of electrostatic chuck

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JPH10326824A
JPH10326824A JP14996897A JP14996897A JPH10326824A JP H10326824 A JPH10326824 A JP H10326824A JP 14996897 A JP14996897 A JP 14996897A JP 14996897 A JP14996897 A JP 14996897A JP H10326824 A JPH10326824 A JP H10326824A
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JP
Japan
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electrode
electrostatic chuck
dielectric layer
copper
board
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Application number
JP14996897A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Minami
信之 南
Yoshihiro Asai
義博 浅井
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Chichibu Onoda Cement Corp
Original Assignee
Chichibu Onoda Cement Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate a scattering of the component of copper from a dielectric layer on the upper surface of a copper electrode formed on the surface of the ceramic board of an electrostatic chuck, and to lower the production cost of the chuck to low cost by method, wherein after the electrode has been formed on the surface of the board by an electroless plating method, an organic resin layer dispersed conductive particles is formed on the upper surface of the electrode by a printing method or the like. SOLUTION: As a method of forming an electrode on the surface of a ceramic board, the surface of the board is rinsed to remove dust. Moreover, after the surface of the board has been cleaned with an alkaline aqueous solution, the surface is activated via processes using etching, conditioning, pre-dipping, putting to catalysis and accelerating. The electrode consisting of an copper layer is formed on the surface subjected to activate treatment by an electroless plating method. Then, an organic resin layer on which conductive particles are dispersed by a printing method or the like is formed on the upper surface of the board as a dielectric layer. That is, in the printing method, the particles are mixed in the resin layer and the dispersed organic resin has only to be applied on the surface by printing and in a spin coater method, the resin layer is dissolved with an alcohol, and the dissolved resin layer has only to be dripped on the surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、静電チャックの製
造方法に関し、特にセラミックスを基板とする静電チャ
ックの製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing an electrostatic chuck, and more particularly to a method for manufacturing an electrostatic chuck using ceramic as a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、セラミックスを基板とする静
電チャックがある。この静電チャックには、例えば、セ
ラミックス基板表面に電極とその上面を覆うアルミナと
チタニアの混合物から成る誘電体層をプラズマ溶射法で
形成した静電チャック、あるいはセラミックス基板表面
に前記電極と誘電体層を焼き付けで形成した静電チャッ
クなどがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is an electrostatic chuck using a ceramic as a substrate. The electrostatic chuck includes, for example, an electrostatic chuck in which a dielectric layer made of a mixture of alumina and titania covering an electrode and an upper surface thereof is formed on a ceramic substrate surface by a plasma spraying method, or the electrode and the dielectric material are formed on a ceramic substrate surface. There is an electrostatic chuck in which a layer is formed by baking.

【0003】これらの静電チャックは、どちらも電極上
面の誘電体層中に含まれているチタニアをイオン化し、
酸素の欠損したTiOxと成すことにより、誘電体層の
絶縁抵抗値が低くなることを利用した静電チャックであ
る。それは、静電チャックの上面にシリコンウェハを載
置してプラズマ中で通電すると、ジョンセン・ラーベッ
ク効果でシリコンウェハを吸着する力が作用してウェハ
を固定するが、その際、静電チャックに内蔵した電極と
プラズマを介して逆極を有するシリコンウェハとの間に
流れる漏れ電流(リーク電流)を1μA以下にするた
め、チタニアを混入して誘電体層の抵抗値を1010Ω程
度に下げるようにしたものである。
[0003] Both of these electrostatic chucks ionize titania contained in the dielectric layer on the upper surface of the electrode,
This is an electrostatic chuck utilizing the fact that the formation of oxygen-deficient TiO x lowers the insulation resistance of the dielectric layer. When a silicon wafer is placed on the upper surface of the electrostatic chuck and energized in the plasma, the force to attract the silicon wafer by the Johnsen-Rahbek effect acts to fix the wafer. In order to reduce the leakage current (leakage current) flowing between the electrode and the silicon wafer having the opposite pole through the plasma to 1 μA or less, titania is mixed in to reduce the resistance value of the dielectric layer to about 10 10 Ω. It was made.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マ溶射法で電極と誘電体層を形成する静電チャックにお
いては、溶射時にノズル先端の銅を削り込み、その削ら
れた銅が誘電体層の内部に入り込み、その結果、半導体
作製時にプラズマを用いる工程でそのプラズマにより静
電チャックから銅成分が飛散し、半導体が銅汚染される
という問題があった。また、焼き付けで電極と誘電体層
を形成する静電チャックでは、その焼き付けを高温で行
う必要があるため、工程が複雑でコストが高くなるとい
う欠点があった。
However, in an electrostatic chuck in which an electrode and a dielectric layer are formed by a plasma spraying method, the copper at the tip of the nozzle is scraped off during the spraying, and the scraped copper is formed inside the dielectric layer. As a result, there is a problem that in a process of using plasma during semiconductor fabrication, a copper component is scattered from the electrostatic chuck by the plasma and the semiconductor is contaminated with copper. Further, in the case of an electrostatic chuck in which electrodes and a dielectric layer are formed by baking, the baking needs to be performed at a high temperature, so that there is a disadvantage that the process is complicated and the cost is increased.

【0005】本発明は、上述した従来技術が有する課題
に鑑みなされたものであって、その目的は、半導体に銅
汚染を生じさせることのない、また、製造コストを安価
にする静電チャックの製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to provide an electrostatic chuck which does not cause copper contamination in a semiconductor and reduces the manufacturing cost. It is to provide a manufacturing method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するため鋭意研究した結果、セラミックス基板表
面に、無電解メッキ法で銅電極を形成した後、その上面
に印刷法あるいはスピンコーター法で導電性粒子を分散
させた有機樹脂を形成すれば、誘電体層から銅成分の飛
散のない、また、製造コストが安価になる静電チャック
が得られるとの知見を得て本発明を完成した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, after forming a copper electrode on the surface of a ceramic substrate by electroless plating, a printing method or a spinning method is applied to the upper surface thereof. The present invention is based on the finding that the formation of an organic resin in which conductive particles are dispersed by a coater method does not cause the copper component to scatter from the dielectric layer and that an electrostatic chuck with low manufacturing cost can be obtained. Was completed.

【0007】即ち本発明は、(1)セラミックス基板表
面に電極を形成し、その上面に誘電体層を形成する静電
チャックの製造方法において、該電極の形成方法が、活
性化したセラミックス基板表面に無電解メッキ法で銅を
形成する方法であり、該誘電体層の形成方法が、導電性
粒子を分散させた有機樹脂を印刷法あるいはスピンコー
ター法で形成する方法であり、かつ、有機樹脂への導電
性粒子の混入割合を調節することにより、該誘電体層の
リーク電流を1〜0.05μAとすることを特徴とする
静電チャックの製造方法(請求項1)とし、また、
(2)セラミックス基板が、アルミナセラミックスであ
ることを特徴とする請求項1記載の静電チャックの製造
方法(請求項2)とすることを要旨とする。以下さらに
詳細に説明する。
That is, the present invention provides (1) a method for manufacturing an electrostatic chuck in which an electrode is formed on the surface of a ceramic substrate and a dielectric layer is formed on the upper surface of the electrode; A method of forming copper by an electroless plating method, the method of forming the dielectric layer is a method of forming an organic resin in which conductive particles are dispersed by a printing method or a spin coater method, and A method of manufacturing an electrostatic chuck, wherein a leak current of the dielectric layer is adjusted to 1 to 0.05 μA by adjusting a mixing ratio of conductive particles to the electrostatic chuck.
(2) The gist of the invention is a method of manufacturing an electrostatic chuck according to claim 1, wherein the ceramic substrate is made of alumina ceramics. This will be described in more detail below.

【0008】セラミックス基板表面に電極を形成する方
法としては、先ず表面を活性化処理したセラミックス基
板を用いることとした。基板表面を活性化処理するの
は、電極となる銅が強固に接着されるように基板表面を
改質するためである。この活性化処理としては、基板表
面を水で洗浄して粉塵を除去し、さらにアルカリ水溶液
で洗浄して清浄にした後、エッチング、コンディショニ
ング、プレディップ、キャタリスト、アクセレレーター
の処理工程を経て活性化するものである。
As a method of forming electrodes on the surface of a ceramic substrate, a ceramic substrate whose surface has been activated is first used. The reason why the activation treatment is performed on the substrate surface is to modify the substrate surface so that copper serving as an electrode is firmly adhered. As this activation treatment, the substrate surface is washed with water to remove dust, and further washed with an alkaline aqueous solution to be cleaned, and then subjected to etching, conditioning, pre-dip, catalyst, and accelerator processing steps. Activate.

【0009】その活性化処理した面に無電解メッキ法で
銅から成る電極を形成することとした。この無電解メッ
キ法で電極を形成する利点は、プラズマ溶射より密な電
極が形成できること、しかも設備の制約を受けずに簡便
に形成できること、また、基板が薄板であるため、焼き
付けで生じる反りがないことなどである。この電極を形
成する具体的な方法としては、例えば、基板全面に無電
解メッキ法で銅を形成した後、必要個所にレジストを塗
布し、不要個所を塩化第二鉄でエッチングし、残ったレ
ジストを溶剤で除去する方法、あるいは基板表面の電極
を形成しない部分にあらかじめレジストを塗布した後、
基板表面の全面に無電解メッキ法で銅を形成し、レジス
ト部分をリフトオフする方法などがある。これにより、
基板表面に強固な銅電極が形成されることとなる。この
銅は、磁性を有さないので、静電チャックの場合には、
好ましい電極となる。
An electrode made of copper is formed on the activated surface by electroless plating. The advantage of forming an electrode by this electroless plating method is that a denser electrode can be formed than plasma spraying, and that it can be formed easily without being restricted by equipment, and because the substrate is a thin plate, warpage caused by baking is reduced. There is no such thing. As a specific method of forming this electrode, for example, after copper is formed on the entire surface of the substrate by an electroless plating method, a resist is applied to necessary portions, and unnecessary portions are etched with ferric chloride, and the remaining resist is etched. After removing the solvent with a solvent, or applying a resist in advance to the part of the substrate surface where the electrodes are not formed,
There is a method in which copper is formed on the entire surface of the substrate by an electroless plating method, and a resist portion is lifted off. This allows
A strong copper electrode is formed on the substrate surface. This copper has no magnetism, so in the case of an electrostatic chuck,
It is a preferred electrode.

【0010】次いで、電極を形成したその上面に、印刷
法あるいはスピンコーター法で導電性粒子を分散させた
有機樹脂を誘電体層として形成することとした。その方
法は、例えば印刷法では、シロキサン(Si−O−Si
の鎖状化合物)などの導電性を有する粒子を混入し、そ
れを分散させた有機樹脂を印刷で塗布すればよく、スピ
ンコーター法では、それをアルコール等で溶かして希釈
して滴下すればよい。この印刷法で形成するか、スピン
コーター法で形成するかは、用いる有機樹脂の性状に合
わせて決めればよい。この誘電体層には、プラズマ処理
を行っていないので、電極である銅の混入はない。
Next, an organic resin in which conductive particles are dispersed is formed as a dielectric layer on the upper surface on which the electrode is formed by a printing method or a spin coater method. For example, in a printing method, a siloxane (Si-O-Si
Of a conductive compound such as a chain compound), an organic resin in which the particles are dispersed may be applied by printing, and in the spin coater method, it may be dissolved and diluted with alcohol or the like and then dropped. . Whether it is formed by the printing method or the spin coater method may be determined according to the properties of the organic resin to be used. Since no plasma treatment is performed on this dielectric layer, there is no mixing of copper as an electrode.

【0011】形成された誘電体層のリーク電流として
は、1〜0.05μAとした。リーク電流が1μAより
大きいとICの製造工程において、シリコンウェハ表面
に形成された微細配線に損傷を与えるので好ましくな
く、0.05μAより小さいとシリコンウェハの吸着時
に発生した電荷を短時間に消去しきれず、シリコンウェ
ハの離脱時間が長くなり、生産性が低下するのでこれも
好ましくない。このリーク電流の調節は、導電性粒子の
混入割合を変化させて誘電体層の絶縁抵抗値を変えるこ
とで調節することができる。この抵抗値は、低ければリ
ーク電流が大きくなり、高ければリーク電流は小さくな
る。
The leakage current of the formed dielectric layer was 1 to 0.05 μA. If the leak current is larger than 1 μA, it is not preferable because the fine wiring formed on the surface of the silicon wafer is damaged in the IC manufacturing process. This is not preferable because the time required for detaching the silicon wafer becomes longer and the productivity decreases. The leak current can be adjusted by changing the mixing ratio of the conductive particles to change the insulation resistance value of the dielectric layer. If the resistance value is low, the leak current increases, and if the resistance value is high, the leak current decreases.

【0012】上記基板となるセラミックスとしては、ア
ルミナセラミックスとした。アルミナはセラミックスと
しての特性に優れ、さらに安価であるので好ましく、ま
た、その表面に電極を形成する際に、活性化処理のエッ
チング工程でアンカー効果を発揮し易く、電極のセラミ
ックスへの接着強度を強くできる。
The ceramics used as the substrate was alumina ceramics. Alumina is preferable because it has excellent properties as ceramics and is inexpensive.Moreover, when forming an electrode on its surface, it is easy to exert an anchor effect in the etching step of the activation treatment, and the adhesive strength of the electrode to the ceramic is improved. Can be strong.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、静電チャックを製造する方
法をさらに詳細に述べると、先ず、アルミナ粉末を用い
て慣用の方法で所要の大きさと厚さを持つセラミックス
の焼結体を作製する。その焼結体の表面を研削、研磨
し、平坦にして基板とする。その基板表面を水で洗浄
し、アルカリ水溶液で洗浄する。次いでエッチング、コ
ンディショニング、プレディップ、キャタリスト、アク
セレレーターの処理を行い活性化処理する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method of manufacturing an electrostatic chuck will be described in more detail below. First, a sintered body of ceramics having a required size and thickness is prepared by a conventional method using alumina powder. . The surface of the sintered body is ground and polished and flattened to obtain a substrate. The surface of the substrate is washed with water and washed with an aqueous alkaline solution. Next, activation, etching, conditioning, pre-dip, catalyst, and accelerator processing are performed.

【0014】その基板表面に、例えばその全面に先ず無
電解メッキ法で銅を形成し、それに電極である部分にレ
ジストを塗布し、電極でない部分を塩化第二鉄でエッチ
ングし、残ったレジストを溶剤で除去することで電極を
形成する。その電極上面に印刷法またはスピンコーター
法で導電性の粒子を混入した有機樹脂の誘電体層を形成
する。
On the substrate surface, for example, copper is first formed on the entire surface by an electroless plating method, a resist is applied to a portion which is an electrode, and a portion which is not an electrode is etched with ferric chloride. An electrode is formed by removing with a solvent. A dielectric layer of an organic resin mixed with conductive particles is formed on the upper surface of the electrode by a printing method or a spin coater method.

【0015】以上の方法で静電チャックを製造すれば、
誘電体層から銅成分の飛散のない、また、製造コストが
安価になる静電チャックが得られる。
If an electrostatic chuck is manufactured by the above method,
It is possible to obtain an electrostatic chuck in which the copper component is not scattered from the dielectric layer and the manufacturing cost is low.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に具体的
に挙げ、本発明をより詳細に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples of the present invention and Comparative Examples.

【0017】(実施例1〜3) (1)基板表面への電極の形成 純度が99.5%のアルミナ粉末を用いて(株)日本セ
ラテックが作製したφ196×t8mmの焼結体の表面
を研削、研磨してセラミックス基板とした。この基板の
必要個所にバイアホール用の貫通孔を形成した。その基
板表面を水で洗浄して粉塵を除去し、アルカリ水溶液で
洗浄して表面の汚れを除去した。次いでエッチング、コ
ンディショニング、プレディップ、キャタリスト、アク
セレレーターの処理を行い、基板表面の全面を活性化処
理した。その活性化処理した基板の両面を全面無電解メ
ッキ法でロッシェル塩浴中で銅層を5μmの厚さに形成
した。その片面全面にレジスト(AZ1350)を塗布
し、もう片面のバイアホールの位置にφ10mmの大き
さで同じレジストを塗布し、乾燥して固化した後、塩化
第二鉄でエッチングし、残ったレジストをトルエンで除
去して片面にはφ190mmの内蔵電極と、もう片面に
はφ5mmの導通用電極を形成した。
(Examples 1 to 3) (1) Formation of electrodes on substrate surface The surface of a sintered body of φ196 × t8 mm manufactured by Nippon Ceratech Co., Ltd. using alumina powder having a purity of 99.5% was prepared. A ceramic substrate was obtained by grinding and polishing. A through hole for a via hole was formed at a necessary portion of the substrate. The substrate surface was washed with water to remove dust, and washed with an alkaline aqueous solution to remove surface dirt. Next, etching, conditioning, pre-dip, catalyst, and accelerator treatments were performed to activate the entire surface of the substrate. A copper layer was formed to a thickness of 5 μm on both surfaces of the activated substrate in a Rochelle salt bath by electroless plating. A resist (AZ1350) is applied to the entire surface of one side, the same resist is applied to the position of the via hole on the other side with a size of φ10 mm, dried and solidified, etched with ferric chloride, and the remaining resist is etched. After removing with toluene, a built-in electrode of φ190 mm was formed on one side, and a conduction electrode of φ5 mm was formed on the other side.

【0018】(2)誘電体層の形成 導電性粒子であるシロキサンを混入してあるポリエステ
ル系透明導電塗料(太洋物産株式会社製、商品名SP−
2002)を有機樹脂とし、それを乾燥後30μmの厚
さになるようにスクリーン印刷法で電極の上面に誘電体
層として形成した。この時、シロキサンの混入量を変え
て誘電体層の絶縁抵抗値を変化させた。
(2) Formation of Dielectric Layer Transparent polyester-based conductive paint containing siloxane as conductive particles (trade name: SP-, manufactured by Taiyo Bussan Co., Ltd.)
2002) was used as an organic resin, and after drying, a dielectric layer was formed on the upper surface of the electrode by screen printing so as to have a thickness of 30 μm. At this time, the amount of siloxane mixed was changed to change the insulation resistance value of the dielectric layer.

【0019】(3)評価 電極及び誘電体層を形成した静電チャックの表面に8イ
ンチ径のシリコンウェハを載置し、誘電体層の絶縁抵抗
を絶縁抵抗計で測定するとともに、電極とシリコンウェ
ハ間に500Vの直流電圧を印加してマイクロアンメー
タでリーク電流を測定した。また、シリコンウェハが吸
着されているかどうかをみるため、ひっくり返してシリ
コンウェハが脱落するか否かで吸着力の有無を判断し
た。さらに、電圧を印加している状態から遮断し、吸着
力が電圧印加時の1/e(e:自然数2.7・・・)に
なるまでの減衰時間を測定し、シリコンウェハの離脱時
間の良否を判断した。それらの結果を表1に示す。
(3) Evaluation An 8-inch silicon wafer was placed on the surface of the electrostatic chuck on which the electrodes and the dielectric layer were formed, and the insulation resistance of the dielectric layer was measured with an insulation resistance meter. A DC voltage of 500 V was applied between the wafers, and the leak current was measured with a microammeter. Further, in order to check whether or not the silicon wafer is being sucked, the presence or absence of the suction force was determined by turning over the silicon wafer and determining whether or not the silicon wafer was dropped. Further, the voltage application state is cut off, and the decay time until the attraction force becomes 1 / e (e: natural number 2.7...) At the time of applying the voltage is measured. Pass / fail was judged. Table 1 shows the results.

【0020】(比較例1〜2)なお、比較のため比較例
1ではリーク電流を1μAより大きくし、比較例2では
リーク電流を0.05μAより小さくした他は実施例と
同じとした。その結果も表1に示す。
(Comparative Examples 1-2) For comparison, Comparative Example 1 was the same as Example except that the leak current was larger than 1 μA, and Comparative Example 2 was smaller than 0.05 μA. Table 1 also shows the results.

【0021】[0021]

【表1】 [Table 1]

【0022】表1から明らかなように、実施例1〜3に
おいてはいずれも離脱時間に問題なかった。これに対し
て比較例1では、リーク電流が1μAより大きいため、
配線の絶縁破壊に不安があった。また、比較例2では、
リーク電流が0.05μAより小さいため、離脱時間が
長過ぎ実用的でなかった。
As apparent from Table 1, in Examples 1 to 3, there was no problem in the separation time. On the other hand, in Comparative Example 1, since the leakage current was larger than 1 μA,
I was worried about the dielectric breakdown of the wiring. In Comparative Example 2,
Since the leak current was smaller than 0.05 μA, the separation time was too long to be practical.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上、説明した本発明にかかる静電チャ
ックの製造方法によれば、誘電体層の形成にプラズマ処
理を行っていないので、電極の銅の混入のない、また、
電極、誘電体層とも焼き付けで形成していないので、製
造コストが安価になる静電チャックを製造できる製造方
法を提供できるようになった。
According to the manufacturing method of the electrostatic chuck according to the present invention described above, since the plasma treatment is not performed for forming the dielectric layer, there is no mixing of copper into the electrodes.
Since neither the electrode nor the dielectric layer is formed by baking, it is possible to provide a manufacturing method capable of manufacturing an electrostatic chuck with a low manufacturing cost.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミックス基板表面に電極を形成し、
その上面に誘電体層を形成する静電チャックの製造方法
において、該電極の形成方法が、活性化処理したセラミ
ックス基板表面に無電解メッキ法で銅を形成する方法で
あり、該誘電体層の形成方法が、導電性粒子を分散させ
た有機樹脂を印刷法あるいはスピンコーター法で形成す
る方法であり、かつ、有機樹脂への導電性粒子の混入割
合を調節することにより、該誘電体層のリーク電流を1
〜0.05μAとすることを特徴とする静電チャックの
製造方法。
An electrode is formed on a surface of a ceramic substrate,
In a method for manufacturing an electrostatic chuck in which a dielectric layer is formed on the upper surface thereof, the method for forming the electrodes is a method for forming copper on the surface of the activated ceramic substrate by electroless plating, and The forming method is a method in which an organic resin in which conductive particles are dispersed is formed by a printing method or a spin coater method, and by adjusting the mixing ratio of the conductive particles into the organic resin, the dielectric layer is formed. 1 leakage current
A method for manufacturing an electrostatic chuck, wherein the pressure is set to 0.05 μA.
【請求項2】 セラミックス基板が、アルミナセラミッ
クスであることを特徴とする請求項1記載の静電チャッ
クの製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the ceramic substrate is made of alumina ceramic.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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