JPH1032297A - フラッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置 - Google Patents
フラッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置Info
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- JPH1032297A JPH1032297A JP8187615A JP18761596A JPH1032297A JP H1032297 A JPH1032297 A JP H1032297A JP 8187615 A JP8187615 A JP 8187615A JP 18761596 A JP18761596 A JP 18761596A JP H1032297 A JPH1032297 A JP H1032297A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 書き換えのためだけに、基板１上にプログラ
ムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え用電源５、コネクタ
８、およびそのコネクタ８からフラッシュメモリ装置２
までの配線が必要となり、基板１上の構成が複雑になっ
てしまう課題があった。 【解決手段】 フラッシュメモリ装置２ａの書き込み専
用端子１４よりフラッシュメモリ用ライター７によりそ
のフラッシュメモリ装置２ａ内のデータを書き換えるよ
うに構成し、取り外し用ソケット等を用いることなく、
基板１上にプログラムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え
用電源５、コネクタ８および配線等を配置する必要をな
くすことができ、構成を簡単にできるものである。
ムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え用電源５、コネクタ
８、およびそのコネクタ８からフラッシュメモリ装置２
までの配線が必要となり、基板１上の構成が複雑になっ
てしまう課題があった。 【解決手段】 フラッシュメモリ装置２ａの書き込み専
用端子１４よりフラッシュメモリ用ライター７によりそ
のフラッシュメモリ装置２ａ内のデータを書き換えるよ
うに構成し、取り外し用ソケット等を用いることなく、
基板１上にプログラムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え
用電源５、コネクタ８および配線等を配置する必要をな
くすことができ、構成を簡単にできるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フラッシュメモ
リ装置およびそのデータ書き換え装置に関するものであ
る。
リ装置およびそのデータ書き換え装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の基板に実装されたフラッシ
ュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置を示す構成
図であり、図において、１は基板、２は基板１に実装さ
れたフラッシュメモリ装置、３はフラッシュメモリ装置
２内のデータの書き換え用ソフトウェアを格納したプロ
グラムＲＯＭ、４は書き換えのためのデータを入力する
入力装置、５は書き換え用電源、６は通常、上記フラッ
シュメモリ装置２内のデータに基づいて動作すると共
に、そのフラッシュメモリ装置２内のデータを書き換え
る場合に、書き換え用電源５よりフラッシュメモリ装置
２に電源を供給させ、入力装置４より入力されたデータ
をプログラムＲＯＭ３に格納されたプログラムに基づい
て書き換えるマイクロコンピュータである。
ュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置を示す構成
図であり、図において、１は基板、２は基板１に実装さ
れたフラッシュメモリ装置、３はフラッシュメモリ装置
２内のデータの書き換え用ソフトウェアを格納したプロ
グラムＲＯＭ、４は書き換えのためのデータを入力する
入力装置、５は書き換え用電源、６は通常、上記フラッ
シュメモリ装置２内のデータに基づいて動作すると共
に、そのフラッシュメモリ装置２内のデータを書き換え
る場合に、書き換え用電源５よりフラッシュメモリ装置
２に電源を供給させ、入力装置４より入力されたデータ
をプログラムＲＯＭ３に格納されたプログラムに基づい
て書き換えるマイクロコンピュータである。
【０００３】また、図６は従来の基板に実装されたフラ
ッシュメモリ装置およびその基板外から書き換えを行う
データ書き換え装置を示す構成図であり、図において、
７は基板１外からフラッシュメモリ装置２内のデータを
書き換えるフラッシュメモリ用ライター、８はフラッシ
ュメモリ用ライター７を接続するためのコネクタであ
る。
ッシュメモリ装置およびその基板外から書き換えを行う
データ書き換え装置を示す構成図であり、図において、
７は基板１外からフラッシュメモリ装置２内のデータを
書き換えるフラッシュメモリ用ライター、８はフラッシ
ュメモリ用ライター７を接続するためのコネクタであ
る。
【０００４】次に動作について説明する。図５に示すよ
うに、基板１に実装されたフラッシュメモリ装置２内の
データを書き換える場合、同じく基板１に実装されたマ
イクロコンピュータ６の動作により、書き換え用電源５
よりフラッシュメモリ装置２に電源を供給させ、入力装
置４より入力されたデータをプログラムＲＯＭ３に格納
されたプログラムに基づいて書き換える。しかしなが
ら、図５の構成では、通常用いられることのない書き換
えのためだけに、プログラムＲＯＭ３、入力装置４およ
び書き換え用電源５が必要になってしまう。
うに、基板１に実装されたフラッシュメモリ装置２内の
データを書き換える場合、同じく基板１に実装されたマ
イクロコンピュータ６の動作により、書き換え用電源５
よりフラッシュメモリ装置２に電源を供給させ、入力装
置４より入力されたデータをプログラムＲＯＭ３に格納
されたプログラムに基づいて書き換える。しかしなが
ら、図５の構成では、通常用いられることのない書き換
えのためだけに、プログラムＲＯＭ３、入力装置４およ
び書き換え用電源５が必要になってしまう。
【０００５】そこで、図６は基板１に実装されたフラッ
シュメモリ装置２をその基板１外から書き換えを行うデ
ータ書き換え装置について示したものであり、フラッシ
ュメモリ用ライター７には、図５に示したプログラムＲ
ＯＭ３、入力装置４および書き換え用電源５の機能が設
けられている。そして、フラッシュメモリ装置２の書き
換えの際には、そのフラッシュメモリ用ライター７より
コネクタ８、および配線を介して、フラッシュメモリ装
置２に設けられた書き換え電圧入力端子（図示せず）に
書き換え電圧を出力すると共に、ライトイネーブル端子
（図示せず）に書き換え許可信号を出力し、フラッシュ
メモリ装置２内のデータを書き換える。
シュメモリ装置２をその基板１外から書き換えを行うデ
ータ書き換え装置について示したものであり、フラッシ
ュメモリ用ライター７には、図５に示したプログラムＲ
ＯＭ３、入力装置４および書き換え用電源５の機能が設
けられている。そして、フラッシュメモリ装置２の書き
換えの際には、そのフラッシュメモリ用ライター７より
コネクタ８、および配線を介して、フラッシュメモリ装
置２に設けられた書き換え電圧入力端子（図示せず）に
書き換え電圧を出力すると共に、ライトイネーブル端子
（図示せず）に書き換え許可信号を出力し、フラッシュ
メモリ装置２内のデータを書き換える。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のフラッシュメモ
リ装置およびそのデータ書き換え装置は以上のように構
成されているので、図５に示した従来例では、通常用い
られることのない書き換えのためだけに、基板１上にプ
ログラムＲＯＭ３、入力装置４および書き換え用電源５
が必要になってしまい、また、図６に示した従来例で
は、基板１上にコネクタ８、およびそのコネクタ８から
フラッシュメモリ装置２までの配線が必要となり、基板
１上の構成が複雑になってしまうと共に、そのフラッシ
ュメモリ装置２に書き換え電圧入力端子、ライトイネー
ブル端子を設けなくてはならず、パッケージサイズの小
型化の妨げになった。また、書き換えを行う図５、図６
に示したような試作基板と、書き換えの必要のない、即
ち、基板１上にプログラムＲＯＭ３、入力装置４、書き
換え用電源５、コネクタ８および配線等がない量産基板
とを分けて製造する必要があり、製造に手間がかかって
しまう。さらに、基板１上にソケットを設け、そのソケ
ットにフラッシュメモリ装置２を配置して、書き換えの
場合だけフラッシュメモリ装置２をソケットから抜き、
別の装置により書き換える構成も考えられるが、この場
合にも基板１上にソケットが必要となり、基板１上の構
成が複雑になってしまうなどの課題があった。
リ装置およびそのデータ書き換え装置は以上のように構
成されているので、図５に示した従来例では、通常用い
られることのない書き換えのためだけに、基板１上にプ
ログラムＲＯＭ３、入力装置４および書き換え用電源５
が必要になってしまい、また、図６に示した従来例で
は、基板１上にコネクタ８、およびそのコネクタ８から
フラッシュメモリ装置２までの配線が必要となり、基板
１上の構成が複雑になってしまうと共に、そのフラッシ
ュメモリ装置２に書き換え電圧入力端子、ライトイネー
ブル端子を設けなくてはならず、パッケージサイズの小
型化の妨げになった。また、書き換えを行う図５、図６
に示したような試作基板と、書き換えの必要のない、即
ち、基板１上にプログラムＲＯＭ３、入力装置４、書き
換え用電源５、コネクタ８および配線等がない量産基板
とを分けて製造する必要があり、製造に手間がかかって
しまう。さらに、基板１上にソケットを設け、そのソケ
ットにフラッシュメモリ装置２を配置して、書き換えの
場合だけフラッシュメモリ装置２をソケットから抜き、
別の装置により書き換える構成も考えられるが、この場
合にも基板１上にソケットが必要となり、基板１上の構
成が複雑になってしまうなどの課題があった。
【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、パッケージサイズを大型化するこ
となく、基板に実装したままで、且つ基板上の構成を複
雑にすることなく書き換え動作を行うことができるフラ
ッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置を得る
ことを目的とする。
めになされたもので、パッケージサイズを大型化するこ
となく、基板に実装したままで、且つ基板上の構成を複
雑にすることなく書き換え動作を行うことができるフラ
ッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置を得る
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るフラッシュメモリ装置は、フラッシュメモリを内部に
配置すると共にパッケージの上部の表面に書き込み専用
端子が露出するようにフラッシュメモリ、リード端子お
よび書き込み専用端子を一体成形したものである。
るフラッシュメモリ装置は、フラッシュメモリを内部に
配置すると共にパッケージの上部の表面に書き込み専用
端子が露出するようにフラッシュメモリ、リード端子お
よび書き込み専用端子を一体成形したものである。
【０００９】請求項２記載の発明に係るフラッシュメモ
リ装置のデータ書き換え装置は、請求項１記載のフラッ
シュメモリ装置を基板に実装して、そのフラッシュメモ
リ装置の書き込み専用端子よりフラッシュメモリ用ライ
ターによりそのフラッシュメモリ装置内のデータを書き
換えるようにしたものである。
リ装置のデータ書き換え装置は、請求項１記載のフラッ
シュメモリ装置を基板に実装して、そのフラッシュメモ
リ装置の書き込み専用端子よりフラッシュメモリ用ライ
ターによりそのフラッシュメモリ装置内のデータを書き
換えるようにしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるフ
ラッシュメモリ装置の構成を示す平面図であり、図２は
その正面図である。図において、１１は内部に配置され
たフラッシュメモリ、１２はそのフラッシュメモリ１１
に接続された内部リード、１３はその内部リード１２を
介してフラッシュメモリ１１に接続されたリード端子、
１４は同じく内部リード１２を介してフラッシュメモリ
１１に接続された書き込み専用端子である。また、１５
はパッケージの上部の表面に書き込み専用端子１４が露
出するように、フラッシュメモリ１１、内部リード１
２、リード端子１３および書き込み専用端子１４を一体
成形した樹脂であり、このパッケージサイズを通常のパ
ッケージサイズと同じにしたものである。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるフ
ラッシュメモリ装置の構成を示す平面図であり、図２は
その正面図である。図において、１１は内部に配置され
たフラッシュメモリ、１２はそのフラッシュメモリ１１
に接続された内部リード、１３はその内部リード１２を
介してフラッシュメモリ１１に接続されたリード端子、
１４は同じく内部リード１２を介してフラッシュメモリ
１１に接続された書き込み専用端子である。また、１５
はパッケージの上部の表面に書き込み専用端子１４が露
出するように、フラッシュメモリ１１、内部リード１
２、リード端子１３および書き込み専用端子１４を一体
成形した樹脂であり、このパッケージサイズを通常のパ
ッケージサイズと同じにしたものである。
【００１１】また、図３はこの発明の実施の形態１によ
るフラッシュメモリ装置のデータ書き換え装置を示す構
成図であり、図において、１は基板、２ａは基板１に実
装された図１および図２に示したフラッシュメモリ装
置、６はそのフラッシュメモリ装置２ａ内のデータに基
づいて動作するマイクロコンピュータ、７はフラッシュ
メモリ装置２ａの書き込み専用端子１４と任意に接続さ
れ、その書き込み専用端子１４よりフラッシュメモリ装
置２ａ内のデータを書き換えるフラッシュメモリ用ライ
ターである。
るフラッシュメモリ装置のデータ書き換え装置を示す構
成図であり、図において、１は基板、２ａは基板１に実
装された図１および図２に示したフラッシュメモリ装
置、６はそのフラッシュメモリ装置２ａ内のデータに基
づいて動作するマイクロコンピュータ、７はフラッシュ
メモリ装置２ａの書き込み専用端子１４と任意に接続さ
れ、その書き込み専用端子１４よりフラッシュメモリ装
置２ａ内のデータを書き換えるフラッシュメモリ用ライ
ターである。
【００１２】次に動作について説明する。図１および図
２において、まず、フラッシュメモリ１１を内部に配置
し、内部リード１２を介してそのフラッシュメモリ１１
とリード端子１３および書き込み専用端子１４を接続す
ると共に、パッケージの上部の表面にその書き込み専用
端子１４が露出するように、それらフラッシュメモリ１
１、内部リード１２、リード端子１３および書き込み専
用端子１４を樹脂１５により一体成形する。このよう
に、樹脂１５による一体成形により、フラッシュメモリ
装置２ａの上部表面に書き込み専用端子１４を設けるこ
とにより、パッケージの厚さを従来のフラッシュメモリ
装置２と同じにすることができる。また、図６に示した
従来の装置と比較して、パッケージの下面または側面に
設けられていた書き換え電圧入力端子、ライトイネーブ
ル端子を省略し、それら書き換え電圧入力端子、ライト
イネーブル端子の機能をパッケージの上部表面に設けら
れた書き込み専用端子１４で代用させることができ、パ
ッケージを小さくすることができる。
２において、まず、フラッシュメモリ１１を内部に配置
し、内部リード１２を介してそのフラッシュメモリ１１
とリード端子１３および書き込み専用端子１４を接続す
ると共に、パッケージの上部の表面にその書き込み専用
端子１４が露出するように、それらフラッシュメモリ１
１、内部リード１２、リード端子１３および書き込み専
用端子１４を樹脂１５により一体成形する。このよう
に、樹脂１５による一体成形により、フラッシュメモリ
装置２ａの上部表面に書き込み専用端子１４を設けるこ
とにより、パッケージの厚さを従来のフラッシュメモリ
装置２と同じにすることができる。また、図６に示した
従来の装置と比較して、パッケージの下面または側面に
設けられていた書き換え電圧入力端子、ライトイネーブ
ル端子を省略し、それら書き換え電圧入力端子、ライト
イネーブル端子の機能をパッケージの上部表面に設けら
れた書き込み専用端子１４で代用させることができ、パ
ッケージを小さくすることができる。
【００１３】また、図３に示すように、フラッシュメモ
リ装置２ａの上部表面に書き込み専用端子１４を設ける
ことにより、フラッシュメモリ用ライター７により書き
込み専用端子１４からフラッシュメモリ装置２ａ内のデ
ータを直接書き換えることができ、基板１上にプログラ
ムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え用電源５、コネクタ
８および配線等を配置する必要をなくすことができる。
また、取り外し用ソケット等を用いることなく、フラッ
シュメモリ装置２ａを基板１上に実装したままでフラッ
シュメモリ装置２ａ内のデータを直接書き換えることが
できる。
リ装置２ａの上部表面に書き込み専用端子１４を設ける
ことにより、フラッシュメモリ用ライター７により書き
込み専用端子１４からフラッシュメモリ装置２ａ内のデ
ータを直接書き換えることができ、基板１上にプログラ
ムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え用電源５、コネクタ
８および配線等を配置する必要をなくすことができる。
また、取り外し用ソケット等を用いることなく、フラッ
シュメモリ装置２ａを基板１上に実装したままでフラッ
シュメモリ装置２ａ内のデータを直接書き換えることが
できる。
【００１４】なお、図１および図２では、パッケージの
上部の表面に書き込み専用端子１４が露出するように樹
脂１５により一体成形したが、図４に示すように、パッ
ケージの上部の表面に書き込み専用端子１６を配置して
もよく、フラッシュメモリ用ライター７により書き込み
専用端子１６からフラッシュメモリ装置２ｂ内のデータ
を直接書き換えることができる。
上部の表面に書き込み専用端子１４が露出するように樹
脂１５により一体成形したが、図４に示すように、パッ
ケージの上部の表面に書き込み専用端子１６を配置して
もよく、フラッシュメモリ用ライター７により書き込み
専用端子１６からフラッシュメモリ装置２ｂ内のデータ
を直接書き換えることができる。
【００１５】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、図１および図２に示すように、パッケージの厚さを
従来のフラッシュメモリ装置２と同じにすることができ
ると共に、パッケージの下面または側面に設けられてい
た書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端子を省略
し、それら書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端
子の機能をパッケージの上部表面に設けられた書き込み
専用端子１４で代用させることができ、パッケージを小
さくすることができる。また、図３に示すように、基板
１上にプログラムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え用電
源５、コネクタ８および配線等を配置する必要をなくす
ことができると共に、取り外し用ソケット等を用いるこ
となく、フラッシュメモリ装置２ａを基板１上に実装し
たままでデータを書き換えることができる。
ば、図１および図２に示すように、パッケージの厚さを
従来のフラッシュメモリ装置２と同じにすることができ
ると共に、パッケージの下面または側面に設けられてい
た書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端子を省略
し、それら書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端
子の機能をパッケージの上部表面に設けられた書き込み
専用端子１４で代用させることができ、パッケージを小
さくすることができる。また、図３に示すように、基板
１上にプログラムＲＯＭ３、入力装置４、書き換え用電
源５、コネクタ８および配線等を配置する必要をなくす
ことができると共に、取り外し用ソケット等を用いるこ
となく、フラッシュメモリ装置２ａを基板１上に実装し
たままでデータを書き換えることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、フラッシュメモリを内部に配置すると共にパッケ
ージの上部の表面に書き込み専用端子が露出するように
フラッシュメモリ、リード端子および書き込み専用端子
を一体成形するように構成したので、パッケージの厚さ
を従来のフラッシュメモリ装置と同じにすることができ
ると共に、パッケージの下面または側面に設けられてい
た書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端子を省略
し、それら書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端
子の機能をパッケージの上部表面に設けられた書き込み
専用端子で代用させることができ、パッケージを小さく
することができる効果がある。
れば、フラッシュメモリを内部に配置すると共にパッケ
ージの上部の表面に書き込み専用端子が露出するように
フラッシュメモリ、リード端子および書き込み専用端子
を一体成形するように構成したので、パッケージの厚さ
を従来のフラッシュメモリ装置と同じにすることができ
ると共に、パッケージの下面または側面に設けられてい
た書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端子を省略
し、それら書き換え電圧入力端子、ライトイネーブル端
子の機能をパッケージの上部表面に設けられた書き込み
専用端子で代用させることができ、パッケージを小さく
することができる効果がある。
【００１７】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載のフラッシュメモリ装置を基板に実装して、そのフラ
ッシュメモリ装置の書き込み専用端子よりフラッシュメ
モリ用ライターによりそのフラッシュメモリ装置内のデ
ータを書き換えるように構成したので、取り外し用ソケ
ット等を用いることなく、フラッシュメモリ装置を基板
上に実装したままでデータを書き換えることができると
共に、基板上にプログラムＲＯＭ、入力装置、書き換え
用電源、コネクタおよび配線等を配置する必要をなくす
ことができ、構成を簡単にできる効果がある。
載のフラッシュメモリ装置を基板に実装して、そのフラ
ッシュメモリ装置の書き込み専用端子よりフラッシュメ
モリ用ライターによりそのフラッシュメモリ装置内のデ
ータを書き換えるように構成したので、取り外し用ソケ
ット等を用いることなく、フラッシュメモリ装置を基板
上に実装したままでデータを書き換えることができると
共に、基板上にプログラムＲＯＭ、入力装置、書き換え
用電源、コネクタおよび配線等を配置する必要をなくす
ことができ、構成を簡単にできる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１によるフラッシュメ
モリ装置の構成を示す平面図である。
モリ装置の構成を示す平面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１によるフラッシュメ
モリ装置の構成を示す正面図である。
モリ装置の構成を示す正面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１によるフラッシュメ
モリ装置のデータ書き換え装置を示す構成図である。
モリ装置のデータ書き換え装置を示す構成図である。
【図４】 フラッシュメモリ装置の他の構成例を示す斜
視図である。
視図である。
【図５】 従来の基板に実装されたフラッシュメモリ装
置およびそのデータ書き換え装置を示す構成図である。
置およびそのデータ書き換え装置を示す構成図である。
【図６】 従来の基板に実装されたフラッシュメモリ装
置およびその基板外から書き換えを行うデータ書き換え
装置を示す構成図である。
置およびその基板外から書き換えを行うデータ書き換え
装置を示す構成図である。
１ 基板、２ａ フラッシュメモリ装置、７ フラッシ
ュメモリ用ライター、１１ フラッシュメモリ、１３
リード端子、１４ 書き込み専用端子、１５樹脂。
ュメモリ用ライター、１１ フラッシュメモリ、１３
リード端子、１４ 書き込み専用端子、１５樹脂。
Claims (2)
- 【請求項１】 フラッシュメモリに接続されたリード端
子と、上記フラッシュメモリに接続された書き込み専用
端子と、上記フラッシュメモリを内部に配置すると共に
パッケージの上部の表面に上記書き込み専用端子が露出
するようにそれらフラッシュメモリ、リード端子および
書き込み専用端子を一体成形した樹脂とを備えたフラッ
シュメモリ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のフラッシュメモリ装置が
実装された基板と、上記フラッシュメモリ装置の書き込
み専用端子と任意に接続されその書き込み専用端子より
そのフラッシュメモリ装置内のデータを書き換えるフラ
ッシュメモリ用ライターとを備えたフラッシュメモリ装
置のデータ書き換え装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187615A JPH1032297A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | フラッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187615A JPH1032297A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | フラッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032297A true JPH1032297A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16209215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187615A Pending JPH1032297A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | フラッシュメモリ装置およびそのデータ書き換え装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032297A (ja) |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187615A patent/JPH1032297A/ja active Pending
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