JP3056093B2 - 電磁弁シール構造 - Google Patents
電磁弁シール構造Info
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- JP3056093B2 JP3056093B2 JP8270537A JP27053796A JP3056093B2 JP 3056093 B2 JP3056093 B2 JP 3056093B2 JP 8270537 A JP8270537 A JP 8270537A JP 27053796 A JP27053796 A JP 27053796A JP 3056093 B2 JP3056093 B2 JP 3056093B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バネの付勢力を受
けて弁座に当接するダイアフラム形弁体のシール性向上
を図った電磁弁シール構造に関する。
けて弁座に当接するダイアフラム形弁体のシール性向上
を図った電磁弁シール構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からダイアフラム弁体を使用した電
磁弁が種々利用されてきている。そこで、その一例とし
てダイアフラム弁体を備えた３ポート電磁弁を示し、そ
の電磁弁シール構造について説明する。図６は、従来の
電磁弁を示した電磁弁の断面図である。本従来例の電磁
弁は、弁の開閉を制御するソレノイド部と弁部とから構
成されている。そのソレノイド部には、円筒形のコイル
５１内部の上方に固定鉄心５２が固設され、その下方に
はスプリング５３に付勢された可動鉄心５４が嵌装され
ている。
磁弁が種々利用されてきている。そこで、その一例とし
てダイアフラム弁体を備えた３ポート電磁弁を示し、そ
の電磁弁シール構造について説明する。図６は、従来の
電磁弁を示した電磁弁の断面図である。本従来例の電磁
弁は、弁の開閉を制御するソレノイド部と弁部とから構
成されている。そのソレノイド部には、円筒形のコイル
５１内部の上方に固定鉄心５２が固設され、その下方に
はスプリング５３に付勢された可動鉄心５４が嵌装され
ている。
【０００３】一方、弁部は、ソレノイド部下端に固定さ
れたボディ６１内に形成されている。ボディ６１の中心
部には、上下に貫いた貫通孔６２が可動鉄心５４と同軸
上に形成され、そこへ弁棒６３が嵌挿されている。ま
た、ボディ６１には、貫通孔６２の中間位置に連通する
入力ポート６４、貫通孔６２のソレノイド部側開口部に
連通するノーマルクローズポート６５、及び貫通孔６２
の他端開口部に連通するノーマルオープンポート６６と
が形成されている。貫通孔６２に嵌装された弁棒６３の
両端には各ポート間を遮断する第１ダイアフラム弁体６
７と第２ダイアフラム弁体６８とが固定されてる。そし
て、その第２ダイアフラム弁体６８には、カバー６９と
の間に嵌装されたスプリング７０の付勢力がバネ受け７
１を介して加わっている。
れたボディ６１内に形成されている。ボディ６１の中心
部には、上下に貫いた貫通孔６２が可動鉄心５４と同軸
上に形成され、そこへ弁棒６３が嵌挿されている。ま
た、ボディ６１には、貫通孔６２の中間位置に連通する
入力ポート６４、貫通孔６２のソレノイド部側開口部に
連通するノーマルクローズポート６５、及び貫通孔６２
の他端開口部に連通するノーマルオープンポート６６と
が形成されている。貫通孔６２に嵌装された弁棒６３の
両端には各ポート間を遮断する第１ダイアフラム弁体６
７と第２ダイアフラム弁体６８とが固定されてる。そし
て、その第２ダイアフラム弁体６８には、カバー６９と
の間に嵌装されたスプリング７０の付勢力がバネ受け７
１を介して加わっている。
【０００４】そして、このよな構成からなる従来の電磁
弁では、コイル５１への通電によって生じる励磁力が可
動鉄心５４をスプリング５３の付勢力に抗して吸引す
る。そのため、通電時には上昇した可動鉄心５４によっ
て弁棒６３が解放されスプリング７０の付勢力によって
上昇する。従って、非通電時には、可動鉄心５４に押圧
された第１ダイアフラム弁体６７が貫通孔６２のソレノ
イド側開口部の第１弁座７２に当接するため、入力ポー
ト６４がノーマルオープンポート６６に連通する。一
方、通電時には、可動鉄心５４が固定鉄心５３に吸引さ
れるため、スプリング７０の付勢力を受けた第２ダイア
フラム弁体６８が貫通孔６２の下端開口部の第２弁座７
３に当接し、入力ポート６４がノーマルクローズポート
６５に連通する。
弁では、コイル５１への通電によって生じる励磁力が可
動鉄心５４をスプリング５３の付勢力に抗して吸引す
る。そのため、通電時には上昇した可動鉄心５４によっ
て弁棒６３が解放されスプリング７０の付勢力によって
上昇する。従って、非通電時には、可動鉄心５４に押圧
された第１ダイアフラム弁体６７が貫通孔６２のソレノ
イド側開口部の第１弁座７２に当接するため、入力ポー
ト６４がノーマルオープンポート６６に連通する。一
方、通電時には、可動鉄心５４が固定鉄心５３に吸引さ
れるため、スプリング７０の付勢力を受けた第２ダイア
フラム弁体６８が貫通孔６２の下端開口部の第２弁座７
３に当接し、入力ポート６４がノーマルクローズポート
６５に連通する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成からなる従来の電磁弁、特にスプリング７２による付
勢力を受ける第２ダイアフラム弁体６８及びバネ受け７
１から構成される電磁弁シール構造では、第２弁座に当
接する第２ダイアフラム弁体のシール性が不安定になる
問題があった。即ち、第２ダイアフラム弁体６８は、ダ
イアフラムの中心に円盤状で端面が平面をなした弁体が
形成されたものである一方、第２ダイアフラム弁体６８
とスプリング７２との間に介在し、その弁体に当接する
バネ受け７１の当接面も平面をなして形成されたもので
ある。このような構造は、第１ダイアフラム弁体６７側
にも見られるものであり、円柱状の端面が平面をなす弁
体に対し、その平面に当接する可動鉄心５４端面も平面
をなして形成されている。
成からなる従来の電磁弁、特にスプリング７２による付
勢力を受ける第２ダイアフラム弁体６８及びバネ受け７
１から構成される電磁弁シール構造では、第２弁座に当
接する第２ダイアフラム弁体のシール性が不安定になる
問題があった。即ち、第２ダイアフラム弁体６８は、ダ
イアフラムの中心に円盤状で端面が平面をなした弁体が
形成されたものである一方、第２ダイアフラム弁体６８
とスプリング７２との間に介在し、その弁体に当接する
バネ受け７１の当接面も平面をなして形成されたもので
ある。このような構造は、第１ダイアフラム弁体６７側
にも見られるものであり、円柱状の端面が平面をなす弁
体に対し、その平面に当接する可動鉄心５４端面も平面
をなして形成されている。
【０００６】そのため、平面どうしでは接触面積が大き
いため、安定した付勢力の伝達により均一な荷重が加わ
るようにするためには高い平面度が要求される。必要な
平面度が得られない場合にはスプリング７２の付勢力が
第１ダイアフラム弁体６８に偏って加わるため、シール
面に均一な荷重が得られずバラツキが生じ得る。一方、
第２ダイアフラム弁体６８を第２弁座７３に対して気密
に当接し高いシール性を得ようとした場合には、スプリ
ング７０を大きな荷重を与えるものに変更することで達
成し得るが、その反面、他方のスプリング５３も大きく
する必要があり、併せてそのスプリング５３の付勢力に
抗して可動鉄心５１を吸引するためにソレノイドも大型
化する必要があるため、電磁弁自体が大型化してしまう
という欠点があった。
いため、安定した付勢力の伝達により均一な荷重が加わ
るようにするためには高い平面度が要求される。必要な
平面度が得られない場合にはスプリング７２の付勢力が
第１ダイアフラム弁体６８に偏って加わるため、シール
面に均一な荷重が得られずバラツキが生じ得る。一方、
第２ダイアフラム弁体６８を第２弁座７３に対して気密
に当接し高いシール性を得ようとした場合には、スプリ
ング７０を大きな荷重を与えるものに変更することで達
成し得るが、その反面、他方のスプリング５３も大きく
する必要があり、併せてそのスプリング５３の付勢力に
抗して可動鉄心５１を吸引するためにソレノイドも大型
化する必要があるため、電磁弁自体が大型化してしまう
という欠点があった。
【０００７】そこで、本発明は、かかる問題点を解消す
べくシール性の向上を図った電磁弁シール構造を提供す
ることを目的とする。
べくシール性の向上を図った電磁弁シール構造を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電磁弁シール構
造は、ソレノイドへの通電によって移動する可動鉄心の
動きに連動するダイアフラム弁体と、前記ダイアフラム
弁体に対して形成された弁座と、前記弁座に対して前記
ダイアフラム弁体を付勢するバネ部材と、前記ダイアフ
ラム弁体と前記バネ部材との間に介在するバネ受けとを
有し、前記バネ部材の付勢力を受けた前記バネ受けを介
して前記ダイアフラム弁体を前記弁座に当接させるもの
であって、前記ダイアフラム弁体の前記バネ受けに当接
する当接側に取り付け可能な当接カバーが、前記可動鉄
心やダイアフラム弁体等の共通の軸心上に中心を有し当
該軸心上で前記バネ受けの平面と当接する球面が形成さ
れたものであることを特徴とする。
造は、ソレノイドへの通電によって移動する可動鉄心の
動きに連動するダイアフラム弁体と、前記ダイアフラム
弁体に対して形成された弁座と、前記弁座に対して前記
ダイアフラム弁体を付勢するバネ部材と、前記ダイアフ
ラム弁体と前記バネ部材との間に介在するバネ受けとを
有し、前記バネ部材の付勢力を受けた前記バネ受けを介
して前記ダイアフラム弁体を前記弁座に当接させるもの
であって、前記ダイアフラム弁体の前記バネ受けに当接
する当接側に取り付け可能な当接カバーが、前記可動鉄
心やダイアフラム弁体等の共通の軸心上に中心を有し当
該軸心上で前記バネ受けの平面と当接する球面が形成さ
れたものであることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の電磁弁シール構造は、ソレ
ノイドへの通電によって移動する可動鉄心の動きに連動
するダイアフラム弁体と、前記ダイアフラム弁体に対し
て形成された弁座と、前記弁座に対して前記ダイアフラ
ム弁体を付勢するバネ部材と、前記ダイアフラム弁体と
前記バネ部材との間に介在するバネ受けとを有し、前記
バネ部材の付勢力を受けた前記バネ受けを介して前記ダ
イアフラム弁体を前記弁座に当接させるものであって、
前記ダイアフラム弁体には、その中心部に突設し前記バ
ネ受け側に開口した筒形状の位置決穴が形成され、前記
バネ受けには、その中心部に前記位置決穴に嵌入するテ
ーパを有する位置決突起が形成されものであることを特
徴とする。
ノイドへの通電によって移動する可動鉄心の動きに連動
するダイアフラム弁体と、前記ダイアフラム弁体に対し
て形成された弁座と、前記弁座に対して前記ダイアフラ
ム弁体を付勢するバネ部材と、前記ダイアフラム弁体と
前記バネ部材との間に介在するバネ受けとを有し、前記
バネ部材の付勢力を受けた前記バネ受けを介して前記ダ
イアフラム弁体を前記弁座に当接させるものであって、
前記ダイアフラム弁体には、その中心部に突設し前記バ
ネ受け側に開口した筒形状の位置決穴が形成され、前記
バネ受けには、その中心部に前記位置決穴に嵌入するテ
ーパを有する位置決突起が形成されものであることを特
徴とする。
【００１０】このような構成をなす本発明の電磁弁シー
ル構造では、当接カバーをダイアフラム弁体に取り付け
ることによっても、その当接カバーの球面によって常に
軸心上で当接するため、ダイアフラム弁体が弁座に対し
て均等に当接することによってシール性の向上が図られ
る。 また、本発明の電磁弁シール構造では、閉弁に際し
てダイアフラム弁体が弁座に対して当接する場合には、
ダイアフラム弁体の位置決穴に対してバネ受けの位置決
突起が嵌入しているので、不安定なバネ受けが位置決突
起のテーパによって常に同様な状態で位置決めされるた
め、バネ受けとダイアフラム弁体の間にズレ が生じるこ
となく、ダイアフラム弁体が弁座に対して均等に当接す
ることによってシール性の向上が図られる。
ル構造では、当接カバーをダイアフラム弁体に取り付け
ることによっても、その当接カバーの球面によって常に
軸心上で当接するため、ダイアフラム弁体が弁座に対し
て均等に当接することによってシール性の向上が図られ
る。 また、本発明の電磁弁シール構造では、閉弁に際し
てダイアフラム弁体が弁座に対して当接する場合には、
ダイアフラム弁体の位置決穴に対してバネ受けの位置決
突起が嵌入しているので、不安定なバネ受けが位置決突
起のテーパによって常に同様な状態で位置決めされるた
め、バネ受けとダイアフラム弁体の間にズレ が生じるこ
となく、ダイアフラム弁体が弁座に対して均等に当接す
ることによってシール性の向上が図られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかる電磁弁シー
ル構造の一実施の形態について図面を参照して説明す
る。図１及び図２は、第１実施の形態の電磁弁シール構
造を有する電磁弁を示した断面図であり、図１には非通
電時の状態を示し、図２には通電時の状態を示した。本
実施の形態での電磁弁も前記従来例のものと同様に３ポ
ート電磁弁であり、次のような構成をなす。本実施の形
態の電磁弁は、弁の開閉を制御するソレノイド部と流体
の流れを調節する弁部とから構成されている。ソレノイ
ド部は、円筒形のコイル１内部の上半分の位置を占める
固定鉄心２が固設され、その下半分にはスプリング３に
付勢された可動鉄心４が嵌挿され支持枠５を貫いて摺動
するよう構成されている。可動鉄心４は円柱形状をな
し、その上端にはスプリング３が嵌装される凹部と下端
には後述するダイアフラム弁体が嵌装される凹部が形成
されている。
ル構造の一実施の形態について図面を参照して説明す
る。図１及び図２は、第１実施の形態の電磁弁シール構
造を有する電磁弁を示した断面図であり、図１には非通
電時の状態を示し、図２には通電時の状態を示した。本
実施の形態での電磁弁も前記従来例のものと同様に３ポ
ート電磁弁であり、次のような構成をなす。本実施の形
態の電磁弁は、弁の開閉を制御するソレノイド部と流体
の流れを調節する弁部とから構成されている。ソレノイ
ド部は、円筒形のコイル１内部の上半分の位置を占める
固定鉄心２が固設され、その下半分にはスプリング３に
付勢された可動鉄心４が嵌挿され支持枠５を貫いて摺動
するよう構成されている。可動鉄心４は円柱形状をな
し、その上端にはスプリング３が嵌装される凹部と下端
には後述するダイアフラム弁体が嵌装される凹部が形成
されている。
【００１２】一方、弁部は、ソレノイド部下端に固定さ
れたボディ１１内に形成されている。そのボディ１１の
中心部には、上下に貫いた貫通孔１２が可動鉄心４と同
軸上に形成され、そこへ弁棒１３が嵌挿されている。貫
通孔１２の両開口部にはソレノイド側に第１弁座１４
が、その反対側には第２弁座１５が形成されている。ま
た、ボディ１１には、貫通孔１２の中間位置に連通する
入力ポート１６、貫通孔１２のソレノイド部側開口部に
連通するノーマルクローズポート１７、及び貫通孔１２
の他端側開口部に連通するノーマルオープンポート１８
とが形成されている。貫通孔１２に嵌挿された弁棒１３
の端部には、第１弁座１４に対する第１ダイアフラム弁
体１９と、第２弁座１５に対する第２ダイアフラム弁体
２０とが固定されている。そして、その第２ダイアフラ
ム弁体２０には、カバー２１との間にスプリング２２が
嵌装され、そのスプリング２２と第２ダイアフラム弁体
２０との間にはバネ受け２３が介在している。
れたボディ１１内に形成されている。そのボディ１１の
中心部には、上下に貫いた貫通孔１２が可動鉄心４と同
軸上に形成され、そこへ弁棒１３が嵌挿されている。貫
通孔１２の両開口部にはソレノイド側に第１弁座１４
が、その反対側には第２弁座１５が形成されている。ま
た、ボディ１１には、貫通孔１２の中間位置に連通する
入力ポート１６、貫通孔１２のソレノイド部側開口部に
連通するノーマルクローズポート１７、及び貫通孔１２
の他端側開口部に連通するノーマルオープンポート１８
とが形成されている。貫通孔１２に嵌挿された弁棒１３
の端部には、第１弁座１４に対する第１ダイアフラム弁
体１９と、第２弁座１５に対する第２ダイアフラム弁体
２０とが固定されている。そして、その第２ダイアフラ
ム弁体２０には、カバー２１との間にスプリング２２が
嵌装され、そのスプリング２２と第２ダイアフラム弁体
２０との間にはバネ受け２３が介在している。
【００１３】ところで、本実施の形態の電磁弁を構成す
る第１及び第２ダイアフラム弁体１９，２０には、とも
にダイアフラムの中心部に円柱形状の凸部１９ａ，２０
ａが弁座１４，１５の反対側に突出して形成され、しか
もその凸部１９ａ，２０ａの端面には可動鉄心４や弁棒
１３等に共通の軸心上に中心を有する球面が形成されて
いる。また、バネ受け２３は、第２ダイアフラム弁体２
０の凸部２０ａが入り込む凹型形状をなし、その底面に
も球面が形成され、球面の中心が弁棒１３等に共通の軸
心上に位置するよう配設されている。そして、その端部
にはスプリング２２が当接する張り出し部が円周状に形
成されたものである。従って、第２ダイアフラム弁体２
０の凸部２０ａ端面とバネ受け２３の底面は球面どうし
が当接し、互いの中心部分が軸心上で一致するように配
設される。このような第１及び第２ダイアフラム弁体１
９，２０は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）に
よって形成され、バネ受け２３は、金属や樹脂により形
成される。
る第１及び第２ダイアフラム弁体１９，２０には、とも
にダイアフラムの中心部に円柱形状の凸部１９ａ，２０
ａが弁座１４，１５の反対側に突出して形成され、しか
もその凸部１９ａ，２０ａの端面には可動鉄心４や弁棒
１３等に共通の軸心上に中心を有する球面が形成されて
いる。また、バネ受け２３は、第２ダイアフラム弁体２
０の凸部２０ａが入り込む凹型形状をなし、その底面に
も球面が形成され、球面の中心が弁棒１３等に共通の軸
心上に位置するよう配設されている。そして、その端部
にはスプリング２２が当接する張り出し部が円周状に形
成されたものである。従って、第２ダイアフラム弁体２
０の凸部２０ａ端面とバネ受け２３の底面は球面どうし
が当接し、互いの中心部分が軸心上で一致するように配
設される。このような第１及び第２ダイアフラム弁体１
９，２０は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）に
よって形成され、バネ受け２３は、金属や樹脂により形
成される。
【００１４】このような構成からなる電磁弁及びその電
磁弁シール構造は、次のように作用する。図１の状態か
らコイル１への通電が行われると、図２に示すように固
定鉄心２に生じる励磁力が可動鉄心４をスプリング３の
付勢力に抗して固定鉄心２側へ吸引する。そのため、通
電時には、弁棒１３が上昇した可動鉄心４から解放され
スプリング２２の付勢力によって上昇する。従って、弁
棒１３上端の第１ダイアフラム弁体１９が可動鉄心４の
押圧から解放されると、第１ダイアフラム弁体１９が第
１弁座１４から離間する一方、弁棒１３下端の第２ダイ
アフラム弁体２０がスプリング２２の付勢力によって第
２弁座１５へ当接される。そのため、入力ポート１６と
ノーマルオープンポート１８間の流路が遮断され、入力
ポート１６とノーマルクローズポート１７間の流路が連
通することとなる。
磁弁シール構造は、次のように作用する。図１の状態か
らコイル１への通電が行われると、図２に示すように固
定鉄心２に生じる励磁力が可動鉄心４をスプリング３の
付勢力に抗して固定鉄心２側へ吸引する。そのため、通
電時には、弁棒１３が上昇した可動鉄心４から解放され
スプリング２２の付勢力によって上昇する。従って、弁
棒１３上端の第１ダイアフラム弁体１９が可動鉄心４の
押圧から解放されると、第１ダイアフラム弁体１９が第
１弁座１４から離間する一方、弁棒１３下端の第２ダイ
アフラム弁体２０がスプリング２２の付勢力によって第
２弁座１５へ当接される。そのため、入力ポート１６と
ノーマルオープンポート１８間の流路が遮断され、入力
ポート１６とノーマルクローズポート１７間の流路が連
通することとなる。
【００１５】一方、コイル１への通電が遮断されると、
同軸上に配設された一連の可動鉄心４及び弁棒１３が、
上方に作用するスプリング２２の付勢力に反するスプリ
ング３によって下方へ付勢される。従って、非通電時に
は、可動鉄心４を介してスプリング３に付勢された第１
ダイアフラム弁体１９が第１弁座１４に当接する一方、
第２ダイアフラム弁体２０が第２弁座１５から離間す
る。そのため、入力ポート１６とノーマルクローズポー
ト１７間の流路が遮断され、入力ポート１６とノーマル
オープンポート１８間の流路が連通することとなる。
同軸上に配設された一連の可動鉄心４及び弁棒１３が、
上方に作用するスプリング２２の付勢力に反するスプリ
ング３によって下方へ付勢される。従って、非通電時に
は、可動鉄心４を介してスプリング３に付勢された第１
ダイアフラム弁体１９が第１弁座１４に当接する一方、
第２ダイアフラム弁体２０が第２弁座１５から離間す
る。そのため、入力ポート１６とノーマルクローズポー
ト１７間の流路が遮断され、入力ポート１６とノーマル
オープンポート１８間の流路が連通することとなる。
【００１６】このような弁の開閉が行われる電磁弁で
は、その電磁弁シール構造をなすバネ受け２３の球面と
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａの球面との中心
が軸心上で一致し、スプリング２２の付勢力がバネ受け
２３を介して第２ダイアフラム弁体２０へ加わる。従っ
て、第２ダイアフラム弁体２０は平衡状態を保った状態
で第２弁座１５へ当接することとなる。ここで、このよ
うな電磁弁シール構造をなす本実施の形態のものと、前
記従来のものとのシール性についての実験結果を表１に
示した。実験には、入力ポート１６から流入するエア圧
力を徐々に上昇させた場合に、洩れが生じた時点での圧
力値を調べた。そして、表１には、その最大値及び最小
値、更に平均値を示した。
は、その電磁弁シール構造をなすバネ受け２３の球面と
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａの球面との中心
が軸心上で一致し、スプリング２２の付勢力がバネ受け
２３を介して第２ダイアフラム弁体２０へ加わる。従っ
て、第２ダイアフラム弁体２０は平衡状態を保った状態
で第２弁座１５へ当接することとなる。ここで、このよ
うな電磁弁シール構造をなす本実施の形態のものと、前
記従来のものとのシール性についての実験結果を表１に
示した。実験には、入力ポート１６から流入するエア圧
力を徐々に上昇させた場合に、洩れが生じた時点での圧
力値を調べた。そして、表１には、その最大値及び最小
値、更に平均値を示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】従って、表１に示した実験結果から、洩れ
が生じたシール圧の平均値が１．７８ｋｇ／ｃｍ2 から
３．４ｋｇ／ｃｍ2 へと、そのシール性が約２倍に向上
し、バラツキも約３分の２以下となり、高いエア圧に対
応し得るシール性能が格段に向上したことがわかる。即
ち、本実施の形態の電磁弁シール構造は、第２ダイアフ
ラム弁体２０の凸部２０ａの端面に球面を軸心上を中心
に形成する一方、凹型形状をなすバネ受け２３の底面に
も球面を形成したので、互いの球面が軸心上で一致し、
スプリング２２の付勢力が第２ダイアフラム弁体２０に
対してずれることなく均等な状態で働くため、第２弁座
１５へ当接する際のシール性の向上が図られた。
が生じたシール圧の平均値が１．７８ｋｇ／ｃｍ2 から
３．４ｋｇ／ｃｍ2 へと、そのシール性が約２倍に向上
し、バラツキも約３分の２以下となり、高いエア圧に対
応し得るシール性能が格段に向上したことがわかる。即
ち、本実施の形態の電磁弁シール構造は、第２ダイアフ
ラム弁体２０の凸部２０ａの端面に球面を軸心上を中心
に形成する一方、凹型形状をなすバネ受け２３の底面に
も球面を形成したので、互いの球面が軸心上で一致し、
スプリング２２の付勢力が第２ダイアフラム弁体２０に
対してずれることなく均等な状態で働くため、第２弁座
１５へ当接する際のシール性の向上が図られた。
【００１９】次に、本発明にかかる電磁弁シール構造の
第２実施の形態について図面を参照して説明する。本実
施の形態の電磁弁シール構造は、前記第１実施の形態の
ものと同様の電磁弁に使用されるものであり、その第２
ダイアフラム弁体に係設されたものである。図３は、本
実施の形態の電磁弁シール構造を示した断面図である。
そこで、その構成は、弁棒３１の端部に固定されたダイ
アフラム弁体３２は、その中心部に円柱形状の凸部３２
ａが突出して形成され、更にその端面には円錐形状の位
置決突起３２ｂが延設されている。一方、スプリング３
３とダイアフラム弁体３２間に介在するバネ受け３４
は、凹型形状をなし、その端部にはスプリング３３に当
接する張り出し部が円周状に形成されたものであり、バ
ネ受け３４の底面にはダイアフラム弁体３２の位置決突
起３２ｂが貫通する位置決穴３４ａが形成されている。
第２実施の形態について図面を参照して説明する。本実
施の形態の電磁弁シール構造は、前記第１実施の形態の
ものと同様の電磁弁に使用されるものであり、その第２
ダイアフラム弁体に係設されたものである。図３は、本
実施の形態の電磁弁シール構造を示した断面図である。
そこで、その構成は、弁棒３１の端部に固定されたダイ
アフラム弁体３２は、その中心部に円柱形状の凸部３２
ａが突出して形成され、更にその端面には円錐形状の位
置決突起３２ｂが延設されている。一方、スプリング３
３とダイアフラム弁体３２間に介在するバネ受け３４
は、凹型形状をなし、その端部にはスプリング３３に当
接する張り出し部が円周状に形成されたものであり、バ
ネ受け３４の底面にはダイアフラム弁体３２の位置決突
起３２ｂが貫通する位置決穴３４ａが形成されている。
【００２０】このような構成からなる本実施の形態の電
磁弁シール構造は、弁棒３１の上方への制限が解除され
ると、スプリング３３の付勢力によってダイアフラム弁
体３２が不図示の弁座に当接する。その際、バネ受け３
４の位置決穴３４ａに位置決突起３２ｂが嵌合し、ダイ
アフラム弁体３２及びバネ受け３４の中心が軸心上で一
致する。従って、本実施の形態の電磁弁シール構造にお
いても、スプリング３３の付勢力がダイアフラム弁体３
２に対してずれることなく均等な状態で働くため、不図
示の弁座へ当接する際のシール性の向上が図られた。特
に、ダイアフラム弁体３２の位置決突起３２ｂが常にバ
ネ受け３４の位置決穴３４ａ内を貫通し、横方向へのず
れを防止しているため、更にシール性は増した。
磁弁シール構造は、弁棒３１の上方への制限が解除され
ると、スプリング３３の付勢力によってダイアフラム弁
体３２が不図示の弁座に当接する。その際、バネ受け３
４の位置決穴３４ａに位置決突起３２ｂが嵌合し、ダイ
アフラム弁体３２及びバネ受け３４の中心が軸心上で一
致する。従って、本実施の形態の電磁弁シール構造にお
いても、スプリング３３の付勢力がダイアフラム弁体３
２に対してずれることなく均等な状態で働くため、不図
示の弁座へ当接する際のシール性の向上が図られた。特
に、ダイアフラム弁体３２の位置決突起３２ｂが常にバ
ネ受け３４の位置決穴３４ａ内を貫通し、横方向へのず
れを防止しているため、更にシール性は増した。
【００２１】次に、本発明にかかる電磁弁シール構造の
第３実施の形態について図面を参照して説明する。本実
施の形態の電磁弁シール構造も、前記第１実施の形態の
ものと同様の電磁弁に使用されるものであり、その第２
ダイアフラム弁体に係設されたものである。図４は、本
実施の形態の電磁弁シール構造を示した断面図である。
そこで、その構成は、弁棒４１の端部に固定されたダイ
アフラム弁体４２は、その中心部に円柱形状の凸部４２
ａが突出して形成され、更にその端面には円筒形状の位
置決穴４２ｂが形成されている。一方、スプリング４３
とダイアフラム弁体４２間に介在するバネ受け４４は凹
型形状をなし、その端部にはスプリング４３に当接する
張り出し部が円周状に形成されたものであり、更にその
底面にはダイアフラム弁体４２の凹部４２ｂに嵌入する
円錐形状の位置決突起４４ａが形成されている。
第３実施の形態について図面を参照して説明する。本実
施の形態の電磁弁シール構造も、前記第１実施の形態の
ものと同様の電磁弁に使用されるものであり、その第２
ダイアフラム弁体に係設されたものである。図４は、本
実施の形態の電磁弁シール構造を示した断面図である。
そこで、その構成は、弁棒４１の端部に固定されたダイ
アフラム弁体４２は、その中心部に円柱形状の凸部４２
ａが突出して形成され、更にその端面には円筒形状の位
置決穴４２ｂが形成されている。一方、スプリング４３
とダイアフラム弁体４２間に介在するバネ受け４４は凹
型形状をなし、その端部にはスプリング４３に当接する
張り出し部が円周状に形成されたものであり、更にその
底面にはダイアフラム弁体４２の凹部４２ｂに嵌入する
円錐形状の位置決突起４４ａが形成されている。
【００２２】このような構成からなる本実施の形態の電
磁弁シール構造は、弁棒４１の上方への制限が解除され
ると、スプリング４３の付勢力によってダイアフラム弁
体４２が不図示の弁座に当接する。その際、ダイアフラ
ム弁体４２の位置決穴４２ｂにバネ受け４４の位置決突
起４４ｂが嵌入し、ダイアフラム弁体４２及びバネ受け
４４の中心が軸心上で一致する。従って、本実施の形態
の電磁弁シール構造においても、スプリング４３の付勢
力がダイアフラム弁体４２に対してずれることなく均等
な状態で働くため、不図示の弁座へ当接する際のシール
性の向上が図られた。特に、バネ受け４４の位置決突起
４２ｂが常にダイアフラム弁体４２の位置決穴４２ｂ内
に嵌入し、横方向へのずれを防止しているため、更にシ
ール性は増した。
磁弁シール構造は、弁棒４１の上方への制限が解除され
ると、スプリング４３の付勢力によってダイアフラム弁
体４２が不図示の弁座に当接する。その際、ダイアフラ
ム弁体４２の位置決穴４２ｂにバネ受け４４の位置決突
起４４ｂが嵌入し、ダイアフラム弁体４２及びバネ受け
４４の中心が軸心上で一致する。従って、本実施の形態
の電磁弁シール構造においても、スプリング４３の付勢
力がダイアフラム弁体４２に対してずれることなく均等
な状態で働くため、不図示の弁座へ当接する際のシール
性の向上が図られた。特に、バネ受け４４の位置決突起
４２ｂが常にダイアフラム弁体４２の位置決穴４２ｂ内
に嵌入し、横方向へのずれを防止しているため、更にシ
ール性は増した。
【００２３】なお、本発明は、前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な
変更が可能である。例えば、前記第１実施の形態では、
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａに球面を形成し
た場合を示したが、図５に示すようにフッ素樹脂からな
るダイアフラム弁体２５に対して、金属又は高度の硬い
樹脂からなるカバー２６を取り付け、そのカバー２６に
バネ受け２７との当接面に球面を形成するようにしても
よい。
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な
変更が可能である。例えば、前記第１実施の形態では、
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａに球面を形成し
た場合を示したが、図５に示すようにフッ素樹脂からな
るダイアフラム弁体２５に対して、金属又は高度の硬い
樹脂からなるカバー２６を取り付け、そのカバー２６に
バネ受け２７との当接面に球面を形成するようにしても
よい。
【００２４】また、例えば、前記第１実施の形態では、
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａ及びバネ受け２
３の底面の両方に球面を形成した場合を示したが、第１
ダイアフラム弁体１９と可動鉄心４との関係のように、
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａにのみ球面を形
成し、バネ受け２３の底面は平面とするようにしても良
く、またその逆の関係でも良い。これによれば、平面に
対して軸心上に位置する球面の頂点が当接し、平面の仕
上げの悪さや不安定なバネ受けにかかわらず、第２ダイ
アフラム弁体には常に頂点に付勢力が加わるためダイア
フラム弁体の安定性、即ちシール性の向上が図られる。
また、例えば、前記実施の形態では、３ポート電磁弁に
使用した電磁弁シール構造について説明したが、スプリ
ングの付勢力をバネ受けが受けてダイアフラム弁体を付
勢する構造のものであれば使用できる。
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａ及びバネ受け２
３の底面の両方に球面を形成した場合を示したが、第１
ダイアフラム弁体１９と可動鉄心４との関係のように、
第２ダイアフラム弁体２０の凸部２０ａにのみ球面を形
成し、バネ受け２３の底面は平面とするようにしても良
く、またその逆の関係でも良い。これによれば、平面に
対して軸心上に位置する球面の頂点が当接し、平面の仕
上げの悪さや不安定なバネ受けにかかわらず、第２ダイ
アフラム弁体には常に頂点に付勢力が加わるためダイア
フラム弁体の安定性、即ちシール性の向上が図られる。
また、例えば、前記実施の形態では、３ポート電磁弁に
使用した電磁弁シール構造について説明したが、スプリ
ングの付勢力をバネ受けが受けてダイアフラム弁体を付
勢する構造のものであれば使用できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、ダイアフラム弁体のバネ受け
側に取り付け可能な当接カバーに、可動鉄心やダイアフ
ラム弁体等との共通の軸心上に中心を有し当該軸心上で
前記バネ受けの平面と当接する球面を形成したことによ
り、シール性の向上を図った電磁弁シール構造を提供す
ることが可能となった。 また、本発明は、ダイアフラム
弁体には、その中心部に突設しバネ受け側に開口した筒
形状の位置決穴を形成し、バネ受けには、凹型形状をな
した底面に位置決穴に嵌入するテーパを有する位置決突
起を形成したことにより、更にシール性の向上を図った
電磁弁シール構造を提供することが可能となった。
側に取り付け可能な当接カバーに、可動鉄心やダイアフ
ラム弁体等との共通の軸心上に中心を有し当該軸心上で
前記バネ受けの平面と当接する球面を形成したことによ
り、シール性の向上を図った電磁弁シール構造を提供す
ることが可能となった。 また、本発明は、ダイアフラム
弁体には、その中心部に突設しバネ受け側に開口した筒
形状の位置決穴を形成し、バネ受けには、凹型形状をな
した底面に位置決穴に嵌入するテーパを有する位置決突
起を形成したことにより、更にシール性の向上を図った
電磁弁シール構造を提供することが可能となった。
【図１】本発明にかかる電磁弁シール構造の第１実施の
形態を有する電磁弁を示した非通電時の断面図である。
形態を有する電磁弁を示した非通電時の断面図である。
【図２】本発明にかかる電磁弁シール構造の第１実施の
形態を有する電磁弁を示した通電時の断面図である。
形態を有する電磁弁を示した通電時の断面図である。
【図３】本発明にかかる電磁弁シール構造の第２実施の
形態を示した断面図である。
形態を示した断面図である。
【図４】本発明にかかる電磁弁シール構造の第３実施の
形態を示した断面図である。
形態を示した断面図である。
【図５】本発明にかかる電磁弁シール構造の一実施の形
態を示した断面図である。
態を示した断面図である。
【図６】従来の電磁弁シール構造を有する電磁弁を示し
た通電時の断面図である。
た通電時の断面図である。
１ コイル ２ 固定鉄心 ４ 可動鉄心 １２ 貫通孔 １３ 弁棒 １５ 第２弁座 １６ 入力ポート １７ ノーマルクローズポート １８ ノーマルオープンポート ２０ 第２ダイアフラム弁体 ２０ａ 凸部 ２２ スプリング ２３ バネ受け
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−105565（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−133296（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−30675（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F16K 31/06 F16K 7/16
Claims (2)
- 【請求項１】 ソレノイドへの通電によって移動する可
動鉄心の動きに連動するダイアフラム弁体と、前記ダイ
アフラム弁体に対して形成された弁座と、前記弁座に対
して前記ダイアフラム弁体を付勢するバネ部材と、前記
ダイアフラム弁体と前記バネ部材との間に介在するバネ
受けとを有し、前記バネ部材の付勢力を受けた前記バネ
受けを介して前記ダイアフラム弁体を前記弁座に当接さ
せる電磁弁シール構造において、 前記ダイアフラム弁体の前記バネ受けに当接する当接側
に取り付け可能な当接カバーが、前記可動鉄心やダイア
フラム弁体等の共通の軸心上に中心を有し当該軸心上で
前記バネ受けの平面と当接する球面が形成されたもので
あることを特徴とする電磁弁シール構造。 - 【請求項２】 ソレノイドへの通電によって移動する可
動鉄心の動きに連動するダイアフラム弁体と、前記ダイ
アフラム弁体に対して形成された弁座と、前記弁座に対
して前記ダイアフラム弁体を付勢するバネ部材と、前記
ダイアフラム弁体と前記バネ部材との間に介在するバネ
受けとを有し、前記バネ部材の付勢力を受けた前記バネ
受けを介して前記ダイアフラム弁体を前記弁座に当接さ
せる電磁弁シール構造において、 前記ダイアフラム弁体には、その中心部に突設し前記バ
ネ受け側に開口した筒形状の位置決穴が形成され、 前記バネ受けには、その中心部に前記位置決穴に嵌入す
るテーパを有する位置決突起が 形成されものであること
を特徴とする電磁弁シール構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8270537A JP3056093B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 電磁弁シール構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8270537A JP3056093B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 電磁弁シール構造 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11319694A Division JP2000104838A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 電磁弁シ―ル構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10122414A JPH10122414A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3056093B2 true JP3056093B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=17487590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8270537A Expired - Lifetime JP3056093B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 電磁弁シール構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3056093B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11056995B2 (en) | 2017-10-27 | 2021-07-06 | System Homes Company, Ltd. | Synchronous motor drive system and synchronous motor drive method |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69938615T2 (de) * | 1999-02-09 | 2009-06-10 | Hitachi, Ltd. | Hochdruckbrennstoffpumpe für eine Brennkraftmaschine |
| JP2001289350A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Rinnai Corp | 電磁弁 |
| CN100425895C (zh) * | 2003-06-20 | 2008-10-15 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 微型双隔膜电磁阀 |
| CN102939489B (zh) * | 2010-04-05 | 2014-10-08 | 诺格伦·克洛恩公司 | 双隔膜阀 |
| JP5924652B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2016-05-25 | 株式会社鷺宮製作所 | 電磁式制御弁 |
| CN108449694B (zh) * | 2018-03-27 | 2024-03-08 | 南京声动健康科技有限公司 | 一种振膜及受话器 |
| JP2020159512A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | いすゞ自動車株式会社 | バルブユニット |
| CN111623132A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-09-04 | 安徽唐道电子科技有限公司 | 一种气密性好的隔膜阀 |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP8270537A patent/JP3056093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11056995B2 (en) | 2017-10-27 | 2021-07-06 | System Homes Company, Ltd. | Synchronous motor drive system and synchronous motor drive method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10122414A (ja) | 1998-05-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
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