JPH10318740A - リードフレームのめっき膜厚測定方法 - Google Patents
リードフレームのめっき膜厚測定方法Info
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- JPH10318740A JPH10318740A JP13919297A JP13919297A JPH10318740A JP H10318740 A JPH10318740 A JP H10318740A JP 13919297 A JP13919297 A JP 13919297A JP 13919297 A JP13919297 A JP 13919297A JP H10318740 A JPH10318740 A JP H10318740A
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 速く、安価に、非接触にてめっき膜厚を測定
できる、リードフレームのめっき膜厚測定方法を提供す
る。 【解決手段】 試料の一面側または両面側に非接触変位
計を配し、試料表面の変位を測定し、得られた変位デー
タから、めっき部分と非めっき部分の段差を求め、これ
をめっき膜厚とする。具体的には、非接触変位計として
三角測量式レーザ変位計を用い、試料の表裏両面に非接
触変位計を配し、得られた表裏面の変位データの加算デ
ータをとり、これをもとに、めっき部分と非めっき部分
の段差を求めることを特徴とするリードフレームのめっ
き膜厚測定方法。
できる、リードフレームのめっき膜厚測定方法を提供す
る。 【解決手段】 試料の一面側または両面側に非接触変位
計を配し、試料表面の変位を測定し、得られた変位デー
タから、めっき部分と非めっき部分の段差を求め、これ
をめっき膜厚とする。具体的には、非接触変位計として
三角測量式レーザ変位計を用い、試料の表裏両面に非接
触変位計を配し、得られた表裏面の変位データの加算デ
ータをとり、これをもとに、めっき部分と非めっき部分
の段差を求めることを特徴とするリードフレームのめっ
き膜厚測定方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，リードフレームの
めっき膜厚を測定する方法に関し、特に、高速に、且つ
安価に、測定できる膜厚測定方法に関する。
めっき膜厚を測定する方法に関し、特に、高速に、且つ
安価に、測定できる膜厚測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。これに伴い、外部端子（ピン）の総数の増加と
なり、ますます多端子（ピン）化が求められるようにな
ってきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやス
タンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図６（ｂ）に示す単層リ
ードフレーム６１０を用いたもので、図６（ａ）に示す
ように、ダイパッド６１１上に半導体素子６２０を搭載
し、銀めっき、金めっき等の処理がされたインナーリー
ド６１２の先端部と半導体素子６２０の端子（電極パッ
ド）６２１とをワイヤ６３０にて結線した後に、樹脂６
４０で封止し、ダムバー６１４をカットし、アウターリ
ード６１３部をガルウイング状に折り曲げて作製されて
いる。このようなＱＦＰは、パッケージの４方向へ外部
回路と電気的に接続するためのアウターリードを設けた
構造となり、多端子（ピン）化に対応できるものとして
開発されてきた。
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。これに伴い、外部端子（ピン）の総数の増加と
なり、ますます多端子（ピン）化が求められるようにな
ってきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやス
タンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図６（ｂ）に示す単層リ
ードフレーム６１０を用いたもので、図６（ａ）に示す
ように、ダイパッド６１１上に半導体素子６２０を搭載
し、銀めっき、金めっき等の処理がされたインナーリー
ド６１２の先端部と半導体素子６２０の端子（電極パッ
ド）６２１とをワイヤ６３０にて結線した後に、樹脂６
４０で封止し、ダムバー６１４をカットし、アウターリ
ード６１３部をガルウイング状に折り曲げて作製されて
いる。このようなＱＦＰは、パッケージの４方向へ外部
回路と電気的に接続するためのアウターリードを設けた
構造となり、多端子（ピン）化に対応できるものとして
開発されてきた。
【０００３】ここで用いられる単層リードフレーム６１
０は、通常、コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、
銅系合金等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金属板を
フオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加工方法
やスタンピング法等により、図６（ｂ）に示すような形
状に外形加工され、外形加工後に半導体素子とワイヤボ
ンディングするためや、半導体素子搭載のためのダイボ
ンディングのために、銀めっき、金めっき等のめっき処
理が行われる。そして、めっき処理においては、めっき
膜厚の管理が重要で、できるだけ速く、安価に、非接触
にてめっき膜厚を測定することが求められていた。従来
のめっき膜厚測定方法としては、蛍光Ｘ線を用いた測定
方法が知られている。この方法は、図５に示すように、
試料５８０にＸ線５１０を照射して、得られるＸ線螢光
５２０を測定することにより直接的にめっき膜厚を求め
る方法であるが、測定に時間がかかり、且つ装置が高価
であるという問題があった。尚、図５中、５３０は検出
部、５８１は試料素材、５８２はめっき膜である。
０は、通常、コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、
銅系合金等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金属板を
フオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加工方法
やスタンピング法等により、図６（ｂ）に示すような形
状に外形加工され、外形加工後に半導体素子とワイヤボ
ンディングするためや、半導体素子搭載のためのダイボ
ンディングのために、銀めっき、金めっき等のめっき処
理が行われる。そして、めっき処理においては、めっき
膜厚の管理が重要で、できるだけ速く、安価に、非接触
にてめっき膜厚を測定することが求められていた。従来
のめっき膜厚測定方法としては、蛍光Ｘ線を用いた測定
方法が知られている。この方法は、図５に示すように、
試料５８０にＸ線５１０を照射して、得られるＸ線螢光
５２０を測定することにより直接的にめっき膜厚を求め
る方法であるが、測定に時間がかかり、且つ装置が高価
であるという問題があった。尚、図５中、５３０は検出
部、５８１は試料素材、５８２はめっき膜である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、リード
フレームのめっき処理においては、めっき膜厚の管理が
重要で、できるだけ速く、安価に、非接触にてめっき膜
厚を測定することが求められていた。本発明は、これに
対応するもので、できるだけ速く、安価に、非接触にて
めっき膜厚を測定できる、リードフレームのめっき膜厚
測定方法を提供しようとするものである。
フレームのめっき処理においては、めっき膜厚の管理が
重要で、できるだけ速く、安価に、非接触にてめっき膜
厚を測定することが求められていた。本発明は、これに
対応するもので、できるだけ速く、安価に、非接触にて
めっき膜厚を測定できる、リードフレームのめっき膜厚
測定方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
のめっき膜厚測定方法は、試料の一面側または両面側に
非接触変位計を配し、試料表面の変位を測定し、得られ
た変位データから、めっき部分と非めっき部分の段差を
求め、これをめっき膜厚とすることを特徴とするもので
ある。そして、上記において、試料の表裏両面に非接触
変位計を配し、得られた表裏面の変位データの加算デー
タをとり、これをもとに、めっき部分と非めっき部分の
段差を求めることを特徴とするものである。そしてま
た、上記における非接触変位計が、三角測量式レーザ変
位計であることを特徴とするものである。
のめっき膜厚測定方法は、試料の一面側または両面側に
非接触変位計を配し、試料表面の変位を測定し、得られ
た変位データから、めっき部分と非めっき部分の段差を
求め、これをめっき膜厚とすることを特徴とするもので
ある。そして、上記において、試料の表裏両面に非接触
変位計を配し、得られた表裏面の変位データの加算デー
タをとり、これをもとに、めっき部分と非めっき部分の
段差を求めることを特徴とするものである。そしてま
た、上記における非接触変位計が、三角測量式レーザ変
位計であることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明のリードフレームのめっき膜厚測定方法
は、上記のように構成することにより、比較的簡単に、
速く、安価に、非接触にてめっき膜厚を測定できる、リ
ードフレームのめっき膜厚測定方の提供を可能とするも
のである。詳しくは、試料の一面側または両面側に非接
触変位計を配し、試料表面の変位を測定し、得られた変
位データから、めっき部分と非めっき部分の段差を求
め、これをめっき膜厚とすることによりこれを達成して
いる。更に具体的には、非接触変位計が、三角測量式レ
ーザ変位計であり、試料の表裏両面に非接触変位計を配
し、得られた表裏面の変位データの加算データをとり、
これをもとに、めっき部分と非めっき部分の段差を求め
ることにより、これを達成している。
は、上記のように構成することにより、比較的簡単に、
速く、安価に、非接触にてめっき膜厚を測定できる、リ
ードフレームのめっき膜厚測定方の提供を可能とするも
のである。詳しくは、試料の一面側または両面側に非接
触変位計を配し、試料表面の変位を測定し、得られた変
位データから、めっき部分と非めっき部分の段差を求
め、これをめっき膜厚とすることによりこれを達成して
いる。更に具体的には、非接触変位計が、三角測量式レ
ーザ変位計であり、試料の表裏両面に非接触変位計を配
し、得られた表裏面の変位データの加算データをとり、
これをもとに、めっき部分と非めっき部分の段差を求め
ることにより、これを達成している。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームのめっき
膜厚測定方法を図に基づいて説明する。先ず、本発明の
実施の形態の第１の例を図１にもとづいて説明する。図
１（ａ）は、第１の例を実施するための測定装置の概略
構成図で、図１（ｂ）は図１（ａ）における測定装置に
おける試料（リードフレーム）の動作と測定との関係を
説明する図で、図１（ｃ）は測定結果を示した概略図で
ある。図１中、１１０は非接触変位計、１２０は演算
部、１３０はＸＹステージ、１４０は保持台、１８０は
リードフレーム（試料）、１８０Ａは非めっき部（リー
ドフレーム素材部）、１８０Ｂはめっき部、ｔ０はめっ
き膜厚、Ｌ１、Ｌ２は直線部、Ｌ１２は段差、σ１は変
位量である。先ず、めっきを施したリードフレーム（試
料）１８０を図１（ａ）に示すように、保持台１４０に
載置する。そして、保持台１４０にリードフレーム１８
０を固定した状態で、保持台とともにＸＹステージによ
り一方向へ移動させながら、非接触変位計１１０により
リードフレーム面の変位σ１を測定する。図１（ｂ）
は、このときのリードフレーム（試料）１８０の動作と
非接触変位計１１０のみを示したもので、図１（ｂ）の
点線で示す、略水平の方向にこのまま、矢印の向きにリ
ードフレーム（試料）１８０を移動させる。このように
して、図１（ｂ）で矢印の方向にリードフレーム１８０
を移動させながら、非接触変位計による測定を続ける
と、その測定された変位量σ１のデータは、図１（ｃ）
のようになる。精度よく、リードフレーム１８０の面を
水平に保持移動することは難しいため、一般にはリード
フレーム１８０の非めっき部（リードフレーム素材部）
１８１の面、めっき部１８０Ｂの面の測定データは、図
１（ｃ）に示すように、斜めになる。この為、非めっき
部１８０Ａの測定データ（直線部Ｌ１）を延長し、めっ
き部１８０Ｂの測定データ（直線部Ｌ２）との段差Ｌ１
２を求め、これをめっき膜厚ｔ０とする。言うまでもな
く、めっき部１８０Ｂの測定データ（直線部Ｌ２）を延
長し、非めっき部１８０Ａの測定データ（直線部Ｌ１）
との段差を求めても良い。
膜厚測定方法を図に基づいて説明する。先ず、本発明の
実施の形態の第１の例を図１にもとづいて説明する。図
１（ａ）は、第１の例を実施するための測定装置の概略
構成図で、図１（ｂ）は図１（ａ）における測定装置に
おける試料（リードフレーム）の動作と測定との関係を
説明する図で、図１（ｃ）は測定結果を示した概略図で
ある。図１中、１１０は非接触変位計、１２０は演算
部、１３０はＸＹステージ、１４０は保持台、１８０は
リードフレーム（試料）、１８０Ａは非めっき部（リー
ドフレーム素材部）、１８０Ｂはめっき部、ｔ０はめっ
き膜厚、Ｌ１、Ｌ２は直線部、Ｌ１２は段差、σ１は変
位量である。先ず、めっきを施したリードフレーム（試
料）１８０を図１（ａ）に示すように、保持台１４０に
載置する。そして、保持台１４０にリードフレーム１８
０を固定した状態で、保持台とともにＸＹステージによ
り一方向へ移動させながら、非接触変位計１１０により
リードフレーム面の変位σ１を測定する。図１（ｂ）
は、このときのリードフレーム（試料）１８０の動作と
非接触変位計１１０のみを示したもので、図１（ｂ）の
点線で示す、略水平の方向にこのまま、矢印の向きにリ
ードフレーム（試料）１８０を移動させる。このように
して、図１（ｂ）で矢印の方向にリードフレーム１８０
を移動させながら、非接触変位計による測定を続ける
と、その測定された変位量σ１のデータは、図１（ｃ）
のようになる。精度よく、リードフレーム１８０の面を
水平に保持移動することは難しいため、一般にはリード
フレーム１８０の非めっき部（リードフレーム素材部）
１８１の面、めっき部１８０Ｂの面の測定データは、図
１（ｃ）に示すように、斜めになる。この為、非めっき
部１８０Ａの測定データ（直線部Ｌ１）を延長し、めっ
き部１８０Ｂの測定データ（直線部Ｌ２）との段差Ｌ１
２を求め、これをめっき膜厚ｔ０とする。言うまでもな
く、めっき部１８０Ｂの測定データ（直線部Ｌ２）を延
長し、非めっき部１８０Ａの測定データ（直線部Ｌ１）
との段差を求めても良い。
【０００８】非接触変位計１１０としては、例えば、図
３に示す三角測量式レーザ変位計が挙げられる。図３に
示す三角測量式レーザ変位計の変位測定原理を簡単に説
明する。この変位計３００においては、透光レンズ３３
０を介して試料３８０に照射された反射光が、試料３８
０の面が基準位置Ａ０にあるとき受光レンズ３５０を介
して光位置検出素子３６０の基準の位置にＳ０に到達す
るようになっており、且つ、試料３８０の面が基準位置
Ａ０からずれたＡ１位置にあるとき、これにともない、
試料面Ａ１からの反射光は、光位置検出素子３６０のの
基準の位置Ｓ０から所定の距離だけずれた位置Ｓ１へ到
達するようになっており、同様に、試料３８０の面が基
準位置Ａ０からずれたＡ２位置にあるとき、これにとも
ない、試料面Ａ２からの反射光は、光位置検出素子３６
０のの基準の位置Ｓ０から所定の距離だけずれた位置Ｓ
２へ到達するようになっている。即ち、光位置検出素子
における光到達位置と試料面の位置とが対応がとれるよ
うになっている。このため、光位置検出素子における光
到達位置を検出することにより、試料面の位置を検出が
できるものである。尚、図３中、３００は変位計、３１
０は半導体レーザ駆動回路、３２０は半導体レーザ（発
光素子）、３３０は透光レンズ、３４０はレーザ光、３
４５は反射光、３５０受光レンズ、３６０は光位置検出
素子（光センサー部）、３７０信号増幅回路、３８０は
試料、Ａ０、Ａ１、Ａ２は試料面、Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２は
光位置検出素子（光センサー部）の光到達位置である。
３に示す三角測量式レーザ変位計が挙げられる。図３に
示す三角測量式レーザ変位計の変位測定原理を簡単に説
明する。この変位計３００においては、透光レンズ３３
０を介して試料３８０に照射された反射光が、試料３８
０の面が基準位置Ａ０にあるとき受光レンズ３５０を介
して光位置検出素子３６０の基準の位置にＳ０に到達す
るようになっており、且つ、試料３８０の面が基準位置
Ａ０からずれたＡ１位置にあるとき、これにともない、
試料面Ａ１からの反射光は、光位置検出素子３６０のの
基準の位置Ｓ０から所定の距離だけずれた位置Ｓ１へ到
達するようになっており、同様に、試料３８０の面が基
準位置Ａ０からずれたＡ２位置にあるとき、これにとも
ない、試料面Ａ２からの反射光は、光位置検出素子３６
０のの基準の位置Ｓ０から所定の距離だけずれた位置Ｓ
２へ到達するようになっている。即ち、光位置検出素子
における光到達位置と試料面の位置とが対応がとれるよ
うになっている。このため、光位置検出素子における光
到達位置を検出することにより、試料面の位置を検出が
できるものである。尚、図３中、３００は変位計、３１
０は半導体レーザ駆動回路、３２０は半導体レーザ（発
光素子）、３３０は透光レンズ、３４０はレーザ光、３
４５は反射光、３５０受光レンズ、３６０は光位置検出
素子（光センサー部）、３７０信号増幅回路、３８０は
試料、Ａ０、Ａ１、Ａ２は試料面、Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２は
光位置検出素子（光センサー部）の光到達位置である。
【０００９】非接触変位計１１０としては、図３に示す
三角測量式レーザ変位計３００には、特に限定はされな
く、他には図４に示すような共焦点式レーザ変位計４０
０も知られている。図４に示す変位計４００は、簡単に
は、対物レンズ４３０を図４の上下方向に移動させ（振
動させ）、受光素子４５０の強度が最大になる位置を音
叉位置検出センサ等の位置検出センサ４６０を用いて検
出するもので、試料面４８０の位置変化（変位変化）に
合わせ、受光素子４５０の強度が最大になる位置を用い
て検出する。そして、対物レンズ４３０の位置移動距離
をもとに、試料面の変位を求めるものである。図４にお
いては、試料面がＢ０のとき、対物レンズ４３０の位置
がＬ０のとき受光素子４５０の光強度が最大になり、試
料面がＢ１のとき、対物レンズ４３０の位置がＬ１のと
き受光素子４５０の光強度が最大になり、試料面がＢ２
のとき、対物レンズ４３０の位置がＬ２のとき受光素子
４５０の光強度が最大になる。即ち、例えば、対物レン
ズ４３０のＬ０位置、試料のＢ０位置を基準としておけ
ば、レンズがＬ０からどれだけずれた位置にある場合に
は、試料面はどれだけＢ０からずれるかが分かる。ＣＣ
Ｄカメラ４８０は、試料を観察するためのものである。
尚、図４中、４００は変位計、４１０は半導体レーザ
（発光素子）、４１５はレーザ光、４２０はコリメータ
レンズ、４３０は対物レンズ、４４０、４４５はハーフ
ミラー、４５０は受光素子、４５５はピンホールスリッ
ト、４５７はアンプ、４５０Ｓは受光素子出力、４６０
は位置検出センサ、４６７はアンプ、４６０Ｓは位置検
出センサ出力、４８０はＣＣＤカメラ、４８０ＳはＣＣ
Ｄカメラ出力である。
三角測量式レーザ変位計３００には、特に限定はされな
く、他には図４に示すような共焦点式レーザ変位計４０
０も知られている。図４に示す変位計４００は、簡単に
は、対物レンズ４３０を図４の上下方向に移動させ（振
動させ）、受光素子４５０の強度が最大になる位置を音
叉位置検出センサ等の位置検出センサ４６０を用いて検
出するもので、試料面４８０の位置変化（変位変化）に
合わせ、受光素子４５０の強度が最大になる位置を用い
て検出する。そして、対物レンズ４３０の位置移動距離
をもとに、試料面の変位を求めるものである。図４にお
いては、試料面がＢ０のとき、対物レンズ４３０の位置
がＬ０のとき受光素子４５０の光強度が最大になり、試
料面がＢ１のとき、対物レンズ４３０の位置がＬ１のと
き受光素子４５０の光強度が最大になり、試料面がＢ２
のとき、対物レンズ４３０の位置がＬ２のとき受光素子
４５０の光強度が最大になる。即ち、例えば、対物レン
ズ４３０のＬ０位置、試料のＢ０位置を基準としておけ
ば、レンズがＬ０からどれだけずれた位置にある場合に
は、試料面はどれだけＢ０からずれるかが分かる。ＣＣ
Ｄカメラ４８０は、試料を観察するためのものである。
尚、図４中、４００は変位計、４１０は半導体レーザ
（発光素子）、４１５はレーザ光、４２０はコリメータ
レンズ、４３０は対物レンズ、４４０、４４５はハーフ
ミラー、４５０は受光素子、４５５はピンホールスリッ
ト、４５７はアンプ、４５０Ｓは受光素子出力、４６０
は位置検出センサ、４６７はアンプ、４６０Ｓは位置検
出センサ出力、４８０はＣＣＤカメラ、４８０ＳはＣＣ
Ｄカメラ出力である。
【００１０】次に、本発明の実施の形態の第２の例を図
２にもとづいて説明する。図２（ａ）は、第２の例を実
施するための膜厚測定装置の概略構成図で、図２（ｂ）
は図２（ａ）における測定装置における試料（リードフ
レーム）の動作と測定との関係を説明する図で、図２
（ｃ）はめっき膜厚の求め方を説明するための図であ
る。図２中、２１０、２１５は非接触変位計、２２０は
演算部、２３０はＸＹステージ、２４０は保持台、２８
０はリードフレーム（試料）、２８０Ａは非めっき部
（リードフレーム素材部）、２８０Ｂはめっき部、ｔ１
はめっき膜厚、Ｌ３〜Ｌ６は直線部、Ｌ３４、Ｌ５６は
段差、σ２〜σ３は変位量である。先ず、めっきを施し
たリードフレーム（試料）２８０を図２（ａ）に示すよ
うに、保持台２４０に載置する。そして、保持台２４０
にリードフレーム２８０を固定した状態で、保持台とと
もにＸＹステージにより一方向へ移動させながら、非接
触変位計２１０、２１５によりリードフレームの表裏か
らリードフレーム面の変位σ２、σ３を測定する。図２
（ｂ）は、このときのリードフレーム（試料）２８０の
動作と非接触変位計２１０、２１５のみを示したもの
で、図２（ｂ）の点線で示す、略水平の方向にこのま
ま、矢印の向きにリードフレーム（試料）２８０を移動
させる。このようにして、図２（ｂ）で矢印の方向にリ
ードフレーム２８０を移動させながら、非接触変位計２
１０、２１５による測定を続けると、その測定された変
位量σ２、σ３のデータは、それぞれ図２（ｃ）
（イ）、図２（ｃ）（ロ）のようになる。精度よく、リ
ードフレーム２８０の面を水平に保持移動することは難
しいため、一般にはリードフレーム２８０の非めっき部
（リードフレーム素材部）２８１の面、めっき部２８０
Ｂの面の測定データは、図２（ｃ）（イ）、図２（ｃ）
（ロ）に示すように、斜めになる。図２（ｃ）（イ）、
図２（ｃ）（ロ）に示す測定データは、それぞれ、移動
方向による、水平移動した場合からのずれ量を含んだデ
ータであるが、その影響は互いに逆の変位量として変位
データに組み込まれている。即ち、リードフレーム素材
面はともに、略平行として扱うことができるため、図２
（ｂ）に示すリードフレームの一面のみにめっき膜厚を
施してある場合には、図２（ｃ）（イ）に示す測定デー
タは、リードフレームを水平移動した場合の変位量（求
める変位量）と前記ずれ量とを加算したもので、図２
（ｃ）（ロ）に示す測定データは前記ずれ量をのみ示し
たものとなる。これより、図２（ｃ）（イ）に示す測定
データと図２（ｃ）（ロ）に示す測定データとを加算す
ることにより、図２（ｃ）（ハ）に示すように、前記ず
れ量の影響を除いたデータσ４を得ることができる。更
に、図２（ｃ）（ハ）に示すデータのめっき部のデータ
値を全域のデータから減算する処理（減算後のデータを
σ５とする）を行い、図２（ｃ）（ニ）に示すめっき部
の膜厚ｔ１を示したデータを得ることができる。
２にもとづいて説明する。図２（ａ）は、第２の例を実
施するための膜厚測定装置の概略構成図で、図２（ｂ）
は図２（ａ）における測定装置における試料（リードフ
レーム）の動作と測定との関係を説明する図で、図２
（ｃ）はめっき膜厚の求め方を説明するための図であ
る。図２中、２１０、２１５は非接触変位計、２２０は
演算部、２３０はＸＹステージ、２４０は保持台、２８
０はリードフレーム（試料）、２８０Ａは非めっき部
（リードフレーム素材部）、２８０Ｂはめっき部、ｔ１
はめっき膜厚、Ｌ３〜Ｌ６は直線部、Ｌ３４、Ｌ５６は
段差、σ２〜σ３は変位量である。先ず、めっきを施し
たリードフレーム（試料）２８０を図２（ａ）に示すよ
うに、保持台２４０に載置する。そして、保持台２４０
にリードフレーム２８０を固定した状態で、保持台とと
もにＸＹステージにより一方向へ移動させながら、非接
触変位計２１０、２１５によりリードフレームの表裏か
らリードフレーム面の変位σ２、σ３を測定する。図２
（ｂ）は、このときのリードフレーム（試料）２８０の
動作と非接触変位計２１０、２１５のみを示したもの
で、図２（ｂ）の点線で示す、略水平の方向にこのま
ま、矢印の向きにリードフレーム（試料）２８０を移動
させる。このようにして、図２（ｂ）で矢印の方向にリ
ードフレーム２８０を移動させながら、非接触変位計２
１０、２１５による測定を続けると、その測定された変
位量σ２、σ３のデータは、それぞれ図２（ｃ）
（イ）、図２（ｃ）（ロ）のようになる。精度よく、リ
ードフレーム２８０の面を水平に保持移動することは難
しいため、一般にはリードフレーム２８０の非めっき部
（リードフレーム素材部）２８１の面、めっき部２８０
Ｂの面の測定データは、図２（ｃ）（イ）、図２（ｃ）
（ロ）に示すように、斜めになる。図２（ｃ）（イ）、
図２（ｃ）（ロ）に示す測定データは、それぞれ、移動
方向による、水平移動した場合からのずれ量を含んだデ
ータであるが、その影響は互いに逆の変位量として変位
データに組み込まれている。即ち、リードフレーム素材
面はともに、略平行として扱うことができるため、図２
（ｂ）に示すリードフレームの一面のみにめっき膜厚を
施してある場合には、図２（ｃ）（イ）に示す測定デー
タは、リードフレームを水平移動した場合の変位量（求
める変位量）と前記ずれ量とを加算したもので、図２
（ｃ）（ロ）に示す測定データは前記ずれ量をのみ示し
たものとなる。これより、図２（ｃ）（イ）に示す測定
データと図２（ｃ）（ロ）に示す測定データとを加算す
ることにより、図２（ｃ）（ハ）に示すように、前記ず
れ量の影響を除いたデータσ４を得ることができる。更
に、図２（ｃ）（ハ）に示すデータのめっき部のデータ
値を全域のデータから減算する処理（減算後のデータを
σ５とする）を行い、図２（ｃ）（ニ）に示すめっき部
の膜厚ｔ１を示したデータを得ることができる。
【００１１】第２の例においても、非接触変位計１１０
として、図３に示す三角測量式レーザ変位計３００や、
図４に示すような共焦点式レーザ変位計４００が使用で
きるが、これに限定はされない。
として、図３に示す三角測量式レーザ変位計３００や、
図４に示すような共焦点式レーザ変位計４００が使用で
きるが、これに限定はされない。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、上記のように、比較的簡単
に、速く、安価に、非接触にてめっき膜厚を測定でき
る、リードフレームのめっき膜厚測定方法の提供を可能
としている。
に、速く、安価に、非接触にてめっき膜厚を測定でき
る、リードフレームのめっき膜厚測定方法の提供を可能
としている。
【図１】本発明の実施形態の第１の例を説明するための
図
図
【図２】本発明の実施形態の第２の例を説明するための
図
図
【図３】三角測量式レーザ変位計の概略図
【図４】共焦点式レーザ変位計の概略図
【図５】従来のＸ線螢光測定による膜厚測定方法を説明
するための図
するための図
【図６】ＱＦＰタイプの半導体装置とリードフレームの
図
図
１１０ 非接触変位計 １２０ 演算部 １３０ ＸＹステージ １４０ 保持台 １８０ リードフレーム（試料） １８０Ａ 非めっき部（リードフレ
ーム素材部） １８０Ｂ めっき部 ｔ０、ｔ１ めっき膜厚 Ｌ１〜Ｌ６ 直線部 Ｌ１２、Ｌ３４、Ｌ５６ 段差 σ１〜σ３ 変位量 ２１０、２１５ 非接触変位計 ２２０ 演算部 ２３０ ＸＹステージ ２４０ 保持台 ２８０ リードフレーム（試料） ２８０Ａ 非めっき部（リードフレ
ーム素材部） ２８０Ｂ めっき部 ３００ 変位計 ３１０ 半導体レーザ駆動回路 ３２０ 半導体レーザ（発光素
子） ３３０ 透光レンズ ３４０ レーザ光 ３４５ 反射光 ３５０ 受光レンズ ３６０ 光位置検出素子（光セン
サー部） ３７０、３７５ アンプ ３８０ 試料 Ａ０、Ａ１、Ａ２ 試料面 Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２ 光到達位置 ４００ 変位計 ４１０ 半導体レーザ（発光素
子） ４１５ レーザ光 ４２０ コリメータレンズ ４３０ 対物レンズ ４４０、４４５０は ハーフミラー ４５０ 受光素子 ４５５ ピンホールスリット ４５７、４６７ アンブ ４５０Ｓ 受光素子出力 ４６０ 位置検出センサ ４６０Ｓ 位置検出センサ出力 ４８０ ＣＣＤカメラ ４８０Ｓ ＣＣＤカメラ出力 ５１０ Ｘ線 ５２０ Ｘ線螢光 ５３０ 検出部 ５８０ 試料 ５８１ 試料素材 ５８２ めっき膜 ６１０ 単層リードフレーム ６１１ ダイパッド ６１２ インナーリード ６１３ アウターリード ６１４ ダムバー ６１５ 吊りバー ６１６ フレーム（枠部） ６２０ 半導体素子 ６２１ 端子（電極パッド） ６３０ ワイヤ ６４０ 樹脂
ーム素材部） １８０Ｂ めっき部 ｔ０、ｔ１ めっき膜厚 Ｌ１〜Ｌ６ 直線部 Ｌ１２、Ｌ３４、Ｌ５６ 段差 σ１〜σ３ 変位量 ２１０、２１５ 非接触変位計 ２２０ 演算部 ２３０ ＸＹステージ ２４０ 保持台 ２８０ リードフレーム（試料） ２８０Ａ 非めっき部（リードフレ
ーム素材部） ２８０Ｂ めっき部 ３００ 変位計 ３１０ 半導体レーザ駆動回路 ３２０ 半導体レーザ（発光素
子） ３３０ 透光レンズ ３４０ レーザ光 ３４５ 反射光 ３５０ 受光レンズ ３６０ 光位置検出素子（光セン
サー部） ３７０、３７５ アンプ ３８０ 試料 Ａ０、Ａ１、Ａ２ 試料面 Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２ 光到達位置 ４００ 変位計 ４１０ 半導体レーザ（発光素
子） ４１５ レーザ光 ４２０ コリメータレンズ ４３０ 対物レンズ ４４０、４４５０は ハーフミラー ４５０ 受光素子 ４５５ ピンホールスリット ４５７、４６７ アンブ ４５０Ｓ 受光素子出力 ４６０ 位置検出センサ ４６０Ｓ 位置検出センサ出力 ４８０ ＣＣＤカメラ ４８０Ｓ ＣＣＤカメラ出力 ５１０ Ｘ線 ５２０ Ｘ線螢光 ５３０ 検出部 ５８０ 試料 ５８１ 試料素材 ５８２ めっき膜 ６１０ 単層リードフレーム ６１１ ダイパッド ６１２ インナーリード ６１３ アウターリード ６１４ ダムバー ６１５ 吊りバー ６１６ フレーム（枠部） ６２０ 半導体素子 ６２１ 端子（電極パッド） ６３０ ワイヤ ６４０ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 試料の一面側または両面側に非接触変位
計を配し、試料表面の変位を測定し、得られた変位デー
タから、めっき部分と非めっき部分の段差を求め、これ
をめっき膜厚とすることを特徴とするリードフレームの
めっき膜厚測定方法。 - 【請求項２】 請求項１において、試料の表裏両面に非
接触変位計を配し、得られた表裏面の変位データの加算
データをとり、これをもとに、めっき部分と非めっき部
分の段差を求めることを特徴とするリードフレームのめ
っき膜厚測定方法。 - 【請求項３】 請求項１ないし２における非接触変位計
が、三角測量式レーザ変位計であることを特徴とするリ
ードフレームのめっき膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13919297A JPH10318740A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | リードフレームのめっき膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13919297A JPH10318740A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | リードフレームのめっき膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10318740A true JPH10318740A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15239706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13919297A Withdrawn JPH10318740A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | リードフレームのめっき膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10318740A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030041724A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | 주식회사 포스코 | 레이저와 미니엑스레이를 이용한 휴대용 도금량 측정장치 |
| KR100780257B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2007-11-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 연마 방법, 연마 장치, 도금 방법 및 도금 장치 |
| JP2011185630A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Kanto Auto Works Ltd | シーラー塗布形状監視装置 |
| JP2013072860A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 厚さ測定方法および測定装置 |
| CN104007622A (zh) * | 2013-03-18 | 2014-08-27 | 哈尔滨工业大学 | 一种掩模台垂直运动分量的测量方法 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP13919297A patent/JPH10318740A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780257B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2007-11-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 연마 방법, 연마 장치, 도금 방법 및 도금 장치 |
| KR20030041724A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | 주식회사 포스코 | 레이저와 미니엑스레이를 이용한 휴대용 도금량 측정장치 |
| JP2011185630A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Kanto Auto Works Ltd | シーラー塗布形状監視装置 |
| JP2013072860A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 厚さ測定方法および測定装置 |
| CN104007622A (zh) * | 2013-03-18 | 2014-08-27 | 哈尔滨工业大学 | 一种掩模台垂直运动分量的测量方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |