JPH10287595A - ヘキサフルオロエタンの精製方法 - Google Patents
ヘキサフルオロエタンの精製方法Info
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- JPH10287595A JPH10287595A JP9098891A JP9889197A JPH10287595A JP H10287595 A JPH10287595 A JP H10287595A JP 9098891 A JP9098891 A JP 9098891A JP 9889197 A JP9889197 A JP 9889197A JP H10287595 A JPH10287595 A JP H10287595A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/151—Reduction of greenhouse gas [GHG] emissions, e.g. CO2
- Y02P20/155—Perfluorocarbons [PFC]; Hydrofluorocarbons [HFC]; Hydrochlorofluorocarbons [HCFC]; Chlorofluorocarbons [CFC]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分子内に炭素原子２個を含むハイドロフルオ
ロカーボン類（ＨＦＣ類）を不純物として含有するヘキ
サフルオロエタン（ＦＣ−１１６）を精製してＨＦＣ類
を殆ど含有しない高純度ＦＣ−１１６を得る簡便かつ経
済的で工業的に有利な精製方法を提供する。 【解決手段】 前記ＨＦＣ類を主として含有するＦＣ−
１１６を平均細孔径が３．５Å〜１１Å、シリカ／アル
ミニウム比が２．０以下のゼオライトおよび／または平
均細孔径が３．５Å〜１１Åの炭素質吸着剤（モレキュ
ラーシービングカーボン）からなる吸着剤と接触させて
前記ＨＦＣ類を吸着除去する。
ロカーボン類（ＨＦＣ類）を不純物として含有するヘキ
サフルオロエタン（ＦＣ−１１６）を精製してＨＦＣ類
を殆ど含有しない高純度ＦＣ−１１６を得る簡便かつ経
済的で工業的に有利な精製方法を提供する。 【解決手段】 前記ＨＦＣ類を主として含有するＦＣ−
１１６を平均細孔径が３．５Å〜１１Å、シリカ／アル
ミニウム比が２．０以下のゼオライトおよび／または平
均細孔径が３．５Å〜１１Åの炭素質吸着剤（モレキュ
ラーシービングカーボン）からなる吸着剤と接触させて
前記ＨＦＣ類を吸着除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヘキサフルオロエタ
ン（以下、「ＦＣ−１１６」、または「ＣＦ3 ＣＦ3 」
と称す）の精製方法に関し、さらに詳しくは不純物とし
て分子内に炭素原子２個を含むハイドロフルオロカーボ
ン類（以下、「ＨＦＣ類」と称す）を含有するＦＣ−１
１６を精製して、不純物のＨＦＣ類を低減する方法に関
する。
ン（以下、「ＦＣ−１１６」、または「ＣＦ3 ＣＦ3 」
と称す）の精製方法に関し、さらに詳しくは不純物とし
て分子内に炭素原子２個を含むハイドロフルオロカーボ
ン類（以下、「ＨＦＣ類」と称す）を含有するＦＣ−１
１６を精製して、不純物のＨＦＣ類を低減する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＣ−１１６は、例えば半導体のドライ
エッチング用などに使用されるため、高純度品が要求さ
れている。このＦＣ−１１６の製造方法に関しては、従
来から様々な方法が提案されている。具体的には、例え
ば（１）エタンおよび／またはエチレンを原料とする電
解フッ素化法、（２）四フッ化エチレンなどを熱分解す
る熱分解法、（３）アセチレン、エチレンおよび／また
はエタンなどを金属フッ化物を用いてフッ素化する方
法、（４）ジクロロテトラフルオロエタンやクロロペン
タフルオロエタンなどをフッ化水素を用いてフッ素化す
る方法、（５）フッ素ガスを用いてエタン、ハイドロフ
ルオロカーボンなどと反応させる直接フッ素化法などが
知られている。
エッチング用などに使用されるため、高純度品が要求さ
れている。このＦＣ−１１６の製造方法に関しては、従
来から様々な方法が提案されている。具体的には、例え
ば（１）エタンおよび／またはエチレンを原料とする電
解フッ素化法、（２）四フッ化エチレンなどを熱分解す
る熱分解法、（３）アセチレン、エチレンおよび／また
はエタンなどを金属フッ化物を用いてフッ素化する方
法、（４）ジクロロテトラフルオロエタンやクロロペン
タフルオロエタンなどをフッ化水素を用いてフッ素化す
る方法、（５）フッ素ガスを用いてエタン、ハイドロフ
ルオロカーボンなどと反応させる直接フッ素化法などが
知られている。
【０００３】しかしながら、これらの方法によってＦＣ
−１１６を製造する場合には、反応によって生成するＦ
Ｃ−１１６の中間体や副生成物、あるいは原料として用
いたハイドロフルオロカーボンが目的物であるＦＣ−１
１６と共沸混合物や共沸様混合物を形成するため、その
分離が極めて困難であるという問題がある。
−１１６を製造する場合には、反応によって生成するＦ
Ｃ−１１６の中間体や副生成物、あるいは原料として用
いたハイドロフルオロカーボンが目的物であるＦＣ−１
１６と共沸混合物や共沸様混合物を形成するため、その
分離が極めて困難であるという問題がある。
【０００４】このため、例えば、不純物として炭素原子
１個を含むクロロトリフルオロメタン（ＣＣｌＦ3 ）お
よび／またはトリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）を含むＦ
Ｃ−１１６を活性炭やゼオライトなどの吸着剤で処理す
るＦＣ−１１６の精製方法（米国特許第５，５２３，４
９９号明細書）などが提案されている。
１個を含むクロロトリフルオロメタン（ＣＣｌＦ3 ）お
よび／またはトリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）を含むＦ
Ｃ−１１６を活性炭やゼオライトなどの吸着剤で処理す
るＦＣ−１１６の精製方法（米国特許第５，５２３，４
９９号明細書）などが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、不純物
として分子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を主として
含有するＦＣ−１１６を精製してＨＦＣ類を殆ど含有し
ない高純度ＦＣ−１１６を製造する簡便かつ経済的で工
業的に有利な方法はなかった。本発明の目的は、不純物
として分子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を含有する
ＦＣ−１１６を吸着剤と接触させてＨＦＣ類を吸着除去
して、ＨＦＣ類を殆ど含有しない高純度ＦＣ−１１６を
容易に経済的にかつ工業的に有利に得ることができる精
製方法を提供することにある。
として分子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を主として
含有するＦＣ−１１６を精製してＨＦＣ類を殆ど含有し
ない高純度ＦＣ−１１６を製造する簡便かつ経済的で工
業的に有利な方法はなかった。本発明の目的は、不純物
として分子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を含有する
ＦＣ−１１６を吸着剤と接触させてＨＦＣ類を吸着除去
して、ＨＦＣ類を殆ど含有しない高純度ＦＣ−１１６を
容易に経済的にかつ工業的に有利に得ることができる精
製方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の課題
を解決するため鋭意研究した結果、高純度のＦＣ−１１
６を製造する過程において、ＨＦＣ類を含有するＦＣ−
１１６を、特定の平均細孔径およびシリカ／アルミニウ
ム比（Ｓｉ／Ａｌ）を有するゼオライトおよび／または
特定の平均細孔径を有する炭素質吸着剤（モレキュラー
シービングカーボン）からなる吸着剤と接触させること
により、ＨＦＣ類を選択的に吸着除去でき、ＨＦＣ類を
殆ど含有しない高純度ＦＣ−１１６を容易に得ることが
できることを見いだし本発明を成すに到った。
を解決するため鋭意研究した結果、高純度のＦＣ−１１
６を製造する過程において、ＨＦＣ類を含有するＦＣ−
１１６を、特定の平均細孔径およびシリカ／アルミニウ
ム比（Ｓｉ／Ａｌ）を有するゼオライトおよび／または
特定の平均細孔径を有する炭素質吸着剤（モレキュラー
シービングカーボン）からなる吸着剤と接触させること
により、ＨＦＣ類を選択的に吸着除去でき、ＨＦＣ類を
殆ど含有しない高純度ＦＣ−１１６を容易に得ることが
できることを見いだし本発明を成すに到った。
【０００７】すなわち、本発明の請求項１の発明は、不
純物として分子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を主と
して含有するＦＣ−１１６を平均細孔径が３．５Å〜１
１Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下であるゼオ
ライトおよび／または平均細孔径が３．５Å〜１１Åで
ある炭素質吸着剤からなる吸着剤と接触させることによ
り、前記ＨＦＣ類を低減させることを特徴とするＦＣ−
１１６の精製方法である。
純物として分子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を主と
して含有するＦＣ−１１６を平均細孔径が３．５Å〜１
１Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下であるゼオ
ライトおよび／または平均細孔径が３．５Å〜１１Åで
ある炭素質吸着剤からなる吸着剤と接触させることによ
り、前記ＨＦＣ類を低減させることを特徴とするＦＣ−
１１６の精製方法である。
【０００８】本発明の請求項２の発明は、請求項１記載
の精製方法において、前記ＨＦＣ類が、フルオロエタ
ン、１，１−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフル
オロエタン、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、
１，１，２，２−テトラフルオロエタンおよびペンタフ
ルオロエタンから選ばれる少なくとも一つの化合物であ
ることを特徴とする。
の精製方法において、前記ＨＦＣ類が、フルオロエタ
ン、１，１−ジフルオロエタン、１，１，１−トリフル
オロエタン、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、
１，１，２，２−テトラフルオロエタンおよびペンタフ
ルオロエタンから選ばれる少なくとも一つの化合物であ
ることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項３の発明は、請求項１ある
いは請求項２記載の精製方法において、不純物として分
子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を主として含有する
ＦＣ−１１６が、分子内に炭素原子２個を含むハイドロ
フルオロカーボンとフッ素ガスを反応させる直接フッ素
化法により製造されたＦＣ−１１６であることを特徴と
する。
いは請求項２記載の精製方法において、不純物として分
子内に炭素原子２個を含むＨＦＣ類を主として含有する
ＦＣ−１１６が、分子内に炭素原子２個を含むハイドロ
フルオロカーボンとフッ素ガスを反応させる直接フッ素
化法により製造されたＦＣ−１１６であることを特徴と
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】ＦＣ−１１６の製造方法として、
例えば、分子内に炭素原子２個を含むハイドロフルオロ
カーボンであるフルオロエタン（以下、Ｃ2 Ｈ5 Ｆと称
す。また、ＣＨ2 ＦＣＨ3 または「ＨＦＣ−１６１」と
称す場合がある）とフッ素ガス（Ｆ2）を反応させる直
接フッ素化法の場合、下記の式（６）で表される主反応
以外に下記の式（１）〜式（５）で表される反応が進行
する。
例えば、分子内に炭素原子２個を含むハイドロフルオロ
カーボンであるフルオロエタン（以下、Ｃ2 Ｈ5 Ｆと称
す。また、ＣＨ2 ＦＣＨ3 または「ＨＦＣ−１６１」と
称す場合がある）とフッ素ガス（Ｆ2）を反応させる直
接フッ素化法の場合、下記の式（６）で表される主反応
以外に下記の式（１）〜式（５）で表される反応が進行
する。
【００１１】 Ｃ2 Ｈ5 Ｆ ＋ Ｆ2 → Ｃ2 Ｈ4 Ｆ2 ＋ ＨＦ 式（１） Ｃ2 Ｈ4 Ｆ2 ＋ Ｆ2 → Ｃ2 Ｈ3 Ｆ3 ＋ ＨＦ 式（２） Ｃ2 Ｈ3 Ｆ3 ＋ Ｆ2 → Ｃ2 Ｈ2 Ｆ4 ＋ ＨＦ 式（３） Ｃ2 Ｈ2 Ｆ4 ＋ Ｆ2 → Ｃ2 ＨＦ5 ＋ ＨＦ 式（４） Ｃ2 ＨＦ5 ＋ Ｆ2 → Ｃ2 Ｆ6 ＋ ＨＦ 式（５） ──────────────────────────────────── Ｃ2 Ｈ5 Ｆ ＋５Ｆ2 → Ｃ2 Ｆ6 ＋５ＨＦ 式（６）
【００１２】このように、目的物であるＦＣ−１１６以
外に、ＦＣ−１１６の中間体であるジフルオロエタン
（Ｃ2 Ｈ4 Ｆ2 ）、トリフルオロエタン（Ｃ2 Ｈ3 Ｆ
3 ）、テトラフルオロエタン（Ｃ2 Ｈ2 Ｆ4 ）、ペンタ
フルオロエタン（Ｃ2 ＨＦ5 、以下、「ＨＦＣ−１２
５」または「ＣＦ3 ＣＨＦ2 」と称す）などの分子内に
炭素原子を２個含むＨＦＣ類が生成する。
外に、ＦＣ−１１６の中間体であるジフルオロエタン
（Ｃ2 Ｈ4 Ｆ2 ）、トリフルオロエタン（Ｃ2 Ｈ3 Ｆ
3 ）、テトラフルオロエタン（Ｃ2 Ｈ2 Ｆ4 ）、ペンタ
フルオロエタン（Ｃ2 ＨＦ5 、以下、「ＨＦＣ−１２
５」または「ＣＦ3 ＣＨＦ2 」と称す）などの分子内に
炭素原子を２個含むＨＦＣ類が生成する。
【００１３】そして通常の場合、ジフルオロエタンとし
ては１，１−ジフルオロエタン（以下、「ＨＦＣ−１５
２ａ」または「ＣＨＦ2 ＣＨ3 」と称す）の生成量が多
く、トリフルオロエタンとしては１，１，１−トリフル
オロエタン（以下、「ＨＦＣ−１４３ａ」または「ＣＦ
3 ＣＨ3 」と称す）の生成量が多く、テトラフルオロエ
タンとしては１，１，１，２−テトラフルオロエタン
（以下、「ＨＦＣ−１３４ａ」または「ＣＦ3 ＣＨ2
Ｆ」と称す）の生成量が多い。
ては１，１−ジフルオロエタン（以下、「ＨＦＣ−１５
２ａ」または「ＣＨＦ2 ＣＨ3 」と称す）の生成量が多
く、トリフルオロエタンとしては１，１，１−トリフル
オロエタン（以下、「ＨＦＣ−１４３ａ」または「ＣＦ
3 ＣＨ3 」と称す）の生成量が多く、テトラフルオロエ
タンとしては１，１，１，２−テトラフルオロエタン
（以下、「ＨＦＣ−１３４ａ」または「ＣＦ3 ＣＨ2
Ｆ」と称す）の生成量が多い。
【００１４】目的物であるＦＣ−１１６と中間体である
ＨＦＣ類の大気圧下における沸点を次に示す。
ＨＦＣ類の大気圧下における沸点を次に示す。
【００１５】 ＨＦＣ−１５２ａ（ＣＨＦ2 ＣＨ3 ） −２４．２℃ ＨＦＣ−１３４ａ（ＣＦ3 ＣＨ2 Ｆ） −２６．５℃ ＨＦＣ−１６１ （ＣＨ2 ＦＣＨ3 ） −３７．１℃ ＨＦＣ−１４３ａ（ＣＦ3 ＣＨ3 ） −４７．４℃ ＨＦＣ−１２５ （ＣＦ3 ＣＨＦ2 ） −４８．６℃ ＦＣ−１１６ （ＣＦ3 ＣＦ3 ） −７８．１℃
【００１６】ＦＣ−１１６とＨＦＣ−１３４ａ、ＦＣ−
１１６とＨＦＣ−１２５は共沸様混合物を形成し、ま
た、ＦＣ−１１６とＨＦＣ−１４３ａ、ＨＦＣ−１６
１、ＨＦＣ−１５２ａは蒸留操作では極めて分離困難な
物質である。このため、通常の蒸留操作ではこれらの不
純物を極力少なくするために、蒸留塔の段数を増やした
り蒸留塔の本数を多くするなどの対策がとられるが、不
経済となる上、ＨＦＣ類を殆ど含有しない高純度ＦＣ−
１１６を製造することは極めて困難である。
１１６とＨＦＣ−１２５は共沸様混合物を形成し、ま
た、ＦＣ−１１６とＨＦＣ−１４３ａ、ＨＦＣ−１６
１、ＨＦＣ−１５２ａは蒸留操作では極めて分離困難な
物質である。このため、通常の蒸留操作ではこれらの不
純物を極力少なくするために、蒸留塔の段数を増やした
り蒸留塔の本数を多くするなどの対策がとられるが、不
経済となる上、ＨＦＣ類を殆ど含有しない高純度ＦＣ−
１１６を製造することは極めて困難である。
【００１７】本発明においては、ＦＣ−１１６中のＨＦ
Ｃ類を選択的に吸着除去するため、平均細孔径が３．５
Å〜１１Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下であ
るゼオライトや平均細孔径が３．５Å〜１１Åである炭
素質吸着剤（モレキュラーシービングカーボン）からな
る吸着剤を使用する。前記ゼオライトや前記炭素質吸着
剤はそれぞれ単独で使用することも、あるいは両者を任
意の割合で組み合わせて使用することもできる。
Ｃ類を選択的に吸着除去するため、平均細孔径が３．５
Å〜１１Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下であ
るゼオライトや平均細孔径が３．５Å〜１１Åである炭
素質吸着剤（モレキュラーシービングカーボン）からな
る吸着剤を使用する。前記ゼオライトや前記炭素質吸着
剤はそれぞれ単独で使用することも、あるいは両者を任
意の割合で組み合わせて使用することもできる。
【００１８】これらの吸着剤を用いて除去可能なＨＦＣ
類としては、具体的には、例えばＨＦＣ−１６１、ＨＦ
Ｃ−１５２ａ、ＨＦＣ−１４３ａ、１，１，２，２−テ
トラフルオロエタン（以下、「ＨＦＣ−１３４」または
「ＣＨＦ2 ＣＨＦ2 」と称す）、ＨＦＣ−１３４ａ、Ｈ
ＦＣ−１５２などから選ばれる少なくとも１つの化合物
であり、これらの中でも好ましくはＨＦＣ−１３４、Ｈ
ＦＣ−１３４ａ、ＨＦＣ−１２５から選ばれる化合物で
あり、さらに好ましくは、ＦＣ−１１６と共沸様混合物
を形成し蒸留操作では分離困難なＨＦＣ−１３４ａおよ
び／またはＨＦＣ−１２５である。
類としては、具体的には、例えばＨＦＣ−１６１、ＨＦ
Ｃ−１５２ａ、ＨＦＣ−１４３ａ、１，１，２，２−テ
トラフルオロエタン（以下、「ＨＦＣ−１３４」または
「ＣＨＦ2 ＣＨＦ2 」と称す）、ＨＦＣ−１３４ａ、Ｈ
ＦＣ−１５２などから選ばれる少なくとも１つの化合物
であり、これらの中でも好ましくはＨＦＣ−１３４、Ｈ
ＦＣ−１３４ａ、ＨＦＣ−１２５から選ばれる化合物で
あり、さらに好ましくは、ＦＣ−１１６と共沸様混合物
を形成し蒸留操作では分離困難なＨＦＣ−１３４ａおよ
び／またはＨＦＣ−１２５である。
【００１９】目的物であるＦＣ−１１６と不純物のＨＦ
Ｃ類の分子径は計算によれば、ＦＣ−１１６が約４．３
Åであるのに対し、例えばＨＦＣ−１３４ａは約４．２
Å、ＨＦＣ−１２５は約４．２Åであり、ＦＣ−１１６
と不純物のＨＦＣ類の分子径の差は小さい。従って、分
子径の差のみによってＦＣ−１１６中のＨＦＣ類を選択
的に吸着除去することは難しいと推測された。
Ｃ類の分子径は計算によれば、ＦＣ−１１６が約４．３
Åであるのに対し、例えばＨＦＣ−１３４ａは約４．２
Å、ＨＦＣ−１２５は約４．２Åであり、ＦＣ−１１６
と不純物のＨＦＣ類の分子径の差は小さい。従って、分
子径の差のみによってＦＣ−１１６中のＨＦＣ類を選択
的に吸着除去することは難しいと推測された。
【００２０】そこで、本発明者等は吸着剤の極性や孔径
などを考慮し、吸着剤の種類や吸着処理条件などを変化
させるなど、ＨＦＣ類の選択的吸着除去方法について鋭
意検討を重ねた結果、特に平均細孔径が３．５Å〜１１
Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下のゼオライ
ト、例えば４．２Å程度の平均細孔径を有し、シリカ／
アルミニウム比が２．０以下のゼオライトを用いて吸着
操作を行うことで、不純物として約５００ｐｐｍのＨＦ
Ｃ類を含有するＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有量を低
減できることを見いだし、また前記ゼオライトの種類に
よっては不純物のＨＦＣ類の含有量が１０ｐｐｍ以下の
高純度ＦＣ−１１６を得ることが可能であることを見い
だした。
などを考慮し、吸着剤の種類や吸着処理条件などを変化
させるなど、ＨＦＣ類の選択的吸着除去方法について鋭
意検討を重ねた結果、特に平均細孔径が３．５Å〜１１
Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下のゼオライ
ト、例えば４．２Å程度の平均細孔径を有し、シリカ／
アルミニウム比が２．０以下のゼオライトを用いて吸着
操作を行うことで、不純物として約５００ｐｐｍのＨＦ
Ｃ類を含有するＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有量を低
減できることを見いだし、また前記ゼオライトの種類に
よっては不純物のＨＦＣ類の含有量が１０ｐｐｍ以下の
高純度ＦＣ−１１６を得ることが可能であることを見い
だした。
【００２１】シリカ／アルミニウム比（Ｓｉ／Ａｌ）が
２．０以下であっても平均細孔径が３．５Å未満、例え
ば３．２Å程度の平均細孔径を有するゼオライトは、Ｈ
ＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。シリカ／ア
ルミニウム比（Ｓｉ／Ａｌ）が２．０以下であっても平
均細孔径が１１Åを超える平均細孔径を有するゼオライ
トもＨＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。また
平均細孔径が３．５Å〜１１Åであってもシリカ／アル
ミニウム比（Ｓｉ／Ａｌ）が２．０を超えるゼオライト
もＨＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。
２．０以下であっても平均細孔径が３．５Å未満、例え
ば３．２Å程度の平均細孔径を有するゼオライトは、Ｈ
ＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。シリカ／ア
ルミニウム比（Ｓｉ／Ａｌ）が２．０以下であっても平
均細孔径が１１Åを超える平均細孔径を有するゼオライ
トもＨＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。また
平均細孔径が３．５Å〜１１Åであってもシリカ／アル
ミニウム比（Ｓｉ／Ａｌ）が２．０を超えるゼオライト
もＨＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。
【００２２】平均細孔径が３．５Å〜１１Åの炭素質吸
着剤（モレキュラーシービングカーボン）、例えば約４
Åまたは約５Å程度の平均細孔径を有する炭素質吸着剤
についても同様な検討を行ったところ、ＨＦＣ類の含有
量を低減できることが認められた。しかし、平均細孔径
が１１Åを超える炭素質吸着剤ではＨＦＣ類の低減が認
められず、例えば、一般に使用されている強い吸着能を
有する３５Å程度の平均細孔径を有する活性炭はＨＦＣ
類の低減がほとんど認められなかった。
着剤（モレキュラーシービングカーボン）、例えば約４
Åまたは約５Å程度の平均細孔径を有する炭素質吸着剤
についても同様な検討を行ったところ、ＨＦＣ類の含有
量を低減できることが認められた。しかし、平均細孔径
が１１Åを超える炭素質吸着剤ではＨＦＣ類の低減が認
められず、例えば、一般に使用されている強い吸着能を
有する３５Å程度の平均細孔径を有する活性炭はＨＦＣ
類の低減がほとんど認められなかった。
【００２３】ＦＣ−１１６中に含有される不純物のＨＦ
Ｃ類の濃度は特に限定されないが、１Ｖｏｌ％以下が好
ましく、更に好ましくは０．１Ｖｏｌ％以下が望まし
い。また、目的とするＦＣ−１１６の製造方法として
は、例えば前記のように分子内に炭素原子２個を含むハ
イドロフルオロカーボンとフッ素ガスを反応させる直接
フッ化法があるが、原料のハイドロフルオロカーボン中
に含まれる塩素化合物の濃度は０．５Ｖｏｌ％以下が好
ましく、更に好ましくは０．１Ｖｏｌ％以下である。
Ｃ類の濃度は特に限定されないが、１Ｖｏｌ％以下が好
ましく、更に好ましくは０．１Ｖｏｌ％以下が望まし
い。また、目的とするＦＣ−１１６の製造方法として
は、例えば前記のように分子内に炭素原子２個を含むハ
イドロフルオロカーボンとフッ素ガスを反応させる直接
フッ化法があるが、原料のハイドロフルオロカーボン中
に含まれる塩素化合物の濃度は０．５Ｖｏｌ％以下が好
ましく、更に好ましくは０．１Ｖｏｌ％以下である。
【００２４】本発明のＦＣ−１１６の精製方法におい
て、不純物のＨＦＣ類を含有するＦＣ−１１６を前記吸
着剤に接触させる方法は特に限定されず、例えば気相で
接触させる方法、あるいは液相で接触させる方法のいず
れの方法も可能であるが、液相で接触させる方法が効率
よく好ましい。
て、不純物のＨＦＣ類を含有するＦＣ−１１６を前記吸
着剤に接触させる方法は特に限定されず、例えば気相で
接触させる方法、あるいは液相で接触させる方法のいず
れの方法も可能であるが、液相で接触させる方法が効率
よく好ましい。
【００２５】液相で接触させる方法には、回分式や連続
式などの公知の方法を用いることができるが、工業的に
は例えば固定床式吸着塔を２基設け、一方が飽和吸着に
達すればこれを切り換え再生する方法が一般的である。
式などの公知の方法を用いることができるが、工業的に
は例えば固定床式吸着塔を２基設け、一方が飽和吸着に
達すればこれを切り換え再生する方法が一般的である。
【００２６】本発明のＦＣ−１１６の精製方法におい
て、不純物のＨＦＣ類を含有するＦＣ−１１６を前記吸
着剤に接触させる際の処理温度、処理量および処理圧力
は特に限定されないが、処理温度は低温が好ましく、通
常は例えば−３０℃〜７０℃がよい。処理圧力は液相の
場合は、液相に保持できればよく、気相の場合は特に限
定されない。
て、不純物のＨＦＣ類を含有するＦＣ−１１６を前記吸
着剤に接触させる際の処理温度、処理量および処理圧力
は特に限定されないが、処理温度は低温が好ましく、通
常は例えば−３０℃〜７０℃がよい。処理圧力は液相の
場合は、液相に保持できればよく、気相の場合は特に限
定されない。
【００２７】
【実施例】以下、実施例および比較例により本発明をよ
り詳細に説明するが、本発明の主旨を逸脱しない限り、
本発明は実施例に限定されるものではない。 ［ＦＣ−１１６の製造例１］ １，１−ジフルオロエタン（ＣＨＦ2 ＣＨ3 ）とフッ素
ガス（Ｆ2 ）を窒素ガスで希釈しながら直接フッ素化反
応を行い、反応ガスをアルカリ洗浄塔に導入し生成した
フッ化水素（ＨＦ）および少量の未反応フッ素ガス（Ｆ
2 ）を除去し、ＦＣ−１１６に富む生成ガスを公知の方
法で分別蒸留により精製し、ガスクロマトグラフィーで
分析したところ下記の組成のＦＣ−１１６（原料例１）
を得た。
り詳細に説明するが、本発明の主旨を逸脱しない限り、
本発明は実施例に限定されるものではない。 ［ＦＣ−１１６の製造例１］ １，１−ジフルオロエタン（ＣＨＦ2 ＣＨ3 ）とフッ素
ガス（Ｆ2 ）を窒素ガスで希釈しながら直接フッ素化反
応を行い、反応ガスをアルカリ洗浄塔に導入し生成した
フッ化水素（ＨＦ）および少量の未反応フッ素ガス（Ｆ
2 ）を除去し、ＦＣ−１１６に富む生成ガスを公知の方
法で分別蒸留により精製し、ガスクロマトグラフィーで
分析したところ下記の組成のＦＣ−１１６（原料例１）
を得た。
【００２８】
【００２９】［ＦＣ−１１６の製造例２］ 現在、ＣＦＣ−１２（ＣＣｌ2 Ｆ2 ）の代替品として供
給されている１，１，１，２−テトラフルオロエタン
（ＣＦ3 ＣＨ2 Ｆ）［エコロエース１３４ａ（商品名：
昭和電工株式会社製。純分は９９．９９％以上で異性体
のＣＨＦ2 ＣＨＦ2 を約２０ｐｐｍ含み、含塩素化合物
は検出されない。］を使用した。このエコロエース１３
４ａとフッ素ガス（Ｆ2 ）を窒素ガスで希釈しながら直
接フッ素化反応を行い、反応ガスをアルカリ洗浄塔に導
入し、生成したフッ化水素（ＨＦ）および少量の未反応
フッ素ガス（Ｆ2 ）を除去し、ＦＣ−１１６に富む生成
ガスを公知の方法で分別蒸留により精製し、ガスクロマ
トグラフィーで分析したところ下記の組成のＦＣ−１１
６（原料例２）を得た。
給されている１，１，１，２−テトラフルオロエタン
（ＣＦ3 ＣＨ2 Ｆ）［エコロエース１３４ａ（商品名：
昭和電工株式会社製。純分は９９．９９％以上で異性体
のＣＨＦ2 ＣＨＦ2 を約２０ｐｐｍ含み、含塩素化合物
は検出されない。］を使用した。このエコロエース１３
４ａとフッ素ガス（Ｆ2 ）を窒素ガスで希釈しながら直
接フッ素化反応を行い、反応ガスをアルカリ洗浄塔に導
入し、生成したフッ化水素（ＨＦ）および少量の未反応
フッ素ガス（Ｆ2 ）を除去し、ＦＣ−１１６に富む生成
ガスを公知の方法で分別蒸留により精製し、ガスクロマ
トグラフィーで分析したところ下記の組成のＦＣ−１１
６（原料例２）を得た。
【００３０】
【００３１】［実施例１］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス５
Ａ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径４．２Å、シ
リカ／アルミニウム比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾
燥後、シリンダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１１
６を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々
攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィー
で分析した。尚、ガスクロマトグラフィーでのＨＦＣ類
の検出限界は約１ｐｐｍである。結果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス５
Ａ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径４．２Å、シ
リカ／アルミニウム比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾
燥後、シリンダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１１
６を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々
攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィー
で分析した。尚、ガスクロマトグラフィーでのＨＦＣ類
の検出限界は約１ｐｐｍである。結果を次に示す。
【００３２】
【００３３】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が４．２Åでシリカ／アルミニウム比が１のゼオライ
トを吸着剤として用いることにより、ＦＣ−１１６中の
ＨＦＣ類の含有量を低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ
以下とすることができる。
径が４．２Åでシリカ／アルミニウム比が１のゼオライ
トを吸着剤として用いることにより、ＦＣ−１１６中の
ＨＦＣ類の含有量を低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ
以下とすることができる。
【００３４】［実施例２］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス５
Ａ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径４．２Å、シ
リカ／アルミニウム比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾
燥後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ−１１
６を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々
攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィー
で分析した。結果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス５
Ａ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径４．２Å、シ
リカ／アルミニウム比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾
燥後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ−１１
６を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々
攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィー
で分析した。結果を次に示す。
【００３５】
【００３６】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が４．２Åでシリカ／アルミニウム比が１のゼオライ
トを用いることにより、ＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含
有量を低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下とするこ
とができる。
径が４．２Åでシリカ／アルミニウム比が１のゼオライ
トを用いることにより、ＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含
有量を低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下とするこ
とができる。
【００３７】［実施例３］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス１
３Ｘ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径１０Å、シ
リカ／アルミニウム比＝０．８１）］を２０ｇ充填し、
真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ
−１１６を約８０ｇ充填し、室温で時々攪拌し、約８時
間後、液相部をガスクロマトグラフィーで分析した。結
果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス１
３Ｘ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径１０Å、シ
リカ／アルミニウム比＝０．８１）］を２０ｇ充填し、
真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ
−１１６を約８０ｇ充填し、室温で時々攪拌し、約８時
間後、液相部をガスクロマトグラフィーで分析した。結
果を次に示す。
【００３８】
【００３９】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が１０Å、シリカ／アルミニウム比が０．８１のゼオ
ライトを用いることによりＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の
含有量を低減できる。
径が１０Å、シリカ／アルミニウム比が０．８１のゼオ
ライトを用いることによりＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の
含有量を低減できる。
【００４０】［実施例４］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、炭素質吸着剤［モレキュラーシービン
グカーボン、武田薬品工業株式会社製：平均細孔径５
Å］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却し
ながら原料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ充填し、室温
で時々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラ
フィーで分析した。結果を次に示す。
製シリンダーに、炭素質吸着剤［モレキュラーシービン
グカーボン、武田薬品工業株式会社製：平均細孔径５
Å］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却し
ながら原料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ充填し、室温
で時々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラ
フィーで分析した。結果を次に示す。
【００４１】
【００４２】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が５Åの炭素質吸着剤を用いることによりＦＣ−１１
６中のＨＦＣ類の含有量を低減できる。
径が５Åの炭素質吸着剤を用いることによりＦＣ−１１
６中のＨＦＣ類の含有量を低減できる。
【００４３】［実施例５］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス１
３Ｘ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径１０Å、シ
リカ／アルミニウム比＝０．８１）］１０ｇと炭素質吸
着剤［モレキュラーシービングカーボン、武田薬品工業
株式会社製：平均細孔径５Å］１０ｇを混合した吸着剤
２０ｇを充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しなが
ら原料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ充填し、室温で時
々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィ
ーで分析した。結果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブス１
３Ｘ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径１０Å、シ
リカ／アルミニウム比＝０．８１）］１０ｇと炭素質吸
着剤［モレキュラーシービングカーボン、武田薬品工業
株式会社製：平均細孔径５Å］１０ｇを混合した吸着剤
２０ｇを充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しなが
ら原料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ充填し、室温で時
々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィ
ーで分析した。結果を次に示す。
【００４４】
【００４５】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が１０Åでシリカ／アルミニウム比が０．８１のゼオ
ライトおよび平均細孔径が５Åの炭素質吸着剤を混合し
た吸着剤を用いることによりＦＣ−１１６中のＨＦＣ類
の含有量を低減できる。
径が１０Åでシリカ／アルミニウム比が０．８１のゼオ
ライトおよび平均細孔径が５Åの炭素質吸着剤を混合し
た吸着剤を用いることによりＦＣ−１１６中のＨＦＣ類
の含有量を低減できる。
【００４６】［比較例１］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブスＸ
Ｈ−９（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．２
Å、シリカ／アルミニウム比＝１）］を３０ｇ充填し、
真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ
−１１６を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちなが
ら時々攪拌し、約１０時間後、液相部をガスクロマトグ
ラフィーで分析した。結果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブスＸ
Ｈ−９（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．２
Å、シリカ／アルミニウム比＝１）］を３０ｇ充填し、
真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ
−１１６を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちなが
ら時々攪拌し、約１０時間後、液相部をガスクロマトグ
ラフィーで分析した。結果を次に示す。
【００４７】
【００４８】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が３．５Å未満でシリカ／アルミニウム比が１のゼオ
ライトではＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有量の低減は
認められない。
径が３．５Å未満でシリカ／アルミニウム比が１のゼオ
ライトではＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有量の低減は
認められない。
【００４９】［比較例２］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［Ｈ−ＺＳＭ−５（エヌ・
イーケムキャット株式会社製：平均細孔径６Å、シリカ
／アルミニウム比＝１５）］（米国特許第５，５２３，
４９９号の実施例ＶＩで使用しているゼオライトに相当
するゼオライト）を３０ｇ充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ
充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々攪拌し、約１
０時間後、液相部をガスクロマトグラフィーで分析し
た。結果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［Ｈ−ＺＳＭ−５（エヌ・
イーケムキャット株式会社製：平均細孔径６Å、シリカ
／アルミニウム比＝１５）］（米国特許第５，５２３，
４９９号の実施例ＶＩで使用しているゼオライトに相当
するゼオライト）を３０ｇ充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ
充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々攪拌し、約１
０時間後、液相部をガスクロマトグラフィーで分析し
た。結果を次に示す。
【００５０】
【００５１】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が６Åであってもシリカ／アルミニウム比が２．０を
超えるゼオライトではＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有
量の低減は認められなかった。
径が６Åであってもシリカ／アルミニウム比が２．０を
超えるゼオライトではＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有
量の低減は認められなかった。
【００５２】［比較例３］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［Ｈ−ＺＳＭ−５（エヌ・
イーケムキャット株式会社製：平均細孔径６Å、シリカ
／アルミニウム比＝７５）］を３０ｇ充填し、真空乾燥
後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ−１１６
を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々攪
拌し、約１０時間後、液相部をガスクロマトグラフィー
で分析した。結果を次に示す。
製シリンダーに、ゼオライト［Ｈ−ＺＳＭ−５（エヌ・
イーケムキャット株式会社製：平均細孔径６Å、シリカ
／アルミニウム比＝７５）］を３０ｇ充填し、真空乾燥
後、シリンダーを冷却しながら原料例２のＦＣ−１１６
を約８０ｇ充填し、温度を−２０℃に保ちながら時々攪
拌し、約１０時間後、液相部をガスクロマトグラフィー
で分析した。結果を次に示す。
【００５３】
【００５４】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が６Åであってもシリカ／アルミニウム比が２．０を
超えるゼオライトではＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有
量の低減は認められなかった。
径が６Åであってもシリカ／アルミニウム比が２．０を
超えるゼオライトではＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有
量の低減は認められなかった。
【００５５】［比較例４］容量２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、炭素質吸着剤［活性炭：粒状白サギＫ
Ｌ、武田薬品工業株式会社製：平均細孔径３５Å］を２
０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原
料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ充填し、室温で時々攪
拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィーで
分析した。結果を次に示す。
製シリンダーに、炭素質吸着剤［活性炭：粒状白サギＫ
Ｌ、武田薬品工業株式会社製：平均細孔径３５Å］を２
０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原
料例２のＦＣ−１１６を約８０ｇ充填し、室温で時々攪
拌し、約８時間後、液相部をガスクロマトグラフィーで
分析した。結果を次に示す。
【００５６】
【００５７】上記の結果から明らかなように、平均細孔
径が１１Åを超える炭素質吸着剤ではＦＣ−１１６中の
ＨＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。
径が１１Åを超える炭素質吸着剤ではＦＣ−１１６中の
ＨＦＣ類の含有量の低減は認められなかった。
【００５８】
【発明の効果】従来、分子内に炭素原子２個を含むＨＦ
Ｃ類を不純物として含有するＦＣ−１１６を精製してＨ
ＦＣ類を除去するのは非常に困難であったが、本発明の
ＦＣ−１１６の精製方法により、簡便かつ経済的にしか
も工業的に有利にＨＦＣ類を除去して半導体のドライエ
ッチング用などに使用される高純度ＦＣ−１１６を製造
できる。本発明によれば吸着剤として平均細孔径が３．
５Å〜１１Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下の
ゼオライトおよび／または平均細孔径が３．５Å〜１１
Åの炭素質吸着剤（モレキュラーシービングカーボン）
を使用し、不純物のＨＦＣ類を含有するＦＣ−１１６を
この吸着剤と接触させることにより選択的にＨＦＣ類を
吸着除去してＨＦＣ類の含有量を容易に低減できる。吸
着剤の種類によってはＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有
量が１０ｐｐｍ以下の高純度ＦＣ−１１６を製造するこ
とができる。
Ｃ類を不純物として含有するＦＣ−１１６を精製してＨ
ＦＣ類を除去するのは非常に困難であったが、本発明の
ＦＣ−１１６の精製方法により、簡便かつ経済的にしか
も工業的に有利にＨＦＣ類を除去して半導体のドライエ
ッチング用などに使用される高純度ＦＣ−１１６を製造
できる。本発明によれば吸着剤として平均細孔径が３．
５Å〜１１Å、シリカ／アルミニウム比が２．０以下の
ゼオライトおよび／または平均細孔径が３．５Å〜１１
Åの炭素質吸着剤（モレキュラーシービングカーボン）
を使用し、不純物のＨＦＣ類を含有するＦＣ−１１６を
この吸着剤と接触させることにより選択的にＨＦＣ類を
吸着除去してＨＦＣ類の含有量を容易に低減できる。吸
着剤の種類によってはＦＣ−１１６中のＨＦＣ類の含有
量が１０ｐｐｍ以下の高純度ＦＣ−１１６を製造するこ
とができる。
フロントページの続き (72)発明者 新井 龍晴 神奈川県川崎市川崎区扇町５−１ 昭和電 工株式会社川崎工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 不純物として分子内に炭素原子２個を含
むハイドロフルオロカーボン類を主として含有するヘキ
サフルオロエタンを平均細孔径が３．５Å〜１１Å、シ
リカ／アルミニウム比が２．０以下であるゼオライトお
よび／または平均細孔径が３．５Å〜１１Åである炭素
質吸着剤からなる吸着剤と接触させることにより、前記
ハイドロフルオロカーボン類を低減させることを特徴と
するヘキサフルオロエタンの精製方法。 - 【請求項２】 前記ハイドロフルオロカーボン類が、フ
ルオロエタン、１，１−ジフルオロエタン、１，１，１
−トリフルオロエタン、１，１，１，２−テトラフルオ
ロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエタンおよ
びペンタフルオロエタンから選ばれる少なくとも一つの
化合物であることを特徴とする請求項１記載の精製方
法。 - 【請求項３】 不純物として分子内に炭素原子２個を含
むハイドロフルオロカーボン類を主として含有するヘキ
サフルオロエタンが、分子内に炭素原子２個を含むハイ
ドロフルオロカーボンとフッ素ガスを反応させる直接フ
ッ素化法により製造されたヘキサフルオロエタンである
ことを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載の精製
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09889197A JP3856408B2 (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | ヘキサフルオロエタンの精製方法 |
| US09/523,966 US6274782B1 (en) | 1997-04-16 | 2000-03-13 | Method for purifying hexafluoroethane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09889197A JP3856408B2 (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | ヘキサフルオロエタンの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10287595A true JPH10287595A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3856408B2 JP3856408B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=14231767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09889197A Expired - Lifetime JP3856408B2 (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | ヘキサフルオロエタンの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3856408B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544319B1 (en) | 2002-01-16 | 2003-04-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Purification of hexafluoro-1,3-butadiene |
| JP2004035436A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Showa Denko Kk | ペンタフルオロエタンの精製方法および製造方法並びにその用途 |
| JP2008162985A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Jiemuko:Kk | 光透過性を高めたフッ素化不活性液体及びその製造方法 |
| JP2011136955A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Union Showa Kk | 高純度含フッ素化合物の製造方法及びその方法で得られた高純度含フッ素化合物 |
| CN109970509A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 浙江蓝天环保高科技股份有限公司 | 一种工业级六氟乙烷的提纯方法 |
-
1997
- 1997-04-16 JP JP09889197A patent/JP3856408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544319B1 (en) | 2002-01-16 | 2003-04-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Purification of hexafluoro-1,3-butadiene |
| JP2004035436A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Showa Denko Kk | ペンタフルオロエタンの精製方法および製造方法並びにその用途 |
| JP4666874B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2011-04-06 | 昭和電工株式会社 | ペンタフルオロエタンの精製方法および製造方法並びにその用途 |
| JP2008162985A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Jiemuko:Kk | 光透過性を高めたフッ素化不活性液体及びその製造方法 |
| JP2011136955A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Union Showa Kk | 高純度含フッ素化合物の製造方法及びその方法で得られた高純度含フッ素化合物 |
| CN109970509A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 浙江蓝天环保高科技股份有限公司 | 一种工业级六氟乙烷的提纯方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3856408B2 (ja) | 2006-12-13 |
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