JPH10294162A - イオン発生装置および電子写真記録装置 - Google Patents
イオン発生装置および電子写真記録装置Info
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- JPH10294162A JPH10294162A JP10049497A JP10049497A JPH10294162A JP H10294162 A JPH10294162 A JP H10294162A JP 10049497 A JP10049497 A JP 10049497A JP 10049497 A JP10049497 A JP 10049497A JP H10294162 A JPH10294162 A JP H10294162A
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Abstract
する。 【解決手段】 絶縁基板1上に誘電体層を挾んで形成さ
れた誘導電極2とイオン発生電極4との電極パターンの
うちイオン発生電極4の電極パターンをイオン発生位置
では端部が生じない無端パターンに形成する。これによ
り、どこか1ヵ所または場所によっては複数箇所で断線
が生じても(断線箇所を×で例示する)、電極パターン
全体としての給電が確保され、耐久性の向上が図られ
る。
Description
電子写真プロセス装置および電子写真記録装置に関す
る。
写真記録装置においては、帯電装置や転写装置として、
タングステンワイヤ等を主体とするコロナチャージャが
一般に用いられている。ところが、このようなタングス
テンワイヤ等を主体とするコロナチャージャでは、大気
中の酸素分子をイオン化してオゾン(O3 ~ )を発生す
るという構造上、環境に対する配慮が必要となる程多く
のオゾンが発生してしまう。
基板上に形成された2つの電極間に交流電圧を印加し、
2つ電極間の放電により付近の空気をイオン化させるイ
オン発生装置が開発されている。そして、例えば特開平
6−75457号公報や特開平8−82980号公報に
は、そのようなイオン発生装置を電子写真記録装置にお
ける帯電装置等に利用することが開示されている。この
ようなイオン発生装置の一例を図6に基づいて説明す
る。
す縦断正面図である。まず、絶縁基板101の上にイオ
ン発生電極となる誘導電極102が膜状形成され、この
誘導電極102と共に絶縁基板101が誘電体層103
に覆われている。この誘電体層103の上には、一対の
イオン発生電極104が膜状形成され、これらのイオン
発生電極104と誘導電極102との間にはギャップG
が形成されている。このようにして形成されたイオン発
生装置は、電子写真記録装置の感光体105に所定の間
隔を開けて対向配置され使用される。つまり、帯電装置
として使用する場合、高周波電源106によって誘導電
極102とイオン発生電極104との間に高周波電圧を
印加すると、誘導電極102とイオン発生電極104と
の間の放電によってギャップGの近傍に高密度の正負イ
オンが発生する。そして、イオン発生電極104と感光
体105との間に直流電源107より負のバイアス電圧
を印加すると、発生した正負イオンのうちの負イオンが
感光体105に作用し、これにより感光体105が一様
帯電される。この場合、感光体105の帯電電位は、イ
オン発生電極104と感光体105との間に印加するバ
イアス電圧を調節することによって設定可能である。そ
して、感光体105を帯電させる際に発生するオゾン量
は、タングステンワイヤ等を主体とするコロナチャージ
ャに比べて数分の1から数10分の1と少なくなる。
ン発生電極104との間への高周波電圧の印加によって
高密度の正負イオンが発生すると、発生したイオンの衝
突によるスパッタリング作用によってイオン発生装置の
表面が削られる。このため、継続的な使用によってイオ
ン発生電極104が劣化する。
層103とイオン発生電極104とを例えばSiO2 か
らなる膜状の保護層108で覆い、イオン発生電極10
4をスパッタリング作用による劣化から保護するように
している。図7は、保護層108を備えた従来のイオン
発生装置の一例を示す縦断正面図である。
すぎると誘導電極102とイオン発生電極104との間
の浮遊容量が大きくなって放電電流が減少し、十分なイ
オン発生量が得られなくなってしまう。その結果、感光
体105を所望の電位に帯電することができなくなる。
このため、一般的には、保護層108を2〜4μm程度
の厚みに規制し、十分なイオン発生量を得ることができ
るようにしている。しかし、保護層108を2〜4μm
程度のSiO2 膜により形成した場合には、発生したイ
オンの衝突によるスパッタリング作用によって保護層1
08が削られ、継続的な使用によって保護層108がそ
の用をなさなくなってしまうという不都合を生ずる。こ
れは、図9に示すように、誘電体層103やイオン発生
電極104を厚膜形成した場合にはどうしてもその表面
が粗になり、これらの誘電体層103およびイオン発生
電極104の上にコーティングされた保護層108には
ピンホールや厚みのバラツキ等が生じてしまうからであ
る。図9は、誘電体層103およびイオン発生電極10
4を拡大して示す縦断正面図である。
なると、最終的にはイオン発生電極104が断線してし
まうことがあり、この場合、イオン発生電極104に限
らず誘導電極102をも含めて電極102,104が断
線すると、電極102,104における断線箇所から先
の部分に対する給電ができなくなってその部分でイオン
を発生させることができなくなってしまうという問題が
生ずる。つまり、図9に示すように、従来のイオン発生
装置では、誘導電極102とイオン発生電極104とが
櫛型パターンで噛み合っているのが一般的であるため、
例えば図9中に×で示すような箇所に電極102,10
4の断線が生ずると、その箇所から電極先端部102
a,104aまでの間に対する給電が全くできなくなっ
てしまう。このため、給電できない部分にはイオンを発
生させることができず、イオン発生装置を例えば感光体
の帯電装置として用いた場合には、イオンを発生させる
ことができない部分で帯電斑が生じてしまうという不都
合がある。図9は、誘導電極とイオン発生電極との電極
パターンを示す模式図である。
生装置は、絶縁性を有する絶縁基板と;絶縁基板上に形
成された誘導電極と;絶縁基板および誘導電極を覆う誘
電体層と;イオン発生位置では端部が生じない無端パタ
ーンで誘電体層上に形成され、誘導電極との間にギャッ
プを形成するイオン発生電極と;イオン発生電極を覆う
保護層と;を備える。したがって、誘導電極とイオン発
生電極との間に高周波電圧を印加すると、誘導電極とイ
オン発生電極との間の放電によってギャップの近傍に高
密度の正負イオンが発生する。そこで、本発明のイオン
発生装置を例えば感光体を帯電させる帯電装置として用
いる場合には、ギャップを感光体に対向させてイオン発
生電極と感光体との間に負のバイアス電圧を印加する。
これにより、ギャップ近傍に発生した正負イオンのうち
の負イオンが感光体に作用して感光体が一様帯電され
る。
絶縁性を有する絶縁基板と;絶縁基板上に形成された誘
電体層と;イオン発生位置では端部が生じない無端パタ
ーンで誘電体層上に並設された複数の電極と;電極を覆
う保護層と;を備える。したがって、隣接する電極間に
高周波電圧を印加すると、電極間の放電によって電極間
に高密度の正負イオンが発生する。そこで、本発明のイ
オン発生装置を例えば感光体を帯電させる帯電装置とし
て用いる場合には、電極を感光体に対向させて電極と感
光体との間に負のバイアス電圧を印加する。すると、こ
のようなバイアス電圧の印加によって、電極感に発生し
た正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用して感光
体が一様帯電される。
いて、「絶縁基板」としては、例えばアルミナ等が用い
られ、この絶縁基板上に積層される各部は、例えばスク
リーン印刷により形成されている。「誘導電極」および
「イオン発生電極」あるいは「電極」は、例えば銀系
(銀/パラジウム、銀/白金等)や銅系の厚膜導体であ
る。「誘電体層」は、例えばガラス絶縁層(ホウ珪酸鉛
系ガラスやアルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガ
ラス等)であり、その厚さは例えば25〜40μm程度
に形成されている。「保護層」としては、ガラス系(ホ
ウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等)または樹脂系(ポリイミ
ド、エポキシ、シリコーン)等が用いられ、その厚さは
例えば10μm程度以下である。
は、発生したイオンの衝突によるスパッタリング作用に
よって保護層が削られ、継続的な使用によって保護層が
その用をなさなくなることがあり、この場合には最終的
にイオン発生電極(請求項1)や電極(請求項2)が断
線してしまうこともある。また、取り扱い上の不備等の
他の理由によってイオン発生電極(請求項1)あるいは
電極(請求項2)が断線してしまうこともある。これに
対し、請求項1または2記載の発明によれば、イオン発
生電極(請求項1)あるいは電極(請求項2)は、イオ
ン発生位置では端部が生じない無端パターンで形成され
ているので、どこか1ヵ所または場所によっては複数箇
所で断線が生じてもパターン全体としての給電が途絶え
ない。このため、断線が生じた箇所だけはイオンを発生
することができなくなるが、その他の部分でのイオンの
発生が確保される。そして、電極(イオン発生電極また
は電極)に対する給電箇所を複数箇所設けておけば(請
求項3)、電極に対する給電ラインの1本または複数本
が断線しても、少なくとも1本の給電ラインさえ断線し
ていなければ電極全体に対する給電が可能となり、イオ
ンの発生が確保される。例えば、給電箇所を3つ以上設
けておけば、2箇所の給電箇所の間の2箇所で断線が生
じてもその断線が生じた2箇所の間が3つ目の給電箇所
であれば2箇所の断線が生じた間の部分への給電を確保
することができ、その部分でのイオンの発生が確保され
る。また、電極(イオン発生電極または電極)が50μ
mよりも幅狭であるとスクリーン印刷による電極パター
ンではパターンの断線が生じやすく、300μmよりも
幅広であると十分なイオン発生電流を得がたいため、電
極は50〜300μmの幅で形成されていることが望ま
しい。
項1ないし4のいずれか一記載のイオン発生装置を、感
光体を帯電させる帯電装置として利用する電子写真記録
装置である。すなわち、この電子写真記録装置は、感光
体と;請求項1ないし4のいずれか一記載のイオン発生
装置により形成され、感光体を一様に帯電させる帯電装
置と;帯電装置により一様帯電された感光体を露光して
静電潜像を形成するイメージ露光装置と;感光体に形成
された静電潜像にトナーを付着させて現像する現像装置
と;感光体に形成された現像画像を転写媒体に転写する
転写装置と;転写媒体上の転写画像を定着する定着装置
と;を備える。
ないし4のいずれか一記載のイオン発生装置を感光体に
形成された現像画像を転写媒体に転写する転写装置とし
て利用する電子写真記録装置である。すなわち、この電
子写真記録装置は、感光体と;感光体を一様に帯電させ
る帯電装置と;帯電装置により一様帯電された感光体を
露光して静電潜像を形成するイメージ露光装置と;感光
体に形成された静電潜像にトナーを付着させて現像する
現像装置と;請求項1ないし4のいずれか一記載のイオ
ン発生装置により形成され、感光体に形成された現像画
像を転写媒体に転写する転写装置と;転写媒体上の転写
画像を定着する定着装置と;を備える。
写真記録装置によれば、感光体に対する帯電、露光、現
像、転写という電子写真の基本的なプロセスを経て画像
記録が行なわれる。この際、請求項5記載の発明では、
感光体の帯電位置でギャップを感光体に対向させてイオ
ン発生装置を配置し、誘導電極とイオン発生電極との間
または電極間に高周波電圧を印加する。これにより、誘
導電極とイオン発生電極との間または電極間の放電によ
ってギャップの近傍に高密度の正負イオンが発生する。
そして、イオン発生電極または電極と感光体との間に負
のバイアス電圧を印加することで、ギャップ近傍に発生
した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用して感
光体が一様帯電される。この際、帯電装置は、請求項1
ないし4のいずれか一記載のイオン発生装置が奏する作
用を奏する。また、請求項6記載の発明では、転写位置
でギャップを感光体に対向させてイオン発生装置を配置
し、誘導電極とイオン発生電極との間または電極間に高
周波電圧を印加する。これにより、誘導電極とイオン発
生電極との間または電極間の放電によってギャップの近
傍に高密度の正負イオンが発生する。そして、イオン発
生電極または電極と感光体との間に正のバイアス電圧を
印加することで、現像プロセスを経て感光体上に形成さ
れた現像画像が転写位置で転写媒体に転写される。この
際、転写装置は、請求項1ないし4のいずれか一記載の
イオン発生装置が奏する作用を奏する。
実施の形態を図1および図2に基づいて説明する。図1
はイオン発生装置の縦断正面図、図2はその電極パター
ンを示す模式図である。
れ、この絶縁基板1上には、誘導電極2、誘電体層3、
イオン発生電極4、および保護層5がスクリーン印刷に
よって順に積層形成されている。この場合、誘電体層3
は誘導電極2と共に絶縁基板1の表面全体を覆い、イオ
ン発生電極4は誘電体層3の上に形成されて誘導電極2
との間にギャップGを形成する。そして、イオン発生電
極4はこのイオン発生電極4および誘電体層3を覆う保
護層5によって保護されている。
する扁平の矩形部材である。誘導電極2およびイオン発
生電極4は、例えば銀系(銀/パラジウム、銀/白金
等)の導体により形成されている。誘電体層3は、例え
ばガラス絶縁層(ホウ珪酸鉛系ガラスやアルミナフィラ
ーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等)であり、厚さ25
〜40μm程度に形成されている。保護層5は、ガラス
系(ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等)または樹脂系(ポ
リイミド、エポキシ、シリコーン)の材料によって形成
され、厚さ10μm程度以下に形成されている。
よびイオン発生電極4はパターン化されている。つま
り、これらの誘導電極2およびイオン発生電極4の電極
パターンは、ギャップGが形成されるイオン発生位置に
おいて端部が生じない無端パターンである。そして、こ
のような無端パターン中、誘導電極2およびイオン発生
電極4に対する給電ライン2a,4aは2箇所ずつ設け
られている。
オン発生電極4との間に高周波電圧を印加すると、誘導
電極2とイオン発生電極4との間の放電によってギャッ
プGの近傍に高密度の正負イオンが発生する。そこで、
本実施の形態のイオン発生装置を、例えば図示しない感
光体を帯電させる帯電装置として用いる場合には、ギャ
ップGを感光体に対向させてイオン発生電極4と感光体
との間に負のバイアス電圧を印加する。すると、ギャッ
プG近傍に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光
体に作用して感光体が一様帯電される。
ッタリング作用によって保護層5が削られ、継続的な使
用によって保護層5がその用をなさなくなることがあ
り、この場合には最終的にイオン発生電極4が断線して
しまうこともある。また、取り扱い上の不備等の他の理
由によってイオン発生電極4や誘導電極2が断線してし
まうこともある。これに対し、本実施の形態のイオン発
生装置でば、イオン発生電極4および誘導電極2は、イ
オン発生位置では端部が生じない無端パターンで形成さ
れているので、どこか1ヵ所または場所によっては複数
箇所で断線が生じても、パターン全体としての給電が途
絶えない。図2中、断線してもパターン全体に対する給
電が途絶えない箇所を×で例示する。これらの×を記す
箇所は、その全てが断線したとしてもパターン全体とし
ての給電が途絶えない。したがって、断線が生じた箇所
(例えば図2中の×を記す箇所)だけは局所的にイオン
を発生することができなくなるが、その他の部分でのイ
オンの発生が確保される。
に対する給電ライン2a,4aは2本ずつ設けられてい
るため、誘導電極2またはイオン発生電極4に対する給
電ライン2a,4aのうちの1本が断線しても誘導電極
2およびイオン発生電極4に対する給電が可能となり、
イオンの発生が確保される。
4は、50〜300μmの幅で形成されているため、電
極パターンの量産性が向上して程度なイオン電流も得ら
れやすい。これは、電極パターンの幅が50μm以下で
あるとスクリーン印刷によって電極パターンを形成した
場合にその断線が生じやすく歩留まりが低下し、電極パ
ターンの幅が300μm以上であると十分なイオン発生
電流を得がたいためである。
図である。図3に示すように、電極パターンは、誘導電
極2およびイオン発生電極4に対する給電ライン2a,
4aが1本ずつ設けられている形状であっても良い。
態を図4に基づいて説明する。図4はイオン発生装置の
縦断正面図である。第1の実施の形態と同一または相当
する部分は同一符号で示し説明も省略する。
第1の実施の形態のような誘導電極2とイオン発生電極
4とに分けられておらず、一括して電極6とされてい
る。つまり、絶縁性を有する絶縁基板1上に、所定の間
隔を開けて誘電体層3、電極6、および保護層5がスク
リーン印刷によって順に積層形成されている。そして、
各電極6は1つおきに第1電極グループ6aと第2電極
グループ6bとに分けられ、第1電極グループ6aと第
2電極グループ6bとの間には交流の高周波電源7が接
続されて高周波電圧が印加されるようになっている。こ
こで、各部の材質は第1の実施の形態のイオン発生装置
と同様なのでその説明は省略する。
も、図1または図2に例示したようなイオン発生位置で
は端部がない無端の電極パターンを有する。
プ6aと第2電極グループ6bとの間に高周波電源7よ
り高周波電圧を印加すると、第1電極グループ6aと第
2電極グループ6bとの各電極6間に放電現象が生じ、
この放電現象によって高密度の正負イオンが発生する。
そこで、本実施の形態のイオン発生装置を、例えば図示
しない感光体を帯電させる帯電装置として用いる場合に
は、電極6を感光体に対向させて電極6と感光体との間
に負のバイアス電圧を印加する。すると、電極6の近傍
に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用
して感光体が一様帯電される。この際、本実施の形態の
イオン発生装置も、電極6はイオン発生位置では端部が
生じない無端パターンで形成されているので、どこか1
ヵ所または場所によっては複数箇所で断線が生じても、
パターン全体としての給電が途絶えない。
を図5に基づいて説明する。図5は電子写真記録装置を
示す概略側面図である。なお、図1ないし図5に基づい
て説明した部分と同一部分は同一符号で示し説明も省略
する。
する給紙装置12と図示しない排紙部とを連絡する通紙
経路13が設けられ、この通紙経路13中には定着装置
14を含む画像プロセス部15が設けられている。
感光体16を主体として構成される。この感光体16の
周囲には、帯電装置17、現像装置18、転写装置1
9、剥離装置20、クリーニング装置21が順に配設さ
れている。そして、帯電装置17と現像装置18との間
が露光位置EXとなり、画像プロセス部15には、その
露光位置EXにレーザビーム(以下、レーザ光という)
を照射する図示しないイメージ露光装置が設けられてい
る。
び剥離装置20として、第1の実施の形態に示されたイ
オン発生装置が用いられている。つまり、帯電装置17
では、ギャップGを感光体16に対向させてイオン発生
装置を配置し、イオン発生電極4と感光体16との間に
負のバイアス電圧を印加するようにする。これにより、
ギャップG近傍に発生した正負イオンのうちの負イオン
が感光体16に作用して感光体16が一様帯電される。
また、転写装置19では、ギャップGを感光体16に対
向させてイオン発生装置を配置し、イオン発生電極4と
感光体16との間に正のバイアス電圧を印加するように
する。これにより、現像装置18による現像プロセスを
経て感光体16上に形成された現像画像が転写位置で転
写紙11に転写される。そして、剥離装置20では、ギ
ャップGを感光体16に対向させてイオン発生装置を配
置し、イオン発生電極4と感光体16との間のバイアス
電圧を0にする。これにより、ギャップGに発生した正
負のイオンで転写紙11の電荷が除電され、転写紙11
が感光体16から剥離する。
のうち、一部はユニット化されて電子写真プロセス装置
22となっている。この電子写真プロセス装置22は、
感光体16、帯電装置17、転写装置19および剥離装
置20から構成されている。
15では、帯電装置17の帯電によって感光体16をマ
イナス極性に一様に帯電する。そして、感光体16は露
光位置EXにおいて一様に帯電されているため、この露
光位置EXにイメージ露光装置から画像情報に応じて光
ビームを照射することで、感光体16に静電潜像が形成
される。つまり、感光体16では、その帯電電位との電
位差が光ビームの照射部分に生じ、この部分が静電潜像
となる。現像装置18は、露光位置EXで感光体16に
形成された静電潜像にこの静電潜像と電位差を持つトナ
ーを付着させて顕像化する。転写装置19は、顕像化さ
れた感光体16上の現像画像を電位差によって吸引し、
その現像画像を転写紙11に転写させる。剥離装置20
は、現像画像転写後の転写紙11を感光体16から剥離
させる。クリーニング装置21は、転写プロセス後の感
光体16に残留するトナーを掻き落す等の方法でクリー
ニングする。そして、定着装置14は、通紙経路13中
において転写装置19の下流側に配置されており、転写
装置19を通過した後の転写紙11に付着する未定着ト
ナーを加熱・加圧作用によって定着する。
装置によれば、感光体16に対する帯電、露光、現像、
転写という電子写真の基本的なプロセスを経て画像記録
が行なわれる。この際、帯電装置17、転写装置19お
よび剥離装置20において、第1の実施の形態に示され
たイオン発生装置の作用効果が奏される。
転写装置19および剥離装置20として、第2の実施の
形態に示されたイオン発生装置を用いるようにしても良
い。
は、イオン発生電極の電極パターンをイオン発生位置で
は端部が生じない無端パターンに形成したので、どこか
1ヵ所または場所によっては複数箇所で断線が生じても
パターン全体としての給電を確保することができ、した
がって、耐久性を向上させることができる。
1または2記載のイオン発生装置において、電極に対す
る給電箇所を複数箇所設けたので、給電箇所が少なくと
も1箇所確保されていれば電極パターン全体に対する給
電を確保することができ、したがって、耐久性を向上さ
せることができる。
1または2記載のイオン発生装置において、電極を50
〜300μm幅で形成したので、電極パターンの量産性
の向上と適度なイオン電流の確保とを両立させることが
できる。
載のイオン発生装置は、電子写真記録装置における感光
体を帯電させる帯電装置(請求項5)、電子写真記録装
置における感光体に形成された現像画像を転写媒体に転
写する転写装置(請求項6)等に利用することができ、
これらの帯電装置や転写装置は、請求項1ないし4のい
ずれか一記載のイオン発生装置と同様の効果を奏する。
示す縦断正面図である。
示す縦断正面図である。
す側面図である。
である。
示す縦断正面図である。
縦断正面図である。
示す模式図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 絶縁性を有する絶縁基板と;前記絶縁基
板上に形成された誘導電極と;前記絶縁基板および前記
誘導電極を覆う誘電体層と;イオン発生位置では端部が
生じない無端パターンで前記誘電体層上に形成され、前
記誘導電極との間にギャップを形成するイオン発生電極
と;前記イオン発生電極を覆う保護層と;を備えること
を特徴とするイオン発生装置。 - 【請求項2】 絶縁性を有する絶縁基板と;前記絶縁基
板上に形成された誘電体層と;イオン発生位置では端部
が生じない無端パターンで前記誘電体層上に並設された
複数の電極と;前記電極を覆う保護層と;を備えること
を特徴とするイオン発生装置。 - 【請求項3】 電極に対する給電箇所が複数箇所設けら
れていることを特徴とする請求項1または2記載のイオ
ン発生装置。 - 【請求項4】 電極は50〜300μmの幅で形成され
ていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一
記載のイオン発生装置。 - 【請求項5】 感光体と;請求項1ないし4のいずれか
一記載のイオン発生装置により形成され、前記感光体を
一様に帯電させる帯電装置と;前記帯電装置により一様
帯電された前記感光体を露光して静電潜像を形成するイ
メージ露光装置と;前記感光体に形成された静電潜像に
トナーを付着させて現像する現像装置と;前記感光体に
形成された現像画像を転写媒体に転写する転写装置と;
前記転写媒体上の転写画像を定着する定着装置と;を備
えることを特徴とする電子写真記録装置。 - 【請求項6】 感光体と;前記感光体を一様に帯電させ
る帯電装置と;前記帯電装置により一様帯電された前記
感光体を露光して静電潜像を形成するイメージ露光装置
と;前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着さ
せて現像する現像装置と;請求項1ないし4のいずれか
一記載のイオン発生装置により形成され、前記感光体に
形成された現像画像を転写媒体に転写する転写装置と;
前記転写媒体上の転写画像を定着する定着装置と;を備
えることを特徴とする電子写真記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10049497A JPH10294162A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | イオン発生装置および電子写真記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10049497A JPH10294162A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | イオン発生装置および電子写真記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10294162A true JPH10294162A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14275490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10049497A Abandoned JPH10294162A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | イオン発生装置および電子写真記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10294162A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009300597A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Sharp Corp | イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP10049497A patent/JPH10294162A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009300597A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Sharp Corp | イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置 |
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