JPH10306060A - サリチル酸エステル誘導体およびそれを用いた芳香族ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、下記式（１） で表わされるポリカーボネートの末端封止剤または重合
促進剤として有効な特定のサリチル酸エステル誘導体に
含まれる不純物濃度を特定値以下にすることにより、該
化合物を末端封止剤または重合促進剤として用いて末端
封止反応速度または重合促進反応速度を損なうことな
く、さらには色調が良好なポリカーボネートを得ること
ができる。 【解決手段】 サリチル酸エステル誘導体の塩素含量を
１０００ｐｐｍ以下とする。さらにサリチル酸エステル
誘導体の窒素量、アルカリ金属、鉄分、クロム分、ニッ
ケル分等の不純物量を特定値以下とすることが好まし
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は含まれる不純物濃度
を特定値以下とするサリチル酸エステル誘導体に関する
ものであり、さらに詳しくは、これを芳香族ポリカーボ
ネートの製造プロセスにおける末端封止剤または重合促
進剤として用いることを特徴とする芳香族ポリカーボネ
ートの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネートは、耐衝撃性などの機
械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れて
おり、広く用いられている。とくにビスフェノールＡ
（２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン）
を繰り返し単位にもつポリカーボネートは、コンパクト
ディスクやＣＤ−ＲＯＭなどの光学メディア用途を中心
に、近年その需要が急増している。

【０００３】このようなポリカーボネートの製造方法と
しては、ビスフェノールＡなどの芳香族ジオールにホス
ゲンを直接反応させる方法（界面重合法）、あるいは芳
香族ジオールとジフェニルカーボネートなどのジアリル
カーボネートとを溶融状態でエステル交換反応（溶融
法）させる方法などが知られている。

【０００４】このような製造法のなかで、溶融法は界面
重合法による製造に比べて、有毒なホスゲンやメチレン
クロライド等のハロゲン化合物を溶媒として使用する問
題がなく、安価に製造できる利点があり、将来有望であ
ると考えられる。

【０００５】この溶融法により製造されるポリカーボネ
ートにおいては、その末端基の構造を制御することによ
り、得られるポリマーの物性を向上せしめるいくつかの
例が開示されている。

【０００６】例えば特公平７―３９４８３号公報および
特開平６―１５７７３９号公報には、下記式（２）で表
わされる特定の化合物（炭素数１７〜５０の炭酸ジエス
テル類）

【０００７】

【化２】

【０００８】［ここで、Ｒ_xは炭素数３〜３６の炭化水
素基を表わす。］または、下記式（３）

【０００９】

【化３】

【００１０】［ここで、Ｒ_Yは炭素数１〜３０の炭化水
素基、Ｒ_zは炭素数１から２０の炭化水素基である。］
を用いて封止することが記載されている。しかしながら
上記公報においては、末端封止剤として用いられるこれ
らの化合物に関して、末端封止反応速度や得られたポリ
マーの色調に対する封止剤中の不純物濃度の影響につい
てはなんら開示されていない。

【００１１】これらの炭酸ジエステル類を合成する方法
としては、たとえば特開昭５２−１１１５４０号公報に
開示されているように、下記一般式（４）

【００１２】

【化４】

【００１３】（式中Ｒはフェニル基またはベンジル基）
で表されるクロルフォルメートと、一般式（５）

【００１４】

【化５】Ｒ−ＯＨ ・・・（５）

【００１５】で表されるアルコール類をアミンのような
塩基の存在下カップリングすることにより得る方法が知
られている。

【００１６】この方法で合成を行うと、原料に塩素や窒
素が大量に存在するため、合成条件や精製法によっては
得られる炭酸ジエステルに塩素や窒素不純物が混入する
恐れがある。

【００１７】これらの不純物を多く含んだ炭酸ジエステ
ルをポリカーボネートの末端封止剤として用いた場合
は、反応がうまく進行せず、また得られたポリマーの色
相が悪くなる等の問題点があった。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリカーボ
ネートの末端封止剤または重合促進剤として有効な特定
のサリチル酸エステル誘導体に含まれる不純物の含量を
特定値以下にすることにより、該化合物を末端封止剤ま
たは重合促進剤として用いて末端封止反応速度または重
合促進反応速度を損なうことなく、さらに色調が良好な
ポリカーボネートを得ることを目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、ポリカーボネ
ートの末端封止剤または重合促進剤として有効な特定の
サリチル酸エステル誘導体に関して、化合物中に含まれ
る不純物濃度を特定値以下に低減した化合物を開示して
いる。

【００２０】ここで、特定のサリチル酸エステル誘導体
化合物とは下記式（１）

【００２１】

【化６】

【００２２】（式中、Ｒ₁はメチル基またはエチル基で
あり、Ｘは炭素数１から３０のアルキル基、炭素数１か
ら３０のアルコキシ基、炭素数６から３０のアリール
基、または炭素数６から３０のアリールオキシ基を表わ
す。） ［ここで炭素数１から３０のアルキル基および炭素数１
から３０のアルコキシ基は２−（メトキシカルボニル）
フェニルオキシカルボニル基、２−（エトキシカルボニ
ル）フェニルオキシカルボニル基、２−（メトキシカル
ボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ基、２−（エ
トキシカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ基
で置換されていても良く、また、炭素数６から３０のア
リール基および炭素数６から３０のアリールオキシ基
は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２
−（メトキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル
基、２−（メトキシカルボニル）フェニルオキシカルボ
ニル基、炭素数１から３０のアルキル基、炭素数１から
３０のアルコキシ基、炭素数７から３０のアラルキル基
で置換されていても良い］で表される化合物のことをい
う。

【００２３】炭素数１から３０のアルキル基とは直鎖状
であっても分岐状であっても環状であっても不飽和基を
含んでいても良い。このようなアルキル基としては、た
とえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−ラウリル基、ｎ−ステアリル
基、ｎ−ドコサニル基、ｎ−テトラコサニル基などの直
鎖状アルキル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基などの
分岐状アルキル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル
基、ヘキセニル基、ドデセニル基などの不飽和アルキル
基、シクロヘキシル基などの環状アルキル基などが挙げ
られる。

【００２４】炭素数１から３０のアルコキシ基とは直鎖
状であっても分岐状であっても環状であっても不飽和基
を含んでいても良い。このようなアルコキシ基として
は、たとえばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オク
チルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−ステアリルオ
キシ基、ｎ−ドコサニルオキシ基、ｎ−テトラコサニル
オキシ基などの直鎖状アルコキシ基、イソプロピルオキ
シ基などの分岐状アルコキシ基、アリルオキシ基、ブテ
ニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、ヘキセニルオキシ
基、ドデセニルイキシ基などの不飽和アルコキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基などの環状アルキルオキシ基など
が挙げられる。

【００２５】上記アルキル基、アルコキシ基は、下記式
（６）で表わされる（２−メトキシカルボニル）フェニ
ルオキシカルボニル基

【００２６】

【化７】

【００２７】や、下記式（７）で表わされる（２−エト
キシカルボニル）フェニルオキシカルボニル基

【００２８】

【化８】

【００２９】や、下記式（８）で表わされる（２−メト
キシカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ基

【００３０】

【化９】

【００３１】および、下記式（９）で表わされる（２−
エトキシカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ
基

【００３２】

【化１０】

【００３３】で置換されていても良い。

【００３４】炭素数６から３０のアリール基とは、たと
えばフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェ
ニル基などが挙げられる。

【００３５】炭素数６から３０のアリールオキシ基と
は、たとえばフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ア
ントラニルオキシ基、ビフェニルオキシ基などが挙げら
れる。

【００３６】上記アリール基、アリールオキシ基は（２
−メトキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル基
や、（２−エトキシカルボニル）フェニルオキシカルボ
ニル基、（２−メトキシカルボニル）フェニルオキシカ
ルボニルオキシ基、（２−エトキシカルボニル）フェニ
ルオキシカルボニルオキシ基、炭素数１から３０のアル
キル基、炭素数１から３０のアルコキシ基、炭素数７か
ら３０のアラルキル基で置換されていても良い。炭素数
１から３０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキ
シ基は前記した例と同様のものを挙げることができる。
炭素数７から３０のアラルキル基とは、具体的にはベン
ジル基、クミル基、２−フェニルエチル基、２−フェニ
ルプロピル基などをいう。

【００３７】これらのサリチル酸エステル誘導体の具体
例としては、２―メチルオキシカルボニルフェニル―メ
チルカーボネート、２―メチルオキシカルボニルフェニ
ル−ｎ−ブチルカーボネート、２―メチルオキシカルボ
ニルフェニル−ｎ−ヘキシルカーボネート、２―エチル
オキシカルボニルフェニル−ｎ−ノニルカーボネート、
２―メチルオキシカルボニルフェニル−ｎ−ステアリル
カーボネート、２―メチルオキシカルボニルフェニル―
フェニルカーボネート、２―エチルオキシカルボニルフ
ェニル―フェニルカーボネート、２―メチルオキシカル
ボニルフェニル―ｐ−ｔ−ブチルフェニルカーボネー
ト、２―エチルオキシカルボニルフェニル―ｐ−ｔ−ブ
チルフェニルカーボネート、２―メチルオキシカルボニ
ルフェニル―ｐ−クミルフェニルカーボネート、２―エ
チルオキシカルボニルフェニル―ｐ−クミルフェニルカ
ーボネート、ビス（２―メチルオキシカルボニルフェニ
ル）カーボネート、２―メチルオキシカルボニルフェニ
ルアセテート、２―メチルオキシカルボニルフェニル−
ｎ−ブチレート、２―メチルオキシカルボニルフェニル
−ｎ−ヘキシレート、２―エチルオキシカルボニルフェ
ニル−ｎ−ノニレート、２―メチルオキシカルボニルフ
ェニル−ｎ−ステアリン酸エステル、テレフタル酸ビス
（２―メチルオキシカルボニルフェニル）エステル、イ
ソフタル酸ビス（２―メチルオキシカルボニルフェニ
ル）エステル、テレフタル酸ビス（２―エチルオキシカ
ルボニルフェニル）エステル、イソフタル酸ビス（２―
エチルオキシカルボニルフェニル）エステル、コハク酸
ビス（２―メチルオキシカルボニルフェニル）エステ
ル、アジピン酸ビス（２―エチルオキシカルボニルフェ
ニル）エステル、１，４−ブタンジオールビス（２―エ
チルオキシカルボニルフェニル）カーボネート、および
１，１０−デカンジオールビス（２―エチルオキシカル
ボニルフェニル）カーボネートなどを挙げることができ
る。

【００３８】本発明のこれらのサリチル酸エステル誘導
体はいかなる有機合成反応によって製造してもかまわな
い。例えば、以下のような反応が挙げられる。

【００３９】下記式（１０）よりなるサリチル酸エステ
ル類と、

【００４０】

【化１１】

【００４１】［ここで、Ｒ₁は上記式（１）に同じ。］ 下記式（１１）よりなるクロロギ酸エステル類

【００４２】

【化１２】

【００４３】［ここで、Ｘは上記式（１）に同じ。］ または酸クロリド類とを、塩基性化合物の存在下にカッ
プリングする反応があげられる。酸クロリド類は上記サ
リチル酸エステル誘導体を生成する構造を有するジ塩化
アシル類や、ホスゲンの如き塩化カルボニルでもかまわ
ない。

【００４４】ここで塩基性化合物とは、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、重炭酸ナトリウムなどのアルカリ
金属化合物類、水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金
属化合物類、ピリジン、トリエチルアミン、ピペリジン
などのアミン類が挙げられる。

【００４５】溶媒にはジクロロメタン、キシレン、トル
エンなどの有機溶媒、またはこれらと水との２層系の溶
媒が用いられる。

【００４６】反応を効率よく進めるためのテトラメチル
アンモニウムクロリドの如き触媒を用いてもかまわな
い。

【００４７】また別の合成方法としては、上記式（１
０）のサリチル酸エステル類と下記式（１２）の炭酸ジ
エステルとを原料に用い、触媒の存在下、エステル交換
することにより製造する方法があげられる。

【００４８】

【化１３】

【００４９】（ここで、Ｒ₂は炭素数１から３０のアル
キル基、炭素数６から３０のアリール基であり、具体例
としては前記した例と同様のものを挙げることができ
る。）

【００５０】ここでいう触媒とは、エステル交換反応と
通常呼ばれる反応に用いられるものなら何でも良いが、
好ましくは４級アルキルアンモニウムのヒドロキシド、
アセテート、ボレートなどの４級アルキルアンモニウム
塩（アルキル基としては炭素数１から２０のものが通常
用いられる）類、銅や亜鉛、ランタン、バリウム、チタ
ン、スズといった金属の有機カルボン酸塩（例えば酢酸
銅や酢酸亜鉛）類、酸化物、アルコラート類、ジブチル
スズオキシドなどの有機金属酸化物、水酸化ナトリウム
などの水酸化アルカリ金属類といったものが用いられ
る。

【００５１】反応装置としては特に制限はないが、好ま
しくは撹拌機、環流塔がついたステンレス製の装置が好
ましく用いられ、反応温度は１００から３００度、好ま
しくは１５０度から２５０度で合成される。圧力は常圧
以下が好ましい。

【００５２】本発明で開示している特定の組成を有する
サリチル酸エステル誘導体の合成法は先に述べたよう
に、いかなる方法も利用できるが、その精製の過程で行
われるいくつかの方法によって、不純物含量の低減が計
られる。それらの方法については下記に示す説明により
明らかになろう。

【００５３】本発明では、上記サリチル酸エステル誘導
体中に含まれる塩素含量が特定値以下であることを特徴
としている。

【００５４】塩素含量としては、具体的には１０００ｐ
ｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下、さらに好まし
くは１０ｐｐｍ以下である。これよりも塩素が多いと、
上記サリチル酸エステル誘導体をポリカーボネートの末
端封止剤として用いた場合、末端封止反応速度が有意に
減少し、好ましくない。またこれよりも塩素窒素含量が
多いと、上記サリチル酸エステル誘導体をポリカーボネ
ートの末端封止剤として用いた場合、ポリマーの色相が
悪くなる。

【００５５】上記炭酸ジエステル中に含まれる塩素を低
減する方法としては、たとえば熱水で数回洗浄する方法
や、上記炭酸ジエステルを水と混合しない有機溶媒に溶
かし、これをｐＨが８以上の塩基性の水溶液で洗浄する
方法や、ハイドロタルサイトなどの塩素吸着剤を用いて
塩素を取り除く方法、さらにはイオン交換樹脂により塩
素を吸着する方法などが挙げられる。

【００５６】クロロフォーメート類とヒドロキシ化合物
とのカップリングにより上記サリチル酸エステル誘導体
を合成する場合は、未反応のクロロフォーメートを残さ
ないのが塩素を低減するのに有効である。これには、ヒ
ドロキシ化合物や塩素吸着に用いる塩基性化合物を過剰
に用いるのがよい。

【００５７】また上記サリチル酸エステル誘導体中に含
まれる窒素含量が特定値以下であることが好ましい。

【００５８】好ましい窒素含量は、１００ｐｐｍ以下、
さらに好ましくは３０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１
０ｐｐｍ以下である。これよりも窒素含量が多いと、上
記サリチル酸エステル誘導体をポリカーボネートの末端
封止剤として用いた場合、ポリマーの色相が悪くなる。

【００５９】上記炭酸ジエステル中に含まれる窒素含量
を低減する方法は、たとえば、中性の水（熱水）で洗浄
する方法、ｐＨが６以下の酸性水溶液で洗浄する方法、
酸性のイオン交換樹脂により取り除く方法などが挙げら
れる。

【００６０】また上記サリチル酸エステル誘導体中に含
まれるアルカリ金属含量が特定値以下であることが好ま
しい。ここでいうアルカリ金属とは、ナトリウム、カリ
ウムのことをいう。

【００６１】好ましいアルカリ金属含量は、１０ｐｐｍ
以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下、さらに好ましく
は２ｐｐｍ以下である。これよりもアルカリ金属含量が
多いと、上記サリチル酸エステル誘導体をポリカーボネ
ートの末端封止剤として用いるときに、反応に供するた
め加熱、溶融した段階で不均化反応をおこしてしまうこ
とがある。ここでいう不均化反応とは、以下に述べるス
キームにより炭酸ジエステルの化学構造が変化してしま
うことをいう。

【００６２】

【化１４】

【００６３】上記炭酸ジエステル中に含まれるアルカリ
金属を低減する方法は、たとえば、中性の水（熱水）で
洗浄する方法、クラウンエーテル等のアルカリ金属を包
摂する化合物を固定化した樹脂を用いてアルカリ金属を
とりのぞく方法などが挙げられる。

【００６４】また上記サリチル酸エステル誘導体中に含
まれる鉄分含量が特定値以下であることが好ましい。好
ましい鉄分含量としては、３ｐｐｍ以下、さらに好まし
くは１ｐｐｍ以下、さらに好ましくは０．７ｐｐｍ以下
である。これよりも鉄分含量が多いと、上記サリチル酸
エステル誘導体をポリカーボネートの末端封止剤として
用いた際に、ポリマーの色相が悪くなる。

【００６５】上記炭酸ジエステル中に含まれる鉄分を低
減する方法としては、たとえば、中性の水（熱水）で洗
浄する方法、イオン交換樹脂を用いて除去する方法、エ
チレンジアミン４酢酸などの金属キレート化剤を含む水
溶液で洗浄する方法などが挙げられる。

【００６６】また上記サリチル酸エステル誘導体中に含
まれるクロム分含量が特定値以下であることが好まし
い。好ましいクロム分含量としては、１ｐｐｍ以下、さ
らに好ましくは０．７ｐｐｍ以下、さらに好ましくは
０．５ｐｐｍ以下である。これよりもクロム分含量が多
いと、上記サリチル酸エステル誘導体をポリカーボネー
トの末端封止剤として用いると、ポリマーの色相が悪く
なる。

【００６７】上記炭酸ジエステル中に含まれるクロム分
を低減する方法としては、たとえば、中性の水（熱水）
で洗浄する方法、イオン交換樹脂を用いる方法、エチレ
ンジアミン４酢酸などの金属キレート化剤を含む水溶液
で洗浄する方法などが挙げられる。

【００６８】また上記サリチル酸エステル誘導体中に含
まれるニッケル分含量が特定値以下であることが好まし
い。好ましいニッケル分含量としては、２ｐｐｍ以下、
さらに好ましくは１．５ｐｐｍ以下、さらに好ましくは
１ｐｐｍ以下である。これよりもニッケル分含量が多い
と、上記サリチル酸エステル誘導体をポリカーボネート
の末端封止剤として用いると、ポリマーの色相が悪くな
る。

【００６９】上記炭酸ジエステル中に含まれるニッケル
分を低減する方法は、たとえば、中性の水（熱水）で洗
浄する方法、イオン交換樹脂を用いる方法、エチレンジ
アミン４酢酸などの金属キレート化剤を含む水溶液で洗
浄する方法などが挙げられる。

【００７０】本発明では、上記に記載した不純物の含量
を特定値以下とするサリチル酸エステル誘導体を、末端
封止剤または重合促進剤として使用することにより、末
端封止反応速度または重合促進反応速度を損なうことな
く、色調が良好な色相の良いポリカーボネートを製造す
ることができる。

【００７１】ここでいう末端封止反応とは、溶融法によ
りポリカーボネートを重合した後に、ポリマーの末端基
に含まれる水酸基をカーボネート結合またはエステル結
合により封止することをいう。具体的には、ポリカーボ
ネートの重縮合反応を十分に進めた後に、本発明で開示
しているサリチル酸エステル誘導体組成物を用いて末端
封止反応を行うことができる。

【００７２】末端封止を行うポリカーボネートの分子量
は、通常、塩化メチレン中２０℃におけるポリマーの固
有粘度［η］が０．２以上であり、好ましくは０．２５
から０．６、さらに好ましくは０．３から０．５であ
る。

【００７３】末端封止剤の添加方法に関しては特に制限
はなく、固体のまま添加しても、各種溶剤に溶解してか
ら添加してもよい。また、末端封止剤は重縮合反応が実
質的に終了した段階以後であれば、一度に所定量をまと
めて添加しても、何度かに分けて添加してもかまわな
い。

【００７４】本発明における末端封止剤の添加量は、重
縮合反応が実質的に終了した段階におけるポリマーの末
端水酸基に対して０．１〜１０倍モル、好ましくは０．
３〜５倍モル、さらに好ましくは０．５〜２倍モルであ
る。

【００７５】本発明において、末端封止剤を添加すると
きの圧力条件としては、反応により生成するフェノール
類を除去すべく減圧条件が好ましい。具体的には１３
３．３２ｈＰａ（１００Ｔｏｒｒ）以下、好ましくは６
６．６６ｈＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以下、さらに好ましく
は１３．３３２ｈＰａ（１０Ｔｏｒｒ）以下である。通
常は１．３３３２Ｐａ〜１３３．３２ｈＰａ（０．０１
〜１００Ｔｏｒｒ）の範囲で実施することが好ましい。

【００７６】本発明における末端封止剤添加後の反応温
度は、通常２５０〜３６０℃、好ましくは２６０〜３４
０℃の範囲であり、この範囲よりも低い温度ではポリマ
ーが溶融せず、この範囲よりも高い温度ではポリマーが
分解、着色してしまうことがある。

【００７７】末端封止反応の圧力条件としては、常圧で
もよいが、反応により生成するフェノール類を除去する
ため、減圧条件が好ましい。好ましくは１３３．３２ｈ
Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下であり、さらに好ましくは
１３．３３２ｈＰａ（１０Ｔｏｒｒ）以下であり、より
好ましくは１．３３３２ｈＰａ（１Ｔｏｒｒ）以下であ
る。反応時間としては、通常１〜３０分、好ましくは１
〜２０分であり、所望により１〜１５分でも可能であ
る。

【００７８】また、重合促進反応とは、上記サリチル酸
エステル誘導体を用いて、ポリカーボネートの水酸基末
端どうしを結合し、重合度を高めることをいう。

【００７９】重合促進剤の添加方法に関しては特に制限
はなく、固体のまま添加しても、各種溶剤に溶解してか
ら添加してもよい。また、重合促進剤は一度に所定量を
まとめて添加しても、何度かに分けて添加してもかまわ
ない。

【００８０】重合促進剤が供給される供給器および重合
促進反応を行う反応器には、特に制限はない。

【００８１】本発明における重合促進剤の添加量として
は、プレポリマーの末端水酸基に対して０．０１〜１倍
モル、好ましくは０．０３〜０．７倍モル、さらに好ま
しくは０．０５〜０．５倍モル加えることができる。

【００８２】本発明において、重合促進剤を添加すると
きの圧力条件としては、反応により生成するフェノール
類を除去すべく減圧条件が好ましい。具体的には１３
３．３２ｈＰａ（１００Ｔｏｒｒ）以下、好ましくは６
６．６６ｈＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以下、さらに好ましく
は１３．３３２ｈＰａ（１０Ｔｏｒｒ）以下である。通
常は１．３３３２Ｐａ〜１３３．３２ｈＰａ（０．０１
〜１００Ｔｏｒｒ）の範囲で実施することが好ましい。

【００８３】本発明における重合促進剤添加後の反応温
度は、ポリマーに重合促進剤を添加後、通常２５０〜３
６０℃、好ましくは２６０〜３４０℃の範囲であり、こ
の範囲よりも低い温度ではポリマーが溶融せず、この範
囲よりも高い温度ではポリマーが分解、着色してしま
う。

【００８４】重合促進反応の圧力条件としては、常圧で
もよいが、反応により生成するフェノール類を除去する
ため、減圧条件が好ましい。好ましくは１３３．３２ｈ
Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下であり、さらに好ましくは
１３．３３２ｈＰａ（１０Ｔｏｒｒ）以下であり、より
好ましくは１．３３３２ｈＰａ（１Ｔｏｒｒ）以下であ
る。反応時間としては、通常１〜３０分、好ましくは１
〜２０分であり、所望により１〜１５分でも可能であ
る。

【００８５】本発明において、末端封止反応に供される
芳香族ポリカーボネートとは、芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとの重縮合物を表わす。

【００８６】ここで、芳香族ジヒドロキシ化合物は下記
式（１３）で示される化合物である。

【００８７】

【化１５】

【００８８】上記式（１３）中、Ｒａ、Ｒｂは同一また
は異なり、水素原子、ハロゲン原子または炭素数１から
１２の炭化水素基である。炭化水素基としては炭素数１
から１２の脂肪族炭化水素基あるいは炭素数６から１２
の芳香族炭化水素基が好ましい。ハロゲン原子としては
塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。

【００８９】Ｒｅは炭素数３から８のアルキレン基であ
る。アルキレン基としては、ペンチレン基、ヘキシレン
基等が挙げられる。

【００９０】式中Ｒｃ、Ｒｄは同一または異なり、ハロ
ゲン原子、または炭素数１から１２の１価の炭化水素基
である。炭化水素基としては炭素数１から１２の脂肪族
炭化水素基あるいは炭素数６から１２の芳香族炭化水素
基を挙げることができる。ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素等が挙げられる。

【００９１】上記芳香族ジヒドロキシ化合物としては、
具体的には以下に示す化合物を挙げることができる。す
なわち、１，１―ビス（４―ヒドロキシ―ｔ―ブチルフ
ェニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシブロモ
フェニル）プロパンなどのビス（ヒドロキシアリール）
アルカン類、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニル）
シクロペンタン、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサンなどのビス（ヒドロキシアリール）
シクロアルカン類、４，４′―ジヒドロキシジフェニル
エーテル、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチ
ルフェニルエーテルなどのジヒドロキシアリールエーテ
ル類、４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルフェニル
スルフィドなどのジヒドロキシアリールスルフィド類、
４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，
４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルフェニルスル
ホキシドなどのジヒドロキシアリールスルホキシド類、
４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４′
―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルフェニルスルホン
などのジヒドロキシアリールスルホン類などが挙げられ
る。

【００９２】これらのうちでは特に２，２―ビス（４―
ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）が
好ましく用いられる。これらの芳香族ジヒドロキシル化
合物は単独または組み合わせて用いることができる。

【００９３】炭酸ジエステル化合物としては、具体的に
はジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネートなど
のジアリールカーボネート類、ジメチルカーボネート、
ジエチルカーボネートなどのジアルキルカーボネート
類、メチルフェニルカーボネート、エチルフェニルカー
ボネートなどのアルキルアリールカーボネート類などを
挙げることができる。

【００９４】これらのうち、特にジフェニルカーボネー
トが好ましく用いられる。これらの芳香族ジヒドロキシ
ル化合物は単独または組み合わせて用いることができ
る。これらの炭酸ジエステル化合物は芳香族ジヒドロキ
シ化合物１モルに対して過剰量、好ましくは１．０１か
ら１．２０モル用いることが望ましい。

【００９５】ポリマー製造に用いる触媒としては、あら
ゆる公知の触媒を用いてもよい。それらの中でアルカリ
金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、アルコラー
ト、フェノラートや、有機または無機酸のアルカリ（土
類）金属塩、元素周期律表上第１４族元素のオキソ酸ま
たはアート錯体のアルカリ（土類）金属塩、あるいは含
窒素塩基性化合物などが好ましく用いられる。

【００９６】これらの化合物はポリカーボネートの原料
であるジヒドロキシ化合物１モルに対して１０^-8モルか
ら１０^-1モル、好ましくは１０^-7モルから１０^-2モル用
いることができる。

【００９７】これらの触媒は単独または組み合わせて用
いることができる。

【００９８】これらの触媒を、組み合わせて用いる場合
は、その目的に応じて、たとえば１つの触媒化合物を重
合開始時に、他の触媒化合物を重合途中に加えるなどの
ように、添加時期や方法を個別にしてもかまわない。

【００９９】ポリカーボネートの重合（ジヒドロキシ化
合物とジアリルカーボネートとの溶融エステル交換反
応）は、従来知られている通常の方法と同様な条件化で
行なうことができる。

【０１００】具体的には、第１段目の反応を８０〜２５
０℃、好ましくは１００〜２３０℃、さらに好ましくは
１２０〜１９０℃の温度で、０．５〜５時間、好ましく
は１〜４時間、さらに好ましくは１．５〜３時間、減圧
下、芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリルカーボネート
とを反応させる。次いで反応系の真空系を高めながら反
応温度を高めて、芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリル
カーボネートとの反応を行い、最終的には５ｍｍＨｇ以
下、好ましくは１ｍｍＨｇ以下の減圧下で、２４０〜３
２０℃で、芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリルカーボ
ネートとの重縮合反応を行う。

【０１０１】重縮合反応は、連続式で行ってもよく、バ
ッチ式で行ってもよい。また上記の反応を行うに際して
用いられる重合装置は槽型であっても管型であっても塔
型であってもよい。

【０１０２】本発明においては、末端封止反応後のポリ
マーに、触媒の中和剤を用いることができる。触媒の中
和剤としては公知のいかなる剤が使用できるが、好まし
くは、有機スルホン酸の塩、有機スルホン酸エステル、
有機スルホン酸無水物、有機スルホン酸ベタインなどの
スルホン酸化合物が好ましい。

【０１０３】触媒の中和剤として特に好ましくは、スル
ホン酸塩であり、これらの中でもスルホン酸の有機ホス
ホニウム塩や有機アンモニウム塩が好ましく用いられ
る。

【０１０４】これらの触媒中和剤は、ポリマーに対して
０．０１から５００ｐｐｍ、好ましくは０．０１〜３０
０ｐｐｍ用いることができる。また、触媒中和剤をポリ
マーに添加する反応器に関しては特に制限はない。

【０１０５】本発明では上記のようにして得られる末端
が封止されたポリカーボネートに通常の耐熱安定性、紫
外線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤、防曇
剤、天然油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系
充填剤などを添加してもよい。

【０１０６】

【発明の効果】本発明によれば、特定のサリチル酸エス
テル誘導体中に含まれる特定の不純物の含量を特定値以
下にすることにより、ポリカーボネートの末端封止剤ま
たは重合促進剤として有効に作用し、末端封止反応速度
および重合促進反応速度を損なうことなく、また得られ
たポリマーの色調が良好なポリカーボネートを得ること
が出来る。

【０１０７】

【実施例】以下、実施例に基づき、本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。

【０１０８】本発明において物性測定は以下の方法によ
って測定した。 （ｉ）固有粘度［η］：塩化メチレン中２０℃でウベロ
ーデ粘度計で測定した。 （ｉｉ）元素分析：塩素量、窒素量は、サンプルを８０
０〜８２５℃で燃焼した後にドーマン微量電流滴定法で
測定した。ナトリウム量、カリウム量、鉄量、クロム
量、ニッケル量はサンプルを６５０℃で処理、塩酸で抽
出後、ＩＣＰ分析（日本ジャーレル・アッシュ社、ＩＣ
ＡＰ−５７５ＩＩ型）により定量した。 （ｉｉｉ）ポリマー末端基の定量：サンプル０．０２ｇ
を０．４ｍｌの重水素置換クロロホルムに溶解し、２０
℃で１Ｈ−ＮＭＲ（日本電子社製ＥＸ−２７０）を用い
て末端基を定量した。水酸基末端濃度（モル％）は全末
端数に対する各構造の割合により計算した。

【０１０９】

【数１】水酸基末端濃度（モル％）＝水酸基末端数（モ
ル）／全末端数（モル）×１００

【０１１０】（ｉｖ）ポリマー色相：２ｍｍの厚さのポ
リーカーボネートの板について、日本電色工業製の色差
計ＮＤ−１００１ＤＰを用い、Ｌａｂ値を反射法で測定
し黄色度の尺度としてｂ値を用いた。

【０１１１】［合成例１］ ２−メトキシカルボニルフェニル−フェニルカーボネー
ト（下記式１４）の合成。

【０１１２】

【化１６】

【０１１３】サリチル酸メチル４７．１７ｇ（０．３１
モル）、トリエチルアミン３２．３９ｇ（０．３２モ
ル）を２００ｍｌのキシレンに溶解し、４℃の条件でフ
ェニルクロロフォーメート３２．３９ｇ（０．３０モ
ル）を滴下、カップリングを行った。反応液の全量を３
％塩酸水溶液、３％重曹水溶液で順次十分に洗浄後、脱
イオン水で十分に洗浄し、脱水後、溶媒を除去した。得
られた沈殿を蒸留精製し、精製物を５２．８２ｇ得た。
ガスクロによる純度は９９％、元素分析の結果は表１に
示す。

【０１１４】［合成例２］ ２−メトキシカルボニルフェニル−ｐ−クミルフェニル
カーボネート（下記式１５）の合成。

【０１１５】

【化１７】

【０１１６】ビス（ｐ−クミルフェニル）カーボネート
２２．５０ｇ（０．０５モル）、ビス（２−メトキシカ
ルボニルフェニル）カーボネート１６．００ｇ（０．０
４８モル）を混合し、１０ｗｔ％の水酸化ナトリウム水
溶液０．２ｍｌを共存させ、２００℃の条件で４時間加
熱した。反応液をジクロロメタンに溶解し、５％クエン
酸水溶液、３％重曹水溶液、脱イオン水で順次洗浄後、
脱水、濃縮した。得られた粗生成物を蒸留し、目的物を
６．４０ｇ得た。ガスクロによる純度は９６％、元素分
析の結果は表１に示す。

【０１１７】［合成例３］ ビス（２−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート
（下記式１６）の合成。

【０１１８】

【化１８】

【０１１９】サリチル酸メチル１７．５０ｇ（０．１１
モル）を水酸化ナトリウム５．０７ｇ、ドデシルトリメ
チルアンモニウムクロリド０．２ｇを含む水−ジクロロ
メタン混合溶液２００ｍｌに滴下した。これにトリクロ
ロメチルクロロフォーメート５．７ｇ（０．０２９モ
ル）のジクロロメタン溶液を滴下、４℃で混合した。反
応液は、５％クエン酸水溶液、３％重曹水溶液、脱イオ
ン水で順次洗浄後、脱水、濃縮した。得られた粗生成物
をキシレン中で再結晶し、目的物を１２．２１ｇ得た。
ガスクロによる純度は９８％、元素分析の結果は表２に
示す。

【０１２０】［合成例４］ 末端封止および重合促進に用いるポリカーボネートの合
成 ビスフェノールＡ２２８部、ジフェニルカーボネート２
２０部および触媒としてビスフェノールＡのナトリウム
塩（以下ＢＰＡ−Ｎａと略す）１×１０μモル／原料ビ
スフェノールＡのモル、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド（以下ＴＭＡＨと略す）１００×１０μモル／
原料ビスフェノールＡを加え、撹拌装置、蒸留器および
減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換した後、１４
０度で溶解した。３０分撹拌後、内温を１８０℃に昇温
し、１００ｍｍＨｇで３０分反応させ、生成するフェノ
ールを留去した。

【０１２１】さらに２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し
５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを留去しつつ反応さ
せた。

【０１２２】さらに２２０℃、３０ｍｍＨｇまで徐々に
昇温、減圧し、同温同圧で３０分、さらに２４０℃、１
０ｍｍＨｇ、２６０℃、１ｍｍＨｇ、２７０℃ １ｍｍ
Ｈｇ以下にまで上記と同じ手順で昇温、減圧を繰り返し
反応を続行した。

【０１２３】最終的に同温・同圧で１時間重合を行い、
ポリカーボネート樹脂の固有粘度が０．３５程度になっ
た段階で、反応を終了、樹脂をペレダイズ化した。ポリ
マーの［η］＝０．３４４、水酸基含有率（％）は４５
％であった。

【０１２４】［実施例１］ ２−メトキシカルボニルフェニル−フェニルカーボネー
ト（上記式１４）による末端封止反応 合成例４で調製したポリマー１００部を２７０度で溶融
し、合成例１で合成した末端封止剤（２−メトキシカル
ボニルフェニル−フェニルカーボネート）２．９部を減
圧条件下（５０ｍｍＨｇ）で添加した。その後、２７０
℃ １ｍｍＨｇ以下で５分間反応を継続し、得られたポ
リカーボネートの各末端基濃度を測定した。得られたポ
リカーボネートの分析結果を表１に示す。

【０１２５】［実施例２］ ２−メトキシカルボニルフェニル−ｐ−クミルフェニル
カーボネート（上記式１５）による末端封止反応 合成例２で合成した末端封止剤（２−メトキシカルボニ
ルフェニル−ｐ−クミルフェニルカーボネート）４．１
部を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られたポ
リカーボネートの分析結果を表１に示す。

【０１２６】［実施例３］ ビス（２−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート
（上記式１６）による重合促進反応 合成例３で合成したビス（２−メトキシカルボニルフェ
ニル）カーボネート１．５部を用い、減圧度５０ｍｍＨ
ｇで添加した。その後、２７０℃ １ｍｍＨｇ以下で１
０分間反応を継続し、得られたポリカーボネートの固有
粘度を測定した。得られたポリカーボネートの分析結果
を表２に示す。

【０１２７】［比較例１］２−メトキシカルボニルフェ
ニル−フェニルカーボネート（上記式１４）の合成にお
いて、フェニルクロロフォーメートを０．３４モル用い
た以外は合成例１と同様に調製した化合物を用いて、実
施例１と同様に末端封止反応を行った。末端封止剤の不
純物の含量および得られたポリカーボネートの分析結果
を表３に示す。

【０１２８】［比較例２］２−メトキシカルボニルフェ
ニル−フェニルカーボネート（上記式１４）の合成にお
いて、フェニルクロロフォーメートを０．３４モル用
い、脱イオン水で洗浄せずに、トルエン−ヘプタンで再
結晶した以外は合成例１と同様に調製した化合物を用い
て、実施例１と同様に末端封止反応を行った。末端封止
剤の不純物の含量および得られたポリカーボネートの分
析結果を表３に示す。

【０１２９】［比較例３］２−メトキシカルボニルフェ
ニル−フェニルカーボネート（上記式１４）の合成にお
いて、すべての洗浄を行わず、アセトン−メタノール溶
媒で再結晶した以外は合成例１と同様に調製した化合物
を用いて、実施例１と同様に末端封止反応を行った。末
端封止剤の不純物の含量および得られたポリカーボネー
トの分析結果を表４に示す。

【０１３０】［比較例４］２−メトキシカルボニルフェ
ニル−ｐ−クミルフェニルカーボネート（上記式１５）
の合成において、実施例１に示した反応条件下で、原料
として、ｐ−クミルフェニルクロロフォーメートを０．
３４モル（９３．４２ｇ）用い、脱イオン水洗浄を行わ
ず、アセトン−メタノール溶媒で再結晶で精製した以外
は合成例１と同様に調製した化合物を用いて、実施例２
と同様に末端封止反応を行った。末端封止剤中の不純物
の含量および得られたポリカーボネートの分析結果を表
４に示す。

【０１３１】［比較例５］ビス（２−メトキシカルボニ
ルフェニル）カーボネート（上記式１６）の合成におい
て、トリクロロメチルクロロフォーメートを０．０３２
モル用い、洗浄を５％塩酸水溶液のみで行った以外は合
成例３と同様に調製した化合物を用いて、実施例３と同
様に重合促進反応を行った。重合促進剤の不純物の含量
および得られたポリカーボネートの分析結果を表２に示
す。

【０１３２】

【表１】

【０１３３】

【表２】

【０１３４】

【表３】

【０１３５】

【表４】

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 塩素含量が１０００ｐｐｍ以下である下
   記式（１） 【化１】 （式中、Ｒ₁はメチル基またはエチル基であり、Ｘは炭
   素数１から３０のアルキル基、炭素数１から３０のアル
   コキシ基、炭素数６から３０のアリール基、または炭素
   数６から３０のアリールオキシ基を表わす。） ［ここで炭素数１から３０のアルキル基および炭素数１
   から３０のアルコキシ基は２−（メトキシカルボニル）
   フェニルオキシカルボニル基、２−（エトキシカルボニ
   ル）フェニルオキシカルボニル基、２−（メトキシカル
   ボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ基、２−（エ
   トキシカルボニル）フェニルオキシカルボニルオキシ基
   で置換されていても良く、また、炭素数６から３０のア
   リール基および炭素数６から３０のアリールオキシ基
   は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２
   −（メトキシカルボニル）フェニルオキシカルボニル
   基、２−（メトキシカルボニル）フェニルオキシカルボ
   ニル基、炭素数１から３０のアルキル基、炭素数１から
   ３０のアルコキシ基、炭素数７から３０のアラルキル基
   で置換されていても良い］で表されるサリチル酸エステ
   ル誘導体。
2. 【請求項２】 含まれる全窒素が１００ｐｐｍ以下であ
   ることを特徴とする請求項１に記載のサリチル酸エステ
   ル誘導体。
3. 【請求項３】 含まれるアルカリ金属が１０ｐｐｍ以下
   であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載
   のサリチル酸エステル誘導体。
4. 【請求項４】 含まれる鉄分が３ｐｐｍ以下であること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のサリチル
   酸エステル誘導体。
5. 【請求項５】 含まれるクロム分が１ｐｐｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のサリ
   チル酸エステル誘導体。
6. 【請求項６】 含まれるニッケル分が２ｐｐｍ以下であ
   ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のサ
   リチル酸エステル誘導体。
7. 【請求項７】 芳香族ポリカーボネートを溶融法により
   製造するプロセスにおいて、請求項１〜６のいずれかに
   記載のサリチル酸エステル誘導体を末端封止剤として用
   いることを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方
   法。
8. 【請求項８】 芳香族ポリカーボネートを溶融法により
   製造するプロセスにおいて、請求項１〜６のいずれかに
   記載のサリチル酸エステル誘導体を重合促進剤として用
   いることを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方
   法。