JPH10303488A - 光源装置 - Google Patents
光源装置Info
- Publication number
- JPH10303488A JPH10303488A JP9112346A JP11234697A JPH10303488A JP H10303488 A JPH10303488 A JP H10303488A JP 9112346 A JP9112346 A JP 9112346A JP 11234697 A JP11234697 A JP 11234697A JP H10303488 A JPH10303488 A JP H10303488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- light source
- light
- laser
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレー
ザの代替光源として使用できるスペクトルの安定性が良
好な固体レーザ装置を提供すること。 【解決手段】 波長安定化手段R1により、原子または
分子の吸収スペクトル等を基準として、YLF/YAG
レーザ発振器等から構成されるレーザ装置L1の出力光
の波長をλ2に安定化する。また、波長安定化手段R
2,R3によりレーザ装置L2、L3の出力光の波長を
λa ,λb に安定化し、光パラメトリック発振器OPO
により波長λaと波長λbの差周波λ1を得る。そし
て、波長λ2とλ1の光を和周波を得る非線形光学結晶
CLBOに与え、ArFエキシマレーザの出力に相当す
る波長193nm近傍のレーザ光を得る。同様に図1
(b)の構成においてレーザ装置L5としてチタンサフ
ァイアレーザを用い、KrFエキシマレーザの出力に相
当する波長248nmのレーザ光を得ることができる。
ザの代替光源として使用できるスペクトルの安定性が良
好な固体レーザ装置を提供すること。 【解決手段】 波長安定化手段R1により、原子または
分子の吸収スペクトル等を基準として、YLF/YAG
レーザ発振器等から構成されるレーザ装置L1の出力光
の波長をλ2に安定化する。また、波長安定化手段R
2,R3によりレーザ装置L2、L3の出力光の波長を
λa ,λb に安定化し、光パラメトリック発振器OPO
により波長λaと波長λbの差周波λ1を得る。そし
て、波長λ2とλ1の光を和周波を得る非線形光学結晶
CLBOに与え、ArFエキシマレーザの出力に相当す
る波長193nm近傍のレーザ光を得る。同様に図1
(b)の構成においてレーザ装置L5としてチタンサフ
ァイアレーザを用い、KrFエキシマレーザの出力に相
当する波長248nmのレーザ光を得ることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体リソグラフィ
ー装置等に利用される光源装置に関し、特に本発明は、
エキシマレーザの代替光源として使用できる固体レーザ
からなる光源装置に関するものである。
ー装置等に利用される光源装置に関し、特に本発明は、
エキシマレーザの代替光源として使用できる固体レーザ
からなる光源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の微細化に伴い、
解像度を高めることが求められており、露光光の波長が
短波長化している。現在では、波長248nmのKrF
エキシマレーザが線幅0.25μm対応の256Mビッ
トのDRAMの製造のためのリソグラフィー装置用光源
として、用いられている。また、次世代の線幅0.20
μm対応の1GビットのDRAM製造のためのリソグラ
フィー装置用光源としては、波長193nmのArFエ
キシマレーザが注目されている。
解像度を高めることが求められており、露光光の波長が
短波長化している。現在では、波長248nmのKrF
エキシマレーザが線幅0.25μm対応の256Mビッ
トのDRAMの製造のためのリソグラフィー装置用光源
として、用いられている。また、次世代の線幅0.20
μm対応の1GビットのDRAM製造のためのリソグラ
フィー装置用光源としては、波長193nmのArFエ
キシマレーザが注目されている。
【0003】しかし、上記したエキシマレーザを用いた
光源には以下の欠点があることが良く知られている。 (1)レーザ媒質として腐食性ガスが用いられるので、
レーザ本体を構成する電極、コンデンサ等の主要部品が
腐食、劣化し易くメインテナンスに多額の経費を必要と
する。 (2)レーザガスの劣化も早く、109 ショット毎にガ
ス交換が必要である。 (3)腐食性ガスの漏洩による安全管理上の問題があ
る。 (4)レーザ性能維持のためのガス配管のステンレス化
などにより付帯設備が多額化する等。
光源には以下の欠点があることが良く知られている。 (1)レーザ媒質として腐食性ガスが用いられるので、
レーザ本体を構成する電極、コンデンサ等の主要部品が
腐食、劣化し易くメインテナンスに多額の経費を必要と
する。 (2)レーザガスの劣化も早く、109 ショット毎にガ
ス交換が必要である。 (3)腐食性ガスの漏洩による安全管理上の問題があ
る。 (4)レーザ性能維持のためのガス配管のステンレス化
などにより付帯設備が多額化する等。
【0004】さらに、上記問題以外にも、実際使用上、
次の重要な問題がある。それは光源の波長の安定化とス
ペクトル幅の狭帯域化である。すなわち、エキシマレー
ザのスペクトル幅は従来から用いられてきた光源である
水銀ランプより狭いとはいえ、0.3nm〜0.4nm
程度であり、スペクトルの狭帯域化を行う必要がある。
例えば、KrFレーザの場合には、出力光の波長は24
8.5±0.15nmあり、狭帯域化しないとリソグラ
フィー装置の光学系に色収差が発生し光源として用いる
ことができない。この色収差補正(色消し)のために
は、通常2種類以上の硝材が用いられる。KrFレーザ
の場合には、色消し硝材として、例えば合成石灰と弗化
カルシウムとの組み合わせが考えられるが、弗化カルシ
ウムは、その結晶から必要サイズを切り取るための大型
結晶製造に現状では問題があり、また、その研磨特性に
も問題があると言われている。
次の重要な問題がある。それは光源の波長の安定化とス
ペクトル幅の狭帯域化である。すなわち、エキシマレー
ザのスペクトル幅は従来から用いられてきた光源である
水銀ランプより狭いとはいえ、0.3nm〜0.4nm
程度であり、スペクトルの狭帯域化を行う必要がある。
例えば、KrFレーザの場合には、出力光の波長は24
8.5±0.15nmあり、狭帯域化しないとリソグラ
フィー装置の光学系に色収差が発生し光源として用いる
ことができない。この色収差補正(色消し)のために
は、通常2種類以上の硝材が用いられる。KrFレーザ
の場合には、色消し硝材として、例えば合成石灰と弗化
カルシウムとの組み合わせが考えられるが、弗化カルシ
ウムは、その結晶から必要サイズを切り取るための大型
結晶製造に現状では問題があり、また、その研磨特性に
も問題があると言われている。
【0005】このため、KrFレーザではスペクトルの
狭帯域化が避けられない。狭帯域化には、レーザ共振器
内部に挿入したエアギャップエタロン等の波長選択素子
が用いられる。これによって単一縦モードを選択的に発
振させることでスペクトルの狭帯域化を図っている。し
かし、このような手段によってスペクトルの狭帯域化を
図ったとしても、レーザ媒質の発振利得幅が先に述べた
ように0.3nmあるため、この単一縦モードを光学系
設計時に想定された波長に固定しなければならない。こ
れを波長安定化という。波長安定化の程度は10-6程度
要求される。
狭帯域化が避けられない。狭帯域化には、レーザ共振器
内部に挿入したエアギャップエタロン等の波長選択素子
が用いられる。これによって単一縦モードを選択的に発
振させることでスペクトルの狭帯域化を図っている。し
かし、このような手段によってスペクトルの狭帯域化を
図ったとしても、レーザ媒質の発振利得幅が先に述べた
ように0.3nmあるため、この単一縦モードを光学系
設計時に想定された波長に固定しなければならない。こ
れを波長安定化という。波長安定化の程度は10-6程度
要求される。
【0006】KrFレーザの波長安定化は、例えば特開
昭63−228693号公報によると以下のように行わ
れる。図23(a)に示すように、レーザ共振器内に挿
入されたエアギャップエタロンによって、実際にはレー
ザ発振スペクトルは主波長及び2つの副波長との3つの
縦モードからなる。もちろん、これらの縦モード間隔は
共振器内に挿入されたエタロン板のフリースペクトラル
レンジFSRに対応する。これらの縦モード強度はレー
ザ利得曲線内のどこにモードが配置しているかに依存し
て変化する。例えば、エタロンのエアギャップがわずか
に変化すると、図23(b)に示したようなモード配置
となり、3つのモードの強度は図23(a)の場合と異
なる。
昭63−228693号公報によると以下のように行わ
れる。図23(a)に示すように、レーザ共振器内に挿
入されたエアギャップエタロンによって、実際にはレー
ザ発振スペクトルは主波長及び2つの副波長との3つの
縦モードからなる。もちろん、これらの縦モード間隔は
共振器内に挿入されたエタロン板のフリースペクトラル
レンジFSRに対応する。これらの縦モード強度はレー
ザ利得曲線内のどこにモードが配置しているかに依存し
て変化する。例えば、エタロンのエアギャップがわずか
に変化すると、図23(b)に示したようなモード配置
となり、3つのモードの強度は図23(a)の場合と異
なる。
【0007】図23(a)の場合、主波長であるk0モー
ドは利得曲線の中央にあり、最も強度も強く、この状態
のk0モードがリソグラフィー用の光として利用される。
したがって、このときのk0モードの強度と k-1またはk1
モードの強度比をコンピュータに記憶させておき、常に
この比が記憶値と同一になるようにエアギャップ間隔を
制御すれば、k0モードは常に利得曲線の中央に安定化さ
れることになる。
ドは利得曲線の中央にあり、最も強度も強く、この状態
のk0モードがリソグラフィー用の光として利用される。
したがって、このときのk0モードの強度と k-1またはk1
モードの強度比をコンピュータに記憶させておき、常に
この比が記憶値と同一になるようにエアギャップ間隔を
制御すれば、k0モードは常に利得曲線の中央に安定化さ
れることになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記方法は、例えば、
He−Neレーザの波長安定化には既に古くから用いら
れており、この方法には次の欠点がある。その一つは、
レーザガスが劣化すると図23(a)のようなモード配
置であっても、k0モードの強度と、k-1 またはk1モード
の強度比はガスが劣化する前と異なってくることであ
る。このため、KrFレーザの連続運転とともに波長安
定度が悪化する。
He−Neレーザの波長安定化には既に古くから用いら
れており、この方法には次の欠点がある。その一つは、
レーザガスが劣化すると図23(a)のようなモード配
置であっても、k0モードの強度と、k-1 またはk1モード
の強度比はガスが劣化する前と異なってくることであ
る。このため、KrFレーザの連続運転とともに波長安
定度が悪化する。
【0009】以上のように、KrFエキシマレーザやA
rFエキシマレーザはハンドリングや装置のコスト、あ
るいはメンテナンスに問題があり、さらに、波長安定化
が連続運転とともに悪化するといった問題がある。本発
明は上記した事情を考慮してなされたものであって、そ
の目的とするところは、KrFエキシマレーザ、ArF
エキシマレーザの代替光源として使用でき、狭帯域化し
たスペクトルの安定性が良好な固体レーザ装置から構成
される光源装置を提供することである。
rFエキシマレーザはハンドリングや装置のコスト、あ
るいはメンテナンスに問題があり、さらに、波長安定化
が連続運転とともに悪化するといった問題がある。本発
明は上記した事情を考慮してなされたものであって、そ
の目的とするところは、KrFエキシマレーザ、ArF
エキシマレーザの代替光源として使用でき、狭帯域化し
たスペクトルの安定性が良好な固体レーザ装置から構成
される光源装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の基本構成
を示す図であり、同図(a)に示す構成により波長19
3nmのArFエキシマレーザの代替光源を構成するこ
とができ、また、同図(b)に示す構成により波長24
8nmのKrFエキシマレーザの代替光源を構成するこ
とができる。図1において、第1、第2のコヒーレント
光源を構成するレーザ装置L1〜L5は半導体レーザ光
源や、固体レーザ発振器からなるレーザ光源とその出力
光の高調波を発生する非線形光学結晶から構成される。
また、波長安定化手段R1〜R5は上記レーザ装置を構
成するレーザ光源もしくは非線形光学結晶から放出され
る光の波長を、原子または分子の吸収スペクトルあるい
は光ガルバノスペクトルを基準として安定化する。
を示す図であり、同図(a)に示す構成により波長19
3nmのArFエキシマレーザの代替光源を構成するこ
とができ、また、同図(b)に示す構成により波長24
8nmのKrFエキシマレーザの代替光源を構成するこ
とができる。図1において、第1、第2のコヒーレント
光源を構成するレーザ装置L1〜L5は半導体レーザ光
源や、固体レーザ発振器からなるレーザ光源とその出力
光の高調波を発生する非線形光学結晶から構成される。
また、波長安定化手段R1〜R5は上記レーザ装置を構
成するレーザ光源もしくは非線形光学結晶から放出され
る光の波長を、原子または分子の吸収スペクトルあるい
は光ガルバノスペクトルを基準として安定化する。
【0011】同図(a)において、レーザ装置L1〜L
3、波長安定化手段R1〜R3として後述する図2〜図
11に示す手段を用い、次のようにしてArFエキシマ
レーザの出力に相当する波長λ3(193nm)の光を
得ることができる。波長安定化手段R1によりレーザ装
置L1の光の波長をλ2に安定化する。また、レーザ装
置L2の光の波長を波長安定化手段R2によりλaに安
定化し、さらに、レーザ装置L3の光の波長を波長安定
化手段R3によりλbに安定化する。光パラメトリック
発振器OPO(以下、OPOという)は、上記波長λa
の光および上記レーザ装置L3が出力する波長λbの光
の差周波λ1の光を出力する。そして、上記レーザ装置
L1が出力する波長λ2の光と、上記OPOが出力する
波長λ1の光を非線形光学結晶CLBOに与え、その和
周波λ3を得ることにより、ArFエキシマレーザの出
力に相当する波長が193nm近傍のレーザ光を得る。
3、波長安定化手段R1〜R3として後述する図2〜図
11に示す手段を用い、次のようにしてArFエキシマ
レーザの出力に相当する波長λ3(193nm)の光を
得ることができる。波長安定化手段R1によりレーザ装
置L1の光の波長をλ2に安定化する。また、レーザ装
置L2の光の波長を波長安定化手段R2によりλaに安
定化し、さらに、レーザ装置L3の光の波長を波長安定
化手段R3によりλbに安定化する。光パラメトリック
発振器OPO(以下、OPOという)は、上記波長λa
の光および上記レーザ装置L3が出力する波長λbの光
の差周波λ1の光を出力する。そして、上記レーザ装置
L1が出力する波長λ2の光と、上記OPOが出力する
波長λ1の光を非線形光学結晶CLBOに与え、その和
周波λ3を得ることにより、ArFエキシマレーザの出
力に相当する波長が193nm近傍のレーザ光を得る。
【0012】また、同図(b)においてはレーザ装置L
4,L5、波長安定化手段R4,R5として後述する図
2〜図11に示す手段を用い、次のようにしてKrFエ
キシマレーザが出力する波長248nmに相当する波長
λ3の光を得ることができる。波長安定化手段R4によ
りレーザ装置L4の光の波長をλ2に安定化する。ま
た、レーザ装置L5の光の波長を波長安定化手段R5に
よりλ1に安定化する。そして、上記レーザ装置L4が
出力する波長λ2の光と、上記レーザ装置L5が出力す
る波長λ1の光を非線形光学結晶CLBOに与え、その
和周波λ3の光を得ることにより、KrFエキシマレー
ザの出力に相当する波長が248nm近傍のレーザ光を
得る。
4,L5、波長安定化手段R4,R5として後述する図
2〜図11に示す手段を用い、次のようにしてKrFエ
キシマレーザが出力する波長248nmに相当する波長
λ3の光を得ることができる。波長安定化手段R4によ
りレーザ装置L4の光の波長をλ2に安定化する。ま
た、レーザ装置L5の光の波長を波長安定化手段R5に
よりλ1に安定化する。そして、上記レーザ装置L4が
出力する波長λ2の光と、上記レーザ装置L5が出力す
る波長λ1の光を非線形光学結晶CLBOに与え、その
和周波λ3の光を得ることにより、KrFエキシマレー
ザの出力に相当する波長が248nm近傍のレーザ光を
得る。
【0013】上記波長λ1,λ2,λa,λaの光を得
るには、図2〜図11に示すようにYLFレーザ光源、
YAGレーザ光源、チタンサファイア(以下、Ti:A
l2O3 という)レーザ光源、あるいは半導体レーザ光
源を用い、これらの基本波や、これらの基本波から非線
形光学結晶により生成した高調波を用いることができ
る。
るには、図2〜図11に示すようにYLFレーザ光源、
YAGレーザ光源、チタンサファイア(以下、Ti:A
l2O3 という)レーザ光源、あるいは半導体レーザ光
源を用い、これらの基本波や、これらの基本波から非線
形光学結晶により生成した高調波を用いることができ
る。
【0014】また、上記第1、第2のコヒーレント光源
の出力光の波長を安定化するには、例えば、上記レーザ
装置L1〜L5の基本波や高調波を一部取り出し、後述
する図2〜図11に示すように所望の波長とほぼ等しい
スペクトルを持つ原子の線スペクトル基準、分子の吸収
スペクトル基準と比較する。そして、位相敏感検波によ
り上記差分の一次微分を得て、これを誤差信号として、
レーザ装置L1,L2,L4,L5のレーザ光源の共振
長の制御等を行うことにより出力光の波長を制御する。
これにより、上記レーザ装置L1〜L5の出力光の波長
を所望の波長に一致させることができる。なお、光ガル
バノ効果を用いて波長安定化を行ったり、さらに波長安
定度を高める必要がある場合には、飽和吸収の技術を利
用することもできる。
の出力光の波長を安定化するには、例えば、上記レーザ
装置L1〜L5の基本波や高調波を一部取り出し、後述
する図2〜図11に示すように所望の波長とほぼ等しい
スペクトルを持つ原子の線スペクトル基準、分子の吸収
スペクトル基準と比較する。そして、位相敏感検波によ
り上記差分の一次微分を得て、これを誤差信号として、
レーザ装置L1,L2,L4,L5のレーザ光源の共振
長の制御等を行うことにより出力光の波長を制御する。
これにより、上記レーザ装置L1〜L5の出力光の波長
を所望の波長に一致させることができる。なお、光ガル
バノ効果を用いて波長安定化を行ったり、さらに波長安
定度を高める必要がある場合には、飽和吸収の技術を利
用することもできる。
【0015】図2〜図8は、前記した上記図1(a)
(b)に示した光源装置において、波長248nmのK
rFエキシマレーザ、波長193nmのArFエキシマ
レーザの代替レーザを構成する際に使用されるレーザ
光、および原子の線スペクトル基準を示す表である。図
2〜図8において、例えば図2の〔1〕は図1(a)に
示す構成において193nmの近傍の波長である波長1
93.4446nmの光を発生する場合に使用できるレ
ーザ光および原子の線スペクトル基準を示している。
(b)に示した光源装置において、波長248nmのK
rFエキシマレーザ、波長193nmのArFエキシマ
レーザの代替レーザを構成する際に使用されるレーザ
光、および原子の線スペクトル基準を示す表である。図
2〜図8において、例えば図2の〔1〕は図1(a)に
示す構成において193nmの近傍の波長である波長1
93.4446nmの光を発生する場合に使用できるレ
ーザ光および原子の線スペクトル基準を示している。
【0016】例えば、図2の〔1〕に示すように、下記
のようにして波長193.4446nmの光を得ること
ができる。 図1(a)に示すレーザ装置L1を、YLFレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の5倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、波長安定化手段R1により上
記YLFレーザ発振器の基本波を中性のアルゴンのスペ
クトル(波長1047.005nm;以下、ArI スペ
クトルという)に安定化し、上記非線形光学結晶により
その5倍波(波長209.401nm)を得ることによ
り、波長λ2の光を発生する。
のようにして波長193.4446nmの光を得ること
ができる。 図1(a)に示すレーザ装置L1を、YLFレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の5倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、波長安定化手段R1により上
記YLFレーザ発振器の基本波を中性のアルゴンのスペ
クトル(波長1047.005nm;以下、ArI スペ
クトルという)に安定化し、上記非線形光学結晶により
その5倍波(波長209.401nm)を得ることによ
り、波長λ2の光を発生する。
【0017】 レーザ装置L2としてYLFレーザ発
振器と該レーザ光の2倍波を生成する非線形光学結晶を
用い、波長安定化手段R2によりYLFレーザ発振器の
基本波をArI のスペクトルにロックし、非線形光学結
晶により該波長の光の2倍波を得て、波長λa(波長5
23.5025nm)の光をOPOに与える。また、例
えばレーザ装置L3として半導体レーザ発振器等を用
い、波長安定化手段R3によりその出力波長を1価のキ
セノンイオンのスペクトル(波長659.501nm;
以下、XeIIスペクトルという)にロックし、該波長λ
b(波長659.501nm)の光をOPOシグナル光
としてOPOに与える。OPOは上記波長λa,λbの
光の差周波(1/λ1=1/λa−1/λb)である波
長λ1(波長2538.6340)の光を発生する。
振器と該レーザ光の2倍波を生成する非線形光学結晶を
用い、波長安定化手段R2によりYLFレーザ発振器の
基本波をArI のスペクトルにロックし、非線形光学結
晶により該波長の光の2倍波を得て、波長λa(波長5
23.5025nm)の光をOPOに与える。また、例
えばレーザ装置L3として半導体レーザ発振器等を用
い、波長安定化手段R3によりその出力波長を1価のキ
セノンイオンのスペクトル(波長659.501nm;
以下、XeIIスペクトルという)にロックし、該波長λ
b(波長659.501nm)の光をOPOシグナル光
としてOPOに与える。OPOは上記波長λa,λbの
光の差周波(1/λ1=1/λa−1/λb)である波
長λ1(波長2538.6340)の光を発生する。
【0018】 上記で得た波長λ2の光と、上記
で得た波長λ1(波長2538.6340)の光を図1
(a)に示す非線形光学結晶CLBOに照射し、その和
周波(1/λ1+1/λ2=1/λ3)である波長λ3
(波長193.4446nm)の光を得る。同様に、図
1(a)の構成において、図2〔2〕〜図4〔6〕、図
6〔1〕〜図7〔3〕により、波長193nmの近傍の
波長の光を発生するArFエキシマレーザの代替レーザ
を構成することができる。
で得た波長λ1(波長2538.6340)の光を図1
(a)に示す非線形光学結晶CLBOに照射し、その和
周波(1/λ1+1/λ2=1/λ3)である波長λ3
(波長193.4446nm)の光を得る。同様に、図
1(a)の構成において、図2〔2〕〜図4〔6〕、図
6〔1〕〜図7〔3〕により、波長193nmの近傍の
波長の光を発生するArFエキシマレーザの代替レーザ
を構成することができる。
【0019】すなわち、YLFレーザ発振器を用いる場
合、上記図2〔1〕以外に次のようにしてArFエキシ
マレーザの代替レーザを構成することができる。 (i) 図2〔2〕のように、中性のキセノンのスペクトル
XeI(波長659.556nm)にロックされたOPO
シグナル光λbと、YLF基本波がArI (波長104
7.005nm)にロックされたYLFの2倍波λaの
差周波からλ1を得て、YLF基本波がArI (波長1
047.005nm)にロックされたYLFの5倍波λ
2との和周波λ3(波長193.4399nm)を得
る。 (ii)図3〔3〕のように、中性のカルシウムのスペクト
ルCaI (波長657.46nm)にロックされたOP
Oシグナル光λbと、YLF基本波がArI (波長10
47.005nm)にロックされたYLFの2倍波λa
の差周波からλ1を得て、YLF基本波がArI (波長
1047.005nm)にロックされたYLFの5倍波
λ2との和周波λ3(波長193.6209nm)を得
る。
合、上記図2〔1〕以外に次のようにしてArFエキシ
マレーザの代替レーザを構成することができる。 (i) 図2〔2〕のように、中性のキセノンのスペクトル
XeI(波長659.556nm)にロックされたOPO
シグナル光λbと、YLF基本波がArI (波長104
7.005nm)にロックされたYLFの2倍波λaの
差周波からλ1を得て、YLF基本波がArI (波長1
047.005nm)にロックされたYLFの5倍波λ
2との和周波λ3(波長193.4399nm)を得
る。 (ii)図3〔3〕のように、中性のカルシウムのスペクト
ルCaI (波長657.46nm)にロックされたOP
Oシグナル光λbと、YLF基本波がArI (波長10
47.005nm)にロックされたYLFの2倍波λa
の差周波からλ1を得て、YLF基本波がArI (波長
1047.005nm)にロックされたYLFの5倍波
λ2との和周波λ3(波長193.6209nm)を得
る。
【0020】(iii) 図3〔4〕のように、XeI (波長
662.002nm)にロックされたOPOシグナル光
λbと、YLF基本波がArI (波長1047.005
nm)にロックされたYLFの2倍波λaの差周波から
λ1を得て、YLF基本波がArI (波長1047.0
05nm)にロックされたYLFの5倍波λ2との和周
波λ3(波長193.2305nm)を得る。 (iv)図4〔5〕のように、中性のヘリウムのスペクトル
HeI (波長667.815nm)にロックされOPO
シグナル光λbと、YLF基本波がArI (波長104
7.005nm)にロックされたYLFの2倍波λaの
差周波からλ1を得て、YLF基本波がArI (波長1
047.005nm)にロックされたYLFの5倍波λ
2との和周波λ3(波長192.7408nm)を得
る。
662.002nm)にロックされたOPOシグナル光
λbと、YLF基本波がArI (波長1047.005
nm)にロックされたYLFの2倍波λaの差周波から
λ1を得て、YLF基本波がArI (波長1047.0
05nm)にロックされたYLFの5倍波λ2との和周
波λ3(波長193.2305nm)を得る。 (iv)図4〔5〕のように、中性のヘリウムのスペクトル
HeI (波長667.815nm)にロックされOPO
シグナル光λbと、YLF基本波がArI (波長104
7.005nm)にロックされたYLFの2倍波λaの
差周波からλ1を得て、YLF基本波がArI (波長1
047.005nm)にロックされたYLFの5倍波λ
2との和周波λ3(波長192.7408nm)を得
る。
【0021】(v) 図4〔6〕のように、中性のネオンの
スペクトルNeI (波長659.8949nm)にロッ
クされたOPOシグナル光λbと、YLF基本波がAr
I (波長1047.005nm)にロックされたYLF
の2倍波λaの差周波からλ1を得て、YLF基本波が
ArI (波長1047.005nm)にロックされたY
LFの5倍波λ2との和周波λ3(波長193.410
7nm)を得る。 また、YAGレーザ発振器を用いる場合、次のようにし
てArFエキシマレーザの代替レーザを構成することが
できる。 (vi)図6〔1〕のように、Ne1s5-2p10(波長703.
24nm)にロックされたOPOシグナル光λbと、S
m(サマリウム)遷移532.061nmにロックされ
たYAG2倍波λbの差周波からλ1を得て、YAG2
倍波がSm遷移532.061nmにロックされたYA
Gの5倍波λ2との和周波λ3(波長193.9411
nm)を得る。
スペクトルNeI (波長659.8949nm)にロッ
クされたOPOシグナル光λbと、YLF基本波がAr
I (波長1047.005nm)にロックされたYLF
の2倍波λaの差周波からλ1を得て、YLF基本波が
ArI (波長1047.005nm)にロックされたY
LFの5倍波λ2との和周波λ3(波長193.410
7nm)を得る。 また、YAGレーザ発振器を用いる場合、次のようにし
てArFエキシマレーザの代替レーザを構成することが
できる。 (vi)図6〔1〕のように、Ne1s5-2p10(波長703.
24nm)にロックされたOPOシグナル光λbと、S
m(サマリウム)遷移532.061nmにロックされ
たYAG2倍波λbの差周波からλ1を得て、YAG2
倍波がSm遷移532.061nmにロックされたYA
Gの5倍波λ2との和周波λ3(波長193.9411
nm)を得る。
【0022】(vii) 図6〔2〕のように、Ne1s2-2p8
(波長717.393nm)にロックされたOPOシグ
ナル光λbと、Sm遷移532.061nmにロックさ
れたYAG2倍波λaの差周波からλ1を得て、YAG
2倍波がSm遷移532.061nmにロックされたY
AGの5倍波λ2との和周波λ3(波長192.891
7nm)を得る。 (iix) 図7〔3〕のように、He1s2p3P0-1s3p3S(波長
706.519nm)にロックされたOPOシグナル光
λbと、Sm遷移532.061nmにロックされたY
AG2倍波λaの差周波からλ1を得て、YAG2倍波
がSm遷移532.061nmにロックされたYAGの
5倍波λ2との和周波λ3(波長193.6932n
m)を得る。
(波長717.393nm)にロックされたOPOシグ
ナル光λbと、Sm遷移532.061nmにロックさ
れたYAG2倍波λaの差周波からλ1を得て、YAG
2倍波がSm遷移532.061nmにロックされたY
AGの5倍波λ2との和周波λ3(波長192.891
7nm)を得る。 (iix) 図7〔3〕のように、He1s2p3P0-1s3p3S(波長
706.519nm)にロックされたOPOシグナル光
λbと、Sm遷移532.061nmにロックされたY
AG2倍波λaの差周波からλ1を得て、YAG2倍波
がSm遷移532.061nmにロックされたYAGの
5倍波λ2との和周波λ3(波長193.6932n
m)を得る。
【0023】また、図2〜図8において、例えば図5
〔7〕は図1(b)に示す構成において、上記248n
mの近傍の波長である波長247.5967nmの光を
発生する場合に使用できるレーザ光および原子の線スペ
クトル基準を示している。図5〔7〕に示すように、下
記のようにして波長247.5967nmの光を得るこ
とができる。 図1(b)に示すレーザ装置L4を、YLFレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の3倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、上記YLFレーザ発振器の基
本波を波長安定化手段R4によりArI スペクトル(波
長1047.005nm)にロックし、上記非線形光学
結晶によりその3倍波(波長349.00167nm)
を得て、波長λ2の光を発生する。
〔7〕は図1(b)に示す構成において、上記248n
mの近傍の波長である波長247.5967nmの光を
発生する場合に使用できるレーザ光および原子の線スペ
クトル基準を示している。図5〔7〕に示すように、下
記のようにして波長247.5967nmの光を得るこ
とができる。 図1(b)に示すレーザ装置L4を、YLFレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の3倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、上記YLFレーザ発振器の基
本波を波長安定化手段R4によりArI スペクトル(波
長1047.005nm)にロックし、上記非線形光学
結晶によりその3倍波(波長349.00167nm)
を得て、波長λ2の光を発生する。
【0024】 レーザ装置L5としてTi:Al2 O
3 レーザ発振器を用い、Ti:Al2O3 レーザ発振器
の基本波を波長安定化手段R5によりAr1s2-2p4 のス
ペクトル(波長852.1438nm)にロックし、波
長λ1の光を発生する。 上記で得た波長λ2(波長349.00167n
m)の光と、上記で得た波長λ1(波長852.14
38nm)の光を図1(b)に示す非線形光学結晶CL
BOに照射し、その和周波(1/λ1+1/λ2=1/
λ3)である波長λ3(波長247.5967nm)の
光を得る。
3 レーザ発振器を用い、Ti:Al2O3 レーザ発振器
の基本波を波長安定化手段R5によりAr1s2-2p4 のス
ペクトル(波長852.1438nm)にロックし、波
長λ1の光を発生する。 上記で得た波長λ2(波長349.00167n
m)の光と、上記で得た波長λ1(波長852.14
38nm)の光を図1(b)に示す非線形光学結晶CL
BOに照射し、その和周波(1/λ1+1/λ2=1/
λ3)である波長λ3(波長247.5967nm)の
光を得る。
【0025】同様に、図1(b)の構成において、図5
〔8〕〜〔10〕、図7〔4〕〜図8〔7〕により、波
長248nmの近傍の波長の光を発生するKrFエキシ
マレーザの代替レーザを構成することができる。すなわ
ち、YLFレーザ発振器を用いる場合、上記図5〔7〕
以外に次のようにしてKrFエキシマレーザの代替レー
ザを構成することができる。 (i) 図5〔8〕のように、セシウムのスペクトルCsの
D2 線、具体的には6S1/ 2 →6P3/2 遷移(波長852.
124nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ1
と、YLF基本波がArI (波長1047.005n
m)にロックされたYLFの3倍波λ2とから和周波λ
3(波長247.5950nm)を得る。
〔8〕〜〔10〕、図7〔4〕〜図8〔7〕により、波
長248nmの近傍の波長の光を発生するKrFエキシ
マレーザの代替レーザを構成することができる。すなわ
ち、YLFレーザ発振器を用いる場合、上記図5〔7〕
以外に次のようにしてKrFエキシマレーザの代替レー
ザを構成することができる。 (i) 図5〔8〕のように、セシウムのスペクトルCsの
D2 線、具体的には6S1/ 2 →6P3/2 遷移(波長852.
124nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ1
と、YLF基本波がArI (波長1047.005n
m)にロックされたYLFの3倍波λ2とから和周波λ
3(波長247.5950nm)を得る。
【0026】(ii)図5
〔9〕のように、Xe(波長86
4.854nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長
λ1と、YLF基本波がArI (波長1047.005
nm)にロックされたYLFの3倍波λ2とから和周波
λ3(波長248.6585nm)を得る。 (iii) 図5〔10〕のように、Xe(波長862.42
4nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ1と、
YLF基本波がArI (波長1047.005nm)に
ロックされたYLFの3倍波λ2とから和周波λ3(波
長248.4572nm)を得る。 また、YAGレーザ発振器を用いる場合、次のようにし
てKrFエキシマレーザの代替レーザを構成することが
できる。
4.854nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長
λ1と、YLF基本波がArI (波長1047.005
nm)にロックされたYLFの3倍波λ2とから和周波
λ3(波長248.6585nm)を得る。 (iii) 図5〔10〕のように、Xe(波長862.42
4nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ1と、
YLF基本波がArI (波長1047.005nm)に
ロックされたYLFの3倍波λ2とから和周波λ3(波
長248.4572nm)を得る。 また、YAGレーザ発振器を用いる場合、次のようにし
てKrFエキシマレーザの代替レーザを構成することが
できる。
【0027】(iv)図7〔4〕のように、クリプトンKr
1s2-2p2 (波長828.1047nm)にロックされた
Ti:Al2 O3 波長λ1と、YAG2倍波がSm遷移
532.061nmにロックされたYAGの3倍波λ2
とから和周波λ3(波長248.3360nm)を得
る。 (v) 図7〔5〕のように、KrIs4-2p7 (波長829.
8105nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ
1と、YAG2倍波がSm遷移532.061nmにロ
ックされたYAGの3倍波λ2とから和周波λ3(波長
248.4892nm)を得る。
1s2-2p2 (波長828.1047nm)にロックされた
Ti:Al2 O3 波長λ1と、YAG2倍波がSm遷移
532.061nmにロックされたYAGの3倍波λ2
とから和周波λ3(波長248.3360nm)を得
る。 (v) 図7〔5〕のように、KrIs4-2p7 (波長829.
8105nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ
1と、YAG2倍波がSm遷移532.061nmにロ
ックされたYAGの3倍波λ2とから和周波λ3(波長
248.4892nm)を得る。
【0028】(vi)図8〔6〕のように、Kr1s2-2p
3 (波長826.3237nm)にロックされたTi:
Al2 O3 波長λ1と、YAG2倍波がSm遷移53
2.061nmにロックされたYAGの3倍波λ2とか
ら和周波λ3(波長248.1756nm)を得る。 (vii) 図8〔7〕のように、Xe(波長828.012
nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ1と、Y
AG2倍波がSm遷移532.061nmにロックされ
たYAGの3倍波λ2とから和周波λ3(波長248.
3277nm)を得る。 また、図2〜図8に示した原子吸収スペクトル以外に、
分子吸収スペクトルを使用することができ、例えば、サ
マリウム(Sm)の原子吸収スペクトルに換え、沃素
(I2 )の分子吸収スペクトルを使用することができ
る。
3 (波長826.3237nm)にロックされたTi:
Al2 O3 波長λ1と、YAG2倍波がSm遷移53
2.061nmにロックされたYAGの3倍波λ2とか
ら和周波λ3(波長248.1756nm)を得る。 (vii) 図8〔7〕のように、Xe(波長828.012
nm)にロックされたTi:Al2 O3 波長λ1と、Y
AG2倍波がSm遷移532.061nmにロックされ
たYAGの3倍波λ2とから和周波λ3(波長248.
3277nm)を得る。 また、図2〜図8に示した原子吸収スペクトル以外に、
分子吸収スペクトルを使用することができ、例えば、サ
マリウム(Sm)の原子吸収スペクトルに換え、沃素
(I2 )の分子吸収スペクトルを使用することができ
る。
【0029】図9〜図11は、前記した上記図1(a)
(b)に示した光源装置において、波長248nmのK
rFエキシマレーザ、波長193nmのArFエキシマ
レーザの代替レーザを構成する際に使用されるレーザ
光、および分子の吸収スペクトル基準を示す表である。
図9〜図11において、例えば図9〔1〕は図1(a)
に示す構成において193nmの近傍の波長である19
4.0026nmの光を発生する場合に使用できるレー
ザ光および分子の吸収スペクトル基準を示している。
(b)に示した光源装置において、波長248nmのK
rFエキシマレーザ、波長193nmのArFエキシマ
レーザの代替レーザを構成する際に使用されるレーザ
光、および分子の吸収スペクトル基準を示す表である。
図9〜図11において、例えば図9〔1〕は図1(a)
に示す構成において193nmの近傍の波長である19
4.0026nmの光を発生する場合に使用できるレー
ザ光および分子の吸収スペクトル基準を示している。
【0030】例えば、図9〔1〕に示すように、下記の
ようにして波長194.0026nmの光を得ることが
できる。 図1(a)に示すレーザ装置L1を、YAGレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の5倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、波長安定化手段R1により上
記YAGレーザ発振器の2倍波を沃素(I2 )の分子吸
収スペクトル(波長532.2461nm)に安定化
し、上記非線形光学結晶により上記YAGレーザ発振器
の5倍波(波長212.8984nm)を得ることによ
り、波長λ2の光を得る。
ようにして波長194.0026nmの光を得ることが
できる。 図1(a)に示すレーザ装置L1を、YAGレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の5倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、波長安定化手段R1により上
記YAGレーザ発振器の2倍波を沃素(I2 )の分子吸
収スペクトル(波長532.2461nm)に安定化
し、上記非線形光学結晶により上記YAGレーザ発振器
の5倍波(波長212.8984nm)を得ることによ
り、波長λ2の光を得る。
【0031】 レーザ装置L2としてYAGレーザ発
振器と該レーザ光の2倍波を生成する非線形光学結晶を
用い、波長安定化手段R2によりYAGレーザ発振器の
2倍波をサマリウム(Sm)遷移532.061nmに
ロックし、波長λa(波長532.061nm)の光を
OPOに与える。また、例えばレーザ装置L3として半
導体レーザ発振器等を用い、波長安定化手段R3により
その出力波長をネオン(Ne)1s2-2p10(波長703.
24nm)にロックし、該波長λb(波長703.24
nm)の光をOPOシグナル光としてOPOに与える。
OPOは上記波長λa,λbの光の差周波(1/λ1=
1/λa−1/λb)である波長λ1(波長2185.
8206nm)の光を発生する。
振器と該レーザ光の2倍波を生成する非線形光学結晶を
用い、波長安定化手段R2によりYAGレーザ発振器の
2倍波をサマリウム(Sm)遷移532.061nmに
ロックし、波長λa(波長532.061nm)の光を
OPOに与える。また、例えばレーザ装置L3として半
導体レーザ発振器等を用い、波長安定化手段R3により
その出力波長をネオン(Ne)1s2-2p10(波長703.
24nm)にロックし、該波長λb(波長703.24
nm)の光をOPOシグナル光としてOPOに与える。
OPOは上記波長λa,λbの光の差周波(1/λ1=
1/λa−1/λb)である波長λ1(波長2185.
8206nm)の光を発生する。
【0032】 上記で得た波長λ2の光と、上記
で得た波長λ1(波長2185.8206nm)の光を
図1(a)に示す非線形光学結晶CLBOに照射し、そ
の和周波(1/λ1+1/λ2=1/λ3)である波長
λ3(波長194.0026nm)の光を得る。同様
に、図1(a)の構成において、図9の〔2〕、図10
の〔3〕により、波長193nmの近傍の光を発生する
ArFエキシマレーザの代替光源を構成することができ
る。
で得た波長λ1(波長2185.8206nm)の光を
図1(a)に示す非線形光学結晶CLBOに照射し、そ
の和周波(1/λ1+1/λ2=1/λ3)である波長
λ3(波長194.0026nm)の光を得る。同様
に、図1(a)の構成において、図9の〔2〕、図10
の〔3〕により、波長193nmの近傍の光を発生する
ArFエキシマレーザの代替光源を構成することができ
る。
【0033】すなわち、上記図9〔1〕以外に次のよう
にしてArFエキシマレーザの代替レーザを構成するこ
とができる。 (i) 図9〔2〕のように、Ne 1s2-2p8(波長717.
393nm)にロックされたOPOシグナル光λbと、
Sm遷移532.061nmにロックされたYAGの2
倍波λaの差周波からλ1を得て、YAG2倍波がI2
遷移532.2461nmにロックされたYAG2倍波
λ2との和周波λ3(波長192.9525nm)を得
る。 (ii)図9〔3〕のように、ヘリウムHe 1s2p3P0-1s3p3
S (波長706.519nm)にロックされたOPOシ
グナル光λbと、Sm遷移532.061nmにロック
されたYAGの2倍波λaの差周波からλ1を得て、Y
AG2倍波がI2遷移532.2461nmにロックさ
れたYAG2倍波λ2との和周波λ3(波長193.7
545nm)を得る。
にしてArFエキシマレーザの代替レーザを構成するこ
とができる。 (i) 図9〔2〕のように、Ne 1s2-2p8(波長717.
393nm)にロックされたOPOシグナル光λbと、
Sm遷移532.061nmにロックされたYAGの2
倍波λaの差周波からλ1を得て、YAG2倍波がI2
遷移532.2461nmにロックされたYAG2倍波
λ2との和周波λ3(波長192.9525nm)を得
る。 (ii)図9〔3〕のように、ヘリウムHe 1s2p3P0-1s3p3
S (波長706.519nm)にロックされたOPOシ
グナル光λbと、Sm遷移532.061nmにロック
されたYAGの2倍波λaの差周波からλ1を得て、Y
AG2倍波がI2遷移532.2461nmにロックさ
れたYAG2倍波λ2との和周波λ3(波長193.7
545nm)を得る。
【0034】また、図10〔4〕は図1(b)に示す構
成において、上記248nmの近傍の波長である24
8.3965nmの光を発生する場合に使用できるレー
ザ光および分子の吸収スペクトル基準を示している。図
10〔4〕に示すように、下記のようにして波長24
8.3965nmの光を得ることができる。 図1(b)に示すレーザ装置L4を、YAGレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の3倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、波長安定化手段R4により上
記YAGレーザ発振器の2倍波をI2 遷移532.24
61nmにロックし、上記非線形光学結晶により上記Y
AGレーザ発振器の3倍波(波長354.8307n
m)を得ることにより、波長λ2の光を発生する。
成において、上記248nmの近傍の波長である24
8.3965nmの光を発生する場合に使用できるレー
ザ光および分子の吸収スペクトル基準を示している。図
10〔4〕に示すように、下記のようにして波長24
8.3965nmの光を得ることができる。 図1(b)に示すレーザ装置L4を、YAGレーザ
発振器と該レーザ発振器の出力光の3倍波を生成する非
線形光学結晶から構成し、波長安定化手段R4により上
記YAGレーザ発振器の2倍波をI2 遷移532.24
61nmにロックし、上記非線形光学結晶により上記Y
AGレーザ発振器の3倍波(波長354.8307n
m)を得ることにより、波長λ2の光を発生する。
【0035】 レーザ装置L5としてTi:Al2 O
3 レーザ発振器を用い、Ti:Al2O3 レーザ発振器
の基本波を波長安定化手段R5によりクリプトンKr 1
s2-2p2のスペクトル(波長828.1047nm)にロ
ックし、波長λ1の光を発生する。 上記で得た波長λ2(波長354.8307n
m)の光と、上記で得た波長λ1(波長828.10
47nm)の光を図1(b)に示す非線形光学結晶CL
BOに照射し、その和周波(1/λ1+1/λ2=1/
λ3)である波長λ3(波長248.3965nm)の
光を得る。同様に、図1(b)の構成において、図10
の〔5〕、図11の〔6〕〔7〕により、波長248n
mの近傍の光を発生するKrFエキシマレーザの代替光
源を構成することができる。
3 レーザ発振器を用い、Ti:Al2O3 レーザ発振器
の基本波を波長安定化手段R5によりクリプトンKr 1
s2-2p2のスペクトル(波長828.1047nm)にロ
ックし、波長λ1の光を発生する。 上記で得た波長λ2(波長354.8307n
m)の光と、上記で得た波長λ1(波長828.10
47nm)の光を図1(b)に示す非線形光学結晶CL
BOに照射し、その和周波(1/λ1+1/λ2=1/
λ3)である波長λ3(波長248.3965nm)の
光を得る。同様に、図1(b)の構成において、図10
の〔5〕、図11の〔6〕〔7〕により、波長248n
mの近傍の光を発生するKrFエキシマレーザの代替光
源を構成することができる。
【0036】すなわち、上記図10の〔4〕以外に次の
ようにしてKrFエキシマレーザの代替レーザを構成す
ることができる。 (i) 図10の〔5〕のように、Kr 1s4-2p7(波長82
9.8105nm)にロックされたTi:Al2 O3 波
長λ1と、YAGレーザ2倍波がI2 遷移532.24
61nmにロックされたYAGの3倍波λ2とから和周
波λ3(波長248.5497nm)を得る。 (ii)図11の〔6〕のように、Kr 1s2-2p3(波長82
6.3237nm)にロックされたTi:Al2 O3 波
長λ1と、YAGレーザ2倍波がI2 遷移532.24
61nmにロックされたYAGの3倍波λ2とから和周
波λ3(波長248.2360nm)を得る。 (iii) 図11の〔7〕のように、キセノンXe(波長8
28.012nm)にロックされたTi:Al2 O3 波
長λ1と、YAGレーザ2倍波がI2 遷移532.24
61nmにロックされたYAGの3倍波λ2とから和周
波λ3(波長248.3881nm)を得る。 本発明においては、上記のように波長安定化の基準とし
て、分子や原子の吸収線を利用しているので、絶対波長
安定化を行うことができ、しかも、吸収線のスペクトル
の線幅はドップラー広がりできまり、高々、GHzのオ
ーダなので波長安定化としては、10-6の精度を十分達
成することができる。
ようにしてKrFエキシマレーザの代替レーザを構成す
ることができる。 (i) 図10の〔5〕のように、Kr 1s4-2p7(波長82
9.8105nm)にロックされたTi:Al2 O3 波
長λ1と、YAGレーザ2倍波がI2 遷移532.24
61nmにロックされたYAGの3倍波λ2とから和周
波λ3(波長248.5497nm)を得る。 (ii)図11の〔6〕のように、Kr 1s2-2p3(波長82
6.3237nm)にロックされたTi:Al2 O3 波
長λ1と、YAGレーザ2倍波がI2 遷移532.24
61nmにロックされたYAGの3倍波λ2とから和周
波λ3(波長248.2360nm)を得る。 (iii) 図11の〔7〕のように、キセノンXe(波長8
28.012nm)にロックされたTi:Al2 O3 波
長λ1と、YAGレーザ2倍波がI2 遷移532.24
61nmにロックされたYAGの3倍波λ2とから和周
波λ3(波長248.3881nm)を得る。 本発明においては、上記のように波長安定化の基準とし
て、分子や原子の吸収線を利用しているので、絶対波長
安定化を行うことができ、しかも、吸収線のスペクトル
の線幅はドップラー広がりできまり、高々、GHzのオ
ーダなので波長安定化としては、10-6の精度を十分達
成することができる。
【0037】ここで、図1(a)(b)において、第1
のコヒーレント光源、第2のコヒーレント光源が出力す
る波長λ1,λ2のパルス光のタイミングは、パルス光
が上記非線形光学結晶CLBOに到達する時刻で一致し
ていないと波長λ3の和周波光は大きな値とならない。
すなわち、光パルスは1nsecの間に30cm進む。
和周波混合される各波長のもととなるレーザ発振器が完
全に同じタイミングで発振したとしても、光学系の配置
によって和周波混合される各波長のパルス光の光路長が
数10cmずれると、非線形光学結晶CLBOに到達す
る時刻が数nsecずれる。
のコヒーレント光源、第2のコヒーレント光源が出力す
る波長λ1,λ2のパルス光のタイミングは、パルス光
が上記非線形光学結晶CLBOに到達する時刻で一致し
ていないと波長λ3の和周波光は大きな値とならない。
すなわち、光パルスは1nsecの間に30cm進む。
和周波混合される各波長のもととなるレーザ発振器が完
全に同じタイミングで発振したとしても、光学系の配置
によって和周波混合される各波長のパルス光の光路長が
数10cmずれると、非線形光学結晶CLBOに到達す
る時刻が数nsecずれる。
【0038】ここで、光パルスの幅が例えば5nsec
であると仮定すると、5nsecの光パルスに対し数n
secのずれは深刻な問題であり、図12に示すよう
に、波長λ1のパルス光と波長λ2のパルス光がずれる
ことにより、その和周波である波長λ3のパルス光の強
度は低下する。一方、和周波混合される各波長のもとと
なるレーザ発振器を完全に同じタイミングで発振させる
ことは難しく、どちらかが一定時間遅れる。この時間の
ずれが数nsecある場合、和周波混合される各波長の
パルス光の光路長を完全に同じにしても図12に示すよ
うな結果を引き起こす。
であると仮定すると、5nsecの光パルスに対し数n
secのずれは深刻な問題であり、図12に示すよう
に、波長λ1のパルス光と波長λ2のパルス光がずれる
ことにより、その和周波である波長λ3のパルス光の強
度は低下する。一方、和周波混合される各波長のもとと
なるレーザ発振器を完全に同じタイミングで発振させる
ことは難しく、どちらかが一定時間遅れる。この時間の
ずれが数nsecある場合、和周波混合される各波長の
パルス光の光路長を完全に同じにしても図12に示すよ
うな結果を引き起こす。
【0039】上記した問題を解決するため、本発明にお
いては、光路長や本来の発振タイミングのずれを十分吸
収できる可変遅延回路を内蔵したタイミング回路TMを
設けている。そして、上記タイミング回路の出力パルス
を利用して、各レーザ発振器のQスイッチの駆動タイミ
ングを調整する。これによって、図13に示すように和
周波混合される各波長λ1とλ2の光が非線形光学結晶
CLBOに到達する時刻を一致させることができる。そ
の結果、非線形相互作用時間が長くなり、十分に大きな
非線形分極を引き起こすことができ、その和周波である
波長λ3のパルス光の強度を大きくすることができる。
いては、光路長や本来の発振タイミングのずれを十分吸
収できる可変遅延回路を内蔵したタイミング回路TMを
設けている。そして、上記タイミング回路の出力パルス
を利用して、各レーザ発振器のQスイッチの駆動タイミ
ングを調整する。これによって、図13に示すように和
周波混合される各波長λ1とλ2の光が非線形光学結晶
CLBOに到達する時刻を一致させることができる。そ
の結果、非線形相互作用時間が長くなり、十分に大きな
非線形分極を引き起こすことができ、その和周波である
波長λ3のパルス光の強度を大きくすることができる。
【0040】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 (1)実施例1 図14は、本発明の第1の実施例の光源装置の構成を示
す図であり、本実施例は、前記図4〔6〕により光源装
置を構成した場合を示している。同図において、ArF
エキシマレーザの出力光に相当した波長193nm近傍
の光は次のようにして生成される。
て説明する。 (1)実施例1 図14は、本発明の第1の実施例の光源装置の構成を示
す図であり、本実施例は、前記図4〔6〕により光源装
置を構成した場合を示している。同図において、ArF
エキシマレーザの出力光に相当した波長193nm近傍
の光は次のようにして生成される。
【0041】(a) 波長λ2(波長209.401nm)
のレーザ光の発生 Nd:YLFレーザ発振器から構成される連続発振シー
ダ1が出力する単一縦モードの出力光はビームサンプラ
BS1を介してNd:YLFレーザ発振器2に与えられ
る。また、上記連続発振シーダ1が出力する単一縦モー
ドの光の一部は上記ビームサンプラBS1により取り出
され、アルゴン放電管B1(以下Ar放電管という)の
中を通過する。上記Ar放電管B1内を光が通過すると
き、上記Ar放電管B1内のアルゴン原子は、通過する
光を吸収し上の準位に遷移する。このとき吸収される光
の波長はガスによって所定の値が定まっており、中性の
アルゴンのスペクトル(以下ArI のスペクトルとい
う)は、1047.005nmである。
のレーザ光の発生 Nd:YLFレーザ発振器から構成される連続発振シー
ダ1が出力する単一縦モードの出力光はビームサンプラ
BS1を介してNd:YLFレーザ発振器2に与えられ
る。また、上記連続発振シーダ1が出力する単一縦モー
ドの光の一部は上記ビームサンプラBS1により取り出
され、アルゴン放電管B1(以下Ar放電管という)の
中を通過する。上記Ar放電管B1内を光が通過すると
き、上記Ar放電管B1内のアルゴン原子は、通過する
光を吸収し上の準位に遷移する。このとき吸収される光
の波長はガスによって所定の値が定まっており、中性の
アルゴンのスペクトル(以下ArI のスペクトルとい
う)は、1047.005nmである。
【0042】図15はArI のスペクトルを利用した波
長安定化手段の構成を示す図であり、図14に示したも
のと同一のものには同一の符号が付されており、同図に
よりArI スペクトルによる波長安定化について説明す
る。同図に示すように、Ar放電管B1の電極は安定化
抵抗R1を介して放電管用電源P1と接続されており、
Ar放電管B1は放電管用電源P1から印加される電圧
より放電している。また、Ar放電管B1の両端部には
光学窓W1,W2が設けられており、連続発振シーダ1
が出力する単一縦モードの出力光はビームサンプラBS
1を介して上記光学窓W1からAr放電管B1内に入
り、光学窓W2から出射して光−電気変換増幅器OE1
に入射する。そして、Ar放電管B1を光が通過すると
き、上記したようにArI のスペクトルが吸収される。
長安定化手段の構成を示す図であり、図14に示したも
のと同一のものには同一の符号が付されており、同図に
よりArI スペクトルによる波長安定化について説明す
る。同図に示すように、Ar放電管B1の電極は安定化
抵抗R1を介して放電管用電源P1と接続されており、
Ar放電管B1は放電管用電源P1から印加される電圧
より放電している。また、Ar放電管B1の両端部には
光学窓W1,W2が設けられており、連続発振シーダ1
が出力する単一縦モードの出力光はビームサンプラBS
1を介して上記光学窓W1からAr放電管B1内に入
り、光学窓W2から出射して光−電気変換増幅器OE1
に入射する。そして、Ar放電管B1を光が通過すると
き、上記したようにArI のスペクトルが吸収される。
【0043】ここで、上記連続発振シーダ1の共振器ミ
ラーには共振器長を制御するための電歪素子が設けられ
ており、該電歪素子には直流バイアス回路DB1の出力
が与えられている。また、変調器MD1が出力するf1
Hzの信号が上記直流バイアス回路DB1に与えられお
り、上記f1Hzの信号は直流バイアス回路DB1が出
力する直流電圧に重畳される。このため、上記共振器ミ
ラーはf1Hzで微小振動し、連続発振シーダ1が出力
する単一縦モードの光波長は微小振動している。上記連
続発振シーダ1の出力光の波長がAr放電管の吸収スペ
クトルの近傍で微小振動すると、上記光−電気変換器O
E1が出力する電気信号も微小変動し、この信号はf1
Hzの周波数の信号を通過させるバンドパスフィルタF
1を介して位相敏感検波器D1に与えられる。
ラーには共振器長を制御するための電歪素子が設けられ
ており、該電歪素子には直流バイアス回路DB1の出力
が与えられている。また、変調器MD1が出力するf1
Hzの信号が上記直流バイアス回路DB1に与えられお
り、上記f1Hzの信号は直流バイアス回路DB1が出
力する直流電圧に重畳される。このため、上記共振器ミ
ラーはf1Hzで微小振動し、連続発振シーダ1が出力
する単一縦モードの光波長は微小振動している。上記連
続発振シーダ1の出力光の波長がAr放電管の吸収スペ
クトルの近傍で微小振動すると、上記光−電気変換器O
E1が出力する電気信号も微小変動し、この信号はf1
Hzの周波数の信号を通過させるバンドパスフィルタF
1を介して位相敏感検波器D1に与えられる。
【0044】一方、上記変調器MD1が出力するf1H
zの信号は、上記位相敏感検波器D1にも与えられ、位
相敏感検波器D1は上記光−電気変換器OE1が出力す
る微小振動の位相と上記変調器MD1が出力するf1H
zの信号の位相から連続発振シーダ1が出力する光の波
長が上記吸収スペクトルの波長より大きいか小さいかを
弁別し、連続発振シーダ1の出力光の波長と吸収スペク
トルの中心波長との誤差信号に相当した出力(上記吸収
スペクトルの一次微分に相当する)を発生する。
zの信号は、上記位相敏感検波器D1にも与えられ、位
相敏感検波器D1は上記光−電気変換器OE1が出力す
る微小振動の位相と上記変調器MD1が出力するf1H
zの信号の位相から連続発振シーダ1が出力する光の波
長が上記吸収スペクトルの波長より大きいか小さいかを
弁別し、連続発振シーダ1の出力光の波長と吸収スペク
トルの中心波長との誤差信号に相当した出力(上記吸収
スペクトルの一次微分に相当する)を発生する。
【0045】位相敏感検波器D1の出力は、前記直流バ
イアス回路DB1に与えられ、直流バイアス回路DB1
は上記誤差信号に応じて直流バイアス値を制御し、上記
連続発振シーダ1の共振器ミラーの共振長を制御する。
このため、上記連続発振シーダ1の出力光の波長が上記
吸収スペクトルの中心波長からずれると、共振器ミラー
の共振長が制御され、連続発振シーダ1の出力光の波長
は1047.005nmに安定化される。
イアス回路DB1に与えられ、直流バイアス回路DB1
は上記誤差信号に応じて直流バイアス値を制御し、上記
連続発振シーダ1の共振器ミラーの共振長を制御する。
このため、上記連続発振シーダ1の出力光の波長が上記
吸収スペクトルの中心波長からずれると、共振器ミラー
の共振長が制御され、連続発振シーダ1の出力光の波長
は1047.005nmに安定化される。
【0046】なお、図15では、ArI スペクトルによ
る線形吸収による波長安定化について説明したが、その
他の原子の線形吸収スペクトルを用いて波長安定化を行
う場合にも、同様の構成で行うことができる。分子の線
形吸収スペクトルを利用して波長安定化を行う場合に
は、図15において、Ar放電管B1を沃素等の分子を
封入したセルに置き換えればよい。この場合には、放電
管用電源P1は不要である。また、光ガルバノ効果を用
いたり、飽和吸収を用いて波長安定化を行うこともで
き、これらを用いた波長安定化については後述する。
る線形吸収による波長安定化について説明したが、その
他の原子の線形吸収スペクトルを用いて波長安定化を行
う場合にも、同様の構成で行うことができる。分子の線
形吸収スペクトルを利用して波長安定化を行う場合に
は、図15において、Ar放電管B1を沃素等の分子を
封入したセルに置き換えればよい。この場合には、放電
管用電源P1は不要である。また、光ガルバノ効果を用
いたり、飽和吸収を用いて波長安定化を行うこともで
き、これらを用いた波長安定化については後述する。
【0047】図14に戻り、上記波長安定化手段により
波長が1047.005nmに安定化された連続発振シ
ーダ1の単一縦モード光はNd:YLFレーザ発振器2
に与えられ、Nd:YLFレーザ発振器2は、波長10
47.005nmに安定化された単一縦モード光が注入
される。一方、タイミング回路TMにより駆動されるQ
スイッチドライバSD1が出力するf2Hz(f2>>
f1)の信号が上記Nd:YLFレーザ発振器2に与え
られ、Nd:YLFレーザ発振器2は波長が1047.
005nmに安定化されたf2Hzでオンオフするパル
ス状のレーザ光を出力する。
波長が1047.005nmに安定化された連続発振シ
ーダ1の単一縦モード光はNd:YLFレーザ発振器2
に与えられ、Nd:YLFレーザ発振器2は、波長10
47.005nmに安定化された単一縦モード光が注入
される。一方、タイミング回路TMにより駆動されるQ
スイッチドライバSD1が出力するf2Hz(f2>>
f1)の信号が上記Nd:YLFレーザ発振器2に与え
られ、Nd:YLFレーザ発振器2は波長が1047.
005nmに安定化されたf2Hzでオンオフするパル
ス状のレーザ光を出力する。
【0048】タイミング回路TMは、前記したように光
路長や本来の発振タイミングのずれを十分吸収できる可
変遅延回路を備えており、上記可変遅延回路の遅延時間
を調整することにより、上記Nd:YLFレーザ発振器
2が出力するパルス光の出力タイミングが調整される。
上記パルス光はLBO(LiB3 O5 )からなる2倍波
結晶3に入射し、第2高調波である波長523.502
5nmの光に変換される。さらに、CLBO(Cs Li
B6 O10)からなる4倍波結晶4および5倍波結晶5に
入射し、第5高調波である波長209.401nmの光
に変換される。
路長や本来の発振タイミングのずれを十分吸収できる可
変遅延回路を備えており、上記可変遅延回路の遅延時間
を調整することにより、上記Nd:YLFレーザ発振器
2が出力するパルス光の出力タイミングが調整される。
上記パルス光はLBO(LiB3 O5 )からなる2倍波
結晶3に入射し、第2高調波である波長523.502
5nmの光に変換される。さらに、CLBO(Cs Li
B6 O10)からなる4倍波結晶4および5倍波結晶5に
入射し、第5高調波である波長209.401nmの光
に変換される。
【0049】(b) 波長λ1のレーザ光の発生 上記(a) と同様、Nd:YLFレーザ発振器から構成さ
れる連続発振シーダ11が出力する単一縦モードの出力
光はビームサンプラBS2を介してNd:YLFレーザ
発振器12に与えられる。また、上記連続発振シーダ1
1が出力する単一縦モードの光の一部は上記ビームサン
プラBS2により取り出され、放電管用電源P2から印
加される電圧より励起されているAr放電管B2の中を
通過する。
れる連続発振シーダ11が出力する単一縦モードの出力
光はビームサンプラBS2を介してNd:YLFレーザ
発振器12に与えられる。また、上記連続発振シーダ1
1が出力する単一縦モードの光の一部は上記ビームサン
プラBS2により取り出され、放電管用電源P2から印
加される電圧より励起されているAr放電管B2の中を
通過する。
【0050】上記Ar放電管B2の中を通過する光は、
光−電気変換器OE2に入射し、電気信号に変換され、
位相敏感検波器D2に与えられる。位相敏感検波器D2
は前記したように、連続発振シーダ11の出力光の波長
と吸収スペクトルの中心波長(波長1047.005n
m)との誤差信号に相当した出力(上記吸収スペクトル
の一次微分に相当する)を発生する。位相敏感検波器D
2の出力は、前記直流バイアス回路DB2に与えられ、
直流バイアス回路DB1は上記誤差信号に応じて直流バ
イアス値を制御し、上記連続発振シーダ11の共振器ミ
ラーの共振長を制御する。このため、上記連続発振シー
ダ11の出力光の波長が上記吸収スペクトルの中心波長
からずれると、共振器ミラーの共振長が制御され、連続
発振シーダ11の出力光の波長は1047.005nm
に安定化される。
光−電気変換器OE2に入射し、電気信号に変換され、
位相敏感検波器D2に与えられる。位相敏感検波器D2
は前記したように、連続発振シーダ11の出力光の波長
と吸収スペクトルの中心波長(波長1047.005n
m)との誤差信号に相当した出力(上記吸収スペクトル
の一次微分に相当する)を発生する。位相敏感検波器D
2の出力は、前記直流バイアス回路DB2に与えられ、
直流バイアス回路DB1は上記誤差信号に応じて直流バ
イアス値を制御し、上記連続発振シーダ11の共振器ミ
ラーの共振長を制御する。このため、上記連続発振シー
ダ11の出力光の波長が上記吸収スペクトルの中心波長
からずれると、共振器ミラーの共振長が制御され、連続
発振シーダ11の出力光の波長は1047.005nm
に安定化される。
【0051】上記波長が1047.005nmに安定化
された連続発振シーダ11の単一縦モード光はNd:Y
LFレーザ発振器12に与えられ、Nd:YLFレーザ
発振器12は、波長1047.005nmに安定化され
た単一縦モード光が注入される。また、タイミング回路
TMにより出力タイミングが制御されるQスイッチドラ
イバSD2が出力するf2Hzの信号が上記Nd:YL
Fレーザ発振器12に与えられ、Nd:YLFレーザ発
振器12は波長が1047.005nmに安定化された
f2Hzでオンオフするパルス状のレーザ光を出力す
る。上記波長が1047.005nmに安定化されたN
d:YLFレーザ発振器12の単一縦モードのパルス光
はLBO(LiB3 O5 )からなる2倍波結晶13に入
射し、第2高調波である波長523.5025nmの光
に変換され、OPO14に入射する。
された連続発振シーダ11の単一縦モード光はNd:Y
LFレーザ発振器12に与えられ、Nd:YLFレーザ
発振器12は、波長1047.005nmに安定化され
た単一縦モード光が注入される。また、タイミング回路
TMにより出力タイミングが制御されるQスイッチドラ
イバSD2が出力するf2Hzの信号が上記Nd:YL
Fレーザ発振器12に与えられ、Nd:YLFレーザ発
振器12は波長が1047.005nmに安定化された
f2Hzでオンオフするパルス状のレーザ光を出力す
る。上記波長が1047.005nmに安定化されたN
d:YLFレーザ発振器12の単一縦モードのパルス光
はLBO(LiB3 O5 )からなる2倍波結晶13に入
射し、第2高調波である波長523.5025nmの光
に変換され、OPO14に入射する。
【0052】一方、半導体レーザ発振器16が出力する
単一縦モードの光の一部はビームサンプラBS3により
取り出され、放電管用電源P3から印加される電圧より
励起されているネオン放電管(以下、Ne放電管とい
う)B3の中を通過する。上記Ne放電管B3内を光が
通過するとき、上記Ne放電管B3内のネオン原子は、
通過する光を吸収し上の準位に遷移する。このとき吸収
される光の波長は、中性のネオンのスペクトル(以下N
eI のスペクトルという)の場合、659.8949n
mである。
単一縦モードの光の一部はビームサンプラBS3により
取り出され、放電管用電源P3から印加される電圧より
励起されているネオン放電管(以下、Ne放電管とい
う)B3の中を通過する。上記Ne放電管B3内を光が
通過するとき、上記Ne放電管B3内のネオン原子は、
通過する光を吸収し上の準位に遷移する。このとき吸収
される光の波長は、中性のネオンのスペクトル(以下N
eI のスペクトルという)の場合、659.8949n
mである。
【0053】上記Ne放電管B3の中を通過する光は、
光−電気変換器OE3に入射し、電気信号に変換され、
位相敏感検波器D3に与えられる。ここで、上記半導体
レーザ発振器16には、電流注入回路CSから電流が注
入されており、この注入電流は変調器MD3が出力する
f1Hzの信号により変調される。このため、上記半導
体レーザ発振器16の出力光の波長はNe放電管の吸収
スペクトルの近傍で微小振動し、上記光−電気変換器O
E3が出力する電気信号も微小変動する。
光−電気変換器OE3に入射し、電気信号に変換され、
位相敏感検波器D3に与えられる。ここで、上記半導体
レーザ発振器16には、電流注入回路CSから電流が注
入されており、この注入電流は変調器MD3が出力する
f1Hzの信号により変調される。このため、上記半導
体レーザ発振器16の出力光の波長はNe放電管の吸収
スペクトルの近傍で微小振動し、上記光−電気変換器O
E3が出力する電気信号も微小変動する。
【0054】一方、前記したように上記変調器MD3が
出力するf1Hzの信号は、位相敏感検波器D3にも与
えられ、位相敏感検波器D3は半導体レーザ発振器16
の出力光の波長と上記吸収スペクトルの中心波長(波長
659.8949nm)との誤差信号に相当した出力
(上記吸収スペクトルの一次微分に相当する)を発生す
る。 位相敏感検波器D3の出力は、温度制御器TCに
与えられ、温度制御器TCは上記誤差信号に応じて上記
半導体レーザ発振器16の温度を制御する。これによ
り、上記上記半導体レーザ発振器16の出力光の波長は
659.8949nmに安定化される。
出力するf1Hzの信号は、位相敏感検波器D3にも与
えられ、位相敏感検波器D3は半導体レーザ発振器16
の出力光の波長と上記吸収スペクトルの中心波長(波長
659.8949nm)との誤差信号に相当した出力
(上記吸収スペクトルの一次微分に相当する)を発生す
る。 位相敏感検波器D3の出力は、温度制御器TCに
与えられ、温度制御器TCは上記誤差信号に応じて上記
半導体レーザ発振器16の温度を制御する。これによ
り、上記上記半導体レーザ発振器16の出力光の波長は
659.8949nmに安定化される。
【0055】波長が659.8949nmに安定化され
た半導体レーザ発振器16の出力光は、前記ビームサン
プラBS3、およびミラーM2を介してOPO14に入
射する。OPO14は前記2倍波結晶13から出力され
る波長523.5025nmのパルス光と、上記半導体
レーザ発振器16から出力される波長659.8949
nmの光が入射すると、上記波長523.5025nm
(=λa)、659.8949nm(=λb)の光の差
周波(1/λ1=1/λa−1/λb)である波長25
32.814nm(=λ1)のパルス光を発生する。
た半導体レーザ発振器16の出力光は、前記ビームサン
プラBS3、およびミラーM2を介してOPO14に入
射する。OPO14は前記2倍波結晶13から出力され
る波長523.5025nmのパルス光と、上記半導体
レーザ発振器16から出力される波長659.8949
nmの光が入射すると、上記波長523.5025nm
(=λa)、659.8949nm(=λb)の光の差
周波(1/λ1=1/λa−1/λb)である波長25
32.814nm(=λ1)のパルス光を発生する。
【0056】(c) 波長λ3のレーザ光の発生 前記(a) で説明した5倍波結晶5が発生する波長20
9.401nmのパルス光はミラーM1、レンズLN
1、ビームスプリッタBS4を介して、和周波結晶15
に入射する。また、前記(b) で説明したOPO14が発
生する上記波長2532.814nmのパルス光は、レ
ンズLN2、ビームスプリッタBS4を介して和周波結
晶15に入射する。
9.401nmのパルス光はミラーM1、レンズLN
1、ビームスプリッタBS4を介して、和周波結晶15
に入射する。また、前記(b) で説明したOPO14が発
生する上記波長2532.814nmのパルス光は、レ
ンズLN2、ビームスプリッタBS4を介して和周波結
晶15に入射する。
【0057】ここで、前記したようにタイミング回路T
Mにより、上記波長209.401nmのパルス光と上
記波長2532.814nmのパルス光のタイミングを
調整することにより、前記図10に示したように両パル
ス光が和周波結晶15に到達する時刻を一致させること
ができる。和周波結晶15は、上記波長209.401
nm(=λ2)と上記波長2532.814nm(=λ
1)のパルス光の和周波(1/λ3=1/λ1+1/λ
2)である波長193.4107nm(=λ3)の光を
発生する。
Mにより、上記波長209.401nmのパルス光と上
記波長2532.814nmのパルス光のタイミングを
調整することにより、前記図10に示したように両パル
ス光が和周波結晶15に到達する時刻を一致させること
ができる。和周波結晶15は、上記波長209.401
nm(=λ2)と上記波長2532.814nm(=λ
1)のパルス光の和周波(1/λ3=1/λ1+1/λ
2)である波長193.4107nm(=λ3)の光を
発生する。
【0058】本発明の第1の実施例においては、上記の
ように、ArI のスペクトルによりNd:YLFレー
ザ発振器が出力するレーザ光の波長を1047.005
nmに安定化し、非線形光学結晶により上記レーザ光の
5倍波である波長209.401nm(=λ2)の光を
生成し、また、ArI のスペクトルによりNd:YL
Fレーザ発振器が出力するレーザ光の波長を1047.
005nmに安定化し、非線形光学結晶により上記レー
ザ光の2倍波である523.5025nm(=λa)を
生成してOPOに入射するとともに、NeI のスペクト
ルにより半導体レーザ発振器が出力するレーザ光を65
9.8949nm(=λb)に安定化して上記OPOに
入射し、OPOにより、その差周波である波長253
2.814nm(=λ1)の光を得て、上記、の
レーザ光を和周波結晶に入射して、193.4107n
mの波長の光を得ているので、Nd:YLFレーザ発振
器と半導体レーザ発振器を用いてArFエキシマレーザ
の代替光源を構成することができ、前記したエキシマレ
ーザの欠点であるハンドリングやメンテナンス上の問
題、連続運転による波長安定化の悪化といった問題を解
消することができる。
ように、ArI のスペクトルによりNd:YLFレー
ザ発振器が出力するレーザ光の波長を1047.005
nmに安定化し、非線形光学結晶により上記レーザ光の
5倍波である波長209.401nm(=λ2)の光を
生成し、また、ArI のスペクトルによりNd:YL
Fレーザ発振器が出力するレーザ光の波長を1047.
005nmに安定化し、非線形光学結晶により上記レー
ザ光の2倍波である523.5025nm(=λa)を
生成してOPOに入射するとともに、NeI のスペクト
ルにより半導体レーザ発振器が出力するレーザ光を65
9.8949nm(=λb)に安定化して上記OPOに
入射し、OPOにより、その差周波である波長253
2.814nm(=λ1)の光を得て、上記、の
レーザ光を和周波結晶に入射して、193.4107n
mの波長の光を得ているので、Nd:YLFレーザ発振
器と半導体レーザ発振器を用いてArFエキシマレーザ
の代替光源を構成することができ、前記したエキシマレ
ーザの欠点であるハンドリングやメンテナンス上の問
題、連続運転による波長安定化の悪化といった問題を解
消することができる。
【0059】また、波長安定化の基準として、原子の吸
収線を利用しているので、高精度な波長安定化を行うこ
とができる。さらに、タイミング回路により、上記と
のパルス光のタイミングを調整しているので、上記
、のレーザ光が和周波結晶に到達する時刻を一致さ
せることができ、和周波である波長193.4107n
mの光の強度を十分に大きくすることができる。
収線を利用しているので、高精度な波長安定化を行うこ
とができる。さらに、タイミング回路により、上記と
のパルス光のタイミングを調整しているので、上記
、のレーザ光が和周波結晶に到達する時刻を一致さ
せることができ、和周波である波長193.4107n
mの光の強度を十分に大きくすることができる。
【0060】(2)実施例2 図16は、本発明の第2の実施例の光源装置の構成を示
す図であり、本実施例は、前記図6〔1〕により光源装
置を構成した場合を示している。同図において、ArF
エキシマレーザの出力光に相当した波長193nm近傍
の光は次のようにして生成される。
す図であり、本実施例は、前記図6〔1〕により光源装
置を構成した場合を示している。同図において、ArF
エキシマレーザの出力光に相当した波長193nm近傍
の光は次のようにして生成される。
【0061】(a) 波長λ2(波長212.8244n
m)のレーザ光の発生 Nd:YAGレーザ発振器から構成される連続発振シー
ダ21が出力する単一縦モードの出力光はNd:YAG
レーザ発振器22に与えられ、Nd:YAGレーザ発振
器22は、連続発振シーダ21が出力する単一縦モード
光により励起される。また、タイミング回路TMにより
出力タイミングが制御されるQスイッチドライバSD1
が出力するf2Hzの信号が上記Nd:YAGレーザ発
振器22に与えられ、Nd:YAGレーザ発振器22は
f2Hzでオンオフするパルス状のレーザ光を出力す
る。Nd:YAGレーザ発振器22が出力するパルス光
はLBOからなる2倍波結晶23に入射し、第2高調波
である波長532.061nmに変換され、ビームサン
プラBS1を介してCLBOからなる4倍波結晶24に
入射する。
m)のレーザ光の発生 Nd:YAGレーザ発振器から構成される連続発振シー
ダ21が出力する単一縦モードの出力光はNd:YAG
レーザ発振器22に与えられ、Nd:YAGレーザ発振
器22は、連続発振シーダ21が出力する単一縦モード
光により励起される。また、タイミング回路TMにより
出力タイミングが制御されるQスイッチドライバSD1
が出力するf2Hzの信号が上記Nd:YAGレーザ発
振器22に与えられ、Nd:YAGレーザ発振器22は
f2Hzでオンオフするパルス状のレーザ光を出力す
る。Nd:YAGレーザ発振器22が出力するパルス光
はLBOからなる2倍波結晶23に入射し、第2高調波
である波長532.061nmに変換され、ビームサン
プラBS1を介してCLBOからなる4倍波結晶24に
入射する。
【0062】また、上記2倍波結晶23が出力するパル
ス光の一部はビームサンプラBS1により取り出され、
放電管用電源P1から印加される電圧より励起されてい
るサマリウム放電管(以下Sm放電管という)B4の中
を通過する。上記Sm放電管B4内を光が通過すると
き、上記Sm放電管B4内のサマリウム原子(以下、S
mという)は、通過する光を吸収し上の準位に遷移す
る。このとき吸収される光の波長は、532.061n
mである。上記Sm放電管B4の中を通過する光は、光
−電気変換器OE1に入射し、電気信号に変換され、位
相敏感検波器D1に与えられる。位相敏感検波器D1は
前記したように、2倍波結晶23の出力光の波長と吸収
スペクトルの中心波長(波長532.061nm)との
誤差信号に相当した出力(上記吸収スペクトルの一次微
分に相当する)を発生する。
ス光の一部はビームサンプラBS1により取り出され、
放電管用電源P1から印加される電圧より励起されてい
るサマリウム放電管(以下Sm放電管という)B4の中
を通過する。上記Sm放電管B4内を光が通過すると
き、上記Sm放電管B4内のサマリウム原子(以下、S
mという)は、通過する光を吸収し上の準位に遷移す
る。このとき吸収される光の波長は、532.061n
mである。上記Sm放電管B4の中を通過する光は、光
−電気変換器OE1に入射し、電気信号に変換され、位
相敏感検波器D1に与えられる。位相敏感検波器D1は
前記したように、2倍波結晶23の出力光の波長と吸収
スペクトルの中心波長(波長532.061nm)との
誤差信号に相当した出力(上記吸収スペクトルの一次微
分に相当する)を発生する。
【0063】位相敏感検波器D1の出力は、前記直流バ
イアス回路DB1に与えられ、放出されるYAG基本波
が、その2倍波が波長532.061nmとなるように
連続発振シーダ21の共振器ミラーの共振長が制御さ
れ、2倍波結晶23の出力光の波長は532.061n
mに安定化される。波長が532.061nmに安定化
された2倍波結晶23の出力光は、CLBOからなる4
倍波結晶24および5倍波結晶25に入射し、第4高調
波である波長266.03nmの光、第5高調波である
波長212.8244nmの光に変換される。
イアス回路DB1に与えられ、放出されるYAG基本波
が、その2倍波が波長532.061nmとなるように
連続発振シーダ21の共振器ミラーの共振長が制御さ
れ、2倍波結晶23の出力光の波長は532.061n
mに安定化される。波長が532.061nmに安定化
された2倍波結晶23の出力光は、CLBOからなる4
倍波結晶24および5倍波結晶25に入射し、第4高調
波である波長266.03nmの光、第5高調波である
波長212.8244nmの光に変換される。
【0064】(b) 波長λ1(波長2185.821n
m)のレーザ光の発生 上記(a) と同様、Nd:YAGレーザ発振器から構成さ
れる連続発振シーダ31が出力する単一縦モードの出力
光はNd:YAGレーザ発振器32に与えられ、Nd:
YAGレーザ発振器32は、連続発振シーダ31が出力
する単一縦モード光により励起される。また、Nd:Y
AGレーザ発振器32はQスイッチドライバSD2が出
力するf2Hzの信号により、f2Hzでオンオフする
パルス状のレーザ光を出力する。
m)のレーザ光の発生 上記(a) と同様、Nd:YAGレーザ発振器から構成さ
れる連続発振シーダ31が出力する単一縦モードの出力
光はNd:YAGレーザ発振器32に与えられ、Nd:
YAGレーザ発振器32は、連続発振シーダ31が出力
する単一縦モード光により励起される。また、Nd:Y
AGレーザ発振器32はQスイッチドライバSD2が出
力するf2Hzの信号により、f2Hzでオンオフする
パルス状のレーザ光を出力する。
【0065】Nd:YAGレーザ発振器32が出力する
パルス光はLBOからなる2倍波結晶33に入射し、第
2高調波である波長532.061nmに変換され、ビ
ームサンプラBS1を介してOPO34に入射する。ま
た、上記2倍波結晶33が出力するパルス光の一部はビ
ームサンプラBS2により取り出され、放電管用電源P
2から印加される電圧より励起されているSm放電管B
5の中を通過し、光−電気変換器OE2に入射して電気
信号に変換される。そして、位相敏感検波器D2に与え
られ、前記したように2倍波結晶33の出力光の波長は
Smの吸収スペクトルである532.061nmに安定
化される。
パルス光はLBOからなる2倍波結晶33に入射し、第
2高調波である波長532.061nmに変換され、ビ
ームサンプラBS1を介してOPO34に入射する。ま
た、上記2倍波結晶33が出力するパルス光の一部はビ
ームサンプラBS2により取り出され、放電管用電源P
2から印加される電圧より励起されているSm放電管B
5の中を通過し、光−電気変換器OE2に入射して電気
信号に変換される。そして、位相敏感検波器D2に与え
られ、前記したように2倍波結晶33の出力光の波長は
Smの吸収スペクトルである532.061nmに安定
化される。
【0066】一方、前記第1の実施例と同様、半導体レ
ーザ発振器16が出力する単一縦モードの光の一部はビ
ームサンプラBS3により取り出され、放電管用電源P
3から印加される電圧より励起されているネオン放電管
(以下、Ne放電管という)B3の中を通過して、光−
電気変換器OE3に入射し、電気信号に変換される。そ
して、位相敏感検波器D3に与えられ、前記したように
半導体レーザ発振器16の出力光はNe 1s5-2p10 の吸
収スペクトルである703.24nmに安定化される。
ーザ発振器16が出力する単一縦モードの光の一部はビ
ームサンプラBS3により取り出され、放電管用電源P
3から印加される電圧より励起されているネオン放電管
(以下、Ne放電管という)B3の中を通過して、光−
電気変換器OE3に入射し、電気信号に変換される。そ
して、位相敏感検波器D3に与えられ、前記したように
半導体レーザ発振器16の出力光はNe 1s5-2p10 の吸
収スペクトルである703.24nmに安定化される。
【0067】波長が703.24nmに安定化された半
導体レーザ発振器16の出力光は、前記ビームサンプラ
BS3、およびミラーM2を介してOPO34に入射す
る。OPO34は前記2倍波結晶33から出力される波
長532.061nm(=λa)のパルス光と、上記半
導体レーザ発振器16から出力される波長703.24
nm(=λb)の光が入射すると、その差周波(1/λ
1=1/λa−1/λb)である波長2185.820
6nm(=λ1)のパルス光を発生する。
導体レーザ発振器16の出力光は、前記ビームサンプラ
BS3、およびミラーM2を介してOPO34に入射す
る。OPO34は前記2倍波結晶33から出力される波
長532.061nm(=λa)のパルス光と、上記半
導体レーザ発振器16から出力される波長703.24
nm(=λb)の光が入射すると、その差周波(1/λ
1=1/λa−1/λb)である波長2185.820
6nm(=λ1)のパルス光を発生する。
【0068】(c) 波長λ3のレーザ光の発生 前記(a) で説明した5倍波結晶25が発生する波長21
2.8244nm(=λ2)のパルス光はミラーM1、
レンズLN1、ビームスプリッタBS4を介して、和周
波結晶15に入射し、また、前記(b) で説明したOPO
34が発生する上記波長2185.8206nm(=λ
1)のパルス光は、レンズLN2、ビームスプリッタB
S4を介して和周波結晶15に入射し、和周波結晶15
は、その和周波(1/λ3=1/λ1+1/λ2)であ
る波長193.9411nm(=λ3)の光を発生す
る。
2.8244nm(=λ2)のパルス光はミラーM1、
レンズLN1、ビームスプリッタBS4を介して、和周
波結晶15に入射し、また、前記(b) で説明したOPO
34が発生する上記波長2185.8206nm(=λ
1)のパルス光は、レンズLN2、ビームスプリッタB
S4を介して和周波結晶15に入射し、和周波結晶15
は、その和周波(1/λ3=1/λ1+1/λ2)であ
る波長193.9411nm(=λ3)の光を発生す
る。
【0069】なお、上記実施例では、波長を532.0
61nmに安定化するため、Sm放電管B4,B5を使
用しているが、Sm放電管B4,B5を沃素(I2 )を
封入した沃素吸収セルに替え、I2 の分子吸収スペクト
ルを使用して波長を安定化してもよい。また、Ne放電
管の代わりに波長の安定化にキセノン(Xe)放電管を
使用してもよい。
61nmに安定化するため、Sm放電管B4,B5を使
用しているが、Sm放電管B4,B5を沃素(I2 )を
封入した沃素吸収セルに替え、I2 の分子吸収スペクト
ルを使用して波長を安定化してもよい。また、Ne放電
管の代わりに波長の安定化にキセノン(Xe)放電管を
使用してもよい。
【0070】本発明の第2の実施例においては、上記の
ように、Nd:YAGレーザ発振器が出力するレーザ
光の2倍波の波長をSmのスペクトルにより532.0
61nmに安定化して波長212.8244nm(=λ
2)の光を生成し、また、Nd:YAGレーザ発振器
が出力するレーザ光の2倍波の波長をSmのスペクトル
により532.061nmに安定化するとともに、Ne
1s5-2p10 のスペクトルにより半導体レーザ発振器が出
力するレーザ光を703.24nm(=λb)に安定化
してOPOに入射し、OPOにより、その差周波である
波長2185.8206nm(=λ1)の光を得て、
上記、のレーザ光を和周波結晶に入射して、その和
周波である193.9411nmの波長の光を得ている
ので、Nd:YAGレーザ発振器を用いてArFエキシ
マレーザの代替光源を構成することができ、前記したエ
キシマレーザの欠点であるハンドリングやメンテナンス
上の問題、連続運転による波長安定化の悪化といった問
題を解消することができる。また、第1の実施例と同
様、高精度な波長安定化を行うことができるとともに、
上記、のレーザ光が和周波結晶に到達する時刻を一
致させることができ、和周波である波長193.941
1nmの光の強度を十分に大きくすることができる。
ように、Nd:YAGレーザ発振器が出力するレーザ
光の2倍波の波長をSmのスペクトルにより532.0
61nmに安定化して波長212.8244nm(=λ
2)の光を生成し、また、Nd:YAGレーザ発振器
が出力するレーザ光の2倍波の波長をSmのスペクトル
により532.061nmに安定化するとともに、Ne
1s5-2p10 のスペクトルにより半導体レーザ発振器が出
力するレーザ光を703.24nm(=λb)に安定化
してOPOに入射し、OPOにより、その差周波である
波長2185.8206nm(=λ1)の光を得て、
上記、のレーザ光を和周波結晶に入射して、その和
周波である193.9411nmの波長の光を得ている
ので、Nd:YAGレーザ発振器を用いてArFエキシ
マレーザの代替光源を構成することができ、前記したエ
キシマレーザの欠点であるハンドリングやメンテナンス
上の問題、連続運転による波長安定化の悪化といった問
題を解消することができる。また、第1の実施例と同
様、高精度な波長安定化を行うことができるとともに、
上記、のレーザ光が和周波結晶に到達する時刻を一
致させることができ、和周波である波長193.941
1nmの光の強度を十分に大きくすることができる。
【0071】(3)実施例3 図17は、本発明の第3の実施例の光源装置の構成を示
す図であり、本実施例は、前記図5〔10〕により光源
装置を構成した場合を示している。同図において、Kr
Fエキシマレーザの出力光に相当した波長248nm近
傍の光は次のようにして生成される。
す図であり、本実施例は、前記図5〔10〕により光源
装置を構成した場合を示している。同図において、Kr
Fエキシマレーザの出力光に相当した波長248nm近
傍の光は次のようにして生成される。
【0072】(a) 波長λ2(波長349.00167n
m)のレーザ光の発生 波長523.5025nmのレーザ光を得るまでの構成
は第1の実施例の(a)と同じであり、Nd:YLFレー
ザ発振器から構成される連続発振シーダ41が出力する
単一縦モードの光の一部をビームサンプラBS1により
取り出し、ArI のスペクトルである1047.005
nmに安定化する。連続発振シーダ41が出力する単一
縦モードの出力光はビームサンプラBS1を介してN
d:YLFレーザ発振器42に与えられる。
m)のレーザ光の発生 波長523.5025nmのレーザ光を得るまでの構成
は第1の実施例の(a)と同じであり、Nd:YLFレー
ザ発振器から構成される連続発振シーダ41が出力する
単一縦モードの光の一部をビームサンプラBS1により
取り出し、ArI のスペクトルである1047.005
nmに安定化する。連続発振シーダ41が出力する単一
縦モードの出力光はビームサンプラBS1を介してN
d:YLFレーザ発振器42に与えられる。
【0073】上記Nd:YLFレーザ発振器42が出力
するパルス光はLBOからなる2倍波結晶43に入射し
第2高調波である波長523.5025nmの光に変換
され、さらに、CLBOからなる3倍波結晶44に入射
し、第3高調波である波長349.00167nmの光
に変換される。 (b) 波長λ1(波長862.424nm)のレーザ光の
発生 タイミング回路TMにより出力タイミングが制御される
QスイッチドライバSD2の出力であるf2Hzの信号
により制御されるNd:YLFレーザ発振器51の出力
光がLBOからなる2倍波結晶52に入射して、第2高
調波に変換され、Ti:Al2 O3 レーザ発振器53に
与えられる。
するパルス光はLBOからなる2倍波結晶43に入射し
第2高調波である波長523.5025nmの光に変換
され、さらに、CLBOからなる3倍波結晶44に入射
し、第3高調波である波長349.00167nmの光
に変換される。 (b) 波長λ1(波長862.424nm)のレーザ光の
発生 タイミング回路TMにより出力タイミングが制御される
QスイッチドライバSD2の出力であるf2Hzの信号
により制御されるNd:YLFレーザ発振器51の出力
光がLBOからなる2倍波結晶52に入射して、第2高
調波に変換され、Ti:Al2 O3 レーザ発振器53に
与えられる。
【0074】Ti:Al2 O3 レーザ発振器53の出力
光の一部は、ビームサンプラBS2により取り出され、
Xe放電管B7の中を通過して光−電気変換器OE2に
入射し、電気信号に変換される。そして、前記したよう
に位相敏感検波器D2に与えられ、Ti:Al2 O3 レ
ーザ発振器43の出力光の波長はXeの吸収スペクトル
である862.424nmに安定化される。
光の一部は、ビームサンプラBS2により取り出され、
Xe放電管B7の中を通過して光−電気変換器OE2に
入射し、電気信号に変換される。そして、前記したよう
に位相敏感検波器D2に与えられ、Ti:Al2 O3 レ
ーザ発振器43の出力光の波長はXeの吸収スペクトル
である862.424nmに安定化される。
【0075】(c) 波長λ3のレーザ光の発生 前記(a) で説明した3倍波結晶44が発生する波長34
9.00167nm(=λ2)のパルス光はミラーM
1、レンズLN1、ビームスプリッタBS4を介して、
和周波結晶15に入射し、また、前記(b) で説明したT
i:Al2 O3 レーザ発振器53が発生する上記波長8
62.424nm(=λ1)のパルス光は、レンズLN
2、ビームスプリッタBS4を介して和周波結晶15に
入射し、和周波結晶15は、その和周波(1/λ3=1
/λ1+1/λ2)である波長248.4572nm
(=λ3)の光を発生する。なお、上記実施例では、波
長を826.424nmに安定化するため、Xe放電管
B7を使用しているが、Xe放電管B7の代わりに、波
長の安定化にAr放電管を使用したり、Cs吸収セルを
用いることもできる。
9.00167nm(=λ2)のパルス光はミラーM
1、レンズLN1、ビームスプリッタBS4を介して、
和周波結晶15に入射し、また、前記(b) で説明したT
i:Al2 O3 レーザ発振器53が発生する上記波長8
62.424nm(=λ1)のパルス光は、レンズLN
2、ビームスプリッタBS4を介して和周波結晶15に
入射し、和周波結晶15は、その和周波(1/λ3=1
/λ1+1/λ2)である波長248.4572nm
(=λ3)の光を発生する。なお、上記実施例では、波
長を826.424nmに安定化するため、Xe放電管
B7を使用しているが、Xe放電管B7の代わりに、波
長の安定化にAr放電管を使用したり、Cs吸収セルを
用いることもできる。
【0076】本発明の第3の実施例においては、上記の
ように、Nd:YLFレーザ発振器が出力するレーザ
光をArI のスペクトルにより532.061nmに安
定化することにより波長349.00167nm(=λ
2)の光を発生し、また、Nd:YLFレーザ発振器
が出力するレーザ光の2倍波の波長によりTi:Al 2
O3 レーザ発振器を励起し、上記Ti:Al2 O3 レー
ザ発振器の出力をXeのスペクトルにより862.42
4nmに安定化し、上記、のレーザ光を和周波結
晶に入射して、その和周波である248.4572nm
の波長の光を得ているので、Nd:YLFレーザ発振器
とTi:Al2 O3 レーザ発振器を用いてKrFエキシ
マレーザの代替光源を構成することができ、前記したよ
うにエキシマレーザの欠点であるハンドリングやメンテ
ナンス上の問題、連続運転による波長安定化の悪化とい
った問題を解消することができる。また、第1,2の実
施例と同様、高精度な波長安定化を行うことができると
ともに、上記、のレーザ光が和周波結晶に到達する
時刻を一致させることができ、和周波である波長24
8.4572nmの光の強度を十分に大きくすることが
できる。
ように、Nd:YLFレーザ発振器が出力するレーザ
光をArI のスペクトルにより532.061nmに安
定化することにより波長349.00167nm(=λ
2)の光を発生し、また、Nd:YLFレーザ発振器
が出力するレーザ光の2倍波の波長によりTi:Al 2
O3 レーザ発振器を励起し、上記Ti:Al2 O3 レー
ザ発振器の出力をXeのスペクトルにより862.42
4nmに安定化し、上記、のレーザ光を和周波結
晶に入射して、その和周波である248.4572nm
の波長の光を得ているので、Nd:YLFレーザ発振器
とTi:Al2 O3 レーザ発振器を用いてKrFエキシ
マレーザの代替光源を構成することができ、前記したよ
うにエキシマレーザの欠点であるハンドリングやメンテ
ナンス上の問題、連続運転による波長安定化の悪化とい
った問題を解消することができる。また、第1,2の実
施例と同様、高精度な波長安定化を行うことができると
ともに、上記、のレーザ光が和周波結晶に到達する
時刻を一致させることができ、和周波である波長24
8.4572nmの光の強度を十分に大きくすることが
できる。
【0077】(4)実施例4 図18は、本発明の第4の実施例の光源装置の構成を示
す図であり、本実施例は、前記図8〔7〕により光源装
置を構成した場合を示している。同図において、KrF
エキシマレーザの出力光に相当した波長248nm近傍
の光は次のようにして生成される。
す図であり、本実施例は、前記図8〔7〕により光源装
置を構成した場合を示している。同図において、KrF
エキシマレーザの出力光に相当した波長248nm近傍
の光は次のようにして生成される。
【0078】(a) 波長λ2(波長354.70733n
m)のレーザ光の発生 波長532.061nmのレーザ光を得るまでの構成は
第2の実施例の(a) と同じであり、Nd:YAGレーザ
発振器から構成される連続発振シーダ61が出力する単
一縦モードの出力光はNd:YAGレーザ発振器62に
与えられる。Nd:YAGレーザ発振器62の出力光は
LBOからなる2倍波結晶63に与えられ第2高調波に
変換される。その出力光の一部はビームサンプラBS1
により取り出され、Sm放電管B8の中を通過して光−
電気変換器OE1に入射し、電気信号に変換される。該
電気信号は、位相敏感検波器D1に与えられ、前記した
ように2倍波結晶63の出力光の波長はSmの吸収スペ
クトルである532.061nmに安定化される。
m)のレーザ光の発生 波長532.061nmのレーザ光を得るまでの構成は
第2の実施例の(a) と同じであり、Nd:YAGレーザ
発振器から構成される連続発振シーダ61が出力する単
一縦モードの出力光はNd:YAGレーザ発振器62に
与えられる。Nd:YAGレーザ発振器62の出力光は
LBOからなる2倍波結晶63に与えられ第2高調波に
変換される。その出力光の一部はビームサンプラBS1
により取り出され、Sm放電管B8の中を通過して光−
電気変換器OE1に入射し、電気信号に変換される。該
電気信号は、位相敏感検波器D1に与えられ、前記した
ように2倍波結晶63の出力光の波長はSmの吸収スペ
クトルである532.061nmに安定化される。
【0079】上記2倍波結晶63の出力光はさらにCL
BOからなる3倍波結晶64に入射し、波長354.7
0733nmの光に変換される。 (b) 波長λ1(波長828.012nm)のレーザ光の
発生 タイミング回路TMにより出力タイミングが制御される
QスイッチドライバSD2の出力であるf2Hzの信号
により制御されるNd:YAGレーザ発振器71の出力
光がLBOからなる2倍波結晶72に入射して、第2高
調波に変換され、Ti:Al2 O3 レーザ発振器73に
与えられる。Ti:Al2 O3 レーザ発振器73の出力
光の一部は、ビームサンプラBS2により取り出され、
Xe放電管B7の中を通過して光−電気変換器OE2に
入射し、電気信号に変換される。そして、位相敏感検波
器D2に与えられ、Ti:Al2 O3 レーザ発振器73
の出力光の波長はXeの吸収スペクトルである828.
012nmに安定化される。
BOからなる3倍波結晶64に入射し、波長354.7
0733nmの光に変換される。 (b) 波長λ1(波長828.012nm)のレーザ光の
発生 タイミング回路TMにより出力タイミングが制御される
QスイッチドライバSD2の出力であるf2Hzの信号
により制御されるNd:YAGレーザ発振器71の出力
光がLBOからなる2倍波結晶72に入射して、第2高
調波に変換され、Ti:Al2 O3 レーザ発振器73に
与えられる。Ti:Al2 O3 レーザ発振器73の出力
光の一部は、ビームサンプラBS2により取り出され、
Xe放電管B7の中を通過して光−電気変換器OE2に
入射し、電気信号に変換される。そして、位相敏感検波
器D2に与えられ、Ti:Al2 O3 レーザ発振器73
の出力光の波長はXeの吸収スペクトルである828.
012nmに安定化される。
【0080】(c) 波長λ3のレーザ光の発生 前記(a) で説明した3倍波結晶64が発生する波長35
4.70733nm(=λ2)のパルス光はミラーM
1、レンズLN1、ビームスプリッタBS4を介して、
和周波結晶15に入射し、また、前記(b) で説明したT
i:Al2 O3 レーザ発振器73が発生する上記波長8
28.012nm(=λ1)のパルス光は、レンズLN
2、ビームスプリッタBS4を介して和周波結晶15に
入射し、和周波結晶15は、その和周波(1/λ3=1
/λ1+1/λ2)である波長248.3277nm
(=λ3)の光を発生する。なお、上記実施例では、波
長を532.061nmに安定化するため、Sm放電管
B7を使用しているが、Sm放電管B7の代わりに、I
2 セルを用いて波長を安定化することもできる。また、
波長を828.012nmに安定化するため、Xe放電
管B9を使用しているが、波長の安定化にクリプトン
(Kr)放電管を使用してもよい。
4.70733nm(=λ2)のパルス光はミラーM
1、レンズLN1、ビームスプリッタBS4を介して、
和周波結晶15に入射し、また、前記(b) で説明したT
i:Al2 O3 レーザ発振器73が発生する上記波長8
28.012nm(=λ1)のパルス光は、レンズLN
2、ビームスプリッタBS4を介して和周波結晶15に
入射し、和周波結晶15は、その和周波(1/λ3=1
/λ1+1/λ2)である波長248.3277nm
(=λ3)の光を発生する。なお、上記実施例では、波
長を532.061nmに安定化するため、Sm放電管
B7を使用しているが、Sm放電管B7の代わりに、I
2 セルを用いて波長を安定化することもできる。また、
波長を828.012nmに安定化するため、Xe放電
管B9を使用しているが、波長の安定化にクリプトン
(Kr)放電管を使用してもよい。
【0081】本発明の第4の実施例においては、上記の
ように、Nd:YAGレーザ発振器が出力するレーザ
光をSmのスペクトルにより532.061nmに安定
化することにより波長354.707nm(=λ2)の
光を生成し、また、Nd:YAGレーザ発振器が出力
するレーザ光の2倍波の波長によりTi:Al2 O3レ
ーザ発振器を励起し、上記Ti:Al2 O3 レーザ発振
器の出力をXeのスペクトルにより828.011nm
に安定化し、上記、のレーザ光を和周波結晶に入
射して、その和周波である248.3277nmの波長
の光を得ているので、Nd:YAFレーザ発振器とT
i:Al2 O3 レーザ発振器を用いてKrFエキシマレ
ーザの代替光源を構成することができ、前記したように
エキシマレーザの欠点であるハンドリングやメンテナン
ス上の問題、連続運転による波長安定化の悪化といった
問題を解消することができる。また、第1,2,3の実
施例と同様、高精度な波長安定化を行うことができると
ともに、上記、のレーザ光が和周波結晶に到達する
時刻を一致させることができ、和周波である波長24
8.3277nmの光の強度を十分に大きくすることが
できる。
ように、Nd:YAGレーザ発振器が出力するレーザ
光をSmのスペクトルにより532.061nmに安定
化することにより波長354.707nm(=λ2)の
光を生成し、また、Nd:YAGレーザ発振器が出力
するレーザ光の2倍波の波長によりTi:Al2 O3レ
ーザ発振器を励起し、上記Ti:Al2 O3 レーザ発振
器の出力をXeのスペクトルにより828.011nm
に安定化し、上記、のレーザ光を和周波結晶に入
射して、その和周波である248.3277nmの波長
の光を得ているので、Nd:YAFレーザ発振器とT
i:Al2 O3 レーザ発振器を用いてKrFエキシマレ
ーザの代替光源を構成することができ、前記したように
エキシマレーザの欠点であるハンドリングやメンテナン
ス上の問題、連続運転による波長安定化の悪化といった
問題を解消することができる。また、第1,2,3の実
施例と同様、高精度な波長安定化を行うことができると
ともに、上記、のレーザ光が和周波結晶に到達する
時刻を一致させることができ、和周波である波長24
8.3277nmの光の強度を十分に大きくすることが
できる。
【0082】(5)波長安定化手段の他の実施例 上記第1〜第4の実施例では、放電管における原子の線
形吸収を利用して波長安定化を行う実施例を示したが、
本発明においては、上記方法以外に光ガルバノ効果を用
いて波長安定化を行ったり、さらに波長安定度を高める
必要がある場合には、飽和吸収の技術を利用することも
できる。以下、上記光ガルバノ効果を用いた波長安定
化、および飽和吸収の技術を用いた波長安定化について
説明する。
形吸収を利用して波長安定化を行う実施例を示したが、
本発明においては、上記方法以外に光ガルバノ効果を用
いて波長安定化を行ったり、さらに波長安定度を高める
必要がある場合には、飽和吸収の技術を利用することも
できる。以下、上記光ガルバノ効果を用いた波長安定
化、および飽和吸収の技術を用いた波長安定化について
説明する。
【0083】(a) 光ガルバノ効果を用いた波長安定化
(YLF基本波の安定化の例) 図19はホローカソード型のAr放電管を用い、光ガル
バノ効果によりNd:YLFレーザ発振器の基本波を安
定化する場合を示しており、前記図15に示したものと
同一のものには同一の符号が付されている。同図に示す
ように、ホローカソード型のAr放電管B10(以下A
r放電管と略記する)の電極は安定化抵抗器R1および
電流検出用抵抗器R2を介して放電管用電源P1と接続
されており、Ar放電管B10は放電管用電源P1から
印加される電圧より放電している。
(YLF基本波の安定化の例) 図19はホローカソード型のAr放電管を用い、光ガル
バノ効果によりNd:YLFレーザ発振器の基本波を安
定化する場合を示しており、前記図15に示したものと
同一のものには同一の符号が付されている。同図に示す
ように、ホローカソード型のAr放電管B10(以下A
r放電管と略記する)の電極は安定化抵抗器R1および
電流検出用抵抗器R2を介して放電管用電源P1と接続
されており、Ar放電管B10は放電管用電源P1から
印加される電圧より放電している。
【0084】また、Ar放電管B10には光学窓W1が
設けられており、連続発振シーダ1が出力する単一縦モ
ードの波長1047.005nmの出力光はビームサン
プラBS1を介して上記光学窓W1からAr放電管10
内に入る。さらに、上記電流検出用抵抗器R2のAr放
電管B10側にはコンデンサC1を介して周波数f1H
zの信号を通過させるパンドパスフィルタF1が接続さ
れている。
設けられており、連続発振シーダ1が出力する単一縦モ
ードの波長1047.005nmの出力光はビームサン
プラBS1を介して上記光学窓W1からAr放電管10
内に入る。さらに、上記電流検出用抵抗器R2のAr放
電管B10側にはコンデンサC1を介して周波数f1H
zの信号を通過させるパンドパスフィルタF1が接続さ
れている。
【0085】上記構成において、Ar放電管B10の放
電電流はAr放電管B10に入射する光の波長に依存
し、Ar放電管の場合は、ArI のスペクトルである1
047.005nmの波長の光が入射したとき、放電電
流が増加する。本実施例における波長安定化は上記光ガ
ルバノ効果を利用してYLFレーザ発振器の基本波を安
定化するものであり、上記放電電流の変化を電流検出用
抵抗器R2により検出し、コンデンサC1、バンドパス
フィルタF1を介して位相敏感検波器D1に与える。
電電流はAr放電管B10に入射する光の波長に依存
し、Ar放電管の場合は、ArI のスペクトルである1
047.005nmの波長の光が入射したとき、放電電
流が増加する。本実施例における波長安定化は上記光ガ
ルバノ効果を利用してYLFレーザ発振器の基本波を安
定化するものであり、上記放電電流の変化を電流検出用
抵抗器R2により検出し、コンデンサC1、バンドパス
フィルタF1を介して位相敏感検波器D1に与える。
【0086】一方、前記したように、変調器MD1が出
力するf1Hzの信号が直流バイアス回路DB1が出力
する直流電圧に重畳されており、連続発振シーダ1の共
振器ミラーはf1Hzで微小振動し、連続発振シーダ1
の出力光の波長がAr放電管の吸収スペクトルの近傍で
微小振動している。このため、上記光−電気変換器OE
1が出力する電気信号も微小変動し、この信号はf1H
zの周波数の信号を通過させるバンドパスフィルタF1
を介して位相敏感検波器D1に与えられる。また、上記
変調器MD1が出力するf1Hzの信号は位相敏感検波
器D1にも与えられ、位相敏感検波器D1は前記したよ
うに連続発振シーダ1の出力光の波長とArI のスペク
トルの中心波長との誤差信号に相当した出力を発生す
る。位相敏感検波器D1の出力は、直流バイアス回路D
B1に与えられ、前記したように、連続発振シーダ1の
共振器ミラーの共振長を制御され、連続発振シーダ1の
出力光の波長が1047.005nmに安定化される。
力するf1Hzの信号が直流バイアス回路DB1が出力
する直流電圧に重畳されており、連続発振シーダ1の共
振器ミラーはf1Hzで微小振動し、連続発振シーダ1
の出力光の波長がAr放電管の吸収スペクトルの近傍で
微小振動している。このため、上記光−電気変換器OE
1が出力する電気信号も微小変動し、この信号はf1H
zの周波数の信号を通過させるバンドパスフィルタF1
を介して位相敏感検波器D1に与えられる。また、上記
変調器MD1が出力するf1Hzの信号は位相敏感検波
器D1にも与えられ、位相敏感検波器D1は前記したよ
うに連続発振シーダ1の出力光の波長とArI のスペク
トルの中心波長との誤差信号に相当した出力を発生す
る。位相敏感検波器D1の出力は、直流バイアス回路D
B1に与えられ、前記したように、連続発振シーダ1の
共振器ミラーの共振長を制御され、連続発振シーダ1の
出力光の波長が1047.005nmに安定化される。
【0087】(b) 光ガルバノ効果を用いた波長安定化
(YAG2倍波の安定化の例) 図20はホローカソード型のSm放電管B11を用い、
光ガルバノ効果によりNd:YAGレーザ発振器の2倍
波を安定化する場合を示しており、前記図19に示した
ものと同一のものには同一の符号が付されている。本実
施例の構成および動作はホローカソード型のAr放電管
がホローカソード型のSm放電管である点を除き基本的
には上記(a) と同じであり、本実施例の場合、YAGレ
ーザ発振器の2倍波は、Smのスペクトルである53
2.061nmに安定化される。
(YAG2倍波の安定化の例) 図20はホローカソード型のSm放電管B11を用い、
光ガルバノ効果によりNd:YAGレーザ発振器の2倍
波を安定化する場合を示しており、前記図19に示した
ものと同一のものには同一の符号が付されている。本実
施例の構成および動作はホローカソード型のAr放電管
がホローカソード型のSm放電管である点を除き基本的
には上記(a) と同じであり、本実施例の場合、YAGレ
ーザ発振器の2倍波は、Smのスペクトルである53
2.061nmに安定化される。
【0088】(c) 飽和吸収を利用した波長安定化(YL
F基本波の安定化の例) 図21はホローカソード型のAr放電管を用い、飽和吸
収を利用してNd:YLFレーザ発振器の基本波を安定
化する場合を示しており、前記図15に示したものと同
一のものには同一の符号が付されている。同図に示すよ
うに、Ar放電管B10の電極は安定化抵抗器R1およ
び電流検出用抵抗器R2を介して放電管用電源P1と接
続されており、Ar放電管B10は放電管用電源P1か
ら印加される電圧より放電している。また、Ar放電管
B1には光学窓W1,W2が設けられており、連続発振
シーダ1が出力する単一縦モードの波長1047.00
5nmの出力光の一部はビームサンプラBS1で取り出
され、ビームスプリッタBS10で2分割されその一部
が、ミラーM10で反射され、上記光学窓W2からAr
放電管B10内に入り、ビームスプリッタBS11を介
して光電気−変換増幅器OE1に入射する。また、ビー
ムスプリッタBS10に入射した光の他の一部がビーム
スプリッタBS11で反射されてAr放電管B10に入
射する。
F基本波の安定化の例) 図21はホローカソード型のAr放電管を用い、飽和吸
収を利用してNd:YLFレーザ発振器の基本波を安定
化する場合を示しており、前記図15に示したものと同
一のものには同一の符号が付されている。同図に示すよ
うに、Ar放電管B10の電極は安定化抵抗器R1およ
び電流検出用抵抗器R2を介して放電管用電源P1と接
続されており、Ar放電管B10は放電管用電源P1か
ら印加される電圧より放電している。また、Ar放電管
B1には光学窓W1,W2が設けられており、連続発振
シーダ1が出力する単一縦モードの波長1047.00
5nmの出力光の一部はビームサンプラBS1で取り出
され、ビームスプリッタBS10で2分割されその一部
が、ミラーM10で反射され、上記光学窓W2からAr
放電管B10内に入り、ビームスプリッタBS11を介
して光電気−変換増幅器OE1に入射する。また、ビー
ムスプリッタBS10に入射した光の他の一部がビーム
スプリッタBS11で反射されてAr放電管B10に入
射する。
【0089】上記構成において、角周波数ωの入射光
は、ArI の吸収線の中央にないときは、図22(a)
の2か所の速度分布をもつ原子を吸収する。しかし、ω
が上記スペクトルの中心ω0 に一致すると、同一の速
度、即ち速度=0の原子しか吸収に寄与できなくなり、
吸収に飽和が生ずる。このため、吸収強度は図22
(b)に示すように変化する。この信号は前記した線形
吸収にくらべスペクトル幅が数十分の一以下となる。
は、ArI の吸収線の中央にないときは、図22(a)
の2か所の速度分布をもつ原子を吸収する。しかし、ω
が上記スペクトルの中心ω0 に一致すると、同一の速
度、即ち速度=0の原子しか吸収に寄与できなくなり、
吸収に飽和が生ずる。このため、吸収強度は図22
(b)に示すように変化する。この信号は前記した線形
吸収にくらべスペクトル幅が数十分の一以下となる。
【0090】本実施例における波長安定化は上記飽和吸
収を利用してYLFレーザ発振器の基本波を安定化する
ものであり、上記光電気−変換増幅器OE1の出力をバ
ンドパスフィルタF1を介して位相敏感検波器D1に与
える。そして、前記したように位相敏感検波器D1の出
力により連続発振シーダ1の共振器ミラーの共振長を制
御し、その出力光の波長を1047.005nmに安定
化する。上記のような飽和吸収を用いて波長の安定化を
行うことにより、前記した線形吸収を利用した波長安定
化にくらべ波長の安定度を飛躍的に向上させることがで
きる。
収を利用してYLFレーザ発振器の基本波を安定化する
ものであり、上記光電気−変換増幅器OE1の出力をバ
ンドパスフィルタF1を介して位相敏感検波器D1に与
える。そして、前記したように位相敏感検波器D1の出
力により連続発振シーダ1の共振器ミラーの共振長を制
御し、その出力光の波長を1047.005nmに安定
化する。上記のような飽和吸収を用いて波長の安定化を
行うことにより、前記した線形吸収を利用した波長安定
化にくらべ波長の安定度を飛躍的に向上させることがで
きる。
【0091】
【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
以下の効果を得ることができる。 (1)固体レーザ光源と非線形光学結晶から光源装置を
構成し、該光源装置の出力光の波長をKrFエキシマレ
ーザ、ArFエキシマレーザの出力光の波長にほぼ一致
させているので、操作性がよくメインテナンス費用も低
廉で、連続運転とともに波長安定化が悪化するといった
問題のない、KrFエキシマレーザやArFエキシマレ
ーザの代替光源を提供することができる。 (2)波長安定化を原子または分子の吸収スペクトルあ
るいは光ガルバノスペクトルを基準として行っているの
で、波長安定性のよい光源を提供することができる。 (3)第1、第2のコヒーレント光源から放出される光
パルスが上記和周波を得る非線形光学結晶に略同一時刻
に到達するように、上記第1、第2のコヒーレント光源
から放出される光パルスのタイミングを調整する手段を
設けているので、上記非線形光学結晶から出力される和
周波光の強度を十分に大きくすることができる。
以下の効果を得ることができる。 (1)固体レーザ光源と非線形光学結晶から光源装置を
構成し、該光源装置の出力光の波長をKrFエキシマレ
ーザ、ArFエキシマレーザの出力光の波長にほぼ一致
させているので、操作性がよくメインテナンス費用も低
廉で、連続運転とともに波長安定化が悪化するといった
問題のない、KrFエキシマレーザやArFエキシマレ
ーザの代替光源を提供することができる。 (2)波長安定化を原子または分子の吸収スペクトルあ
るいは光ガルバノスペクトルを基準として行っているの
で、波長安定性のよい光源を提供することができる。 (3)第1、第2のコヒーレント光源から放出される光
パルスが上記和周波を得る非線形光学結晶に略同一時刻
に到達するように、上記第1、第2のコヒーレント光源
から放出される光パルスのタイミングを調整する手段を
設けているので、上記非線形光学結晶から出力される和
周波光の強度を十分に大きくすることができる。
【図1】本発明の基本構成を示す図である。
【図2】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(1)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(1)で
ある。
【図3】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(2)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(2)で
ある。
【図4】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(3)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(3)で
ある。
【図5】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(4)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(4)で
ある。
【図6】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(5)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(5)で
ある。
【図7】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(6)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(6)で
ある。
【図8】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(7)で
ある。
るレーザ光、原子の線スペクトル基準を示す表(7)で
ある。
【図9】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用され
るレーザ光、分子の吸収スペクトル基準を示す表(1)
である。
るレーザ光、分子の吸収スペクトル基準を示す表(1)
である。
【図10】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用さ
れるレーザ光、分子の吸収スペクトル基準を示す表
(2)である。
れるレーザ光、分子の吸収スペクトル基準を示す表
(2)である。
【図11】波長248nm,193nm のレーザ光の発生に使用さ
れるレーザ光、分子の吸収スペクトル基準を示す表
(3)である。
れるレーザ光、分子の吸収スペクトル基準を示す表
(3)である。
【図12】波長λ1とλ2のパルス光が非線形光学結晶
CLBOに到達する時刻がずれた場合を示す図である。
CLBOに到達する時刻がずれた場合を示す図である。
【図13】波長λ1とλ2のパルス光が非線形光学結晶
CLBOに到達する時刻が一致している場合を示す図で
ある。
CLBOに到達する時刻が一致している場合を示す図で
ある。
【図14】本発明の第1の実施例の光源装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図15】ArI のスペクトルを利用した波長安定化手
段の構成を示す図である。
段の構成を示す図である。
【図16】本発明の第2の実施例の光源装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図17】本発明の第3の実施例の光源装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図18】本発明の第4の実施例の光源装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図19】光ガルバノ効果を利用したAr放電管による
波長安定化手段の構成を示す図である。
波長安定化手段の構成を示す図である。
【図20】光ガルバノ効果を利用したSm放電管による
波長安定化手段の構成を示す図である。
波長安定化手段の構成を示す図である。
【図21】飽和吸収を利用した波長安定化手段の構成を
示す図である。
示す図である。
【図22】飽和吸収による波長安定化を説明する図であ
る。
る。
【図23】従来技術における波長安定化を説明する図で
ある。
ある。
L1〜L5 レーザ装置 R1〜R5 波長安定化手段 1,11, Nd:YLF連続発振シーダ 2,12 Nd:YLFレーザ 3,13 2倍波結晶(LBO ) 4,24 4倍波結晶(CLBO) 5,25 5倍波結晶(CLBO) 14 光パラメトリック発振器 15 和周波結晶(CLBO) 16 半導体レーザ 21,31 Nd:YAG連続発振シーダ 22,32 Nd:YAGレーザ 23,33 2倍波結晶(LBO ) 34 光パラメトリック発振器 41 Nd:YLF連続発振シーダ 42,51 Nd:YLFレーザ 43,52 2倍波結晶(LBO ) 44 3倍波結晶(CLBO) 53 チタンサファイアレーザ 61,71 Nd:YAG連続発振シーダ 62 Nd:YAGレーザ 63,72 2倍波結晶(LBO ) 64 3倍波結晶(CLBO) 73 チタンサファイアレーザ OE1〜OE3 光−電気変換増幅器 D1〜D3 位相敏感検波器 MD1〜MD3 変調器 DB1〜DB2 直流バイアス回路 P1〜P3 放電管用電源 BS1〜BS3 ビームサンプラ BS4 ビームスプリッタ SD1,SD2 Qスイッチドライバ TM タイミング回路 CS 電流注入回路 TC 温度制御器 M1,M2 ミラー LN1,LN2 レンズ B1,B2,B6 Ar放電管 B3 Ne放電管 B4,B5,B8 Sm放電管 B7 Xe放電管 B10 ホローカソード型Ar放電管 B11 ホローカソード型Sm放電管 BS10 ビームスプリッタ BS11 ビームスプリッタ M10 ミラー
Claims (7)
- 【請求項1】 レーザ光源と非線形光学結晶から構成さ
れる第1のコヒーレント光源と、レーザ光源と非線形光
学結晶から構成される第2のコヒーレント光源と、 上記第1、第2のコヒーレント光源から放出される光の
和周波を得る非線形光学結晶から構成される光源装置で
あって、 上記第1、第2のコヒーレント光源から放出される光パ
ルスが上記和周波を得る非線形光学結晶に略同一時刻に
到達するように、上記第1、第2のコヒーレント光源か
ら放出される光パルスのタイミングを調整する手段と、 上記第1、第2のコヒーレント光源から放出される光パ
ルスの波長を原子または分子の吸収スペクトルあるいは
光ガルバノスペクトルを基準として安定化する波長安定
化手段とを備えており、 上記波長安定化手段は、位相敏感検波器により上記第
1,第2のコヒーレント光源のレーザ光源もしくは非線
形光学結晶から放出される光の波長と原子または分子の
吸収スペクトルあるいは光ガルバノスペクトルとの誤差
信号を求め、該誤差信号を上記第1、第2のコヒーレン
ト光源のレーザ光源にフィードバックすることにより上
記第1,第2のコヒーレント光源から放出される光の波
長を安定化することを特徴とする光源装置。 - 【請求項2】 上記和周波を得る非線形光学結晶により
得られる光の波長がほぼ248nmであることを特徴と
する請求項1の光源装置。 - 【請求項3】 上記和周波を得る非線形光学結晶により
得られる光の波長がほぼ193nmであることを特徴と
する請求項1の光源装置。 - 【請求項4】 上記第1のコヒーレント光源は、連続発
振する第1のNd:YLFレーザ光源から放出されるレ
ーザ光を励起光とする第2のNd:YLFレーザ光源
と、 上記第2のNd:YLFレーザ光源から放出される第1
の基本レーザ光から該第1の基本レーザ光の第2高調波
を発生する第1の非線形光学結晶と、 上記第2高調波から上記第1の基本レーザ光の第4高調
波を発生する第2の非線形光学結晶と、 上記第4高調波および上記第1の基本レーザ光から上記
第1の基本レーザ光の第5高調波を発生する第3の非線
形光学結晶とから構成されており、 上記第2のコヒーレント光源は、連続発振する第3のN
d:YLFレーザ光源から放出されるレーザ光を励起光
とする第4のNd:YLFレーザ光源と、 上記第4のNd:YLFレーザ光源から放出される第2
の基本レーザ光から該第2の基本レーザ光の第2高調波
を発生する第4の非線形光学結晶と、 半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源から放出され
るレーザ光と上記第2の基本レーザ光の第2高調波との
差周波レーザ光を発生する第5の非線形結晶とから構成
されており、 上記第1のコヒーレント光源から放出される光と、上記
第2のコヒーレント光源から放出される光との和周波の
光の波長はほぼ193nmであり、 アルゴンの吸収スペクトルを基準として上記第1のN
d:YLFレーザ光源から放出される光の波長を安定化
することにより、上記第1のコヒーレント光源から放出
される光の波長を安定化し、 アルゴンの吸収スペクトルを基準として上記第3のN
d:YLFレーザ光源から放出される光の波長を安定化
するとともに、ヘリウム、ネオン、キセノン、キセノン
イオン、もしくは、カルシウムのいずれか一つの吸収ス
ペクトルを基準してして上記半導体レーザ光源から放出
される光の波長を安定化することにより、上記第2のコ
ヒーレント光源から放出される光の波長を安定化するこ
とを特徴とする請求項1の光源装置。 - 【請求項5】 上記第1のコヒーレント光源は、連続発
振する第1のNd:YAGレーザ光源から放出されるレ
ーザ光を励起光とする第2のNd:YAGレーザ光源
と、 上記第2のNd:YAGレーザ光源から放出される第1
の基本レーザ光から該第1の基本レーザ光の第2高調波
を発生する第1の非線形光学結晶と、 上記第2高調波から上記第1の基本レーザ光の第4高調
波を発生する第2の非線形光学結晶と、 上記第4高調波および上記第1の基本レーザ光から第1
の基本レーザ光の第5高調波を発生する第3の非線形光
学結晶とから構成されており、 上記第2のコヒーレント光源は、連続発振する第3のN
d:YAGレーザ光源から放出されるレーザ光を励起光
とする第4のNd:YAGレーザ光源と、 上記第4のNd:YAGレーザ光源から放出される第2
の基本レーザ光から該第2の基本レーザ光の第2高調波
を発生する第4の非線形光学結晶と、 半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源から放出され
るレーザ光と上記第2の基本レーザ光の第2高調波との
差周波レーザ光を発生する第5の非線形結晶とから構成
されており、 上記第1のコヒーレント光源から放出される光と、上記
第2のコヒーレント光源から放出される光との和周波の
光の波長はほぼ193nmであり、 サマリウム、もしくは、沃素分子のいずれか一つの吸収
スペクトルを基準として上記第1のNd:YAGレーザ
光源から放出される光の波長を安定化することにより上
記第1のコヒーレント光源から放出される光の波長を安
定化し、 サマリウム、もしくは、沃素分子の吸収スペクトルを基
準として上記第3のNd:YAGレーザ光源から放出さ
れる光の波長を安定化するとともに、ヘリウム、ネオン
のいずれか一つの吸収スペクトルを基準してして上記半
導体レーザ光源から放出される光の波長を安定化するこ
とにより上記第2のコヒーレント光源から放出される光
の波長を安定化することを特徴とする請求項1の光源装
置。 - 【請求項6】 上記第1のコヒーレント光源は、連続発
振する第1のNd:YLFレーザ光源から放出されるレ
ーザ光を励起光とする第2のNd:YLFレーザ光源
と、 上記第2のNd:YLFレーザ光源から放出される第1
の基本レーザ光から該基本レーザ光の第2高調波を発生
する第1の非線形光学結晶と、 上記第2高調波から上記基本レーザ光の第3高調波を発
生する第2の非線形光学結晶とから構成されており、 上記第2のコヒーレント光源は、連続発振する第3のN
d:YLFレーザ光源と、 上記第3のNd:YLFレーザ光源から放出される第2
の基本波レーザ光の第2高調波を発生する第3の非線形
光学結晶と、 上記第2の基本波レーザ光の第2高調波を励起光とする
チタンサファイアレーザ光源とから構成されており、 上記第1のコヒーレント光源から放出される光と、上記
第2のコヒーレント光源から放出される光との和周波の
光の波長はほぼ248nmであり、 アルゴンの吸収スペクトルを基準として上記第1の基本
レーザ光の第2高調波の波長を安定化することにより上
記第1のコヒーレント光源から放出される光の波長を安
定化し、 アルゴン、キセノン、もしくはセシウムのいずれか一つ
の吸収スペクトルを基準として上記チタンサファイアレ
ーザ光源から放出される光の波長を安定化することによ
り上記第2のコヒーレント光源から放出される光の波長
を安定化することを特徴とする請求項1の光源装置。 - 【請求項7】 上記第1のコヒーレント光源は、連続発
振する第1のNd:YAGレーザ光源から放出されるレ
ーザ光を励起光とする第2のNd:YAGレーザ光源
と、 上記第2のNd:YAGレーザ光源から放出される第1
の基本レーザ光から該基本レーザ光の第2高調波を発生
する第1の非線形光学結晶と、 上記第2高調波から上記基本レーザ光の第3高調波を発
生する第2の非線形光学結晶とから構成されており、 上記第2のコヒーレント光源は、連続発振する第3のN
d:YAGレーザ光源と、 上記第3のNd:YAGレーザ光源から放出される第2
の基本波レーザ光の第2高調波を発生する第3の非線形
光学結晶と、 上記第2の基本波レーザ光の第2高調波を励起光とする
チタンサファイアレーザ光源とから構成されており、 上記第1のコヒーレント光源から放出される光と、上記
第2のコヒーレント光源から放出される光との和周波を
得る非線形光学結晶から放出される光の波長はほぼ24
8nmであり、 サマリウム、もしくは、沃素分子のいずれか一つの吸収
スペクトルを基準として上記第1の基本レーザ光の第2
高調波の波長を安定化することにより上記第1のコヒー
レント光源から放出される光を安定化し、 キセノン、もしくは、クリプトンのいずれか一つの吸収
スペクトルを基準として上記チタンサファイアレーザ光
源から放出される光の波長を安定化することにより上記
第2のコヒーレント光源から放出される光の波長を安定
化することを特徴とする請求項1の光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9112346A JPH10303488A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9112346A JPH10303488A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 光源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303488A true JPH10303488A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14584398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9112346A Pending JPH10303488A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10303488A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6477188B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisya Ushiosougougizyutsukenkyusyo | Light source |
JP2009543363A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-03 | ダンマークス テクニスケ ウニヴァシティット | ポンプ手段へのフィードバックを使用するポンピング型レーザーシステム |
JP2012147019A (ja) * | 2004-12-01 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光系、ビーム伝送系及び光ビームの生成方法 |
WO2013177000A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Kla-Tencor Corporation | Solid-state laser and inspection system using 193nm laser |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212884A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 波長可変レーザの発振周波数安定化装置 |
JPH03248588A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Ushio Inc | Yagレーザの第4高調波の発生装置 |
JPH07170009A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nikon Corp | 光源装置 |
WO1996007085A1 (en) * | 1993-07-16 | 1996-03-07 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for calibrating a laser wavelength control mechanism |
JPH0918074A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Anritsu Corp | 光周波数基準光源 |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP9112346A patent/JPH10303488A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0212884A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 波長可変レーザの発振周波数安定化装置 |
JPH03248588A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Ushio Inc | Yagレーザの第4高調波の発生装置 |
WO1996007085A1 (en) * | 1993-07-16 | 1996-03-07 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for calibrating a laser wavelength control mechanism |
JPH07170009A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Nikon Corp | 光源装置 |
JPH0918074A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Anritsu Corp | 光周波数基準光源 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6477188B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisya Ushiosougougizyutsukenkyusyo | Light source |
JP2012147019A (ja) * | 2004-12-01 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光系、ビーム伝送系及び光ビームの生成方法 |
JP2009543363A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-03 | ダンマークス テクニスケ ウニヴァシティット | ポンプ手段へのフィードバックを使用するポンピング型レーザーシステム |
WO2013177000A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Kla-Tencor Corporation | Solid-state laser and inspection system using 193nm laser |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5100990B2 (ja) | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びlpp型極端紫外光源装置 | |
JP4718547B2 (ja) | 周波数を安定化した放射の生成 | |
JP3997450B2 (ja) | 波長変換装置 | |
US6477188B1 (en) | Light source | |
Diddams et al. | Design and control of femtosecond lasers for optical clocks and the synthesis of low-noise optical and microwave signals | |
JP2010054547A (ja) | 紫外レーザ装置 | |
JP2000223408A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
US20240186760A1 (en) | Laser apparatus and electronic device manufacturing method | |
JPH11121854A (ja) | 光源装置 | |
US20070064750A1 (en) | Deep ultraviolet laser apparatus | |
JPH10303488A (ja) | 光源装置 | |
JP7232509B2 (ja) | レーザ装置、波長変換デバイス、及び光出力方法 | |
JPH1152443A (ja) | レーザ光発生装置 | |
JP2010050389A (ja) | レーザ光発生装置 | |
JP5213368B2 (ja) | レーザ光第2高調波発生装置 | |
JP3956447B2 (ja) | インジェクション・シーディングを用いた露光用レーザ装置 | |
JP6952103B2 (ja) | 固体レーザシステム、及び波長変換システム | |
JP2000357836A (ja) | 超狭帯域化フッ素レーザ装置 | |
JP4300608B2 (ja) | Clbo結晶による和周波光の発生方法 | |
JP2005150252A (ja) | 第5高調波発生装置 | |
RU2210847C1 (ru) | Стабилизированный по частоте излучения лазер | |
Young et al. | Lasers for an optical frequency standard using trapped Hg+ ions | |
JP5242758B2 (ja) | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びlpp型極端紫外光源装置 | |
Bergquist et al. | Lasers for an Optical Frequency Standard using Trapped HgS Ions' | |
Ferguson et al. | High resolution spectroscopy of atomic hydrogen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060718 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060914 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061219 |