JPH10293318A - 画像記録装置 - Google Patents
画像記録装置Info
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- JPH10293318A JPH10293318A JP9104446A JP10444697A JPH10293318A JP H10293318 A JPH10293318 A JP H10293318A JP 9104446 A JP9104446 A JP 9104446A JP 10444697 A JP10444697 A JP 10444697A JP H10293318 A JPH10293318 A JP H10293318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image recording
- recording apparatus
- mirror
- photosensitive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/70—Reflectors in printing beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 間に絶縁性の多層膜ミラーを挟んで配置され
た光導電層および電気光学材料層を有し、光導電層側か
ら光パターンが光学的に入力されることにより該光パタ
ーンが書き込まれ、電気光学材料層側から前記多層膜ミ
ラーで反射する読出し光が照射されることにより前記書
き込まれた光パターンが読み出される空間光変調器を用
いてカラー画像を記録する画像記録装置において、解像
度および感度を向上させる。 【解決手段】 空間光変調器３の多層膜ミラー12とし
て、カラー感光材料９の感度がより高い波長域の読出し
光に対する反射率がより低い分光反射率特性を有するも
のを用いる。
た光導電層および電気光学材料層を有し、光導電層側か
ら光パターンが光学的に入力されることにより該光パタ
ーンが書き込まれ、電気光学材料層側から前記多層膜ミ
ラーで反射する読出し光が照射されることにより前記書
き込まれた光パターンが読み出される空間光変調器を用
いてカラー画像を記録する画像記録装置において、解像
度および感度を向上させる。 【解決手段】 空間光変調器３の多層膜ミラー12とし
て、カラー感光材料９の感度がより高い波長域の読出し
光に対する反射率がより低い分光反射率特性を有するも
のを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、印画紙等の感光材
料に光パターンを照射して、この光パターンを感光材料
に記録する画像記録装置、特に詳細には、空間光変調器
を用いてカラー画像を記録する画像記録装置に関するも
のである。
料に光パターンを照射して、この光パターンを感光材料
に記録する画像記録装置、特に詳細には、空間光変調器
を用いてカラー画像を記録する画像記録装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、印画紙や熱現像感光材料等の
感光材料に光を照射して感光材料を感光させ、この感光
した感光材料を現像することによりに光パターンを可視
像として得ることが行なわれている。この光パターンを
感光材料に照射するための方法としては、ネガフイルム
を透過した光を印画紙に投影する通常の引伸機やプリン
タによる方法の他に、ネガフィルムを光電的に読み取っ
て得られた画像信号をＣＲＴに入力し、このＣＲＴから
出射される光を感光材料に直接照射する方法や、あるい
はレーザビームを画像信号に基づいて変調し、この変調
されたレーザビームを感光材料上に走査させる方法等も
知られている。
感光材料に光を照射して感光材料を感光させ、この感光
した感光材料を現像することによりに光パターンを可視
像として得ることが行なわれている。この光パターンを
感光材料に照射するための方法としては、ネガフイルム
を透過した光を印画紙に投影する通常の引伸機やプリン
タによる方法の他に、ネガフィルムを光電的に読み取っ
て得られた画像信号をＣＲＴに入力し、このＣＲＴから
出射される光を感光材料に直接照射する方法や、あるい
はレーザビームを画像信号に基づいて変調し、この変調
されたレーザビームを感光材料上に走査させる方法等も
知られている。
【０００３】ところで、感光材料の感度は通常それほど
高くはないので、上述のＣＲＴを用いる方法ではＣＲＴ
の輝度を高くする必要がある。しかしながら、ＣＲＴの
輝度を高くするとＣＲＴのスポット径が大きくなるた
め、感光材料に記録された画像の解像度が低下する。ま
た、解像度を維持しつつ画像を感光材料に記録するには
ＣＲＴからの光パターンの照射を長時間とする必要があ
る。
高くはないので、上述のＣＲＴを用いる方法ではＣＲＴ
の輝度を高くする必要がある。しかしながら、ＣＲＴの
輝度を高くするとＣＲＴのスポット径が大きくなるた
め、感光材料に記録された画像の解像度が低下する。ま
た、解像度を維持しつつ画像を感光材料に記録するには
ＣＲＴからの光パターンの照射を長時間とする必要があ
る。
【０００４】他方、上述したレーザビームにより感光材
料に光を照射する方法では、レーザビームは高速で感光
材料上を走査されるため感光材料上のある一点において
は、光は非常に短い時間しか照射されないこととなり、
特定の濃度を生ずるに必要な露光量が光の照度と照射時
間の条件によって変化する相反則不軌の問題が生ずる。
したがって、相反則不軌が生じない特殊な感光材料を使
用する必要があり、汎用の感光材料を使用することがで
きなかった。
料に光を照射する方法では、レーザビームは高速で感光
材料上を走査されるため感光材料上のある一点において
は、光は非常に短い時間しか照射されないこととなり、
特定の濃度を生ずるに必要な露光量が光の照度と照射時
間の条件によって変化する相反則不軌の問題が生ずる。
したがって、相反則不軌が生じない特殊な感光材料を使
用する必要があり、汎用の感光材料を使用することがで
きなかった。
【０００５】このような事情に鑑み本出願人は、汎用の
感光材料を用いて高速で高解像度の画像を記録すること
ができる画像記録装置およびその使用方法を先に提案し
た（特開平７−２７０７４６号公報参照）。
感光材料を用いて高速で高解像度の画像を記録すること
ができる画像記録装置およびその使用方法を先に提案し
た（特開平７−２７０７４６号公報参照）。
【０００６】この特開平７−２７０７４６号公報に示さ
れている１つの画像記録装置は、本質的に、間に光反射
層を挟んで配置された光導電層および電気光学材料層を
有し、光導電層側から光パターンが光学的に入力される
ことにより該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層
側から前記光反射層で反射する読出し光が照射されるこ
とにより前記書き込まれた光パターンが読み出される１
つの空間光変調器と、この空間光変調器にＢ（ブル
ー）、Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターン
を入力する光パターン入力手段と、該入力に同期して
Ｂ、ＧおよびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射す
る光源、および該空間光変調器から読み出された光パタ
ーンをカラー感光材料に照射する光学系からなる光パタ
ーン読出手段とを有して、前記感光材料に前記光パター
ンにより表されるカラー画像を記録するものである。
れている１つの画像記録装置は、本質的に、間に光反射
層を挟んで配置された光導電層および電気光学材料層を
有し、光導電層側から光パターンが光学的に入力される
ことにより該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層
側から前記光反射層で反射する読出し光が照射されるこ
とにより前記書き込まれた光パターンが読み出される１
つの空間光変調器と、この空間光変調器にＢ（ブル
ー）、Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターン
を入力する光パターン入力手段と、該入力に同期して
Ｂ、ＧおよびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射す
る光源、および該空間光変調器から読み出された光パタ
ーンをカラー感光材料に照射する光学系からなる光パタ
ーン読出手段とを有して、前記感光材料に前記光パター
ンにより表されるカラー画像を記録するものである。
【０００７】なお上記の空間光変調器を構成する電気光
学材料層としては、ＥＣＢ（electrically controlled
birefringence ）モード等の動作モードを有する液晶
層が多く用いられている。
学材料層としては、ＥＣＢ（electrically controlled
birefringence ）モード等の動作モードを有する液晶
層が多く用いられている。
【０００８】一方Applied Physics Letters （アプライ
ド・フィジックス・レターズ）Vol.22,No.3,(1973) pp.
90〜92には、上述のような空間光変調器において光導電
層と電気光学材料層との間に配される光反射層として、
ＺｎＳとＭｇＦ2 とからなる15層の誘電体多層膜ミラー
を用いることが開示されている。
ド・フィジックス・レターズ）Vol.22,No.3,(1973) pp.
90〜92には、上述のような空間光変調器において光導電
層と電気光学材料層との間に配される光反射層として、
ＺｎＳとＭｇＦ2 とからなる15層の誘電体多層膜ミラー
を用いることが開示されている。
【０００９】また特開平３−１０７８１８号公報には、
ＳｉＯ2 ／Ｓｉ交互多層膜ミラーやＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2
交互多層膜ミラーの代わりにＳｉ−Ｇｅ／ＳｉＯ2 交互
多層膜によって上記光反射層を構成し、それにより光反
射層の面内方向の抵抗を大きくし、解像度を高めた空間
光変調器が開示されている。
ＳｉＯ2 ／Ｓｉ交互多層膜ミラーやＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2
交互多層膜ミラーの代わりにＳｉ−Ｇｅ／ＳｉＯ2 交互
多層膜によって上記光反射層を構成し、それにより光反
射層の面内方向の抵抗を大きくし、解像度を高めた空間
光変調器が開示されている。
【００１０】さらに特開平３−２１７８２５号公報に
は、ＳｉＯ2 膜と、ＳｉまたはＧｅからなる光吸収性膜
との交互多層膜ミラーによって上記光反射層を構成し、
それによりミラー層に遮光層としての機能も併せ持た
せ、ミラー層と遮光層とでの電圧損を少なくし、かつ電
気力線の広がりも小さくして、コントラスト比や解像度
を高めた空間光変調器が開示されている。
は、ＳｉＯ2 膜と、ＳｉまたはＧｅからなる光吸収性膜
との交互多層膜ミラーによって上記光反射層を構成し、
それによりミラー層に遮光層としての機能も併せ持た
せ、ミラー層と遮光層とでの電圧損を少なくし、かつ電
気力線の広がりも小さくして、コントラスト比や解像度
を高めた空間光変調器が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のような
空間光変調器においては、特開平３−１０７８１８号公
報にも開示されている通り、光反射層やそれと合わせて
配される遮光層の面内方向の導電性が高いと、良好な画
像を得ることができない。そこで、金属のように導電性
の高い材料から光反射層や遮光層を形成する場合は、各
画素毎に該光反射層および／または遮光層をパターニン
グして絶縁したり、上記特開平３−１０７８１８号公報
にも示されているように導電性をできるだけ小さくする
方策が取られる。
空間光変調器においては、特開平３−１０７８１８号公
報にも開示されている通り、光反射層やそれと合わせて
配される遮光層の面内方向の導電性が高いと、良好な画
像を得ることができない。そこで、金属のように導電性
の高い材料から光反射層や遮光層を形成する場合は、各
画素毎に該光反射層および／または遮光層をパターニン
グして絶縁したり、上記特開平３−１０７８１８号公報
にも示されているように導電性をできるだけ小さくする
方策が取られる。
【００１２】このような事情があるため上記光反射層
は、電気絶縁性の誘電体多層膜ミラーから構成されるこ
とが多い。光反射層を絶縁性材料から形成した場合、一
般的に、電気光学材料層に作用して画像を形成する電場
は、光反射層、遮光層、電気光学材料層等の絶縁性層を
通過するのに従って横方向に広がるので、これらの絶縁
性層の厚みが大きいほど解像度は低下する。
は、電気絶縁性の誘電体多層膜ミラーから構成されるこ
とが多い。光反射層を絶縁性材料から形成した場合、一
般的に、電気光学材料層に作用して画像を形成する電場
は、光反射層、遮光層、電気光学材料層等の絶縁性層を
通過するのに従って横方向に広がるので、これらの絶縁
性層の厚みが大きいほど解像度は低下する。
【００１３】また、特に光パターンを光学的に入力する
形式の空間光変調器においては、上記絶縁性層による電
圧損失があるので、その電気容量が小さくなる（膜厚が
大きくなる）のにつれて電気光学材料層に印加される電
場の変調量が小さくなり、感度が劣化する。
形式の空間光変調器においては、上記絶縁性層による電
圧損失があるので、その電気容量が小さくなる（膜厚が
大きくなる）のにつれて電気光学材料層に印加される電
場の変調量が小さくなり、感度が劣化する。
【００１４】以上のような事情から、空間光変調器の光
反射層については、その膜厚をできるだけ小さくするこ
とが求められている。
反射層については、その膜厚をできるだけ小さくするこ
とが求められている。
【００１５】他方、上記空間光変調器を前述のようなカ
ラーの画像記録装置やカラーのビデオプロジェクター等
に適用する場合、光利用効率を高めるために光反射層の
絶対反射率は高い方が望ましく、また可視波長全域に対
して色味が付かないように、光反射層の分光反射率はで
きるだけフラットであることが望ましい。
ラーの画像記録装置やカラーのビデオプロジェクター等
に適用する場合、光利用効率を高めるために光反射層の
絶対反射率は高い方が望ましく、また可視波長全域に対
して色味が付かないように、光反射層の分光反射率はで
きるだけフラットであることが望ましい。
【００１６】光反射層を構成する誘電体多層膜ミラーと
しては、単一中心波長に対する１／４波長層の繰返し多
層膜からなるものが広く知られているが、そのような誘
電体多層膜ミラーは一般に、可視波長全域をカバーする
だけの帯域を備えていない。そこで、２以上のいくつか
の中心波長に対する誘電体多層膜ミラーをさらに多層化
して用いざるを得ないが、そのようにすると当然にミラ
ーの膜厚が増大して、解像度および感度の劣化につなが
る。
しては、単一中心波長に対する１／４波長層の繰返し多
層膜からなるものが広く知られているが、そのような誘
電体多層膜ミラーは一般に、可視波長全域をカバーする
だけの帯域を備えていない。そこで、２以上のいくつか
の中心波長に対する誘電体多層膜ミラーをさらに多層化
して用いざるを得ないが、そのようにすると当然にミラ
ーの膜厚が増大して、解像度および感度の劣化につなが
る。
【００１７】そこで本発明は、空間光変調器の光反射層
を構成する多層膜ミラーの膜厚をより小さくして、解像
度および感度の高い画像記録装置を提供することを目的
とする。
を構成する多層膜ミラーの膜厚をより小さくして、解像
度および感度の高い画像記録装置を提供することを目的
とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明による画像記録装
置は、前述したように、間に絶縁性の多層膜ミラーを挟
んで配置された光導電層および電気光学材料層を有し、
光導電層側から光パターンが光学的に入力されることに
より該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層側から
前記多層膜ミラーで反射する読出し光が照射されること
により前記書き込まれた光パターンが読み出される１つ
の空間光変調器と、この空間光変調器にＢ（ブルー）、
Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターンを入力
する光パターン入力手段と、該入力に同期してＢ、Ｇお
よびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射する光源、
および該空間光変調器から読み出された光パターンをカ
ラー感光材料に照射する光学系からなる光パターン読出
手段とを有して、前記感光材料に前記光パターンにより
表されるカラー画像を記録する画像記録装置において、
空間光変調器の多層膜ミラーとして、使用するカラー感
光材料の感度がより高い波長域の読出し光に対する反射
率がより低い分光反射率特性を有するものが用いられた
ことを特徴とするものである。
置は、前述したように、間に絶縁性の多層膜ミラーを挟
んで配置された光導電層および電気光学材料層を有し、
光導電層側から光パターンが光学的に入力されることに
より該光パターンが書き込まれ、電気光学材料層側から
前記多層膜ミラーで反射する読出し光が照射されること
により前記書き込まれた光パターンが読み出される１つ
の空間光変調器と、この空間光変調器にＢ（ブルー）、
Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光パターンを入力
する光パターン入力手段と、該入力に同期してＢ、Ｇお
よびＲの読出し光を前記空間光変調器に照射する光源、
および該空間光変調器から読み出された光パターンをカ
ラー感光材料に照射する光学系からなる光パターン読出
手段とを有して、前記感光材料に前記光パターンにより
表されるカラー画像を記録する画像記録装置において、
空間光変調器の多層膜ミラーとして、使用するカラー感
光材料の感度がより高い波長域の読出し光に対する反射
率がより低い分光反射率特性を有するものが用いられた
ことを特徴とするものである。
【００１９】なお上記構成の画像記録装置において、よ
り具体的に、カラー感光材料として、Ｂ、ＧおよびＲの
読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR が、ＳB ＞
ＳG ＞ＳR なる関係にあるものが用いられる場合、前記
多層膜ミラーとして、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対す
る各反射率ＲB 、ＲG およびＲR が、ＲB ＜ＲG ＜ＲR
なる関係にあるものが用いられる。
り具体的に、カラー感光材料として、Ｂ、ＧおよびＲの
読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR が、ＳB ＞
ＳG ＞ＳR なる関係にあるものが用いられる場合、前記
多層膜ミラーとして、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対す
る各反射率ＲB 、ＲG およびＲR が、ＲB ＜ＲG ＜ＲR
なる関係にあるものが用いられる。
【００２０】また、特にＢ、ＧおよびＲの読出し光がそ
れぞれ４６０〜５００ｎｍ、５４０〜５８０ｎｍ、６３
０〜７５０ｎｍの波長域にある場合、Ｒの読出し光に対
する平均の反射率ＲR を１００としたとき、Ｂの読出し
光に対する平均の反射率ＲB は５≦ＲB ＜３０、Ｇの読
出し光に対する平均の反射率ＲG は３０≦ＲG ≦７０で
あることが望ましい。
れぞれ４６０〜５００ｎｍ、５４０〜５８０ｎｍ、６３
０〜７５０ｎｍの波長域にある場合、Ｒの読出し光に対
する平均の反射率ＲR を１００としたとき、Ｂの読出し
光に対する平均の反射率ＲB は５≦ＲB ＜３０、Ｇの読
出し光に対する平均の反射率ＲG は３０≦ＲG ≦７０で
あることが望ましい。
【００２１】一方上記多層膜ミラーは、電気絶縁性の誘
電体単体、もしくは複数の誘電体の多層膜から形成され
るのが望ましい。さらに具体的に、この多層膜ミラーと
しては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸
化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、硫
化亜鉛の単体、混合物、あるいは、単体もしくは混合物
の複数の組合わせからなるものが挙げられる。
電体単体、もしくは複数の誘電体の多層膜から形成され
るのが望ましい。さらに具体的に、この多層膜ミラーと
しては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸
化タンタル、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、硫
化亜鉛の単体、混合物、あるいは、単体もしくは混合物
の複数の組合わせからなるものが挙げられる。
【００２２】また上記多層膜ミラーの膜厚は、３μｍ以
下であることが望ましい。
下であることが望ましい。
【００２３】
【発明の効果】一般に知られているように誘電体多層膜
ミラー等の多層膜ミラーは、フラットな分光反射率特性
を持たせようとすると、必然的に層数を多くせざるを得
ず、そのために膜厚が増大してしまう。
ミラー等の多層膜ミラーは、フラットな分光反射率特性
を持たせようとすると、必然的に層数を多くせざるを得
ず、そのために膜厚が増大してしまう。
【００２４】それに対して、カラー感光材料の感度がよ
り高い波長域の読出し光に対する反射率がより低いよう
な、フラットではない分光反射率特性を持つ多層膜ミラ
ーは、層数をさほど多くすることなく形成可能である。
このような多層膜ミラーは当然、層数が多いものよりも
膜厚を小さくできる。そのように膜厚が小さい多層膜ミ
ラーを光反射層として備える空間光変調器においては、
電気力線の広がりが小さくなって解像度が高くなり、ま
た電圧損が小さくなって、液晶層等の電気光学材料層に
印加される電圧の変調度が大きくなる。そこで、このよ
うな空間光変調器を有する本発明の画像記録装置は、解
像度および感度が高いものとなり得る。
り高い波長域の読出し光に対する反射率がより低いよう
な、フラットではない分光反射率特性を持つ多層膜ミラ
ーは、層数をさほど多くすることなく形成可能である。
このような多層膜ミラーは当然、層数が多いものよりも
膜厚を小さくできる。そのように膜厚が小さい多層膜ミ
ラーを光反射層として備える空間光変調器においては、
電気力線の広がりが小さくなって解像度が高くなり、ま
た電圧損が小さくなって、液晶層等の電気光学材料層に
印加される電圧の変調度が大きくなる。そこで、このよ
うな空間光変調器を有する本発明の画像記録装置は、解
像度および感度が高いものとなり得る。
【００２５】また、上記のような分光反射率特性の多層
膜ミラーを用いることにより、この分光反射率特性によ
ってカラー感光材料の分光感度特性が補償されるので、
白色光をカラーフィルタに通して記録光として使用する
場合には、その光利用効率を高めることができる。
膜ミラーを用いることにより、この分光反射率特性によ
ってカラー感光材料の分光感度特性が補償されるので、
白色光をカラーフィルタに通して記録光として使用する
場合には、その光利用効率を高めることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態
による画像記録装置を示すものである。この画像記録装
置１は、光パターンを投影するためのＣＲＴ２と、ＣＲ
Ｔ２により投影された光パターンが一方の面から書き込
まれ、他方の面から光が照射されることにより、上記書
き込まれた光パターンが読み出される空間光変調器３
と、この空間光変調器３に読出し光を照射するハロゲン
ランプ４と、ハロゲンランプ４が発した光の中からＢ
（ブルー），Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光を
選択的に透過させるフィルタ５と、このフィルタ５を透
過した光を空間光変調器３に入射させるための偏光ビー
ムスプリッタ（ＰＢＳ）６と、ＣＲＴ２から出射した光
パターンを空間光変調器３に入射させる書込みレンズ７
と、空間光変調器３から読み出された光パターンを感光
材料９に投影させる投影レンズ８とを有している。
施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態
による画像記録装置を示すものである。この画像記録装
置１は、光パターンを投影するためのＣＲＴ２と、ＣＲ
Ｔ２により投影された光パターンが一方の面から書き込
まれ、他方の面から光が照射されることにより、上記書
き込まれた光パターンが読み出される空間光変調器３
と、この空間光変調器３に読出し光を照射するハロゲン
ランプ４と、ハロゲンランプ４が発した光の中からＢ
（ブルー），Ｇ（グリーン）およびＲ（レッド）の光を
選択的に透過させるフィルタ５と、このフィルタ５を透
過した光を空間光変調器３に入射させるための偏光ビー
ムスプリッタ（ＰＢＳ）６と、ＣＲＴ２から出射した光
パターンを空間光変調器３に入射させる書込みレンズ７
と、空間光変調器３から読み出された光パターンを感光
材料９に投影させる投影レンズ８とを有している。
【００２７】ここで上記空間光変調器３について、図２
を参照して説明する。同図に示されるように空間光変調
器３は、光照射を受けてインピーダンスが変化する光導
電層10と、この光導電層10と平行にして近接配置された
液晶層11と、この液晶層11と光導電層10との間に層状に
形成されて、液晶層11を通過して来た読出し光21を反射
させる誘電体ミラー12とを備えている。液晶層11の両側
には、それぞれ配向膜13、14が配されている。
を参照して説明する。同図に示されるように空間光変調
器３は、光照射を受けてインピーダンスが変化する光導
電層10と、この光導電層10と平行にして近接配置された
液晶層11と、この液晶層11と光導電層10との間に層状に
形成されて、液晶層11を通過して来た読出し光21を反射
させる誘電体ミラー12とを備えている。液晶層11の両側
には、それぞれ配向膜13、14が配されている。
【００２８】また、光導電層10と誘電体ミラー12との間
には、読出し光21を遮断する光吸収層（遮光膜）16が配
されている。一方、光導電層10の外側には透明電極17
が、配向膜14の外側には透明電極18がそれぞれ配されて
いる。
には、読出し光21を遮断する光吸収層（遮光膜）16が配
されている。一方、光導電層10の外側には透明電極17
が、配向膜14の外側には透明電極18がそれぞれ配されて
いる。
【００２９】以上の要素10〜18は、低い熱膨張係数を有
する１対のガラス基板40、41の間に挟持されている。そ
して透明電極17、18には、光導電層10と液晶層11との間
に交流バイアス電圧を印加する電源42が接続されてい
る。
する１対のガラス基板40、41の間に挟持されている。そ
して透明電極17、18には、光導電層10と液晶層11との間
に交流バイアス電圧を印加する電源42が接続されてい
る。
【００３０】一例として光導電層10はａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）からなり、厚さは１０μｍとされてい
る。液晶層11は、誘電異方性Δεが負の液晶を使用する
ティルテッドホメオトロピック配向が適用されたもの
で、その厚さは例えば６μｍ、また動作モードはＥＣＢ
モードである。誘電体ミラー12は、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2
とが交互に製膜、積層されてなる多層膜ミラーで、厚さ
は１．２μｍである。
ファスシリコン）からなり、厚さは１０μｍとされてい
る。液晶層11は、誘電異方性Δεが負の液晶を使用する
ティルテッドホメオトロピック配向が適用されたもの
で、その厚さは例えば６μｍ、また動作モードはＥＣＢ
モードである。誘電体ミラー12は、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2
とが交互に製膜、積層されてなる多層膜ミラーで、厚さ
は１．２μｍである。
【００３１】一方配向膜13および14はＳｉＯの蒸着膜か
らなり、厚さはそれぞれ４０ｎｍである。光吸収層16は
カーボンを分散した紫外線硬化型樹脂からなり、厚さは
２μｍである。透明電極17および18はＩＴＯベタ電極で
あり、厚さはそれぞれ０．１μｍである。
らなり、厚さはそれぞれ４０ｎｍである。光吸収層16は
カーボンを分散した紫外線硬化型樹脂からなり、厚さは
２μｍである。透明電極17および18はＩＴＯベタ電極で
あり、厚さはそれぞれ０．１μｍである。
【００３２】次に、この空間光変調器３の製造方法につ
いて説明する。まずガラス基板40、41の各一表面上に、
ＩＴＯ膜からなる透明電極17、18を形成する。次に一方
のガラス基板40の透明電極17の上に、ＣＶＤ法によりａ
−Ｓｉ膜を製膜して、光導電層10を形成する。さらにそ
の上に、カーボンを分散した紫外線硬化型の樹脂を塗布
し、それを紫外線照射により硬化させて光吸収層16を形
成する。
いて説明する。まずガラス基板40、41の各一表面上に、
ＩＴＯ膜からなる透明電極17、18を形成する。次に一方
のガラス基板40の透明電極17の上に、ＣＶＤ法によりａ
−Ｓｉ膜を製膜して、光導電層10を形成する。さらにそ
の上に、カーボンを分散した紫外線硬化型の樹脂を塗布
し、それを紫外線照射により硬化させて光吸収層16を形
成する。
【００３３】この光吸収層16の上に、真空蒸着法によ
り、１０ｎｍから１４０ｎｍの範囲で各々最適化された
厚みを持つＴｉＯ2 膜およびＳｉＯ2 膜を交互に合計１
５層製膜、積層して、誘電体ミラー12を形成する。
り、１０ｎｍから１４０ｎｍの範囲で各々最適化された
厚みを持つＴｉＯ2 膜およびＳｉＯ2 膜を交互に合計１
５層製膜、積層して、誘電体ミラー12を形成する。
【００３４】この誘電体ミラー12の分光透過率特性を、
図５に示す。ここでは測定上の都合から透過率Ｔ（％）
を示してあるが、反射率Ｒ（％）は本質的にほぼＲ＝１
００−Ｔとなる。この図５から分かるように本例におけ
る誘電体ミラー12は、波長域が４６０〜５００ｎｍのＢ
（ブルー）の光、５４０〜５８０ｎｍのＧ（グリーン）
の光、６３０〜７５０ｎｍのＲ（レッド）の光に対する
各平均の反射率をそれぞれＲB 、ＲG 、ＲR としたと
き、ＲB ＝約２０％、ＲG ＝約６０％、ＲR ＝約９０％
となっている。つまりＲB ＜ＲG ＜ＲR であって、ＲR
＝１００とすると、ＲB ＝約１８、ＲG ＝約５４であ
る。
図５に示す。ここでは測定上の都合から透過率Ｔ（％）
を示してあるが、反射率Ｒ（％）は本質的にほぼＲ＝１
００−Ｔとなる。この図５から分かるように本例におけ
る誘電体ミラー12は、波長域が４６０〜５００ｎｍのＢ
（ブルー）の光、５４０〜５８０ｎｍのＧ（グリーン）
の光、６３０〜７５０ｎｍのＲ（レッド）の光に対する
各平均の反射率をそれぞれＲB 、ＲG 、ＲR としたと
き、ＲB ＝約２０％、ＲG ＝約６０％、ＲR ＝約９０％
となっている。つまりＲB ＜ＲG ＜ＲR であって、ＲR
＝１００とすると、ＲB ＝約１８、ＲG ＝約５４であ
る。
【００３５】なお誘電体ミラー12は、分光反射率特性を
フラットなものとする必要がないために、上述の通り厚
さ１．２μｍと極めて薄く形成できるものである。
フラットなものとする必要がないために、上述の通り厚
さ１．２μｍと極めて薄く形成できるものである。
【００３６】次にガラス基板40の誘電体ミラー12の上に
ＳｉＯを斜め蒸着して、配向膜13を形成する。なおこの
蒸着は、誘電体ミラー12の蒸着方向と直角な方向で行な
う。また、一表面上に透明電極18が形成されたガラス基
板41にも、上記と同様にＳｉＯを斜め蒸着して、配向膜
14を形成する。
ＳｉＯを斜め蒸着して、配向膜13を形成する。なおこの
蒸着は、誘電体ミラー12の蒸着方向と直角な方向で行な
う。また、一表面上に透明電極18が形成されたガラス基
板41にも、上記と同様にＳｉＯを斜め蒸着して、配向膜
14を形成する。
【００３７】上記のガラス基板40および41を、配向膜1
3、14の蒸着方向が反平行になるように対面させ、また
スペーサとして６μｍ径のシリカビーズが混練されたエ
ポキシ系接着剤を用いて、光学的な有効領域の外側のみ
を糊代として貼り合わせる。このとき両ガラス基板40お
よび41は、間にほぼ６μｍの間隔を置いて対面する状態
となる。このようにして形成されたセル内に、チッソ株
式会社製のＥＣＢ動作モードの液晶（製品名：Ｎ−35）
を真空注入後、注入口をエポキシ系接着剤により封止す
る。以上により、図２の空間光変調器３が得られる。
3、14の蒸着方向が反平行になるように対面させ、また
スペーサとして６μｍ径のシリカビーズが混練されたエ
ポキシ系接着剤を用いて、光学的な有効領域の外側のみ
を糊代として貼り合わせる。このとき両ガラス基板40お
よび41は、間にほぼ６μｍの間隔を置いて対面する状態
となる。このようにして形成されたセル内に、チッソ株
式会社製のＥＣＢ動作モードの液晶（製品名：Ｎ−35）
を真空注入後、注入口をエポキシ系接着剤により封止す
る。以上により、図２の空間光変調器３が得られる。
【００３８】上記構成の空間光変調器３において、光パ
ターン20を光導電層10に照射すると、光導電層10の光照
射部分のインピーダンスが低下し、その部分に対応する
箇所において液晶層11の電圧が上昇し、液晶の分子配列
が変化する。そこで、直線偏光である読出し光21を液晶
層11を通して誘電体ミラー12で反射させるようにしてお
くと、反射する読出し光21は液晶の分子配列変化に基づ
いて変調されるので、この読出し光21を検光して、上記
光パターン20を表示させることができる。
ターン20を光導電層10に照射すると、光導電層10の光照
射部分のインピーダンスが低下し、その部分に対応する
箇所において液晶層11の電圧が上昇し、液晶の分子配列
が変化する。そこで、直線偏光である読出し光21を液晶
層11を通して誘電体ミラー12で反射させるようにしてお
くと、反射する読出し光21は液晶の分子配列変化に基づ
いて変調されるので、この読出し光21を検光して、上記
光パターン20を表示させることができる。
【００３９】なお、このような空間光変調器３として
は、例えば日本ビクター株式会社製の液晶プロジェクタ
ーＩＬＡ−Ｍ３１５Ｇに用いられているＩＬＡ用デバイ
スが好適に用いられる。また、このような空間光変調器
３についての詳細は、三好の文献に開示されている（進
歩が著しい液晶プロジェクター、ＩＬＡTM，三好忠義，
Ｏ plus Ｅ No.165，p71 〜76，1993年８月）。
は、例えば日本ビクター株式会社製の液晶プロジェクタ
ーＩＬＡ−Ｍ３１５Ｇに用いられているＩＬＡ用デバイ
スが好適に用いられる。また、このような空間光変調器
３についての詳細は、三好の文献に開示されている（進
歩が著しい液晶プロジェクター、ＩＬＡTM，三好忠義，
Ｏ plus Ｅ No.165，p71 〜76，1993年８月）。
【００４０】次いで、この画像記録装置１の動作につい
て説明する。まず、図１に示されるようにＣＲＴ２に画
像信号Ｑが入力され、この画像信号Ｑにより表される画
像の光パターン20がＣＲＴ２から投影される。ここで、
本実施形態ではカラー印刷をするため、まずＢの画像を
表す信号がＣＲＴ２に入力されてＢの画像を表す光パタ
ーン20が投影される。この際、ＣＲＴ２の輝度を低くす
ることによりＣＲＴ２のビーム径が小さくなり、これに
より空間光変調器３に書き込まれる光パターン20の解像
度が高くなる。ＣＲＴ２に投影された光パターン20は書
込みレンズ７を介して空間光変調器３の書込み側（光導
電層10側）の面に照射される。空間光変調器３に照射さ
れた光パターン20は、この空間光変調器３に書き込まれ
る。
て説明する。まず、図１に示されるようにＣＲＴ２に画
像信号Ｑが入力され、この画像信号Ｑにより表される画
像の光パターン20がＣＲＴ２から投影される。ここで、
本実施形態ではカラー印刷をするため、まずＢの画像を
表す信号がＣＲＴ２に入力されてＢの画像を表す光パタ
ーン20が投影される。この際、ＣＲＴ２の輝度を低くす
ることによりＣＲＴ２のビーム径が小さくなり、これに
より空間光変調器３に書き込まれる光パターン20の解像
度が高くなる。ＣＲＴ２に投影された光パターン20は書
込みレンズ７を介して空間光変調器３の書込み側（光導
電層10側）の面に照射される。空間光変調器３に照射さ
れた光パターン20は、この空間光変調器３に書き込まれ
る。
【００４１】このようにして光パターン20が空間光変調
器３に書き込まれた後、ハロゲンランプ４から読出し光
21が射出される。この読出し光21はＢのフィルタ５を透
過してＰＢＳ６に入射し、このＰＢＳ６で反射して空間
光変調器３の読み出し側（液晶層11側）の面に入射す
る。空間光変調器３に入射した読出し光21は前述したよ
うに空間光変調器３により変調されて反射し、記録光22
として再度ＰＢＳ６に入射し、これを透過して投影レン
ズ８を介して感光材料９に照射される。そこで感光材料
９はこの記録光22に感光し、該感光材料９にＢの画像が
記録される。
器３に書き込まれた後、ハロゲンランプ４から読出し光
21が射出される。この読出し光21はＢのフィルタ５を透
過してＰＢＳ６に入射し、このＰＢＳ６で反射して空間
光変調器３の読み出し側（液晶層11側）の面に入射す
る。空間光変調器３に入射した読出し光21は前述したよ
うに空間光変調器３により変調されて反射し、記録光22
として再度ＰＢＳ６に入射し、これを透過して投影レン
ズ８を介して感光材料９に照射される。そこで感光材料
９はこの記録光22に感光し、該感光材料９にＢの画像が
記録される。
【００４２】次いで、Ｇの光パターンを担持する画像信
号ＱがＣＲＴ２に入力されて、上述したＢの場合と同様
にＧの光パターンが空間光変調器３に書き込まれる。ま
たこのＧの光パターンが書き込まれると、フィルタ５が
Ｇに切り換えられ、Ｇの読出し光21によりＧの光パター
ンが読み出されて感光材料９に記録される。
号ＱがＣＲＴ２に入力されて、上述したＢの場合と同様
にＧの光パターンが空間光変調器３に書き込まれる。ま
たこのＧの光パターンが書き込まれると、フィルタ５が
Ｇに切り換えられ、Ｇの読出し光21によりＧの光パター
ンが読み出されて感光材料９に記録される。
【００４３】次に、Ｒの光パターンを担持する画像信号
ＱがＣＲＴ２に入力されて、上述したＢおよびＧの場合
と同様にＲの光パターンが空間光変調器３に書き込まれ
る。またこのＲの光パターンが書き込まれると、フィル
タ５がＲに切り換えられ、Ｒの読出し光21によりＲの光
パターンが読み出されて感光材料９に記録される。
ＱがＣＲＴ２に入力されて、上述したＢおよびＧの場合
と同様にＲの光パターンが空間光変調器３に書き込まれ
る。またこのＲの光パターンが書き込まれると、フィル
タ５がＲに切り換えられ、Ｒの読出し光21によりＲの光
パターンが読み出されて感光材料９に記録される。
【００４４】このようにしてＢ，ＧおよびＲの画像信号
Ｑを順次ＣＲＴ２に入力するとともに、書き込まれた各
光パターンをＢ，ＧおよびＲの読出し光21により読み出
して感光材料９に記録することにより、この感光材料９
にカラーの画像（写真潜像）が記録される。
Ｑを順次ＣＲＴ２に入力するとともに、書き込まれた各
光パターンをＢ，ＧおよびＲの読出し光21により読み出
して感光材料９に記録することにより、この感光材料９
にカラーの画像（写真潜像）が記録される。
【００４５】ここで、空間光変調器３からの光パターン
の読出しについて詳細に説明する。図３および図４は、
空間光変調器３からの光パターンの読出しの詳細を説明
するための図である。図３に示すように、ハロゲンラン
プ４から射出される読出し光21は偏りがない自然光であ
り、ＰＢＳ６によりＰ波（電気ベクトルが図面に平行な
光）とＳ波（電気ベクトルが図面に垂直な光）の直線偏
光に分離される。Ｐ波はＰＢＳ６を直進し、Ｓ波のみが
ＰＢＳ６の膜面で反射して空間光変調器３に到達する。
の読出しについて詳細に説明する。図３および図４は、
空間光変調器３からの光パターンの読出しの詳細を説明
するための図である。図３に示すように、ハロゲンラン
プ４から射出される読出し光21は偏りがない自然光であ
り、ＰＢＳ６によりＰ波（電気ベクトルが図面に平行な
光）とＳ波（電気ベクトルが図面に垂直な光）の直線偏
光に分離される。Ｐ波はＰＢＳ６を直進し、Ｓ波のみが
ＰＢＳ６の膜面で反射して空間光変調器３に到達する。
【００４６】図４は空間光変調器３の液晶層11における
垂直配向液晶分子の長軸方向と、光の変調特性との関係
を表す図であり、その（ａ）は光導電層10に光パターン
が書き込まれていない状態を表し、（ｂ）は光導電層10
に光パターンが書き込まれている状態を表している。
垂直配向液晶分子の長軸方向と、光の変調特性との関係
を表す図であり、その（ａ）は光導電層10に光パターン
が書き込まれていない状態を表し、（ｂ）は光導電層10
に光パターンが書き込まれている状態を表している。
【００４７】図４（ａ）に示すように、光導電層10に光
パターンが書き込まれないで高インピーダンスとなって
いる場合は、前述の電源42から交流バイアス電圧が印加
されている状態下で、液晶層両端間の電圧は所定のしき
い値以下となり、液晶分子の長軸と通過光軸とが合致し
て複屈折効果を示さない。したがって、Ｓ波で入射した
光は液晶層11、誘電体ミラー12、液晶層11という経路を
通過した後もＳ波のまま空間光変調器３から出射し、図
３における入射時と同様の経路を通って光源に戻るた
め、記録光としては反射されない。このような液晶分子
の垂直配向による無変調状態は波長依存性がないため、
高いコントラスト比が得られる。
パターンが書き込まれないで高インピーダンスとなって
いる場合は、前述の電源42から交流バイアス電圧が印加
されている状態下で、液晶層両端間の電圧は所定のしき
い値以下となり、液晶分子の長軸と通過光軸とが合致し
て複屈折効果を示さない。したがって、Ｓ波で入射した
光は液晶層11、誘電体ミラー12、液晶層11という経路を
通過した後もＳ波のまま空間光変調器３から出射し、図
３における入射時と同様の経路を通って光源に戻るた
め、記録光としては反射されない。このような液晶分子
の垂直配向による無変調状態は波長依存性がないため、
高いコントラスト比が得られる。
【００４８】一方、図４（ｂ）に示すように光導電層10
に光パターンが書き込まれて、低インピーダンスとなっ
ている場合は、交流バイアス電圧が印加されている状態
下で、液晶層11の両端間に数ボルトの電圧が印加され
る。液晶分子は印加電圧が発生した電界と直交する方向
に傾き、通過光軸と液晶分子の長軸とが交わり複屈折性
が示される。よってＳ波で入射した光は液晶層11を進む
間に偏光形態に変調を受け、図４（ｂ）に示すように楕
円偏光や円偏光に変換された後、空間光変調器３から出
射する。
に光パターンが書き込まれて、低インピーダンスとなっ
ている場合は、交流バイアス電圧が印加されている状態
下で、液晶層11の両端間に数ボルトの電圧が印加され
る。液晶分子は印加電圧が発生した電界と直交する方向
に傾き、通過光軸と液晶分子の長軸とが交わり複屈折性
が示される。よってＳ波で入射した光は液晶層11を進む
間に偏光形態に変調を受け、図４（ｂ）に示すように楕
円偏光や円偏光に変換された後、空間光変調器３から出
射する。
【００４９】読出し光21は、空間光変調器３に書き込ま
れた光パターンに応じて変調度が変化し、最大変調のと
きにＰ波に変調され、ＰＢＳ６に入射した光束はそこを
透過して記録光22として感光材料９に照射される。この
ようにして、空間光変調器３に書き込まれた光パターン
に応じて読出し光21が変調され、感光材料９に照射され
る。
れた光パターンに応じて変調度が変化し、最大変調のと
きにＰ波に変調され、ＰＢＳ６に入射した光束はそこを
透過して記録光22として感光材料９に照射される。この
ようにして、空間光変調器３に書き込まれた光パターン
に応じて読出し光21が変調され、感光材料９に照射され
る。
【００５０】以上のようにしてカラー画像が記録された
感光材料９は、図示しない現像機において現像処理さ
れ、これによりカラー画像が可視像として再生される。
感光材料９は、図示しない現像機において現像処理さ
れ、これによりカラー画像が可視像として再生される。
【００５１】上記カラー感光材料９のＢ、ＧおよびＲの
読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR の比は、一
般的なものと同様に概ね１００：２０：１となってい
る。それに対して、前述したように、誘電体ミラー12の
Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対する反射率の比を概ね１
８：５４：１００としておくと、ハロゲンランプ４の発
光スペクトル特性等と相乗された上で、感光材料９の分
光感度特性が補償され得る。
読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR の比は、一
般的なものと同様に概ね１００：２０：１となってい
る。それに対して、前述したように、誘電体ミラー12の
Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に対する反射率の比を概ね１
８：５４：１００としておくと、ハロゲンランプ４の発
光スペクトル特性等と相乗された上で、感光材料９の分
光感度特性が補償され得る。
【００５２】カラー感光材料９に再生されたカラー画像
の解像度を、ＵＳＡＦチャートを用いて評価したとこ
ろ、４０（ｌｐ／ｍｍ）であった。また図６に概念を示
してある、書込み光パワーに対する読出し光変調度の応
答を調べ、変調度が飽和値の９０％になる書込み光パワ
ーで感度を定義すると、本実施形態の場合は１０（μＷ
／ｃｍ2 ）であった。
の解像度を、ＵＳＡＦチャートを用いて評価したとこ
ろ、４０（ｌｐ／ｍｍ）であった。また図６に概念を示
してある、書込み光パワーに対する読出し光変調度の応
答を調べ、変調度が飽和値の９０％になる書込み光パワ
ーで感度を定義すると、本実施形態の場合は１０（μＷ
／ｃｍ2 ）であった。
【００５３】＜比較例＞上に述べた誘電体ミラー12以外
の構成は全て上記実施形態のものと同じにして、比較例
としての画像記録装置を形成し、それを用いて同様にカ
ラー感光材料９にカラー画像を記録した。この場合の、
誘電体ミラー12に代わる誘電体ミラーは、前述と同様の
Ｂ、Ｇ、Ｒの光に対する各平均の反射率ＲB 、ＲG 、Ｒ
R が全て約９０％であって、それらの光に対する分光反
射率特性はフラットである。
の構成は全て上記実施形態のものと同じにして、比較例
としての画像記録装置を形成し、それを用いて同様にカ
ラー感光材料９にカラー画像を記録した。この場合の、
誘電体ミラー12に代わる誘電体ミラーは、前述と同様の
Ｂ、Ｇ、Ｒの光に対する各平均の反射率ＲB 、ＲG 、Ｒ
R が全て約９０％であって、それらの光に対する分光反
射率特性はフラットである。
【００５４】その誘電体ミラーは、上記実施形態におけ
るのと同様に真空蒸着法によるＴｉＯ2 膜およびＳｉＯ
2 膜からなり、中心波長４３０ｎｍ、５６０ｎｍ、６９
０ｎｍ、８３０ｎｍの各々に対して９層の１／４波長交
互交互多層膜とＳｉＯ2 中間層を順次積層し、合計３９
層形成して得られたものである。この誘電体ミラーの総
膜厚は３．５μｍである。また、その分光反射率特性を
図７に示す。
るのと同様に真空蒸着法によるＴｉＯ2 膜およびＳｉＯ
2 膜からなり、中心波長４３０ｎｍ、５６０ｎｍ、６９
０ｎｍ、８３０ｎｍの各々に対して９層の１／４波長交
互交互多層膜とＳｉＯ2 中間層を順次積層し、合計３９
層形成して得られたものである。この誘電体ミラーの総
膜厚は３．５μｍである。また、その分光反射率特性を
図７に示す。
【００５５】この比較例としての画像記録装置を用い
て、前述のものと同じ感光材料９にカラー画像を記録し
た。この場合のカラー画像の解像度および装置感度を、
上記実施形態と同様にして評価したところ、解像度は３
５（ｌｐ／ｍｍ）、感度は１５（μＷ／ｃｍ2 ）であっ
た。
て、前述のものと同じ感光材料９にカラー画像を記録し
た。この場合のカラー画像の解像度および装置感度を、
上記実施形態と同様にして評価したところ、解像度は３
５（ｌｐ／ｍｍ）、感度は１５（μＷ／ｃｍ2 ）であっ
た。
【００５６】以上の通り、比較例のものと比べて総膜厚
が１．２μｍと１／３程度である誘電体ミラー12を用い
る本発明の実施形態においては、解像度および感度とも
明らかに高くなっていることが確認された。
が１．２μｍと１／３程度である誘電体ミラー12を用い
る本発明の実施形態においては、解像度および感度とも
明らかに高くなっていることが確認された。
【図１】本発明の一実施形態による画像記録装置を示す
概略側面図
概略側面図
【図２】図１の画像記録装置に用いられた空間光変調器
を表す概略側面図
を表す概略側面図
【図３】読出し光が変調される状態を説明するための図
【図４】液晶分子の長軸方向と光の変調特性との関係を
表す図
表す図
【図５】図２の空間光変調器における誘電体ミラーの分
光透過率特性を示すグラフ
光透過率特性を示すグラフ
【図６】画像記録装置の感度を説明するための説明図
【図７】比較例の空間光変調器における誘電体ミラーの
分光反射率特性を示すグラフ
分光反射率特性を示すグラフ
１ 画像記録装置 ２ ＣＲＴ ３ 空間光変調器 ４ ハロゲンランプ ５ フィルタ ６ 偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ） ７ 書込みレンズ ８ 投影レンズ ９ 感光材料 10 光導電層 11 液晶層 12 誘電体ミラー 13、14 配向膜 16 光吸収層 17、18 透明電極 20 光パターン 21 読出し光 22 記録光
Claims (6)
- 【請求項１】 間に絶縁性の多層膜ミラーを挟んで配置
された光導電層および電気光学材料層を有し、光導電層
側から光パターンが光学的に入力されることにより該光
パターンが書き込まれ、電気光学材料層側から前記多層
膜ミラーで反射する読出し光が照射されることにより前
記書き込まれた光パターンが読み出される１つの空間光
変調器と、 この空間光変調器にＢ（ブルー）、Ｇ（グリーン）およ
びＲ（レッド）の光パターンを入力する光パターン入力
手段と、 該入力に同期してＢ、ＧおよびＲの読出し光を前記空間
光変調器に照射する光源、および該空間光変調器から読
み出された光パターンをカラー感光材料に照射する光学
系からなる光パターン読出手段とを有して、 前記感光材料に前記光パターンにより表されるカラー画
像を記録する画像記録装置において、 前記空間光変調器の多層膜ミラーとして、前記カラー感
光材料の感度がより高い波長域の読出し光に対する反射
率がより低い分光反射率特性を有するものが用いられて
いることを特徴とする画像記録装置。 - 【請求項２】 前記カラー感光材料として、Ｂ、Ｇおよ
びＲの読出し光に対する感度ＳB 、ＳG およびＳR が、
ＳB ＞ＳG ＞ＳR なる関係にあるものが用いられるとと
もに、 前記多層膜ミラーとして、Ｂ、ＧおよびＲの読出し光に
対する各反射率ＲB 、ＲG およびＲR が、ＲB ＜ＲG ＜
ＲR なる関係にあるものが用いられていることを特徴と
する請求項１記載の画像記録装置。 - 【請求項３】前記Ｂ、ＧおよびＲの読出し光がそれぞれ
４６０〜５００ｎｍ、５４０〜５８０ｎｍ、６３０〜７
５０ｎｍの波長域にあり、 Ｒの読出し光に対する平均の前記反射率ＲR を１００と
したとき、Ｂの読出し光に対する平均の前記反射率ＲB
が５≦ＲB ＜３０であり、Ｇの読出し光に対する平均の
前記反射率ＲG が３０≦ＲG ≦７０であることを特徴と
する請求項２記載の画像記録装置。 - 【請求項４】 前記多層膜ミラーが電気絶縁性の誘電体
単体、もしくは複数の誘電体の多層膜から形成されてい
ることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の
画像記録装置。 - 【請求項５】 前記多層膜ミラーが、酸化ケイ素、酸化
チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、フッ化マグネ
シウム、フッ化リチウム、硫化亜鉛の単体、混合物、あ
るいは、単体もしくは混合物の複数の組合わせからなる
多層膜から形成されていることを特徴とする請求項１か
ら４いずれか１項記載の画像記録装置。 - 【請求項６】 前記多層膜ミラーの膜厚が３μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載
の画像記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10444697A JP3783117B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 画像記録装置 |
| US09/064,103 US5999246A (en) | 1997-04-22 | 1998-04-22 | Image recording apparatus with improved spatial light modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10444697A JP3783117B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 画像記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293318A true JPH10293318A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3783117B2 JP3783117B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=14380874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10444697A Expired - Fee Related JP3783117B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 画像記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5999246A (ja) |
| JP (1) | JP3783117B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH08240867A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 写真プリンタ |
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-
1998
- 1998-04-22 US US09/064,103 patent/US5999246A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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