JPH10321708A - 露光装置のウエハステージ - Google Patents
露光装置のウエハステージInfo
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- JPH10321708A JPH10321708A JP9125531A JP12553197A JPH10321708A JP H10321708 A JPH10321708 A JP H10321708A JP 9125531 A JP9125531 A JP 9125531A JP 12553197 A JP12553197 A JP 12553197A JP H10321708 A JPH10321708 A JP H10321708A
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- JP
- Japan
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- wafer
- stage
- stage body
- exposure apparatus
- wafer stage
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ裏面に付着したダストに起因する異常
露光の発生を激減させることができる露光装置のウエハ
ステージを提供する。 【解決手段】 ステージ本体１のウエハ載置領域Ｍの中
心部と周縁部にのみリング状のウエハ吸着部４，５をそ
れぞれ形成し、残りのウエハ載置領域Ｍ部分にウエハＷ
裏面に付着したダストＤを回避するための逃げ部６を凹
設した。
露光の発生を激減させることができる露光装置のウエハ
ステージを提供する。 【解決手段】 ステージ本体１のウエハ載置領域Ｍの中
心部と周縁部にのみリング状のウエハ吸着部４，５をそ
れぞれ形成し、残りのウエハ載置領域Ｍ部分にウエハＷ
裏面に付着したダストＤを回避するための逃げ部６を凹
設した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表面にレジスト
が塗布され露光に供されるウエハを載置するための露光
装置のウエハステージに関するものである。
が塗布され露光に供されるウエハを載置するための露光
装置のウエハステージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ工程では、レジスト
を塗布したウエハを露光して所定のパターンを形成す
る。この露光工程では、光の焦点をレジスト面に併せて
微細なパターンを形成するため、ウエハを確実に位置決
めするウエハステージが用いられている。
を塗布したウエハを露光して所定のパターンを形成す
る。この露光工程では、光の焦点をレジスト面に併せて
微細なパターンを形成するため、ウエハを確実に位置決
めするウエハステージが用いられている。
【０００３】図７は、従来のウエハステージを示す平面
図であり、図８はこのウエハステージの断面図である。
ウエハステージ１００は、図７および図８に示すよう
に、ウエハＷよりも大径の円板体であり、その表面に
は、ウエハＷを吸着するための多数の溝１０１が刻設さ
れている。具体的には、ウエハＷ裏面に当節される中心
軸１１０が挿入された孔１０２がウエハステージ１００
の中心部に穿設され、この孔１０２からウエハステージ
１００の周縁に渡ってリング状の多数の溝１０１が同芯
状に刻設されている。これにより、図９に示すように、
ウエハＷをウエハステージ１００に載置すると、ウエハ
Ｗが表面の溝１０１によって吸着され、露光時の照射光
Ｌの焦点がウエハＷのレジスト上に正確に結ばれるよう
になっている。
図であり、図８はこのウエハステージの断面図である。
ウエハステージ１００は、図７および図８に示すよう
に、ウエハＷよりも大径の円板体であり、その表面に
は、ウエハＷを吸着するための多数の溝１０１が刻設さ
れている。具体的には、ウエハＷ裏面に当節される中心
軸１１０が挿入された孔１０２がウエハステージ１００
の中心部に穿設され、この孔１０２からウエハステージ
１００の周縁に渡ってリング状の多数の溝１０１が同芯
状に刻設されている。これにより、図９に示すように、
ウエハＷをウエハステージ１００に載置すると、ウエハ
Ｗが表面の溝１０１によって吸着され、露光時の照射光
Ｌの焦点がウエハＷのレジスト上に正確に結ばれるよう
になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
のウエハステージ１００では次のような問題があった。
ウエハなどの半導体基板の製造はクリーンルームで行わ
れ、ウエハＷにダストが付かないようにされている。し
かしながら、クリーンルームにおける１００％のダスト
除去は事実上困難であり、僅かであるがダストがウエハ
Ｗの裏面等に付着し、このウエハＷがウエハステージ１
００に載置される場合がある。このような場合に、従来
のウエハステージ１００では、多数の溝１０１がウエハ
ステージ１００の孔１０２から周縁に渡ってきめ細かく
刻設されているため、図１０に示すように、ウエハＷ裏
面のダストＤが孔１０２の山部分１０３に当たってしま
う。ダストＤが山部分１０３に載った状態になると、ウ
エハＷのダストＤ付着部分が盛り上がり、露光時におけ
る照射光Ｌの焦点が合わなくなり、パターン異常が生じ
ることとなる。このように、従来のウエハステージ１０
０では溝１０１がほぼ全面に設けられているので、僅か
なダストＤの付着によって異常露光を発生し易いという
欠点があった。
のウエハステージ１００では次のような問題があった。
ウエハなどの半導体基板の製造はクリーンルームで行わ
れ、ウエハＷにダストが付かないようにされている。し
かしながら、クリーンルームにおける１００％のダスト
除去は事実上困難であり、僅かであるがダストがウエハ
Ｗの裏面等に付着し、このウエハＷがウエハステージ１
００に載置される場合がある。このような場合に、従来
のウエハステージ１００では、多数の溝１０１がウエハ
ステージ１００の孔１０２から周縁に渡ってきめ細かく
刻設されているため、図１０に示すように、ウエハＷ裏
面のダストＤが孔１０２の山部分１０３に当たってしま
う。ダストＤが山部分１０３に載った状態になると、ウ
エハＷのダストＤ付着部分が盛り上がり、露光時におけ
る照射光Ｌの焦点が合わなくなり、パターン異常が生じ
ることとなる。このように、従来のウエハステージ１０
０では溝１０１がほぼ全面に設けられているので、僅か
なダストＤの付着によって異常露光を発生し易いという
欠点があった。
【０００５】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、ウエハ裏面に付着したダストに起因す
る異常露光の発生を激減させることができる露光装置の
ウエハステージを提供することを目的としている。
なされたもので、ウエハ裏面に付着したダストに起因す
る異常露光の発生を激減させることができる露光装置の
ウエハステージを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明に係る露光装置のウエハステージは、隣り
合う複数の溝をステージ本体のウエハ載置領域に刻設し
て形成した一以上のウエハ吸着部と、一以上のウエハ吸
着部を残してウエハ載置領域全体に凹設したダスト回避
用の逃げ部とを具備する構成とした。かかる構成によ
り、ウエハがステージ本体のウエハ載置領域に載置され
ると、その裏面の一部がウエハ吸着部に接触し、残りの
部分が逃げ部に位置する。このため、ウエハの裏面に付
着したダストが逃げ部内に入り込み、ウエハ吸着部に当
る確率が少なくなる。
に、この発明に係る露光装置のウエハステージは、隣り
合う複数の溝をステージ本体のウエハ載置領域に刻設し
て形成した一以上のウエハ吸着部と、一以上のウエハ吸
着部を残してウエハ載置領域全体に凹設したダスト回避
用の逃げ部とを具備する構成とした。かかる構成によ
り、ウエハがステージ本体のウエハ載置領域に載置され
ると、その裏面の一部がウエハ吸着部に接触し、残りの
部分が逃げ部に位置する。このため、ウエハの裏面に付
着したダストが逃げ部内に入り込み、ウエハ吸着部に当
る確率が少なくなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明の一実
施形態に係る露光装置のウエハステージを示す平面図で
あり、図２はその断面図である。ウエハステージは、こ
れらの図に示すように、円板状のステージ本体１の中心
孔２内に中心軸３を挿入した構造になっている。そし
て、ステージ本体１の表面には、ウエハを載置するため
のウエハ載置領域Ｍが設定されており、このウエハ載置
領域Ｍ内に、二つのリング状のウエハ吸着部４，５と逃
げ部６とが形成されている。
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明の一実
施形態に係る露光装置のウエハステージを示す平面図で
あり、図２はその断面図である。ウエハステージは、こ
れらの図に示すように、円板状のステージ本体１の中心
孔２内に中心軸３を挿入した構造になっている。そし
て、ステージ本体１の表面には、ウエハを載置するため
のウエハ載置領域Ｍが設定されており、このウエハ載置
領域Ｍ内に、二つのリング状のウエハ吸着部４，５と逃
げ部６とが形成されている。
【０００８】ウエハ吸着部４は、載置されたウエハを吸
着するための部分であり、図３に示すように、ステージ
本体１の表面であって且つ中心孔２の周囲に、所定深さ
のリング状の溝４０を同芯状に複数刻設して形成したも
のである。これにより、ウエハ吸着部４は隣り合う複数
の溝４０で構成される所定幅のリング状帯をなす。ま
た、ウエハ吸着部５もウエハを吸着するための部分であ
るが、ステージ本体１の表面であって且つウエハ載置領
域Ｍの周縁に溝５０を同芯状に複数刻設して形成したも
のである。これにより、ウエハ吸着部５はウエハ吸着部
４と同様に隣り合う複数の溝５０で構成される所定幅の
リング状帯をなす。一方、逃げ部６は、ウエハの裏面に
付着したダストを回避するための部分であり、ウエハ吸
着部４，５を残した状態で、ウエハ載置領域Ｍ全体を削
ることにより形成した。すなわち、二点鎖線で示すよう
に、ウエハ吸着部４，５間の表面部分を溝４０，５０と
ほぼ等しい深さまで掘り下げることにより形成したもの
である。また、逃げ部６の幅Ｎ１とウエハ吸着部４
（５）の幅Ｎ２の比は、例えば「３：１」に設定されて
おり、ステージ本体１とウエハとの接触面積を可能な限
り小さくしている。
着するための部分であり、図３に示すように、ステージ
本体１の表面であって且つ中心孔２の周囲に、所定深さ
のリング状の溝４０を同芯状に複数刻設して形成したも
のである。これにより、ウエハ吸着部４は隣り合う複数
の溝４０で構成される所定幅のリング状帯をなす。ま
た、ウエハ吸着部５もウエハを吸着するための部分であ
るが、ステージ本体１の表面であって且つウエハ載置領
域Ｍの周縁に溝５０を同芯状に複数刻設して形成したも
のである。これにより、ウエハ吸着部５はウエハ吸着部
４と同様に隣り合う複数の溝５０で構成される所定幅の
リング状帯をなす。一方、逃げ部６は、ウエハの裏面に
付着したダストを回避するための部分であり、ウエハ吸
着部４，５を残した状態で、ウエハ載置領域Ｍ全体を削
ることにより形成した。すなわち、二点鎖線で示すよう
に、ウエハ吸着部４，５間の表面部分を溝４０，５０と
ほぼ等しい深さまで掘り下げることにより形成したもの
である。また、逃げ部６の幅Ｎ１とウエハ吸着部４
（５）の幅Ｎ２の比は、例えば「３：１」に設定されて
おり、ステージ本体１とウエハとの接触面積を可能な限
り小さくしている。
【０００９】かかる構成により、図４に示すように、前
工程から搬送されてきたウエハＷが、ステージ本体１の
ウエハ載置領域Ｍに載置されると、ウエハＷの裏面がウ
エハ吸着部４，５に接触し吸着される。この状態で、露
光を行うことで、ウエハＷ表面のレジストに所定のパタ
ーンが形成される。このとき、ウエハＷの裏面にダスト
Ｄが付着していると、異常露光が生じるおそれがある。
しかし、この実施形態のウエハステージでは、ステージ
本体１の逃げ部６が形成されているため、ダストＤが逃
げ部６内に入り込み、ダストＤが付着したウエハＷ部分
が盛り上がることはない。この結果、ウエハＷの表面が
面一に維持されるので、照射光Ｌの焦点がウエハＷの表
面に正確に合い、正常な露光が行われる。ところで、ダ
ストＤがウエハ吸着部４やウエハ吸着部５に対応するウ
エハＷの裏面個所に付着している場合には、従来例と同
様に異常露光が生じることとなる。しかし、この実施形
態のウエハステージでは、逃げ部６の面積がウエハ載置
領域Ｍの６０％を占めているので、ウエハＷの裏面に付
着したダストＤがウエハ吸着部４やウエハ吸着部５に当
たる確率は小さい。
工程から搬送されてきたウエハＷが、ステージ本体１の
ウエハ載置領域Ｍに載置されると、ウエハＷの裏面がウ
エハ吸着部４，５に接触し吸着される。この状態で、露
光を行うことで、ウエハＷ表面のレジストに所定のパタ
ーンが形成される。このとき、ウエハＷの裏面にダスト
Ｄが付着していると、異常露光が生じるおそれがある。
しかし、この実施形態のウエハステージでは、ステージ
本体１の逃げ部６が形成されているため、ダストＤが逃
げ部６内に入り込み、ダストＤが付着したウエハＷ部分
が盛り上がることはない。この結果、ウエハＷの表面が
面一に維持されるので、照射光Ｌの焦点がウエハＷの表
面に正確に合い、正常な露光が行われる。ところで、ダ
ストＤがウエハ吸着部４やウエハ吸着部５に対応するウ
エハＷの裏面個所に付着している場合には、従来例と同
様に異常露光が生じることとなる。しかし、この実施形
態のウエハステージでは、逃げ部６の面積がウエハ載置
領域Ｍの６０％を占めているので、ウエハＷの裏面に付
着したダストＤがウエハ吸着部４やウエハ吸着部５に当
たる確率は小さい。
【００１０】このように、この実施形態の露光装置のウ
エハステージによれば、ダストＤとの当りを回避する逃
げ部６をステージ本体１に形成したので、異常露光の発
生を激減させることができる。この結果、露光前のウエ
ハＷに対するダスト除去処理作業を省くことができる。
エハステージによれば、ダストＤとの当りを回避する逃
げ部６をステージ本体１に形成したので、異常露光の発
生を激減させることができる。この結果、露光前のウエ
ハＷに対するダスト除去処理作業を省くことができる。
【００１１】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
逃げ部６の幅Ｎ１とウエハ吸着部４（５）の幅Ｎ２との
比を「３：１」に設定したが、ウエハ吸着部４，５の吸
着力を考慮しながらウエハ吸着部４（５）の幅Ｎ２を細
くすることで、異常露光の発生をさらに減少させること
ができる。さらに、上記実施形態では、ウエハ載置領域
Ｍの中心部と周縁部にそれぞれウエハ吸着部４，５を形
成したが、これに限るものではない。例えば、図５に示
すように、ウエハ載置領域Ｍの中央部分に１つのリング
状ウエハ吸着部７を形成したり、また、図６に示すよう
に、四つのウエハ吸着部８〜１１をウエハ載置領域Ｍに
放射状に形成することもできる。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
逃げ部６の幅Ｎ１とウエハ吸着部４（５）の幅Ｎ２との
比を「３：１」に設定したが、ウエハ吸着部４，５の吸
着力を考慮しながらウエハ吸着部４（５）の幅Ｎ２を細
くすることで、異常露光の発生をさらに減少させること
ができる。さらに、上記実施形態では、ウエハ載置領域
Ｍの中心部と周縁部にそれぞれウエハ吸着部４，５を形
成したが、これに限るものではない。例えば、図５に示
すように、ウエハ載置領域Ｍの中央部分に１つのリング
状ウエハ吸着部７を形成したり、また、図６に示すよう
に、四つのウエハ吸着部８〜１１をウエハ載置領域Ｍに
放射状に形成することもできる。
【００１２】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よれば、ウエハの裏面に付着したダストを逃げ部内に入
り込ませて、ダストとウエハ吸着部との当りを無くすよ
うにしたので、異常露光の発生を激減させることができ
るという優れた効果がある。また、この結果、露光前に
ウエハに対するダスト除去処理を行う必要がなくなり、
作業の迅速化を図ることができる。
よれば、ウエハの裏面に付着したダストを逃げ部内に入
り込ませて、ダストとウエハ吸着部との当りを無くすよ
うにしたので、異常露光の発生を激減させることができ
るという優れた効果がある。また、この結果、露光前に
ウエハに対するダスト除去処理を行う必要がなくなり、
作業の迅速化を図ることができる。
【図１】この発明の一実施形態に係る露光装置のウエハ
ステージを示す平面図である。
ステージを示す平面図である。
【図２】図１に示すウエハステージの断面図である。
【図３】ウエハ吸着部と逃げ部の形成状態を示す断面図
である。
である。
【図４】ウエハステージの作用を示す断面図である。
【図５】第１の変形例を示す平面図である。
【図６】第２の変形例を示す平面図である。
【図７】従来のウエハステージを示す平面図である。
【図８】従来のウエハステージの断面図である。
【図９】従来のウエハステージによる正常露光状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１０】従来のウエハステージによる異常露光状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
１…ステージ本体、 ４，５…ウエハ吸着部、 ６…逃
げ部、 ２０…溝、Ｄ…ダスト、 Ｍ…ウエハ載置領
域。
げ部、 ２０…溝、Ｄ…ダスト、 Ｍ…ウエハ載置領
域。
Claims (5)
- 【請求項１】 隣り合う複数の溝をステージ本体のウエ
ハ載置領域に刻設して形成した一以上のウエハ吸着部
と、 上記一以上のウエハ吸着部を残して上記ウエハ載置領域
全体に凹設したダスト回避用の逃げ部と、 を具備することを特徴とする露光装置のウエハステー
ジ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の露光装置のウエハステ
ージにおいて、 上記各ウエハ吸着部を、上記ウエハ載置領域の中心に関
して対称になるように形成した、 ことを特徴とする露光装置のウエハステージ。 - 【請求項３】 請求項２に記載の露光装置のウエハステ
ージにおいて、 二つのリング状の上記ウエハ吸着部を、上記ウエハ載置
領域の中心部と周縁部とにそれぞれ形成した、 ことを特徴とする露光装置のウエハステージ。 - 【請求項４】 請求項２に記載の露光装置のウエハステ
ージにおいて、 一つのリング状の上記ウエハ吸着部を、上記ウエハ載置
領域の略中央部分に形成した、 ことを特徴とする露光装置のウエハステージ。 - 【請求項５】 請求項２に記載の露光装置のウエハステ
ージにおいて、 略直状の複数のウエハ吸着部を、上記ウエハ載置領域に
放射状に形成した、 ことを特徴とする露光装置のウエハステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9125531A JPH10321708A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 露光装置のウエハステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9125531A JPH10321708A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 露光装置のウエハステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321708A true JPH10321708A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14912498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9125531A Pending JPH10321708A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 露光装置のウエハステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010121701A1 (de) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Ev Group Gmbh | Aufnahmeeinrichtung zur aufnahme von halbleitersubstraten |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP9125531A patent/JPH10321708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010121701A1 (de) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Ev Group Gmbh | Aufnahmeeinrichtung zur aufnahme von halbleitersubstraten |
| US9278433B2 (en) | 2009-04-22 | 2016-03-08 | Ev Group Gmbh | Receiving device for receiving semiconductor substrates |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040817 |