JPH10298739A - ビスマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法 - Google Patents
ビスマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法Info
- Publication number
- JPH10298739A JPH10298739A JP12326897A JP12326897A JPH10298739A JP H10298739 A JPH10298739 A JP H10298739A JP 12326897 A JP12326897 A JP 12326897A JP 12326897 A JP12326897 A JP 12326897A JP H10298739 A JPH10298739 A JP H10298739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- bismuth
- film
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 ビスマスおよびチタニウム金属単体を基
盤上に電子ビーム蒸着する工程と、この基盤を酸素雰囲
気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層状構
造強誘電体薄膜を作成するビスマス層状構造強誘電体薄
膜の作成方法である。 【課題】 不純物の混入を防ぐことができるるとともに
組成制御のしやすいビスマス層状構造強誘電体薄膜を作
成する方法を提供することである。
盤上に電子ビーム蒸着する工程と、この基盤を酸素雰囲
気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層状構
造強誘電体薄膜を作成するビスマス層状構造強誘電体薄
膜の作成方法である。 【課題】 不純物の混入を防ぐことができるるとともに
組成制御のしやすいビスマス層状構造強誘電体薄膜を作
成する方法を提供することである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度不揮発性メ
モリデバイスへの応用が期待されているビスマス層状構
造強誘電体薄膜の作成方法に関するものである。
モリデバイスへの応用が期待されているビスマス層状構
造強誘電体薄膜の作成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】（Ba,Sr)Ti3, Pb(Zr,Ti)O3, Bi4Ti3O12,
BiSr2Ta2O9などの酸化物強誘電体は、高密度ＤＲＡＭや
不揮発性メモリーへの応用が期待され、その薄膜作成技
術の開発研究が盛んに行われている。その薄膜作成方法
としては、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＤ
法、ＭＢＥ法などがあり、それぞれの方法で高品質な薄
膜作成、量産化などの研究が行われている。
BiSr2Ta2O9などの酸化物強誘電体は、高密度ＤＲＡＭや
不揮発性メモリーへの応用が期待され、その薄膜作成技
術の開発研究が盛んに行われている。その薄膜作成方法
としては、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＤ
法、ＭＢＥ法などがあり、それぞれの方法で高品質な薄
膜作成、量産化などの研究が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Bi4Ti3O12 薄膜作成に
おいて、ＭＯＣＶＤ法のように有機金属塩を原料とする
場合は、残留炭素などの不純物の問題がある。また、ス
パッタリング法ではターゲットセラミックスの組成調整
が難しい。その結果、単相のBi4Ti3O12 薄膜を得ること
が極めて難しく、性能の向上を妨げている。
おいて、ＭＯＣＶＤ法のように有機金属塩を原料とする
場合は、残留炭素などの不純物の問題がある。また、ス
パッタリング法ではターゲットセラミックスの組成調整
が難しい。その結果、単相のBi4Ti3O12 薄膜を得ること
が極めて難しく、性能の向上を妨げている。
【０００４】この発明の課題はかかる不都合を解消する
ことである。
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、この発明に係るビスマス層状構造強誘電体薄膜の作
成方法においては、ビスマスおよびチタニウム金属単体
を基盤上に電子ピーム蒸着する工程と、この基盤を酸素
雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層
状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたため、即ち、
構成金属単体を蒸着することから、不純物の混入を防ぐ
ことができる。組成制御は金属それぞれの蒸着量をコン
トロールするだけであり取扱いが簡便である。基板に蒸
着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処理を行うこと
で容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を形成すること
ができる。ビスマス層状構造強誘電体薄膜の一例として
は、Bi4Ti3O12 薄膜である。
に、この発明に係るビスマス層状構造強誘電体薄膜の作
成方法においては、ビスマスおよびチタニウム金属単体
を基盤上に電子ピーム蒸着する工程と、この基盤を酸素
雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層
状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたため、即ち、
構成金属単体を蒸着することから、不純物の混入を防ぐ
ことができる。組成制御は金属それぞれの蒸着量をコン
トロールするだけであり取扱いが簡便である。基板に蒸
着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処理を行うこと
で容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を形成すること
ができる。ビスマス層状構造強誘電体薄膜の一例として
は、Bi4Ti3O12 薄膜である。
【０００６】また、ビスマスコーティング溶液を基板上
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は電子ビーム加熱蒸発方式の
図解一覧図、図２はPt/SiO2/Si基板上に、電子ビーム加
熱蒸発および７００°Ｃ３０分間の連続的熱処理によっ
て形成されたBi4Ti3O12 薄膜のＸ線回折グラフ、図３は
Pt/SiO2/Si基板上に電子ビーム加熱蒸発および７００°
Ｃ３０分間の連続的熱処理によって形成されたBi4Ti3O
12 のＤ−Ｅ履歴曲線のグラフ、図４は Bi4Ti3O12 の
薄膜の製造工程を示した図、図５は700 °Ｃで加熱処理
することによって白金基板上に形成されたＢＩＴ薄膜の
Ｘ線回折グラフ、図６はSiO2(a) およびPt(b) 基板上に
おけるＢＩＴ薄膜のＡＦＭ像、図７は７００°Ｃで加熱
処理することによって白金基板上に形成されたＢＩＴ薄
膜（1 μm 厚さ) のＸ線回折グラフである。
図解一覧図、図２はPt/SiO2/Si基板上に、電子ビーム加
熱蒸発および７００°Ｃ３０分間の連続的熱処理によっ
て形成されたBi4Ti3O12 薄膜のＸ線回折グラフ、図３は
Pt/SiO2/Si基板上に電子ビーム加熱蒸発および７００°
Ｃ３０分間の連続的熱処理によって形成されたBi4Ti3O
12 のＤ−Ｅ履歴曲線のグラフ、図４は Bi4Ti3O12 の
薄膜の製造工程を示した図、図５は700 °Ｃで加熱処理
することによって白金基板上に形成されたＢＩＴ薄膜の
Ｘ線回折グラフ、図６はSiO2(a) およびPt(b) 基板上に
おけるＢＩＴ薄膜のＡＦＭ像、図７は７００°Ｃで加熱
処理することによって白金基板上に形成されたＢＩＴ薄
膜（1 μm 厚さ) のＸ線回折グラフである。
【０００７】本発明（請求項１及び請求項２）は、図１
に示すような電子ビーム蒸着装置を用い、高真空状態で
単体の金属粉末を基板に蒸着する。
に示すような電子ビーム蒸着装置を用い、高真空状態で
単体の金属粉末を基板に蒸着する。
【０００８】蒸着量は、ビスマスとチタニウムの比が
４：３になるように、蒸着膜厚モニターを用いて見積も
る。
４：３になるように、蒸着膜厚モニターを用いて見積も
る。
【０００９】この金属蒸着量膜を、空気中あるいは酸素
ガス雰囲気中で熱処理することにより酸化し、所望の酸
化物薄膜を形成する。
ガス雰囲気中で熱処理することにより酸化し、所望の酸
化物薄膜を形成する。
【００１０】〔実施例〕金属原料として 99.99％のBi粉
末と 99.98％のTi粉末を用いた。基盤として白金をスパ
ッタしたシリコンウエハー（Pt/SiO2)を用いた。
末と 99.98％のTi粉末を用いた。基盤として白金をスパ
ッタしたシリコンウエハー（Pt/SiO2)を用いた。
【００１１】図１の装置内に金属原料と基板をセット
し、10-8Torrの高真空状態に保持した。金属の蒸着速度
は前もって測定し、BiとTiの比が４：３になるように、
ビスマスの堆積速度を0.27nm/s、チタニウムの堆積速度
を0.10nm/sにそれぞれセットした。蒸着時間は 1200sで
ある。基板は毎分５回転させ、蒸着は室温で行った。蒸
着終了後、空気中で７００°Ｃ，３０min の熱処理を行
った。得られた薄膜の厚さは470nm であった。
し、10-8Torrの高真空状態に保持した。金属の蒸着速度
は前もって測定し、BiとTiの比が４：３になるように、
ビスマスの堆積速度を0.27nm/s、チタニウムの堆積速度
を0.10nm/sにそれぞれセットした。蒸着時間は 1200sで
ある。基板は毎分５回転させ、蒸着は室温で行った。蒸
着終了後、空気中で７００°Ｃ，３０min の熱処理を行
った。得られた薄膜の厚さは470nm であった。
【００１２】図２に得られた薄膜のＸ線回折パターンを
示した。図から明らかなように、ｃ軸に優先配向した単
相のBi4Ti3O12 薄膜が形成されていることが解る。
示した。図から明らかなように、ｃ軸に優先配向した単
相のBi4Ti3O12 薄膜が形成されていることが解る。
【００１３】図３に、この薄膜の強誘電ヒステリシスル
ープを示した。典型的な強誘電履歴曲線が得られてい
る。見積もられた残留分極は13.7μC/cm2 であり、抗電
場は 96.4 kV/cm であった。また、室温での誘電率は3
9.9であった。
ープを示した。典型的な強誘電履歴曲線が得られてい
る。見積もられた残留分極は13.7μC/cm2 であり、抗電
場は 96.4 kV/cm であった。また、室温での誘電率は3
9.9であった。
【００１４】また、本発明（請求項３）は、図４に示す
ようなゾルゲル法によって、基板に薄膜を形成するため
のものである。
ようなゾルゲル法によって、基板に薄膜を形成するため
のものである。
【００１５】原料には硝酸ビスマス５水和物（Bi(NO3)3
・5H2O) とチタンテトラブトキシド(Ti(OCH2CH2CH2CH3)
4)を用いた。触媒には、アセチルアセトン（又は 2,4ペ
ンタンジオン）（CH3COCH2COCH3)とエチレングリコール
（CH2(OH) CH2OH)を使用した。基板には、SiO2/Si(100)
ウエハー、ＩＴＯをスパッタコートしたシリカガラス、
白金板を使用した。
・5H2O) とチタンテトラブトキシド(Ti(OCH2CH2CH2CH3)
4)を用いた。触媒には、アセチルアセトン（又は 2,4ペ
ンタンジオン）（CH3COCH2COCH3)とエチレングリコール
（CH2(OH) CH2OH)を使用した。基板には、SiO2/Si(100)
ウエハー、ＩＴＯをスパッタコートしたシリカガラス、
白金板を使用した。
【００１６】〔実施例〕所定量秤量した硝酸ビスマス５
水和物をアセチルアセトンに溶解し、エチレングリコー
ルを加えて、 120°Ｃで２時間加熱攪拌を行った。その
後、これを室温まで冷却し、チタンテトラブトキシドを
加えてコーティング溶液とした。
水和物をアセチルアセトンに溶解し、エチレングリコー
ルを加えて、 120°Ｃで２時間加熱攪拌を行った。その
後、これを室温まで冷却し、チタンテトラブトキシドを
加えてコーティング溶液とした。
【００１７】薄膜のコーティングは、マニュアルピンナ
ー（（株）エイブル社製ASC-3000型）を用いて、スピン
コーティング法により行った。基板を試料台に固定後、
コーティング溶液を基板上に数滴滴下し、1500rpm で５
秒、4000rpm で15秒のスピンを行い塗布膜を形成した。
これを、各熱処理温度で熱処理することにより、酸化物
薄膜を形成した。膜厚を変化させる場合、コーティング
−熱処理のプロセスを繰り返す多層コーティングを行っ
た。
ー（（株）エイブル社製ASC-3000型）を用いて、スピン
コーティング法により行った。基板を試料台に固定後、
コーティング溶液を基板上に数滴滴下し、1500rpm で５
秒、4000rpm で15秒のスピンを行い塗布膜を形成した。
これを、各熱処理温度で熱処理することにより、酸化物
薄膜を形成した。膜厚を変化させる場合、コーティング
−熱処理のプロセスを繰り返す多層コーティングを行っ
た。
【００１８】図５に白金板上に７００°Ｃの熱処理で作
成したＢＩＴ（チタン酸ビスマス）薄膜のＸ線回折図を
示す。図のように、白金基板上で作成した薄膜では、不
純物ピークのないＢＩＴ単一相であり、ほぼｃ面のピー
クのみが観察された。この膜は、ｃ軸に配向した結晶粒
によって形成されていると考えられる。
成したＢＩＴ（チタン酸ビスマス）薄膜のＸ線回折図を
示す。図のように、白金基板上で作成した薄膜では、不
純物ピークのないＢＩＴ単一相であり、ほぼｃ面のピー
クのみが観察された。この膜は、ｃ軸に配向した結晶粒
によって形成されていると考えられる。
【００１９】図６に、 SiO2/Si, 白金それぞれの基板上
に作成した薄膜表面のＡＦＭ観察結果を示す。SiO2/Si
上に作成した薄膜においては、一回のコーティングの膜
では基板上から微細な球状の粒子が発生し、10回コーテ
ィングの膜では 0.1μｍ程度の粒子によって形成されて
いることが分かった。白金上の薄膜では、一回のコーテ
ィングの膜で基板上に 0.1μｍ程度の板状の結晶が発生
し、10回コーティングの膜ではそれが 1.0μｍ以上に成
長した結晶によって形成されていることが分かった。こ
のような板状結晶の成長は、ホット・フォージ法で高配
向化させた焼結体の状態と類似している。このように基
板によって結晶粒の成長状態が大きく異なるため、基板
に対する配向性・結晶性が変化したものと考えられる。
に作成した薄膜表面のＡＦＭ観察結果を示す。SiO2/Si
上に作成した薄膜においては、一回のコーティングの膜
では基板上から微細な球状の粒子が発生し、10回コーテ
ィングの膜では 0.1μｍ程度の粒子によって形成されて
いることが分かった。白金上の薄膜では、一回のコーテ
ィングの膜で基板上に 0.1μｍ程度の板状の結晶が発生
し、10回コーティングの膜ではそれが 1.0μｍ以上に成
長した結晶によって形成されていることが分かった。こ
のような板状結晶の成長は、ホット・フォージ法で高配
向化させた焼結体の状態と類似している。このように基
板によって結晶粒の成長状態が大きく異なるため、基板
に対する配向性・結晶性が変化したものと考えられる。
【００２０】しかし、図６(b) のように白金上において
も一回コーティングの場合は基板に平行に板状の結晶が
成長していたが、コーティングを重ねるに従って上に重
なった層に対して基板の影響が小さくなり、10回コーテ
ィングの膜では様々な方向を向いた板状結晶が成長して
いる。図７に10回コーティングを行って作成した膜の、
ｃ軸配向性が高い膜と低い膜のＸ線回折図を示す。多数
コーティングを行い膜厚が厚くなったため、基板の状態
や熱処理によって配向性を維持した成長ができなくな
り、配向性に違いが生じたと考えられる。
も一回コーティングの場合は基板に平行に板状の結晶が
成長していたが、コーティングを重ねるに従って上に重
なった層に対して基板の影響が小さくなり、10回コーテ
ィングの膜では様々な方向を向いた板状結晶が成長して
いる。図７に10回コーティングを行って作成した膜の、
ｃ軸配向性が高い膜と低い膜のＸ線回折図を示す。多数
コーティングを行い膜厚が厚くなったため、基板の状態
や熱処理によって配向性を維持した成長ができなくな
り、配向性に違いが生じたと考えられる。
【００２１】表１に、単結晶と膜厚２μｍの薄膜の誘電
率、残留分極値（Ｐｒ）（単結晶では自発分極（Ｐｓ）
の値）および抗電界（Ｅｃ）を値を示す。単結晶の自発
分極はｂ−ｃ面内のｂ軸から 4.5°の角度を向いている
ため、ｃ軸方向のＰｓ，Ｅｃの値はｂ軸方向より小さ
い。よって、薄膜の場合もｃ軸配向性が高い方が、Ｐ
ｒ，Ｅｃが小さい値を示したと考えられる。また、ＭＯ
ＣＶＤ法により作成された配向性の低い薄膜において
も、Ｐｒ＝ 3.3〜4.0 μＣ／ｃｍ2 ，Ｅｃ＝84〜135ｋ
Ｖ／cmという値が報告されており、配向性が低いほど抗
電界が大きくなる今回の傾向を類似していた。
率、残留分極値（Ｐｒ）（単結晶では自発分極（Ｐｓ）
の値）および抗電界（Ｅｃ）を値を示す。単結晶の自発
分極はｂ−ｃ面内のｂ軸から 4.5°の角度を向いている
ため、ｃ軸方向のＰｓ，Ｅｃの値はｂ軸方向より小さ
い。よって、薄膜の場合もｃ軸配向性が高い方が、Ｐ
ｒ，Ｅｃが小さい値を示したと考えられる。また、ＭＯ
ＣＶＤ法により作成された配向性の低い薄膜において
も、Ｐｒ＝ 3.3〜4.0 μＣ／ｃｍ2 ，Ｅｃ＝84〜135ｋ
Ｖ／cmという値が報告されており、配向性が低いほど抗
電界が大きくなる今回の傾向を類似していた。
【００２２】ｃ軸配向性が低い膜では、Ｐｒ，Ｅｃどち
らの値も単結晶ＢＩＴのｃ軸方向のＰｒ，Ｅｃより大き
い。これは膜がｃ軸方向ではなく他の方向に、あるいは
ランダムに配向していたためと考えられる。ｃ軸に配向
していた薄膜もＰｒは単結晶より小さく、Ｅｃはかなり
大きいものであった。粒界の存在や、膜厚の増加に伴う
配向性の低下が原因と考えられる。配向性の向上は抗電
界の低下につながることから、高配向性の薄膜の作成は
低電圧による分極反転を可能とし、メモリー材料への応
用の可能性も考えられる。
らの値も単結晶ＢＩＴのｃ軸方向のＰｒ，Ｅｃより大き
い。これは膜がｃ軸方向ではなく他の方向に、あるいは
ランダムに配向していたためと考えられる。ｃ軸に配向
していた薄膜もＰｒは単結晶より小さく、Ｅｃはかなり
大きいものであった。粒界の存在や、膜厚の増加に伴う
配向性の低下が原因と考えられる。配向性の向上は抗電
界の低下につながることから、高配向性の薄膜の作成は
低電圧による分極反転を可能とし、メモリー材料への応
用の可能性も考えられる。
【００２３】 a)10KHz,25°C にて。 b)50Hz, 25°C, 150kV/cm にて。 c)A.Fuscova and L.E.Cross, J.Appl.Phy.,41,2834-2838(1970) d)S.ECummins and L.E.Cross, J.Appl.Phy.,39,2268-2274(1968)
【００２３】
【発明の効果】この発明に係るビスマス層状構造強誘電
体薄膜の作成方法においては、ビスマスおよびチタニウ
ム金属単体を基盤上に電子ピーム蒸着する工程と、この
基盤を酸素雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、
ビスマス層状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたた
め、即ち、構成金属単体を蒸着することから、不純物の
混入を防ぐことができる。組成制御は金属それぞれの蒸
着量をコントロールするだけであり取扱いが簡便であ
る。基板に蒸着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処
理を行うことで容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を
形成することができる。
体薄膜の作成方法においては、ビスマスおよびチタニウ
ム金属単体を基盤上に電子ピーム蒸着する工程と、この
基盤を酸素雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、
ビスマス層状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたた
め、即ち、構成金属単体を蒸着することから、不純物の
混入を防ぐことができる。組成制御は金属それぞれの蒸
着量をコントロールするだけであり取扱いが簡便であ
る。基板に蒸着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処
理を行うことで容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を
形成することができる。
【００２４】また、ビスマスコーティング溶液を基板上
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
【図１】電子ビーム加熱蒸発方式の図解一覧図である。
【図２】Pt/SiO2/Si基板上に、電子ビーム加熱蒸発およ
び７００°Ｃ，３０分間の連続的熱処理によって形成さ
れたBi4Ti3O12 薄膜のＸ線回折グラフである。
び７００°Ｃ，３０分間の連続的熱処理によって形成さ
れたBi4Ti3O12 薄膜のＸ線回折グラフである。
【図３】Pt/SiO2/Si基板上に電子ビーム加熱蒸発および
７００°Ｃ，３０分間の連続的熱処理によって形成され
たBi4Ti3O12 のＤ−Ｅ履歴曲線のグラフである。
７００°Ｃ，３０分間の連続的熱処理によって形成され
たBi4Ti3O12 のＤ−Ｅ履歴曲線のグラフである。
【図４】Bi4Ti3O12 の薄膜の製造工程を示した図であ
る。
る。
【図５】７００°Ｃで加熱処理することによって白金基
板上に形成されたＢＩＴ薄膜のＸ線回折グラフである。
板上に形成されたＢＩＴ薄膜のＸ線回折グラフである。
【図６】SiO2(a) およびPt(b) 基板上におけるBIT 膜の
ＡＦＭ像である。
ＡＦＭ像である。
【図７】７００°Ｃで加熱処理することによって白金基
板上に形成されたＢＩＴ薄膜（１μm 厚さ) のＸ線回折
グラフである。
板上に形成されたＢＩＴ薄膜（１μm 厚さ) のＸ線回折
グラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年８月６日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ビスマス層状構造強誘電体薄膜の
作成方法
作成方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度不揮発性メ
モリデバイスへの応用が期待されているビスマス層状構
造強誘電体薄膜の作成方法に関するものである。
モリデバイスへの応用が期待されているビスマス層状構
造強誘電体薄膜の作成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，ＢｉＳｒ２Ｔａ２Ｏ
９などの酸化物強誘電体は、高密度ＤＲＡＭや不揮発性
メモリーへの応用が期待され、その薄膜作成技術の開発
研究が盛んに行われている。その薄膜作成方法として
は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＤ法、ＭＢ
Ｅ法などがあり、それぞれの方法で高品質な薄膜作成、
量産化などの研究が行われている。
Ｔｉ）Ｏ３，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，ＢｉＳｒ２Ｔａ２Ｏ
９などの酸化物強誘電体は、高密度ＤＲＡＭや不揮発性
メモリーへの応用が期待され、その薄膜作成技術の開発
研究が盛んに行われている。その薄膜作成方法として
は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＤ法、ＭＢ
Ｅ法などがあり、それぞれの方法で高品質な薄膜作成、
量産化などの研究が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄
膜作成において、ＭＯＣＶＤ法のように有機金属塩を原
料とする場合は、残留炭素などの不純物の問題がある。
また、スパッタリング法ではターゲットセラミックスの
組成調整が難しい。その結果、単相のＢｉ４Ｔｉ３Ｏ
１２薄膜を得ることが極めて難しく、性能の向上を妨げ
ている。
膜作成において、ＭＯＣＶＤ法のように有機金属塩を原
料とする場合は、残留炭素などの不純物の問題がある。
また、スパッタリング法ではターゲットセラミックスの
組成調整が難しい。その結果、単相のＢｉ４Ｔｉ３Ｏ
１２薄膜を得ることが極めて難しく、性能の向上を妨げ
ている。
【０００４】この発明の課題はかかる不都合を解消する
ことである。
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に、この発明に係るビスマス層状構造強誘電体薄膜の作
成方法においては、ビスマスおよびチタニウム金属単体
を基盤上に電子ビーム蒸着する工程と、この基盤を酸素
雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層
状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたため、即ち、
構成金属単体を蒸着することから、不純物の混入を防ぐ
ことができる。組成制御は金属それぞれの蒸着量をコン
トロールするだけであり取扱いが簡便である。基板に蒸
着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処理を行うこと
で容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を形成すること
ができる。ビスマス層状構造強誘電体薄膜の一例として
は、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜である。
に、この発明に係るビスマス層状構造強誘電体薄膜の作
成方法においては、ビスマスおよびチタニウム金属単体
を基盤上に電子ビーム蒸着する工程と、この基盤を酸素
雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層
状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたため、即ち、
構成金属単体を蒸着することから、不純物の混入を防ぐ
ことができる。組成制御は金属それぞれの蒸着量をコン
トロールするだけであり取扱いが簡便である。基板に蒸
着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処理を行うこと
で容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を形成すること
ができる。ビスマス層状構造強誘電体薄膜の一例として
は、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜である。
【０００６】また、ビスマスコーティング溶液を基板上
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は電子ビーム加熱蒸発方式の
図解一覧図、図２はＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に、電
子ビーム加熱蒸発および７００゜Ｃ３０分間の連続的熱
処理によって形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜のＸ線
回折グラフ、図３はＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に電子
ビーム加熱蒸発および７００゜Ｃ３０分間の連続的熱処
理によって形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２のＤ−Ｅ履歴
曲線のグラフ、図４は Ｂｉ４Ｔｉ ３Ｏ１２の薄膜の製
造工程を示した図、図５は７００゜Ｃで加熱処理するこ
とによって白金基板上に形成されたＢＩＴ薄膜のＸ線回
折グラフ、図６はＳｉＯ２（ａ）およびｐｔ（ｂ）基板
上におけるＢＩＴ薄膜のＡＦＭ像、図７は７００°Ｃで
加熱処理することによって白金基板上に形成されたＢＩ
Ｔ薄膜（１μｍ厚さ）のＸ線回折グラフである。
図解一覧図、図２はＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に、電
子ビーム加熱蒸発および７００゜Ｃ３０分間の連続的熱
処理によって形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜のＸ線
回折グラフ、図３はＰｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に電子
ビーム加熱蒸発および７００゜Ｃ３０分間の連続的熱処
理によって形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２のＤ−Ｅ履歴
曲線のグラフ、図４は Ｂｉ４Ｔｉ ３Ｏ１２の薄膜の製
造工程を示した図、図５は７００゜Ｃで加熱処理するこ
とによって白金基板上に形成されたＢＩＴ薄膜のＸ線回
折グラフ、図６はＳｉＯ２（ａ）およびｐｔ（ｂ）基板
上におけるＢＩＴ薄膜のＡＦＭ像、図７は７００°Ｃで
加熱処理することによって白金基板上に形成されたＢＩ
Ｔ薄膜（１μｍ厚さ）のＸ線回折グラフである。
【０００７】本発明（請求項１及び請求項２）は、図１
に示すような電子ビーム蒸着装置を用い、高真空状態で
単体の金属粉末を基板に蒸着する。
に示すような電子ビーム蒸着装置を用い、高真空状態で
単体の金属粉末を基板に蒸着する。
【０００８】蒸着量は、ビスマスとチタニウムの比が
４：３になるように、蒸着膜厚モニターを用いて見積も
る。
４：３になるように、蒸着膜厚モニターを用いて見積も
る。
【０００９】この金属蒸着量膜を、空気中あるいは酸素
ガス雰囲気中で熱処理することにより酸化し、所望の酸
化物薄膜を形成する。
ガス雰囲気中で熱処理することにより酸化し、所望の酸
化物薄膜を形成する。
【００１０】〔実施例〕金属原料として９９．９９％の
Ｂｉ粉末と９９．９８％のＴｉ粉末を用いた。基盤とし
て白金をスパッタしたシリコンウエハー（Ｐｔ／ＳｉＯ
２）を用いた。
Ｂｉ粉末と９９．９８％のＴｉ粉末を用いた。基盤とし
て白金をスパッタしたシリコンウエハー（Ｐｔ／ＳｉＯ
２）を用いた。
【００１１】図１の装置内に金属原料と基板をセット
し、１０−８Ｔｏｒｒの高真空状態に保持した。金属の
蒸着速度は前もって測定し、ＢｉとＴｉの比が４：３に
なるように、ビスマスの堆積速度を０．２７ｎｍ／ｓ、
チタニウムの堆積速度を０．１０ｎｍ／ｓにそれぞれセ
ットした。蒸着時間は１２００ｓである。基板は毎分５
回転させ、蒸着は室温で行った。蒸着終了後、空気中で
７００゜Ｃ，３０ｍｉｎの熱処理を行った。得られた薄
膜の厚さは４７０ｎｍであった。
し、１０−８Ｔｏｒｒの高真空状態に保持した。金属の
蒸着速度は前もって測定し、ＢｉとＴｉの比が４：３に
なるように、ビスマスの堆積速度を０．２７ｎｍ／ｓ、
チタニウムの堆積速度を０．１０ｎｍ／ｓにそれぞれセ
ットした。蒸着時間は１２００ｓである。基板は毎分５
回転させ、蒸着は室温で行った。蒸着終了後、空気中で
７００゜Ｃ，３０ｍｉｎの熱処理を行った。得られた薄
膜の厚さは４７０ｎｍであった。
【００１２】図２に得られた薄膜のＸ線回折パターンを
示した。図から明らかなように、ｃ軸に優先配向した単
相のＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜が形成されていることが解
る。
示した。図から明らかなように、ｃ軸に優先配向した単
相のＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜が形成されていることが解
る。
【００１３】図３に、この薄膜の強誘電ヒステリシスル
ープを示した。典型的な強誘電履歴曲線が得られてい
る。見積もられた残留分極は１３．７μＣ／ｃｍ２であ
り、抗電場は９６．４ｋＶ／ｃｍであった。また、室温
での誘電率は３９．９であった。
ープを示した。典型的な強誘電履歴曲線が得られてい
る。見積もられた残留分極は１３．７μＣ／ｃｍ２であ
り、抗電場は９６．４ｋＶ／ｃｍであった。また、室温
での誘電率は３９．９であった。
【００１４】また、本発明（請求項３）は、図４に示す
ようなゾルゲル法によって、基板に薄膜を形成するため
のものである。
ようなゾルゲル法によって、基板に薄膜を形成するため
のものである。
【００１５】原料には硝酸ビスマス５水和物（Ｂｉ（Ｎ
Ｏ３）３・５Ｈ２Ｏ）とチタンテトラブトキシド（Ｔｉ
（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）４）を用いた。触媒に
は、アセチルアセトン（又は２，４ペンタンジオン）
（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）とエチレングリコール
（ＣＨ２（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）を使用した。基板には、
ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）ウエハー、ＩＴＯをスパッタ
コートしたシリカガラス、白金板を使用した。
Ｏ３）３・５Ｈ２Ｏ）とチタンテトラブトキシド（Ｔｉ
（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）４）を用いた。触媒に
は、アセチルアセトン（又は２，４ペンタンジオン）
（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）とエチレングリコール
（ＣＨ２（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）を使用した。基板には、
ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）ウエハー、ＩＴＯをスパッタ
コートしたシリカガラス、白金板を使用した。
【００１６】〔実施例〕所定量秤量した硝酸ビスマス５
水和物をアセチルアセトンに溶解し、エチレングリコー
ルを加えて、１２０゜Ｃで２時間加熱攪拌を行った。そ
の後、これを室温まで冷却し、チタンテトラブトキシド
を加えてコーティング溶液とした。
水和物をアセチルアセトンに溶解し、エチレングリコー
ルを加えて、１２０゜Ｃで２時間加熱攪拌を行った。そ
の後、これを室温まで冷却し、チタンテトラブトキシド
を加えてコーティング溶液とした。
【００１７】薄膜のコーティングは、マニュアルスピン
ナー（（株）エイブル社製ＡＳＣ−３０００型）を用い
て、スピンコーティング法により行った。基板を試料台
に固定後、コーティング溶液を基板上に数滴滴下し、１
５００ｒｐｍで５秒、４０００ｒｐｍで１５秒のスピン
を行い塗布膜を形成した。これを、各熱処理温度で熱処
理することにより、酸化物薄膜を形成した。膜厚を変化
させる場合、コーティング−熱処理のプロセスを繰り返
す多層コーティングを行った。
ナー（（株）エイブル社製ＡＳＣ−３０００型）を用い
て、スピンコーティング法により行った。基板を試料台
に固定後、コーティング溶液を基板上に数滴滴下し、１
５００ｒｐｍで５秒、４０００ｒｐｍで１５秒のスピン
を行い塗布膜を形成した。これを、各熱処理温度で熱処
理することにより、酸化物薄膜を形成した。膜厚を変化
させる場合、コーティング−熱処理のプロセスを繰り返
す多層コーティングを行った。
【００１８】図５に白金板上に７００゜Ｃの熱処理で作
成したＢＩＴ（チタン酸ビスマス）薄膜のＸ線回折図を
示す。図のように、白金基板上で作成した薄膜では、不
純物ピークのないＢＩＴ単一相であり、ほぼｃ面のピー
クのみが観察された。この膜は、ｃ軸に配向した結晶粒
によって形成されていると考えられる。
成したＢＩＴ（チタン酸ビスマス）薄膜のＸ線回折図を
示す。図のように、白金基板上で作成した薄膜では、不
純物ピークのないＢＩＴ単一相であり、ほぼｃ面のピー
クのみが観察された。この膜は、ｃ軸に配向した結晶粒
によって形成されていると考えられる。
【００１９】図６に、ＳｉＯ２／Ｓｉ，白金それぞれの
基板上に作成した薄膜表面のＡＦＭ観察結果を示す。Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ上に作成した薄膜においては、一回のコー
ティングの膜では基板上から微細な球状の粒子が発生
し、１０回コーティングの膜では０．１μｍ程度の粒子
によって形成されていることが分かった。白金上の薄膜
では、一回のコーティングの膜で基板上に０．１μｍ程
度の板状の結晶が発生し、１０回コーティングの膜では
それが１．０μｍ以上に成長した結晶によって形成され
ていることが分かった。このような板状結晶の成長は、
ホット・フォージ法で高配向化させた焼結体の状態と類
似している。このように基板によって結晶粒の成長状態
が大きく異なるため、基板に対する配向性・結晶性が変
化したものと考えられる。
基板上に作成した薄膜表面のＡＦＭ観察結果を示す。Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ上に作成した薄膜においては、一回のコー
ティングの膜では基板上から微細な球状の粒子が発生
し、１０回コーティングの膜では０．１μｍ程度の粒子
によって形成されていることが分かった。白金上の薄膜
では、一回のコーティングの膜で基板上に０．１μｍ程
度の板状の結晶が発生し、１０回コーティングの膜では
それが１．０μｍ以上に成長した結晶によって形成され
ていることが分かった。このような板状結晶の成長は、
ホット・フォージ法で高配向化させた焼結体の状態と類
似している。このように基板によって結晶粒の成長状態
が大きく異なるため、基板に対する配向性・結晶性が変
化したものと考えられる。
【００２０】しかし、図６（ｂ）のように白金上におい
ても一回コーティングの場合は基板に平行に板状の結晶
が成長していたが、コーティングを重ねるに従って上に
重なった層に対して基板の影響が小さくなり、１０回コ
ーティングの膜では様々な方向を向いた板状結晶が成長
している。図７に１０回コーティングを行って作成した
膜の、ｃ軸配向性が高い膜と低い膜のＸ線回折図を示
す。多数コーティングを行い膜厚が厚くなったため、基
板の状態や熱処理によって配向性を維持した成長ができ
なくなり、配向性に違いが生じたと考えられる。
ても一回コーティングの場合は基板に平行に板状の結晶
が成長していたが、コーティングを重ねるに従って上に
重なった層に対して基板の影響が小さくなり、１０回コ
ーティングの膜では様々な方向を向いた板状結晶が成長
している。図７に１０回コーティングを行って作成した
膜の、ｃ軸配向性が高い膜と低い膜のＸ線回折図を示
す。多数コーティングを行い膜厚が厚くなったため、基
板の状態や熱処理によって配向性を維持した成長ができ
なくなり、配向性に違いが生じたと考えられる。
【００２１】表１に、単結晶と膜厚２μｍの薄膜の誘電
率、残留分極値（Ｐｒ）（単結晶では自発分極（Ｐｓ）
の値）および抗電界（Ｅｃ）を値を示す。単結晶の自発
分極はｂ−ｃ面内のｂ軸から４．５゜の角度を向いてい
るため、ｃ軸方向のＰｓ，Ｅｃの値はｂ軸方向より小さ
い。よって、薄膜の場合もｃ軸配向性が高い方が、Ｐ
ｒ，Ｅｃが小さい値を示したと考えられる。また、ＭＯ
ＣＶＤ法により作成された配向性の低い薄膜において
も、Ｐｒ＝３．３〜４．０μＣ／ｃｍ２，Ｅｃ＝８４〜
１３５ｋＶ／ｃｍという値が報告されており、配向性が
低いほど抗電界が大きくなる今回の傾向を類似してい
た。
率、残留分極値（Ｐｒ）（単結晶では自発分極（Ｐｓ）
の値）および抗電界（Ｅｃ）を値を示す。単結晶の自発
分極はｂ−ｃ面内のｂ軸から４．５゜の角度を向いてい
るため、ｃ軸方向のＰｓ，Ｅｃの値はｂ軸方向より小さ
い。よって、薄膜の場合もｃ軸配向性が高い方が、Ｐ
ｒ，Ｅｃが小さい値を示したと考えられる。また、ＭＯ
ＣＶＤ法により作成された配向性の低い薄膜において
も、Ｐｒ＝３．３〜４．０μＣ／ｃｍ２，Ｅｃ＝８４〜
１３５ｋＶ／ｃｍという値が報告されており、配向性が
低いほど抗電界が大きくなる今回の傾向を類似してい
た。
【００２２】ｃ軸配向性が低い膜では、Ｐｒ，Ｅｃどち
らの値も単結晶ＢＩＴのｃ軸方向のＰｒ，Ｅｃより大き
い。これは膜がｃ軸方向ではなく他の方向に、あるいは
ランダムに配向していたためと考えられる。ｃ軸に配向
していた薄膜もＰｒは単結晶より小さく、Ｅｃはかなり
大きいものであった。粒界の存在や、膜厚の増加に伴う
配向性の低下が原因と考えられる。配向性の向上は抗電
界の低下につながることから、高配向性の薄膜の作成は
低電圧による分極反転を可能とし、メモリー材料への応
用の可能性も考えられる。
らの値も単結晶ＢＩＴのｃ軸方向のＰｒ，Ｅｃより大き
い。これは膜がｃ軸方向ではなく他の方向に、あるいは
ランダムに配向していたためと考えられる。ｃ軸に配向
していた薄膜もＰｒは単結晶より小さく、Ｅｃはかなり
大きいものであった。粒界の存在や、膜厚の増加に伴う
配向性の低下が原因と考えられる。配向性の向上は抗電
界の低下につながることから、高配向性の薄膜の作成は
低電圧による分極反転を可能とし、メモリー材料への応
用の可能性も考えられる。
【００２３】
【００２３】
【発明の効果】この発明に係るビスマス層状構造強誘電
体薄膜の作成方法においては、ビスマスおよびチタニウ
ム金属単体を基盤上に電子ビーム蒸着する工程と、この
基盤を酸素雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、
ビスマス層状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたた
め、即ち、構成金属単体を蒸着することから、不純物の
混入を防ぐことができる。組成制御は金属それぞれの蒸
着量をコントロールするだけであり取扱いが簡便であ
る。基板に蒸着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処
理を行うことで容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を
形成することができる。
体薄膜の作成方法においては、ビスマスおよびチタニウ
ム金属単体を基盤上に電子ビーム蒸着する工程と、この
基盤を酸素雰囲気中で熱処理する工程とを組み合わせ、
ビスマス層状構造強誘電体薄膜を作成するようにしたた
め、即ち、構成金属単体を蒸着することから、不純物の
混入を防ぐことができる。組成制御は金属それぞれの蒸
着量をコントロールするだけであり取扱いが簡便であ
る。基板に蒸着後は、空気中か酸素ガス雰囲気中で熱処
理を行うことで容易にビスマス層状構造強誘電体薄膜を
形成することができる。
【００２４】また、ビスマスコーティング溶液を基板上
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
にコーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その
後、熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体
薄膜を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘
電体薄膜の作成方法によっても上記作用効果を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子ビーム加熱蒸発方式の図解一覧図である。
【図２】Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に、電子ビーム加
熱蒸発および７００゜Ｃ，３０分間の連続的熱処理によ
って形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜のＸ線回折グラ
フである。
熱蒸発および７００゜Ｃ，３０分間の連続的熱処理によ
って形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜のＸ線回折グラ
フである。
【図３】Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に電子ビーム加熱
蒸発および７００゜Ｃ，３０分間の連続的熱処理によっ
て形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２のＤ−Ｅ履歴曲線のグ
ラフである。
蒸発および７００゜Ｃ，３０分間の連続的熱処理によっ
て形成されたＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２のＤ−Ｅ履歴曲線のグ
ラフである。
【図４】Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２の薄膜の製造工程を示した
図である。
図である。
【図５】７００゜Ｃで加熱処理することによって白金基
板上に形成されたＢＩＴ薄膜のＸ線回折グラフである。
板上に形成されたＢＩＴ薄膜のＸ線回折グラフである。
【図６】ＳｉＯ２（ａ）およびｐｔ（ｂ）基板上におけ
るＢＩＴ膜のＡＦＭ像である。
るＢＩＴ膜のＡＦＭ像である。
【図７】７００゜Ｃで加熱処理することによって白金基
板上に形成されたＢＩＴ薄膜（１μｍ厚さ）のＸ線回折
グラフである。
板上に形成されたＢＩＴ薄膜（１μｍ厚さ）のＸ線回折
グラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 ビスマスおよびチタニウム金属単体を基
盤上に電子ピーム蒸着する工程と、この基盤を酸素雰囲
気中で熱処理する工程とを組み合わせ、ビスマス層状構
造強誘電体薄膜を作成することを特徴とするビスマス層
状構造強誘電体薄膜の作成方法。 - 【請求項２】 前記ビスマス層状構造強誘電体薄膜が強
誘電体Bi4Ti3012 であることを特徴とする請求項１のビ
スマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法。 - 【請求項３】 ビスマスコーティング溶液を基板上にコ
ーティングして前記基板上に塗布膜を形成し、その後、
熱処理することによってビスマス層状構造強誘電体薄膜
を作成することを特徴とするビスマス層状構造強誘電体
薄膜の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12326897A JPH10298739A (ja) | 1997-04-26 | 1997-04-26 | ビスマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12326897A JPH10298739A (ja) | 1997-04-26 | 1997-04-26 | ビスマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10298739A true JPH10298739A (ja) | 1998-11-10 |
Family
ID=14856366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12326897A Pending JPH10298739A (ja) | 1997-04-26 | 1997-04-26 | ビスマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10298739A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003021615A1 (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-13 | Tdk Corporation | Thin film capacity element-use composition, high-permittivity insulation film, thin film capacity element and thin film multilayer capacitor |
-
1997
- 1997-04-26 JP JP12326897A patent/JPH10298739A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003021615A1 (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-13 | Tdk Corporation | Thin film capacity element-use composition, high-permittivity insulation film, thin film capacity element and thin film multilayer capacitor |
| US7145198B2 (en) | 2001-08-28 | 2006-12-05 | Tdk Corporation | Compositions for thin-film capacitance device, high-dielectric constant insulating film, thin-film capacitance device, and thin-film multilayer capacitor |
| CN100431066C (zh) * | 2001-08-28 | 2008-11-05 | Tdk株式会社 | 薄膜电容元件用组合物、高电容率绝缘膜、薄膜电容元件和薄膜叠层电容器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5576564A (en) | Ferroelectric thin film with intermediate buffer layer | |
| JP3694737B2 (ja) | 酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法 | |
| US10243134B2 (en) | Piezoelectric film and piezoelectric ceramics | |
| Ishikawa et al. | Effect of PbTiO3. Seeding Layer on the Growth of Sol-Gel-Derived Pb (Zr, gTig 47) O3. Thin Film | |
| Yogo et al. | Synthesis of highly oriented K (Ta, Nb) O3 (Ta: Nb= 65: 35) film using metal alkoxides | |
| JP2004292218A (ja) | 強誘電体膜 | |
| JP4237967B2 (ja) | ゾルゲル工程を用いたジルコン酸−チタン酸鉛厚膜の製造方法 | |
| JP3873125B2 (ja) | 強誘電体薄膜の作製方法、及び強誘電体薄膜 | |
| JP3586870B2 (ja) | 配向性薄膜形成基板およびその作製方法 | |
| JPH10298739A (ja) | ビスマス層状構造強誘電体薄膜の作成方法 | |
| Soares-Carvalho et al. | Bi 4 Ti 3 O 12 thin films from mixed bismuth-titanium alkoxides | |
| JPH0451407A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPH09282943A (ja) | 強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ | |
| JPH0931645A (ja) | 誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| JP2001332514A (ja) | 配向性金属薄膜の成膜方法及び配向性金属薄膜を有する機能素子 | |
| JPH1154710A (ja) | 誘電体薄膜およびその製造方法ならびにそれを用いたキャパシタ | |
| Zhu et al. | The effects of the PbO content and seeding layers upon the microstructure and orientation of sol-gel derived PZT films | |
| US7507290B2 (en) | Flux assisted solid phase epitaxy | |
| JP4612340B2 (ja) | ビスマスを構成元素に含む多元系酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPH07172984A (ja) | 誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置 | |
| JP3275448B2 (ja) | 鉛系強誘電体薄膜の作製方法 | |
| WO2005010895A1 (ja) | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JP3888400B2 (ja) | 誘電体薄膜の製造方法 | |
| JP3257279B2 (ja) | 酸化ルテニウム薄膜の製造方法 | |
| Sakamoto et al. | Synthesis of (Bi, Nd) 4 (Ti, Ge) 3O12 thin films by chemical solution deposition |