JPH10299933A - 弁体及びそれを用いた電磁制御弁 - Google Patents
弁体及びそれを用いた電磁制御弁Info
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- JPH10299933A JPH10299933A JP9104610A JP10461097A JPH10299933A JP H10299933 A JPH10299933 A JP H10299933A JP 9104610 A JP9104610 A JP 9104610A JP 10461097 A JP10461097 A JP 10461097A JP H10299933 A JPH10299933 A JP H10299933A
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- Japan
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- valve
- valve seat
- valve body
- seal member
- nickel
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K29/00—Arrangements for movement of valve members other than for opening and closing the valve, e.g. for grinding-in, for preventing sticking
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Magnetically Actuated Valves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガスによる溶解及び腐食に極めて強く、しか
も、流体の流れを完全に止めた状態とする。 【解決手段】 弁座側に凹部が穿設された本体部２と、
この本体部２の前記凹部に埋設されたシール部材３とを
有し、前記シール部３材が、焼きなましされたニッケル
により構成され、ニッケルは製造されたままでは堅くて
弁座に当接しても完全なシール状態を実現できないので
あるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁座に当接し
て僅かに凹むので完全なシール状態を実現することを利
用する。
も、流体の流れを完全に止めた状態とする。 【解決手段】 弁座側に凹部が穿設された本体部２と、
この本体部２の前記凹部に埋設されたシール部材３とを
有し、前記シール部３材が、焼きなましされたニッケル
により構成され、ニッケルは製造されたままでは堅くて
弁座に当接しても完全なシール状態を実現できないので
あるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁座に当接し
て僅かに凹むので完全なシール状態を実現することを利
用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電磁力によりプ
ランジャを駆動する電磁制御弁に適用すると好適な弁体
及びそれを用いた電磁制御弁に関する。
ランジャを駆動する電磁制御弁に適用すると好適な弁体
及びそれを用いた電磁制御弁に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の弁体としては、例えば、
特公平３−５５４号公報に示されるようなものが知られ
ている。この弁体は、弁体の本体にゴム材を埋め込んだ
構成のものである。ところが、この構成の弁体によると
ゴム材が、半導体製造に用いられるある種のガスに触れ
ると溶解し、破壊されるという問題点があった。
特公平３−５５４号公報に示されるようなものが知られ
ている。この弁体は、弁体の本体にゴム材を埋め込んだ
構成のものである。ところが、この構成の弁体によると
ゴム材が、半導体製造に用いられるある種のガスに触れ
ると溶解し、破壊されるという問題点があった。
【０００３】そこで、ゴム材に代えてテフロンを用いた
弁体が登場したが、テフロンも特定のガス（例えば、Ｐ
Ｈ3 ）により腐食を生じることが知られるに至った。
弁体が登場したが、テフロンも特定のガス（例えば、Ｐ
Ｈ3 ）により腐食を生じることが知られるに至った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、弁体全体をガ
スに強い金属により構成することも考えられるが、弁体
の弁座側の面を鏡面仕上げしたところで、弁体と弁座と
の当接による完全なシール状態を得ることは難しい。ま
た、弁体と弁座との対向面が共に平面であっても、その
平面が完全に平行である訳ではなく、単に当接したとし
ても間隙が存在する。特に、電磁駆動の弁においては、
圧力が３〜４Ｋｇ／ｃｍ2 程度であり、弁体が金属であ
る場合には、上記の間隙を無くす程の圧力を加えること
ができず、完全なシール状態を得ることは不可能であっ
た。
スに強い金属により構成することも考えられるが、弁体
の弁座側の面を鏡面仕上げしたところで、弁体と弁座と
の当接による完全なシール状態を得ることは難しい。ま
た、弁体と弁座との対向面が共に平面であっても、その
平面が完全に平行である訳ではなく、単に当接したとし
ても間隙が存在する。特に、電磁駆動の弁においては、
圧力が３〜４Ｋｇ／ｃｍ2 程度であり、弁体が金属であ
る場合には、上記の間隙を無くす程の圧力を加えること
ができず、完全なシール状態を得ることは不可能であっ
た。
【０００５】本発明はこの様な従来の弁体に対する要望
に応えんとしてなされたもので、その目的は、ガスによ
る溶解及び腐食に極めて強く、しかも、流体の流れを完
全に止めた状態とすることのでき得る弁体及びそれを用
いた電磁制御弁を提供することである。
に応えんとしてなされたもので、その目的は、ガスによ
る溶解及び腐食に極めて強く、しかも、流体の流れを完
全に止めた状態とすることのでき得る弁体及びそれを用
いた電磁制御弁を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の弁体は、弁座側に凹部が穿設された本体部と、この本
体部の前記凹部に埋設されたシール部材とを有し、前記
シール部材が、焼きなましされたニッケルにより構成さ
れていることを特徴とする。ニッケルは製造されたまま
では堅くて弁座に当接しても完全なシール状態を実現で
きないのであるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁
座に当接して僅かに凹むので完全なシール状態を実現す
る。また、ニッケルは半導体製造に使用されるガスによ
り溶解したり腐食したりすることがなく、使用に耐え得
るものである。
の弁体は、弁座側に凹部が穿設された本体部と、この本
体部の前記凹部に埋設されたシール部材とを有し、前記
シール部材が、焼きなましされたニッケルにより構成さ
れていることを特徴とする。ニッケルは製造されたまま
では堅くて弁座に当接しても完全なシール状態を実現で
きないのであるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁
座に当接して僅かに凹むので完全なシール状態を実現す
る。また、ニッケルは半導体製造に使用されるガスによ
り溶解したり腐食したりすることがなく、使用に耐え得
るものである。
【０００７】本発明の請求項２に記載の弁体は、シール
部材が、対向する弁座に当接されて圧力を受けることに
より、エージングされていることを特徴とする。ニッケ
ルは焼きなましにより硬度が低下し、弁座に当接して僅
かに凹む状態となるが、対向する弁座に当接されて圧力
を受けることにより、再び堅さが戻る。従って、エージ
ングにより、弁座とのクリアランスが無くされ完全なシ
ール状態を実現できる形状にて固化した弁体となる。
部材が、対向する弁座に当接されて圧力を受けることに
より、エージングされていることを特徴とする。ニッケ
ルは焼きなましにより硬度が低下し、弁座に当接して僅
かに凹む状態となるが、対向する弁座に当接されて圧力
を受けることにより、再び堅さが戻る。従って、エージ
ングにより、弁座とのクリアランスが無くされ完全なシ
ール状態を実現できる形状にて固化した弁体となる。
【０００８】本発明の請求項３に記載の弁体は、シール
部材が、焼きなましにより、H.R.B.１０以下の硬度とさ
れていることを特徴とする。シール部材が係る硬度の範
囲とされており、弁座に当接して僅かに凹む状態が実現
され、完全なシール状態を実現できる。
部材が、焼きなましにより、H.R.B.１０以下の硬度とさ
れていることを特徴とする。シール部材が係る硬度の範
囲とされており、弁座に当接して僅かに凹む状態が実現
され、完全なシール状態を実現できる。
【０００９】本発明の請求項４に記載の電磁制御弁は、
弁体と、この弁体と対向する弁座と、前記弁体に運動を
与えるプランジャと、このプランジャを移動させる電磁
力を発生させるコイルとを具備し、前記弁体が、弁座側
に凹部が穿設された本体部と、この本体部の前記凹部に
埋設された焼きなましされたニッケルにより構成されて
いるシール部材と、を有することを特徴とする。係る構
造の電磁制御弁によれば、電磁駆動であるからプランジ
ャに対する駆動力が弱く、通常の金属であれば完全なシ
ール状態が得られないのであるが、焼きなましにより硬
度が低下し、弁座に当接して僅かに凹むので完全なシー
ル状態を実現する。また、ニッケルは半導体製造に使用
されるガスにより溶解したり腐食したりすることがな
く、使用に耐え得るものである。
弁体と、この弁体と対向する弁座と、前記弁体に運動を
与えるプランジャと、このプランジャを移動させる電磁
力を発生させるコイルとを具備し、前記弁体が、弁座側
に凹部が穿設された本体部と、この本体部の前記凹部に
埋設された焼きなましされたニッケルにより構成されて
いるシール部材と、を有することを特徴とする。係る構
造の電磁制御弁によれば、電磁駆動であるからプランジ
ャに対する駆動力が弱く、通常の金属であれば完全なシ
ール状態が得られないのであるが、焼きなましにより硬
度が低下し、弁座に当接して僅かに凹むので完全なシー
ル状態を実現する。また、ニッケルは半導体製造に使用
されるガスにより溶解したり腐食したりすることがな
く、使用に耐え得るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態に係る弁体及びそれを用いた電磁制御弁を
説明する。各図において、同一の構成要素には同一の符
号を付して重複する説明を省略する。図１には、本発明
の実施の形態に係る弁体１の平面図が示され、図２に
は、図１における矢印Ａ方向から見た一部断面図が示さ
れている。弁体１は、例えば、ＳＵＳ３１６により作成
された本体部２とシール部材３とから構成される。
の実施の形態に係る弁体及びそれを用いた電磁制御弁を
説明する。各図において、同一の構成要素には同一の符
号を付して重複する説明を省略する。図１には、本発明
の実施の形態に係る弁体１の平面図が示され、図２に
は、図１における矢印Ａ方向から見た一部断面図が示さ
れている。弁体１は、例えば、ＳＵＳ３１６により作成
された本体部２とシール部材３とから構成される。
【００１１】本体部２は六角柱状の胴部４と、この胴部
４の一面側に形成された円柱状の頭部５と、上記胴部４
の頭部５側とは反対の面側に形成され、外側に段階的に
径が小さくなる円柱が重ねられた形状の脚部６とにより
構成されている。
４の一面側に形成された円柱状の頭部５と、上記胴部４
の頭部５側とは反対の面側に形成され、外側に段階的に
径が小さくなる円柱が重ねられた形状の脚部６とにより
構成されている。
【００１２】頭部５の広面からは、円筒状に凹部７が穿
設されている。また、脚部６の先端部の外周にはネジ８
が切られており、プランジャの雌ネジに螺合可能とされ
ている。
設されている。また、脚部６の先端部の外周にはネジ８
が切られており、プランジャの雌ネジに螺合可能とされ
ている。
【００１３】弁体１に形成されている凹部７には、穴に
対応する円盤状のニッケルからなるシール部材３が挿入
され、そしてカシメ留めされる。このシール部材３を構
成するニッケルは、１０-6Ｔｏｒｒ以上の高度の高真空
雰囲気中にて７００゜Ｃで焼きなましされたもので、通
常の焼きなましが行われたニッケルよりも低い硬度とな
り、H.R.B.値は１０以下となる。ここに、焼きなましさ
れる前のニッケルは、通常の製造工程を経て棒状に引き
伸ばされ、または、板状に延ばされたものであって、そ
の硬度は、H.R.B.７８程度である。
対応する円盤状のニッケルからなるシール部材３が挿入
され、そしてカシメ留めされる。このシール部材３を構
成するニッケルは、１０-6Ｔｏｒｒ以上の高度の高真空
雰囲気中にて７００゜Ｃで焼きなましされたもので、通
常の焼きなましが行われたニッケルよりも低い硬度とな
り、H.R.B.値は１０以下となる。ここに、焼きなましさ
れる前のニッケルは、通常の製造工程を経て棒状に引き
伸ばされ、または、板状に延ばされたものであって、そ
の硬度は、H.R.B.７８程度である。
【００１４】以上のように構成された弁体１は、プラン
ジャにより力を受け、図３に示されるような弁座１０を
押圧してオリフィス１２を閉じる。弁座１０はＳＵＳ３
１６により構成されており、焼きなましされたシール部
材３の硬度よりも遥かに硬い。従って、押圧力により弁
座１０の当接部１１がシール部材３に入り込み、オリフ
ィス１２は完璧にシールされた状態となる。また、ニッ
ケルは半導体製造に用いる各種のガスにより溶解した
り、腐食したりすることなく、安定的にガス流量の制御
を行うことができる。
ジャにより力を受け、図３に示されるような弁座１０を
押圧してオリフィス１２を閉じる。弁座１０はＳＵＳ３
１６により構成されており、焼きなましされたシール部
材３の硬度よりも遥かに硬い。従って、押圧力により弁
座１０の当接部１１がシール部材３に入り込み、オリフ
ィス１２は完璧にシールされた状態となる。また、ニッ
ケルは半導体製造に用いる各種のガスにより溶解した
り、腐食したりすることなく、安定的にガス流量の制御
を行うことができる。
【００１５】前述したような弁座１０との当接を行った
後に、プランジャにより弁体１を弁座１０から引き離
し、更に、プランジャにより弁体１を弁座１０に当接さ
せる。このような操作を数回繰り返す。すると、高真空
雰囲気にて焼きなましにより硬度が低下していたシール
部材３において、弁座１０の当接部１１と当接する部分
の硬度が高まり、図４に示されるように、当接部１１に
対応して窪んだ溝部１３が形成される。上記の硬度の上
昇は、焼きなました金属に対しストレスを加えることに
よりストレスの加わった部分が硬化する現象に基づくも
のである。
後に、プランジャにより弁体１を弁座１０から引き離
し、更に、プランジャにより弁体１を弁座１０に当接さ
せる。このような操作を数回繰り返す。すると、高真空
雰囲気にて焼きなましにより硬度が低下していたシール
部材３において、弁座１０の当接部１１と当接する部分
の硬度が高まり、図４に示されるように、当接部１１に
対応して窪んだ溝部１３が形成される。上記の硬度の上
昇は、焼きなました金属に対しストレスを加えることに
よりストレスの加わった部分が硬化する現象に基づくも
のである。
【００１６】このような状態となった弁体１は、弁座１
０のオリフィス１２を完全にシールし得る状態で固化し
て、常に、適切に流体の流れを止めることができる。
０のオリフィス１２を完全にシールし得る状態で固化し
て、常に、適切に流体の流れを止めることができる。
【００１７】図１、図２の弁体１又は、図３、図４の弁
体１は、図５に示される電磁制御弁２０に適用される。
電磁制御弁２０は、流体の入口部２２および出口部２３
を有する基部２１と、この基部２１を覆うコイルケース
２４とを具備する。
体１は、図５に示される電磁制御弁２０に適用される。
電磁制御弁２０は、流体の入口部２２および出口部２３
を有する基部２１と、この基部２１を覆うコイルケース
２４とを具備する。
【００１８】基部２１の入口部２２および出口部２３の
外側には、それぞれネジ２５、２６が形成され、流体を
流すための管等に接続可能となっている。また、基部２
１の中央部には、円筒状の弁室２７が形成されており、
その底部には出口部２３に通じる穴が穿設されており、
弁座２８を固定するための筒体２９が嵌合されている。
弁座２８は円盤状の本体と、この本体部から弁体１側に
突出した当接部と、本体部の裏面に形成された筒体２９
に嵌合する穴とを有する。
外側には、それぞれネジ２５、２６が形成され、流体を
流すための管等に接続可能となっている。また、基部２
１の中央部には、円筒状の弁室２７が形成されており、
その底部には出口部２３に通じる穴が穿設されており、
弁座２８を固定するための筒体２９が嵌合されている。
弁座２８は円盤状の本体と、この本体部から弁体１側に
突出した当接部と、本体部の裏面に形成された筒体２９
に嵌合する穴とを有する。
【００１９】弁体１は、バネ３１を介してプランジャ３
２にネジ止めされている。バネ３１は、ブロック体３
３、３４によって弁室２７の所定位置に位置決めされて
おり、プランジャ３２および弁体１は上記バネ３１の位
置を中心として上下動する。
２にネジ止めされている。バネ３１は、ブロック体３
３、３４によって弁室２７の所定位置に位置決めされて
おり、プランジャ３２および弁体１は上記バネ３１の位
置を中心として上下動する。
【００２０】コイルケース２４は、それぞれ円筒状の外
壁と内壁とにより囲まれた室にコイル３５が収納され、
蓋３６により外部と隔絶されている。コイルケース２４
の内壁よりも芯の部分には、頭部にネジが形成されたシ
ャフト３７が埋設されている。シャフト３７は頭部のネ
ジに螺合している調整ナット３８の回動により上下し、
プランジャ３２とのギャップを調整可能となっている。
調整ナット３８には、固定用ナット３９が螺合され、調
整ナット３８を固定することができる。
壁と内壁とにより囲まれた室にコイル３５が収納され、
蓋３６により外部と隔絶されている。コイルケース２４
の内壁よりも芯の部分には、頭部にネジが形成されたシ
ャフト３７が埋設されている。シャフト３７は頭部のネ
ジに螺合している調整ナット３８の回動により上下し、
プランジャ３２とのギャップを調整可能となっている。
調整ナット３８には、固定用ナット３９が螺合され、調
整ナット３８を固定することができる。
【００２１】コイルケース２４の基部２１側の面は、リ
ング４１およびブロック体４２更には、ダイヤフラム４
３により、流体が流入せぬようにシールがなされてい
る。基部２１とコイルケース２４とはネジ４４により接
合され、接合部にはＯリング４５が介装されている。
ング４１およびブロック体４２更には、ダイヤフラム４
３により、流体が流入せぬようにシールがなされてい
る。基部２１とコイルケース２４とはネジ４４により接
合され、接合部にはＯリング４５が介装されている。
【００２２】以上の通りに構成された電磁制御弁によれ
ば、その弁体１が、図１、図２または図３、図４に示し
た通りの構成を有するため、電磁力による押圧力がピエ
ゾ素子程強くなくとも、弁体１のシール部材３が弁座の
当接部に被さるように凹み、オリフィスの完全なシール
状態を実現する。また、ニッケルは半導体製造に用いる
各種のガスにより溶解したり、腐食したりすることな
く、安定的にガス流量の制御を行うことができる。
ば、その弁体１が、図１、図２または図３、図４に示し
た通りの構成を有するため、電磁力による押圧力がピエ
ゾ素子程強くなくとも、弁体１のシール部材３が弁座の
当接部に被さるように凹み、オリフィスの完全なシール
状態を実現する。また、ニッケルは半導体製造に用いる
各種のガスにより溶解したり、腐食したりすることな
く、安定的にガス流量の制御を行うことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に記載の弁体によれば、弁座側に凹部が穿設された本体
部と、この本体部の前記凹部に埋設されたシール部材と
を有し、前記シール部材が、焼きなましされたニッケル
により構成されているので、ニッケルは製造されたまま
では堅くて弁座に当接しても完全なシール状態を実現で
きないのであるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁
座に当接して僅かに凹むので完全なシール状態を実現す
る効果がある。また、ニッケルは半導体製造に使用され
るガスにより溶解したり腐食したりすることがなく、使
用に耐え得るという効果もある。
に記載の弁体によれば、弁座側に凹部が穿設された本体
部と、この本体部の前記凹部に埋設されたシール部材と
を有し、前記シール部材が、焼きなましされたニッケル
により構成されているので、ニッケルは製造されたまま
では堅くて弁座に当接しても完全なシール状態を実現で
きないのであるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁
座に当接して僅かに凹むので完全なシール状態を実現す
る効果がある。また、ニッケルは半導体製造に使用され
るガスにより溶解したり腐食したりすることがなく、使
用に耐え得るという効果もある。
【００２４】以上説明したように、本発明の請求項２に
記載の弁体によれば、シール部材が、対向する弁座に当
接されて圧力を受けることにより、エージングされてい
るので、ニッケルは焼きなましにより硬度が低下し、弁
座に当接して僅かに凹む状態となるが、対向する弁座に
当接されて圧力を受けることにより、再び堅さが戻るた
め、エージングにより、弁座とのクリアランスが無くさ
れ完全なシール状態を実現できる形状にて固化した弁体
を提供可能である。
記載の弁体によれば、シール部材が、対向する弁座に当
接されて圧力を受けることにより、エージングされてい
るので、ニッケルは焼きなましにより硬度が低下し、弁
座に当接して僅かに凹む状態となるが、対向する弁座に
当接されて圧力を受けることにより、再び堅さが戻るた
め、エージングにより、弁座とのクリアランスが無くさ
れ完全なシール状態を実現できる形状にて固化した弁体
を提供可能である。
【００２５】以上説明したように、本発明の請求項３に
記載の弁体によれば、シール部材が、焼きなましによ
り、H.R.B.１０以下の硬度とされているので、シール部
材が係る硬度の範囲とされており、弁座に当接して僅か
に凹む状態が実現され、完全なシール状態を実現でき
る。
記載の弁体によれば、シール部材が、焼きなましによ
り、H.R.B.１０以下の硬度とされているので、シール部
材が係る硬度の範囲とされており、弁座に当接して僅か
に凹む状態が実現され、完全なシール状態を実現でき
る。
【００２６】以上説明したように、本発明の請求項４に
記載の電磁制御弁によれば、弁体と、この弁体と対向す
る弁座と、前記弁体に運動を与えるプランジャと、この
プランジャを移動させる電磁力を発生させるコイルとを
具備し、前記弁体が、弁座側に凹部が穿設された本体部
と、この本体部の前記凹部に埋設された焼きなましされ
たニッケルにより構成されているシール部材と、を有す
るので、電磁駆動であるからプランジャに対する駆動力
が弱く、通常の金属であれば完全なシール状態が得られ
ないのであるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁座
に当接して僅かに凹むので完全なシール状態を実現す
る。また、ニッケルは半導体製造に使用されるガスによ
り溶解したり腐食したりすることがなく、使用に耐え得
るという効果がある。
記載の電磁制御弁によれば、弁体と、この弁体と対向す
る弁座と、前記弁体に運動を与えるプランジャと、この
プランジャを移動させる電磁力を発生させるコイルとを
具備し、前記弁体が、弁座側に凹部が穿設された本体部
と、この本体部の前記凹部に埋設された焼きなましされ
たニッケルにより構成されているシール部材と、を有す
るので、電磁駆動であるからプランジャに対する駆動力
が弱く、通常の金属であれば完全なシール状態が得られ
ないのであるが、焼きなましにより硬度が低下し、弁座
に当接して僅かに凹むので完全なシール状態を実現す
る。また、ニッケルは半導体製造に使用されるガスによ
り溶解したり腐食したりすることがなく、使用に耐え得
るという効果がある。
【図１】本発明の実施の形態に係る弁体の平面図。
【図２】図１に示した本発明の実施の形態に係る弁体の
Ａ方向矢視一部断面図。
Ａ方向矢視一部断面図。
【図３】本発明の実施の形態に係る弁体の作用を説明す
る断面図。
る断面図。
【図４】本発明の実施の形態に係るエージングした弁体
の平面図。
の平面図。
【図５】本発明の実施の形態に係る電磁制御弁の断面
図。
図。
１ 弁体 ２ 本体部 ３ シール部材 ２１ 基部 ２４ コイルケース ２８ 弁座 ３２ プランジャ ３５ コイル ３８調整ナット
Claims (4)
- 【請求項１】 弁座側に凹部が穿設された本体部と、 この本体部の前記凹部に埋設されたシール部材とを有
し、 前記シール部材が、焼きなましされたニッケルにより構
成されていることを特徴とする弁体。 - 【請求項２】 シール部材が、対向する弁座に当接され
て圧力を受けることにより、エージングされていること
を特徴とする請求項１に記載の弁体。 - 【請求項３】 シール部材が、焼きなましにより、H.B.
R.１０以下の硬度とされていることを特徴とする請求項
１または２に記載の弁体。 - 【請求項４】 弁体と、 この弁体と対向する弁座と、 前記弁体に運動を与えるプランジャと、 このプランジャを移動させる電磁力を発生させるコイル
とを具備し、 前記弁体が、弁座側に凹部が穿設された本体部と、この
本体部の前記凹部に埋設された焼きなましされたニッケ
ルにより構成されているシール部材と、を有することを
特徴とする電磁制御弁。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10461097A JP3377077B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 弁体及びそれを用いた電磁制御弁 |
| US09/063,346 US6152421A (en) | 1997-04-22 | 1998-04-21 | Valve body and electromagnetic control valve using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10461097A JP3377077B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 弁体及びそれを用いた電磁制御弁 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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