JPH10323777A - レーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装置 - Google Patents
レーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装置Info
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- JPH10323777A JPH10323777A JP9134705A JP13470597A JPH10323777A JP H10323777 A JPH10323777 A JP H10323777A JP 9134705 A JP9134705 A JP 9134705A JP 13470597 A JP13470597 A JP 13470597A JP H10323777 A JPH10323777 A JP H10323777A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線基板への穴あけ加工に適した穴
あけ加工装置であって、導体層に熱的損傷を与えずに穴
あけ加工を行うことのできるプリント配線基板用穴あけ
加工装置を提供すること。 【解決手段】 レーザ発振器として、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガ
スレーザ発振器を用い、パルス状のレーザのパルス幅を
実質上３〜４μｓｅｃとする。
あけ加工装置であって、導体層に熱的損傷を与えずに穴
あけ加工を行うことのできるプリント配線基板用穴あけ
加工装置を提供すること。 【解決手段】 レーザ発振器として、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガ
スレーザ発振器を用い、パルス状のレーザのパルス幅を
実質上３〜４μｓｅｃとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パルス状のレーザ
によりプリント配線基板に穴あけ加工を行う穴あけ加工
装置に関し、特に、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器を
用いて穴あけ加工の品質を向上させるための改良に関す
る。
によりプリント配線基板に穴あけ加工を行う穴あけ加工
装置に関し、特に、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器を
用いて穴あけ加工の品質を向上させるための改良に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小形化の要求に伴い、これに
使用されるプリント配線基板の高密度実装化が進展して
いる。すなわち、プリント配線基板は、従来の単純両面
基板から、多層構造のプリント配線基板に急速に移行し
ている。単純両面基板では、表面と裏面間の導通をとる
ために微細なドリルで貫通孔（スルーホールあるいはバ
イアホール）を形成する。この際の孔径は最小径０．３
ｍｍφ程度で、製品の生産速度を向上させるために５〜
１０枚積重ねて一度に穴あけ加工する。
使用されるプリント配線基板の高密度実装化が進展して
いる。すなわち、プリント配線基板は、従来の単純両面
基板から、多層構造のプリント配線基板に急速に移行し
ている。単純両面基板では、表面と裏面間の導通をとる
ために微細なドリルで貫通孔（スルーホールあるいはバ
イアホール）を形成する。この際の孔径は最小径０．３
ｍｍφ程度で、製品の生産速度を向上させるために５〜
１０枚積重ねて一度に穴あけ加工する。
【０００３】しかし、前述の多層構造のプリント配線基
板は、樹脂層（ポリイミドやエポキシ又はガラスエポキ
シ材料等）と導体層のサンドイッチ構造が少なくとも３
層以上となり、併せて、更なる高密度化によって、孔径
のダウンサイジング化が要求されている。このような要
求に対しては、ドリル方式の採用が難かしくなってきて
いる。ドリル方式では孔径０．３ｍｍφ程度が限界で、
それ以下であるとドリルの刃が折損する事故が多発す
る。
板は、樹脂層（ポリイミドやエポキシ又はガラスエポキ
シ材料等）と導体層のサンドイッチ構造が少なくとも３
層以上となり、併せて、更なる高密度化によって、孔径
のダウンサイジング化が要求されている。このような要
求に対しては、ドリル方式の採用が難かしくなってきて
いる。ドリル方式では孔径０．３ｍｍφ程度が限界で、
それ以下であるとドリルの刃が折損する事故が多発す
る。
【０００４】そこで、ドリル方式に代る新しい技術とし
て、パルス状のレーザによる穴あけ加工の適用が図られ
るに至った。このレーザ光源として、従来、ＣＯ2 ガス
レーザ発振器が用いられている。ＣＯ2 ガスレーザ発振
器は、三軸直交型放電励起ＣＯ2 ガスレーザ発振器や、
スラブ型ＣＯ2 ガスレーザ発振器が知られており、パル
ス幅は１６〜５０μｓｅｃである。
て、パルス状のレーザによる穴あけ加工の適用が図られ
るに至った。このレーザ光源として、従来、ＣＯ2 ガス
レーザ発振器が用いられている。ＣＯ2 ガスレーザ発振
器は、三軸直交型放電励起ＣＯ2 ガスレーザ発振器や、
スラブ型ＣＯ2 ガスレーザ発振器が知られており、パル
ス幅は１６〜５０μｓｅｃである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なプリント配線基板に対して１６μｓｅｃ以上のパルス
幅で穴あけ加工を行うと、プリント配線基板に形成され
ている導体層に熱的損傷を与えるという問題点がある。
すなわち、プリント配線基板の下面には銅箔による導体
層がランドとして形成されており、穴あけ加工はこのラ
ンドに対応するプリント配線基板の樹脂層に行われる。
厳密に言えば、１６μｓｅｃ以上のパルス幅で樹脂層に
穴あけ加工を行うと、１８μｍ以下の厚さの導体層に熱
的損傷を与える。
なプリント配線基板に対して１６μｓｅｃ以上のパルス
幅で穴あけ加工を行うと、プリント配線基板に形成され
ている導体層に熱的損傷を与えるという問題点がある。
すなわち、プリント配線基板の下面には銅箔による導体
層がランドとして形成されており、穴あけ加工はこのラ
ンドに対応するプリント配線基板の樹脂層に行われる。
厳密に言えば、１６μｓｅｃ以上のパルス幅で樹脂層に
穴あけ加工を行うと、１８μｍ以下の厚さの導体層に熱
的損傷を与える。
【０００６】これに対し、上記のレーザ発振器は、パル
ス幅を短くしようとすると、レーザエネルギーの低下を
きたすため、上記のパルス幅で使用せざるを得ない。別
の観点から言えば、上記のレーザ発振器は、ピーク出力
が５ｋＷ程度であり、穴あけのためには１６μｓｅｃ以
上のパルス幅とせざるを得ない。
ス幅を短くしようとすると、レーザエネルギーの低下を
きたすため、上記のパルス幅で使用せざるを得ない。別
の観点から言えば、上記のレーザ発振器は、ピーク出力
が５ｋＷ程度であり、穴あけのためには１６μｓｅｃ以
上のパルス幅とせざるを得ない。
【０００７】なお、１８μｍの厚さの導体層で、ランド
径が、例えば３００μｍ以上の値である場合、その熱容
量がレーザ投入熱量（パルス幅１６μｓｅｃ以上でのレ
ーザエネルギー）よりも大きければ熱的損傷を受けにく
い。しかしながら、近年、プリント配線基板の高密度
化、軽量化が要求されるにつれて、導体層のランド径の
小形化（例えば、２００μｍ以下）、及び導体層、すな
わち銅箔の薄型化（例えば、１８μｍ厚から１２μｍ
厚、更には９μｍ厚）が実現されつつある。
径が、例えば３００μｍ以上の値である場合、その熱容
量がレーザ投入熱量（パルス幅１６μｓｅｃ以上でのレ
ーザエネルギー）よりも大きければ熱的損傷を受けにく
い。しかしながら、近年、プリント配線基板の高密度
化、軽量化が要求されるにつれて、導体層のランド径の
小形化（例えば、２００μｍ以下）、及び導体層、すな
わち銅箔の薄型化（例えば、１８μｍ厚から１２μｍ
厚、更には９μｍ厚）が実現されつつある。
【０００８】このような流れに対して、これまでのパル
ス幅１６μｓｅｃ以上でのＣＯ2 ガスレーザ発振器で
は、導体層に熱的損傷を与えることなく、樹脂層に穴あ
け加工を行うことは困難になってきている。
ス幅１６μｓｅｃ以上でのＣＯ2 ガスレーザ発振器で
は、導体層に熱的損傷を与えることなく、樹脂層に穴あ
け加工を行うことは困難になってきている。
【０００９】そこで、本発明の課題は、プリント配線基
板への穴あけ加工に適した穴あけ加工装置であって、導
体層に熱的損傷を与えずに穴あけ加工を行うことのでき
るプリント配線基板用穴あけ加工装置を提供することに
ある。
板への穴あけ加工に適した穴あけ加工装置であって、導
体層に熱的損傷を与えずに穴あけ加工を行うことのでき
るプリント配線基板用穴あけ加工装置を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
発振器からのパルス状のレーザをプリント配線基板に照
射して穴あけ加工を行う穴あけ加工装置において、レー
ザ発振器として、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器を用
い、前記パルス状のレーザのパルス幅を実質上３〜４μ
ｓｅｃとすることを特徴とするプリント配線基板用穴あ
け加工装置が提供される。
発振器からのパルス状のレーザをプリント配線基板に照
射して穴あけ加工を行う穴あけ加工装置において、レー
ザ発振器として、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器を用
い、前記パルス状のレーザのパルス幅を実質上３〜４μ
ｓｅｃとすることを特徴とするプリント配線基板用穴あ
け加工装置が提供される。
【００１１】なお、前記パルス状のレーザのパルス幅
は、１つのパルスにおけるエネルギーの積算値が１０％
の値から９０％の値に達するまでの経過時間で定義付け
される。
は、１つのパルスにおけるエネルギーの積算値が１０％
の値から９０％の値に達するまでの経過時間で定義付け
される。
【００１２】また、前記ＴＥＡ−ＣＯ2 レーザ発振器
は、レーザチャンバ内のガス成分としてＣＯ４％、ＣＯ
2 ８％、Ｎ2 １６％、及びＨｅ７２％を含むことを特徴
とする。
は、レーザチャンバ内のガス成分としてＣＯ４％、ＣＯ
2 ８％、Ｎ2 １６％、及びＨｅ７２％を含むことを特徴
とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、プリント配線基板の樹
脂層への穴あけ加工は、特にＴＥＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒ
ｓｅｌｙ Ｅｘｃｉｔｅｄ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ
ｐｒｅｓｓｕｒｅ）ＣＯ2 ガスレーザ発振器の加工特性
が適しているという知見に基づいている。その理由は、
ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器は、高いピーク出力と
数μｓｅｃ以下の短い幅のパルスを出力できることにあ
る。
脂層への穴あけ加工は、特にＴＥＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒ
ｓｅｌｙ Ｅｘｃｉｔｅｄ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ
ｐｒｅｓｓｕｒｅ）ＣＯ2 ガスレーザ発振器の加工特性
が適しているという知見に基づいている。その理由は、
ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器は、高いピーク出力と
数μｓｅｃ以下の短い幅のパルスを出力できることにあ
る。
【００１４】このＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器は、
これまで半導体パッケージへのマーキング、発振波長
（約１０μｍ）が“大気の窓”に相当することを利用し
て、リモートセンシングへの応用や高効率ラマン変換さ
れた波長１６μｍ帯レーザを利用したウラン濃縮への利
用など、産業界への応用と共に理科学分野でも用いられ
ている。
これまで半導体パッケージへのマーキング、発振波長
（約１０μｍ）が“大気の窓”に相当することを利用し
て、リモートセンシングへの応用や高効率ラマン変換さ
れた波長１６μｍ帯レーザを利用したウラン濃縮への利
用など、産業界への応用と共に理科学分野でも用いられ
ている。
【００１５】図２は、本発明によるレーザ加工装置の概
略構成を示す。図２において、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレー
ザ発振器１０から出射したパルス状のレーザビームは、
第１、第２の反射鏡１１、１２を経由してレーザ光量無
段階調整機構１３に導入する。レーザ光量無段階調整機
構１３は、カメラの絞り機構のような原理で、入射する
レーザの光量を連続的に調整するものである。
略構成を示す。図２において、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレー
ザ発振器１０から出射したパルス状のレーザビームは、
第１、第２の反射鏡１１、１２を経由してレーザ光量無
段階調整機構１３に導入する。レーザ光量無段階調整機
構１３は、カメラの絞り機構のような原理で、入射する
レーザの光量を連続的に調整するものである。
【００１６】レーザ光量無段階調整機構１３からのレー
ザビームは、均一光学系２０に入射する。均一光学系２
０は、入射用集光レンズ２１、カライド反射鏡２２、及
び出射レンズ２３を含む。
ザビームは、均一光学系２０に入射する。均一光学系２
０は、入射用集光レンズ２１、カライド反射鏡２２、及
び出射レンズ２３を含む。
【００１７】均一光学系２０は、その構造については後
述するが、シングルモードあるいはマルチモードの強度
分布を持つレーザを入射用集光レンズ２１によりカライ
ド反射鏡２２に入射させ、カライド反射鏡２２ではその
内部での多重反射を利用してレーザビームのエネルギー
強度分布を均一にするためのものである。均一光学系２
０を出たレーザビームは、光学レンズ１４を通してレー
ザビーム成形用のマスク１５に入射する。断面形状を成
形されたレーザビームは、結像レンズ１６により縮小投
影され、ガルバノスキャナと呼ばれる走査系１７により
振られ、ｆθレンズと呼ばれる光学レンズ１８を通して
Ｘ−Ｙステージ３０上のプリント配線基板１９に照射さ
れる。
述するが、シングルモードあるいはマルチモードの強度
分布を持つレーザを入射用集光レンズ２１によりカライ
ド反射鏡２２に入射させ、カライド反射鏡２２ではその
内部での多重反射を利用してレーザビームのエネルギー
強度分布を均一にするためのものである。均一光学系２
０を出たレーザビームは、光学レンズ１４を通してレー
ザビーム成形用のマスク１５に入射する。断面形状を成
形されたレーザビームは、結像レンズ１６により縮小投
影され、ガルバノスキャナと呼ばれる走査系１７により
振られ、ｆθレンズと呼ばれる光学レンズ１８を通して
Ｘ−Ｙステージ３０上のプリント配線基板１９に照射さ
れる。
【００１８】ここで、走査系１７は、レーザビームをＸ
−Ｙステージ３０上におけるプリント配線基板１９の被
加工領域に対してＸ軸方向に振らせるためのガルバノミ
ラー１７−１と、ガルバノミラー１７−１からのレーザ
ビームをＹ軸方向に振らせるためのガルバノミラー１７
−２とを有する。Ｘ−Ｙステージ３０はＸ軸方向、Ｙ軸
方向に可動であり、プリント配線基板１９の１つの被加
工領域に対する加工が終了すると、走査系１７による走
査域にプリント配線基板１９の次の被加工領域が位置す
るようにプリント配線基板１９を移動させる。
−Ｙステージ３０上におけるプリント配線基板１９の被
加工領域に対してＸ軸方向に振らせるためのガルバノミ
ラー１７−１と、ガルバノミラー１７−１からのレーザ
ビームをＹ軸方向に振らせるためのガルバノミラー１７
−２とを有する。Ｘ−Ｙステージ３０はＸ軸方向、Ｙ軸
方向に可動であり、プリント配線基板１９の１つの被加
工領域に対する加工が終了すると、走査系１７による走
査域にプリント配線基板１９の次の被加工領域が位置す
るようにプリント配線基板１９を移動させる。
【００１９】なお、レーザの照射域でのビームの断面形
状及びサイズは、マスク１５における開口の形状と、そ
こからのレーザビームを縮小投影する結像レンズ１６
と、光学レンズ１８の焦点距離との比で決定される。
状及びサイズは、マスク１５における開口の形状と、そ
こからのレーザビームを縮小投影する結像レンズ１６
と、光学レンズ１８の焦点距離との比で決定される。
【００２０】図３をも参照して、カライド反射鏡２２に
ついて説明する。カライド反射鏡２２は、無酸素銅から
成る断面長四角形の４本の棒状体２２−１〜２２−４
を、これらの間に中空部２２−５ができるように組み合
わせて成る。これらの組付けは、ボルト２２−６で行わ
れる。特に、レーザビームの通過路となる中空部２２−
５は、四角形の断面形状を持ち、しかもその内面が反射
鏡となるように鏡面仕上げされている。
ついて説明する。カライド反射鏡２２は、無酸素銅から
成る断面長四角形の４本の棒状体２２−１〜２２−４
を、これらの間に中空部２２−５ができるように組み合
わせて成る。これらの組付けは、ボルト２２−６で行わ
れる。特に、レーザビームの通過路となる中空部２２−
５は、四角形の断面形状を持ち、しかもその内面が反射
鏡となるように鏡面仕上げされている。
【００２１】このようなカライド反射鏡２２によれば、
入射したレーザビームは中空部２２−５内で多重反射
し、その結果レーザビームのエネルギー強度分布が均一
にされる。エネルギー強度分布の均一度は、入射するレ
ーザビームの径、入射用集光レンズ２１の焦点距離、中
空部２２−５の断面形状の大きさ、及び中空部２２−５
の全長により決定される。中空部２２−５の全長が長い
ほど、多重反射の回数が増え、均一度が向上する。本形
態では、少なくとも３回の多重反射が行われる長さに設
定されるが、多重反射の回数が増えるとロスが増加する
ので、数回程度が好ましい。
入射したレーザビームは中空部２２−５内で多重反射
し、その結果レーザビームのエネルギー強度分布が均一
にされる。エネルギー強度分布の均一度は、入射するレ
ーザビームの径、入射用集光レンズ２１の焦点距離、中
空部２２−５の断面形状の大きさ、及び中空部２２−５
の全長により決定される。中空部２２−５の全長が長い
ほど、多重反射の回数が増え、均一度が向上する。本形
態では、少なくとも３回の多重反射が行われる長さに設
定されるが、多重反射の回数が増えるとロスが増加する
ので、数回程度が好ましい。
【００２２】以下に、本発明の好ましい実施の形態につ
いて説明する。本形態において使用されるＴＥＡ−ＣＯ
2 ガスレーザ発振器１０では、レーザチャンバ内のガス
成分としてＣＯ、ＣＯ2 、、Ｎ2 、及びＨｅの混合ガス
が用いられ、その組成比（Ｖｏｌ％）は順に、４、８、
１６、及び７２％である。
いて説明する。本形態において使用されるＴＥＡ−ＣＯ
2 ガスレーザ発振器１０では、レーザチャンバ内のガス
成分としてＣＯ、ＣＯ2 、、Ｎ2 、及びＨｅの混合ガス
が用いられ、その組成比（Ｖｏｌ％）は順に、４、８、
１６、及び７２％である。
【００２３】このような組成比の場合のパルス波形及び
エネルギーの積算値の変化を図１に示す。本データはＨ
ｇＣｄＴｅ検出器を用いて計測されている。ここで、パ
ルス幅の定義について言えば、本例では、図１に示すよ
うに、パルス１個のエネルギーの積算値を計算し、１０
％の積算値から９０％の積算値に達するまでの経過時間
をパルス幅とする。これは、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ
発振器は、レーザが発振して直後に尖頭パルスを発し、
以後比較的緩かなテールを有する。実際の加工において
は、発振直後及びテール部の弱いエネルギー部分は加工
に寄与しないと考えられるため、パルス幅をそのエネル
ギーの積算値の１０％の値から９０％の値に至るまでの
時間と定義する。この定義によれば、図１ではパルス幅
は約３．０８２μｓｅｃとなる。なお、ピーク値に対す
る半値幅で言えば、約１μｓｅｃとなる。
エネルギーの積算値の変化を図１に示す。本データはＨ
ｇＣｄＴｅ検出器を用いて計測されている。ここで、パ
ルス幅の定義について言えば、本例では、図１に示すよ
うに、パルス１個のエネルギーの積算値を計算し、１０
％の積算値から９０％の積算値に達するまでの経過時間
をパルス幅とする。これは、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ
発振器は、レーザが発振して直後に尖頭パルスを発し、
以後比較的緩かなテールを有する。実際の加工において
は、発振直後及びテール部の弱いエネルギー部分は加工
に寄与しないと考えられるため、パルス幅をそのエネル
ギーの積算値の１０％の値から９０％の値に至るまでの
時間と定義する。この定義によれば、図１ではパルス幅
は約３．０８２μｓｅｃとなる。なお、ピーク値に対す
る半値幅で言えば、約１μｓｅｃとなる。
【００２４】加えて、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器
からのレーザは、ピーク出力が前述した従来のＣＯ2 ガ
スレーザ発振器のレーザ（ピーク出力５ｋＷ）に比べて
はるかに高い値が得られる。因みに、上記のＴＥＡ−Ｃ
Ｏ2 ガスレーザ発振器の場合、約０．３ＭＷのピーク出
力が得られる。
からのレーザは、ピーク出力が前述した従来のＣＯ2 ガ
スレーザ発振器のレーザ（ピーク出力５ｋＷ）に比べて
はるかに高い値が得られる。因みに、上記のＴＥＡ−Ｃ
Ｏ2 ガスレーザ発振器の場合、約０．３ＭＷのピーク出
力が得られる。
【００２５】このようなパルス幅のレーザを用いてプリ
ント配線基板の穴あけ加工を行うと、ピーク出力の高さ
でプリント配線基板の樹脂層をレーザ除去し、短パルス
化で銅箔への熱的損傷を防ぐことができる。なお、銅箔
への熱的損傷は、加工面、すなわちレーザの照射面での
エネルギー密度にも関係する。例えば、エネルギー密度
が２５Ｊ／ｃｍ2 以上では、パルス幅の長短にかかわり
なく銅箔へ熱的損傷を与える。これに対し、本発明によ
るＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器の場合、レーザの照
射面でのエネルギー密度を２２Ｊ／ｃｍ2 以下とするこ
とで、ほぼ完全に銅箔への熱的損傷を防ぐことができる
ことが確認されている。また、均一光学系２０によりレ
ーザビーム照射域でのレーザのエネルギー強度分布が均
一化されていることで、銅箔への熱的損傷の防止効果は
更に向上する。
ント配線基板の穴あけ加工を行うと、ピーク出力の高さ
でプリント配線基板の樹脂層をレーザ除去し、短パルス
化で銅箔への熱的損傷を防ぐことができる。なお、銅箔
への熱的損傷は、加工面、すなわちレーザの照射面での
エネルギー密度にも関係する。例えば、エネルギー密度
が２５Ｊ／ｃｍ2 以上では、パルス幅の長短にかかわり
なく銅箔へ熱的損傷を与える。これに対し、本発明によ
るＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器の場合、レーザの照
射面でのエネルギー密度を２２Ｊ／ｃｍ2 以下とするこ
とで、ほぼ完全に銅箔への熱的損傷を防ぐことができる
ことが確認されている。また、均一光学系２０によりレ
ーザビーム照射域でのレーザのエネルギー強度分布が均
一化されていることで、銅箔への熱的損傷の防止効果は
更に向上する。
【００２６】このことから、本形態によるプリント配線
基板用穴あけ加工装置は、プリント配線基板の銅箔の厚
さが１８μｍ、１２μｍの場合は勿論のこと、９μｍま
で薄くされた場合に特にその効果を発揮する。
基板用穴あけ加工装置は、プリント配線基板の銅箔の厚
さが１８μｍ、１２μｍの場合は勿論のこと、９μｍま
で薄くされた場合に特にその効果を発揮する。
【００２７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器を用いてレーザの
パルス幅を実質上３〜４μｓｅｃとしたことで、プリン
ト配線基板における導体層への熱的損傷を無くすことが
できる。
ば、ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器を用いてレーザの
パルス幅を実質上３〜４μｓｅｃとしたことで、プリン
ト配線基板における導体層への熱的損傷を無くすことが
できる。
【図１】本発明に使用されるＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ
発振器により発生されるパルス波形及びエネルギーの積
算値を示した図である。
発振器により発生されるパルス波形及びエネルギーの積
算値を示した図である。
【図２】本発明によるプリント配線基板用穴あけ加工装
置の概略構成を示した図である。
置の概略構成を示した図である。
【図３】図２に示されたカライド反射鏡の構造を説明す
るための正面図である。
るための正面図である。
１０ ＴＥＡ−ＣＯ2 ガスレーザ発振器 １１、１２ 反射鏡 １３ レーザ光量無段階調整機構 １４、１８ 光学レンズ １５ マスク １６ 結像レンズ １７ 走査系 １７−１、１７−２ 第１、第２のガルバノミラー １９ プリント配線基板 ２０ 均一光学系 ２１ 入射用集光レンズ ２２ カライド反射鏡 ２３ 出射レンズ ３０ Ｘ−Ｙステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｓ 3/22 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ発振器からのパルス状のレーザを
プリント配線基板に照射して穴あけ加工を行う穴あけ加
工装置において、レーザ発振器として、ＴＥＡ−ＣＯ2
ガスレーザ発振器を用い、前記パルス状のレーザのパル
ス幅を実質上３〜４μｓｅｃとすることを特徴とするレ
ーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプリント配線基板用穴あ
け加工装置において、前記パルス状のレーザのパルス幅
は、１つのパルスにおけるエネルギーの積算値が１０％
の値から９０％の値に達するまでの経過時間で定義付け
されることを特徴とするレーザによるプリント配線基板
用穴あけ加工装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のプリント配線基板用穴あ
け加工装置において、前記ＴＥＡ−ＣＯ2 レーザ発振器
は、レーザチャンバ内のガス成分としてＣＯ４％、ＣＯ
2 ８％、Ｎ2 １６％、及びＨｅ７２％を含むことを特徴
とするレーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134705A JPH10323777A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | レーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134705A JPH10323777A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | レーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10323777A true JPH10323777A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15134679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9134705A Pending JPH10323777A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | レーザによるプリント配線基板用穴あけ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10323777A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911623B2 (en) | 2001-04-05 | 2005-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Carbon dioxide gas laser machining method of multilayer material |
| JP2007227742A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Victor Co Of Japan Ltd | プリント基板の製造方法及びレーザ加工機 |
| JP2008080348A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| US7415761B2 (en) | 1998-09-03 | 2008-08-26 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayered circuit board |
| JP2020066045A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP9134705A patent/JPH10323777A/ja active Pending
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| US7832098B2 (en) | 1998-09-03 | 2010-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayered printed circuit board |
| US8148643B2 (en) | 1998-09-03 | 2012-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayered printed circuit board and manufacturing method thereof |
| US6911623B2 (en) | 2001-04-05 | 2005-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Carbon dioxide gas laser machining method of multilayer material |
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