JPH10303172A - 基板の洗浄乾燥方法 - Google Patents
基板の洗浄乾燥方法Info
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- JPH10303172A JPH10303172A JP9120088A JP12008897A JPH10303172A JP H10303172 A JPH10303172 A JP H10303172A JP 9120088 A JP9120088 A JP 9120088A JP 12008897 A JP12008897 A JP 12008897A JP H10303172 A JPH10303172 A JP H10303172A
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- JP
- Japan
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- tank
- pure water
- substrate
- lid
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて簡単な方法でタンク内の上部空間を不
活性ガスで満たしながら純水を排水していくことのでき
る基板の洗浄乾燥方法を提供する。 【解決手段】 タンク上面を気密に閉じる開閉自在な密
閉蓋8と、一端をタンク下部に接続され、かつ、他端の
溢流口6をタンク上端縁7よりも所定の高さΔHだけ上
方に臨ませて開口した水押出し管5とを備えたタンク1
を用い、タンク1内に基板3を載置するとともに、該タ
ンク内に純水2を一杯に満たし、この状態で密閉蓋8を
閉じることによって密閉蓋8と純水2とが近接するよう
にタンク上部を密閉し、次いで、ガス流量コントローラ
10からガス供給パイプ12、ガス供給孔11を通じて
タンク内に所定圧力で不活性ガスGを送給し、そのガス
圧によってタンク1内の純水2を水押出し管5の溢流口
6から押し出していくことにより、タンク1内の純水2
の液面Wを所定の液面降下速度で下降させるようにし
た。
活性ガスで満たしながら純水を排水していくことのでき
る基板の洗浄乾燥方法を提供する。 【解決手段】 タンク上面を気密に閉じる開閉自在な密
閉蓋8と、一端をタンク下部に接続され、かつ、他端の
溢流口6をタンク上端縁7よりも所定の高さΔHだけ上
方に臨ませて開口した水押出し管5とを備えたタンク1
を用い、タンク1内に基板3を載置するとともに、該タ
ンク内に純水2を一杯に満たし、この状態で密閉蓋8を
閉じることによって密閉蓋8と純水2とが近接するよう
にタンク上部を密閉し、次いで、ガス流量コントローラ
10からガス供給パイプ12、ガス供給孔11を通じて
タンク内に所定圧力で不活性ガスGを送給し、そのガス
圧によってタンク1内の純水2を水押出し管5の溢流口
6から押し出していくことにより、タンク1内の純水2
の液面Wを所定の液面降下速度で下降させるようにし
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LCD基板や半導
体ウェーハなどの基板の洗浄乾燥方法に関する。
体ウェーハなどの基板の洗浄乾燥方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に、従来における基板の洗浄乾燥方
法の第1の例を示す。この第1の例は基板引き上げ式の
乾燥法の一例を示すもので、図中、41はタンク、42
は半導体ウェーハなどの基板、43は基板ホルダ、44
はホルダ昇降機構である。タンク41内には純水45が
満たされており、洗浄とすすぎの終わった基板42が基
板ホルダ43上に所定間隔をおいて多数枚載せられ、ホ
ルダ昇降機構44によって純水5中に浸漬されている。
そして、乾燥処理に際しては、ホルダ昇降機構44を所
定の速度(例えば0.5〜3mm/s)でゆっくりと上
昇させていくことにより、基板ホルダ43上に載せられ
た基板42を純水45中からゆっくりと空気中へ引き上
げていくものである。
法の第1の例を示す。この第1の例は基板引き上げ式の
乾燥法の一例を示すもので、図中、41はタンク、42
は半導体ウェーハなどの基板、43は基板ホルダ、44
はホルダ昇降機構である。タンク41内には純水45が
満たされており、洗浄とすすぎの終わった基板42が基
板ホルダ43上に所定間隔をおいて多数枚載せられ、ホ
ルダ昇降機構44によって純水5中に浸漬されている。
そして、乾燥処理に際しては、ホルダ昇降機構44を所
定の速度(例えば0.5〜3mm/s)でゆっくりと上
昇させていくことにより、基板ホルダ43上に載せられ
た基板42を純水45中からゆっくりと空気中へ引き上
げていくものである。
【0003】図5に、従来における基板の洗浄乾燥方法
の第2の例を示す。この第2の例は水引き抜き式の乾燥
法の一例を示すもので、図中、41はタンク、42は半
導体ウェーハなどの基板、43は基板ホルダ、47はタ
ンク下底に接続された排水管、48は排水弁である。タ
ンク41内には純水45が満たされており、洗浄とすす
ぎの終わった基板42が基板ホルダ43上に所定間隔を
おいて多数枚載せられ、純水45中に浸漬されている。
そして、乾燥処理に際しては、排水弁48を開き、排水
管47を通じてタンク41内の水を所定の液面降下速度
(例えば0.5〜3mm/s)でゆっくりと引き抜いて
いくことにより、基板ホルダ43上に載せられた基板4
2を純水45中からゆっくりと空気中へ引き上げていく
ものである。
の第2の例を示す。この第2の例は水引き抜き式の乾燥
法の一例を示すもので、図中、41はタンク、42は半
導体ウェーハなどの基板、43は基板ホルダ、47はタ
ンク下底に接続された排水管、48は排水弁である。タ
ンク41内には純水45が満たされており、洗浄とすす
ぎの終わった基板42が基板ホルダ43上に所定間隔を
おいて多数枚載せられ、純水45中に浸漬されている。
そして、乾燥処理に際しては、排水弁48を開き、排水
管47を通じてタンク41内の水を所定の液面降下速度
(例えば0.5〜3mm/s)でゆっくりと引き抜いて
いくことにより、基板ホルダ43上に載せられた基板4
2を純水45中からゆっくりと空気中へ引き上げていく
ものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な洗浄乾燥方法において、基板42と純水45との接触
部には、図6に示すように、基板表面に沿って純水45
の液面が山のすそ野のように伸び上がったいわゆるメニ
スカス部46が形成されるが、このメニスカス部46の
先端部は半乾燥の状態にあるため、微粒子などを含んだ
空気あるいは気体と接していると、基板表面が酸化した
り、微粒子が付着して基板表面が再び汚染されるおそれ
がある。これを防止するには、純水45の上部空間を窒
素やヘリウムなどの不活性ガスによって満たせばよい。
な洗浄乾燥方法において、基板42と純水45との接触
部には、図6に示すように、基板表面に沿って純水45
の液面が山のすそ野のように伸び上がったいわゆるメニ
スカス部46が形成されるが、このメニスカス部46の
先端部は半乾燥の状態にあるため、微粒子などを含んだ
空気あるいは気体と接していると、基板表面が酸化した
り、微粒子が付着して基板表面が再び汚染されるおそれ
がある。これを防止するには、純水45の上部空間を窒
素やヘリウムなどの不活性ガスによって満たせばよい。
【0005】しかしながら、前記基板引き上げ式の乾燥
法の場合、タンク内外を出入りするホルダ昇降機構44
などが存在するため、完全にガス雰囲気にすることが困
難であり、たとえできたとしても構造が極めて複雑とな
り、装置が高価になってしまうという問題があった。ま
た、前記水引き抜き式の乾燥法の場合、排水量を正確に
制御しながらこれに合わせて不活性ガスをバランスよく
供給するには高度の制御技術を要し、ガス供給機構や制
御装置が複雑で高価なものになるという問題があった。
法の場合、タンク内外を出入りするホルダ昇降機構44
などが存在するため、完全にガス雰囲気にすることが困
難であり、たとえできたとしても構造が極めて複雑とな
り、装置が高価になってしまうという問題があった。ま
た、前記水引き抜き式の乾燥法の場合、排水量を正確に
制御しながらこれに合わせて不活性ガスをバランスよく
供給するには高度の制御技術を要し、ガス供給機構や制
御装置が複雑で高価なものになるという問題があった。
【0006】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、極めて簡単な方法でタンク内の上
部空間を不活性ガスで満たしながら純水を排水していく
ことのできる基板の洗浄乾燥方法を提供することを目的
とする。
めになされたもので、極めて簡単な方法でタンク内の上
部空間を不活性ガスで満たしながら純水を排水していく
ことのできる基板の洗浄乾燥方法を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、タンク上面を気密に閉じる開閉自在な密
閉蓋と、一端をタンク下部に接続され、かつ、他端の溢
流口をタンク上端縁よりも所定の高さだけ上方に臨ませ
て開口した水押出し管とを備えたタンクを用い、該タン
ク内に基板を載置するとともに、該タンク内に純水を一
杯に満たし、この状態で密閉蓋を閉じることによって密
閉蓋と純水との間の空間が最小になるようにタンク上部
を密閉し、次いで、タンクの上部適宜位置に設けたガス
供給孔からタンク内に所定圧力で不活性ガスを送給し、
そのガス圧によってタンク内の純水を水押出し管の溢流
口から押し出していくことにより、タンク内の純水の液
面を所定の液面降下速度で下降させていくようにしたも
のである。
め、本発明は、タンク上面を気密に閉じる開閉自在な密
閉蓋と、一端をタンク下部に接続され、かつ、他端の溢
流口をタンク上端縁よりも所定の高さだけ上方に臨ませ
て開口した水押出し管とを備えたタンクを用い、該タン
ク内に基板を載置するとともに、該タンク内に純水を一
杯に満たし、この状態で密閉蓋を閉じることによって密
閉蓋と純水との間の空間が最小になるようにタンク上部
を密閉し、次いで、タンクの上部適宜位置に設けたガス
供給孔からタンク内に所定圧力で不活性ガスを送給し、
そのガス圧によってタンク内の純水を水押出し管の溢流
口から押し出していくことにより、タンク内の純水の液
面を所定の液面降下速度で下降させていくようにしたも
のである。
【0008】
【作用】送給される不活性ガスは、タンクの開閉蓋と純
水液面との間に溜まりながら純水の液面を下方へ押して
いく。したがって、基板と接する純水のメニスカス部は
常に不活性ガスと接した状態となり、微粒子などを含ん
だ空気あるいは気体と接することがないので、従来のよ
うに基板表面が酸化したり、微粒子が付着して、基板表
面が再び汚染されるというようなことがなくなる。
水液面との間に溜まりながら純水の液面を下方へ押して
いく。したがって、基板と接する純水のメニスカス部は
常に不活性ガスと接した状態となり、微粒子などを含ん
だ空気あるいは気体と接することがないので、従来のよ
うに基板表面が酸化したり、微粒子が付着して、基板表
面が再び汚染されるというようなことがなくなる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1〜図3に、本発明方法
の一実施形態を示す。この図1〜図3は本発明方法の処
理手順を示すもので、図1は基板をタンク内の純水中に
浸漬した状態を示す図、図2はタンクの密閉蓋を閉めた
状態を示す図、図3はタンク内に不活性ガスGを送給し
て純水を排水している状態を示す図である。
て図面を参照して説明する。図1〜図3に、本発明方法
の一実施形態を示す。この図1〜図3は本発明方法の処
理手順を示すもので、図1は基板をタンク内の純水中に
浸漬した状態を示す図、図2はタンクの密閉蓋を閉めた
状態を示す図、図3はタンク内に不活性ガスGを送給し
て純水を排水している状態を示す図である。
【0010】図において、1はタンク、2はタンク1中
に入れられた純水、3は半導体ウェーハなどの基板、4
は基板ホルダ、5は一端をタンク1の下底部に接続さ
れ、かつ、他端の溢流口6をタンク1の上端縁7よりも
所定の高さΔHだけ上方に臨ませて開口した水押出し
管、8は支軸9を回動支点として開閉自在とされたタン
ク1の密閉蓋、10は密閉蓋8に設けられたガス供給孔
11からタンク1内に窒素やヘリウムなどの不活性ガス
Gを供給するガス流量コントローラ、12はガス供給パ
イプ、13は純水給水弁、14は排水弁である。
に入れられた純水、3は半導体ウェーハなどの基板、4
は基板ホルダ、5は一端をタンク1の下底部に接続さ
れ、かつ、他端の溢流口6をタンク1の上端縁7よりも
所定の高さΔHだけ上方に臨ませて開口した水押出し
管、8は支軸9を回動支点として開閉自在とされたタン
ク1の密閉蓋、10は密閉蓋8に設けられたガス供給孔
11からタンク1内に窒素やヘリウムなどの不活性ガス
Gを供給するガス流量コントローラ、12はガス供給パ
イプ、13は純水給水弁、14は排水弁である。
【0011】本発明方法は、まず図1において、タンク
1内に純水2が注水されていない空の状態で、基板3を
載せた基板ホルダ4をタンク1内の所定の深さ位置に載
置した後、または、タンク1内に水が入れられた後で基
板ホルダ4を載置し、純水給水弁13を開き、純水2の
タンク1内への給水を開始する。そして、図示するよう
に、純水2がタンク1の上端縁7から溢れ出るまで一杯
に給水した後、純水給水弁13を閉じ、給水を停止す
る。
1内に純水2が注水されていない空の状態で、基板3を
載せた基板ホルダ4をタンク1内の所定の深さ位置に載
置した後、または、タンク1内に水が入れられた後で基
板ホルダ4を載置し、純水給水弁13を開き、純水2の
タンク1内への給水を開始する。そして、図示するよう
に、純水2がタンク1の上端縁7から溢れ出るまで一杯
に給水した後、純水給水弁13を閉じ、給水を停止す
る。
【0012】次いで、図2に示すように、密閉蓋8を閉
じる。密閉蓋8を閉じると、前述したように純水2はタ
ンク1の上端縁7から溢れ出るほど一杯に給水されてい
るので、密閉蓋8と純水2は直接接した状態となる。こ
の結果、密閉蓋8と純水2との間には空気その他の気体
が極少しかない状態となる。
じる。密閉蓋8を閉じると、前述したように純水2はタ
ンク1の上端縁7から溢れ出るほど一杯に給水されてい
るので、密閉蓋8と純水2は直接接した状態となる。こ
の結果、密閉蓋8と純水2との間には空気その他の気体
が極少しかない状態となる。
【0013】この状態において、図3に示すように、ガ
ス流量コントローラ10を駆動開始し、窒素やヘリウム
などの不活性ガスGをガス供給パイプ12、密閉蓋8の
ガス供給孔11を通じてタンク1内に送給開始する。こ
の不活性ガスGが送給開始されると、ガス圧によって純
水2は下方へ押され、水押出し管5の溢流口6から溢れ
出ていき、純水2の液面Wは図示するようにタンク下底
に向かって徐々に下降していく。この時、液面Wの降下
速度が所定の速度(例えば0.5〜3mm/s)となる
ようにガス流量コントローラ10によって不活性ガスG
のガス圧をコンロールしながら、純水2を水押出し管5
から押し出していく。
ス流量コントローラ10を駆動開始し、窒素やヘリウム
などの不活性ガスGをガス供給パイプ12、密閉蓋8の
ガス供給孔11を通じてタンク1内に送給開始する。こ
の不活性ガスGが送給開始されると、ガス圧によって純
水2は下方へ押され、水押出し管5の溢流口6から溢れ
出ていき、純水2の液面Wは図示するようにタンク下底
に向かって徐々に下降していく。この時、液面Wの降下
速度が所定の速度(例えば0.5〜3mm/s)となる
ようにガス流量コントローラ10によって不活性ガスG
のガス圧をコンロールしながら、純水2を水押出し管5
から押し出していく。
【0014】そして、純水2の液面Wがタンク1内に置
かれた基板3の下端縁L1 よりも下方まで下がった時点
で不活性ガスGの送給を停止し、基板3の載せられた基
板ホルダ4をタンク内から取り出して次工程へ送ること
により、乾燥処理を完了する。
かれた基板3の下端縁L1 よりも下方まで下がった時点
で不活性ガスGの送給を停止し、基板3の載せられた基
板ホルダ4をタンク内から取り出して次工程へ送ること
により、乾燥処理を完了する。
【0015】上記のような方法によって乾燥処理を行な
うと、純水2は不活性ガスGによって押されて水押出し
管5の溢流口6から溢れ出ていくので、純水2の液面W
はそれに伴ってゆっくりと下降していく。したがって、
タンク1内に満たされた純水2は、従来の洗浄乾燥方法
と同様に、基板表面との間にメニスカス部を形成しなが
ら所定の液面降下速度でゆっくりと下降していくが、こ
の下降していく純水2の上部空間は窒素やヘリウムなど
の不活性ガスGによって完全に満たされた状態となって
いるので、純水2中から露出していく基板3の表面が酸
化したり、上部空間に漂うごみや微粒子が基板表面に付
着して再汚染するというようなことがなくなる。この結
果、基板3は極めて清澄な状態で乾燥される。
うと、純水2は不活性ガスGによって押されて水押出し
管5の溢流口6から溢れ出ていくので、純水2の液面W
はそれに伴ってゆっくりと下降していく。したがって、
タンク1内に満たされた純水2は、従来の洗浄乾燥方法
と同様に、基板表面との間にメニスカス部を形成しなが
ら所定の液面降下速度でゆっくりと下降していくが、こ
の下降していく純水2の上部空間は窒素やヘリウムなど
の不活性ガスGによって完全に満たされた状態となって
いるので、純水2中から露出していく基板3の表面が酸
化したり、上部空間に漂うごみや微粒子が基板表面に付
着して再汚染するというようなことがなくなる。この結
果、基板3は極めて清澄な状態で乾燥される。
【0016】なお、上記の例では、不活性ガスGを送給
するガス供給孔11を密閉蓋8に設けたが、ガス供給孔
はこの位置に限定されるものではなく、タンク1内に置
いた基板3の上端縁L2 よりも上側の位置であれば、タ
ンク1および密閉蓋8のどの位置に設けてもよいもので
ある。基板3の上端縁L2 よりも下側に設けた場合に
は、送給される不活性ガスGによってタンク内の純水2
がバブリングされて液面Wが波打ち、下降していく純水
2と基板3との間に形成されるメニスカス部が破壊さ
れ、水滴痕として残ったりするので、好ましくない。ま
た、水押出し管5のタンク1への接続位置も、図示した
タンク下底に限るものではなく、基板3の下端縁L1 よ
りも下側であればよい。
するガス供給孔11を密閉蓋8に設けたが、ガス供給孔
はこの位置に限定されるものではなく、タンク1内に置
いた基板3の上端縁L2 よりも上側の位置であれば、タ
ンク1および密閉蓋8のどの位置に設けてもよいもので
ある。基板3の上端縁L2 よりも下側に設けた場合に
は、送給される不活性ガスGによってタンク内の純水2
がバブリングされて液面Wが波打ち、下降していく純水
2と基板3との間に形成されるメニスカス部が破壊さ
れ、水滴痕として残ったりするので、好ましくない。ま
た、水押出し管5のタンク1への接続位置も、図示した
タンク下底に限るものではなく、基板3の下端縁L1 よ
りも下側であればよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
極めて簡単な方法でありながら、基板と接する純水のメ
ニスカス部を常に不活性ガスと接した状態とすることが
でき、従来のように微粒子などを含んだ空気あるいは気
体と接して基板表面が酸化したり、あるいは微粒子が付
着して基板表面が再び汚染されてしまうというような不
具合をなくすことができる。また、水押出し管はタンク
上端縁よりも上方に伸ばされており、しかもその先端は
純水を排出するための溢流口として開放されているの
で、ガス圧を低くして、量も一定量以上でなくすること
で、不活性ガスを加圧して送給してもタンクが危険な圧
力容器となることがなく、安全に作業を進めることがで
きる。
極めて簡単な方法でありながら、基板と接する純水のメ
ニスカス部を常に不活性ガスと接した状態とすることが
でき、従来のように微粒子などを含んだ空気あるいは気
体と接して基板表面が酸化したり、あるいは微粒子が付
着して基板表面が再び汚染されてしまうというような不
具合をなくすことができる。また、水押出し管はタンク
上端縁よりも上方に伸ばされており、しかもその先端は
純水を排出するための溢流口として開放されているの
で、ガス圧を低くして、量も一定量以上でなくすること
で、不活性ガスを加圧して送給してもタンクが危険な圧
力容器となることがなく、安全に作業を進めることがで
きる。
【図1】本発明方法の処理過程において基板をタンク内
の純水中に浸漬した状態を示す図である。
の純水中に浸漬した状態を示す図である。
【図2】本発明方法の処理過程においてタンクの密閉蓋
を閉めた状態を示す図である。
を閉めた状態を示す図である。
【図3】本発明方法の処理過程においてタンク内に不活
性ガスを送給して純水を排水している状態を示す図であ
る。
性ガスを送給して純水を排水している状態を示す図であ
る。
【図4】従来における基板の洗浄乾燥方法の第1の例を
示す図である。
示す図である。
【図5】従来における基板の洗浄乾燥方法の第2の例を
示す図である。
示す図である。
【図6】基板と純水の接触部に形成されるメニスカス部
の拡大図である。
の拡大図である。
1 タンク 2 純水 3 基板 4 基板ホルダ 5 水押出し管 6 溢流口 7 タンク上端縁 8 開閉蓋 9 支軸 10 ガス流量コントーラ 11 ガス供給孔 12 ガス供給パイプ 13 純水給水弁 14 排水弁
Claims (1)
- 【請求項1】 タンク上面を気密に閉じる開閉自在な密
閉蓋と、一端をタンク下部に接続され、かつ、他端の溢
流口をタンク上端縁よりも所定の高さだけ上方に臨ませ
て開口した水押出し管とを備えたタンクを用い、該タン
ク内に基板を載置するとともに、該タンク内に純水を一
杯に満たし、この状態で密閉蓋を閉じることによって密
閉蓋と純水との間の空間が最小になるようにタンク上部
を密閉し、次いで、タンクの上部適宜位置に設けたガス
供給孔からタンク内に所定圧力で不活性ガスを送給し、
そのガス圧によってタンク内の純水を水押出し管の溢流
口から押し出していくことにより、タンク内の純水の液
面を所定の液面降下速度で下降させていくことを特徴と
する基板の洗浄乾燥方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9120088A JPH10303172A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 基板の洗浄乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9120088A JPH10303172A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 基板の洗浄乾燥方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303172A true JPH10303172A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14777620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9120088A Pending JPH10303172A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 基板の洗浄乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10303172A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004510573A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの清浄方法 |
JP2007258289A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置並びに液処理装置の処理液供給方法及び処理液供給プログラム。 |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP9120088A patent/JPH10303172A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004510573A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスの清浄方法 |
JP2007258289A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置並びに液処理装置の処理液供給方法及び処理液供給プログラム。 |
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