JPH10321653A - チップ状部品ボンディング装置 - Google Patents
チップ状部品ボンディング装置Info
- Publication number
- JPH10321653A JPH10321653A JP14462897A JP14462897A JPH10321653A JP H10321653 A JPH10321653 A JP H10321653A JP 14462897 A JP14462897 A JP 14462897A JP 14462897 A JP14462897 A JP 14462897A JP H10321653 A JPH10321653 A JP H10321653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- paste
- adhesive
- chip
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディング後のペースト厚を適正化し、ボ
ンディング不良を防止すること。 【解決手段】 計測手段１７により、塗布手段１２によ
りリードフレーム１の所定のアイランド部にペースト２
が塗布されてからそのアイランド部がボンディング位置
Ｂに位置決めされるまでの経過時間Ｔを計測し、制御装
置１４がこの経過時間Ｔに応じたボンディング条件を、
記憶手段１８に記憶された複数のボンディング条件の中
から選択し、選択したボンディング条件に従ってペレッ
ト３をボンディングする。
ンディング不良を防止すること。 【解決手段】 計測手段１７により、塗布手段１２によ
りリードフレーム１の所定のアイランド部にペースト２
が塗布されてからそのアイランド部がボンディング位置
Ｂに位置決めされるまでの経過時間Ｔを計測し、制御装
置１４がこの経過時間Ｔに応じたボンディング条件を、
記憶手段１８に記憶された複数のボンディング条件の中
から選択し、選択したボンディング条件に従ってペレッ
ト３をボンディングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム等
の基板上に接着剤を介して半導体ペレット等のチップ状
部品をボンディングするチップ状部品ボンディング装置
に関する。
の基板上に接着剤を介して半導体ペレット等のチップ状
部品をボンディングするチップ状部品ボンディング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップ状部品ボンディング装置の１つで
ある半導体ペレットボンディング装置においては、図３
に示されるリードフレーム１のアイランド部上に接着剤
としてのペースト２を塗布し、そのペースト２に半導体
ペレット３（以下「ペレット」という）を押付けてボン
ディングする動作が行なわれる。
ある半導体ペレットボンディング装置においては、図３
に示されるリードフレーム１のアイランド部上に接着剤
としてのペースト２を塗布し、そのペースト２に半導体
ペレット３（以下「ペレット」という）を押付けてボン
ディングする動作が行なわれる。
【０００３】ところで、ペレット３をボンディングした
後のペースト厚（図３（Ａ）の“ｈ”）は、ボンディン
グ品質に影響するもので、規定値に設定することが望ま
れている。たとえば、図３（Ｂ）に示すように、ボンデ
ィング後のペースト厚ｈ１が規定値よりも厚い場合、後
工程でリードフレーム１が加熱されたときに、ペースト
２とペレット３との熱膨張量差に起因する接着面でのは
がれや、樹脂封止後のパッケージの亀裂等が生じ易く、
ボンディング不良の原因となる等の問題点を有する。こ
のため、ペースト２にペレット３を押付けてボンディン
グするに際しては、ボンディング後のペースト厚が規定
値となるように、ボンディング手段による加圧力や加圧
時間等のボンディング条件が設定されている。
後のペースト厚（図３（Ａ）の“ｈ”）は、ボンディン
グ品質に影響するもので、規定値に設定することが望ま
れている。たとえば、図３（Ｂ）に示すように、ボンデ
ィング後のペースト厚ｈ１が規定値よりも厚い場合、後
工程でリードフレーム１が加熱されたときに、ペースト
２とペレット３との熱膨張量差に起因する接着面でのは
がれや、樹脂封止後のパッケージの亀裂等が生じ易く、
ボンディング不良の原因となる等の問題点を有する。こ
のため、ペースト２にペレット３を押付けてボンディン
グするに際しては、ボンディング後のペースト厚が規定
値となるように、ボンディング手段による加圧力や加圧
時間等のボンディング条件が設定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ームの搬送ミス等の動作エラーを生じた場合、ペレット
ボンディング装置によるボンディング動作が一時的に停
止されることがある。このような場合、装置の復帰とと
もに再稼動することになるが、動作エラーを起こす直前
にリードフレームに塗布された接着剤においては、この
接着剤が塗布されてから再稼動後にペレットがボンデイ
ングまでに多くの時間が経過する。このため、時間の経
過とともに粘度が変わるペーストを用いたボンディング
の場合、塗布されてから多くの時間が経過した接着剤に
対して装置停止前と同じボンディング条件でボンディン
グしても、図３（Ｂ）のペースト厚ｈ１のように規定値
にならない場合が生じる。
ームの搬送ミス等の動作エラーを生じた場合、ペレット
ボンディング装置によるボンディング動作が一時的に停
止されることがある。このような場合、装置の復帰とと
もに再稼動することになるが、動作エラーを起こす直前
にリードフレームに塗布された接着剤においては、この
接着剤が塗布されてから再稼動後にペレットがボンデイ
ングまでに多くの時間が経過する。このため、時間の経
過とともに粘度が変わるペーストを用いたボンディング
の場合、塗布されてから多くの時間が経過した接着剤に
対して装置停止前と同じボンディング条件でボンディン
グしても、図３（Ｂ）のペースト厚ｈ１のように規定値
にならない場合が生じる。
【０００５】本発明は、ボンディング後のペースト厚を
適正化し、ボンディング不良を防止することを目的とす
る。
適正化し、ボンディング不良を防止することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に接着
剤を塗布する塗布手段と、前記基板上にその接着剤を介
してチップ状部品をボンディングするボンディング手段
とを有するチップ状部品ボンディング装置において、前
記塗布手段により接着剤が塗布されてからボンディング
手段によりその接着剤を介して前記チップ状部品がボン
ディングされるまでの経過時間またはその相当値を計測
する計測手段と、この計測手段の計測値に応じたボンデ
ィング条件で前記ボンディング手段を制御する制御装置
と、を有することを特徴とする。
剤を塗布する塗布手段と、前記基板上にその接着剤を介
してチップ状部品をボンディングするボンディング手段
とを有するチップ状部品ボンディング装置において、前
記塗布手段により接着剤が塗布されてからボンディング
手段によりその接着剤を介して前記チップ状部品がボン
ディングされるまでの経過時間またはその相当値を計測
する計測手段と、この計測手段の計測値に応じたボンデ
ィング条件で前記ボンディング手段を制御する制御装置
と、を有することを特徴とする。
【０００７】本発明によれば、接着剤を用いてチップ状
部品を基板上にボンディングするにあたり、接着剤が塗
布されてからその接着剤を介してチップ状部品がボンデ
ィングされるまでの経過時間またはその相当値が計測さ
れ、その計測値に応じてボンディング条件が設定変更さ
れる。
部品を基板上にボンディングするにあたり、接着剤が塗
布されてからその接着剤を介してチップ状部品がボンデ
ィングされるまでの経過時間またはその相当値が計測さ
れ、その計測値に応じてボンディング条件が設定変更さ
れる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。図１は、本発明に係る半導体ペレットボン
ディング装置の構成を示す正面図、図２は、図１に示す
半導体ペレットボンディング装置のブロック図である。
て説明する。図１は、本発明に係る半導体ペレットボン
ディング装置の構成を示す正面図、図２は、図１に示す
半導体ペレットボンディング装置のブロック図である。
【０００９】半導体ペレットボンディング装置１０は、
リードフレーム１の搬送手段１１と、接着剤の塗布手段
１２と、ペレット３のボンディング手段１３と、計測手
段１７と、記憶手段１８と、これらを制御する制御装置
１４とを有して構成される。
リードフレーム１の搬送手段１１と、接着剤の塗布手段
１２と、ペレット３のボンディング手段１３と、計測手
段１７と、記憶手段１８と、これらを制御する制御装置
１４とを有して構成される。
【００１０】搬送手段１１は、一対のガイドレール１５
を有し、リードフレーム１をアイランド部の配置間隔Ｌ
にてピッチ搬送する。
を有し、リードフレーム１をアイランド部の配置間隔Ｌ
にてピッチ搬送する。
【００１１】塗布手段１２は、接着剤塗布位置Ａにてリ
ードフレーム１の不図示のアイランド部上に接着剤とし
てのペースト２を塗布する。
ードフレーム１の不図示のアイランド部上に接着剤とし
てのペースト２を塗布する。
【００１２】ボンディング手段１３は、接着剤塗布位置
Ａより間隔Ｌ下流に設定されたボンディング位置Ｂに
て、アイランド部上に既に塗布されているペースト２に
ペレット３を押し付けこのペレット２をリードフレーム
１にボンディングするもので、吸着ノズル１６を有し、
この吸着ノズル１６を用いて不図示のペレット供給位置
にてペレット３をピックアップし、このペレット３をア
イランド部上のペースト２に押付けてボンディングす
る。
Ａより間隔Ｌ下流に設定されたボンディング位置Ｂに
て、アイランド部上に既に塗布されているペースト２に
ペレット３を押し付けこのペレット２をリードフレーム
１にボンディングするもので、吸着ノズル１６を有し、
この吸着ノズル１６を用いて不図示のペレット供給位置
にてペレット３をピックアップし、このペレット３をア
イランド部上のペースト２に押付けてボンディングす
る。
【００１３】計測手段１７は、制御装置１４の指令に基
づき、塗布手段１２により所定のアイランド部上にペー
スト２が塗布されたタイミングで計測を開始し、その塗
布されたペースト２がボンディング位置Ｂに到達しボン
ディング手段１３によりペレット３がボンディングされ
るまでの経過時間Ｔを計測し、制御装置14に出力する。
具体的に本実施の態様では、ペースト２が塗布されると
計測を開始し、その後にリードフレーム１が１ピッチ送
られ、その塗布されたペーストがボンディング位置Ｂに
位置づけられた時に計測を終了し、その間の計測値を経
過時間Ｔとして制御装置１４に出力する。この計測は、
アイランド部毎に行なわれる。なお前回計測した計測値
は、次の計測開始とともにクリアされる。
づき、塗布手段１２により所定のアイランド部上にペー
スト２が塗布されたタイミングで計測を開始し、その塗
布されたペースト２がボンディング位置Ｂに到達しボン
ディング手段１３によりペレット３がボンディングされ
るまでの経過時間Ｔを計測し、制御装置14に出力する。
具体的に本実施の態様では、ペースト２が塗布されると
計測を開始し、その後にリードフレーム１が１ピッチ送
られ、その塗布されたペーストがボンディング位置Ｂに
位置づけられた時に計測を終了し、その間の計測値を経
過時間Ｔとして制御装置１４に出力する。この計測は、
アイランド部毎に行なわれる。なお前回計測した計測値
は、次の計測開始とともにクリアされる。
【００１４】記憶手段１８には、計測手段１７で計測さ
れた経過時間Ｔに応じた複数のボンディング条件が記憶
されている。各ボンディング条件は、経過時間Ｔに対す
るペースト２の粘度変化に応じて実験等により定められ
るもので、時間の経過につれてペースト２の粘度が変化
しても、規定のペースト厚が得られるように経過時間を
キーとして設定される。ここでボンディング条件には、
加圧力、加圧時間等があるが、本実施の態様では、２種
の加圧時間ｔ１とｔ２が経過時間Ｔに応じて設定され
る。加圧時間ｔ１は、通常のボンディング時における加
圧時間で、加圧時間ｔ２は、加圧時間ｔ１より長い値に
設定される。
れた経過時間Ｔに応じた複数のボンディング条件が記憶
されている。各ボンディング条件は、経過時間Ｔに対す
るペースト２の粘度変化に応じて実験等により定められ
るもので、時間の経過につれてペースト２の粘度が変化
しても、規定のペースト厚が得られるように経過時間を
キーとして設定される。ここでボンディング条件には、
加圧力、加圧時間等があるが、本実施の態様では、２種
の加圧時間ｔ１とｔ２が経過時間Ｔに応じて設定され
る。加圧時間ｔ１は、通常のボンディング時における加
圧時間で、加圧時間ｔ２は、加圧時間ｔ１より長い値に
設定される。
【００１５】なお、記憶手段１８には、この他に経過時
間Ｔの上限値Ｔmax も設定される。
間Ｔの上限値Ｔmax も設定される。
【００１６】次に、作動について説明する。
【００１７】まず、不図示のリードフレーム供給手段か
ら搬送手段１１上にリードフレーム１が供給されると、
このリードフレーム１はこの搬送手段によりピッチ送り
される。リードフレーム１における先頭のアイランド部
が接着剤塗布位置Ａに位置決めされると、制御装置１４
は塗布手段１２を作動させ、アイランド部上にはペース
ト２が塗布される。制御装置１４は、この塗布タイミン
グで計測手段１７に計測を開始させる。この後、リード
フレーム１は搬送手段１１にて１ピッチ送られ、ペース
ト２が塗布された先頭のアイランド部がボンディング位
置Ｂに位置決めされる。この位置決めされたタイミング
で、制御装置１４は計測手段１７に計測終了信号を出力
する。
ら搬送手段１１上にリードフレーム１が供給されると、
このリードフレーム１はこの搬送手段によりピッチ送り
される。リードフレーム１における先頭のアイランド部
が接着剤塗布位置Ａに位置決めされると、制御装置１４
は塗布手段１２を作動させ、アイランド部上にはペース
ト２が塗布される。制御装置１４は、この塗布タイミン
グで計測手段１７に計測を開始させる。この後、リード
フレーム１は搬送手段１１にて１ピッチ送られ、ペース
ト２が塗布された先頭のアイランド部がボンディング位
置Ｂに位置決めされる。この位置決めされたタイミング
で、制御装置１４は計測手段１７に計測終了信号を出力
する。
【００１８】次いで、制御装置１４は、計測手段１７が
計測した経過時間Ｔに基づいて、記憶手段１８に記憶さ
れたボンディング条件の中から経過時間Ｔに応じたボン
ディング条件を選択し、その条件でボンディング手段１
３を実行させる。具体的には、リードフレーム１のピッ
チ送り時間を加味して基準時間Ｔ０を予め設定してお
き、計測された経過時間Ｔが基準時間Ｔ０内であればボ
ンディング手段１３に対して加圧時間ｔ１なるボンディ
ング条件にてボンディング動作を実行させる。また、搬
送手段１１によるリードフレーム１の搬送ミス等により
半導体ペレットボンディング装置１０が一時的に停止
し、経過時間Ｔが基準時間Ｔ０を超えた場合には、加圧
時間ｔ２なるボンディング条件にてボンディング動作を
実行させる。
計測した経過時間Ｔに基づいて、記憶手段１８に記憶さ
れたボンディング条件の中から経過時間Ｔに応じたボン
ディング条件を選択し、その条件でボンディング手段１
３を実行させる。具体的には、リードフレーム１のピッ
チ送り時間を加味して基準時間Ｔ０を予め設定してお
き、計測された経過時間Ｔが基準時間Ｔ０内であればボ
ンディング手段１３に対して加圧時間ｔ１なるボンディ
ング条件にてボンディング動作を実行させる。また、搬
送手段１１によるリードフレーム１の搬送ミス等により
半導体ペレットボンディング装置１０が一時的に停止
し、経過時間Ｔが基準時間Ｔ０を超えた場合には、加圧
時間ｔ２なるボンディング条件にてボンディング動作を
実行させる。
【００１９】以後は、上記と同様に、塗布手段１２によ
りペースト２が塗布されてからボンディング手段１３に
よりそのペースト２を介してペレット３がボンディング
されるまでの経過時間Ｔをアイランド毎に計測し、計測
された経過時間Ｔに応じたボンディング条件にてボンデ
ィング手段は実行される。
りペースト２が塗布されてからボンディング手段１３に
よりそのペースト２を介してペレット３がボンディング
されるまでの経過時間Ｔをアイランド毎に計測し、計測
された経過時間Ｔに応じたボンディング条件にてボンデ
ィング手段は実行される。
【００２０】なお、装置の停止時間が長過ぎて、測定時
間Ｔが記憶手段に記憶されたＴmax （＞Ｔ０）を超えた
場合、制御装置１４はボンディング動作を中止させる。
この時、警報を発するように構成しても良い。
間Ｔが記憶手段に記憶されたＴmax （＞Ｔ０）を超えた
場合、制御装置１４はボンディング動作を中止させる。
この時、警報を発するように構成しても良い。
【００２１】また、ボンディングされたリードフレーム
１は、搬送手段１１にて下流へ搬送され、マガジン等に
収納される。上記した実施の形態によれば、リードフレ
ーム１にペースト２を介してペレット３をボンディング
するにあたり、塗布手段１２によりリードフレーム１上
にペースト２が塗布されてからボンディング手段１３に
よりそのペースト２を介してペレット３がボンディング
されるまでの経過時間Ｔに応じて、ボンディング条件の
加圧時間がｔ１とｔ２から選択され実行される。従っ
て、ペースト２を塗布した後、時間の経過につれてその
ペースト２の粘度が変化したとしても、ボンディング手
段１３によるボンディング時点におけるペースト２の粘
度に応じたボンディング条件でペレット３がボンディン
グされ、これによりボンディング後のペースト厚が適正
化され、ボンディング不良を防止することができる。
１は、搬送手段１１にて下流へ搬送され、マガジン等に
収納される。上記した実施の形態によれば、リードフレ
ーム１にペースト２を介してペレット３をボンディング
するにあたり、塗布手段１２によりリードフレーム１上
にペースト２が塗布されてからボンディング手段１３に
よりそのペースト２を介してペレット３がボンディング
されるまでの経過時間Ｔに応じて、ボンディング条件の
加圧時間がｔ１とｔ２から選択され実行される。従っ
て、ペースト２を塗布した後、時間の経過につれてその
ペースト２の粘度が変化したとしても、ボンディング手
段１３によるボンディング時点におけるペースト２の粘
度に応じたボンディング条件でペレット３がボンディン
グされ、これによりボンディング後のペースト厚が適正
化され、ボンディング不良を防止することができる。
【００２２】なお、上記の実施の形態においては、加圧
時間の異なる２つのボンディング条件を設定する例で説
明したが、ボンディング条件を３つ以上設定するもので
も構わない。
時間の異なる２つのボンディング条件を設定する例で説
明したが、ボンディング条件を３つ以上設定するもので
も構わない。
【００２３】また、時間の経過に対するペースト２の粘
度の変化特性を測定しておき、計測した経過時間Ｔを基
に無段階的に加圧時間を変化させるようにしてもよい。
この場合、加圧時間を段階的に設定した上記実施の形態
に比べ、ペースト厚が規定値より厚くなることをより確
実に防止できる。
度の変化特性を測定しておき、計測した経過時間Ｔを基
に無段階的に加圧時間を変化させるようにしてもよい。
この場合、加圧時間を段階的に設定した上記実施の形態
に比べ、ペースト厚が規定値より厚くなることをより確
実に防止できる。
【００２４】また、ボンディング条件として、加圧時間
を変更する例で説明したが、変化させるものとしては、
加圧力、加圧力と加圧時間の両方、あるいは温度など、
ペースト厚に影響を与えるものであればよい。
を変更する例で説明したが、変化させるものとしては、
加圧力、加圧力と加圧時間の両方、あるいは温度など、
ペースト厚に影響を与えるものであればよい。
【００２５】また、ボンディング条件を、計測手段１７
にて計測された、塗布手段１２によりペースト２が塗布
されてからボンディング手段１３によりペレット３がボ
ンディングされるまでの経過時間Ｔに応じて変更する例
で説明したが、経過時間そのものではなく、経過時間の
相当値であってもよい。相当値としては、塗布手段１２
がアイランド部上にペースト２を塗布してからこのアイ
ランド部がボンディング位置Ｂに到達するまでの移動時
間を、搬送手段１１が有する駆動モータへの駆動パルス
とそのパルス間隔などから求めたものなどが例として上
げられ、この求めた値を経過時間の相当値とし、この相
当値に基づいてボンディング条件を変更するようにして
もよい。この場合も、ペースト２の粘度変化に応じてボ
ンディング条件が変更され、上記実施の形態と同様な効
果が得られる。
にて計測された、塗布手段１２によりペースト２が塗布
されてからボンディング手段１３によりペレット３がボ
ンディングされるまでの経過時間Ｔに応じて変更する例
で説明したが、経過時間そのものではなく、経過時間の
相当値であってもよい。相当値としては、塗布手段１２
がアイランド部上にペースト２を塗布してからこのアイ
ランド部がボンディング位置Ｂに到達するまでの移動時
間を、搬送手段１１が有する駆動モータへの駆動パルス
とそのパルス間隔などから求めたものなどが例として上
げられ、この求めた値を経過時間の相当値とし、この相
当値に基づいてボンディング条件を変更するようにして
もよい。この場合も、ペースト２の粘度変化に応じてボ
ンディング条件が変更され、上記実施の形態と同様な効
果が得られる。
【００２６】また、接着剤塗布位置Ａとボンディング位
置Ｂとの間隔Ｌがリードフレーム１における１ピッチ分
である例で説明したが、数ピッチ離れていても良いし、
ピッチの整数倍である必要も無い。なお、整数ピッチ離
れている場合には、ピッチ数に応じた数の計測手段１７
を設け、接着剤塗布位置Ａとボンディング位置Ｂの間に
位置する各アイランド部上に塗布されたペースト２に対
して塗布後の経過時間Ｔを個々に計測するようにするこ
とで、塗布された個々のペーストに対して適正なボンデ
ィング条件でボンディングを実行することができる。
置Ｂとの間隔Ｌがリードフレーム１における１ピッチ分
である例で説明したが、数ピッチ離れていても良いし、
ピッチの整数倍である必要も無い。なお、整数ピッチ離
れている場合には、ピッチ数に応じた数の計測手段１７
を設け、接着剤塗布位置Ａとボンディング位置Ｂの間に
位置する各アイランド部上に塗布されたペースト２に対
して塗布後の経過時間Ｔを個々に計測するようにするこ
とで、塗布された個々のペーストに対して適正なボンデ
ィング条件でボンディングを実行することができる。
【００２７】また、本発明の実施において、接着剤はペ
ーストに限られないが、塗布後の時間経過でその特性が
変わる接着剤に対して特に有効である。
ーストに限られないが、塗布後の時間経過でその特性が
変わる接着剤に対して特に有効である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディング後のペー
スト厚が適正化され、ボンディング不良が防止される。
スト厚が適正化され、ボンディング不良が防止される。
【図１】本発明に係る半導体ペレットボンディング装置
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図２】図１に示す半導体ペレットボンディング装置の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】半導体ペレットのボンディング状態を示す断面
図である。
図である。
１ リードフレーム ２ ペースト ３ 半導体ペレット １０ 半導体ペレットボンディング装置 １１ 搬送手段 １２ 塗布手段 １３ ボンディング手段 １４ 制御装置 １７ 計測手段 １８ 記憶手段
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に接着剤を塗布する塗布手段と、
前記基板上にその接着剤を介してチップ状部品をボンデ
ィングするボンディング手段とを有するチップ状部品ボ
ンディング装置において、前記塗布手段により接着剤が
塗布されてからボンディング手段によりその接着剤を介
して前記チップ状部品がボンディングされるまでの経過
時間またはその相当値を計測する計測手段と、この計測
手段の計測値に応じたボンディング条件で前記ボンディ
ング手段を制御する制御装置と、を有することを特徴と
するチップ状部品ボンディング装置。 - 【請求項２】 複数のボンディング条件が設定された記
憶手段をさらに設け、前記制御装置は、前記記憶手段に
設定された複数のボンディング条件の中から前記計測手
段の計測値に応じたボンディング条件を選択し、選択し
たボンディング条件に従って前記ボンディング手段を制
御することを特徴とする請求項１記載のチップ状部品ボ
ンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14462897A JPH10321653A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | チップ状部品ボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14462897A JPH10321653A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | チップ状部品ボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321653A true JPH10321653A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15366471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14462897A Pending JPH10321653A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | チップ状部品ボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321653A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246422A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品圧着装置および電子部品圧着方法 |
| CN108732963A (zh) * | 2017-04-13 | 2018-11-02 | 发那科株式会社 | 控制装置及机器学习装置 |
| US10631450B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-04-21 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Component mounting system, component mounter and component mounting method |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP14462897A patent/JPH10321653A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246422A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品圧着装置および電子部品圧着方法 |
| US10631450B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-04-21 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Component mounting system, component mounter and component mounting method |
| CN108732963A (zh) * | 2017-04-13 | 2018-11-02 | 发那科株式会社 | 控制装置及机器学习装置 |
| JP2018176356A (ja) * | 2017-04-13 | 2018-11-15 | ファナック株式会社 | 制御装置及び機械学習装置 |
| US10549423B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-02-04 | Fanuc Corporation | Controller and machine learning device |
| CN108732963B (zh) * | 2017-04-13 | 2020-05-12 | 发那科株式会社 | 控制装置及机器学习装置 |
| DE102018002785B4 (de) | 2017-04-13 | 2022-03-03 | Fanuc Corporation | 1 - 8CController und maschinelle Lernvorrichtung |
| DE102018002785B8 (de) | 2017-04-13 | 2022-06-02 | Fanuc Corporation | Controller und maschinelle Lernvorrichtung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070261233A1 (en) | Method and system for fabricating a semiconductor device | |
| JPH04348540A (ja) | フリップチップボンダー | |
| WO2000029128A1 (fr) | Procede de formation d'une pate | |
| JPH10321653A (ja) | チップ状部品ボンディング装置 | |
| JP2727443B2 (ja) | 半導体チップボンディング方法 | |
| JP3037229B2 (ja) | ベアチップ実装方法及び実装装置 | |
| US6040620A (en) | Lead frame for LOC having a regulating lead to prevent variation in adhesive coverage | |
| JPH05347321A (ja) | リードフレームの予備半田付け方法 | |
| JP3907790B2 (ja) | 封止剤の供給制御方法 | |
| JP3436071B2 (ja) | 電子部品接着用ボンドの塗布方法 | |
| JP2005123609A (ja) | ダイボンダー設備及びこれを用いた半導体チップ付着方法 | |
| JP2000340589A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP3885906B2 (ja) | 半導体ペレットボンディング方法 | |
| JPH04252040A (ja) | 接着剤塗布装置およびダイボンディング方法 | |
| JPH11251335A (ja) | 半導体素子の実装装置及びその実装方法 | |
| JP5079192B2 (ja) | 可撓性基板上への半導体チップの取り付け方法及び装置 | |
| JP2002009232A (ja) | 接着剤塗布装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2733179B2 (ja) | 混成集積回路製造装置 | |
| JP3156508B2 (ja) | チップのボンディング方法 | |
| JPH08111427A (ja) | ダイボンディング装置 | |
| JPH0831849A (ja) | チップのボンディング方法 | |
| JP2000031171A (ja) | ペースト塗布方法及び装置 | |
| WO2001080312A1 (en) | Pre-application of die attach material to wafer back | |
| JP3394667B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2009081218A (ja) | ダイボンディング方法及び装置 |